JP2004319656A - ウエハーレベルcspの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】アンダーフィル材などの高価な部材を用いることなく、安価なCSPが製造可能なウエハーレベルCSPの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】拡散、多層配線工程を経たSiウエハー11上の所定位置にバリアメタル21及びはんだバンプ31を形成し、全面に絶縁樹脂層41を形成する。絶縁樹脂層41を研磨処理し、表面研磨された絶縁樹脂層41a及び表面が一部露出したはんだバンプ31aを形成し、銅箔をラミネートし、加熱、加圧して導体層51を形成する。導体層51をパターニング処理し、はんだバンプ31a上に実装パッド51aを形成し、Siウエハー11をダイシング加工し、ウエハーレベルCSP100を、さらに、実装パッド51a上に実装はんだバンプ61を形成してウエハーレベルCSP100aを形成する。
【選択図】図1
【解決手段】拡散、多層配線工程を経たSiウエハー11上の所定位置にバリアメタル21及びはんだバンプ31を形成し、全面に絶縁樹脂層41を形成する。絶縁樹脂層41を研磨処理し、表面研磨された絶縁樹脂層41a及び表面が一部露出したはんだバンプ31aを形成し、銅箔をラミネートし、加熱、加圧して導体層51を形成する。導体層51をパターニング処理し、はんだバンプ31a上に実装パッド51aを形成し、Siウエハー11をダイシング加工し、ウエハーレベルCSP100を、さらに、実装パッド51a上に実装はんだバンプ61を形成してウエハーレベルCSP100aを形成する。
【選択図】図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージ用のBGA(ボールグリグリッドアレイ)パッケージに関し、特に、ウエハーレベルCSP(チップサイズパッケージ)の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路装置の低コスト化及び小型化を図るため、各種の実装技術が提案されており、ICチップに実装パッドを備えたCSP(チップサイズパッケージ)及びFPBGA(ファインピッチボールグリッドアレイ)が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
従来のCSPの製造工程及び半導体装置の一例を図2(a)〜(d)に示す。
まず、拡散、多層配線工程を経たSiウエハー11上の所定位置にバリアメタル21を形成する(図2(a)参照)。
次に、バリアメタル21が形成されたSiウエハー11を切断加工し、バリアメタル21が形成されたSiチップ11aを作製する(図2(b)参照)。
次に、Siチップ11aのバリアメタル21上にはんだボール実装にてはんだバンプ31を形成し、CSP200を得る(図2(c)参照)。
ここで、バンプ径が大きく、且つバンプピッチの広いものはこの状態をCSPとし、マザーボードやインターポーザ基板に実装し、半導体装置を得る。
また、バンプ径が小さく、且つバンプピッチが狭いものは、マザーボードやインターポーザ基板等の実装基板71に実装後はんだバンプエリアにアンダーフィル81材を注入し、モールド樹脂91にて樹脂成型して半導体装置300を形成し(図2(d)参照)、はんだバンプ31やバリアメタル21を応力破壊から保護する手段がとられている。
【0003】
上記CSP及び半導体装置では、ICチップのバリアメタル破壊を防止するために、マザーボードに実装後にアンダーフィル材など高価な部材でバンプエリアを封止補強しているため、CSP製造にかかわる部材コストが高く、組立工程数も大きくなる。また、CSPとマザーボード間はアンダーフィル材で強固に接着されるため、マザーボードやインターポーザに実装後は、CSPを取り外しての修理ができないという問題を有している。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−15650号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点に鑑み考案されたもので、アンダーフィル材などの高価な部材を用いることなく、マザーボードやインターポーザに実装後もCSPを取り外し可能で、安価なCSPが製造可能なウエハーレベルCSPの製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に於いて上記課題を達成するために、以下の工程を少なくとも備えることを特徴とするウエハーレベルCSPの製造方法としたものである。
(a)拡散、多層配線工程を経たSiウエハー11上の所定位置にバリアメタル21及びはんだバンプ31を形成する工程。
(b)Siウエハー11上のバリアメタル21及びはんだバンプ31を覆い隠すように全面に絶縁樹脂層41を形成する工程。
(c)絶縁樹脂層41を研磨処理し、表面研磨された絶縁樹脂層41a及び表面が一部露出したはんだバンプ31aを形成する工程。
(d)表面研磨された絶縁樹脂層41a及び表面が一部露出したはんだバンプ31a上に所定厚の導体層51を形成する工程。
(e)導体層51をパターニング処理し、はんだバンプ31a上に実装パッド51aを形成する工程。
(f)実装パッド51aが形成されたSiウエハー11をダイシング加工し、ウエハーレベルCSP100を形成する工程。
(g)実装パッド51a上にはんだバンプ61を形成し、ウエハーレベルCSP100aを形成する工程。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態につき説明する。
図1(a)〜(g)は、本発明に係るウエハーレベルCSPの製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
ウエハーレベルCSPの製造方法は、
まず、拡散、多層配線工程処理を行ったSiウエハー11上の所定位置にバリアメタル21及びはんだバンプ31を形成する(図1(a)参照)。
バリアメタル21は、Siウエハー11上のアルミパッド電極上に形成され、タングステン、チタン等の高融点金属の薄膜層をパターニング加工したものが一般的である。さらに、Pb/Sn系、Sn/Ag/Cu系のはんだボール実装にてはんだバンプ31を形成する。はんだボール径はバリアメタル径と同等か、プラス20μm以内のものを使用する。
【0008】
次に、Siウエハー11上に液状のエポキシ系熱硬化樹脂を塗布、加熱して、バリアメタル21及びはんだバンプ31を覆い隠すように半硬化状態の絶縁樹脂層41を形成する(図1(b)参照)。
ここで、樹脂の線膨張係数は20〜40ppm/℃の範囲で選択し、より線膨張係数の低い樹脂を使用する。
【0009】
次に、絶縁樹脂層41表面をバフ研磨やベルト研磨等の高精度機械研磨機で、はんだバンプ31表面が一部露出するまで研磨処理し、表面研磨された絶縁樹脂層41a及び表面が一部露出したはんだバンプ31aを形成する(図1(c)参照)。
この工程は、絶縁樹脂層41表面とはんだバンプ31表面を平滑化処理するために行うもので、次工程の銅箔積層工程がより完全な形で行われるようにするためである。
【0010】
次に、表面研磨された絶縁樹脂層41a上に10〜20μm厚の銅箔を積層し、加熱、加圧して、導体層51を形成する(図1(d)参照)。
ここで、導体層51は、銅箔を加熱、加圧して形成しているので、はんだバンプ31aと導体層51の境界は、Sn/Cuの金属間化合物が形成されて、電気的に接続されている。
【0011】
次に、導体層51を公知のサブトラクティブ法でパターニング処理し、実装パッド51aを形成する(図1(e)参照)。
ここで、形成される実装パッド51aの径は、上記(c)の研磨工程で露出したはんだバンプ径に対し、プラス10〜100μmの範囲で大きく形成する。尚、はんだバンプ径と実装パッド径のサイズはバリアメタルの径や配置するピッチによって決定される。
【0012】
次に、実装パッド51aが形成されたSiウエハー11をダイシング加工にて、切断してSiチップ11aを作製し、実装パッド51aが形成されたウエハーレベルCSP100を得る(図1(f)参照)。
【0013】
さらに、ウエハーレベルCSP100の実装パッド51a上に、はんだペースト印刷、あるいははんだボール実装で実装はんだバンプ61を形成して、実装パッド51a上に実装はんだバンプ61が形成されたウエハーレベルCSP100aを得る(図1(g)参照)。
【0014】
上記のウエハーレベルCSP100及びウエハーレベルCSP100aをマザーボードやインターポーザ基板に実装し、半導体装置を得る。
【0015】
本発明のウエハーレベルCSPの製造方法では、Siウエハー11のバリアメタル21と実装パッド51aの接続をはんだバンプ31で実装することで、バリアメタル21と実装パッド51aの応力緩和が可能になる。また、ウエハー11のはんだバンプ31側に形成される絶縁樹脂層41の樹脂として、低線膨張係数のものを使用することで、CSP内部の応力緩和が可能になり、熱疲労寿命が伸びる。
ウエハーレベルCSPをマザーボードやインターポーザ基板に実装し、半導体装置を作製する際アンダーフィル材などの高価な材料を用いないため、安価なCSPの製造が可能になる。
実装パッド51a形成用の銅箔をラミネートする前に、絶縁樹脂層41表面を研磨し、表面が研磨された絶縁樹脂層41a及び表面の一部が露出したはんだバンプ31aを形成するため、電気的接続に優れた平坦な実装パッド51aを得ることができる。
【0016】
【発明の効果】
本発明のウエハーレベルCSPの製造方法では、上記したように、Siウエハーのバリアメタルと実装パッドの接続をはんだバンプで実装することで、バリアメタルと実装パッドの応力緩和が可能になる。また、ウエハーのはんだバンプ側に形成される絶縁樹脂層の樹脂として、低線膨張係数のものを使用することで、CSP内部の応力緩和が可能になり、熱疲労寿命が伸びる。
また、実装パッド形成用の銅箔をラミネートする前に、絶縁樹脂層表面を研磨し、表面が研磨された絶縁樹脂層及び表面の一部が露出したはんだバンプを形成するため、電気的接続に優れた平坦な実装パッドを得ることができる。
また、実装パッド径をはんだパッド径に対して大きく形成することで、実装パッドを絶縁樹脂層に確実に接着させ、パッド剥離などの不良を発生させることがない。
さらにまた、ウエハーレベルCSPをマザーボードやインターポーザ基板に実装し、半導体装置を作製する際アンダーフィル材などの高価な材料を用いないため、安価なCSPの製造が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(g)は、本発明に係るウエハーレベルCSPの製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
【図2】(a)〜(d)は、従来のCSPの製造工程及び半導体装置の一例を示す模式構成部分断面図である。
【符号の説明】
11……Siウエハー
11a……Siチップ
21……バリアメタル
31……はんだバンプ
31a……表面の一部が露出したはんだバンプ
41……絶縁樹脂層
41a……表面が研磨された絶縁樹脂層
51……導体層
51a……実装パッド
61……実装はんだバンプ
100、100a……ウエハーレベルCSP
71……実装基板
81……アンダーフィル
91……モールド樹脂
200……CSP
300……半導体装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージ用のBGA(ボールグリグリッドアレイ)パッケージに関し、特に、ウエハーレベルCSP(チップサイズパッケージ)の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路装置の低コスト化及び小型化を図るため、各種の実装技術が提案されており、ICチップに実装パッドを備えたCSP(チップサイズパッケージ)及びFPBGA(ファインピッチボールグリッドアレイ)が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
従来のCSPの製造工程及び半導体装置の一例を図2(a)〜(d)に示す。
まず、拡散、多層配線工程を経たSiウエハー11上の所定位置にバリアメタル21を形成する(図2(a)参照)。
次に、バリアメタル21が形成されたSiウエハー11を切断加工し、バリアメタル21が形成されたSiチップ11aを作製する(図2(b)参照)。
次に、Siチップ11aのバリアメタル21上にはんだボール実装にてはんだバンプ31を形成し、CSP200を得る(図2(c)参照)。
ここで、バンプ径が大きく、且つバンプピッチの広いものはこの状態をCSPとし、マザーボードやインターポーザ基板に実装し、半導体装置を得る。
また、バンプ径が小さく、且つバンプピッチが狭いものは、マザーボードやインターポーザ基板等の実装基板71に実装後はんだバンプエリアにアンダーフィル81材を注入し、モールド樹脂91にて樹脂成型して半導体装置300を形成し(図2(d)参照)、はんだバンプ31やバリアメタル21を応力破壊から保護する手段がとられている。
【0003】
上記CSP及び半導体装置では、ICチップのバリアメタル破壊を防止するために、マザーボードに実装後にアンダーフィル材など高価な部材でバンプエリアを封止補強しているため、CSP製造にかかわる部材コストが高く、組立工程数も大きくなる。また、CSPとマザーボード間はアンダーフィル材で強固に接着されるため、マザーボードやインターポーザに実装後は、CSPを取り外しての修理ができないという問題を有している。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−15650号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点に鑑み考案されたもので、アンダーフィル材などの高価な部材を用いることなく、マザーボードやインターポーザに実装後もCSPを取り外し可能で、安価なCSPが製造可能なウエハーレベルCSPの製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に於いて上記課題を達成するために、以下の工程を少なくとも備えることを特徴とするウエハーレベルCSPの製造方法としたものである。
(a)拡散、多層配線工程を経たSiウエハー11上の所定位置にバリアメタル21及びはんだバンプ31を形成する工程。
(b)Siウエハー11上のバリアメタル21及びはんだバンプ31を覆い隠すように全面に絶縁樹脂層41を形成する工程。
(c)絶縁樹脂層41を研磨処理し、表面研磨された絶縁樹脂層41a及び表面が一部露出したはんだバンプ31aを形成する工程。
(d)表面研磨された絶縁樹脂層41a及び表面が一部露出したはんだバンプ31a上に所定厚の導体層51を形成する工程。
(e)導体層51をパターニング処理し、はんだバンプ31a上に実装パッド51aを形成する工程。
(f)実装パッド51aが形成されたSiウエハー11をダイシング加工し、ウエハーレベルCSP100を形成する工程。
(g)実装パッド51a上にはんだバンプ61を形成し、ウエハーレベルCSP100aを形成する工程。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態につき説明する。
図1(a)〜(g)は、本発明に係るウエハーレベルCSPの製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
ウエハーレベルCSPの製造方法は、
まず、拡散、多層配線工程処理を行ったSiウエハー11上の所定位置にバリアメタル21及びはんだバンプ31を形成する(図1(a)参照)。
バリアメタル21は、Siウエハー11上のアルミパッド電極上に形成され、タングステン、チタン等の高融点金属の薄膜層をパターニング加工したものが一般的である。さらに、Pb/Sn系、Sn/Ag/Cu系のはんだボール実装にてはんだバンプ31を形成する。はんだボール径はバリアメタル径と同等か、プラス20μm以内のものを使用する。
【0008】
次に、Siウエハー11上に液状のエポキシ系熱硬化樹脂を塗布、加熱して、バリアメタル21及びはんだバンプ31を覆い隠すように半硬化状態の絶縁樹脂層41を形成する(図1(b)参照)。
ここで、樹脂の線膨張係数は20〜40ppm/℃の範囲で選択し、より線膨張係数の低い樹脂を使用する。
【0009】
次に、絶縁樹脂層41表面をバフ研磨やベルト研磨等の高精度機械研磨機で、はんだバンプ31表面が一部露出するまで研磨処理し、表面研磨された絶縁樹脂層41a及び表面が一部露出したはんだバンプ31aを形成する(図1(c)参照)。
この工程は、絶縁樹脂層41表面とはんだバンプ31表面を平滑化処理するために行うもので、次工程の銅箔積層工程がより完全な形で行われるようにするためである。
【0010】
次に、表面研磨された絶縁樹脂層41a上に10〜20μm厚の銅箔を積層し、加熱、加圧して、導体層51を形成する(図1(d)参照)。
ここで、導体層51は、銅箔を加熱、加圧して形成しているので、はんだバンプ31aと導体層51の境界は、Sn/Cuの金属間化合物が形成されて、電気的に接続されている。
【0011】
次に、導体層51を公知のサブトラクティブ法でパターニング処理し、実装パッド51aを形成する(図1(e)参照)。
ここで、形成される実装パッド51aの径は、上記(c)の研磨工程で露出したはんだバンプ径に対し、プラス10〜100μmの範囲で大きく形成する。尚、はんだバンプ径と実装パッド径のサイズはバリアメタルの径や配置するピッチによって決定される。
【0012】
次に、実装パッド51aが形成されたSiウエハー11をダイシング加工にて、切断してSiチップ11aを作製し、実装パッド51aが形成されたウエハーレベルCSP100を得る(図1(f)参照)。
【0013】
さらに、ウエハーレベルCSP100の実装パッド51a上に、はんだペースト印刷、あるいははんだボール実装で実装はんだバンプ61を形成して、実装パッド51a上に実装はんだバンプ61が形成されたウエハーレベルCSP100aを得る(図1(g)参照)。
【0014】
上記のウエハーレベルCSP100及びウエハーレベルCSP100aをマザーボードやインターポーザ基板に実装し、半導体装置を得る。
【0015】
本発明のウエハーレベルCSPの製造方法では、Siウエハー11のバリアメタル21と実装パッド51aの接続をはんだバンプ31で実装することで、バリアメタル21と実装パッド51aの応力緩和が可能になる。また、ウエハー11のはんだバンプ31側に形成される絶縁樹脂層41の樹脂として、低線膨張係数のものを使用することで、CSP内部の応力緩和が可能になり、熱疲労寿命が伸びる。
ウエハーレベルCSPをマザーボードやインターポーザ基板に実装し、半導体装置を作製する際アンダーフィル材などの高価な材料を用いないため、安価なCSPの製造が可能になる。
実装パッド51a形成用の銅箔をラミネートする前に、絶縁樹脂層41表面を研磨し、表面が研磨された絶縁樹脂層41a及び表面の一部が露出したはんだバンプ31aを形成するため、電気的接続に優れた平坦な実装パッド51aを得ることができる。
【0016】
【発明の効果】
本発明のウエハーレベルCSPの製造方法では、上記したように、Siウエハーのバリアメタルと実装パッドの接続をはんだバンプで実装することで、バリアメタルと実装パッドの応力緩和が可能になる。また、ウエハーのはんだバンプ側に形成される絶縁樹脂層の樹脂として、低線膨張係数のものを使用することで、CSP内部の応力緩和が可能になり、熱疲労寿命が伸びる。
また、実装パッド形成用の銅箔をラミネートする前に、絶縁樹脂層表面を研磨し、表面が研磨された絶縁樹脂層及び表面の一部が露出したはんだバンプを形成するため、電気的接続に優れた平坦な実装パッドを得ることができる。
また、実装パッド径をはんだパッド径に対して大きく形成することで、実装パッドを絶縁樹脂層に確実に接着させ、パッド剥離などの不良を発生させることがない。
さらにまた、ウエハーレベルCSPをマザーボードやインターポーザ基板に実装し、半導体装置を作製する際アンダーフィル材などの高価な材料を用いないため、安価なCSPの製造が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(g)は、本発明に係るウエハーレベルCSPの製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
【図2】(a)〜(d)は、従来のCSPの製造工程及び半導体装置の一例を示す模式構成部分断面図である。
【符号の説明】
11……Siウエハー
11a……Siチップ
21……バリアメタル
31……はんだバンプ
31a……表面の一部が露出したはんだバンプ
41……絶縁樹脂層
41a……表面が研磨された絶縁樹脂層
51……導体層
51a……実装パッド
61……実装はんだバンプ
100、100a……ウエハーレベルCSP
71……実装基板
81……アンダーフィル
91……モールド樹脂
200……CSP
300……半導体装置
Claims (1)
- 以下の工程を少なくとも備えることを特徴とするウエハーレベルCSPの製造方法。
(a)拡散、多層配線工程を経たSiウエハー(11)上の所定位置にバリアメタル(21)及びはんだバンプ(31)を形成する工程。
(b)Siウエハー(11)上のバリアメタル(21)及びはんだバンプ(31)を覆い隠すように全面に絶縁樹脂層(41)を形成する工程。
(c)絶縁樹脂層(41)を研磨処理し、表面研磨された絶縁樹脂層(41a)及び表面が一部露出したはんだバンプ(31a)を形成する工程。
(d)表面研磨された絶縁樹脂層(41a)及び表面が一部露出したはんだバンプ(31a)上に所定厚の導体層(51)を形成する工程。
(e)導体層(51)をパターニング処理し、はんだバンプ(31a)上に実装パッド(51a)を形成する工程。
(f)実装パッド(51a)が形成されたSiウエハー(11)をダイシング加工し、ウエハーレベルCSP(100)を形成する工程。
(g)実装パッド(51a)上にはんだバンプ(61)を形成し、ウエハーレベルCSP(100a)を形成する工程。
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KR100936070B1 (ko) | 2008-02-26 | 2010-01-12 | 재단법인 서울테크노파크 | 웨이퍼 스택 제작 방법 |
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