JPWO2020229919A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上の第１の酸化物と、
   前記第１の酸化物上の、第１の導電体、および第２の導電体と、
   前記第１の酸化物の側面に接する、第１の層、および第２の層と、
   前記第１の絶縁体上、前記第１の層上、前記第２の層上、前記第１の導電体上、および前記第２の導電体上の、第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、
   前記第１の導電体および前記第２の導電体の間に配置され、かつ、前記第１の酸化物上に配置される第２の酸化物と、
   前記第２の酸化物上の第４の絶縁体と、
   前記第４の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、
   前記第２の絶縁体は、前記第１の導電体の上面と接する領域と、前記第２の導電体の上面と接する領域と、を有し、
   前記第１の層、前記第２の層のそれぞれは、前記第１の導電体および前記第２の導電体に含まれる金属を有し、
   前記第２の絶縁体と接する領域の前記第１の絶縁体は、前記第１の層または前記第２の層よりも、前記金属の濃度が低い領域を有する、半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の層、前記第２の層の厚さのそれぞれは、０．５ｎｍ以上１．５ｎｍ以下の領域を有する、半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記金属は、タンタルである、半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の酸化物は、インジウムと、元素Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、または錫）と、亜鉛と、を有する、半導体装置。