JPWO2020110620A1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 155
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 155
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 151
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 45
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 45
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 36
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 11
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 6
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920006264 polyurethane film Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 1
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Abstract
複数のバンプ（２２）が形成されているバンプ付部材（２）のバンプ形成面（２Ａ）に樹脂層（１３）を形成する工程と、樹脂層（１３）にバフ研磨を施して、バンプ（２２）の表面を覆っている樹脂層（１３）を除去する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
近年、電子機器の小型化、及び薄型化に伴い、半導体パッケージの薄型化、及び小型化に対する要求も高まっている。そのため、半導体素子の実装方式として、金属ワイヤを用いて接続する従来のワイヤーボンディング方式に代えて、チップの電極上にバンプと呼ばれる突起電極を形成し、基板の電極とチップの電極とをバンプを介して直接接続するフリップチップ接続方式の実装方法が提案されている。
このようなフリップチップ接続方式の実装方法では、様々な目的に応じて、バンプ付ウエハ、及びバンプ付チップなどのバンプを覆うように樹脂層が設けられる。このような樹脂層としては、例えば、バンプ付チップと基板とを接着するための接着剤層、バンプ付チップと基板との接続を補強するためのアンダーフィル層、バンプ付ウエハまたはバンプ付チップを保護するための保護層などが挙げられる。
このようなフリップチップ接続方式の実装方法では、様々な目的に応じて、バンプ付ウエハ、及びバンプ付チップなどのバンプを覆うように樹脂層が設けられる。このような樹脂層としては、例えば、バンプ付チップと基板とを接着するための接着剤層、バンプ付チップと基板との接続を補強するためのアンダーフィル層、バンプ付ウエハまたはバンプ付チップを保護するための保護層などが挙げられる。
しかしながら、樹脂層がバンプを覆っている場合には、バンプ上の樹脂層を機械的に押しのけて、バンプと基板の電極との電気的な接続を確保しなければならない。そのため、バンプ付チップと基板との接続信頼性の点で問題があった。また、リフロー処理により、バンプ付チップと基板とを接続する場合には、バンプに由来する溶融はんだが樹脂層に覆われているため、セルフアライメント効果（チップ、及び基板の電極同士の位置合わせ精度が悪く、ずれを生じていてもリフロー時に正常な位置へ自動的に補正される現象）が得られないという問題があった。
上記のような問題を解決するために、例えば、複数のバンプが形成されているバンプ付部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層にプラズマ処理を施して、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を除去する工程と、を備えた方法が提案されている（特許文献１参照）。
また、上記のような問題を解決するために、例えば、複数のバンプが形成されているバンプ付部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程と、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を研削により除去する工程を備えた方法も提案されている（特許文献２参照）。
特許文献１に記載の方法では、除去したい樹脂層の箇所だけでなく、照射面内全域に対してプラズマが照射される。すなわち、バンプ頭頂部を覆う樹脂層だけでなく、本来保護したい部分を覆う樹脂層にもプラズマが照射される。そのため、本来保護したい部分にもプラズマ照射の影響が及んで、劣化、及び損傷が生じるおそれがある。
また、特許文献２に記載の方法は、樹脂層を研削により除去する方法であるため、ダイサー、グラインダ、またはサーフェスプレーナがバンプを覆う樹脂層に接触し、バンプに対して機械的負荷が加わる。そのため、バンプの位置がずれたり、バンプが脱落したりして、接続信頼性が低下するおそれがある。
また、特許文献２に記載の方法は、樹脂層を研削により除去する方法であるため、ダイサー、グラインダ、またはサーフェスプレーナがバンプを覆う樹脂層に接触し、バンプに対して機械的負荷が加わる。そのため、バンプの位置がずれたり、バンプが脱落したりして、接続信頼性が低下するおそれがある。
そこで、本発明の目的は、バンプ付部材の本来保護したい部分の劣化、及び損傷を防止し、接続信頼性に優れた半導体装置を効率よく製造できる半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、複数のバンプが形成されているバンプ付部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層にバフ研磨を施して、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を除去する工程と、を備える。
この構成によれば、バンプ付部材のバンプ形成面に、様々な目的に応じて、樹脂層を設けることができる。この樹脂層としては、例えば、バンプ付チップと基板とを接着するための接着剤層、バンプ付チップと基板との接続を補強するためのアンダーフィル層、バンプ付ウエハまたはバンプ付チップを保護するための保護層などが挙げられる。
そして、バンプの表面を覆っている樹脂層をバフ研磨により、簡便で効率よく除去できる。バフ研磨法では、バフと接触する部分が研磨されるため、バフと接触するバンプを覆う樹脂層を選択的に除去できるので、バンプ付部材の本来保護したい部分の劣化、及び損傷を防止できる。
また、研削法により樹脂層を除去する場合には、ダイサー、グラインダ、またはサーフェスプレーナなどがバンプを覆う樹脂層に接触するため、バンプに大きな機械的負荷が加わる。しかし、バフ研磨法によれば、樹脂層に接触するのは、比較的に柔らかいバフであるので、バンプに加わる機械的負荷を十分に小さくでき、バンプの位置ずれ、及び脱落を防止できる。
そして、バンプの表面を覆っている樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置を効率よく製造できる。
この構成によれば、バンプ付部材のバンプ形成面に、様々な目的に応じて、樹脂層を設けることができる。この樹脂層としては、例えば、バンプ付チップと基板とを接着するための接着剤層、バンプ付チップと基板との接続を補強するためのアンダーフィル層、バンプ付ウエハまたはバンプ付チップを保護するための保護層などが挙げられる。
そして、バンプの表面を覆っている樹脂層をバフ研磨により、簡便で効率よく除去できる。バフ研磨法では、バフと接触する部分が研磨されるため、バフと接触するバンプを覆う樹脂層を選択的に除去できるので、バンプ付部材の本来保護したい部分の劣化、及び損傷を防止できる。
また、研削法により樹脂層を除去する場合には、ダイサー、グラインダ、またはサーフェスプレーナなどがバンプを覆う樹脂層に接触するため、バンプに大きな機械的負荷が加わる。しかし、バフ研磨法によれば、樹脂層に接触するのは、比較的に柔らかいバフであるので、バンプに加わる機械的負荷を十分に小さくでき、バンプの位置ずれ、及び脱落を防止できる。
そして、バンプの表面を覆っている樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置を効率よく製造できる。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記バンプ形成面の反対側の面にダイシングテープを貼り合わせる工程を、さらに備えることが好ましい。
この構成によれば、バンプ付部材がダイシングテープに貼着されているため、バフ研磨時にバンプの位置ずれを抑制できる。
この構成によれば、バンプ付部材がダイシングテープに貼着されているため、バフ研磨時にバンプの位置ずれを抑制できる。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記樹脂層が除去され、表面が露出された前記バンプと、基板の電極とを電気的に接続する工程を、さらに備えることが好ましい。
この構成によれば、バンプの表面を覆っている樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置が得られる。
この構成によれば、バンプの表面を覆っている樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置が得られる。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記バンプの平均高さは、５００μｍ以下であることが好ましい。
バンプの平均高さが低いほど、研磨時にバンプが取れやすく、バンプ付部材が損傷しやすい傾向にある。しかし、バフ研磨法によれば、バンプの平均高さが、５００μｍ以下であっても、バンプ付部材の損傷を防止しつつ、樹脂層を効率よく除去できる。
バンプの平均高さが低いほど、研磨時にバンプが取れやすく、バンプ付部材が損傷しやすい傾向にある。しかし、バフ研磨法によれば、バンプの平均高さが、５００μｍ以下であっても、バンプ付部材の損傷を防止しつつ、樹脂層を効率よく除去できる。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記バンプの材質は、銅、銀、金、アルミニウム及びはんだ合金からなる群から選択される少なくとも一つであることが好ましい。
このように、バンプの材質が、銅、銀、金、アルミニウム及びはんだ合金からなる群から選択される少なくとも一つであれば、バフ研磨法により、バンプ付部材の損傷を防止しつつ、樹脂層を効率よく除去できる。
このように、バンプの材質が、銅、銀、金、アルミニウム及びはんだ合金からなる群から選択される少なくとも一つであれば、バフ研磨法により、バンプ付部材の損傷を防止しつつ、樹脂層を効率よく除去できる。
［第一実施形態］
以下、本発明について実施形態を例に挙げて、図面に基づいて説明する。本発明は実施形態の内容に限定されない。なお、図面においては、説明を容易にするために拡大または縮小をして図示した部分がある。
まず、本実施形態に用いる接着シート、及びバンプ付ウエハについて説明する。
以下、本発明について実施形態を例に挙げて、図面に基づいて説明する。本発明は実施形態の内容に限定されない。なお、図面においては、説明を容易にするために拡大または縮小をして図示した部分がある。
まず、本実施形態に用いる接着シート、及びバンプ付ウエハについて説明する。
（接着シート）
図１には、本実施形態に用いる接着シート１が記載されている。
本実施形態に用いる接着シート１は、支持体層１１と、粘着剤層１２と、接着剤を含有する樹脂層１３と、を備えている。なお、樹脂層１３の表面は、ウエハに貼着されるまでの間、剥離フィルムなどにより保護されていてもよい。
図１には、本実施形態に用いる接着シート１が記載されている。
本実施形態に用いる接着シート１は、支持体層１１と、粘着剤層１２と、接着剤を含有する樹脂層１３と、を備えている。なお、樹脂層１３の表面は、ウエハに貼着されるまでの間、剥離フィルムなどにより保護されていてもよい。
支持体層１１としては、接着シートの支持体として公知の支持体を用いることができ、例えば、プラスチックフィルムなどを用いることができる。このような支持体層１１は、被着体を加工している間に、被着体を支持する。
プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、及びフッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。これらのフィルムは、単層フィルムであってもよく、積層フィルムであってもよい。また、積層フィルムの場合には、１種のフィルムを積層してもよく、２種以上のフィルムを積層してもよい。
プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、及びフッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。これらのフィルムは、単層フィルムであってもよく、積層フィルムであってもよい。また、積層フィルムの場合には、１種のフィルムを積層してもよく、２種以上のフィルムを積層してもよい。
粘着剤層１２は、接着シートの粘着剤として公知の粘着剤を用いて形成することができる。このような粘着剤層１２により、被着体を加工している間は支持体層１１と樹脂層１３の間を強固に固定し、その後、樹脂層１３を被着体に固着残存させて支持体層１１から剥離することが容易となる。なお、粘着剤層１２に、紫外線などのエネルギー線を照射することで硬化させて、樹脂層１３との剥離が容易になるようにしてもよい。
粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、及びウレタン系粘着剤などが挙げられる。
粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、及びウレタン系粘着剤などが挙げられる。
樹脂層１３は、接着シートの接着剤として公知の接着剤を用いて形成することができる。このような接着剤を含有する樹脂層１３により、後述するバンプ付チップ２ａと基板４とを接着することができる。
接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と、熱硬化剤とを含有する接着剤が挙げられる。また、接着剤は、硬化物の熱膨張係数を調整するという観点から、無機充填材をさらに含有していてもよい。無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、及び窒化ホウ素などが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と、熱硬化剤とを含有する接着剤が挙げられる。また、接着剤は、硬化物の熱膨張係数を調整するという観点から、無機充填材をさらに含有していてもよい。無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、及び窒化ホウ素などが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（バンプ付ウエハ）
図２には、本実施形態に用いるバンプ付ウエハ２（バンプ付部材）が記載されている。
本実施形態に用いるバンプ付ウエハ２は、半導体ウエハ２１と、バンプ２２と、を備えている。なお、バンプ２２は、半導体ウエハ２１の回路のある側に形成される。本実施形態のバンプ付ウエハ２は、複数のバンプ２２を備える。
バンプ付ウエハ２は、複数のバンプ２２が形成されているバンプ形成面２Ａと、バンプ２２が形成されていない裏面２Ｂと、を有する。
図２には、本実施形態に用いるバンプ付ウエハ２（バンプ付部材）が記載されている。
本実施形態に用いるバンプ付ウエハ２は、半導体ウエハ２１と、バンプ２２と、を備えている。なお、バンプ２２は、半導体ウエハ２１の回路のある側に形成される。本実施形態のバンプ付ウエハ２は、複数のバンプ２２を備える。
バンプ付ウエハ２は、複数のバンプ２２が形成されているバンプ形成面２Ａと、バンプ２２が形成されていない裏面２Ｂと、を有する。
半導体ウエハ２１としては、公知の半導体ウエハを用いることができ、例えば、シリコンウエハなどを用いることができる。
半導体ウエハ２１の厚みは、通常、１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは、５０μｍ以上７５０μｍ以下である。
半導体ウエハ２１の厚みは、通常、１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは、５０μｍ以上７５０μｍ以下である。
バンプ２２の材料としては、公知の導電性材料を用いることができる。バンプ２２の材料としては、例えば、銅、銀、金、アルミニウム、及びはんだ合金からなる群から選択されるいずれかの材料が挙げられる。はんだ合金としては、公知のはんだ材料を用いることができ、例えば、スズ、銀、及び銅を含有する鉛フリーはんだを用いることができる。
バンプ２２の平均高さは、通常、５μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは、５０μｍ以上５００μｍ以下であり、より好ましくは、５０μｍ以上２５０μｍ以下である。バンプ２２の平均高さが低いほど、研磨時にバンプ２２が取れやすく、バンプ付部材が損傷しやすい傾向にある。しかし、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、バンプ２２の平均高さが、例えば５００μｍ以下であっても、バンプ付部材の損傷を防止しつつ、樹脂層を効率よく除去できる。
バンプ２２の側方から見た断面形状は、特に限定されないが、半円形、半楕円形、円形、長方形または台形などであってもよい。
バンプ２２の種類としては、特に限定されないが、ボールバンプ、マッシュルームバンプ、スタッドバンプ、コーンバンプ、シリンダーバンプ、ドットバンプ、キューブバンプ、及びピラーバンプなどが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
バンプ２２の平均高さは、通常、５μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは、５０μｍ以上５００μｍ以下であり、より好ましくは、５０μｍ以上２５０μｍ以下である。バンプ２２の平均高さが低いほど、研磨時にバンプ２２が取れやすく、バンプ付部材が損傷しやすい傾向にある。しかし、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、バンプ２２の平均高さが、例えば５００μｍ以下であっても、バンプ付部材の損傷を防止しつつ、樹脂層を効率よく除去できる。
バンプ２２の側方から見た断面形状は、特に限定されないが、半円形、半楕円形、円形、長方形または台形などであってもよい。
バンプ２２の種類としては、特に限定されないが、ボールバンプ、マッシュルームバンプ、スタッドバンプ、コーンバンプ、シリンダーバンプ、ドットバンプ、キューブバンプ、及びピラーバンプなどが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（半導体装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図３Ａ〜図３Ｆは、第一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、先ず、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。具体的には、図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃに示すように、接着シート１の樹脂層１３をバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに貼り合わせる工程（接着シート貼着工程）と、ダイシングテープ３をバンプ付ウエハ２の裏面２Ｂに貼り合わせる工程（ダイシングテープ貼着工程）と、接着シート１の支持体層１１、及び粘着剤層１２を、樹脂層１３から剥離する工程（支持体剥離工程）と、を備える方法により、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、次に、図３Ｄに示すように、樹脂層１３にバフ研磨を施して、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去する（樹脂除去工程）。なお、本実施形態においては、樹脂層１３とともにバンプ２２の一部を除去しているが、樹脂層１３のみを除去してもよい。
そして、図３Ｅ、及び図３Ｆに示すように、ダイシングブレードによりバンプ付ウエハ２をダイシングする工程（ダイシング工程）と、ダイシングにより個片化したバンプ付チップ２ａをピックアップし、被着体としての基板４に接着固定する工程（ボンディング工程）と、を備える方法により、樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、先ず、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。具体的には、図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃに示すように、接着シート１の樹脂層１３をバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに貼り合わせる工程（接着シート貼着工程）と、ダイシングテープ３をバンプ付ウエハ２の裏面２Ｂに貼り合わせる工程（ダイシングテープ貼着工程）と、接着シート１の支持体層１１、及び粘着剤層１２を、樹脂層１３から剥離する工程（支持体剥離工程）と、を備える方法により、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、次に、図３Ｄに示すように、樹脂層１３にバフ研磨を施して、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去する（樹脂除去工程）。なお、本実施形態においては、樹脂層１３とともにバンプ２２の一部を除去しているが、樹脂層１３のみを除去してもよい。
そして、図３Ｅ、及び図３Ｆに示すように、ダイシングブレードによりバンプ付ウエハ２をダイシングする工程（ダイシング工程）と、ダイシングにより個片化したバンプ付チップ２ａをピックアップし、被着体としての基板４に接着固定する工程（ボンディング工程）と、を備える方法により、樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続する。
以下、接着シート貼着工程、ダイシングテープ貼着工程、支持体剥離工程、樹脂除去工程、ダイシング工程、及びボンディング工程について、より詳細に説明する。
（接着シート貼着工程）
接着シート貼着工程においては、図３Ａに示すように、接着シート１の樹脂層１３をバンプ付ウエハ２のバンプ２２の形成されている面（バンプ形成面２Ａ）に貼り合わせる。接着シート１の貼着後、バンプ２２は、樹脂層１３によって覆われる。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどにより接着シート１を押圧しながら行われる。圧着の条件は特に限定されないが、圧着温度は、４０℃以上１２０℃以下が好ましい。ロール圧力は、０．１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下が好ましい。圧着速度は、１ｍｍ／ｓｅｃ以上２０ｍｍ／ｓｅｃ以下が好ましい。
また、接着シート１の樹脂層１３の厚みは、バンプ２２の高さ寸法より小さくすることが好ましく、バンプ２２の高さ寸法の０．８倍以下であることがより好ましく、バンプ２２の高さ寸法の０．１倍以上０．７倍以下であることが特に好ましい。樹脂層１３の厚みが前記上限以下であれば、バンプ２２の表面を覆う樹脂層１３を、より薄くすることができ、後述する樹脂除去工程で容易に除去できる。
接着シート貼着工程においては、図３Ａに示すように、接着シート１の樹脂層１３をバンプ付ウエハ２のバンプ２２の形成されている面（バンプ形成面２Ａ）に貼り合わせる。接着シート１の貼着後、バンプ２２は、樹脂層１３によって覆われる。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどにより接着シート１を押圧しながら行われる。圧着の条件は特に限定されないが、圧着温度は、４０℃以上１２０℃以下が好ましい。ロール圧力は、０．１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下が好ましい。圧着速度は、１ｍｍ／ｓｅｃ以上２０ｍｍ／ｓｅｃ以下が好ましい。
また、接着シート１の樹脂層１３の厚みは、バンプ２２の高さ寸法より小さくすることが好ましく、バンプ２２の高さ寸法の０．８倍以下であることがより好ましく、バンプ２２の高さ寸法の０．１倍以上０．７倍以下であることが特に好ましい。樹脂層１３の厚みが前記上限以下であれば、バンプ２２の表面を覆う樹脂層１３を、より薄くすることができ、後述する樹脂除去工程で容易に除去できる。
（ダイシングテープ貼着工程）
ダイシングテープ貼着工程においては、図３Ｂに示すように、ダイシングテープ３をバンプ付ウエハ２のバンプ２２の形成されていない面（裏面２Ｂ）に貼り合わせる。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどによりダイシングテープ３を押圧しながら行われる。圧着の条件は、特に限定されず、適宜設定できる。また、ダイシングテープ３についても、公知のダイシングテープを用いることができる。
ダイシングテープ貼着工程においては、図３Ｂに示すように、ダイシングテープ３をバンプ付ウエハ２のバンプ２２の形成されていない面（裏面２Ｂ）に貼り合わせる。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどによりダイシングテープ３を押圧しながら行われる。圧着の条件は、特に限定されず、適宜設定できる。また、ダイシングテープ３についても、公知のダイシングテープを用いることができる。
（支持体剥離工程）
支持体剥離工程においては、図３Ｃに示すように、接着シート１の支持体層１１、及び粘着剤層１２を、樹脂層１３から剥離する。なお、この支持体剥離工程で得られる、バンプ形成面２Ａに樹脂層１３が形成されたバンプ付ウエハ２を、図４に示す。また、樹脂層１３は、バンプ２２の形状に追従するように、形成されることが好ましい。このようにすれば、後述する樹脂除去工程で除去する樹脂層１３を少なくでき、作業効率を向上できる。
粘着剤層１２が紫外線硬化性を有する場合には、必要に応じて、支持体層１１側から紫外線を照射する。これにより、粘着剤層１２が硬化し、粘着剤層１２と樹脂層１３との界面の接着力が低下して、粘着剤層１２を樹脂層１３から剥離し易くなる。
支持体剥離工程においては、図３Ｃに示すように、接着シート１の支持体層１１、及び粘着剤層１２を、樹脂層１３から剥離する。なお、この支持体剥離工程で得られる、バンプ形成面２Ａに樹脂層１３が形成されたバンプ付ウエハ２を、図４に示す。また、樹脂層１３は、バンプ２２の形状に追従するように、形成されることが好ましい。このようにすれば、後述する樹脂除去工程で除去する樹脂層１３を少なくでき、作業効率を向上できる。
粘着剤層１２が紫外線硬化性を有する場合には、必要に応じて、支持体層１１側から紫外線を照射する。これにより、粘着剤層１２が硬化し、粘着剤層１２と樹脂層１３との界面の接着力が低下して、粘着剤層１２を樹脂層１３から剥離し易くなる。
（樹脂除去工程）
樹脂除去工程においては、図３Ｄに示すように、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３及びバンプ２２の一部をバフ研磨により除去する。
本明細書において、バフ研磨とは、砥粒及び媒体を含有する研磨剤を、バフに、浸み込ませ、または、付着させ、前記バフにより被処理物の表面を磨く研磨である。より具体的には、バフ研磨とは、図５及び図６で示すバフ研磨装置５を用いて、被処理物の表面を磨く研磨である。バフ研磨装置５は、回転可能なホイール５１と、ホイール５１に取り付けられたバフ５２とを備えている。
樹脂層１３は、その目的に応じて、除去できる。例えば、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２との電気的な接続が目的であれば、電気的な接続ができる程度に除去すればよい。具体的には、接続信頼性と樹脂層１３の機能の確保とのバランスの観点から、樹脂層１３の除去量を調整できる。また、バンプ２２の一部とは、バンプ２２の先端部分のことである。このように、バンプ２２の先端部分が研磨により除去されれば、バンプ２２の表面が確実に露出されることになる。そして、バンプ２２の高さを任意の高さに調整するという観点から、バンプ２２の除去量を調整できる。
また、樹脂除去工程においては、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３をバフ研磨により、簡便で効率よく除去できる。バフ研磨では、バフ５２と接触する部分が研磨されるため、バフ５２と接触するバンプ２２の頭頂部を覆う樹脂層１３を選択的に除去できるので、バンプ付部材の本来保護したい部分の劣化、及び損傷を防止できる。バンプ付部材の本来保護したい部分としては、例えば、バンプ２２の根本部分、バンプ形成面２Ａ、及び半導体ウエハ２１の裏面２Ｂが挙げられる。
また、研削法により樹脂層１３を除去する場合には、ダイサー、グラインダ、またはサーフェスプレーナなどがバンプ２２を覆う樹脂層１３に接触するため、バンプ２２に大きな機械的負荷が加わるが、本実施形態の樹脂除去工程では、樹脂層１３に接触するのは、比較的に柔らかいバフ５２であるので、バンプ２２に加わる機械的負荷を十分に小さくでき、バンプの位置ずれ、及び脱落を防止しつつ、樹脂層１３を除去できる。
樹脂除去工程においては、図３Ｄに示すように、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３及びバンプ２２の一部をバフ研磨により除去する。
本明細書において、バフ研磨とは、砥粒及び媒体を含有する研磨剤を、バフに、浸み込ませ、または、付着させ、前記バフにより被処理物の表面を磨く研磨である。より具体的には、バフ研磨とは、図５及び図６で示すバフ研磨装置５を用いて、被処理物の表面を磨く研磨である。バフ研磨装置５は、回転可能なホイール５１と、ホイール５１に取り付けられたバフ５２とを備えている。
樹脂層１３は、その目的に応じて、除去できる。例えば、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２との電気的な接続が目的であれば、電気的な接続ができる程度に除去すればよい。具体的には、接続信頼性と樹脂層１３の機能の確保とのバランスの観点から、樹脂層１３の除去量を調整できる。また、バンプ２２の一部とは、バンプ２２の先端部分のことである。このように、バンプ２２の先端部分が研磨により除去されれば、バンプ２２の表面が確実に露出されることになる。そして、バンプ２２の高さを任意の高さに調整するという観点から、バンプ２２の除去量を調整できる。
また、樹脂除去工程においては、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３をバフ研磨により、簡便で効率よく除去できる。バフ研磨では、バフ５２と接触する部分が研磨されるため、バフ５２と接触するバンプ２２の頭頂部を覆う樹脂層１３を選択的に除去できるので、バンプ付部材の本来保護したい部分の劣化、及び損傷を防止できる。バンプ付部材の本来保護したい部分としては、例えば、バンプ２２の根本部分、バンプ形成面２Ａ、及び半導体ウエハ２１の裏面２Ｂが挙げられる。
また、研削法により樹脂層１３を除去する場合には、ダイサー、グラインダ、またはサーフェスプレーナなどがバンプ２２を覆う樹脂層１３に接触するため、バンプ２２に大きな機械的負荷が加わるが、本実施形態の樹脂除去工程では、樹脂層１３に接触するのは、比較的に柔らかいバフ５２であるので、バンプ２２に加わる機械的負荷を十分に小さくでき、バンプの位置ずれ、及び脱落を防止しつつ、樹脂層１３を除去できる。
樹脂除去工程においては、図５及び図６で示すように、バフ研磨装置５のホイール５１及びバフ５２を回転させながら、バンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａ側をバフ５２に接触させて、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３及びバンプ２２の一部を研磨する。ここで、図５は、バンプ形成面２Ａの下方から見た、バフ研磨装置５のホイール５１及びバフ５２並びにバンプ付ウエハ２を示す概略図である。図６は、図５のVI−VI断面を示す断面図である。
このようにして、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３及びバンプ２２の一部をバフ研磨により除去できる。
このようにして、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３及びバンプ２２の一部をバフ研磨により除去できる。
バフ５２は、特に限定されず、公知のバフを用いることができる。バフ５２としては、布、皮、ゴム及びブラシからなる群から選択されるいずれかが好ましい。これらの中でも、研磨剤の浸み込みやすさの観点から、布または皮がより好ましい。
バフ５２には、砥粒及び媒体を含有する研磨剤を、浸み込ませ、または、付着させる。
砥粒は、特に限定されず、公知の砥粒を用いることができる。砥粒としては、アルミナ、シリカ、ダイヤモンド、炭化ケイ素、ジルコニア、及び窒化ホウ素からなる群から選択されるいずれかが好ましい。これらの中でも、研磨量の調整のしやすさの観点から、アルミナまたはシリカがより好ましい。
媒体は、特に限定されず、公知の砥粒を用いることができる。媒体としては、水、油、及び有機溶剤からなる群から選択されるいずれかが好ましい。これらの中でも、樹脂層１３への影響が少ないという観点から、水が好ましい。また、媒体は、マイグレーションの発生を抑制するという観点から、ハロゲン化物などのイオン性の物質を含有しないことが好ましい。
また、バフ研磨装置５の条件は、特に限定されないが、例えば、以下のような条件を採用できる。
ホイール５１の回転数は、バンプの位置ずれ、及び脱落を防止するという観点から、５０ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下であることが好ましく、１００ｒｐｍ以上５００ｒｐｍ以下であることがより好ましい。
バンプ付ウエハ２をバフ５２に接触させる際の加重は、バンプの位置ずれ、及び脱落を防止するという観点から、０．１Ｎ以上１０Ｎ以下であることが好ましく、０．５Ｎ以上５Ｎ以下であることがより好ましい。
なお、樹脂除去工程後には、図３Ｄに示すように、バンプ２２および樹脂層１３からなる平面に凹凸が残ることが好ましい。このようにすれば、後述するボンディング工程において、バンプ付チップ２ａを基板４の電極４２上に接続する際には、上記の隙間にバンプ２２や樹脂層１３が移動する余裕があるため、バンプ２２を押しつぶしながら接続できる。そのため、本実施形態においては、バンプ２２および樹脂層１３からなる平面が平滑なバンプ付チップ２ａをボンディングする場合と比較して、接続信頼性を高めることができる。
バフ５２には、砥粒及び媒体を含有する研磨剤を、浸み込ませ、または、付着させる。
砥粒は、特に限定されず、公知の砥粒を用いることができる。砥粒としては、アルミナ、シリカ、ダイヤモンド、炭化ケイ素、ジルコニア、及び窒化ホウ素からなる群から選択されるいずれかが好ましい。これらの中でも、研磨量の調整のしやすさの観点から、アルミナまたはシリカがより好ましい。
媒体は、特に限定されず、公知の砥粒を用いることができる。媒体としては、水、油、及び有機溶剤からなる群から選択されるいずれかが好ましい。これらの中でも、樹脂層１３への影響が少ないという観点から、水が好ましい。また、媒体は、マイグレーションの発生を抑制するという観点から、ハロゲン化物などのイオン性の物質を含有しないことが好ましい。
また、バフ研磨装置５の条件は、特に限定されないが、例えば、以下のような条件を採用できる。
ホイール５１の回転数は、バンプの位置ずれ、及び脱落を防止するという観点から、５０ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下であることが好ましく、１００ｒｐｍ以上５００ｒｐｍ以下であることがより好ましい。
バンプ付ウエハ２をバフ５２に接触させる際の加重は、バンプの位置ずれ、及び脱落を防止するという観点から、０．１Ｎ以上１０Ｎ以下であることが好ましく、０．５Ｎ以上５Ｎ以下であることがより好ましい。
なお、樹脂除去工程後には、図３Ｄに示すように、バンプ２２および樹脂層１３からなる平面に凹凸が残ることが好ましい。このようにすれば、後述するボンディング工程において、バンプ付チップ２ａを基板４の電極４２上に接続する際には、上記の隙間にバンプ２２や樹脂層１３が移動する余裕があるため、バンプ２２を押しつぶしながら接続できる。そのため、本実施形態においては、バンプ２２および樹脂層１３からなる平面が平滑なバンプ付チップ２ａをボンディングする場合と比較して、接続信頼性を高めることができる。
（ダイシング工程）
ダイシング工程においては、図３Ｅに示すように、ダイシングブレードによりバンプ付ウエハ２をダイシングする。このようにして、バンプ付ウエハ２をバンプ付チップ２ａに個片化できる。
ダイシング装置は、特に限定されず、公知のダイシング装置を用いることができる。また、ダイシングの条件についても、特に限定されない。なお、ダイシングブレードを用いたダイシング法の代わりに、レーザーダイシング法、及びステルスダイシング法などを用いてもよい。
ダイシング工程においては、図３Ｅに示すように、ダイシングブレードによりバンプ付ウエハ２をダイシングする。このようにして、バンプ付ウエハ２をバンプ付チップ２ａに個片化できる。
ダイシング装置は、特に限定されず、公知のダイシング装置を用いることができる。また、ダイシングの条件についても、特に限定されない。なお、ダイシングブレードを用いたダイシング法の代わりに、レーザーダイシング法、及びステルスダイシング法などを用いてもよい。
（ボンディング工程）
ボンディング工程においては、図３Ｆに示すように、ダイシングにより個片化したバンプ付チップ２ａをピックアップし、基材４１と電極４２とを備える基板４に接着固定する。バンプ付チップ２ａのバンプ２２は、樹脂層１３が除去され、表面が露出されているため、バンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続することができる。
基板４としては、特に限定されないが、リードフレーム、配線基板、並びに、表面に回路が形成されたシリコンウエハ、及びシリコンチップなどを用いることができる。基材４１の材質としては、特に限定されないが、セラミック、及びプラスチックなどが挙げられる。また、プラスチックとしては、エポキシ、ビスマレイミドトリアジン、及びポリイミドなどが挙げられる。
ボンディング工程においては、図３Ｆに示すように、ダイシングにより個片化したバンプ付チップ２ａをピックアップし、基材４１と電極４２とを備える基板４に接着固定する。バンプ付チップ２ａのバンプ２２は、樹脂層１３が除去され、表面が露出されているため、バンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続することができる。
基板４としては、特に限定されないが、リードフレーム、配線基板、並びに、表面に回路が形成されたシリコンウエハ、及びシリコンチップなどを用いることができる。基材４１の材質としては、特に限定されないが、セラミック、及びプラスチックなどが挙げられる。また、プラスチックとしては、エポキシ、ビスマレイミドトリアジン、及びポリイミドなどが挙げられる。
ボンディング工程においては、必要に応じて、加熱処理を施して、樹脂層１３の接着剤を硬化させてもよい。
加熱処理の条件は、接着剤の種類などに応じて、適宜設定できる。
ボンディング工程においては、必要に応じて、リフロー処理を施して、バンプ付チップ２ａのバンプ２２を溶融させて、バンプ付チップ２ａと基板４とをはんだ接合させてもよい。
リフロー処理の条件は、はんだの種類などに応じて、適宜設定できる。
以上のようにして、半導体装置１００を製造することができる。
加熱処理の条件は、接着剤の種類などに応じて、適宜設定できる。
ボンディング工程においては、必要に応じて、リフロー処理を施して、バンプ付チップ２ａのバンプ２２を溶融させて、バンプ付チップ２ａと基板４とをはんだ接合させてもよい。
リフロー処理の条件は、はんだの種類などに応じて、適宜設定できる。
以上のようにして、半導体装置１００を製造することができる。
（第一実施形態の作用効果）
本実施形態によれば、次のような作用効果を奏することができる。
（１）バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３をバフ研磨により、簡便で効率よく除去できる。また、バンプ２２の側方から見た断面形状が半円形、半楕円形、円形、長方形または台形である場合でも、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去できる。
（２）バフ研磨法によれば、バフ５２と接触する部分が研磨されるため、バフ５２と接触するバンプ２２の頭頂部を覆う樹脂層１３を選択的に除去できるので、バンプ付ウエハ２の本来保護したい部分の劣化、及び損傷を防止できる。
（３）研削法により樹脂層１３を除去する場合には、ダイサー、グラインダ、またはサーフェスプレーナなどがバンプ２２を覆う樹脂層１３に接触するため、バンプ２２に大きな機械的負荷が加わるが、バフ研磨法によれば、樹脂層１３に接触するのは、比較的に柔らかいバフ５２であるので、バンプ２２に加わる機械的負荷を十分に小さくでき、バンプの位置ずれ、及び脱落を防止しつつ、樹脂層１３を除去できる。
（４）バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置１００が得られる。
（５）バフ研磨により、樹脂層１３だけでなく、バンプ２２の一部も除去している。そのため、複数のバンプ２２の高さを任意の高さに調整できる。また、複数のバンプ２２の高さを均一な高さに揃えることができる。さらに、バンプ２２の一部がバフ研磨されるために、バンプ２２の表面を確実に露出させることができ、また、バンプ２２の表面が露出する面積を大きくできる。そのため、表面が露出されたバンプ２２により、バンプ付チップ２ａ及び基板４の電極同士をはんだ接合で接続できる。さらに、バンプ２２の高さを任意の均一な高さで揃えれば、バンプ２２の高さ及びそのバラツキにより生じ得る接続不良を防止できる。このようにして、接続信頼性に優れた半導体装置１００が得られる。
（６）樹脂除去工程においては、バンプ付ウエハ２がダイシングテープ３に貼着された状態でバフ研磨が施されるため、バフ研磨時にバンプ２２の位置がずれることを抑制できる。
（７）バンプ付チップ２ａのバンプ形成面２Ａに、バンプ付チップ２ａと基板４とを接着するための接着剤層（樹脂層１３）を設けることができる。
（８）バンプ付ウエハ２に樹脂層１３を設け、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去した後に、バンプ付チップ２ａに個片化しているので、複数のバンプ付チップ２ａにまとめて樹脂層１３を設けることができる。
本実施形態によれば、次のような作用効果を奏することができる。
（１）バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３をバフ研磨により、簡便で効率よく除去できる。また、バンプ２２の側方から見た断面形状が半円形、半楕円形、円形、長方形または台形である場合でも、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去できる。
（２）バフ研磨法によれば、バフ５２と接触する部分が研磨されるため、バフ５２と接触するバンプ２２の頭頂部を覆う樹脂層１３を選択的に除去できるので、バンプ付ウエハ２の本来保護したい部分の劣化、及び損傷を防止できる。
（３）研削法により樹脂層１３を除去する場合には、ダイサー、グラインダ、またはサーフェスプレーナなどがバンプ２２を覆う樹脂層１３に接触するため、バンプ２２に大きな機械的負荷が加わるが、バフ研磨法によれば、樹脂層１３に接触するのは、比較的に柔らかいバフ５２であるので、バンプ２２に加わる機械的負荷を十分に小さくでき、バンプの位置ずれ、及び脱落を防止しつつ、樹脂層１３を除去できる。
（４）バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置１００が得られる。
（５）バフ研磨により、樹脂層１３だけでなく、バンプ２２の一部も除去している。そのため、複数のバンプ２２の高さを任意の高さに調整できる。また、複数のバンプ２２の高さを均一な高さに揃えることができる。さらに、バンプ２２の一部がバフ研磨されるために、バンプ２２の表面を確実に露出させることができ、また、バンプ２２の表面が露出する面積を大きくできる。そのため、表面が露出されたバンプ２２により、バンプ付チップ２ａ及び基板４の電極同士をはんだ接合で接続できる。さらに、バンプ２２の高さを任意の均一な高さで揃えれば、バンプ２２の高さ及びそのバラツキにより生じ得る接続不良を防止できる。このようにして、接続信頼性に優れた半導体装置１００が得られる。
（６）樹脂除去工程においては、バンプ付ウエハ２がダイシングテープ３に貼着された状態でバフ研磨が施されるため、バフ研磨時にバンプ２２の位置がずれることを抑制できる。
（７）バンプ付チップ２ａのバンプ形成面２Ａに、バンプ付チップ２ａと基板４とを接着するための接着剤層（樹脂層１３）を設けることができる。
（８）バンプ付ウエハ２に樹脂層１３を設け、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去した後に、バンプ付チップ２ａに個片化しているので、複数のバンプ付チップ２ａにまとめて樹脂層１３を設けることができる。
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態の接着シート１、及び基板４は、前記第一実施形態における接着シート１、及び基板４とそれぞれ実質的に同様であるから、その詳細な説明は省略または簡略化する。
次に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態の接着シート１、及び基板４は、前記第一実施形態における接着シート１、及び基板４とそれぞれ実質的に同様であるから、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ、及び図７Ｄは、第二実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。
前記第一実施形態では、バンプ付ウエハ２に樹脂層１３を形成した後に、バフ研磨を施して樹脂層１３を除去し、その後、ダイシングによりバンプ付チップ２ａに個片化した。これに対し、第二実施形態では、予め個片化されたバンプ付チップ２ａに樹脂層１３を形成した後に、バフ研磨を樹脂層１３に施す。
前記第一実施形態では、バンプ付ウエハ２に樹脂層１３を形成した後に、バフ研磨を施して樹脂層１３を除去し、その後、ダイシングによりバンプ付チップ２ａに個片化した。これに対し、第二実施形態では、予め個片化されたバンプ付チップ２ａに樹脂層１３を形成した後に、バフ研磨を樹脂層１３に施す。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、先ず、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付チップ２ａのバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。具体的には、図７Ａ、及び図７Ｂに示すように、接着シート１の樹脂層１３をバンプ付チップ２ａのバンプ形成面２Ａに貼り合わせる工程（接着シート貼着工程）と、接着シート１の支持体層１１、及び粘着剤層１２を、樹脂層１３から剥離する工程（支持体剥離工程）と、を備える方法により、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付チップ２ａのバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、次に、図７Ｃに示すように、樹脂層１３にバフ研磨を施して、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去する（樹脂除去工程）。そして、図７Ｄに示すように、バンプ付チップ２ａをピックアップし、被着体である基板４に接着固定する（ボンディング工程）。樹脂除去工程とボンディング工程とを備える方法により、樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、次に、図７Ｃに示すように、樹脂層１３にバフ研磨を施して、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去する（樹脂除去工程）。そして、図７Ｄに示すように、バンプ付チップ２ａをピックアップし、被着体である基板４に接着固定する（ボンディング工程）。樹脂除去工程とボンディング工程とを備える方法により、樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続する。
本実施形態における接着シート貼着工程、支持体剥離工程、樹脂除去工程、及びボンディング工程については、前記第一実施形態における接着シート貼着工程、支持体剥離工程、プラズマ処理工程、及びボンディング工程と同様の方法を採用できる。
本実施形態によれば、前記第一実施形態における作用効果（１）〜（７）と同様の作用効果を奏することができる。
本実施形態によれば、前記第一実施形態における作用効果（１）〜（７）と同様の作用効果を奏することができる。
［実施形態の変形］
本発明は前述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれる。
例えば、前述の実施形態では、樹脂除去工程において、樹脂層１３とともにバンプ２２の一部をバフ研磨により除去する態様を例に挙げて説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。すなわち、本発明の別の態様においては、樹脂除去工程において、樹脂層１３のみをバフ研磨により除去してもよい。
本発明は前述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれる。
例えば、前述の実施形態では、樹脂除去工程において、樹脂層１３とともにバンプ２２の一部をバフ研磨により除去する態様を例に挙げて説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。すなわち、本発明の別の態様においては、樹脂除去工程において、樹脂層１３のみをバフ研磨により除去してもよい。
前述の実施形態では、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａと基板４とを接着するための接着剤層として設けられているが、これに限定されない。すなわち、本発明においては、樹脂層を、様々な目的に応じて、設けることができる。例えば、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａと基板４との接続を補強するためのアンダーフィル層として設けられてもよい。また、樹脂層１３は、バンプ付ウエハ２またはバンプ付チップ２ａを保護するための保護層として設けられてもよい。なお、このような場合、樹脂層１３の材料としては、アンダーフィルまたは保護層の材料として公知の材料を用いることができる。
前述の実施形態では、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａ、及び基板４の両方に接しているが、これに限定されない。例えば、樹脂層１３がバンプ付チップ２ａを保護するための保護層として設けられる場合には、樹脂層１３はバンプ付チップ２ａに接していればよく、基板４に接していなくともよい。
前述の実施形態では、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａ、及び基板４の両方に接しているが、これに限定されない。例えば、樹脂層１３がバンプ付チップ２ａを保護するための保護層として設けられる場合には、樹脂層１３はバンプ付チップ２ａに接していればよく、基板４に接していなくともよい。
前述の実施形態では、バンプ付部材として、バンプ付ウエハ２を用いているが、これに限定されない。例えば、バンプ付部材は、バンプを有するパッケージ（例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ ｓｉｚｅ ｐａｃｋａｇｅ）など）であってもよい。
前述の実施形態では、接着シート１を用いて樹脂層１３をバンプ形成面２Ａに形成し、バンプ２２を覆っているが、これに限定されない。例えば、樹脂組成物をバンプ形成面２Ａに塗布し硬化させることにより樹脂層１３を形成し、バンプ２２を覆ってもよい。
前述の実施形態では、支持体層１１、粘着剤層１２、及び樹脂層１３を備える接着シート１を用いているが、これに限定されない。例えば、接着シート１は、支持体層１１、及び樹脂層１３を備え、粘着剤層１２を備えない接着シートであってもよい。この場合、支持体剥離工程において、樹脂層１３から支持体層１１を剥離すればよい。
前述の第二実施形態の樹脂除去工程においては、バンプ付チップ２ａを固定するための固定部材（例えば、吸着テーブル、粘着シートなど）に固定した状態でバフ研磨を樹脂層１３に施してもよい。樹脂層１３を除去した後、固定部材からバンプ付チップ２ａをピックアップして、ボンディング工程を実施してもよい。
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明はこれらの実施例に何ら限定されない。
［保護膜形成用シート］
樹脂層としての保護膜形成用シートを以下の通り作製した。
まず、下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、及び（ｅ）成分を、下記配合比（固形分換算）で混合し混合物を得た。この混合物をメチルエチルケトンにより希釈し、固形分濃度が５５質量％の保護膜形成フィルム用塗布剤を調製した。この保護膜形成フィルム用塗布剤を塗布し、乾燥して、厚さが３０μｍの保護膜形成用シートを得た。
樹脂層としての保護膜形成用シートを以下の通り作製した。
まず、下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、及び（ｅ）成分を、下記配合比（固形分換算）で混合し混合物を得た。この混合物をメチルエチルケトンにより希釈し、固形分濃度が５５質量％の保護膜形成フィルム用塗布剤を調製した。この保護膜形成フィルム用塗布剤を塗布し、乾燥して、厚さが３０μｍの保護膜形成用シートを得た。
（ａ）バインダーポリマー（ポリビニルブチラール樹脂） 配合比：９．９質量％
（ｂ）エポキシ樹脂 配合比：６２．８質量％
（ｃ）フェノール樹脂 配合比：１８．１質量％
（ｄ）硬化促進剤（イミダゾール系化合物） 配合比：０．２質量％
（ｅ）シリカフィラー 配合比：９質量％
（ｂ）エポキシ樹脂 配合比：６２．８質量％
（ｃ）フェノール樹脂 配合比：１８．１質量％
（ｄ）硬化促進剤（イミダゾール系化合物） 配合比：０．２質量％
（ｅ）シリカフィラー 配合比：９質量％
［保護膜が貼付されたバンプ付チップの作製］
粘着剤層を備えた支持体層としての貼付テープと、樹脂層としての保護膜形成用シート（厚さ：３０μｍ）とを積層させて、接着シートを作製した。貼付テープとして、リンテック株式会社製のＥ−８５１０ＨＲ（製品名）を用いた。
この接着シートを下記の貼付条件で、バンプ付部材としての下記バンプ付チップに貼付した。
粘着剤層を備えた支持体層としての貼付テープと、樹脂層としての保護膜形成用シート（厚さ：３０μｍ）とを積層させて、接着シートを作製した。貼付テープとして、リンテック株式会社製のＥ−８５１０ＨＲ（製品名）を用いた。
この接着シートを下記の貼付条件で、バンプ付部材としての下記バンプ付チップに貼付した。
・貼付条件
装置：ローラー式ラミネータ
（リンテック株式会社製、製品名：ＲＡＤ−３５１０Ｆ／１２）
温度：９０℃
圧力：０．５ＭＰａ
速度：２ｍｍ／ｓｅｃ
装置：ローラー式ラミネータ
（リンテック株式会社製、製品名：ＲＡＤ−３５１０Ｆ／１２）
温度：９０℃
圧力：０．５ＭＰａ
速度：２ｍｍ／ｓｅｃ
・バンプ付チップ
バンプの種類：ボールバンプ
バンプ高さ ：２００μｍ
バンプ径 ：２５０μｍ
バンプピッチ：６００μｍ
バンプの種類：ボールバンプ
バンプ高さ ：２００μｍ
バンプ径 ：２５０μｍ
バンプピッチ：６００μｍ
バンプ付チップに接着シートを貼付した後、リンテック株式会社製のＲＡＤ−２７００（製品名）を用いて、接着シート側からＵＶを照射し、貼付テープのみを剥離し、保護膜形成用シートが貼付されたバンプ付チップを得た。その後、保護膜形成用シートが貼付されたバンプ付チップを、１３０℃、０．５ＭＰａ、２時間の条件で処理し、保護膜が貼付されたバンプ付チップを得た。
［実施例１］
保護膜が貼付されたバンプ付チップのバンプ頭頂部に、下記の装置を用いて下記条件でバフ研磨を施して、バンプの保護膜（樹脂層に相当）を除去した。
保護膜が貼付されたバンプ付チップのバンプ頭頂部に、下記の装置を用いて下記条件でバフ研磨を施して、バンプの保護膜（樹脂層に相当）を除去した。
・バフ研磨の条件
装置：バフ研磨装置
（リファインテック社製、製品名：リファインポリッシャーＨＶ）
バフ ：リファインテック社製、研磨バフ、スウェードクロス
研磨剤 ：武蔵ホルト社製、アルミナ粒子分散液ＭＨ１５９
バフ回転数 ：２００ｒｐｍ
バフへの加重：１Ｎ
装置：バフ研磨装置
（リファインテック社製、製品名：リファインポリッシャーＨＶ）
バフ ：リファインテック社製、研磨バフ、スウェードクロス
研磨剤 ：武蔵ホルト社製、アルミナ粒子分散液ＭＨ１５９
バフ回転数 ：２００ｒｐｍ
バフへの加重：１Ｎ
バフ研磨後の保護膜が貼付されたバンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、下記基準に従い、保護膜の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。また、ＳＥＭ写真の一部を拡大した写真を図８に示す。
Ａ：バンプ頭頂部を覆う保護膜が除去され、頭頂部の露出を確認できた。
Ｂ：バンプ頭頂部を覆う保護膜が除去されずに残っている。
Ｃ：バンプ頭頂部を覆う保護膜だけでなく、本来保護したい部分の保護膜も除去された。
Ｄ：チップ上のバンプの位置がずれたり、脱落したりした。
Ａ：バンプ頭頂部を覆う保護膜が除去され、頭頂部の露出を確認できた。
Ｂ：バンプ頭頂部を覆う保護膜が除去されずに残っている。
Ｃ：バンプ頭頂部を覆う保護膜だけでなく、本来保護したい部分の保護膜も除去された。
Ｄ：チップ上のバンプの位置がずれたり、脱落したりした。
［実施例２及び３］
表１に示す条件に従い、バフ研磨の条件（バフ回転数及びバフへの加重）を変更した以外は実施例１と同様にして、バンプ頭頂部の保護膜を除去した。
バフ研磨後の保護膜が貼付されたバンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、保護膜の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。
表１に示す条件に従い、バフ研磨の条件（バフ回転数及びバフへの加重）を変更した以外は実施例１と同様にして、バンプ頭頂部の保護膜を除去した。
バフ研磨後の保護膜が貼付されたバンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、保護膜の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。
［比較例１］
バフ研磨を施さなかった以外は実施例１と同様にして、保護膜が貼付されたバンプ付チップを得た。
保護膜が貼付されたバンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、保護膜の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。また、ＳＥＭ写真の一部を拡大した写真を図９に示す。
バフ研磨を施さなかった以外は実施例１と同様にして、保護膜が貼付されたバンプ付チップを得た。
保護膜が貼付されたバンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、保護膜の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。また、ＳＥＭ写真の一部を拡大した写真を図９に示す。
［比較例２］
バフ研磨を行わずに、下記条件にてプラズマ照射した以外は実施例１と同様にして、保護膜が貼付されたバンプ付チップを得た。
プラズマ照射後の保護膜が貼付されたバンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、保護膜の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。
バフ研磨を行わずに、下記条件にてプラズマ照射した以外は実施例１と同様にして、保護膜が貼付されたバンプ付チップを得た。
プラズマ照射後の保護膜が貼付されたバンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、保護膜の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。
・プラズマ照射の条件
処理ガス ：ＳＦ６
処理ガスの流量：４０ｃｍ３／ｍｉｎ
処理圧力 ：１００Ｐａ
出力 ：２５０Ｗ
処理時間 ：１５分間
パージ ：１回
処理ガス ：ＳＦ６
処理ガスの流量：４０ｃｍ３／ｍｉｎ
処理圧力 ：１００Ｐａ
出力 ：２５０Ｗ
処理時間 ：１５分間
パージ ：１回
［比較例３］
バフ研磨を行わずに、保護膜が貼付されたバンプ付チップを両面テープにて治具へ固定して下記条件にてグラインダ研削によりバンプを覆う保護膜を除去した以外は実施例１と同様にして、保護膜が貼付されたバンプ付チップを得た。
グラインダ研削後の保護膜が貼付されたバンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、保護膜の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。
バフ研磨を行わずに、保護膜が貼付されたバンプ付チップを両面テープにて治具へ固定して下記条件にてグラインダ研削によりバンプを覆う保護膜を除去した以外は実施例１と同様にして、保護膜が貼付されたバンプ付チップを得た。
グラインダ研削後の保護膜が貼付されたバンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、保護膜の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。
・グラインダ研削の条件
装置 リファインテック株式会社製 リファインポリッシャーＨＶ
研磨紙：＃１２０（リファインテック株式会社製 耐水研磨紙）
回転数：２００ｒｐｍ
加重 ：２Ｎ
装置 リファインテック株式会社製 リファインポリッシャーＨＶ
研磨紙：＃１２０（リファインテック株式会社製 耐水研磨紙）
回転数：２００ｒｐｍ
加重 ：２Ｎ
実施例１〜３によれば、バンプ付部材としてのバンプ付チップの本来保護したい部分の劣化、及び損傷を防止し、バンプ頭頂部の保護膜を選択的に除去できた。さらに、実施例１〜３によれば、チップ上のバンプの位置ずれ、及び脱落が発生しなかった。そのため、実施例１〜３の方法により、樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置が製造できる。
比較例１に関しては、保護膜を除去できなかった。
比較例２に関しては、バンプ頭頂部を覆う保護膜だけでなく、本来保護したい部分の保護膜も除去された。
比較例３に関しては、グラインダによる機械的負荷がバンプに加わったため、バンプがチップから脱落した。
比較例１に関しては、保護膜を除去できなかった。
比較例２に関しては、バンプ頭頂部を覆う保護膜だけでなく、本来保護したい部分の保護膜も除去された。
比較例３に関しては、グラインダによる機械的負荷がバンプに加わったため、バンプがチップから脱落した。
本発明は、半導体装置の製造方法に利用できる。
１３…樹脂層、２…バンプ付ウエハ（バンプ付部材）、２２…バンプ、２ａ…バンプ付チップ（バンプ付部材）、４…基板、４２…電極、１００…半導体装置。
Claims (5)
- 複数のバンプが形成されているバンプ付部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層にバフ研磨を施して、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を除去する工程と、を備える半導体装置の製造方法。 - 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記バンプ形成面の反対側の面にダイシングテープを貼り合わせる工程を、さらに備える半導体装置の製造方法。 - 請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層が除去され、表面が露出された前記バンプと、基板の電極とを電気的に接続する工程を、さらに備える半導体装置の製造方法。 - 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記バンプの平均高さは、５００μｍ以下である半導体装置の製造方法。 - 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記バンプの材質は、銅、銀、金、アルミニウム及びはんだ合金からなる群から選択される少なくとも一つである半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018221213 | 2018-11-27 | ||
| JP2018221213 | 2018-11-27 | ||
| PCT/JP2019/043200 WO2020110620A1 (ja) | 2018-11-27 | 2019-11-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2020110620A1 true JPWO2020110620A1 (ja) | 2021-10-14 |
| JP7438973B2 JP7438973B2 (ja) | 2024-02-27 |
Family
ID=70854304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020558235A Active JP7438973B2 (ja) | 2018-11-27 | 2019-11-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7438973B2 (ja) |
| KR (1) | KR20210095863A (ja) |
| CN (1) | CN113169064A (ja) |
| TW (1) | TW202030806A (ja) |
| WO (1) | WO2020110620A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7422410B2 (ja) * | 2021-07-29 | 2024-01-26 | 日化精工株式会社 | ウェーハ上のデバイスの保護処理方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001250902A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-14 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP2004319656A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Nec Toppan Circuit Solutions Inc | ウエハーレベルｃｓｐの製造方法 |
| JP2006261245A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
| JP2015087131A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 国立大学法人東北大学 | センサ装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6698647B2 (ja) | 2015-05-29 | 2020-05-27 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2017084903A (ja) | 2015-10-26 | 2017-05-18 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2019
- 2019-11-05 KR KR1020217013296A patent/KR20210095863A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-11-05 JP JP2020558235A patent/JP7438973B2/ja active Active
- 2019-11-05 CN CN201980077823.5A patent/CN113169064A/zh not_active Withdrawn
- 2019-11-05 WO PCT/JP2019/043200 patent/WO2020110620A1/ja active Application Filing
- 2019-11-12 TW TW108140921A patent/TW202030806A/zh unknown
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2000133669A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| JP2015087131A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 国立大学法人東北大学 | センサ装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210095863A (ko) | 2021-08-03 |
| TW202030806A (zh) | 2020-08-16 |
| CN113169064A (zh) | 2021-07-23 |
| JP7438973B2 (ja) | 2024-02-27 |
| WO2020110620A1 (ja) | 2020-06-04 |
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