JPWO2022065422A5 - - Google Patents

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JPWO2022065422A5
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Claims (21)

  1. 処理室と、
    前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
    前記処理室内を排気する排気系と、
    前記処理室にプラズマを供給するプラズマ発生構造と、
    少なくとも一部に導電性を有し前記処理室内で複数の基板を保持するボートを、回転可能に支持する回転軸と、
    前記回転軸の内部に設けられ、前記ボートと電気的に接続される内部導体と、
    前記回転軸の端部に設けられ、前記ボートを支持するとともに前記ボートと前記内部導体とを電気的に接続するボート支持台と、を備え
    前記ボート支持台は、前記ボートを上面で支持する絶縁部材と、前記絶縁部材の内部に設けられる金属部材と、を有し、
    前記金属部材は、前記絶縁部材の上面から露出し、前記ボートと接触する接触面を有し、前記ボートと前記内部導体とを電気的に接続する基板処理装置。
  2. 前記処理室外に設けられ、前記内部導体と直流電源とを電気的に接続するスリップリングを備える、
    請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 処理室と、
    前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
    前記処理室内を排気する排気系と、
    前記処理室にプラズマを供給するプラズマ発生構造と、
    少なくとも一部に導電性を有し前記処理室内で複数の基板を保持するボートと、
    前記ボートを回転可能に支持する回転軸と、
    前記回転軸の内部に設けられ、前記ボートと電気的に接続される内部導体と、
    を備え、
    前記プラズマ発生構造は、上下方向に延び、高周波電源若しくはアースに接続され、前記処理室の下部から上部に亘ってプラズマを生成する複数の電極を有する基板処理装置。
  4. 処理室と、
    前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
    前記処理室内を排気する排気系と、
    前記処理室にプラズマを供給するプラズマ発生構造と、
    少なくとも一部に導電性を有し前記処理室内で複数の基板を保持するボートを、回転可能に支持する回転軸と、
    前記回転軸の内部に設けられ、前記ボートと電気的に接続される内部導体と、
    を備え、
    前記プラズマ発生構造は、高周波電力によって間欠的に励起され、前記複数の基板には前記ボートを介して正の直流バイアスが印加される基板処理装置。
  5. 前記接触面は、前記ボートの底板により、覆われる様に構成される請求項1、2、3及び4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
  6. 前記回転軸は筒状に形成され、前記回転軸と前記内部導体の間には、絶縁碍子管が設けられる請求項1、2、3及び4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
  7. 前記内部導体の上端は、前記回転軸の上面よりも突出し、前記金属部材に接触する請求項1、2、3及び4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
  8. 前記ボートは、導電性を有する炭化珪素製である請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。
  9. 処理室と、
    前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
    前記処理室内を排気する排気系と、
    前記処理室にプラズマを供給するプラズマ発生構造と、
    少なくとも一部に導電性を有し前記処理室内で複数の基板を保持するボートを、回転可能に支持する回転軸と、
    前記回転軸の内部に設けられ、前記ボートと電気的に接続される内部導体と、
    を備え、
    前記ボートは、非金属製であり少なくとも表面の一部に導電性を有し、前記内部導体と前記複数の基板との間を電気的に接続する基板処理装置。
  10. 処理室と、
    前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
    前記処理室内を排気する排気系と、
    前記処理室にプラズマを供給するプラズマ発生構造と、
    少なくとも一部に導電性を有し前記処理室内で複数の基板を保持するボートと、
    前記ボートを回転可能に支持する回転軸と、
    前記回転軸の内部に設けられ、前記ボートと電気的に接続される内部導体と、
    を備え、
    前記ボートは、リング状に形成された水平姿勢の電極板を、保持する前記複数の基板と同数有する基板処理装置。
  11. 前記ボートは、複数の前記電極板の上面に、前記複数の基板をそれぞれ載置する請求項10に記載の基板処理装置。
  12. 前記複数の基板と対向する対向壁を有し、ガス分散空間を構成するバッファ室を更に備え、
    前記複数の電極は、バッファ室内に3本設けられる請求項に記載の基板処理装置。
  13. 前記対向壁には、上下方向に隣り合う基板間に形成される処理空間に対応して開口する複数のガス供給孔が設けられる請求項1に記載の基板処理装置。
  14. 前記内部導体は、-10kV~10kVの範囲の電圧の直流若しくは交流のバイアスが供給される請求項1、3、4、9及び10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  15. 少なくとも一部に導電性を有するボートによって複数の基板を処理室内で保持する工程と、
    処理ガス供給系から前記処理室に処理ガスを供給し、プラズマ発生構造から前記処理室にプラズマを供給して、基板を処理する工程と、
    排気系が前記処理室内を排気する工程と、を有し、
    前記処理する工程では、
    前記回転軸の端部に設けられ、前記ボートの上面を絶縁部材で支持するとともに前記ボートと前記内部導体とを金属部材で電気的に接続するボート支持台が用いられ、
    前記処理室の内外に亘って設けられ前記ボートを支持する回転軸が、前記ボートを回転させ、
    前記絶縁部材の内部に設けられつつ、前記絶縁部材の上面から露出して前記ボートと接触する接触面を有する前記金属部材が、前記回転軸の内部に設けられる内部導体を、前記ボートと電気的に接続する、基板処理方法。
  16. 少なくとも一部に導電性を有するボートによって複数の基板を処理室内で保持する工程と、
    処理ガス供給系から前記処理室に処理ガスを供給し、プラズマ発生構造から前記処理室にプラズマを供給して、基板を処理する工程と、
    排気系が前記処理室内を排気する工程と、を有し、
    前記処理する工程では、
    前記処理室の内外に亘って設けられ前記ボートを支持する回転軸が、前記ボートを回転させ、
    前記回転軸の内部に設けられる内部導体を、前記ボートと電気的に接続し、
    プラズマ発生構造が有する、上下方向に延び高周波電源若しくはアースに接続される複数の電極が、前記処理室の下部から上部に亘ってプラズマを生成する、基板処理方法。
  17. 少なくとも一部に導電性を有するボートによって複数の基板を処理室内で保持する工程と、
    処理ガス供給系から前記処理室に処理ガスを供給し、プラズマ発生構造から前記処理室にプラズマを供給して、基板を処理する工程と、
    排気系が前記処理室内を排気する工程と、を有し、
    前記処理する工程では、
    前記プラズマ発生構造は、高周波電力によって間欠的に励起され、
    前記処理室の内外に亘って設けられ前記ボートを支持する回転軸が、前記ボートを回転させ、
    前記回転軸の内部に設けられる内部導体を、前記ボートと電気的に接続し、
    前記複数の基板には前記ボートを介して正の直流バイアスが印加される、基板処理方法。
  18. 少なくとも一部に導電性を有するボートによって複数の基板を処理室内で保持する工程と、
    処理ガス供給系から前記処理室に処理ガスを供給し、プラズマ発生構造から前記処理室にプラズマを供給して、基板を処理する工程と、
    排気系が前記処理室内を排気する工程と、を有し、
    前記処理する工程では、
    非金属製であり少なくとも表面の一部に導電性を有するボートが用いられ、
    前記処理室の内外に亘って設けられ前記ボートを支持する回転軸が、前記ボートを回転させ、
    前記回転軸の内部に設けられる内部導体を、前記ボートと電気的に接続し、
    前記ボートは前記内部導体と前記複数の基板との間を電気的に接続する、基板処理方法。
  19. 少なくとも一部に導電性を有するボートによって複数の基板を処理室内で保持する工程と、
    処理ガス供給系から前記処理室に処理ガスを供給し、プラズマ発生構造から前記処理室にプラズマを供給して、基板を処理する工程と、
    排気系が前記処理室内を排気する工程と、を有し、
    前記処理する工程では、
    リング状に形成された水平姿勢の電極板を、保持する前記複数の基板と同数有する前記ボートが用いられ、
    前記処理室の内外に亘って設けられ前記ボートを支持する回転軸が、前記ボートを回転させ、
    前記回転軸の内部に設けられる内部導体を、前記ボートと電気的に接続する、基板処理方法
  20. 請求項15乃至19のいずれか一項の基板処理方を備える半導体装置の製造方法
  21. コンピュータ上で動作し基板処理装置を制御するためのプログラムを記憶する記録媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項15乃至19のいずれか一項の基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる記録媒体。
JP2022552063A 2020-09-24 2021-09-24 Pending JPWO2022065422A1 (ja)

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JP2020159571 2020-09-24
PCT/JP2021/035033 WO2022065422A1 (ja) 2020-09-24 2021-09-24 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及び記録媒体

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JPWO2022065422A1 JPWO2022065422A1 (ja) 2022-03-31
JPWO2022065422A5 true JPWO2022065422A5 (ja) 2023-05-31

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