JPWO2020013191A1 - 高純度カルコゲナイド材料及びその製造方法 - Google Patents
高純度カルコゲナイド材料及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020013191A1 JPWO2020013191A1 JP2020530205A JP2020530205A JPWO2020013191A1 JP WO2020013191 A1 JPWO2020013191 A1 JP WO2020013191A1 JP 2020530205 A JP2020530205 A JP 2020530205A JP 2020530205 A JP2020530205 A JP 2020530205A JP WO2020013191 A1 JPWO2020013191 A1 JP WO2020013191A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- periodic table
- phase
- sns
- chalcogenide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- -1 chalcogenide compound Chemical class 0.000 claims abstract description 45
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 27
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 61
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 21
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 10
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 8
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 8
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 8
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 6
- DZXKSFDSPBRJPS-UHFFFAOYSA-N tin(2+);sulfide Chemical compound [S-2].[Sn+2] DZXKSFDSPBRJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002051 biphasic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N tin(ii) sulfide Chemical compound [Sn]=S AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G17/00—Compounds of germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
項1.一般式(1):
M1M2 x (1)
[式中、M1は周期表第14族元素を示す。M2は周期表第16族元素を示す。xは0.9〜1.1を示す。]
で表されるカルコゲナイド化合物を含有し、
X線回折測定において、前記カルコゲナイド化合物の存在量が90モル%以上である、高純度カルコゲナイド材料。
項2.バルク状又は薄膜状である、項1に記載の高純度カルコゲナイド材料。
項3.項1又は2に記載の高純度カルコゲナイド材料の製造方法であって、
(1)周期表第14族分子と、周期表第16族分子とを含む原料を加熱し、前記一般式(1)で表されるカルコゲナイド化合物及び周期表第14族分子の二相共存材料を作製する工程、
(2)前記工程(1)で得られた二相共存材料を加熱する工程
を備える、製造方法。
項4.前記工程(2)における加熱温度が300〜900℃である、項3に記載の製造方法。
項5.前記工程(2)において、加熱を行う際の圧力が10-6〜10Paである、項3又は4に記載の製造方法。
本発明の高純度カルコゲナイド材料は、一般式(1):
M1M2 x (1)
[式中、M1は周期表第14族元素を示す。M2は周期表第16族元素を示す。xは0.9〜1.1を示す。]
で表されるカルコゲナイド化合物を含有し、
X線回折測定において、前記カルコゲナイド化合物の存在量が90モル%以上である。
本発明の高純度カルコゲナイド材料の製造方法は、
(1)周期表第14族分子と、周期表第16族分子とを含む原料を加熱し、前記一般式(1)で表されるカルコゲナイド化合物及び周期表第14族分子の二相共存材料を作製する工程、
(2)前記工程(1)で得られた二相共存材料を加熱する工程
を備える。
工程(1)では、周期表第14族分子と、周期表第16族分子とを含む原料を加熱し、前記一般式(1)で表されるカルコゲナイド化合物及び周期表第14族分子の二相共存材料を作製する。
工程(2)では、工程(1)で得られた二相共存材料を加熱する。工程(1)で得られた二相共存材料は、周期表第14族分子と目的のカルコゲナイド化合物とが混在しているが、これら二成分は平衡蒸気圧が大きく異なるため、この蒸気圧差を利用して、目的のカルコゲナイド化合物のみを単離することができる。
原料試薬には純スズ((株)高純度化学研究所製、粒状、4N)及び純硫黄((株)高純度化学研究所製、粉末状、4N)を用いた。純スズはHCl(ナカライテスク(株)製、35質量%)を超純水で10倍に希釈したものに30秒間浸漬することにより表面の酸化皮膜をエッチングし、超純水中で5分間超音波洗浄後、2-プロパノール中で5分間超音波洗浄してから窒素ガスで乾燥させた。
製造例1で作製したSn-SnS二相試料を原料とした。原料を約10gとなるよう秤量し、外径φ9mm、内径φ7mmの石英管に真空封入した。真空引きは油拡散ポンプにより行い、10-2Pa程度の真空度に達したところで石英管をバーナーで熱し、溶接することで封入を行った。上端部での結晶析出を促すため、アンプル先端を窄ませた。
薄膜の基板にはソーダライムガラス(SLG)を用いた。SLGはダイヤモンドペンを用いて10mm×10mm×0.5mmに切り出し、中性洗剤で洗浄した後、アセトン、2-プロパノール及び超純水の順にそれぞれ5分間超音波洗浄を行った。洗浄後のSLGは窒素ガスを用いて乾燥を行った。なお、SLGの基板温度は室温又は300℃とした。蒸発源には製造例1で作製したSn-SnS二相試料を用いた。試料はダイヤモンドホイールソーを用いて約3mm幅になるように切断した。切断した試料をタングステンボート上に設置してボートを抵抗加熱することで蒸発させた。蒸着時の真空度は4×10-2Paとし、電流値は約16Aとして2.5分間蒸着を行った。これにより、試料の加熱温度は900〜1000℃程度であった。
市販のSnS試薬(3Nグレード、粉末試料及び粒状試料)を比較例1のSnS試薬として採用した。実施例1及び2と同様に、X線回析装置(PANalytical製、X’pert PRO Alpha-1)を用いて相同定を行った。入射X線には単色化したCu Kα1線(λ= 1.5406Å)を用い、管電圧45kV、管電流40mAに設定した。ゴニオメータの走査法はθ-2θ法を利用し、ステップ角は0.00836°step-1、積算時間は59.7s step-1とし走査角度は20°-40°の間で行った。結果を図13に示す。この結果、実施例1及び2とは異なり、粉末試料及び粒状試料のいずれにおいても、SnS以外にもSn2S3及びSnO2が混在しており、SnSの存在量は50モル%程度に過ぎないことが理解できる。
製造例1で作製したSn-SnS二相試料の代わりに市販のSnS試薬(3Nグレード、粉末試料及び粒状試料)を用いたこと以外は実施例2と同様に真空蒸着を行った。
図15に示されるGe-S系状態図からも理解できるように、Sn-SnS二相試料と同様にGe-GeS二相試料を作製することができ、また、図16に示される蒸気圧曲線からも理解できるようにこのGe-GeS二相試料を原料として使用した場合にはGeS単相結晶を作製することが可能である。
Claims (5)
- 一般式(1):
M1M2 x (1)
[式中、M1は周期表第14族元素を示す。M2は周期表第16族元素を示す。xは0.9〜1.1を示す。]
で表されるカルコゲナイド化合物を含有し、
X線回折測定において、前記カルコゲナイド化合物の存在量が90モル%以上である、高純度カルコゲナイド材料。 - バルク状又は薄膜状である、請求項1に記載の高純度カルコゲナイド材料。
- 請求項1又は2に記載の高純度カルコゲナイド材料の製造方法であって、
(1)周期表第14族分子と、周期表第16族分子とを含む原料を加熱し、前記一般式(1)で表されるカルコゲナイド化合物及び周期表第14族分子の二相共存材料を作製する工程、
(2)前記工程(1)で得られた二相共存材料を加熱する工程
を備える、製造方法。 - 前記工程(2)における加熱温度が300〜900℃である、請求項3に記載の製造方法。
- 前記工程(2)において、加熱を行う際の圧力が10-6〜10Paである、請求項3又は4に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018130688 | 2018-07-10 | ||
JP2018130688 | 2018-07-10 | ||
PCT/JP2019/027172 WO2020013191A1 (ja) | 2018-07-10 | 2019-07-09 | 高純度カルコゲナイド材料及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020013191A1 true JPWO2020013191A1 (ja) | 2021-07-15 |
JPWO2020013191A5 JPWO2020013191A5 (ja) | 2022-06-15 |
Family
ID=69142444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020530205A Pending JPWO2020013191A1 (ja) | 2018-07-10 | 2019-07-09 | 高純度カルコゲナイド材料及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2020013191A1 (ja) |
WO (1) | WO2020013191A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114908412A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-08-16 | 福州大学 | 一种高效生长三硫化二锡单晶热电材料的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0761818A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-07 | Nisshin Steel Co Ltd | SnS半導体膜の製造方法 |
JP2007284309A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Nihon Seiko Co Ltd | 金属硫化物粉末の製造方法および装置 |
JP2015107903A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-06-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 硫化スズ焼結体およびその製造方法 |
-
2019
- 2019-07-09 JP JP2020530205A patent/JPWO2020013191A1/ja active Pending
- 2019-07-09 WO PCT/JP2019/027172 patent/WO2020013191A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0761818A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-07 | Nisshin Steel Co Ltd | SnS半導体膜の製造方法 |
JP2007284309A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Nihon Seiko Co Ltd | 金属硫化物粉末の製造方法および装置 |
JP2015107903A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-06-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 硫化スズ焼結体およびその製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
INTERNET ARCHIVE WAYBACK MACHINE, JPN6023000204, 27 December 2022 (2022-12-27), ISSN: 0004959486 * |
VOZNYI, A., ET AL.: "Formation of SnS phase obtained by thermal vacuum annealing of SnS2 thin films and its application i", MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, vol. 79, JPN6019038858, 20 February 2018 (2018-02-20), pages 32 - 39, XP085359417, ISSN: 0004959485, DOI: 10.1016/j.mssp.2018.01.021 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020013191A1 (ja) | 2020-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Crovetto et al. | Parallel evaluation of the BiI3, BiOI, and Ag3BiI6 layered photoabsorbers | |
Brummer et al. | Formation of CuInSe2 by the annealing of stacked elemental layers—analysis by in situ high-energy powder diffraction | |
Johnson et al. | Self-regulation of Cu/Sn ratio in the synthesis of Cu2ZnSnS4 films | |
Guillén et al. | P-type SnO thin films prepared by reactive sputtering at high deposition rates | |
US7534414B2 (en) | Clathrate compounds and method of manufacturing | |
Ettlinger et al. | Pulsed laser deposition from ZnS and Cu2SnS3 multicomponent targets | |
Horie et al. | Controlled thermal decomposition of NaSi to derive silicon clathrate compounds | |
CN109824098A (zh) | 一种过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和用途 | |
Manavizadeh et al. | Influence of substrates on the structural and morphological properties of RF sputtered ITO thin films for photovoltaic application | |
Park et al. | Wafer-scale growth of ITO nanorods by radio frequency magnetron sputtering deposition | |
Matheswaran et al. | Effect of annealing on the structural and optical properties of InSe bilayer thin films | |
Chen et al. | Low-temperature growth of Na doped CIGS films on flexible polymer substrates by pulsed laser ablation from a Na containing target | |
Peranantham et al. | The effect of annealing on vacuum-evaporated copper selenide and indium telluride thin films | |
Kim et al. | Crystallization behavior and thermoelectric characteristics of the electrodeposited Sb2Te3 thin films | |
Thelander et al. | Low temperature epitaxy of Ge-Sb-Te films on BaF2 (111) by pulsed laser deposition | |
Tveryanovich et al. | Fabrication of stoichiometric oriented Ag2Se thin film by laser ablation | |
Merino et al. | Flash evaporation of chalcogenide thin films | |
Buha | Solar absorption and microstructure of C-doped and H-co-doped TiO2 thin films | |
Suthar et al. | Effect of thermal annealing on physical properties of Cu-doped ZnTe thin films: functionality as interface layer | |
Khan et al. | Tungsten dopant incorporation for bandgap and type engineering of perovskite crystals | |
Kumari et al. | Understanding grain growth mechanism in vacuum evaporated cdte thin films by different halide treatments: an evolution of ion size impact on physical properties for solar cell applications | |
JPWO2020013191A1 (ja) | 高純度カルコゲナイド材料及びその製造方法 | |
Cruz-Gandarilla et al. | Micro-structural characterization of annealed cadmium–zinc oxide thin films obtained by spray pyrolysis | |
Orujlu | Phase equilibria in the SnBi2Te4 MnBi2Te4 system and characterization of the Sn1-xMnxBi2Te4 solid solutions | |
Atasoy et al. | Improved CZTSe solar cell efficiency via silver and germanium alloying |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220607 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230110 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230511 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230822 |