JPWO2020017655A1 - 粗化ニッケルめっき板 - Google Patents

Abstract

金属基材の少なくとも一方の面に、最表層として粗化ニッケル層を有する粗化ニッケルめっき板であって、前記粗化ニッケル層表面の明度Ｌ＊が３０〜５０であり、前記粗化ニッケル層表面の８５°光沢度が１．５〜５０である、粗化ニッケルめっき板を提供する。

Description

本発明は、最表層に、粗化ニッケル層を有する粗化ニッケルめっき板に関する。

従来、電池を構成する部材や、電子関連機器を構成する部材として、ニッケルめっき鋼板が用いられている。このようなニッケルめっき鋼板においては、他の部材と接合する場合に、密着性を向上させるという観点で、ニッケルめっき鋼板の表面構造を制御する方法が知られている。

たとえば、特許文献１では、鋼板上に、粒子密度：２〜５００個／μｍ^２、平均粒径：０．０５〜０．７μｍに制御された微細構造を有するニッケルめっき層を形成してなる表面処理鋼板が開示されている。

特許第５８８５３４５号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示されている表面処理鋼板では、表面処理鋼板と接合する部材の種類や、接合方法によっては、他の部材との密着性が不十分である場合があり、密着性のさらなる向上が求められていた。
これに対し、他の部材との密着性を向上させるために、粗化めっきによりニッケルめっき層を形成する方法も考えられるが、本発明者等が検討を行ったところ、粗化めっきにより形成される粗化めっき層自体の、基材に対する密着性が低下してしまい、これにより、信頼性が低下してしまう場合があるという課題があることが見出された。

本発明の目的は、基材に対する、めっき層の密着性を良好に保ちながら、他の部材に対して優れた密着性を示す粗化ニッケルめっき板を提供することにある。

本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、粗化ニッケル層表面の明度および８５°光沢度を特定の範囲に制御することにより、基材に対する、めっき層の密着性を良好に保ちながら、他の部材に対して優れた密着性を示す粗化ニッケルめっき板を得ることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明によれば、金属基材の少なくとも一方の面に、最表層として粗化ニッケル層を有する粗化ニッケルめっき板であって、
前記粗化ニッケル層表面の明度Ｌ^＊が３０〜５０であり、
前記粗化ニッケル層表面の８５°光沢度が１．５〜５０である、粗化ニッケルめっき板が提供される。

本発明の粗化ニッケルめっき板において、前記金属基材が、Ｆｅ，Ｃｕ，ＡｌおよびＮｉから選択される一種の純金属からなる金属板もしくは金属箔、または、Ｆｅ，Ｃｕ，ＡｌおよびＮｉから選択される一種を含む合金からなる金属板もしくは金属箔であることが好ましい。
本発明の粗化ニッケルめっき板において、ニッケルめっきの付着量が、５．０〜５０．０ｇ／ｍ^２であることが好ましい。
本発明の粗化ニッケルめっき板において、前記粗化ニッケル層の、レーザー顕微鏡測定による、算術平均粗さＲａが０．１〜３．０μｍであり、前記粗化ニッケル層の、レーザー顕微鏡測定による、十点平均粗さＲｚ_ｊｉｓが２．０〜２０．０μｍであることが好ましい。

本発明によれば、基材に対する、めっき層の密着性を良好に保ちながら、他の部材に対して優れた密着性を示す粗化ニッケルめっき板を提供することができる。

図１Ａは、本実施形態に係る粗化ニッケルめっき板の構成図である。 図１Ｂは、他の実施形態に係る粗化ニッケルめっき板の構成図である。 図２は、本実施形態に係る粗化ニッケルめっき板の製造方法の一例を説明するための模式図（その１）である。 図３は、本実施形態に係る粗化ニッケルめっき板の製造方法の一例を説明するための模式図（その２）である。 図４は、本実施形態に係る粗化ニッケルめっき板の製造方法の一例を説明するための模式図（その３）である。 図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、実施例２８の粗化ニッケルめっき板の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察して得た画像であり、図５（Ｃ）、図５（Ｄ）は、実施例２８の粗化ニッケルめっき板の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察して得た画像である。 図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、比較例５の粗化ニッケルめっき板の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察して得た画像であり、図６（Ｃ）、図６（Ｄ）は、比較例５の粗化ニッケルめっき板の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察して得た画像である。 図７（Ａ）、図７（Ｂ）は、粗化ニッケル層の一態様を示す模式図である。 図８（Ａ）〜図８（Ｃ）は、粗化ニッケル層の一態様を示す模式図である。 図９（Ａ）〜図９（Ｄ）は、粗化ニッケル層の一態様を示す模式図である。 図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）は、粗化ニッケル層の一態様を示す模式図である。 図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）は、粗化ニッケル層の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）断面写真である。 図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）は、粗化ニッケル層の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）断面写真である。 図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）は、粗化ニッケル層の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）断面写真である。 図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）は、粗化ニッケル層の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）断面写真である。 図１５は、実施例、比較例における、金属基体と下地ニッケル層との境界、および下地ニッケル層と粗化ニッケル層との境界の決定方法を説明する図である。

図１Ａは、本実施形態の粗化ニッケルめっき板１の構成を示す図である。図１Ａに示すように、本実施形態の粗化ニッケルめっき板１は、金属基材１１上に、最表層として粗化ニッケル層１２が形成されてなる。本実施形態に係る粗化ニッケルめっき板１においては、粗化ニッケル層１２は、その表面の明度Ｌ^＊が３０〜５０、かつ、８５°光沢度が３〜５０に制御されたものである。
なお、本実施形態においては、図１Ａに示すように、粗化ニッケルめっき板１として、金属基材１１の両面に、粗化ニッケル層１２が形成されてなるものを例示したが、このような態様に特に限定されず、たとえば、図１Ｂに示す粗化ニッケルめっき板１ａのように、粗化ニッケル層１２が、金属基材１１の一方の面に形成された構成としてもよい。

＜金属基材１１＞
本実施形態の粗化ニッケルめっき板１の基板となる金属基材１１としては、特に限定されないが、Ｆｅ，Ｃｕ，ＡｌおよびＮｉから選択される一種の純金属からなる金属板もしくは金属箔、または、Ｆｅ，Ｃｕ，ＡｌおよびＮｉから選択される一種を含む合金からなる金属板もしくは金属箔などが挙げられ、具体的には、鋼板、鉄板、ステンレス鋼板、銅板、アルミニウム板、またはニッケル板（これらは、純金属、合金のいずれであってもよく、箔状であってもよい。）などが挙げられ、これらのなかでも、めっき処理の前処理が比較的簡便な前処理でもめっきを施しやすく、また、金属基材に対して密着性の高い粗化ニッケル層を良好に形成しやすいことから、鋼板または銅板が好ましく、特に、低炭素アルミキルド鋼（炭素量０．０１〜０．１５重量％）、炭素量が０．０１重量％以下（好ましくは炭素量が０．００３重量％以下）の極低炭素鋼、または極低炭素鋼にＴｉやＮｂなどを添加してなる非時効性極低炭素鋼が好適に用いられる。

本実施形態においては、金属基材の熱間圧延板を酸洗して表面のスケール（酸化膜）を除去した後、冷間圧延し、次いで、圧延油を電解洗浄した鋼板、ステンレス鋼板、銅板、アルミ板、あるいはニッケル板を基板として用いることができる。また、電解洗浄後に、焼鈍または調質圧延を施したものを用いてもよい。この場合における、焼鈍は、連続焼鈍あるいは箱型焼鈍のいずれでもよく、特に限定されない。その他、電鋳法などで作製した電解箔として、銅箔、ニッケル箔、鉄箔などを金属基材として用いることもできる。

なお、金属基材１１として、ステンレス鋼板やニッケル板など表面に不働態皮膜が形成される金属基材を用いる場合には、粗化ニッケルめっき、または、下地金属めっきを形成するめっき処理の前に、ストライクニッケルめっきを施したものを用いることが好ましい。ストライクニッケルめっきの条件としては、特に限定されないが、たとえば、下記の条件などが挙げられる。下記の条件において、ストライクニッケルめっきによるニッケルの付着量は、通常０．０８〜０．８９ｇ／ｍ^２であるが、下地ニッケル層形成する場合はストライクニッケルめっきによるニッケルの付着量と、下地ニッケル層を形成するためのニッケルめっきによるニッケル付着量との合計量が、下地ニッケル層のニッケル付着量として測定される。
浴組成：硫酸ニッケル六水和物１００〜３００ｇ／Ｌ、硫酸１０〜２００ｇ／Ｌ
ｐＨ：１．０以下
浴温：４０〜７０℃
電流密度：５〜１００Ａ／ｄｍ^２
めっき時間：３〜１００秒間

金属基材１１の厚みは、特に限定されないが、好ましくは０．０１〜２．０ｍｍ、より好ましくは０．０２５〜１．６ｍｍ、さらに好ましくは０．０２５〜０．３ｍｍである。また、金属基材１１の粗度は、特に限定されないが、触針式表面粗度計での算術平均粗さＲａが０．０５〜２．０μｍであり、より好ましくは０．０５〜０．９μｍであり、さらに好ましくは０．０５〜０．５μｍである。

＜粗化ニッケル層１２＞
本実施形態の粗化ニッケルめっき板１の最表面に形成される粗化ニッケル層１２は、その表面の明度Ｌ^＊が３０〜５０、かつ、８５°光沢度が３〜５０に制御されたものである。本実施形態によれば、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度を上記範囲に制御することにより、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性を良好に保ちながら、粗化ニッケルめっき板１を、他の部材に対して優れた密着性を示すものとすることができるものである。

特に、本発明者等が、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度と、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性、および他の部材に対する密着性との関係について、鋭意検討を行った結果、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度を上記範囲とすることにより、粗化ニッケル層１２の密着性を良好に保ちながら、粗化ニッケルめっき板１を、他の部材に対して優れた密着性を示すものとすることができるものを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。

ここで、本実施形態によれば、他の部材に対して優れた密着性を示すことに加え、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性にも着目するものであるが、これは次の理由による。すなわち、粗化ニッケル層１２を形成することにより、他の部材に対して優れた密着性を示すことができたとしても、粗化ニッケル層１２が、金属基材１１から脱落し易いものである場合には、粗化ニッケル層１２が脱落してしまうことにより、粗化ニッケル層１２を形成することによる効果、すなわち、他の部材に対して優れた密着性を示すことができるという効果が不十分となってしまうこととなる。そのため、本発明者等によれば、このような観点より、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性にも着目し、これを改善するに至ったものである。

加えて、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性が不十分である場合には、本実施形態の粗化ニッケルめっき板１を製造する際に、製造ライン内に、粗化ニッケル層１２の脱落に起因するめっき皮膜屑（Ｎｉ粉）が混入し、製造ラインの汚染や故障の原因となる場合があることに加え、製造ライン内に残存するめっき皮膜屑に起因する製品欠陥を引き起こす場合がある。さらには、本実施形態の粗化ニッケルめっき板１を用いて、実際に製品や部品に加工する際にも、同様に製造ラインの汚染や故障の原因となったり、最終製品への品質、機能面での不良を引き起こす可能性がある。そのため、本発明者等によれば、このような観点からも、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性の重要性に着目し、これを改善するに至ったものである。

粗化ニッケル層１２表面の明度は、Ｌ^＊値で３０〜５０であり、好ましくは３０〜４８であり、より好ましくは３０〜４５であり、さらに好ましくは３５〜４５である。また、生産効率および生産コストを重視するという観点からは、粗化ニッケル層１２表面の明度は３６〜４８であることが好ましい。明度Ｌ^＊の値が小さすぎると、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性に劣るものとなってしまい、一方、明度Ｌ^＊の値が大きすぎると、他の部材に対する密着性に劣るものとなってしまう。なお、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊は、ＪＩＳ Ｚ８７２２に準拠して、ＳＣＥ方式（正反射光除去方式）にて、分光測色計を用いて測定することができる。

また、粗化ニッケル層１２表面の８５°光沢度は、１．５〜５０であり、好ましくは１．５〜３５であり、さらに好ましくは２〜３０である。また、生産効率および生産コストを重視するという観点からは、粗化ニッケル層１２表面の８５°光沢度は１５〜５０であることが好ましい。８５°光沢度が小さすぎる場合には、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性に劣るものとなってしまう。また、光沢度が大きすぎる場合には、他の部材に対する密着性に劣るものとなってしまう。なお、粗化ニッケル層１２表面の８５°光沢度は、ＪＩＳ Ｚ８７４１に準拠して、光沢計を用いて、８５°鏡面光沢を測定することにより求めることができる。なお、本実施形態の粗化ニッケルめっき板１の最表面に形成される粗化ニッケル層１２の６０°光沢度は、通常、１０以下となる。

なお、粗化ニッケル層１２表面の色度ａ^＊、ｂ^＊は特に限定されないが、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性、および他の部材に対する密着性をより向上させることができるという観点より、色度ａ^＊は、好ましくは０．１〜３．０、より好ましくは０．３〜１．５であり、色度ｂ^＊は、好ましくは１．０〜８．０、より好ましくは２．０〜７．０である。

また、粗化ニッケル層１２は、その表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度が上記範囲にあればよいが、算術平均粗さＲａが０．１〜３μｍであることが好ましく、粗化ニッケル層１２の、他の部材に対する密着性をより向上させるという観点からは、算術平均粗さＲａは、より好ましくは０．１８μｍ以上であり、さらに好ましくは０．３μｍ以上であり、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性（めっき密着性）をより向上させるという観点からは、算術平均粗さＲａは、より好ましくは１．８μｍ以下であり、さらに好ましくは１．６μｍ以下、さらにより好ましくは１．３μｍ以下である。また、生産効率および生産コストを重視するという観点からは、算術平均粗さＲａは０．１８〜０．５μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１８〜０．４９μmである。また、粗化ニッケル層１２は、十点平均粗さＲｚ_ｊｉｓが２．０〜２０．０μｍであることが好ましく、粗化ニッケル層１２の、他の部材に対する密着性をより向上させるという観点からは、十点平均粗さＲｚ_ｊｉｓは、より好ましくは３μｍ以上であり、さらに好ましくは４μｍ以上であり、さらにより好ましくは５μｍ以上であり、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性（めっき密着性）をより向上させるという観点からは、十点平均粗さＲｚ_ｊｉｓは、より好ましくは１６μｍ以下であり、さらに好ましくは１４μｍ以下であり、さらにより好ましくは１２μｍ以下である。また、生産効率および生産コストを重視するという観点からは、十点平均粗さＲｚ_ｊｉｓは３．０〜７．０μｍであることが好ましい。なお、粗化ニッケル層１２の最大高さ粗さＲｚは、特に限定されないが、好ましくは２．５〜２５．０μｍ、より好ましくは２．５〜２０．０μｍ、さらに好ましくは３．５〜１８．０μｍである。なお、表面粗度Ｒａ、Ｒｚｊｉｓ、Ｒｚはレーザ顕微鏡によって測定することが好ましい。

本実施形態の粗化ニッケルめっき板１における、粗化ニッケル層１２の付着量は、特に限定されないが、好ましくは１．３４〜４５．０ｇ／ｍ^２であり、粗化ニッケル層１２の密着性（めっき密着性）をより向上させるという観点からは、粗化ニッケル層１２の付着量は、より好ましくは２．６７ｇ／ｍ^２以上であり、さらに好ましくは５ｇ／ｍ^２以上であり、粗化ニッケル層１２の、他の部材に対する密着性をより向上させるという観点からは、粗化ニッケル層１２の付着量は、より好ましくは３８．０ｇ／ｍ^２以下であり、さらに好ましくは３２．０ｇ／ｍ^２以下であり、さらにより好ましくは３１ｇ／ｍ^２以下である。粗化ニッケル層１２の付着量は、粗化ニッケルめっき板１について蛍光Ｘ線装置を用いて総ニッケル量を測定することで求めることができる。なお、後述するニッケルからなる下地金属めっき層１３が形成されている場合には、粗化ニッケルめっき板１について蛍光Ｘ線装置を用いて総ニッケル量を測定した後、この総ニッケル量から、下地金属めっき層１３に相当するニッケル量の分を差し引くことで求めることができる。下地金属めっき層１３に相当するニッケル量は、たとえば、粗化ニッケルめっき板１を切断し、断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察することで、下地金属めっき層１３の厚みを計測し、下地金属めっき層１３の厚みから換算されるニッケル量を求める方法や、金属基材１１上に下地金属めっき層１３を形成した時点における金属基材１１上のニッケル量を蛍光Ｘ線装置を用いて測定する方法や、金属基材１１に対してめっきにより下地金属めっき層１３を形成する際のクーロン量から算出される電析量から求める方法などが挙げられる。

本実施形態において、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度を上記範囲とする方法としては、特に限定されないが、以下に説明する方法によって、粗化ニッケル層１２を形成する方法などが挙げられる。

以下、粗化ニッケル層１２の形成方法の一例を図２〜図４に基づいて、説明する。まず、図２に示すように、金属基材１１と粗化ニッケル層１２との密着性をより向上させるという観点、用途に応じた耐食性を付与するという観点より、金属基材１１上に、必要に応じて下地金属めっき層１３を形成する。なお、この下地金属めっき層１３は形成せずに、金属基材１１上に、直接、粗化ニッケル層１２を形成するようにしてもよいが、次いで、粗化ニッケルめっきを施すことにより、図３に示すように、金属基材１１上に、ニッケル粒状物１２１を凝集させた状態で析出させる。次いで、図４に示すように、被覆ニッケルめっきをさらに施すことにより、ニッケル粒状物１２１をニッケル被膜１２２により被覆することで、金属基材１１上に、必要に応じて形成される下地金属めっき層１３を介在させて、粗化ニッケル層１２を形成する。

ニッケル粒状物１２１を凝集させた状態で析出させるための粗化ニッケルめっきの条件としては、特に限定されないが、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度を上記範囲に好適に制御できるという観点より、硫酸ニッケル六水和物を１０〜１００ｇ／Ｌの濃度で含有し、かつ、硫酸アンモニウムを１〜１００ｇ／Ｌの濃度で含有するめっき浴を用いた電解めっきによる方法が好ましい。用いるめっき浴中の硫酸ニッケル六水和物の濃度は、好ましくは１０〜７０ｇ／Ｌ、より好ましくは１０〜５０ｇ／Ｌ、さらに好ましくは１５〜２５ｇ／Ｌである。なお、ニッケルイオン供給源として、塩化ニッケル六水和物を適用する、または塩化ニッケル六水和物と硫酸ニッケル六水和物と併用してもよい。塩化ニッケル六水和物を用いる場合には、塩化ニッケル六水和物の濃度として、好ましくは１〜４０ｇ／Ｌとするのが好ましい。ただし、ニッケルイオン濃度および塩素イオン濃度が高くなると、所定の明度および光沢度となる適切な粗化形状が得にくくなるので、硫酸ニッケル六水和物や塩化アンモニウムとの併用の際は注意が必要である。また、めっき液中のアンモニアの供給源として硫酸アンモニウムを用いる場合は、用いるめっき浴中の硫酸アンモニウムの濃度は、好ましくは１０〜５０ｇ／Ｌ、より好ましくは１０〜４５ｇ／Ｌ、さらに好ましくは１５〜４０ｇ／Ｌである。なお、ニッケルめっき浴へのアンモニアの添加は、アンモニア水を添加してもよいし、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウムなどの塩で添加してもよく、めっき浴中のアンモニア濃度は、好ましくは０．３〜３０ｇ／Ｌ、より好ましくは１〜２０ｇ／Ｌ、さらに好ましくは３〜１５ｇ／Ｌ、特に好ましくは３〜１２ｇ／Ｌ以下である。

また、ニッケル粒状物１２１を凝集させた状態で析出させるための粗化ニッケルめっきを行う際の、ニッケルめっき浴のｐＨは、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度をより好適に制御できるという観点より、好ましくは４．０〜８．０である。ｐＨが高すぎると浴中のニッケルイオンが水和物を形成してめっき不良の原因になりやすいため、上限はより好ましくは７．５以下、さらに好ましくは７．０以下である。ｐＨが低いと浴抵抗が低くなってしまい、ニッケル粒子が二次粒子を形成した状態での析出が起こり難くなり、通常の析出形態（平坦なめっき）となりやすく、そのため、粗化ニッケル層を形成しにくくなるため、より好ましくは４．５以上、さらに好ましくは４．８以上、特に好ましくは５．０以上である。

ニッケル粒状物１２１を凝集させた状態で析出させるための粗化ニッケルめっきを行う際の電流密度は、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度をより好適に制御できるという観点より、好ましくは５〜４０Ａ／ｄｍ^２である。電流密度が高いと析出効率が低下しやすいほか、めっき処理範囲でのめっきムラ・表面粗度制御ムラが起きやすくなるため、特に１００ｃｍ^２以上の広い面積を確保するためには３０Ａ／ｄｍ^２以下がより好ましく、さらに好ましくは２５Ａ／ｄｍ^２以下であり、特に好ましくは２０Ａ／ｄｍ^２以下である。電流密度が低いと、ニッケル粒子が二次粒子を形成した状態での析出が起こり難くなり、通常の析出形態となりやすく、そのため、粗化ニッケル層を形成しにくくなるため、電流密度は、１０Ａ／ｄｍ^２以上であることがより好ましい。なお、本実施形態においては、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度をより好適に制御するという観点より、電流密度は、ニッケルめっき浴中のニッケルイオン濃度（後述する実施例ではめっき浴中の硫酸ニッケル六水和物（ｇ／Ｌ）で制御）、ニッケルめっき浴の温度、ニッケルめっき浴のｐＨ、ニッケルめっき浴中のアンモニア濃度、ニッケルめっき浴中のハロゲン原子濃度などに応じて制御することが好ましい。

また、粗化ニッケルめっきを行う際のニッケルめっき浴の浴温は、特に限定されないが、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度をより好適に制御できるという観点より、好ましくは２５〜６０℃、より好ましくは２５〜５０℃、さらに好ましくは３０〜５０℃である。

本実施形態においては、ニッケル粒状物１２１を凝集させた状態で析出させるための粗化ニッケルめっきを行う際には、ニッケルめっき浴を撹拌しながら、めっきを行うことが好ましい。ニッケルめっき浴を撹拌することにより、ニッケル粒状物１２１を凝集させながら、金属基材１１上に均一に析出させやすくなり、これにより、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度をより好適に制御できる。撹拌を行う方法としては、特に限定されないが、バブリング、ポンプ循環等の方法が挙げられる。バブリングの条件としては、ガスの種類は特に限定されないが、汎用性の面よりガスとして空気を用いることが好ましく、また、ガスを供給するタイミングとしては、安定的に撹拌するために連続通気が好ましい。通気量としては、撹拌が強すぎる場合には目的の粗化形状が得られにくいため、たとえば、容積２Ｌのめっき液に対して、１Ｌ／ｍｉｎ以下が好ましい。ポンプ循環の条件としては、安定的に撹拌するために連続循環が好ましい。

粗化ニッケルめっきにより、ニッケル粒状物１２１を凝集させた状態で析出させる際の析出量としては、特に限定されないが、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度を上記範囲に制御するという観点より、好ましくは０．８９〜４．４５ｇ／ｍ^２であり、粗化ニッケル層１２の、他の部材に対する密着性をより向上させるという観点からは、ニッケル粒状物１２１を凝集させた状態で析出させる際の析出量は、より好ましくは１．３４ｇ／ｍ^２以上であり、さらに好ましくは１．６０ｇ／ｍ^２以上であり、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性（めっき密着性）をより向上させるという観点からは、ニッケル粒状物１２１を凝集させた状態で析出させる際の析出量は、より好ましくは４．０１ｇ／ｍ^２以下であり、さらに好ましくは３．５６ｇ／ｍ^２以下であり、特に好ましくは３．１２ｇ／ｍ^２以下である。また、生産効率および生産コストを重視するという観点からは、ニッケル粒状物１２１を凝集させた状態で析出させる際の析出量は１．３４〜２．２３ｇ／ｍ^２であることが好ましい。

そして、本実施形態の製造方法においては、粗化ニッケルめっきにより、ニッケル粒状物１２１を凝集させた状態で析出させた後、さらに被覆ニッケルめっきを施すことにより、ニッケル粒状物１２１をニッケル被膜１２２により被覆する。ニッケル粒状物１２１をニッケル被膜１２２により被覆するための被覆ニッケルめっきは、電解めっきまたは無電解めっきのいずれのめっき法で行ってもよいが、電解めっきにより形成することが好ましい。

被覆ニッケルめっきを電解めっき法により行う場合には、たとえば、ニッケルめっき浴として、硫酸ニッケル六水和物２００〜３５０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル六水和物２０〜６０ｇ／Ｌ、ほう酸１０〜５０ｇ／Ｌの浴組成のワット浴を用い、ｐＨ３．０〜５．０、浴温４０〜７０℃、電流密度５〜３０Ａ／ｄｍ^２（好ましくは１０〜２０Ａ／ｄｍ^２）の条件でニッケルめっきを施し、その後、水洗する方法を用いることができる。

被覆ニッケルめっきにより、ニッケル粒状物１２１をニッケル被膜１２２により被覆する際における、析出量（被覆量）としては、特に限定されないが、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度を上記範囲に制御するという観点より、好ましくは４．４５〜２６．７０ｇ／ｍ^２であり、粗化ニッケル層１２の密着性（めっき密着性）をより向上させるという観点からは、ニッケル粒状物１２１をニッケル被膜１２２により被覆する際における、析出量（被覆量）は、より好ましくは６．２３ｇ／ｍ^２以上であり、粗化ニッケル層１２の、他の部材に対する密着性をより向上させるという観点からは、ニッケル粒状物１２１をニッケル被膜１２２により被覆する際における、析出量（被覆量）は、より好ましくは１９．５８ｇ／ｍ^２以下であり、さらに好ましくは１６．０２ｇ／ｍ^２以下である。また、生産効率および生産コストを重視するという観点からは、ニッケル粒状物１２１をニッケル被膜１２２により被覆する際における析出量は４．４５〜８．９０ｇ／ｍ^２であることが好ましい。また、粗化ニッケルめっきによる析出量と、被覆ニッケルめっきによる析出量との比率は、特に限定されないが、「粗化ニッケルめっきによる析出量：被覆ニッケルめっきによる析出量」の重量比率で、好ましくは１：２〜１：１４、より好ましくは２：４．５〜２：１５、さらに好ましくは２：５〜２：１５である。なお、下地金属めっき層１３として、下地ニッケル層を形成した場合には、被覆ニッケルめっきを行った際に、ニッケル粒状物１２１に対する、ニッケル被膜１２２による被覆に加えて、その一部は、下地ニッケル層の成長（ニッケル粒状物がなく下地が露出している部分の厚膜化）にも寄与することとなる。そのため、この場合には、上記析出量は、被覆ニッケルめっきによる、ニッケル被膜１２２による被覆量と、被覆ニッケルめっきによる、下地ニッケル層の形成量との合計となる。

また、本実施形態においては、金属基材１１と粗化ニッケル層１２との密着性をより向上させるという観点より、金属基材１１と粗化ニッケル層１２との間に下地金属めっき層１３を形成することが好ましく、下地金属めっき層１３としては、ニッケルめっき層または銅めっき層が好ましく、ニッケルめっき層であることがより好ましい。特に、上述の粗化ニッケルめっきで形成されるニッケル粒状物１２１は、粒子状析出物が突起状に凝集析出し集合体を成して存在する状態であり、他の部材との密着性の観点から各集合体同士の間は隙間を有することが好ましく、そのため、金属基材１１の全体の表面を完全に覆っていない場合がある。そのため、たとえば、金属基材１１として鋼板を用いた場合などにおいて、鋼板の錆の発生を抑制する効果を向上させるために、下地金属めっき層１３を設けることが好ましい。なお、このような耐食性向上の効果を目的とし、用途に応じた金属基材１１の選定と、それに応じた下地めっき処理を施すことが好ましく、金属基材１１に鋼板や銅を用いる場合は、下地金属めっき層１３として、下地ニッケルめっき層や下地銅めっき層を設けることが好ましい。また、下地めっき処理に電解ニッケルめっきによるニッケル層を適用した場合は、後の被覆めっき処理との相性がよく、粗化ニッケル層１２のめっき密着性をより高めることができる。なお、下地金属めっき層１３がない状態で被覆ニッケルめっき処理だけでもめっき密着性の効果は得られるが、被覆ニッケルめっき処理ではニッケル粒状物１２１上に優先的にニッケルが析出しやすい傾向があるため、このような観点より、耐食性向上のためには下地金属めっき層１３を形成する方が好ましい。なお、金属基材１１が銅板である場合には、前処理に酸処理などを施すことによって粗化ニッケル層１２のめっき密着性をより高めることも可能である。

下地金属めっき層１３は、金属基材１１上に粗化ニッケル層１２を形成する前に、予め金属基材１１にめっきを施すことにより形成することができる。下地金属めっき層１３を、ニッケルめっき層とする場合、電解めっきまたは無電解めっきのいずれのめっき法を用いて形成してもよいが、電解めっきにより形成することが好ましい。

下地金属めっき層１３を、ニッケルめっき層とする場合において、下地ニッケルめっき層を形成する方法として電解めっき法を用いる場合には、たとえば、ニッケルめっき浴として、硫酸ニッケル六水和物２００〜３５０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル六水和物２０〜６０ｇ／Ｌ、ほう酸１０〜５０ｇ／Ｌの浴組成のワット浴を用い、ｐＨ３．０〜５．０、浴温４０〜７０℃、電流密度５〜３０Ａ／ｄｍ^２（好ましくは１０〜２０Ａ／ｄｍ^２）の条件でニッケルめっきを施し、その後、水洗する方法を用いることができる。

下地金属めっき層１３を形成する場合における、本実施形態の粗化ニッケルめっき板１における、粗化ニッケル層１２の付着量は、金属基材１１と粗化ニッケル層１２との密着性をより向上させるという観点より、好ましくは２６．７０ｇ／ｍ^２以下であり、より好ましくは４．４５〜２２．２５ｇ／ｍ^２、さらに好ましくは４．４５〜１７．８０ｇ／ｍ^２、特に好ましくは４．４５〜１３．３５ｇ／ｍ^２である。

また、下地金属めっき層１３を形成する場合における、本実施形態の粗化ニッケルめっき板１における、粗化ニッケル層１２と下地金属めっき層１３との合計の付着量は、特に限定されないが、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性、および他の部材に対する密着性をより向上させることができるという観点より、好ましくは５．０〜５０．００ｇ／ｍ^２であり、より好ましくは１２．０２〜５０．００ｇ／ｍ^２、さらに好ましくは１２．２８〜４０．９４ｇ／ｍ^２、特に好ましくは１２．２８〜３２．４９ｇ／ｍ^２である。また、生産効率および生産コストを重視するという観点からは、粗化ニッケル層１２と下地金属めっき層１３との合計の付着量は１０．２４〜２２．２５ｇ／ｍ^２であることが好ましい。さらに、高い耐食性が必要な場合、および特に高い金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性、および他の部材に対する密着性が必要な場合においては、粗化ニッケル層１２と下地金属めっき層１３との合計の付着量は３２．５０〜５７．８５ｇ／ｍ^２であることが好ましい。なお、粗化ニッケル層１２と下地金属めっき層１３との合計の付着量は、粗化ニッケルめっき板１について蛍光Ｘ線装置を用いて総ニッケル量を測定することで求めることができる。

以上のように、本実施形態によれば、図３に示すように、粗化ニッケルめっきにより、金属基材１１上に、ニッケル粒状物１２１を凝集させた状態で析出させ、次いで、図４に示すように、被覆ニッケルめっきをさらに施すことにより、ニッケル粒状物１２１をニッケル被膜１２２により被覆する方法を採用し、これらの形成条件を制御することにより、粗化ニッケル層１２表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度を上記範囲とすることができるものである。

特に、粗化ニッケルめっきを行った場合や、粗化ニッケルめっきを行った後、被覆ニッケルめっきをさらに行った場合には、図３に示すように、一次粒子が集合した二次粒子（ニッケル粒状物１２１）からなる突起状（柱状）の集合体が形成されることとなる。これに対し、本発明者等が検討を行った結果、次の知見を得たものである。
すなわち、上記の場合においては、めっき条件を調整することによって、突起状の集合体の大きさ、形状および密度を制御することができ、これにより、金属基材１１に対する良好なめっき密着性と、適切な他の部材に対する良好な密着性との両立が可能となるものであることが分かった。また、表面の高低差を表すパラメータとして、Ｒｚ_ｊｉｓがあるが、単純にＲｚ_ｊｉｓまたはその他の粗度を表すＲａ、Ｒｚといったパラメータだけでは、他の部材との密着性および粗化ニッケル層１２の密着性は制御できないことが分かった。つまり、傾向としては、ある程度の高低差（Ｒｚ_ｊｉｓ）によって他の部材との密着性を確保することができる一方で、高低差（Ｒｚ_ｊｉｓ）が大きすぎると、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性が悪化しやすいという傾向がみられる。しかしながら、特に、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性は、単純にＲｚ_ｊｉｓのみによって決まるものではないことが分かった。また、粗化ニッケル層１２中における突起状の集合体の密度については、突起状の集合体の密度が高すぎると突起状間に樹脂などが入り込めず、樹脂膜などの他の部材に対する密着性が確保できないことが分かった。一方で、突起状の集合体の密度が低すぎる場合には、一つ一つの突起状の集合体が細く折れやすくなり、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性が低下するおそれがある場合や、突起状の集合体そのものが少なすぎてアンカー効果が得られず、樹脂膜などの他の部材との密着性が得られないことが分かった。その一方で、このような突起状の集合体の大きさや形状および密度を測定することや、これらの好適な範囲について特定することは難しい状況にあった。
これに対し、本願発明者等がさらなる検討を行ったところ、このような大きさ、形状、密度を代替するパラメータとして、粗化ニッケル層１２の明度Ｌ^＊と８５°光沢度との２つのパラメータに着目し、基材に対する、粗化ニッケル層１２の密着性と、他の部材に対する密着性とが良好である場合には、明度Ｌ^＊と８５°光沢度とが共に特定の範囲となることを見出したものである。

特に、明度Ｌ^＊の数値は、その板表面の凹凸によって変動することが一般的に知られているが、図３に示すような二次粒子（ニッケル粒状物１２１）からなる突起状の集合体においては、突起の大きさ（Ｒｚ_ｊｉｓ）だけでなく、突起の先端のめっき粒子の一次粒子の粒径による影響も大きいことを本発明者等は見出した。つまり、一次粒子の粒径の大小によって突起状の集合体の先端の表面形状が変わることにより、明度Ｌ^＊が変動することを見出したものである。
さらに、明度Ｌ^＊が好適な範囲であっても、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性が劣る場合があるという課題を見出した。特に、このような場合には、突起状の集合体の表面のめっき粒子が大きく比較的滑らかであるため明度Ｌ^＊が好適な範囲となる一方、めっき粒子が大きく、ポーラス状になっているために金属基材１１からめっき粒子がはがれやすいという状態となっていると考えられる。この原因の一つとして、めっき粒子が大きい場合、Ｒｚ_ｊｉｓが高くなりやすいために突起状の集合体が折れやすく脱落しやすいことなどが考えられる。めっき粒子の測定は非常に手間がかかるものであるところ、このようなめっき粒子が大きい場合には、８５°光沢度というめっき板に対し低角度の入射光で測定した光沢度が極端に低くなることを併せて見出したものである。
そして、本発明者等は、このような知見に基づき、粗化ニッケル層１２の明度Ｌ^＊と８５°光沢度とが上記特定の範囲にある粗化ニッケルめっき板１に想到したものである。

上述したように、本実施形態においては、粗化ニッケル層１２として、突起状（柱状）の集合体を表面に有することにより、樹脂膜などの他の部材との密着性を担保できるものである。そして、本発明者等が検討したところ、このような突起状の集合体を有するめっき層は、めっき電流に対して、ニッケルイオンの供給が不足している状況下で通電を行う条件にて、めっきを行うことで形成できるものである。すなわち、めっき電流に対して、ニッケルイオンの供給を不足させ、異常電析を引き起こさせることで、形成できるものである。

その一方で、本発明者等がさらなる検討をおこなったとこと、このような異常電析においては、めっき液中のニッケル濃度、めっき液の浴温、めっき液のｐＨ、さらには、めっき時の電流密度などにより、異常電析の態様が変化するため、単に異常電析を引き起こさせるような条件で、めっきを行っただけでは、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性と、他の部材に対する密着性との両方を同時に満たす粗化ニッケルめっき板を得ることは困難であった。特に、異常電析させる方法によれば、凹凸が形成しやすいため、他の部材に対する密着性が得られやすい一方で、析出させためっき粒子が脱落しやすく、取り扱い時に脱落してしまう場合があった。これに対し、本発明者等は、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性と、他の部材に対する密着性との両方を同時に満たすという課題に対し、このような課題を解決するためには、粗化ニッケル層１２を構成する、一次粒子の大きさ、突起状の集合体の大きさ、および突起状の集合体の形状が重要であることを見出したものである。

ここで、図７（Ｂ）は、本実施形態に係る粗化ニッケル層１２の具体的な態様を示す図であり、図５（Ｄ）および図１４（Ａ）に示す粗化ニッケル層１２のＳＥＭ写真に基づく模式図である。また、図７（Ａ）は粗化ニッケルめっきによって得られるめっき層の態様を示す図であり、図１４（Ｂ）に示すＳＥＭ写真に基づく模式図である。図７（Ｂ）に示すような態様は、粗化ニッケルめっきにより図７（Ａ）に示すような態様のめっき層を形成し、次いで、これに被覆ニッケルめっきを施すことにより得られるものである。なお、図７（Ａ）、図７（Ｂ）においては、下地ニッケルめっき層を形成した場合を例示しているが、下地ニッケルめっき層を形成する態様に特に限定されるものではない（図８（Ａ）〜図８（Ｃ）、図９（Ａ）〜図９（Ｄ）、図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）においても同様。）。

すなわち、本発明者等の知見によると、粗化ニッケル層１２としては、図７（Ｂ）に示すような態様、具体的には、（１）突起状の集合体を形成する一次粒子が、小さすぎず適度な大きさを有すること（一次粒子の平均粒径が、好ましくは０．３〜３．０μｍ、より好ましくは０．５〜２．０μｍであること）、（２）このような一次粒子が集合した二次粒子からなる集合体の形状が突起状あるいは柱状であること、（３）その集合体の高さが低すぎずかつ高すぎないこと（高さが、好ましくは１〜２０μｍ、より好ましくは２〜１５μｍであること、生産効率および生産コストを重視するという観点からは、特に好ましくは、２．０〜１０．０μｍ）であること）、（４）その集合体の存在密度が、疎となりすぎたものではないこと（ある程度の距離（密接しすぎず、離れすぎないような距離）を置いて、突起状の集合体が形成されていること）の（１）〜（４）の条件を満たすことにより、上記課題を解決できるものであることを見出したものである。一次粒子が小さすぎると、一次粒子間の密着（結合）が乏しくなり、めっき密着が低下してしまう。一次粒子が大きすぎると、突起状あるいは柱状の態様を取れなくなる、または、局部的に突起が過剰成長してしまい、外力などにより突起が折れやすい状態となり、結果、めっき密着が不良な状態となってしまう。
ここで、小さすぎず適度な大きさを有するとは、より具体的には、図５（Ｃ）、図５（Ｄ）に示す、粗化ニッケル層１２の断面ＳＥＭ像でも確認されるように、突起状あるいは柱状の二次粒子を構成する一次粒子のうち、全体の７割以上が粒径０．３〜３．０μｍの一次粒子で構成されている状態、より好ましくは粒径０．５〜２．０μｍの一次粒子で構成されている状態をいう。なお、上記全体の７割とは一次粒子全部の断面積の７割以上が前記粒径範囲の粒子による面積であることを意味する。また、断面ＳＥＭ画像から一つ一つの粒径を導き出すことは困難であるが、二次粒子を構成する一次粒子の粒径が小さすぎる場合にはその粒径が明らかに０．３μｍ未満の粒が７割以上になるため、明確な識別が可能である。

さらに、このような図７（Ｂ）に示すような態様によれば、明度Ｌ＊および８５°光沢度が、本発明所定の範囲内となり、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性と、他の部材に対する密着性との両方を同時に満たすものとなることを見出したものである。

一方、被覆ニッケルめっきを行っていない図７（Ａ）に示す態様においては、一次粒子が非常に細かい、または、突起状の集合体の高さが低いため、明度Ｌ＊が本発明所定の範囲外となり、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性、あるいは、他の部材に対する密着性に劣るものとなってしまう。なお、図７（Ａ）に示す態様は、後述する比較例１１〜１６，３４に対応する態様である。

また、図８（Ａ）に示す態様、および、これに被覆ニッケルめっきを施すことにより得られる図８（Ｂ）に示す態様、ならびに、粗化ニッケル層を形成していない図８（Ｃ）に示す態様においては、突起状の集合体の高さが低かったり、突起状の集合体自体が形成されていないものとなり、明度Ｌ＊が本発明所定の範囲外となり、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性、あるいは、他の部材に対する密着性に劣るものとなってしまう。なお、図８（Ａ）に示す態様は、後述する比較例１７〜２０に対応する態様であり、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）に示す態様は、後述する比較例１〜４，３３，３７〜３９に対応する態様である。

また、図９（Ａ）に示す態様、および、これに被覆ニッケルめっきを施すことにより得られる図９（Ｂ）に示す態様においては、下地ニッケルめっき層表面の凹凸の影響または、粗化ニッケル層の二次粒子粗大化の影響が大きく、図９（Ａ）に示す態様においては、８５°光沢度が本発明所定の範囲外となり、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性に劣るものとなってしまい、図９（Ｂ）に示す態様においては、明度Ｌ＊が本発明所定の範囲外となり、他の部材に対する密着性に劣るものとなってしまう。なお、図９（Ａ）に示す態様は、後述する比較例２４に対応する態様であり、図９（Ｂ）に示す態様は、後述する比較例１０に対応する態様である。

さらに、図９（Ｃ）に示す態様、および、これに被覆ニッケルめっきを施すことにより得られる図９（Ｄ）に示す態様においては、空隙を有する集合体、あるいはポーラス状の集合体を形成しており、８５°光沢度が本発明所定の範囲外となり、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性に劣るものとなってしまう。なお、図９（Ｃ）に示す態様は、後述する比較例３０，３１に対応する態様であり、図９（Ｄ）に示す態様は、後述する比較例８，９に対応する態様である。

また、図１０（Ａ）に示す態様、および、これに被覆ニッケルめっきを施すことにより得られる図１０（Ｂ）に示す態様においては、突起状の集合体の高さが高すぎ、さらには、突起状の集合体の形成密度も低く、明度Ｌ＊が本発明所定の範囲外となり、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性に劣るものとなってしまう。なお、図１０（Ａ）に示す態様は、後述する比較例２１〜２３，２５〜２９，３５，３６に対応する態様であり、図１０（Ｂ）に示す態様は、後述する比較例５に対応する態様である。

また、図１０（Ｃ）に示す態様、および、これに被覆ニッケルめっきを施すことにより得られる図１０（Ｄ）に示す態様においては、突起状の集合体の高さが高すぎるものであり、明度Ｌ＊および８５°光沢度が本発明所定の範囲外となり、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性に劣るものとなってしまう。なお、図１０（Ｃ）に示す態様は、後述する比較例３２に対応する態様であり、図１０（Ｄ）に示す態様は、後述する比較例６，７に対応する態様である。

そして、本発明者等によれば、これら図７（Ａ）、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）、図９（Ａ）〜図９（Ｄ）、図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）に示す態様では、明度Ｌ＊および８５°光沢度のいずれかが、本発明所定の範囲外となり、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性、および他の部材に対する密着性のいずれか一方に劣るものとなってしまうこと、これに対し、図７（Ｂ）に示すような態様によれば、明度Ｌ＊および８５°光沢度が、本発明所定の範囲内となり、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性と、他の部材に対する密着性との両方を同時に満たすことのできるものとなること、を見出したものである。

なお、図７（Ｂ）に示すような粗化ニッケル層１２を形成する方法としては、上述した方法が挙げられるが、この際においては、たとえば、以下に説明する析出工程および成長工程を経ることで、図７（Ｂ）に示すような粗化ニッケル層１２が形成されると推察される。すなわち、まず、上述したように、粗化ニッケルめっきとして、希薄ニッケル水溶液中に析出を励起する適切な電流を流す（電圧を印加する）ことで、多数の核から一斉に金属ニッケルを析出させることができ、さらに析出した粒子の面方向への成長をある程度抑制することができる。またこのとき、一次粒子の核は析出した粒子によって形成される凸部に優先的に析出し易いため、その結果、めっき粒状物の一次粒子が高さ方向へ積層し、一次粒子が集合した二次粒子の形状を突起状とすることができる。しかしながら、このような集合体を形成しても、図７（Ａ）のように一次粒子が小さすぎる場合には、一次粒子同士の接触面が小さすぎるために、一次粒子がはがれやすいものである。そこで、上述したように、粗化ニッケルめっきの後に、被覆ニッケルめっきを行う。ここで、「被覆」と表記しているが、本発明者等が検討したところによると、このような被覆ニッケルめっきによれば、粗化ニッケルめっきで形成された一次粒子の上を覆うような析出に加えて、実際には、一次粒子が成長する粒成長も起こることが確認された。特に、被覆ニッケルめっきによる、このような一次粒子の成長は、突起状の集合体のトップ面だけでなく、集合体側面の粒子や、内部の粒子において発現していると考える。その結果、一次粒子が適度な大きさを有することとなり、これにより一次粒子同士の密着性が向上し、さらに突起状の集合体の太さも増加し折れにくくなると考えられる。そのため、図７（Ｂ）に示す態様である、粗化ニッケル層１２は、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性が良好となる。また、これに加えて、適度な高さの突起状の集合体を有しているため、他の部材との密着性にも優れるものとなる。
なお、本実施形態においては、図７（Ｂ）に示すような粗化ニッケル層の形成方法として、粗化ニッケルめっき後に被覆ニッケルめっきを施す方法を挙げたが、粗化ニッケルめっき後において前述の（１）〜（４）の条件を満たしていれば、自ずと明度Ｌ＊および８５°光沢度は本発明所定の範囲内となり、金属基材１１に対する粗化ニッケル層１２の密着性および他の部材との密着性に優れる粗化ニッケルめっき板が得られるため、被覆ニッケルめっき工程を省略してもよい。

なお、図８（Ａ）に示す態様に係る粗化ニッケル層の断面ＳＥＭ写真を、図１１（Ａ）に、図８（Ｂ）に示す態様に係る粗化ニッケル層の断面ＳＥＭ写真を、図１１（Ｂ）に、図８（Ｃ）に示す態様に係る粗化ニッケル層の断面ＳＥＭ写真を、図１１（Ｃ）に、図９（Ａ）に示す態様に係る粗化ニッケル層の断面ＳＥＭ写真を、図１２（Ａ）に、図９（Ｂ）に示す態様に係る粗化ニッケル層の断面ＳＥＭ写真を、図１２（Ｂ）に、図９（Ｄ）に示す態様に係る粗化ニッケル層の断面ＳＥＭ写真を、図１２（Ｃ）に、図１０（Ａ）に示す態様に係る粗化ニッケル層の断面ＳＥＭ写真を、図１３（Ａ）に、図１０（Ｃ）に示す態様に係る粗化ニッケル層の断面ＳＥＭ写真を、図１３（Ｂ）に、それぞれ示す。

以上のような本実施形態の粗化ニッケルめっき板１によれば、金属基材１１に対する、粗化ニッケル層１２の密着性が良好であり、かつ、他の部材に対する密着性に優れたものであるため、他の部材と接合させて用いられる用途、たとえば、樹脂、活物質などの様々な部材との密着性が求められる各種容器、電子機器部材（基板など）、電池部材（外槽、集電体、タブリード）として好適に用いることができる。

特に、本実施形態の粗化ニッケルめっき板１は、粗化ニッケル層１２の密着性、すなわち、基材１１に対する密着性に優れているため、たとえばめっき板同士が重なったり接触したりしても表面の粗化ニッケル層１２が剥離または脱落しにくいため、図１Ａに示すように、両面の最表面に粗化ニッケル層１２を有する粗化ニッケルめっき板１として好適に用いることができる。

一方で、他の部材との密着性が求められるのがめっき板の片面のみの場合、図１Ｂに示す粗化ニッケルめっき板１のように、片面のみに粗化ニッケル層１２が形成されていればよい。粗化ニッケル層１２を形成しない面は、基材１１が最表面に位置することとなるが、たとええば、基材１１が鋼板である場合には、未処理の鋼板のままとしてもよいし、あるいはニッケルめっきや亜鉛めっき、化成処理等、求められる特性に応じた表面処理を施してもよい。特にアルカリ溶液への耐性が求められる場合には、粗化ニッケル層１２を形成しない面には通常のニッケルめっき層（たとえば、上述した下地ニッケルめっき層を形成するための条件により形成されるニッケルめっき層）を形成した粗化ニッケルめっき鋼板とすることで、基材１１の両面に対し、ニッケル層による被覆がされることとなるため、好ましく適用できる。
図１Ｂに示すような粗化ニッケルめっき板１を製造する場合には、たとえば、粗化ニッケルめっきを施す工程において、粗化ニッケル層１２を形成しない方の表面には通電せずにめっき処理を行う方法や、マスキングを行う方法によって、片面のみに粗化ニッケル層１２を有する粗化ニッケルめっき鋼板を得ることができる。

以下に、実施例を挙げて、本発明についてより具体的に説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
なお、各特性の評価方法は、以下のとおりである。

＜表面粗度＞
粗化ニッケルめっき板の粗化ニッケル層が形成された面について、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３に準拠して、レーザー顕微鏡（オリンパス社製、型番：ＯＬＳ３５００）を用いて、９７μｍ×１２９μｍ（縦×横）（測定視野幅１２９μｍ、測定面積約１２，５００μｍ^２（１２，５００±１００））の視野をスキャンした後、解析ソフト（ソフト名：ＬＥＸＴ−ＯＬＳ）を用いて解析モード：粗さ解析の条件にて解析することにより、算術平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ_ｊｉｓを測定した。なお、レーザー顕微鏡により測定する際におけるカットオフ値は、測定視野幅（１２９μｍ）の１／３の長さである４３μｍ程度（表示上は４３．２）の波長とした。

＜ニッケル量＞
本実施例においては下地ニッケル層、ニッケル粒状物およびニッケル被膜を形成したそれぞれの工程後において蛍光Ｘ線装置により測定することで、下地ニッケル層、粗化ニッケル層（ニッケル粒状物およびニッケル被膜）におけるニッケル量をそれぞれ求めた。具体的には、下地ニッケル層を形成した時点で一度蛍光Ｘ線装置を用いて下地ニッケル層のニッケル量を求めた。その後、ニッケル粒状物を形成した後に再度蛍光Ｘ線装置で総ニッケル量を求め、得られた総ニッケル量と下地ニッケル層のニッケル量の差分をニッケル粒状物のニッケル量とした。さらに、ニッケル被膜を形成した後に再度蛍光Ｘ線装置で総ニッケル量を求め、ニッケル被膜形成前の総ニッケル量と形成後の総ニッケル量の差分を求めることで同様にニッケル被膜のニッケル量を得た。そして、ニッケル粒状物およびニッケル被膜の合計のニッケル量を、粗化ニッケル層の付着量として求めた。
ここで、基体としてステンレス鋼板、およびニッケル板などのニッケルを含む金属を用いる場合においては、上記の蛍光Ｘ線装置による各層のニッケル量の測定が出来ない。そのため、予め鋼板等のニッケルを含まない基体を用いて、所定の下地ニッケル層のニッケル量が得られためっき条件にて、基体をステンレス鋼鈑、およびニッケル板などのニッケルを含む金属板にして電解することで、同一の付着量を得ることができる。
なお、本実施例および比較例では上記の方法でニッケル量の測定を行ったが、ニッケル量の測定はこのような方法に限定されず、以下の方法を用いてもよい。本実施例においては、一部、以下の方法も採用した。すなわち、まず、下地ニッケル層、ニッケル粒状物およびニッケル被膜を形成した粗化ニッケルめっき板について、蛍光Ｘ線装置により測定を行うことで、粗化ニッケルめっき板上に形成された層の総ニッケル量を求める。次いで、粗化ニッケルめっき板を切断し、断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察することで、下地ニッケル層の厚みを計測して、下地ニッケル層の厚みから換算されるニッケル量を求め、これを下地ニッケル層のニッケル量とする。そして、総ニッケル量から、下地ニッケル層のニッケル量を差し引くことで、ニッケル粒状物およびニッケル被膜の合計のニッケル量を求め、これを粗化ニッケル層の付着量とすることができる。特に、被覆ニッケルめっきを行った際には、ニッケル粒状物１２１を被覆するニッケル被膜１２２として、粗化ニッケル層１２を形成する他、その一部については、下地ニッケル層を形成することとなるところ、このような方法によれば、被覆ニッケルめっきによる下地ニッケル層の成長（厚膜化）を加味した、下地ニッケル層のニッケル量を求めることができるものである。
ここで、断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した際の、金属基体と下地ニッケル層との境界、および下地ニッケル層と粗化ニッケル層との境界については、図１５のようにして判定した。すなわち、図１５に示すように、金属基体と下地ニッケル層との境界は、図１５に示すように明確に観察できるため、図１５に示す位置（下の破線位置）とし、一方、下地ニッケル層と粗化ニッケル層との境界については、図１５に示すように、二次粒子による突起の根本のうち、最も高さが低い位置（上の破線位置）とした。なお、図１５は、実施例、比較例における、金属基体と下地ニッケル層との境界、および下地ニッケル層と粗化ニッケル層との境界の決定方法を説明するための図であり、図１５（Ａ）と、図１５（Ｂ）とは、同じ走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を並べて示したものであり、図１５においては、図１５（Ｂ）中に、各境界位置を破線で示した。

＜明度Ｌ^＊＞
粗化ニッケル層表面の明度Ｌ^＊を、分光測色計（製品名「ＣＭ−５」、コニカミノルタ社製）を使用して、ＪＩＳ Ｚ８７２２における幾何条件Ｃに準拠して、ＳＣＥ方式（正反射光除去方式）にて測定した。

＜８５°光沢度＞
粗化ニッケル層表面の８５°光沢度を、光沢計（製品名「ＶＧ ７０００」、日本電色工業社製）を使用して、ＪＩＳ Ｚ８７４１に準拠して、測定した。なお、同じ測定器を用いて、６０°光沢度を測定したところ、いずれの実施例（実施例１〜３２）においても１．５未満であった。

＜粗化ニッケル層の密着性＞
まず、基準サンプルとして、粘着テープ（ニチバン社製、商品名「セロテープ（登録商標）」）を、台紙に貼り付けたものを準備し、分光測色計（製品名「ＣＭ−５」、コニカミノルタ社製）を使用して、明度Ｌ^＊、色度ａ^＊、ｂ^＊を測定した。なお、測定に際しては、ＣＩＥ１９７６Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊色差モデルを用いた。
そして、実施例および比較例で得られた粗化ニッケルめっき板の粗化ニッケル層が形成された面に、粘着テープ（ニチバン社製、商品名「セロテープ（登録商標）」）を、幅２４ｍｍ、長さ５０ｍｍの範囲となるように貼付した後、貼付した粘着テープによる剥離試験を、ＪＩＳ Ｈ ８５０４に記載された引きはがし試験方法の要領で行った。そして、剥離試験後の粘着テープを、上記基準サンプルと同じ台紙に貼り付け、上記と同様にして、分光測色計を使用して、明度Ｌ^＊、色度ａ^＊、ｂ^＊を測定した。そして、予め測定した、基準サンプルの明度Ｌ^＊、色度ａ^＊、ｂ^＊の測定結果、および剥離試験後の粘着テープの明度Ｌ^＊、色度ａ^＊、ｂ^＊の測定結果から、これらの差ΔＥ^＊ａｂ（ΔＥ^＊ａｂ＝〔（ΔＬ^＊）^２＋（Δａ^＊）^２＋（Δｂ^＊）^２〕^１／２）を算出し、以下の基準に基づいて、粗化ニッケル層の密着性の評価を行った。なお、ΔＥ^＊ａｂが小さいほど、剥離試験において剥離する量が少なく、つまり、剥離試験後の、粗化ニッケル層の残存率が高く、基材に対する密着性に優れると判断することができる。
５点：ΔＥ^＊ａｂ＝１未満
４点：ΔＥ^＊ａｂ＝１以上、１０未満
３点：ΔＥ^＊ａｂ＝１０以上、３０未満
２点：ΔＥ^＊ａｂ＝３０以上、４０未満
１点：ΔＥ^＊ａｂ＝４０以上

＜ポリプロピレン樹脂（ＰＰ樹脂）の密着性（Ｔピール強度）＞
実施例および比較例で得られた粗化ニッケルめっき板を切断して、幅１５ｍｍ、長さ５０ｍｍの寸法の試験用原板を２つ作製し、これをＴピール試験片とした。そして、２つのＴピール試験片について、それぞれ長さ２０ｍｍの位置で角度９０°となるように折り曲げた。次いで、各Ｔピール試験片の粗化ニッケル層を有する面を向い合せ、幅１５ｍｍ、長さ１５ｍｍ、厚さ６０μｍのポリプロピレン樹脂フィルム（三菱ケミカル社製、商品名「モディック」／ポリプロピレン樹脂二層フィルム、評価対象となる接合面はポリプロピレン樹脂とＴピール試験片の接合面、商品名「モディック」は試験を安定させるための接着剤層）を挟み込み、温度：１９０℃、押付時間：５秒、ヒートシール圧：２．０ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件でヒートシールを行い、２つのＴピール試験片をポリプロピレン樹脂フィルムを介して接合した。ポリプロピレン樹脂フィルムを挟み込む位置はＴピール試験体の長さ方向の端部であり、ポリプロピレン樹脂フィルム全体が接合面となる。このように作製したＴピール試験体に対して、引張試験機（ＯＲＩＥＮＴＥＣ製 万能材料試験機 テンシロンＲＴＣ−１３５０Ａ）を用いた引張試験を行い、剥離荷重（Ｔピール強度）を測定した。測定条件は室温で引張速度１０ｍｍ／ｍｉｎ.とした。Ｔピール強度が高いほど、樹脂との密着性に優れると判断できる。

《実施例１》
基体として、低炭素アルミキルド鋼の冷間圧延板（厚さ０．２５ｍｍ）を焼鈍して得られた鋼板を準備した。

そして、準備した鋼板について、アルカリ電解脱脂、硫酸浸漬の酸洗を行った後、下記の浴組成の下地ニッケルめっき浴を用いて、下記条件にて電解めっきを行い、鋼板の両面にそれぞれ下地ニッケル層を形成した。
＜下地ニッケルめっき条件＞
浴組成：硫酸ニッケル六水和物２５０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル六水和物４５ｇ／Ｌ、ホウ酸３０ｇ／Ｌ
ｐＨ：４．２
浴温：６０℃
電流密度：１０Ａ／ｄｍ^２
めっき時間：３０秒間

次いで、下地ニッケル層を形成した鋼板に対して、下記の浴組成の粗化ニッケルめっき浴を用いて、下記条件にて、電解めっき（粗化ニッケルめっき）を行うことで、鋼板の両面の下地ニッケル層上に、ニッケル粒状物を析出させた。
＜粗化ニッケルめっき条件＞
浴組成：硫酸ニッケル六水和物２０ｇ／Ｌ、硫酸アンモニア２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：６．２
浴温：３０℃
電流密度：２０Ａ／ｄｍ^２
めっき時間：１１秒間

次いで、下地ニッケル層上に、ニッケル粒状物を析出させた鋼板に対して、下記の浴組成の被覆ニッケルめっき浴を用いて、下記条件にて電解めっき（被覆ニッケルめっき）を行うことで、下地ニッケル層上に析出させたニッケル粒状物を、ニッケル被膜により被覆させることにより、実施例１の粗化ニッケルめっき板を得た。
＜被覆ニッケルめっき条件＞
浴組成：硫酸ニッケル六水和物２５０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル六水和物４５ｇ／Ｌ、ホウ酸３０ｇ／Ｌ
ｐＨ：４．２
浴温：６０℃
電流密度：１０Ａ／ｄｍ^２
めっき時間：３０秒間

そして、得られた粗化ニッケルめっき板について、下地ニッケル層、ニッケル粒状物およびニッケル被膜のニッケル量、粗化ニッケル層表面の明度Ｌ^＊および８５°光沢度、粗化ニッケル層の密着性、ならびに、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ樹脂）の密着性の各測定、評価を行った。結果を表１に示す。

《実施例２〜１５》
粗化ニッケルめっきのめっき浴およびめっき条件を表１に示す条件に変更し、かつ、被覆ニッケルめっきの処理時間を、形成されるニッケル被膜の析出量が表１に示す量となるように変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜１５の粗化ニッケルめっき板を得て、同様に評価を行った。結果を表１に示す。

《実施例１６〜３１》
粗化ニッケルめっきの条件を表２に示す条件に変更し、かつ、被覆ニッケルめっきの処理時間を、形成されるニッケル被膜の析出量が表２に示す量となるように変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例１６〜３１の粗化ニッケルめっき板を得て、同様に評価を行った。結果を表２に示す。

《実施例３２》
金属基材として、銅板（福田金属箔粉工業製電解銅箔（レーザー顕微鏡による測定値としてＲａ：０．１μｍ、Ｒｚ_ｊｉｓ：１．７μｍ）を使用するとともに、粗化ニッケルめっきの条件を表２に示す条件に変更し、かつ、被覆ニッケルめっきの処理時間を、形成されるニッケル被膜の析出量が表２に示す量となるように変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例３２の粗化ニッケルめっき板を得て、同様に評価を行った。結果を表２に示す。

《実施例３３〜３６》
粗化ニッケルめっきの条件を表２に示す条件に変更し、かつ、被覆ニッケルめっきの処理時間を、形成されるニッケル被膜の析出量が表２に示す量となるように変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例３３〜３６の粗化ニッケルめっき板を得て、同様に評価を行った。結果を表２に示す。

《実施例３７〜４１》
金属基材として、ＳＵＳ３０４（実施例３７）、ＳＵＳ３１６（実施例３８）、ＳＵＳ４３０（実施例３９）、ＳＵＳ４４４（実施例４０）および純ニッケル板（実施例４１）をそれぞれ使用するとともに、粗化ニッケルめっきの条件を表２に示す条件に変更し、かつ、被覆ニッケルめっきの処理時間を、形成されるニッケル被膜の析出量が表２に示す量となるように変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例３７〜４１の粗化ニッケルめっき板を得て、同様に評価を行った。結果を表２に示す。なお、実施例３７〜４１においては、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ４４４および純ニッケル板を用い、前記硫酸浸漬の酸洗の後に、下記の浴組成のストライクニッケルめっき浴を用いて、下記条件にて電解（ストライクニッケルめっき）した後に、下地ニッケル層を形成した。
＜ストライクニッケルめっき条件＞
浴組成：硫酸ニッケル六水和物２５０ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１．０以下
浴温：６０℃
電流密度：３０Ａ／ｄｍ２
めっき時間：５秒間

《比較例１〜１０》
粗化ニッケルめっき、および被覆ニッケルめっきの条件を、表３に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様にして、比較例１〜１０の粗化ニッケルめっき板を得て、同様に評価を行った。結果を表３に示す。

《比較例１１〜２２》
粗化ニッケルめっきの条件を、表３に示す条件に変更するとともに、被覆ニッケルめっきを行わなかった以外は、実施例１と同様にして、比較例１１〜２２の粗化ニッケルめっき板を得て、同様に評価を行った。結果を表３に示す。

《比較例２３，２４》
金属基材として、銅板を使用するとともに、粗化ニッケルめっきの条件を、表４に示す条件に変更し、かつ、被覆ニッケルめっきを行わなかった以外は、実施例１と同様にして、比較例２３，２４の粗化ニッケルめっき板を得て、同様に評価を行った。結果を表４に示す。なお、比較例２３においては、銅板として福田金属箔粉工業製電解銅箔（レーザー顕微鏡による測定値としてＲａ：０．１μｍ、Ｒｚ_ｊｉｓ：１．７μｍ）を使用し、比較例２４においては、銅板として、比較例２３と同じ銅箔に対して、粗化銅めっきを行うことにより、表面を粗化した銅箔を使用した。

《比較例２５〜３２》
粗化ニッケルめっきの条件を、表４に示す条件に変更するとともに、被覆ニッケルめっきを行わなかった以外は、実施例１と同様にして、比較例２５〜３２の粗化ニッケルめっき板を得て、同様に評価を行った。結果を表４に示す。

《比較例３３》
粗化ニッケルめっき、および被覆ニッケルめっきのいずれも行わなかった以外は、実施例１と同様にして、比較例３３の粗化ニッケルめっき板を得て、同様に評価を行った。結果を表４に示す。

《比較例３４〜３６》
粗化ニッケルめっきの条件を、表４に示す条件に変更するとともに、被覆ニッケルめっきを行わなかった以外は、実施例１と同様にして、比較例３４〜３６の粗化ニッケルめっき板を得て、同様に評価を行った。結果を表４に示す。

《比較例３７〜３９》
粗化ニッケルめっき、および被覆ニッケルめっきの条件を、表４に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様にして、比較例３７〜３９の粗化ニッケルめっき板を得て、同様に評価を行った。結果を表４に示す。

表１〜４から確認できるように、粗化ニッケル層表面の明度Ｌ^＊が３０〜５０であり、かつ、粗化ニッケル層表面の８５°光沢度が１．５〜５０である場合には、いずれも、金属基材に対する、粗化ニッケル層の密着性が良好であり、しかも、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ樹脂）に対する密着性に優れるものであった（実施例１〜３６）。
一方、粗化ニッケル層を形成しない場合や、粗化ニッケル層表面の明度Ｌ^＊または８５°光沢度が、本発明所定の範囲外である場合には、金属基材に対する、粗化ニッケル層の密着性、および、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ樹脂）に対する密着性のいずれか、あるいは両方に劣る結果となった（比較例１〜３９）。
なお、図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、実施例２８の粗化ニッケルめっき板の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察して得た画像であり、図５（Ｃ）、図５（Ｄ）に、実施例２８の粗化ニッケルめっき板の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察して得た画像である。また、図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、比較例５の粗化ニッケルめっき板の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察して得た画像であり、図６（Ｃ）、図６（Ｄ）は、比較例５の粗化ニッケルめっき板の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察して得た画像である。
なお、図５（Ａ）〜図５（Ｄ）、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）中、画像の左下の測定条件記載部分におけるスケールバー（白線）は、いずれも、１μｍの長さを示している。

また、表１〜表４中においては、下地ニッケルめっきにおける処理条件から、下地ニッケル層のニッケル量を算出し、「下地ニッケル層」として記載し、また、被覆ニッケルめっきによる処理条件から、ニッケル被膜１２２のニッケルめっき量を算出し、「ニッケル被膜」として記載したが、被覆ニッケルめっきを行った際には、ニッケル粒状物１２１を被覆するニッケル被膜１２２として、粗化ニッケル層１２を形成する他、その一部については、下地ニッケル層を形成することとなる。すなわち、下地ニッケル層の成長にも寄与することとなる。実際に、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、形成された下地ニッケル層の厚みを算出し、算出した厚みから、下地ニッケル層のニッケル量を算出したところ、実施例５においては、１１．６ｇ／ｍ^２であり、実施例６においては、１１．６ｇ／ｍ^２であり、実施例７においては、１２．５ｇ／ｍ^２であり、実施例８においては、１３．４ｇ／ｍ^２であった。これらの数値と、実施例５〜８のめっき処理条件からの計算値との差分より、下地ニッケル層の成長を算出できる。同様に実施例１〜３６において、差分を算出したところ、１．８〜４．５ｇ／ｍ^２となった。（表１および表２に示す。）またこれらの平均としては２．８ｇ／ｍ^２となった。なお、表１、表２中、右から３番目の欄に、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）断面像から測定した下地ニッケル層のニッケル厚み（μｍ）を、右から２番目の欄に、前記下地ニッケル層のニッケル厚みから算出された下地ニッケル層のニッケル量（ｇ／ｍ^２）を、それぞれ示した。また、表１、表２中、一番右の欄に、下地ニッケル成長量、すなわち、下地ニッケル層を形成するためのめっきを行った後、被覆ニッケルめっきを行うことによる、下地ニッケル層の増加量を示した。
この様にして、本願実施の形態において、走査型電子顕微鏡の断面画像より下地ニッケル層および粗化めっき層の付着量を求める場合には、下地ニッケル層から２．８ｇ／ｍ^２（０．３２μｍ分）を差し引き、粗化めっき層に加えることで、各層の付着量（厚み）を算出することが出来る。

《実施例４２》
実施例１と同様の条件で下地ニッケル層を鋼板の両面に形成した後、下地ニッケル層を形成した鋼板の片面をマスキングし、マスキングした面と反対側に、実施例１と同じ浴組成を有する粗化ニッケルめっき浴を用いて、実施例１と同じ条件にて電解めっきを行うことで、下地ニッケル層上にニッケル粒状物を析出させた。さらに、実施例１と同じ浴組成を有する被覆ニッケルめっき浴を用いて、実施例１と同じ条件にて電解めっきを行うことで、被覆ニッケルめっきを行い、これにより、粗化ニッケル層が片面のみに形成された粗化ニッケルめっき板（図１Ｂに示す態様の粗化ニッケルめっき板）を得た。そして、得られた粗化ニッケルめっき板について、実施例１と同様に評価を行ったところ、同様の形状、効果が得られることが確認された。

１，１ａ…粗化ニッケルめっき板
１１…金属基材
１２…粗化ニッケル層
１２１…ニッケル粒状物
１２２…ニッケル被膜
１３…下地ニッケル層

Claims (6)

1. 金属基材の少なくとも一方の面に、最表層として粗化ニッケル層を有する粗化ニッケルめっき板であって、
   前記粗化ニッケル層表面の明度Ｌ^＊が３０〜５０であり、
   前記粗化ニッケル層表面の８５°光沢度が１．５〜５０である、粗化ニッケルめっき板。
2. 前記金属基材が、Ｆｅ，Ｃｕ，ＡｌおよびＮｉから選択される一種の純金属からなる金属板もしくは金属箔、または、Ｆｅ，Ｃｕ，ＡｌおよびＮｉから選択される一種を含む合金からなる金属板もしくは金属箔である請求項１に記載の粗化ニッケルめっき板。
3. 前記金属基材が、鋼板である請求項１または２に記載の粗化ニッケルめっき板。
4. 前記金属基材の厚みが、０．０１〜２．０ｍｍである請求項１〜３のいずれかに記載の粗化ニッケルめっき板。
5. ニッケルめっきの付着量が、５．０〜５０．０ｇ／ｍ^２である請求項１〜４のいずれかに記載の粗化ニッケルめっき板。
6. 前記粗化ニッケル層の、レーザー顕微鏡測定による、算術平均粗さＲａが０．１〜３．０μｍであり、前記粗化ニッケル層の、レーザー顕微鏡測定による、十点平均粗さＲｚ_ｊｉｓが２．０〜２０．０μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の粗化ニッケルめっき板。

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