JPWO2021150953A5 - - Google Patents
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Claims (20)
- 高い光抽出効率を有するマイクロ発光ダイオードであって、
底部導電層と、
前記底部導電層上の発光層と、
前記発光層上の上部導電構造と、
前記底部導電層と前記発光層との間に配置された底部誘電体層と、
前記発光層の底部層の側壁と前記底部導電層とを接続する導電性サイドアームと、を備える、マイクロ発光ダイオード。 - 前記上部導電構造と前記発光層との間に配置されたオーミックコンタクト層を更に備える、請求項1に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記オーミックコンタクト層の横方向幅は、前記発光層の横方向幅よりも遥かに狭い、請求項2に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記オーミックコンタクト層は、金属膜である、請求項2に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記上部導電構造及び前記オーミックコンタクト層は、透明である、請求項2に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記底部誘電体層は、少なくとも絶縁反射誘電体層及び複合金属反射層を備える、複数の層を含み、前記複合金属反射層は、前記絶縁反射誘電体層の底部に配置され、前記底部導電層に接触している、請求項1に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記絶縁反射誘電体層は、上部絶縁誘電体層及び底部ブラッグミラーを更に備える、請求項6に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記上部絶縁誘電体層の材料は、金属酸化物である、請求項7に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記発光層は、上から下に順次、第1のタイプの半導体層、活性層、及び第2のタイプの半導体層を更に備える、請求項1に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記第2のタイプの半導体層は、前記活性層及び前記第1のタイプの半導体層の外側に延びる突出上部を有し、
前記導電性サイドアームの1つの端部は、前記第2のタイプの半導体層の前記突出上部を覆い、前記突出上部に接触しており、
前記導電性サイドアームの別の端部は、前記底部導電層に接触している、請求項9に記載のマイクロ発光ダイオード。 - 前記底部導電層の横方向幅は、前記第2のタイプの半導体層の横方向幅及び前記底部誘電体層の横方向幅よりも大きく、その結果、前記底部導電層は、前記第2のタイプの半導体層及び前記底部誘電体層の外側に延びる突出上部を有し、前記導電性サイドアームの少なくとも一部は、前記底部導電層の前記突出上部によって支持されている、請求項9に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記第2のタイプの半導体層は、第2のタイプの上部半導体層及び第2のタイプの底部半導体層を更に備え、前記第2のタイプの底部半導体層は、前記第2のタイプの上部半導体層に対して外側に延びており、それにより突出上部が形成される、請求項9に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記第2のタイプの上部半導体層の材料は、前記第2のタイプの底部半導体層の材料とは異なる、請求項12に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記第2のタイプの上部半導体層は、AlGaInPを含み、前記第2のタイプの底部半導体層は、GaPを含み、前記第1のタイプの半導体層は、AlInPを含む、請求項12に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記導電性サイドアームの前記端部は、前記第2のタイプの底部半導体層の前記突出上部に電気的に接触しており、前記導電性サイドアームの前記端部は、前記第2のタイプの上部半導体層、前記発光層、又は前記第1のタイプの半導体層とは電気的に接触していない、請求項12に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 透明絶縁層を更に備え、
前記透明絶縁層は、前記第2のタイプの半導体層の前記突出上部、前記導電性サイドアームの上部及び側壁、前記発光層の側壁、並びに前記第1のタイプの半導体層の側壁、を少なくとも覆い、
前記上部導電構造は、前記透明絶縁層の上部に配置されている、請求項10に記載のマイクロ発光ダイオード。 - 前記第1のタイプの半導体層がN型半導体層であり、前記第2のタイプの半導体層がP型半導体層であるか、又は、前記第1のタイプの半導体層がP型半導体層であり、前記第2のタイプの半導体層がN型半導体層である、請求項9に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記底部導電層の材料は、1種以上の種類の導電性金属を含む、請求項1に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記底部導電層の底部に電気回路ベースを更に備え、前記底部導電層は、前記電気回路ベースの表面に接合される接合層として使用される、請求項1に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 前記電気回路ベースは、前記発光層の放出を制御する駆動回路を少なくとも備える、請求項19に記載のマイクロ発光ダイオード。
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