JPWO2021033640A5 - - Google Patents

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Claims (17)

  1. 液晶化合物と、
    光照射により螺旋誘起力が変化する感光性光学活性化合物であって、波長365nmの光におけるモル吸光係数が5000M-1・cm-1以上である光学活性化合物Aと、
    波長365nmの光におけるモル吸光係数が前記光学活性化合物Aの前記モル吸光係数よりも小さい光学活性化合物Bと、を含み、
    前記液晶化合物に対する前記光学活性化合物Aの質量含有量比が、0.01未満である、液晶組成物。
  2. 前記光学活性化合物Aの波長365nmの光におけるモル吸光係数が、15000M-1・cm-1以上である、請求項1に記載の液晶組成物。
  3. 前記光学活性化合物Bの波長365nmの光におけるモル吸光係数が、1000M-1・cm-1未満である、請求項1又は2に記載の液晶組成物。
  4. 前記液晶化合物が、重合性液晶化合物である、請求項1~3のいずれか1項に記載の液晶組成物。
  5. 前記光学活性化合物Aが誘起する螺旋の螺旋方向が、前記光学活性化合物Bが誘起する螺旋の螺旋方向と逆方向である、請求項1~4のいずれか1項に記載の液晶組成物。
  6. 前記液晶組成物中に含まれる全ての光学活性化合物に基づく加重平均螺旋誘起力の絶対値が0.0μm-1以上0.5μm-1未満である、請求項1~5のいずれか1項に記載の液晶組成物。
  7. 波長365nmの光を30mW/cmの照度で1秒間照射したときに、前記光学活性化合物Aの螺旋誘起力が20μm-1以上変化する、請求項1~6のいずれか1項に記載の液晶組成物。
  8. 波長365nmの光を30mW/cmの照度で1秒間照射したときに、前記光学活性化合物Bの螺旋誘起力が5μm-1以上変化しない、請求項1~7のいずれか1項に記載の液晶組成物。
  9. 前記光学活性化合物A及び前記光学活性化合物Bが、ビナフチル部分構造、イソソルビド部分構造、及びイソマンニド部分構造のいずれかの部分構造を有する、請求項1~8のいずれか1項に記載の液晶組成物。
  10. 前記光学活性化合物Aが、光異性化可能な二重結合を含む基を有する、請求項1~9のいずれか1項に記載の液晶組成物。
  11. 前記光異性化可能な二重結合を含む基が、シアノシンナモイル基である、請求項10に記載の液晶組成物。
  12. 前記液晶化合物に対する前記光学活性化合物Aの質量含有量比が、0.006以下である、請求項1~11のいずれか1項に記載の液晶組成物。
  13. 基板と、
    前記基板上に配置された、請求項1~12のいずれか1項に記載の液晶組成物から形成された光学異方性層と、を含む光学フィルム。
  14. 前記光学異方性層は、厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って捩れ配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第1領域と、ホモジニアス配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第2領域とを、厚み方向に沿って有する、請求項13に記載の光学フィルム。
  15. 請求項13又は14に記載の光学フィルムと偏光子とを備えた有機ELディスプレイ用円偏光板。
  16. 基板上に、請求項1~12のいずれか1項に記載の液晶組成物を用いて組成物層を形成する工程1と、
    前記組成物層に加熱処理を施して、前記組成物層中の液晶化合物を配向させる工程2と、
    前記工程2の後、酸素濃度1体積%以上の条件下にて、前記組成物層に対して、光照射を行う工程3と、
    光照射が施された前記組成物層に対して硬化処理を施して、前記液晶化合物の配向状態を固定し、前記液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程4と、を有し、
    前記工程3を加熱条件下にて実施するか、又は、前記工程3と前記工程4との間に前記組成物層に加熱処理を施す工程5をさらに有する、光学異方性層の製造方法。
  17. 前記光学異方性層が、厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って捩れ配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第1領域と、ホモジニアス配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第2領域とを、厚み方向に沿って有する、請求項16に記載の光学異方性層の製造方法。
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