JPWO2022102190A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2022102190A5 JPWO2022102190A5 JP2022561283A JP2022561283A JPWO2022102190A5 JP WO2022102190 A5 JPWO2022102190 A5 JP WO2022102190A5 JP 2022561283 A JP2022561283 A JP 2022561283A JP 2022561283 A JP2022561283 A JP 2022561283A JP WO2022102190 A5 JPWO2022102190 A5 JP WO2022102190A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- radiation
- carbon atoms
- sensitive
- fluorine atom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 36
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 31
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 25
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 23
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 23
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims 18
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 17
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 11
- 150000001768 cations Chemical group 0.000 claims 9
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 8
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims 8
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 claims 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims 3
- -1 sulfonium cation Chemical class 0.000 claims 3
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 2
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 claims 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000005278 alkyl sulfonyloxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000008282 halocarbons Chemical group 0.000 claims 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020188515 | 2020-11-12 | ||
| JP2021020781 | 2021-02-12 | ||
| PCT/JP2021/029984 WO2022102190A1 (ja) | 2020-11-12 | 2021-08-17 | 感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2022102190A1 JPWO2022102190A1 (https=) | 2022-05-19 |
| JPWO2022102190A5 true JPWO2022102190A5 (https=) | 2024-07-10 |
Family
ID=81601089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022561283A Pending JPWO2022102190A1 (https=) | 2020-11-12 | 2021-08-17 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230273519A1 (https=) |
| JP (1) | JPWO2022102190A1 (https=) |
| KR (1) | KR102891971B1 (https=) |
| TW (1) | TWI911279B (https=) |
| WO (1) | WO2022102190A1 (https=) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230384677A1 (en) * | 2022-05-24 | 2023-11-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Onium salt compound, polymer, resist composition, and patterning process |
| KR20250152562A (ko) * | 2023-02-22 | 2025-10-23 | 제이에스알 가부시키가이샤 | 감방사선성 조성물 및 패턴 형성 방법 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5856991B2 (ja) | 2012-05-21 | 2016-02-10 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物、ネガ型化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法 |
| JP5803872B2 (ja) * | 2012-10-17 | 2015-11-04 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP6507958B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2019-05-08 | Jsr株式会社 | 化学増幅型レジスト材料及びレジストパターン形成方法 |
| JP7079591B2 (ja) * | 2016-12-14 | 2022-06-02 | 住友化学株式会社 | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP7183757B2 (ja) * | 2017-12-22 | 2022-12-06 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| US11820735B2 (en) * | 2018-04-12 | 2023-11-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern |
| JP7205419B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2023-01-17 | 信越化学工業株式会社 | オニウム塩、レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| JP7344108B2 (ja) * | 2019-01-08 | 2023-09-13 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
| JP7111047B2 (ja) * | 2019-04-05 | 2022-08-02 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム化合物、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
-
2021
- 2021-08-17 WO PCT/JP2021/029984 patent/WO2022102190A1/ja not_active Ceased
- 2021-08-17 US US18/024,309 patent/US20230273519A1/en active Pending
- 2021-08-17 JP JP2022561283A patent/JPWO2022102190A1/ja active Pending
- 2021-08-17 KR KR1020237006239A patent/KR102891971B1/ko active Active
- 2021-09-16 TW TW110134682A patent/TWI911279B/zh active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101705043B1 (ko) | 감광성 조성물 | |
| TWI886464B (zh) | 感放射線性組成物及抗蝕劑圖案形成方法 | |
| TWI513678B (zh) | 鹽、酸產生劑及光阻組成物 | |
| JP6115377B2 (ja) | 樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 | |
| TWI471702B (zh) | 高分子化合物、正型光阻材料及利用此之圖案形成方法 | |
| TWI476533B (zh) | 氟化氬浸潤式曝光用化學增幅正型光阻材料及圖案形成方法 | |
| KR101933802B1 (ko) | 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 | |
| JP6327036B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体、化合物及び化合物の製造方法 | |
| TWI624723B (zh) | 光阻材料及使用該光阻材料的圖案形成方法 | |
| KR102078898B1 (ko) | 단량체, 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 | |
| JPWO2022102190A5 (https=) | ||
| JP6766778B2 (ja) | 重合性単量体、重合体、レジスト材料、及びパターン形成方法 | |
| JP2018049177A (ja) | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤、化合物及び化合物の製造方法 | |
| JP7775797B2 (ja) | オニウム塩、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
| TWI591439B (zh) | 高分子化合物及單體與光阻材料及圖案形成方法 | |
| JP6468139B2 (ja) | 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
| JP6520372B2 (ja) | レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
| KR20200018340A (ko) | 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 | |
| JP2017156650A (ja) | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物 | |
| TW202336004A (zh) | 鹽化合物、阻劑組成物及圖案形成方法 | |
| JP6241226B2 (ja) | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物 | |
| JP6252049B2 (ja) | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 | |
| JP6398267B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 | |
| TWI636974B (zh) | 鎓鹽化合物、由它衍生出的酸增強劑、含有它的抗蝕劑組成物以及形成抗蝕圖案的方法 | |
| JP7768456B1 (ja) | スルホニウム塩、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法 |