JPWO2021240748A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6310551U (https=) * 1986-07-09 1988-01-23
JPS6364035U (https=) * 1986-10-16 1988-04-27
JPH0225045A (ja) 1988-07-13 1990-01-26 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPH04348047A (ja) * 1991-05-24 1992-12-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路電極
JPH0543544U (ja) * 1991-11-12 1993-06-11 日本無線株式会社 電子素子の接続端子構造
JP4674522B2 (ja) * 2004-11-11 2011-04-20 株式会社デンソー 半導体装置
JP4645398B2 (ja) * 2005-10-04 2011-03-09 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP5054755B2 (ja) * 2009-12-28 2012-10-24 株式会社日立製作所 半導体装置
JP2013080809A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Panasonic Corp 半導体装置
KR101933015B1 (ko) * 2012-04-19 2018-12-27 삼성전자주식회사 반도체 장치의 패드 구조물, 그의 제조 방법 및 패드 구조물을 포함하는 반도체 패키지
JP2014027048A (ja) * 2012-07-25 2014-02-06 Renesas Electronics Corp 半導体ウェハ及び半導体装置の製造方法
KR101960686B1 (ko) * 2012-08-10 2019-03-21 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법
JP6068425B2 (ja) 2014-12-11 2017-01-25 株式会社神戸製鋼所 電極構造
JP6650723B2 (ja) * 2015-10-16 2020-02-19 新光電気工業株式会社 リードフレーム及びその製造方法、半導体装置
WO2018207656A1 (ja) * 2017-05-11 2018-11-15 三菱電機株式会社 パワーモジュール、電力変換装置、およびパワーモジュールの製造方法
CN110832628A (zh) * 2017-07-07 2020-02-21 三菱电机株式会社 半导体装置、以及半导体装置的制造方法
JP2020043154A (ja) * 2018-09-07 2020-03-19 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法、並びに、電力変換装置

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