JPWO2020013191A5 - - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 5
- -1 chalcogenide compound Chemical class 0.000 claims 4
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- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 1
Claims (5)
- 一般式（1）：
M1M2 x （1）
［式中、M1は周期表第14族元素を示す。M2は周期表第16族元素を示す。xは0.9～1.1を示す。］
で表されるカルコゲナイド化合物を含有し、
X線回折測定において、前記カルコゲナイド化合物の存在量が90モル%以上である、高純度カルコゲナイド材料。 - 前記M 1 がGeである、請求項１に記載の高純度カルコゲナイド材料。
- 請求項１又は２に記載の高純度カルコゲナイド材料の製造方法であって、
（1）周期表第14族分子と、周期表第16族分子とを含む原料を加熱し、前記一般式（1）で表されるカルコゲナイド化合物及び周期表第14族分子の二相共存材料を作製する工程、
（2）前記工程（1）で得られた二相共存材料を加熱し、前記カルコゲナイド化合物を蒸発させる工程
を備える、製造方法。 - 前記工程（2）における加熱温度が300～900℃である、請求項３に記載の製造方法。
- 前記工程（2）において、加熱を行う際の圧力が10-6～10Paである、請求項３又は４に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018130688 | 2018-07-10 | ||
| JP2018130688 | 2018-07-10 | ||
| PCT/JP2019/027172 WO2020013191A1 (ja) | 2018-07-10 | 2019-07-09 | 高純度カルコゲナイド材料及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2020013191A1 JPWO2020013191A1 (ja) | 2021-07-15 |
| JPWO2020013191A5 true JPWO2020013191A5 (ja) | 2022-06-15 |
Family
ID=69142444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020530205A Pending JPWO2020013191A1 (ja) | 2018-07-10 | 2019-07-09 | 高純度カルコゲナイド材料及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2020013191A1 (ja) |
| WO (1) | WO2020013191A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN114908412A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-08-16 | 福州大学 | 一种高效生长三硫化二锡单晶热电材料的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0761818A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-07 | Nisshin Steel Co Ltd | ＳｎＳ半導体膜の製造方法 |
| JP4255955B2 (ja) * | 2006-04-19 | 2009-04-22 | 日本精鉱株式会社 | 金属硫化物粉末の製造方法および装置 |
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-
2019
- 2019-07-09 WO PCT/JP2019/027172 patent/WO2020013191A1/ja active Application Filing
- 2019-07-09 JP JP2020530205A patent/JPWO2020013191A1/ja active Pending
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