JPWO2021206019A5 - - Google Patents

Description

この発明は、多層基板およびその製造方法に関する。

特許文献１は、導電体および樹脂絶縁体が積層された積層体の第１面および第２面のそれぞれに形成された第１導体パッドおよび第２導体パッドにおいて、第２導体パッドのピッチが、第１導体パッドのピッチよりも大きいプリント配線板を開示する。第１面側から第２面側に向けて縮径するビア導体が、樹脂絶縁体を貫通するように設けられている。

特許文献２は、複数の絶縁層を積層した絶縁基板と、絶縁基板の表面および内部に形成された配線回路層と、絶縁層を挟んで上下に位置する配線回路層の間を貫通する層間接続導体とを備える多層配線基板を開示する。複数の層間接続導体のサイズが、端子パッド側から電気素子接続用パッド側にかけて徐々に小さくなっている。

特開２０１８－３２６５９号公報 特開２００５－７２３２８号公報

特許文献１では、ビア導体（以下、層間接続導体という）の第１面側（内部側）に配設される内部電極および第２面側（表側）に配設される第２導体パッド（以下、表面電極という）の断面での長さに関する図示または記載があるものの、紙面直交方向に関する記載が無いため、表面電極および内部電極の全体的形状がいずれも不明である。

特許文献２では、絶縁基板の表側に位置する配線回路層（以下、表面電極という）が、ビア導体（以下、層間接続導体という）の大径側に配設され、絶縁基板の内部側に位置する配線回路層（以下、内部電極という）が、層間接続導体の小径側に配設されている。しかしながら、層間接続導体が内部側から表側に向けて徐々に拡径するように構成されているので、表面電極を小さくすることが困難である。

複数の絶縁層が積層方向に積層される積層体を備える多層基板において、積層体の表側に位置する表面電極と、積層体の内部側に位置する内部電極とは、層間接続導体を介して電気的に接続されている。表面電極は、積層体の積層方向から見て内部電極と重なる位置にあるため、表面電極および内部電極の間で、静電容量が形成される。多層基板の小型化や薄型化が進むと、表面電極および内部電極の間での間隔が狭くなるので、形成される静電容量が大きくなる。

そして、メガヘルツ帯やギガヘルツ帯のような高周波帯域で使用される多層基板では、不必要な静電容量の形成によって、高周波特性が劣化する。

この発明の課題は、不必要な静電容量の形成を抑制する多層基板およびその製造方法を提供することである。

上記課題を解決するため、この発明の一態様に係る多層基板は、
複数の絶縁層が積層方向に積層される積層体と、
前記絶縁層のうち、前記積層体の表側に位置する第１絶縁層の表側に設けられる表面電極と、
前記第１絶縁層の裏側に設けられる第１内部電極と、
前記第１絶縁層を前記積層方向に貫通して、前記表面電極および前記第１内部電極を電気的に接続する第１層間接続導体とを備える多層基板であって、
前記第１層間接続導体は、前記表面電極に電気的に接続される表側接続面と、前記第１内部電極に電気的に接続される裏側接続面とを有し、
前記第１層間接続導体の前記表側接続面の外形は、前記第１層間接続導体の前記裏側接続面の外形に収まり、
前記表面電極は前記第１層間接続導体の前記表側接続面を覆う形状を有するとともに、前記第１内部電極は前記第１層間接続導体の前記裏側接続面を覆う形状を有しており、
前記積層体は、前記表面電極が前記積層方向から見て前記第１内部電極よりも小さくて且つ前記第１内部電極の外縁内に収まる電極構造を備えることを特徴とする。

この発明によれば、第１層間接続導体の表側接続面を覆う表面電極の領域が、第１層間接続導体の裏側接続面を覆う第１内部電極の領域よりも小さくなるので、表面電極および第１内部電極の間で形成される静電容量を抑制できる。

第１実施形態に係る樹脂多層基板を模式的に示す図である。（Ａ）は、樹脂多層基板の断面図であり、（Ｂ）は、導電層の平面図である。 導電層における信号線路と内部電極との関係を説明する図である。（Ａ）は、信号線路が内部電極よりも幅狭に構成されている場合であり、（Ｂ）は、信号線路が内部電極よりも幅広に構成されている場合である。 樹脂多層基板における電極構造を説明する図である。 第２実施形態に係る樹脂多層基板を模式的に示す断面図である。 第３実施形態に係る樹脂多層基板を模式的に示す断面図である。 図５に示した樹脂多層基板の平面図である。 第４実施形態に係る樹脂多層基板を模式的に示す断面図である。 第５実施形態に係る樹脂多層基板を模式的に示す断面図である。 第６実施形態に係る樹脂多層基板を模式的に示す断面図である。 第７実施形態に係る樹脂多層基板を模式的に示す断面図である。 樹脂多層基板の製造方法を説明する図である。

以下、図面を参照しながら、この発明に係る樹脂多層基板１の実施の形態を説明する。なお、各図には、便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を示している。Ｘ軸方向は、樹脂多層基板１に実装される電子部品４の端子５が延在する方向である。Ｙ軸方向は、Ｘ軸に直交する方向である。Ｚ軸方向は、樹脂多層基板１における積層体２の積層方向である。また、この開示において、「表側」とあるのは、積層体２において表面電極７が形成される側であり、「裏側」とあるのは、積層体２において表面電極７が形成される側と反対側であり、積層体２において裏面電極９が形成される側である。

〔第１実施形態〕
図１～図３を参照しながら、第１実施形態に係る樹脂多層基板１を説明する。図１は、第１実施形態に係る樹脂多層基板１を模式的に示す図である。（Ａ）は、樹脂多層基板１の断面図であり、（Ｂ）は、導電層２０の平面図である。図２は、導電層２０における信号線路２２と内部電極２４との関係を説明する図である。（Ａ）は、信号線路２２が内部電極２４よりも幅狭に構成されている場合であり、（Ｂ）は、信号線路２２が内部電極２４よりも幅広に構成されている場合である。図３は、樹脂多層基板１における電極構造３を説明する図である。

図１の（Ａ）に示すように、樹脂多層基板１は、複数の絶縁層１０および導電層２０が積層された多層基板として働き、例えば、複数の樹脂層１０が積層方向Ｚに積み重ねられた積層体２を含む。積層体２の表側には、複数の樹脂層１０のうちの第１樹脂層１０ａが配置されている。第１樹脂層１０ａは、電気絶縁性を有する第１絶縁層として働く。第１樹脂層１０ａの内部側には、第２樹脂層１０ｂが、第１樹脂層１０ａに隣接配置されている。第２樹脂層１０ｂは、電気絶縁性を有する第２絶縁層として働く。第３樹脂層１０ｃが、第２樹脂層１０ｂに隣接配置されている。第３樹脂層１０ｃは、電気絶縁性を有する第３絶縁層として働く。したがって、図１に例示した積層体２では、３つの樹脂層１０が、すなわち、第１樹脂層１０ａ、第２樹脂層１０ｂおよび第３樹脂層１０ｃが、積層方向Ｚに積み重ねられている。

樹脂層１０は、電気絶縁性を有する絶縁層として働き、熱可塑性樹脂を主材料としており、熱可塑性樹脂は、ＬＣＰ樹脂（液晶ポリマー樹脂）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、熱可塑性ＰＩ（ポリイミド）樹脂などである。好ましくは、樹脂層１０は、ＬＣＰ樹脂である。これにより、高周波特性に優れた樹脂多層基板を得ることができる。

積層体２は、その表面および内部に適宜に配置された導電層２０を含む。導電層２０は、積層体２の積層方向Ｚと直交する面方向に延在している。導電層２０は、導電性の配線パターンとして形成されており、金属箔、例えば銅箔である。積層体２の表側の表面すなわち第１樹脂層１０ａの表側の表面には、導電層２０としての表面電極７が形成されている。電子部品４の端子５は、図示しない導電性接合材（例えば、はんだ）を介して、表面電極７に接合され、表面電極７に電気的に接続される。したがって、表面電極７は、電子部品４を実装するための実装電極として働く。表面電極７は、積層方向Ｚから見て、例えば円形状をしている。電子部品４は、例えば、複数の端子５を有するコネクタである。

電子部品４の端子５の先端部５ａは、積層方向Ｚから見て表面電極７の外縁内に収まっている。言い換えると、端子５の先端部５ａは、積層方向Ｚから見て、表面電極７からはみ出さないように構成されている。これにより、電子部品４の端子５および第１内部電極２４ａの間で形成される静電容量を抑制できる。

図１の（Ｂ）に示すように、積層体２の内部すなわち第１樹脂層１０ａおよび第２樹脂層１０ｂの間には、積層方向Ｚに直交する面方向に延在する導電層２０が設けられている。導電層２０は、内部電極２４としての第１内部電極２４ａと、第１内部電極２４ａに連通する信号線路２２とを有する。積層方向Ｚから見て、第１内部電極２４ａは、例えば円形状をしており、信号線路２２は、例えば矩形状をしている。第１内部電極２４ａおよび信号線路２２は、積層方向Ｚに直交する面方向に延在している。信号線路２２は、積層方向Ｚから見て電子部品４の端子５と重ならないように延在している。これにより、電子部品４の端子５および信号線路２２の間で形成される静電容量を抑制できる。

図２に示すように、内部電極２４は、層間接続導体１４（破線の円で示す）の導体中心Ｐから径方向に延びるとともに信号線路２２に対して最短で接続する線分Ｒを、半径とする仮想円Ｑで囲まれる領域として規定することができる。図２の（Ａ）は、信号線路２２が内部電極２４よりも幅狭に構成されていて、仮想円Ｑが信号線路２２に交わっている場合である。信号線路２２の領域と内部電極２４の領域との境界は、破線で示している。図２の（Ｂ）は、信号線路２２が内部電極２４よりも幅広に構成されていて、仮想円Ｑが信号線路２２に接している場合である。

図１の（Ａ）に示すように、第１樹脂層１０ａを貫通するように、第１層間接続導体１４ａが積層方向Ｚに延在している。第１層間接続導体１４ａは、層間接続導体１４として働き、ビア導体とも呼ばれており、表面電極７および第１内部電極２４ａを電気的に接続する。第１層間接続導体１４ａは、第１樹脂層１０ａに形成された層間接続孔１２に充填された導電性ペーストの樹脂が固化することによって形成される。なお、導電性ペーストは、低融点金属、例えばスズと、樹脂とを含むペーストである。

表面電極７と、第１内部電極２４ａなどの内部電極２４とは、導電層２０としての例えば金属箔であるのに対して、第１層間接続導体１４ａなどの層間接続導体１４は、例えば低融点金属および樹脂である。したがって、表面電極７および内部電極２４と、層間接続導体１４とは、顕微鏡（例えば電子顕微鏡）で断面組織を観察することによって区別できる。また、層間接続導体１４がメッキによって形成される場合でも、同様に、表面電極７および内部電極２４と、層間接続導体１４と区別できる。

第１層間接続導体１４ａは、例えば、積層方向Ｚにおいて、第１樹脂層１０ａの内部側（裏側）から表側に向けて縮径したテーパ形状をしている。第１層間接続導体１４ａは、表側に位置して表面電極７に電気的に接続される表側接続面１４ｘと、表側接続面１４ｘと反対側（裏側）に位置して第１内部電極２４ａに電気的に接続される裏側接続面１４ｙとを有する。積層方向Ｚから見て、表側接続面１４ｘおよび裏側接続面１４ｙは、それぞれ、例えば円形状をしている。第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘの外形は、第１層間接続導体１４ａの裏側接続面１４ｙの外形内に収まっている。表側接続面１４ｘのＸ軸方向の長さおよびＹ軸方向の長さは、それぞれ、裏側接続面１４ｙよりも短い。言い換えると、第１層間接続導体１４ａは、断面視で台形形状をしており、表側接続面１４ｘが台形の短辺側に相当し、裏側接続面１４ｙが台形の長辺側に相当する。さらに言えば、第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘの面積は、裏側接続面１４ｙの面積よりも小さい。

以下に説明するように、樹脂多層基板１の積層体２は、表面電極７が積層方向Ｚから見て、第１内部電極２４ａよりも小さくて且つ第１内部電極２４ａの外縁内に収まるという電極構造３を備える。図１および図３に示すように、電極構造３は、表面電極７と、第１内部電極２４ａと、第１層間接続導体１４ａとで形成される構造である。図３に示すように、電極構造３において、表面電極７、第１内部電極２４ａ、表側接続面１４ｘおよび裏側接続面１４ｙは、第１層間接続導体１４ａの導体中心Ｐを中心とする大略同心円の関係にある。なお、この明細書における大略同心円という文言は、お互いの中心が一致している同心構成に加えて、お互いの中心がわずかにずれている偏心構成も含むことを意図している。

積層方向Ｚから見て、表面電極７は、表側接続面１４ｘを覆う形状、例えば表側接続面１４ｘに相似する形状、さらに言えば、例えば円形状を有していて、第１内部電極２４ａよりも小径である。表面電極７は、表側接続面１４ｘから径方向外側に張り出した縮径張出部７ｐを有する。表面電極７は、表側接続面１４ｘよりも大径である。縮径張出部７ｐは、例えば円環形状をしており、第１樹脂層１０ａにおいて表面電極７を形成するときに、表面電極７を表側接続面１４ｘに位置合わせするための第１公差として働く。なお、この明細書における円形状という文言は、真円に加えて、楕円形状や卵形状や長円形状などの円類似形状を含んでいる。

積層方向Ｚから見て、第１内部電極２４ａは、裏側接続面１４ｙを覆う形状、例えば裏側接続面１４ｙに相似する形状、さらに言えば、例えば円形状を有していて、表面電極７よりも大径である。第１内部電極２４ａは、裏側接続面１４ｙから径方向外側に張り出した拡径張出部２４ｐを有する。第１内部電極２４ａは、裏側接続面１４ｙよりも大径である。拡径張出部２４ｐは、例えば円環形状をしており、複数の樹脂層１０を積層して積層体２を作成するときに、第１内部電極２４ａを裏側接続面１４ｙに位置合わせするための第２公差として働く。

第１公差は、表面電極７を形成するときのパターニングの精度に関係するので、大きな公差を必要としない。これに対して、第２公差は、樹脂層１０を積層するときの積層精度に関係するので、大きな公差を必要とする。したがって、第１公差すなわち縮径張出部７ｐの径方向寸法は、第２公差すなわち拡径張出部２４ｐの径方向寸法よりも小さくできる。表側接続面１４ｘは、裏側接続面１４ｙよりも小径であり、縮径張出部７ｐは、拡径張出部２４ｐよりも小径である。したがって、表側接続面１４ｘと縮径張出部７ｐとを合わせた表面電極７は、裏側接続面１４ｙと拡径張出部２４ｐとを合わせた第１内部電極２４ａよりも小径にできる。言い換えると、第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘから張り出す表面電極７の領域（すなわち縮径張出部７ｐの径方向の幅）が、第１層間接続導体１４ａの裏側接続面１４ｙから張り出す第１内部電極２４ａの領域（すなわち拡径張出部２４ｐの径方向の幅）よりも小さくできる。

したがって、表面電極７と、第１内部電極２４ａと、第１層間接続導体１４ａとで、表面電極７が積層方向Ｚから見て、第１内部電極２４ａよりも小さくて且つ第１内部電極２４ａの外縁内に収まるという電極構造３が構成されている。当該構成によれば、第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘを覆う表面電極７の領域が、第１層間接続導体１４ａの裏側接続面１４ｙを覆う第１内部電極２４ａの領域よりも小さくなるので、表面電極７および第１内部電極２４ａの間で形成される静電容量を抑制できる。さらに、当該構成によれば、表面電極７に実装される電子部品４における複数の端子５の間で形成される端子間の静電容量を低減でき、電子部品４の狭ピッチ化や小型化にも対応できる。

〔第２実施形態〕
図４を参照しながら、第２実施形態に係る樹脂多層基板１を説明する。図４は、第２実施形態に係る樹脂多層基板１を模式的に示す断面図である。第２実施形態は、第２樹脂層１０ｂがテーパ形状の第２層間接続導体１４ｂを備え、テーパ形状の第２層間接続導体１４ｂの裏側接続面１４ｙには第２内部電極２４ｂが電気的に接続され、表面電極７が第２内部電極２４ｂの外縁内に収まることを特徴としている。

図４において、樹脂多層基板１は、第２樹脂層１０ｂの裏側に設けられる第２内部電極２４ｂと、第２樹脂層１０ｂを積層方向Ｚに貫通するとともに、第１内部電極２４ａおよび第２内部電極２４ｂを電気的に接続する第２層間接続導体１４ｂとを備える。第１樹脂層１０ａの第１層間接続導体１４ａと第２樹脂層１０ｂの第２層間接続導体１４ｂとは、積層方向Ｚに直列に配設されていて、積層方向Ｚから見て大略一直線に重なる位置にある。なお、この明細書における積層方向Ｚから見て大略一直線という文言は、積層方向Ｚから見てお互いの中心が一直線上にある構成に加えて、積層方向Ｚから見てお互いの中心がわずかにずれる構成も含むことを意図している。

第２層間接続導体１４ｂは、層間接続導体１４として働き、例えば、第２樹脂層１０ｂの内部側（裏側）から表側に向けて縮径したテーパ形状をしている。この第２層間接続導体１４ｂは、表側に位置して第１内部電極２４ａに電気的に接続される表側接続面１４ｘと、表側接続面１４ｘと反対側（裏側）に位置して第２内部電極２４ｂに電気的に接続される裏側接続面１４ｙとを有する。積層方向Ｚから見て、第２層間接続導体１４ｂの表側接続面１４ｘおよび裏側接続面１４ｙは、それぞれ、例えば円形状をしている。第２層間接続導体１４ｂの表側接続面１４ｘの外形は、第２層間接続導体１４ｂの裏側接続面１４ｙの外形内に収まっている。表側接続面１４ｘのＸ軸方向の長さおよびＹ軸方向の長さは、それぞれ、裏側接続面１４ｙよりも短い。言い換えると、第２層間接続導体１４ｂは、断面視で台形形状をしており、表側接続面１４ｘが台形の短辺側に相当し、裏側接続面１４ｙが台形の長辺側に相当する。さらに言えば、第２層間接続導体１４ｂの表側接続面１４ｘの面積は、裏側接続面１４ｙの面積よりも小さい。

積層方向Ｚから見て、第１内部電極２４ａは、上記のように例えば円形状をしているとともに、第２内部電極２４ｂは、第２層間接続導体１４ｂの裏側接続面１４ｙを覆う形状を有していて、例えば第２層間接続導体１４ｂの裏側接続面１４ｙに相似する形状、さらに言えば、例えば円形状をしている。第２内部電極２４ｂは、実質的に第１内部電極２４ａと同じ形状を有していて、第２層間接続導体１４ｂの裏側接続面１４ｙに対応しているので、第２内部電極２４ｂの領域は、表面電極７の領域よりも大きい。第１層間接続導体１４ａおよび第２層間接続導体１４ｂが、積層方向Ｚから見て大略一直線に重なる位置にあるとともに、表面電極７の領域は、積層方向Ｚから見て、第２内部電極２４ｂよりも小さくて且つ第２内部電極２４ｂの領域の外縁内に収まっている。したがって、第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘを覆う表面電極７の領域が、第２層間接続導体１４ｂの裏側接続面１４ｙを覆う第２内部電極２４ｂの領域よりも小さくなるので、表面電極７および第２内部電極２４ｂの間で形成される静電容量を抑制できる。

〔第３実施形態〕
図５および図６を参照しながら、第３実施形態に係る樹脂多層基板１を説明する。図５は、第３実施形態に係る樹脂多層基板１を模式的に示す断面図である。図６は、図５に示した樹脂多層基板１の平面図である。第３実施形態は、第１樹脂層１０ａの表側の表面を覆う保護層３１が設けられていることを特徴としている。

図５および図６において、第１樹脂層１０ａの表側には、保護層３１が設けられている。保護層３１は、例えば、電気絶縁性のカバーレイフィルムまたはソルダーレジスト膜である。保護層３１は、第１樹脂層１０ａの表側の表面を覆うとともに、表面電極７の一部を露出させるための開口３２を有する。開口３２は、複数の表面電極７の並び方向であるＹ軸方向に延在して、表面電極７を部分的に露出させるように設けられている。電子部品４の端子５は、はんだ等の導電性接合材８を介して、開口３２から露出した表面電極７に接合され、表面電極７に電気的に接続される。

積層方向Ｚから見て、表面電極７が例えば円形状をしている場合、保護層３１によって表面電極７の一側および他側の円弧部分が覆い隠され、例えば長円形状の表面電極７が露出する。したがって、表面電極７の領域が小さくなる。これにより、表面電極７および端子５の間で形成される静電容量を抑制できる。なお、表面電極７は、矩形状であってもよい。

隣り合う端子５，５の間には、保護層３１が形成されていない。これにより、隣り合う端子５，５の間で形成される静電容量を抑制できる。

〔第４実施形態〕
図７を参照しながら、第４実施形態に係る樹脂多層基板１を説明する。図７は、第４実施形態に係る樹脂多層基板１を模式的に示す断面図である。第４実施形態は、表面電極７が積層方向Ｚから見て、第１内部電極２４ａよりも小さくて且つ第１内部電極２４ａの外縁内に収まるという電極構造３が、積層体２の表側に設けられているとともに、裏面電極９が積層方向Ｚから見て第１内部電極２４ａの外縁内に収まっていることを特徴としている。

図７において、樹脂多層基板１は、第２層間接続導体１４ｂと、裏側層間接続導体として働く第３層間接続導体１４ｃとを備える。第１層間接続導体１４ａと第２層間接続導体１４ｂと第３層間接続導体１４ｃとは、積層方向Ｚに直列に配設されていて、積層方向Ｚから見て大略一直線に重なる位置にある。

第２層間接続導体１４ｂは、或る樹脂層（或る絶縁層）として働く第２樹脂層１０ｂを積層方向Ｚに貫通して、積層体２の内部側（裏側）から表側に向けて縮径したテーパ形状をしている。この第２層間接続導体１４ｂは、或る層間接続導体として働き、表側に位置して第１内部電極２４ａに電気的に接続される表側接続面１４ｘと、表側接続面１４ｘと反対側（裏側）に位置する裏側接続面１４ｙとを有する。積層方向Ｚから見て、第２層間接続導体１４ｂの表側接続面１４ｘおよび裏側接続面１４ｙは、それぞれ、例えば円形状をしている。第２層間接続導体１４ｂの表側接続面１４ｘの外形は、第２層間接続導体１４ｂの裏側接続面１４ｙの外形内に収まっている。表側接続面１４ｘのＸ軸方向の長さおよびＹ軸方向の長さは、裏側接続面１４ｙよりも短い。言い換えると、第２層間接続導体１４ｂは、断面視で台形形状をしており、表側接続面１４ｘが台形の短辺側に相当し、裏側接続面１４ｙが台形の長辺側に相当する。さらに言えば、第２層間接続導体１４ｂの表側接続面１４ｘの面積は、裏側接続面１４ｙの面積よりも小さい。

第３層間接続導体１４ｃは、別の樹脂層（別の絶縁層）および裏側樹脂層（裏側絶縁層）として働く第３樹脂層１０ｃを積層方向Ｚに貫通して、積層体２の内部側（裏側）から裏面側に向けて縮径したテーパ形状をしている。この第３層間接続導体１４ｃは、別の層間接続導体および裏側層間接続導体として働き、裏面側に位置して裏面電極９に電気的に接続される表側接続面１４ｘと、表側接続面１４ｘと反対側（表側）に位置する裏側接続面１４ｙとを有する。積層方向Ｚから見て、第３層間接続導体１４ｃの表側接続面１４ｘおよび裏側接続面１４ｙは、それぞれ、例えば円形状をしている。第３層間接続導体１４ｃの表側接続面１４ｘの外形は、第３層間接続導体１４ｃの裏側接続面１４ｙの外形内に収まっている。表側接続面１４ｘのＸ軸方向の長さおよびＹ軸方向の長さは、裏側接続面１４ｙよりも短い。言い換えると、第３層間接続導体１４ｃは、断面視で逆台形形状をしており、表側接続面１４ｘが台形の短辺側に相当し、裏側接続面１４ｙが台形の長辺側に相当する。さらに言えば、第３層間接続導体１４ｃの表側接続面１４ｘの面積は、裏側接続面１４ｙの面積よりも小さい。

或る層間接続導体として働く第２層間接続導体１４ｂと、別の層間接続導体および裏側層間接続導体として働く第３層間接続導体１４ｃとが、積層方向Ｚに直列に接合される連接構造をなしている。第２層間接続導体１４ｂの裏側接続面１４ｙと、第３層間接続導体１４ｃの裏側接続面１４ｙとが、直接的に接合されて、電気的に接続されている。これにより、接合領域の大きい、或る層間接続導体１４ｂの裏側接続面１４ｙと、別の層間接続導体１４ｃの裏側接続面１４ｙとが接合するので、第２層間接続導体１４ｂと第３層間接続導体１４ｃとの間での接合が安定する。上記の連接構造を言い換えると、第２層間接続導体１４ｂと第３層間接続導体１４ｃとが、内部電極２４を介さずに電気的に接続されている。これにより、他の様々な電極（他の内部電極２４や表面電極７や裏面電極９）に対する意図しない静電容量の形成を抑制できる。

積層体２の裏側の表面すなわち第３樹脂層１０ｃの裏側の表面には、導電層２０としての裏面電極９が形成されている。電子部品４の端子５は、図示しない導電性接合材を介して、裏面電極９に接合されて、裏面電極９に電気的に接続される。したがって、第３樹脂層１０ｃの裏側の表面に形成された裏面電極９は、電子部品４を実装するための実装電極として働く。裏側の裏面電極９は、積層方向Ｚから見て、例えば円形状をしている。裏側に実装される電子部品４は、例えば、ＩＣチップである。したがって、第４実施形態に係る樹脂多層基板１は、表側および裏側の両側で電子部品４を実装可能である。

積層方向Ｚから見て、第１内部電極２４ａは、上記のように例えば円形状をしているとともに、裏側の裏面電極９は、第３層間接続導体１４ｃの表側接続面１４ｘを覆う形状を有していて、例えば表側接続面１４ｘに相似する形状、さらに言えば、例えば円形状をしている。裏側の裏面電極９は、実質的に、表側の表面電極７と同じ形状をしている。第１層間接続導体１４ａ、第２層間接続導体１４ｂおよび第３層間接続導体１４ｃが、積層方向Ｚから見て大略一直線に重なる位置にあるとともに、表側の表面電極７の領域および裏側の裏面電極９の領域は、積層方向Ｚから見て第１内部電極２４ａの領域の外縁内に収まっている。そして、表面電極７が積層方向Ｚから見て、第１内部電極２４ａよりも小さくて且つ第１内部電極２４ａの外縁内に収まるという電極構造３に加えて、裏面電極９が積層方向Ｚから見て第１内部電極２４ａの外縁内に収まっている。したがって、表側および裏側の両側で電子部品４を実装可能な樹脂多層基板１において、表面電極７および第１内部電極２４ａの間で形成される静電容量、および、裏面電極９および第１内部電極２４ａの間で形成される静電容量をそれぞれ抑制できる。

〔第５実施形態〕
図８を参照しながら、第５実施形態に係る樹脂多層基板１を説明する。図８は、第５実施形態に係る樹脂多層基板１を模式的に示す断面図である。第５実施形態は、隣り合う信号用表面電極７ａ，７ａの間には、グランド用表面電極７ｂが配設されることを特徴としている。

図８において、第１樹脂層１０ａの表側には、複数の表面電極７が設けられており、複数の表面電極７は、信号用表面電極７ａおよびグランド用表面電極７ｂとして構成されており、隣り合う信号用表面電極７ａ，７ａの間には、グランド用表面電極７ｂが配設されている。これにより、隣り合う信号用の端子５，５の間でのアイソレーションが向上し、クロストークを抑制できる。

信号用表面電極７ａに関しては、表面電極７が積層方向Ｚから見て、第１内部電極２４ａよりも小さくて且つ第１内部電極２４ａの外縁内に収まるという電極構造３が適用されている。グランド用表面電極７ｂは、積層方向Ｚから見てグランド用表面電極７ｂが第１内部電極２４ａと実質的に同じ形状であるという構造にすることもできる。この場合、第１樹脂層１０ａの表側の表面に対するグランド用表面電極７ｂの固着強度を大きくでき、電子部品４と樹脂多層基板１との間での接続強度を大きくできる。グランド用表面電極７ｂの面積は、信号用表面電極７ａの面積よりも大きい。当該構成によれば、第１樹脂層１０ａの表側の表面に対するグランド用表面電極７ｂの固着強度を大きくでき、電子部品４と樹脂多層基板１との間での接続強度を大きくできる。また、グランド用表面電極７ｂは、積層方向Ｚから見てグランド用表面電極７ｂが第１内部電極２４ａの外縁内に収まるという電極構造３を適用することもできる。この場合、信号用表面電極７ａおよびグランド用表面電極７ｂの間で形成される静電容量を抑制できる。

〔第６実施形態〕
図９を参照しながら、第６実施形態に係る樹脂多層基板１を説明する。図９は、第６実施形態に係る樹脂多層基板１を模式的に示す断面図である。第６実施形態は、表面電極７が積層方向Ｚから見て、第１内部電極２４ａよりも小さくて且つ第１内部電極２４ａの外縁内に収まるという電極構造３が、積層体２の表側に設けられているとともに、グランド電極層２７が、積層体２の裏側に設けられていることを特徴としている。

図９において、樹脂多層基板１は、図７に示した第４実施形態との比較で、第３層間接続導体１４ｃに電気的に接続される第３内部電極２４ｃと、第４樹脂層（第４絶縁層）１０ｄと、第４樹脂層１０ｄの裏側の表面（積層体２の裏側の表面）に設けられるグランド電極層２７とをさらに備える。

第３層間接続導体１４ｃは、第３樹脂層１０ｃを積層方向Ｚに貫通して、積層体２の内部側（表側）から裏側に向けて縮径したテーパ形状を有していて、裏側に位置する表側接続面１４ｘと、表側接続面１４ｘと反対側（表側）に位置する裏側接続面１４ｙとを有する。第３層間接続導体１４ｃの表側接続面１４ｘには、第３内部電極２４ｃが電気的に接続されている。

積層方向Ｚから見て、第３内部電極２４ｃは、第３層間接続導体１４ｃの表側接続面１４ｘを覆う形状を有していて、例えば表側接続面１４ｘに相似する形状、さらに言えば、例えば円形状をしている。第３内部電極２４ｃは、実質的に、表側の表面電極７と同じ形状をしている。第３内部電極２４ｃは、グランド電極層２７に対面している。第３樹脂層１０ｃおよび第４樹脂層１０ｄの間には、積層方向Ｚに直交する面方向に延在する導電層２０が設けられている。導電層２０は、第３内部電極２４ｃと、第３内部電極２４ｃに連通する信号線路２２とを有する。積層方向Ｚから見て、信号線路２２は、例えば矩形状をしている。

第４樹脂層１０ｄの裏側の表面（積層体２の裏側の表面）には、グランド電極層２７が設けられている。グランド電極層２７は、積層体２の積層方向Ｚと直交する面方向に延在している。グランド電極層２７は、金属箔、例えば銅箔である。グランド電極層２７は、第４樹脂層１０ｄの裏側の表面（積層体２の裏側の表面）を覆うとともに、必要に応じて開口を有することができる。

第３内部電極２４ｃは、第３層間接続導体１４ｃの表側接続面１４ｘを覆うとともに、第３層間接続導体１４ｃの表側接続面１４ｘに対応して小径であるので、第３内部電極２４ｃの領域が小さくなる。これにより、第３内部電極２４ｃおよびグランド電極層２７の間で形成される静電容量を抑制できる。

また、表面電極７が形成される第１樹脂層１０ａの表側の表面（積層体２の表側の表面）には、グランド電極層２７を設けることができる。グランド電極層２７は、積層体２の積層方向Ｚと直交する面方向に延在している。積層体２の表側の表面に形成されるグランド電極層２７は、金属箔、例えば銅箔であり、第１樹脂層１０ａの表側の表面を覆うとともに、積層方向Ｚから見て内部電極２４と重ならないように構成される開口を有する。これにより、積層体２の表側の表面に形成されるグランド電極層２７と内部電極２４との間で形成される静電容量を抑制できる。

樹脂多層基板１は、電子部品４に隣接して（図９の右側に）、グランド電極層と複数の層間接続導体と複数の内部電極とグランド電極層とが積層されて電気的に接続される積層構造を有することができる。当該積層構造は、表面側から順に、表側のグランド電極層２７と、第１層間接続導体１４ａと、第１内部電極２４ａと、第２層間接続導体１４ｂと、第３層間接続導体１４ｃと、第３内部電極２４ｃと、第４層間接続導体１４ｄと、裏側のグランド電極層２７と有する。例えば、第１層間接続導体１４ａおよび第２層間接続導体１４ｂは、積層体２の裏側から表側に向けて縮径したテーパ形状を有し、第３層間接続導体１４ｃおよび第４層間接続導体１４ｄは、積層体２の表側から裏側に向けて縮径したテーパ形状を有する。図９において左側にある表側のグランド電極層２７と右側にある表側のグランド電極層２７とは、電気的に接続されてもよい。左側および右側の表側のグランド電極層２７によって、電子部品４が取り囲まれるように構成することができる。

〔第７実施形態〕
図１０を参照しながら、第７実施形態に係る樹脂多層基板１を説明する。図１０は、第７実施形態に係る樹脂多層基板１を模式的に示す断面図である。第７実施形態は、樹脂層１０が、或る副樹脂層１０ｘおよび別の副樹脂層１０ｙを含む多層構造を有することを特徴としている。

図１０では、第１樹脂層１０ａが、或る副樹脂層（或る副絶縁層）１０ｘと、別の副樹脂層（別の副絶縁層）１０ｙとを含む多層構造を有する。或る副樹脂層１０ｘは、表側に位置し、別の副樹脂層１０ｙは内部側（裏側）に位置する。別の副樹脂層１０ｙは、或る副樹脂層１０ｘよりも比誘電率が低い樹脂である。或る副樹脂層１０ｘは、例えば、ＬＣＰ樹脂（液晶ポリマー樹脂）である。別の副樹脂層１０ｙは、例えば、ＰＴＦＥ樹脂（ポリテトラフルオロエチレン樹脂）やＰＦＡ樹脂（パーフルオロアルコキシアルカン樹脂）などの熱可塑性フッ素系樹脂である。第２樹脂層１０ｂは、例えば、ＬＣＰ樹脂（液晶ポリマー樹脂）である。第３樹脂層１０ｃは、例えば、ＬＣＰ樹脂（液晶ポリマー樹脂）である。

樹脂層１０が、比誘電率が低い別の副樹脂層１０ｙを含むので、不必要な静電容量を下げることができる。図１０に示した配置では、比誘電率が低い別の副樹脂層１０ｙが、信号線路２２に接するため、信号線路２２の周囲に形成される電場を緩和でき、信号線路２２の線路幅を大きくすることができるので、高周波帯域における信号線路２２の導体損失の増加を抑制できる。また、別の副樹脂層１０ｙの誘電正接が低いと、さらに、誘電体損失も減らすことができる。

図１０に示した配置と逆の配置にすることができる。すなわち、比誘電率が低い別の副樹脂層１０ｙを表側に配置するとともに、別の副樹脂層１０ｙよりも比誘電率が高い或る副樹脂層１０ｘを内部側（裏側）に配置することができる。この場合、比誘電率が低い別の副樹脂層１０ｙが、表面電極７に接するので、隣り合う表面電極７，７の間で形成される静電容量を抑制できる。

第７実施形態では、或る副樹脂層１０ｘと別の副樹脂層１０ｙとを含む多層構造の樹脂層１０は、積層体２の表側に位置する第１樹脂層１０ａに用いられているが、積層体２の内部に位置する第２樹脂層１０ｂや第３樹脂層１０ｃ、積層体２の裏側に位置する第４樹脂層１０ｄなどの様々な樹脂層１０にも適宜に用いられる。樹脂層１０の多層構造は、或る副樹脂層１０ｘと別の副樹脂層１０ｙとを含む二層構造を例示したが、或る副樹脂層１０ｘおよび別の副樹脂層１０ｙと同じであるかまたは異なるさらなる副樹脂層を備える三層構造や四層構造などにすることもできる。

〔樹脂多層基板の製造方法〕
図１１を参照しながら、樹脂多層基板１の製造方法を説明する。図１１は、樹脂多層基板１の製造方法を説明する図である。

上述した樹脂多層基板１は、例えば、次に説明する製造方法によって製造される。

図１１の（Ａ）に示すように、導電層２０付きの樹脂層１０を複数個準備する（複数の樹脂層１０を準備する工程）。導電層２０付き樹脂層１０は、樹脂層１０の片面に導電層２０として働く導体箔がラミネートされたシートである。樹脂層１０は、熱可塑性樹脂からなり、例えばＬＣＰ樹脂（液晶ポリマー樹脂）である。導電層２０は、金属箔であり、例えば銅箔である。

図１１の（Ｂ）に示すように、導電層２０付き樹脂層１０の樹脂層１０側からレーザ光を照射することによって、樹脂層１０を貫通する層間接続孔１２を形成する（層間接続孔１２を形成する工程）。層間接続孔１２は、樹脂層１０を貫通するが、導電層２０を貫通しない。レーザ光の照射によって層間接続孔１２を形成するため、層間接続孔１２は、樹脂層１０の側から導電層２０の側に向けて縮径したテーパ形状をしている。層間接続孔１２は、表面電極７や第１内部電極２４ａに対応する位置に形成される。導電層２０をフォトリソグラフィでパターニングすることにより、樹脂層１０の一方の面に所望の導体パターンが形成される。例えば、積層体２の表側に位置することになる第１樹脂層１０ａでは、導体パターンとして、表面電極７が形成される（表面電極７を形成する工程）。積層体２の内部側（裏側）に位置することになる第２樹脂層１０ｂでは、導体パターンとして、信号線路２２および第１内部電極２４ａが形成される（第１内部電極２４ａを形成する工程）。

図１１の（Ｃ）に示すように、層間接続孔１２に対して、スクリーン印刷などにより導電性ペーストを充填する。これにより、樹脂層１０の側から導電層２０の側に向けて縮径したテーパ形状の第１層間接続導体１４ａが形成される（第１層間接続導体１４ａを形成する工程）。

テーパ形状の第１層間接続導体１４ａは、導電層２０の側に位置して表面電極７に電気的に接続される表側接続面１４ｘと、表側接続面１４ｘと反対側に位置する裏側接続面１４ｙとを有する。積層方向Ｚから見て、第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘおよび裏側接続面１４ｙは、それぞれ、例えば円形状をしている。第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘの外形は、第１層間接続導体１４ａの裏側接続面１４ｙの外形内に収まっている。第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘの位置は、表面電極７の位置と一致している。上述した表面電極７は、第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘを覆うので、第１内部電極２４ａよりも小径である。上述した第１内部電極２４ａは、第１層間接続導体１４ａの裏側接続面１４ｙを覆うので、表面電極７よりも大径である。なお、第１層間接続導体１４ａを先に形成してから、表面電極７や第１内部電極２４ａなどの導体パターンを形成するようにしてもよい。

図１１の（Ｄ）に示すように、表面電極７を有する第１樹脂層１０ａと、信号線路２２および第１内部電極２４ａを有する第２樹脂層１０ｂとを含む複数の樹脂層１０が、積層方向Ｚに積み重ねられる（樹脂層１０を積み重ねる工程）。積層方向Ｚから見て、第１層間接続導体１４ａの裏側接続面１４ｙが第１内部電極２４ａと重なるように、第１樹脂層１０ａおよび第２樹脂層１０ｂが位置決めされる。複数の樹脂層１０を積層した状態で熱および圧力が加えられることにより、積層体２が熱圧着される（積層体２を熱圧着する工程）。このとき、層間接続孔１２に充填された導電性ペーストは固化し、第１層間接続導体１４ａの裏側接続面１４ｙは、第１内部電極２４ａに接合され、第１内部電極２４ａと電気的に接続される。

図１１の（Ｅ）に示すように、熱圧着された積層体２は、表面電極７が積層方向Ｚから見て、第１内部電極２４ａよりも小さくて且つ第１内部電極２４ａの外縁内に収まっている電極構造３を備える。必要に応じて、第１樹脂層１０ａの表側の表面に保護層３１を設けることもできる。表面電極７に導電性接合材を塗布し、電子部品４を表面電極７の上に配置し、リフロー処理を行なうことによって、電子部品４が樹脂多層基板１に表面実装される。

上記製造方法によれば、表面電極７が積層方向Ｚから見て、第１内部電極２４ａよりも小さくて且つ第１内部電極２４ａの外縁内に収まる電極構造３が積層体２に形成されている。したがって、第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘを覆う表面電極７の領域が、第１層間接続導体１４ａの裏側接続面１４ｙを覆う第１内部電極２４ａの領域よりも小さくなるので、表面電極７および第１内部電極２４ａの間で形成される静電容量を抑制できる。

この発明の具体的な実施の形態について説明したが、この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内で種々変更して実施することができる。

第１層間接続導体１４ａ、第２層間接続導体１４ｂおよび第３層間接続導体１４ｃなどの層間接続導体１４は、断面視で、理想的には台形のテーパ形状を有するが、現実的には、長方形状を有したり、側辺が不連続になったりすることがあるので、これらの様々な形状を含む。

表面電極７、内部電極２４、表側接続面１４ｘおよび裏側接続面１４ｙの各形状は、円形状だけでなく、楕円形状や長円形状や矩形状であってもよい。

この発明および実施形態をまとめると、次のようになる。

この発明の一態様に係る多層基板１は、
複数の絶縁層１０が積層方向Ｚに積層される積層体２と、
前記絶縁層１０のうち、前記積層体２の表側に位置する第１絶縁層１０ａの表側に設けられる表面電極７と、
前記第１絶縁層１０ａの裏側に設けられる第１内部電極２４ａと、
前記第１絶縁層１０ａを前記積層方向Ｚに貫通して、前記表面電極７および前記第１内部電極２４ａを電気的に接続する第１層間接続導体１４ａとを備える多層基板１であって、
前記第１層間接続導体１４ａは、前記表面電極７に電気的に接続される表側接続面１４ｘと、前記第１内部電極２４ａに電気的に接続される裏側接続面１４ｙとを有し、
前記第１層間接続導体１４ａの前記表側接続面１４ｘの外形は、前記第１層間接続導体１４ａの前記裏側接続面１４ｙの外形内に収まり、
前記表面電極７は前記第１層間接続導体１４ａの前記表側接続面１４ｘを覆う形状を有するとともに、前記第１内部電極２４ａは前記第１層間接続導体１４ａの前記裏側接続面１４ｙを覆う形状を有しており、
前記積層体２は、前記表面電極７が前記積層方向Ｚから見て前記第１内部電極２４ａよりも小さくて且つ前記第１内部電極２４ａの外縁内に収まる電極構造を備えることを特徴とする。

上記構成によれば、第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘを覆う表面電極７の領域が、第１層間接続導体１４ａの裏側接続面１４ｙを覆う第１内部電極２４ａの領域よりも小さくなるので、表面電極７および第１内部電極２４ａの間で形成される静電容量を抑制できる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記第１層間接続導体１４ａの前記表側接続面１４ｘは、前記積層方向Ｚから見て円形状を有し、
前記第１層間接続導体１４ａの前記裏側接続面１４ｙは、前記積層方向Ｚから見て円形状を有し、
前記表側接続面１４ｘの径は、前記裏側接続面１４ｙの径よりも小さい。

上記実施形態によれば、不要な静電容量の形成を抑制できるとともに、表側接続面１４ｘと表面電極７との間、および裏側接続面１４ｙと第１内部電極２４ａとの間での各位置合わせが容易になる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記第１層間接続導体１４ａにおいて、前記表側接続面１４ｘの面積は、前記裏側接続面１４ｙの面積よりも小さい。

上記実施形態によれば、不要な静電容量の形成を抑制できるとともに、表側接続面１４ｘと表面電極７との間、および裏側接続面１４ｙと第１内部電極２４ａとの間での各位置合わせが容易になる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記表面電極７は、電子部品４の端子５を電気的に接続するための電極であり、
前記第１内部電極２４ａは、前記積層方向Ｚに直交する面方向に延在する信号線路２２と連通しており、
前記信号線路２２は、前記積層方向Ｚから見て前記端子５と重ならないように延在している。

上記実施形態によれば、電子部品４の端子５および信号線路２２の間で形成される静電容量を抑制できる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記端子５の先端部５ａは、前記積層方向Ｚから見て前記表面電極７の外縁内に収まる。

上記実施形態によれば、電子部品４の端子５および第１内部電極２４ａの間で形成される静電容量を抑制できる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記第１絶縁層１０ａの裏側に隣接配置される第２絶縁層１０ｂと、
前記第２絶縁層１０ｂの裏側に設けられる第２内部電極２４ｂと、
前記第２絶縁層１０ｂを前記積層方向Ｚに貫通して、前記第１内部電極２４ａおよび前記第２内部電極２４ｂを電気的に接続する第２層間接続導体１４ｂとをさらに備え、
前記第２層間接続導体１４ｂは、前記第１内部電極２４ａに電気的に接続される表側接続面１４ｘと、前記第２内部電極２４ｂに電気的に接続される裏側接続面１４ｙとを有し、
前記第２層間接続導体１４ｂの前記表側接続面１４ｘの外形は、前記第２層間接続導体１４ｂの前記裏側接続面１４ｙの外形内に収まり、
前記第２内部電極２４ｂは第２層間接続導体１４ｂの前記裏側接続面１４ｙを覆う形状を有しており、
前記表面電極７は、前記積層方向Ｚから見て、前記第２内部電極２４ｂよりも小さくて且つ前記第２内部電極２４ｂの外縁内に収まる。

上記実施形態によれば、第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘを覆う表面電極７の領域が、第２層間接続導体１４ｂの裏側接続面１４ｙを覆う第２内部電極２４ｂの領域よりも小さくなるので、表面電極７および第２内部電極２４ｂの間で形成される静電容量を抑制できる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記第２絶縁層１０ｂの裏側に隣接配置される第３絶縁層１０ｃと、
第３絶縁層１０ｃを前記積層方向Ｚに貫通して前記第２層間接続導体１４ｂに電気的に接続される第３層間接続導体１４ｃと、
前記第３層間接続導体１４ｃの表側接続面１４ｘに電気的に接続される第３内部電極２４ｃと、
前記積層体２の裏側に設けられるグランド電極層２７とをさらに備え、
前記第３内部電極２４ｃが、前記グランド電極層２７に対面し、
前記第３内部電極２４ｃは、前記第３層間接続導体１４ｃの前記表側接続面１４ｘを覆う形状を有しており、
前記第３内部電極２４ｃは、前記積層方向Ｚから見て、前記第１内部電極２４ａよりも小さくて且つ前記第１内部電極２４ａの外縁内に収まる。

上記実施形態によれば、第３内部電極２４ｃの領域が小さくなるので、第３内部電極２４ｃおよびグランド電極層２７の間で形成される静電容量を抑制できる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記第１絶縁層１０ａの表側の表面を覆うとともに、前記表面電極７の一部を露出させるための開口３２を有する電気絶縁性の保護層３１をさらに備える。

上記実施形態によれば、表面電極７の領域が小さくなるので、表面電極７および端子５の間で形成される静電容量を抑制できる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記保護層３１は、隣り合う前記表面電極７，７の間には形成されていない。

上記実施形態によれば、隣り合う端子５，５の間で形成される静電容量を抑制できる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記積層体２の裏側に位置する裏側絶縁層１０ｃの裏側に設けられる裏面電極９と、
前記裏側絶縁層１０ｃを前記積層方向Ｚに貫通して、前記裏面電極９に電気的に接続される裏側接続面１４ｙを有する裏側層間接続導体１４ｃとをさらに備え、
前記裏面電極９は前記裏側層間接続導体１４ｃの前記表側接続面１４ｘを覆う形状を有しており、
前記表側接続面１４ｘは、前記積層方向Ｚから見て、前記第１内部電極２４ａよりも小さくて且つ前記第１内部電極２４ａの外縁内に収まる。

上記実施形態によれば、表側および裏側の両側で電子部品４を実装可能な多層基板１において、表面電極７および第１内部電極２４ａの間で形成される静電容量、および、裏面電極９および第１内部電極２４ａの間で形成される静電容量をそれぞれ抑制できる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記積層体２を構成する或る絶縁層１０ｂを前記積層方向Ｚに貫通する或る層間接続導体１４ｂであって、前記積層体２の表側に位置する前記或る層間接続導体１４ｂの表側接続面１４ｘの外形が、前記積層体２の裏側に位置する前記或る層間接続導体１４ｂの裏側接続面１４ｙの外形内に収まる或る層間接続導体１４ｂと、或る絶縁層１０ｂに隣接する別の絶縁層１０ｃを前記積層方向Ｚに貫通する別の層間接続導体１４ｃであって、前記積層体２の裏側に位置する前記別の層間接続導体１４ｃの表側接続面１４ｘの外形が、前記積層体２の表側に位置する前記別の層間接続導体１４ｃの裏側接続面１４ｙの外形内に収まる別の層間接続導体１４ｃとが、前記積層方向Ｚに直列に接合される連接構造をなす場合、前記或る層間接続導体１４ｂの前記裏側接続面１４ｙと、前記別の層間接続導体１４ｃの前記裏側接続面１４ｙとが接合される。

上記実施形態によれば、接合領域の大きい、或る層間接続導体１４ｂの裏側接続面１４ｙと、別の層間接続導体１４ｃの表側接続面１４ｘとが接合するので、或る層間接続導体１４ｂと別の層間接続導体１４ｃとの間での接合が安定する。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記第１絶縁層１０ａの表側には、複数の前記表面電極７が設けられており、
前記複数の前記表面電極７は、信号用表面電極７ａおよびグランド用表面電極７ｂとして構成されており、隣り合う前記信号用表面電極７ａ，７ａの間には、前記グランド用表面電極７ｂが配設される。

上記実施形態によれば、隣り合う信号用の端子５，５の間でのアイソレーションが向上し、クロストークを抑制できる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記グランド用表面電極７ｂの面積は、前記信号用表面電極７ａの面積よりも大きい。

上記実施形態によれば、電子部品４と多層基板１との間での接続強度を大きくできる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記絶縁層１０が、或る副絶縁層１０ｘと、前記或る副絶縁層１０ｘよりも比誘電率が低い別の副絶縁層１０ｙとを含む多層構造を有する。

上記実施形態によれば、絶縁層１０が、比誘電率が低い別の副絶縁層１０ｙを含むので、不必要な静電容量を下げることができる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記或る副絶縁層１０ｘよりも比誘電率が低い前記別の副絶縁層１０ｙは、前記表面電極７の側に配置される。

上記実施形態によれば、比誘電率が低い別の副絶縁層１０ｙが、表面電極７に接するので、隣り合う表面電極７，７の間で形成される静電容量を抑制できる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記或る副絶縁層１０ｘよりも比誘電率が低い前記別の副絶縁層１０ｙは、前記第１内部電極２４ａの側に配置される。

上記実施形態によれば、別の副絶縁層１０ｙが信号線路２２に接するため、信号線路２２の周囲に形成される電場を緩和でき、信号線路２２の線路幅を大きくすることができるので、高周波帯域における信号線路２２の導体損失の増加を抑制できる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記絶縁層１０が、或る副絶縁層１０ｘと、前記或る副絶縁層１０ｘよりも誘電正接が低い別の副絶縁層１０ｙとを含む多層構造を有し、前記或る副絶縁層１０ｘよりも誘電正接が低い前記別の副絶縁層１０ｙは、前記第１内部電極２４ａの側に配置される。

上記実施形態によれば、誘電体損失も減らすことができる。

また、一実施形態の多層基板１では、
前記多層構造を有する前記絶縁層１０が、前記第１絶縁層１０ａに用いられる。

上記実施形態によれば、高周波帯域における信号線路２２の導体損失の増加を抑制したり、隣り合う表面電極７，７の間で形成される静電容量を抑制できる。

この発明の別の局面に係る多層基板１の製造方法は、
導電層２０付きの第１絶縁層１０ａと、前記第１絶縁層１０ａの裏側に隣接配置される導電層２０付きの第２絶縁層１０ｂとを含む複数の絶縁層１０を準備する工程と、
前記第１絶縁層１０ａに層間接続孔１２を形成する工程と、
導電性ペーストを前記層間接続孔１２に充填して、第１層間接続導体１４ａを形成する工程と、
前記第１絶縁層１０ａの前記導電層２０のパターニングによって、前記第１層間接続導体１４ａに対応する位置に表面電極７を形成する工程と、
前記第２絶縁層１０ｂの前記導電層２０のパターニングによって、第１内部電極２４ａを形成する工程と、
前記第１層間接続導体１４ａに重なる位置に前記第１内部電極２４ａが位置するように、前記第１絶縁層１０ａおよび前記第２絶縁層１０ｂを積層方向Ｚに積み重ねる工程と、
積み重ねられた前記第１絶縁層１０ａおよび前記第２絶縁層１０ｂを熱圧着する工程とを含み、
前記第１層間接続導体１４ａは、前記表面電極７に電気的に接続される表側接続面１４ｘと、前記第１内部電極２４ａに電気的に接続される裏側接続面１４ｙとを有し、
前記第１層間接続導体１４ａの前記表側接続面１４ｘの外形は、前記第１層間接続導体１４ａの前記裏側接続面１４ｙの外形内に収まり、
前記表面電極７は前記第１層間接続導体１４ａの前記表側接続面１４ｘを覆う形状を有するとともに、前記第１内部電極２４ａは前記第１層間接続導体１４ａの前記裏側接続面１４ｙを覆う形状を有しており、
前記積層体２には、前記表面電極７が前記積層方向Ｚから見て前記第１内部電極２４ａよりも小さくて且つ前記第１内部電極２４ａの外縁内に収まる電極構造３が形成される。

上記製造方法によれば、表面電極７が積層方向Ｚから見て第１内部電極２４ａの外縁内に収まる電極構造３が積層体２に形成されている。したがって、第１層間接続導体１４ａの表側接続面１４ｘを覆う表面電極７の領域が、第１層間接続導体１４ａの裏側接続面１４ｙを覆う第１内部電極２４ａの領域よりも小さくなるので、表面電極７および第１内部電極２４ａの間で形成される静電容量を抑制できる。

１…樹脂多層基板（多層基板）
２…積層体
３…電極構造
４…電子部品
５…端子
５ａ…先端部
７…表面電極
７ａ…信号用表面電極
７ｂ…グランド用表面電極
７ｐ…縮径張出部
８…導電性接合材
９…裏面電極
１０…樹脂層（絶縁層）
１０ａ…第１樹脂層（第１絶縁層）
１０ｂ…第２樹脂層（第２絶縁層、或る絶縁層）
１０ｃ…第３樹脂層（第３絶縁層、別の絶縁層、裏側絶縁層）
１０ｄ…第４樹脂層（第４絶縁層）
１０ｘ…或る副樹脂層（或る副絶縁層）
１０ｙ…別の副樹脂層（別の副絶縁層）
１２…層間接続孔
１４…層間接続導体
１４ａ…第１層間接続導体
１４ｂ…第２層間接続導体（或る層間接続導体）
１４ｃ…第３層間接続導体（別の層間接続導体、裏側層間接続導体）
１４ｄ…第４層間接続導体
１４ｘ…表側接続面
１４ｙ…裏側接続面
２０…導電層
２２…信号線路
２４…内部電極
２４ａ…第１内部電極
２４ｂ…第２内部電極
２４ｃ…第３内部電極
２４ｐ…拡径張出部
２７…グランド電極層
３１…保護層
３２…開口
Ｐ…導体中心
Ｒ…線分
Ｑ…仮想円
Ｚ…積層方向

Claims (17)

1. 複数の絶縁層が積層方向に積層される積層体と、
   前記絶縁層のうち、前記積層体の表側に位置する第１絶縁層の表側に設けられる表面電極と、
   前記第１絶縁層の裏側に設けられる第１内部電極と、
   前記第１絶縁層を前記積層方向に貫通して、前記表面電極および前記第１内部電極を電気的に接続する第１層間接続導体とを備える多層基板であって、
   前記第１層間接続導体は、前記表面電極に電気的に接続される表側接続面と、前記第１内部電極に電気的に接続される裏側接続面とを有し、
   前記第１層間接続導体の前記表側接続面の外形は、前記第１層間接続導体の前記裏側接続面の外形内に収まり、
   前記表面電極は前記第１層間接続導体の前記表側接続面を覆う形状を有するとともに、前記第１内部電極は前記第１層間接続導体の前記裏側接続面を覆う形状を有しており、
   前記積層体は、前記表面電極が前記積層方向から見て前記第１内部電極よりも小さくて且つ前記第１内部電極の外縁内に収まる電極構造を備え、
   前記第１絶縁層の表側には、複数の前記表面電極が設けられており、
   前記複数の前記表面電極は、信号用表面電極およびグランド用表面電極として構成されており、隣り合う前記信号用表面電極の間には、前記グランド用表面電極が配設され、
   前記グランド用表面電極の面積は、前記信号用表面電極の面積よりも大きい、多層基板。
2. 前記第１層間接続導体の前記表側接続面は、前記積層方向から見て円形状を有し、
   前記第１層間接続導体の前記裏側接続面は、前記積層方向から見て円形状を有し、
   前記表側接続面の径は、前記裏側接続面の径よりも小さい、請求項１に記載の多層基板。
3. 前記第１層間接続導体において、前記表側接続面の面積は、前記裏側接続面の面積よりも小さい、請求項１または請求項２に記載の多層基板。
4. 前記表面電極は、電子部品の端子を電気的に接続するための電極であり、
   前記第１内部電極は、前記積層方向に直交する面方向に延在する信号線路と連通しており、
   前記信号線路は、前記積層方向から見て前記端子と重ならないように延在している、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の多層基板。
5. 前記端子の先端部は、前記積層方向から見て前記表面電極の外縁内に収まる、請求項４に記載の多層基板。
6. 前記第１絶縁層の裏側に隣接配置される第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の裏側に設けられる第２内部電極と、
   前記第２絶縁層を前記積層方向に貫通して、前記第１内部電極および前記第２内部電極を電気的に接続する第２層間接続導体とをさらに備え、
   前記第２層間接続導体は、前記第１内部電極に電気的に接続される表側接続面と、前記第２内部電極に電気的に接続される裏側接続面とを有し、
   前記第２層間接続導体の前記表側接続面の外形は、前記第２層間接続導体の前記裏側接続面の外形内に収まり、
   前記第２内部電極は前記第２層間接続導体の前記裏側接続面を覆う形状を有しており、
   前記表面電極は、前記積層方向から見て、前記第２内部電極よりも小さくて且つ前記第２内部電極の外縁内に収まる、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の多層基板。
7. 前記第２絶縁層の裏側に隣接配置される第３絶縁層と、
   第３絶縁層を前記積層方向に貫通して前記第２層間接続導体に電気的に接続される第３層間接続導体と、
   前記第３層間接続導体の表側接続面に電気的に接続される第３内部電極と、
   前記積層体の裏側に設けられるグランド電極層とをさらに備え、
   前記第３内部電極が、前記グランド電極層に対面し、
   前記第３内部電極は、前記第３層間接続導体の前記表側接続面を覆う形状を有しており、
   前記第３内部電極は、前記積層方向から見て、前記第１内部電極よりも小さくて且つ前記第１内部電極の外縁内に収まる、請求項６に記載の多層基板。
8. 前記第１絶縁層の表側の表面を覆うとともに、前記表面電極の一部を露出させるための開口を有する電気絶縁性の保護層をさらに備える、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の多層基板。
9. 前記保護層は、隣り合う前記表面電極の間には形成されていない、請求項８に記載の多層基板。
10. 前記積層体の裏側に位置する裏側絶縁層の裏側に設けられる裏面電極と、
    前記裏側絶縁層を前記積層方向に貫通して、前記裏面電極に電気的に接続される表側接続面を有する裏側層間接続導体とをさらに備え、
    前記裏面電極は前記裏側層間接続導体の前記表側接続面を覆う形状を有しており、
    前記裏面電極は、前記積層方向から見て、前記第１内部電極よりも小さくて且つ前記第１内部電極の外縁内に収まる、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の多層基板。
11. 前記積層体を構成する或る絶縁層を前記積層方向に貫通する或る層間接続導体であって、前記積層体の表側に位置する前記或る層間接続導体の表側接続面の外形が、前記積層体の裏側に位置する前記或る層間接続導体の裏側接続面の外形内に収まる或る層間接続導体と、或る絶縁層に隣接する別の絶縁層を前記積層方向に貫通する別の層間接続導体であって、前記積層体の裏側に位置する前記別の層間接続導体の表側接続面の外形が、前記積層体の表側に位置する前記別の層間接続導体の裏側接続面の外形内に収まる別の層間接続導体とが、前記積層方向に直列に接合される連接構造をなす場合、前記或る層間接続導体の前記裏側接続面と、前記別の層間接続導体の前記裏側接続面とが接合される、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の多層基板。
12. 前記絶縁層が、或る副絶縁層と、前記或る副絶縁層よりも比誘電率が低い別の副絶縁層とを含む多層構造を有する、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の多層基板。
13. 前記或る副絶縁層よりも比誘電率が低い前記別の副絶縁層は、前記表面電極の側に配置される、請求項１２に記載の多層基板。
14. 前記或る副絶縁層よりも比誘電率が低い前記別の副絶縁層は、前記第１内部電極の側に配置される、請求項１２に記載の多層基板。
15. 前記絶縁層が、或る副絶縁層と、前記或る副絶縁層よりも誘電正接が低い別の副絶縁層とを含む多層構造を有し、前記或る副絶縁層よりも誘電正接が低い前記別の副絶縁層は、前記第１内部電極の側に配置される、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の多層基板。
16. 前記多層構造を有する前記絶縁層が、前記第１絶縁層に用いられる、請求項１２から請求項１５のいずれか１項に記載の多層基板。
17. 導電層付きの第１絶縁層と、前記第１絶縁層の裏側に隣接配置される導電層付きの第２絶縁層とを含む複数の絶縁層を準備する工程と、
    前記第１絶縁層に層間接続孔を形成する工程と、
    導電性ペーストを前記層間接続孔に充填して、第１層間接続導体を形成する工程と、
    前記第１絶縁層の前記導電層のパターニングによって、前記第１層間接続導体に対応する位置に表面電極を形成する工程と、
    前記第２絶縁層の前記導電層のパターニングによって、第１内部電極を形成する工程と、
    前記第１層間接続導体に重なる位置に前記第１内部電極が位置するように、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を積層方向に積み重ねる工程と、
    積み重ねられた前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を熱圧着する工程とを含み、
    前記第１層間接続導体は、前記表面電極に電気的に接続される表側接続面と、前記第１内部電極に電気的に接続される裏側接続面とを有し、
    前記第１層間接続導体の前記表側接続面の外形は、前記第１層間接続導体の前記裏側接続面の外形内に収まり、
    前記表面電極は前記第１層間接続導体の前記表側接続面を覆う形状を有するとともに、前記第１内部電極は前記第１層間接続導体の前記裏側接続面を覆う形状を有しており、
    前記積層体には、前記表面電極が前記積層方向から見て前記第１内部電極よりも小さくて且つ前記第１内部電極の外縁内に収まる電極構造が形成されており、
    前記第１絶縁層の表側には、複数の前記表面電極が設けられており、
    前記複数の前記表面電極は、信号用表面電極およびグランド用表面電極として構成されており、隣り合う前記信号用表面電極の間には、前記グランド用表面電極が配設され、
    前記グランド用表面電極の面積は、前記信号用表面電極の面積よりも大きい、多層基板の製造方法。