JPWO2022004393A5 - - Google Patents

Description

また、本開示に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記主面の平面視において、前記ｎ側コンタクト領域は、前記第１の始点から、前記第１の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第１の追加領域と、前記第２の始点から、前記第２の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第２の追加領域と、前記第３の始点から、前記第３の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第３の追加領域と、前記第４の始点から、前記第４の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第４の追加領域とを有し、前記第１の領域と前記第２の追加領域とは接続され、前記第２の領域と前記第３の追加領域とは接続され、前記第３の領域と前記第４の追加領域とは接続され、前記第４の領域と前記第１の追加領域とは接続されてもよい。

また、本開示に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記主面の平面視において、前記第１の領域と前記第２の追加領域とは、同一方向に延伸し、前記第２の領域と前記第３の追加領域とは、同一方向に延伸し、前記第３の領域と前記第４の追加領域とは、同一方向に延伸し、前記第４の領域と前記第１の追加領域とは、同一方向に延伸してもよい。

また、本開示に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記主面の平面視において、前記ｎ側コンタクト領域は、前記第１の始点から、前記第１の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第１の追加領域と、前記第２の始点から、前記第２の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第２の追加領域と、前記第３の始点から、前記第３の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第３の追加領域と、前記第４の始点から、前記第４の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第４の追加領域とを有し、前記第２の追加領域は、前記第１の領域の延長線上に前記第１の領域から離間して配置され、前記第１の領域と同一方向に延伸し、前記第３の追加領域は、前記第２の領域の延長線上に前記第２の領域から離間して配置され、前記第２の領域と同一方向に延伸し、前記第４の追加領域は、前記第３の領域の延長線上に前記第３の領域から離間して配置され、前記第３の領域と同一方向に延伸し、前記第１の追加領域は、前記第４の領域の延長線上に前記第４の領域から離間して配置され、前記第４の領域と同一方向に延伸してもよい。

また、本開示に係る窒化物半導体発光素子の一態様において、前記第１の領域と前記第２の追加領域との距離ｄ７と、前記第２の領域と前記第３の追加領域との距離ｄ８と、前記第３の領域と前記第４の追加領域との距離ｄ９と、前記第４の領域と前記第１の追加領域との距離ｄ１０と、前記短辺の長さａと、前記主面の平面視における前記半導体積層体の面積に対する前記ｎ側コンタクト領域の面積の割合ｂとは、
０．１≦ｂ≦０．３
ｄ７＝ｄ８＝ｄ９＝ｄ１０
－２．５０ｂ^２＋１．７５ｂ－０．１５＜ｄ７／ａ＜－０．３０ｂ＋０．３５
を満たしてもよい。

続いて、図４に示されるように、ｐ型半導体層１４上に所定形状のｐ側コンタクト電極１６を形成する。本実施の形態では、フォトリソグラフィ技術により、ｐ型半導体層１４が配置された領域に開口が設けられたレジストパターンを形成する。続いて、スパッタ法により、厚さ０．２μｍのＡｇ膜を成膜し、リフトオフ法によりレジスト及びレジスト上のＡｇを除去することで所定形状にパターニングされた反射メタルとしてのＡｇ層を形成する。続いて、スパッタ法により、Ａｇ層を覆う厚さ０．７μｍのＴｉ膜及び厚さ０．３μｍのＡｕ膜からなる積層膜を成膜する。続いて、フォトリソグラフィ技術によりｐ型半導体層１４を覆うレジストパターンを形成し、ウェットエッチングによってｐ型半導体層１４上以外の領域に形成された余分な積層膜を除去し、有機洗浄にてレジストを除去する。このように、Ａｇ層、Ｔｉ層及びＡｕ層からなるｐ側コンタクト電極１６を形成する。ここで、ｐ側コンタクト電極１６の外側の端部と半導体積層体１ｓの外側の端部とは離間しており、例えば８μｍの間隔があけられている。また、ｐ側コンタクト電極１６のｎ側コンタクト電極側の端部と露出部１２ｅの端部とは離間しており、例えば８μｍの間隔があけられている。

第１の角部Ｃ１と第１の始点Ｓ１との距離ｒ１は、基板１１の主面１１ａの平面視における半導体積層体１ｓの短辺の長さａの０．２６倍以下である。ここで、半導体積層体１ｓの短辺とは、半導体積層体１ｓの平面視における矩形の外縁の４辺のうち、短い方の２辺を意味する。本実施の形態では、半導体積層体１ｓの平面視における形状は、正方形である。また、本実施の形態では、第２の角部Ｃ２と第２の始点Ｓ２との距離ｒ２は、基板１１の主面１１ａの平面視における半導体積層体１ｓの短辺の長さａの０．２６倍以下である。

０．１≦ｂ≦０．３ （３４）
ｄ７＝ｄ８＝ｄ９＝ｄ１０ （３５）
－２．５ｂ^２＋１．７５ｂ－０．１５＜ｄ７／ａ＜－０．３０ｂ＋０．３５ （３６）

Claims (27)

1. 基板と、
   前記基板の主面の上方に順に積層されたｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を有し、前記主面の平面視において矩形の半導体積層体と、
   前記ｐ型半導体層の上方に配置され、前記ｐ型半導体層とｐ側コンタクト領域において接するｐ側コンタクト電極と、
   前記ｎ型半導体層の上方に配置され、前記ｎ型半導体層とｎ側コンタクト領域において接するｎ側コンタクト電極とを備え、
   前記主面の平面視において、
   前記半導体積層体は第１の角部と、前記半導体積層体の矩形の外縁における前記第１の角部と同一辺上に配置された第２の角部とを有し、
   前記ｎ側コンタクト領域は、前記第１の角部と離間して配置された第１の始点から１方に延伸する直線状の第１の領域と、前記第２の角部と離間して配置された第２の始点から１方に延伸する直線状の第２の領域とを有し、
   前記第１の始点と前記第１の角部との間、及び、前記第２の始点と前記第２の角部との間には前記ｐ側コンタクト領域が配置され、
   前記第１の角部と前記第１の始点との距離ｒ１、及び、前記第２の角部と前記第２の始点との距離ｒ２の各々は、前記半導体積層体の短辺の長さａの０．２６倍以下であり、
   前記第１の領域の延長線と、前記第２の領域の延長線とは、交差する
   窒化物半導体発光素子。
2. 基板と、
   前記基板の主面の上方に順に積層されたｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を有し、前記主面の平面視において矩形の半導体積層体と、
   前記ｐ型半導体層の上方に配置され、前記ｐ型半導体層とｐ側コンタクト領域において接するｐ側コンタクト電極と、
   前記ｎ型半導体層の上方に配置され、前記ｎ型半導体層とｎ側コンタクト領域において接するｎ側コンタクト電極とを備え、
   前記主面の平面視において、
   前記半導体積層体は第１の角部と、前記半導体積層体の矩形の外縁における前記第１の角部と同一辺上に配置された第２の角部と、前記第１の角部に対して対角に配置された第３の角部と、前記第２の角部に対して対角に配置された第４の角部とを有し、
   前記ｎ側コンタクト領域は、前記第１の角部と離間して配置された第１の始点から１方に延伸する直線状の第１の領域と、前記第２の角部と離間して配置された第２の始点から１方に延伸する直線状の第２の領域と、前記第３の角部と離間して配置された第３の始点から１方に延伸する直線状の第３の領域と、前記第４の角部と離間して配置された第４の始点から１方に延伸する直線状の第４の領域とを有し、
   前記第１の始点と前記第１の角部との間、前記第２の始点と前記第２の角部との間、前記第３の始点と前記第３の角部との間、及び、前記第４の始点と前記第４の角部との間には前記ｐ側コンタクト領域が配置され、
   前記第１の角部と前記第１の始点との距離ｒ１、前記第２の角部と前記第２の始点との距離ｒ２、前記第３の角部と前記第３の始点との距離ｒ３、及び、前記第４の角部と前記第４の始点との距離ｒ４の各々は、前記半導体積層体の短辺の長さａの０．２６倍以下であり、
   前記第３の領域は、前記第１の領域の延長線上に、前記第１の領域とは離間して配置され、
   前記第４の領域は、前記第２の領域の延長線上に、前記第２の領域とは離間して配置される
   窒化物半導体発光素子。
3. 前記主面の平面視において、
   前記第１の領域と前記第３の領域とは、同一方向に延伸し、
   前記第２の領域と前記第４の領域とは、同一方向に延伸する
   請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
4. 前記主面の平面視において、
   前記ｎ側コンタクト領域は、
   前記第１の領域と前記第３の領域との間に、前記第１の領域及び前記第３の領域の各々と離間して配置される直線状の第５の領域と、
   前記第２の領域と前記第４の領域との間に、前記第２の領域及び前記第４の領域の各々と離間して配置される直線状の第６の領域とを有し、
   前記第５の領域と前記第６の領域とは、交差する
   請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
5. 前記主面の平面視において、
   前記第１の領域、前記第２の領域、前記第３の領域、及び前記第４の領域は、互いに離間して配置される
   請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
6. 基板と、
   前記基板の主面の上方に順に積層されたｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を有し、前記主面の平面視において矩形の半導体積層体と、
   前記ｐ型半導体層の上方に配置され、前記ｐ型半導体層とｐ側コンタクト領域において接するｐ側コンタクト電極と、
   前記ｎ型半導体層の上方に配置され、前記ｎ型半導体層とｎ側コンタクト領域において接するｎ側コンタクト電極とを備え、
   前記主面の平面視において、
   前記半導体積層体は第１の角部と、前記半導体積層体の矩形の外縁における前記第１の角部と同一辺上に配置された第２の角部と、前記第１の角部に対して対角に配置された第３の角部と、前記第２の角部に対して対角に配置された第４の角部とを有し、
   前記ｎ側コンタクト領域は、前記第１の角部と離間して配置された第１の始点から１方に延伸する直線状の第１の領域と、前記第２の角部と離間して配置された第２の始点から１方に延伸する直線状の第２の領域と、前記第３の角部と離間して配置された第３の始点から１方に延伸する直線状の第３の領域と、前記第４の角部と離間して配置された第４の始点から１方に延伸する直線状の第４の領域とを有し、
   前記第１の始点と前記第１の角部との間、前記第２の始点と前記第２の角部との間、前記第３の始点と前記第３の角部との間、及び、前記第４の始点と前記第４の角部との間には前記ｐ側コンタクト領域が配置され、
   前記第１の角部と前記第１の始点との距離ｒ１、前記第２の角部と前記第２の始点との距離ｒ２、前記第３の角部と前記第３の始点との距離ｒ３、及び、前記第４の角部と前記第４の始点との距離ｒ４の各々は、前記半導体積層体の短辺の長さａの０．２６倍以下であり、
   前記第１の領域と、前記第１の領域の延長線上に配置された前記第３の領域とは、接続され、
   前記第２の領域と、前記第２の領域の延長線上に配置された前記第４の領域とは、接続され、
   前記第１の角部と前記第１の始点との距離ｒ１と、前記第２の角部と前記第２の始点との距離ｒ２と、前記第３の角部と前記第３の始点との距離ｒ３と、前記第４の角部と前記第４の始点との距離ｒ４と、
   前記短辺の長さａと、
   前記主面の平面視における前記半導体積層体の面積に対する前記ｎ側コンタクト領域の面積の割合ｂとは、
   ｂ≦０．３
   ｒ１＝ｒ２＝ｒ３＝ｒ４
   ０＜ｒ１／ａ＜－０．５４ｂ ^２ ＋０．５９ｂ＋０．１６
   を満たす
   窒化物半導体発光素子。
7. 前記主面の平面視において、
   前記第１の領域と前記第３の領域とは、同一方向に延伸し、
   前記第２の領域と前記第４の領域とは、同一方向に延伸する
   請求項６に記載の窒化物半導体発光素子。
8. 前記第１の領域と前記第５の領域との距離ｄ１と、前記第２の領域と前記第６の領域との距離ｄ２と、前記第３の領域と前記第５の領域との距離ｄ３と、前記第４の領域と前記第６の領域との距離ｄ４と、
   前記短辺の長さａと、
   前記主面の平面視における前記半導体積層体の面積に対する前記ｎ側コンタクト領域の面積の割合ｂとは、
   ｂ≦０．３
   ｄ１＝ｄ２＝ｄ３＝ｄ４
   ０＜ｄ１／ａ＜１．４１ｂ^２－１．１３ｂ＋０．５５
   を満たす
   請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。
9. 前記第１の領域と前記第５の領域との距離ｄ１と、前記第２の領域と前記第６の領域との距離ｄ２と、前記第３の領域と前記第５の領域との距離ｄ３と、前記第４の領域と前記第６の領域との距離ｄ４と、
   前記短辺の長さａと、
   前記主面の平面視における前記半導体積層体の面積に対する前記ｎ側コンタクト領域の面積の割合ｂとは、
   ｂ≦０．３
   ｄ１＝ｄ２＝ｄ３＝ｄ４
   ０＜ｄ１／ａ＜－０．９２ｂ^２＋１．１２ｂ＋０．０５
   を満たす
   請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。
10. 前記第１の領域と前記第３の領域との距離の１／２であるｄ５と、前記第２の領域と前記第４の領域との距離の１／２であるｄ６と、
    前記短辺の長さａと、
    前記主面の平面視における前記半導体積層体の面積に対する前記ｎ側コンタクト領域の面積の割合ｂとは、
    ｂ≦０．３
    ｄ５＝ｄ６
    ０＜ｄ５／ａ＜１．０６ｂ^２－０．９５ｂ＋０．６１
    を満たす
    請求項５に記載の窒化物半導体発光素子。
11. 前記第１の領域と前記第３の領域との距離の１／２であるｄ５と、前記第２の領域と前記第４の領域との距離の１／２であるｄ６と、
    前記短辺の長さａと、
    前記主面の平面視における前記半導体積層体の面積に対する前記ｎ側コンタクト領域の面積の割合ｂとは、
    ｂ≦０．３
    ｄ５＝ｄ６
    ０＜ｄ５／ａ＜－０．９５ｂ^２＋０．８９ｂ＋０．１１
    を満たす
    請求項５又は１０に記載の窒化物半導体発光素子。
12. 基板と、
    前記基板の主面の上方に順に積層されたｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を有し、前記主面の平面視において矩形の半導体積層体と、
    前記ｐ型半導体層の上方に配置され、前記ｐ型半導体層とｐ側コンタクト領域において接するｐ側コンタクト電極と、
    前記ｎ型半導体層の上方に配置され、前記ｎ型半導体層とｎ側コンタクト領域において接するｎ側コンタクト電極とを備え、
    前記主面の平面視において、
    前記半導体積層体は第１の角部と、前記半導体積層体の矩形の外縁における前記第１の角部と同一辺上に配置された第２の角部と、を有し、
    前記ｎ側コンタクト領域は、前記第１の角部と離間して配置された第１の始点から１方に延伸する直線状の第１の領域と、前記第２の角部と離間して配置された第２の始点から１方に延伸する直線状の第２の領域とを有し、
    前記第１の始点と前記第１の角部との間、及び、前記第２の始点と前記第２の角部との間には前記ｐ側コンタクト領域が配置され、
    前記第１の角部と前記第１の始点との距離ｒ１、及び、前記第２の角部と前記第２の始点との距離ｒ２の各々は、前記半導体積層体の短辺の長さａの０．２６倍以下であり、
    前記第１の領域と、前記第２の領域とは、接続され、
    前記第１の領域は、前記第２の始点を含む
    窒化物半導体発光素子。
13. 基板と、
    前記基板の主面の上方に順に積層されたｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を有し、前記主面の平面視において矩形の半導体積層体と、
    前記ｐ型半導体層の上方に配置され、前記ｐ型半導体層とｐ側コンタクト領域において接するｐ側コンタクト電極と、
    前記ｎ型半導体層の上方に配置され、前記ｎ型半導体層とｎ側コンタクト領域において接するｎ側コンタクト電極とを備え、
    前記主面の平面視において、
    前記半導体積層体は第１の角部と、前記半導体積層体の矩形の外縁における前記第１の角部と同一辺上に配置された第２の角部と、前記第１の角部に対して対角に配置された第３の角部と、前記第２の角部に対して対角に配置された第４の角部とを有し、
    前記ｎ側コンタクト領域は、前記第１の角部と離間して配置された第１の始点から１方に延伸する直線状の第１の領域と、前記第２の角部と離間して配置された第２の始点から１方に延伸する直線状の第２の領域と、前記第３の角部と離間して配置された第３の始点から１方に延伸する直線状の第３の領域と、前記第４の角部と離間して配置された第４の始点から１方に延伸する直線状の第４の領域とを有し、
    前記第１の始点と前記第１の角部との間、前記第２の始点と前記第２の角部との間、前記第３の始点と前記第３の角部との間、及び、前記第４の始点と前記第４の角部との間には前記ｐ側コンタクト領域が配置され、
    前記第１の角部と前記第１の始点との距離ｒ１、前記第２の角部と前記第２の始点との距離ｒ２、前記第３の角部と前記第３の始点との距離ｒ３、及び、前記第４の角部と前記第４の始点との距離ｒ４の各々は、前記半導体積層体の短辺の長さａの０．２６倍以下であり、
    前記ｎ側コンタクト領域は、
    前記第１の始点から、前記第１の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第１の追加領域と、
    前記第２の始点から、前記第２の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第２の追加領域と、
    前記第３の始点から、前記第３の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第３の追加領域と、
    前記第４の始点から、前記第４の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第４の追加領域とを有し、
    前記第１の領域と前記第２の追加領域とは接続され、
    前記第２の領域と前記第３の追加領域とは接続され、
    前記第３の領域と前記第４の追加領域とは接続され、
    前記第４の領域と前記第１の追加領域とは接続される
    窒化物半導体発光素子。
14. 前記主面の平面視において、
    前記第１の領域と前記第２の追加領域とは、同一方向に延伸し、
    前記第２の領域と前記第３の追加領域とは、同一方向に延伸し、
    前記第３の領域と前記第４の追加領域とは、同一方向に延伸し、
    前記第４の領域と前記第１の追加領域とは、同一方向に延伸する
    請求項１３に記載の窒化物半導体発光素子。
15. 基板と、
    前記基板の主面の上方に順に積層されたｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を有し、前記主面の平面視において矩形の半導体積層体と、
    前記ｐ型半導体層の上方に配置され、前記ｐ型半導体層とｐ側コンタクト領域において接するｐ側コンタクト電極と、
    前記ｎ型半導体層の上方に配置され、前記ｎ型半導体層とｎ側コンタクト領域において接するｎ側コンタクト電極とを備え、
    前記主面の平面視において、
    前記半導体積層体は第１の角部と、前記半導体積層体の矩形の外縁における前記第１の角部と同一辺上に配置された第２の角部とを有し、
    前記ｎ側コンタクト領域は、前記第１の角部と離間して配置された第１の始点から１方に延伸する直線状の第１の領域と、前記第２の角部と離間して配置された第２の始点から１方に延伸する直線状の第２の領域とを有し、
    前記第１の始点と前記第１の角部との間、及び、前記第２の始点と前記第２の角部との間には前記ｐ側コンタクト領域が配置され、
    前記第１の角部と前記第１の始点との距離ｒ１、及び、前記第２の角部と前記第２の始点との距離ｒ２の各々は、前記半導体積層体の短辺の長さａの０．２６倍以下であり、
    前記第２の領域は、前記第１の領域の延長線上に前記第１の領域から離間して配置され、前記第１の領域と同一方向に延伸する
    窒化物半導体発光素子。
16. 基板と、
    前記基板の主面の上方に順に積層されたｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を有し、前記主面の平面視において矩形の半導体積層体と、
    前記ｐ型半導体層の上方に配置され、前記ｐ型半導体層とｐ側コンタクト領域において接するｐ側コンタクト電極と、
    前記ｎ型半導体層の上方に配置され、前記ｎ型半導体層とｎ側コンタクト領域において接するｎ側コンタクト電極とを備え、
    前記主面の平面視において、
    前記半導体積層体は第１の角部と、前記半導体積層体の矩形の外縁における前記第１の角部と同一辺上に配置された第２の角部と、前記第１の角部に対して対角に配置された第３の角部と、前記第２の角部に対して対角に配置された第４の角部とを有し、
    前記ｎ側コンタクト領域は、前記第１の角部と離間して配置された第１の始点から１方に延伸する直線状の第１の領域と、前記第２の角部と離間して配置された第２の始点から１方に延伸する直線状の第２の領域と、前記第３の角部と離間して配置された第３の始点から１方に延伸する直線状の第３の領域と、前記第４の角部と離間して配置された第４の始点から１方に延伸する直線状の第４の領域とを有し、
    前記第１の始点と前記第１の角部との間、前記第２の始点と前記第２の角部との間、前記第３の始点と前記第３の角部との間、及び、前記第４の始点と前記第４の角部との間には前記ｐ側コンタクト領域が配置され、
    前記第１の角部と前記第１の始点との距離ｒ１、前記第２の角部と前記第２の始点との距離ｒ２、前記第３の角部と前記第３の始点との距離ｒ３、及び、前記第４の角部と前記第４の始点との距離ｒ４の各々は、前記半導体積層体の短辺の長さａの０．２６倍以下であり、
    前記ｎ側コンタクト領域は、
    前記第１の始点から、前記第１の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第１の追加領域と、
    前記第２の始点から、前記第２の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第２の追加領域と、
    前記第３の始点から、前記第３の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第３の追加領域と、
    前記第４の始点から、前記第４の領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第４の追加領域とを有し、
    前記第２の追加領域は、前記第１の領域の延長線上に前記第１の領域から離間して配置され、前記第１の領域と同一方向に延伸し、
    前記第３の追加領域は、前記第２の領域の延長線上に前記第２の領域から離間して配置され、前記第２の領域と同一方向に延伸し、
    前記第４の追加領域は、前記第３の領域の延長線上に前記第３の領域から離間して配置され、前記第３の領域と同一方向に延伸し、
    前記第１の追加領域は、前記第４の領域の延長線上に前記第４の領域から離間して配置され、前記第４の領域と同一方向に延伸する
    窒化物半導体発光素子。
17. 前記第１の角部と前記第１の始点との距離ｒ１と、前記第２の角部と前記第２の始点との距離ｒ２と、前記第３の角部と前記第３の始点との距離ｒ３と、前記第４の角部と前記第４の始点との距離ｒ４と、
    前記短辺の長さａと、
    前記主面の平面視における前記半導体積層体の面積に対する前記ｎ側コンタクト領域の面積の割合ｂとは、
    ｂ≦０．３
    ｒ１＝ｒ２＝ｒ３＝ｒ４
    ０＜ｒ１／ａ≦０．２６
    を満たす
    請求項１３又は１４に記載の窒化物半導体発光素子。
18. 前記第１の角部と前記第１の始点との距離ｒ１と、前記第２の角部と前記第２の始点との距離ｒ２と、前記第３の角部と前記第３の始点との距離ｒ３と、前記第４の角部と前記第４の始点との距離ｒ４と、
    前記短辺の長さａと、
    前記主面の平面視における前記半導体積層体の面積に対する前記ｎ側コンタクト領域の面積の割合ｂとは、
    ｂ≦０．３
    ｒ１＝ｒ２＝ｒ３＝ｒ４
    －０．２６ｂ＋０．１５＜ｒ１／ａ≦０．２６
    を満たす
    請求項１３又は１４に記載の窒化物半導体発光素子。
19. 前記第１の領域と前記第２の追加領域との距離ｄ７と、前記第２の領域と前記第３の追加領域との距離ｄ８と、前記第３の領域と前記第４の追加領域との距離ｄ９と、前記第４の領域と前記第１の追加領域との距離ｄ１０と、
    前記短辺の長さａと、
    前記主面の平面視における前記半導体積層体の面積に対する前記ｎ側コンタクト領域の面積の割合ｂとは、
    ０．１≦ｂ≦０．３
    ｄ７＝ｄ８＝ｄ９＝ｄ１０
    －２．５０ｂ^２＋１．７５ｂ－０．１５＜ｄ７／ａ＜－０．３０ｂ＋０．３５
    を満たす
    請求項１６に記載の窒化物半導体発光素子。
20. 前記第１の領域と前記第２の追加領域との距離ｄ７と、前記第２の領域と前記第３の追加領域との距離ｄ８と、前記第３の領域と前記第４の追加領域との距離ｄ９と、前記第４の領域と前記第１の追加領域との距離ｄ１０と、
    前記短辺の長さａと、
    前記主面の平面視における前記半導体積層体の面積に対する前記ｎ側コンタクト領域の面積の割合ｂとは、
    ｂ≦０．３
    ｄ７＝ｄ８＝ｄ９＝ｄ１０
    ０＜ｄ７／ａ＜－５．２０ｂ^２＋２．０９ｂ＋０．０９
    を満たす
    請求項１６に記載の窒化物半導体発光素子。
21. 基板と、
    前記基板の主面の上方に順に積層されたｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を有し、前記基板の主面の平面視において矩形の半導体積層体と、
    前記ｐ型半導体層の上方に配置され、前記ｐ型半導体層とｐ側コンタクト領域において接するｐ側コンタクト電極と、
    前記ｎ型半導体層の上方に配置され、前記ｎ型半導体層と少なくとも３行３列のマトリクス状に配置された複数のｎ側コンタクト領域においてそれぞれ接する複数のｎ側コンタクト電極を備え、
    前記主面の平面視において、
    前記半導体積層体は第１の角部を有し、
    複数の前記ｎ側コンタクト領域は、
    前記第１の角部に最も近接して配置される第１ｎ側コンタクト領域と、
    前記第１ｎ側コンタクト領域と行方向に隣接して配置される第１Ｘｎ側コンタクト領域と、
    前記第１ｎ側コンタクト領域と列方向に隣接して配置される第１Ｙｎ側コンタクト領域とを含み、
    前記第１ｎ側コンタクト領域は、前記第１ｎ側コンタクト領域の重心と前記第１Ｘｎ側コンタクト領域の重心とから等距離にある直線と、前記第１ｎ側コンタクト領域の重心と前記第１Ｙｎ側コンタクト領域の重心とから等距離にある直線と、前記半導体積層体の外縁とに囲まれた矩形の第１ユニットに配置され、
    前記第１ユニットは、前記第１の角部である第１のユニット角部と、前記第１ユニットの前記第１のユニット角部と同一の辺上に配置された第２のユニット角部と、前記第１のユニット角部に対して対角に配置された第３のユニット角部と、前記第２のユニット角部に対して対角に配置された第４のユニット角部とを有し、
    前記第１ｎ側コンタクト領域は、前記第１のユニット角部から離間して配置された第１のユニット始点から１方に延伸する直線状の第１のユニット領域と、前記第２のユニット角部と離間して配置された第２のユニット始点から１方に延伸する直線状の第２のユニット領域と、前記第３のユニット角部と離間して配置された第３のユニット始点から１方に延伸する直線状の第３のユニット領域と、前記第４のユニット角部と離間して配置された第４のユニット始点から１方に延伸する直線状の第４のユニット領域とを有し、
    前記第１のユニット領域は、前記第２のユニット領域と交差し、
    前記第１のユニット始点と前記第１のユニット角部との間、前記第２のユニット始点と前記第２のユニット角部との間、前記第３のユニット始点と前記第３のユニット角部との間、及び、前記第４のユニット始点と前記第４のユニット角部との間には前記ｐ側コンタクト領域が配置され、
    前記第１のユニット角部と前記第１のユニット始点との距離ｒ１、前記第２のユニット角部と前記第２のユニット始点との距離ｒ２、前記第３のユニット角部と前記第３のユニット始点との距離ｒ３、及び、前記第４のユニット角部と前記第４のユニット始点との距離ｒ４は前記第１ユニットの短辺の長さａ１の０．２６倍以下である
    窒化物半導体発光素子。
22. 基板と、
    前記基板の主面の上方に順に積層されたｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を有し、前記基板の主面の平面視において矩形の半導体積層体と、
    前記ｐ型半導体層の上方に配置され、前記ｐ型半導体層とｐ側コンタクト領域において接するｐ側コンタクト電極と、
    前記ｎ型半導体層の上方に配置され、前記ｎ型半導体層と少なくとも３行３列のマトリクス状に配置された複数のｎ側コンタクト領域においてそれぞれ接する複数のｎ側コンタクト電極を備え、
    前記主面の平面視において、
    前記半導体積層体は第１の角部を有し、
    複数の前記ｎ側コンタクト領域は、
    前記第１の角部に最も近接して配置される第１ｎ側コンタクト領域と、
    前記第１ｎ側コンタクト領域と行方向に隣接して配置される第１Ｘｎ側コンタクト領域と、
    前記第１ｎ側コンタクト領域と列方向に隣接して配置される第１Ｙｎ側コンタクト領域とを含み、
    前記第１ｎ側コンタクト領域は、前記第１ｎ側コンタクト領域の重心と前記第１Ｘｎ側コンタクト領域の重心とから等距離にある直線と、前記第１ｎ側コンタクト領域の重心と前記第１Ｙｎ側コンタクト領域の重心とから等距離にある直線と、前記半導体積層体の外縁とに囲まれた矩形の第１ユニットに配置され、
    前記第１ユニットは、前記第１の角部である第１のユニット角部と、前記第１ユニットの前記第１のユニット角部と同一の辺上に配置された第２のユニット角部と、前記第１のユニット角部に対して対角に配置された第３のユニット角部と、前記第２のユニット角部に対して対角に配置された第４のユニット角部とを有し、
    前記第１ｎ側コンタクト領域は、前記第１のユニット角部から離間して配置された第１のユニット始点から１方に延伸する直線状の第１のユニット領域と、前記第２のユニット角部と離間して配置された第２のユニット始点から１方に延伸する直線状の第２のユニット領域と、前記第３のユニット角部と離間して配置された第３のユニット始点から１方に延伸する直線状の第３のユニット領域と、前記第４のユニット角部と離間して配置された第４のユニット始点から１方に延伸する直線状の第４のユニット領域を有し、
    前記第１のユニット始点から、前記第１のユニット領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第１のユニット追加領域と、
    前記第２のユニット始点から、前記第２のユニット領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第２のユニット追加領域と、
    前記第３のユニット始点から、前記第３のユニット領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第３のユニット追加領域と、
    前記第４のユニット始点から、前記第４のユニット領域の方向と異なる方向に延伸する直線状の第４のユニット追加領域とを有し、
    前記第１のユニット領域と前記第２のユニット追加領域とは接続され、
    前記第２のユニット領域と前記第３のユニット追加領域とは接続され、
    前記第３のユニット領域と前記第４のユニット追加領域とは接続され、
    前記第４のユニット領域と前記第１のユニット追加領域とは接続され、
    前記第１のユニット始点と前記第１のユニット角部との間、前記第２のユニット始点と前記第２のユニット角部との間、前記第３のユニット始点と前記第のユニット角部との間、及び、前記第４のユニット始点と前記第４のユニット角部との間には前記ｐ側コンタクト領域が配置され、
    前記第１のユニット角部と前記第１のユニット始点との距離ｒ１、前記第２のユニット角部と前記第２のユニット始点との距離ｒ２、前記第３のユニット角部と前記第３のユニット始点との距離ｒ３、及び、前記第４のユニット角部と前記第４のユニット始点との距離ｒ４は前記第１ユニットの短辺の長さａ１の０．２６倍以下である
    窒化物半導体発光素子。
23. 前記主面の平面視において、
    前記半導体積層体は、前記半導体積層体の矩形の外縁における前記第１の角部と同一辺上に配置された第２の角部と、前記第１の角部に対して対角に配置された第３の角部と、前記第２の角部に対して対角に配置された第４の角部とを有し、
    複数の前記ｎ側コンタクト領域は、
    前記第２の角部に最も近接して配置される第２ｎ側コンタクト領域と、
    前記第２ｎ側コンタクト領域と行方向に隣接して配置される第２Ｘｎ側コンタクト領域と、
    前記第２ｎ側コンタクト領域と列方向に隣接して配置される第２Ｙｎ側コンタクト領域と、
    前記第３の角部に最も近接して配置される第３ｎ側コンタクト領域と、
    前記第３ｎ側コンタクト領域と行方向に隣接して配置される第３Ｘｎ側コンタクト領域と、
    前記第３ｎ側コンタクト領域と列方向に隣接して配置される第３Ｙｎ側コンタクト領域と、
    前記第４の角部に最も近接して配置される第４ｎ側コンタクト領域と、
    前記第４ｎ側コンタクト領域の行方向に隣接して配置される第４Ｘｎ側コンタクト領域と、
    前記第４ｎ側コンタクト領域と列方向に隣接して配置される第４Ｙｎ側コンタクト領域とを含み、
    前記第２ｎ側コンタクト領域は、前記第２ｎ側コンタクト領域の重心と前記第２Ｘｎ側コンタクト領域の重心とから等距離にある直線と、前記第２ｎ側コンタクト領域の重心と前記第２Ｙｎ側コンタクト領域の重心とから等距離にある直線と、前記半導体積層体の外縁とに囲まれた矩形の第２ユニットに配置され、
    前記第３ｎ側コンタクト領域は、前記第３ｎ側コンタクト領域の重心と前記第３Ｘｎ側コンタクト領域の重心とから等距離にある直線と、前記第３ｎ側コンタクト領域の重心と前記第３Ｙｎ側コンタクト領域の重心とから等距離にある直線と、前記半導体積層体の外縁とに囲まれた矩形の第３ユニットに配置され、
    前記第４ｎ側コンタクト領域は、前記第４ｎ側コンタクト領域の重心と前記第４Ｘｎ側コンタクト領域の重心とから等距離にある直線と、前記第４ｎ側コンタクト領域の重心と前記第４Ｙｎ側コンタクト領域の重心とから等距離にある直線と、前記半導体積層体の外縁とに囲まれた矩形の第４ユニットに配置され、
    前記第２ｎ側コンタクト領域は、前記第２の角部から離間して配置された第２の始点から１方に延伸する直線状の第２の領域を有し、
    前記第３ｎ側コンタクト領域は、前記第３の角部から離間して配置された第３の始点から１方に延伸する直線状の第３の領域を有し、
    前記第４ｎ側コンタクト領域は、前記第４の角部から離間して配置された第４の始点から１方に延伸する直線状の第４の領域を有し、
    前記第２の始点と前記第２の角部との間、前記第３の始点と前記第３の角部との間、及び前記第４の始点と前記第４の角部との間には、前記ｐ側コンタクト領域が配置され、
    前記第２の角部と前記第２の始点との距離ｒ２は前記第２ユニットの短辺の長さａ２の０．２６倍以下であり、前記第３の角部と前記第３の始点との距離ｒ３は前記第３ユニットの短辺の長さａ３の０．２６倍以下であり、前記第４の角部と前記第４の始点との距離ｒ４は前記第４ユニットの短辺の長さａ４の０．２６倍以下である
    請求項２１又は２２に記載の窒化物半導体発光素子。
24. 前記主面の平面視において、
    複数の前記ｎ側コンタクト領域は、Ｎ行Ｍ列（Ｎ≧３、Ｍ≧３）のマトリクス状に配置され、
    前記複数のｎ側コンタクト領域のうち、１行目からＮ行目までの各々の行に配置されたＭ個のｎ側コンタクト領域の重心は直線上にあり、
    前記複数のｎ側コンタクト領域のうち、１列目からＭ列目までの各々の列に配置されたＮ個のｎ側コンタクト領域の重心は直線上にあり、
    ｉ－１行目（２≦ｉ≦Ｎ－１）に配置されたＭ個のｎ側コンタクト領域の重心を結ぶ第１の直線とｉ行目に配置された前記Ｍ個のｎ側コンタクト領域の重心を結ぶ第２の直線との間を等分する第３の直線と、前記第２の直線とｉ＋１行目に配置された前記Ｍ個のｎ側コンタクト領域の重心を結ぶ第４の直線との間を等分する第５の直線と、ｊ－１列目（２≦ｊ≦Ｍ－１）に配置された前記Ｎ個のｎ側コンタクト領域の重心を結ぶ第６の直線とｊ列目に配置された前記Ｎ個の前記ｎ側コンタクト領域の重心を結ぶ第７の直線との間を等分する第８の直線と、前記第７の直線とｊ＋１列目に配置された前記Ｎ個の前記ｎ側コンタクト領域の重心を結ぶ第９の直線との間を等分する第１０の直線と、に囲まれたユニットにおいて、
    前記ユニットは、前記第３の直線と前記第８の直線とに挟まれた第１のユニット角部と、前記第５の直線と前記第８の直線とに挟まれた第２のユニット角部と、前記第１のユニット角部と対角に配置された第３のユニット角部と、前記第２のユニット角部と対角に配置された第４のユニット角部とを有し、
    前記複数のｎ側コンタクト領域のうち、前記ユニットに配置されたｎ側コンタクト領域は、前記第１のユニット角部から離間して配置された第１のユニット始点から１方に延伸する直線状の第１のユニット領域を有し、
    前記第１のユニット始点と前記第１のユニット角部との間には前記ｐ側コンタクト領域が配置され、
    前記第１のユニット角部と前記第１のユニット始点との距離ｒｕ１は前記ユニットの短辺の長さａｕ１の０．２６倍以下であり、
    前記複数のｎ側コンタクト領域のうち、２≦ｉ≦Ｎ－１、２≦ｊ≦Ｍ－１を満たすすべての前記ユニットに配置されたｎ側コンタクト領域は、前記第１のユニット領域を有する
    請求項２３に記載の窒化物半導体発光素子。
25. 前記ユニットに配置されたｎ側コンタクト領域は、前記第２のユニット角部から離間して配置された第２のユニット始点から１方に延伸する直線状の第２のユニット領域と、前記第３のユニット角部から離間して配置された第３のユニット始点から１方に延伸する直線状の第３のユニット領域と、前記第４のユニット角部から離間して配置された第４のユニット始点から１方に延伸する直線状の第４のユニット領域と、を有し、
    前記第２のユニット始点と前記第２のユニット角部との間、前記第３のユニット始点と前記第３のユニット角部との間、及び前記第４のユニット始点と前記第４のユニット角部との間には前記ｐ側コンタクト領域が配置され、
    前記第２のユニット角部と前記第２のユニット始点との距離ｒｕ２、前記第３のユニット角部と前記第３のユニット始点との距離ｒｕ３、及び前記第４のユニット角部と前記第４のユニット始点との距離ｒｕ４は、前記ユニットの短辺の長さａｕ１の０．２６倍以下である
    請求項２４に記載の窒化物半導体発光素子。
26. 前記主面の平面視において、
    前記第１ｎ側コンタクト領域、前記第２ｎ側コンタクト領域、前記第３ｎ側コンタクト領域及び前記第４ｎ側コンタクト領域はＸ状の形状を有し、
    前記半導体積層体の面積に対する前記ｎ側コンタクト領域の面積の割合ｂは、ｂ≦０．１０を満たす
    請求項２４又は２５に記載の窒化物半導体発光素子。
27. 前記主面の平面視において、
    前記第１ｎ側コンタクト領域、前記第２ｎ側コンタクト領域、前記第３ｎ側コンタクト領域及び前記第４ｎ側コンタクト領域の各々は、方形の環状の形状を有し、
    前記半導体積層体の面積に対する前記ｎ側コンタクト領域の面積の割合ｂは、ｂ≦０．０７を満たす
    請求項２４又は２５に記載の窒化物半導体発光素子。