JPWO2020008599A1 - エネルギ計測装置及びエキシマレーザ装置 - Google Patents
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Abstract
本開示の一観点に係るエネルギ計測装置は、メイン光の一部を第1ビームスプリッタ、第2ビームスプリッタ、第3ビームスプリッタ、及び第4ビームスプリッタで順に反射してエネルギセンサに入力する。第1ビームスプリッタ、第2ビームスプリッタ、第3ビームスプリッタ、及び第4ビームスプリッタは、メイン光の入射角変化及び偏光純度変化によるエネルギセンサの検出値の変化を抑制する入射角、光路の折り曲げ方向となるように配置されている。
Description
本開示は、エネルギ計測装置及びエキシマレーザ装置に関する。
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、半導体露光装置においては解像力の向上が要請されている。半導体露光装置を以下、単に「露光装置」という。このため露光用光源から出力される光の短波長化が進められている。露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられている。現在、露光用のガスレーザ装置としては、波長248nmの紫外線を出力するKrFエキシマレーザ装置ならびに、波長193nmの紫外線を出力するArFエキシマレーザ装置が用いられている。
現在の露光技術としては、露光装置側の投影レンズとウエハ間の間隙を液体で満たして、当該間隙の屈折率を変えることによって、露光用光源の見かけの波長を短波長化する液浸露光が実用化されている。ArFエキシマレーザ装置を露光用光源として用いて液浸露光が行われた場合は、ウエハには等価における波長134nmの紫外光が照射される。この技術をArF液浸露光という。ArF液浸露光はArF液浸リソグラフィーとも呼ばれる。
KrF、ArFエキシマレーザ装置の自然発振におけるスペクトル線幅は約350〜400pmと広いため、露光装置側の投影レンズによってウエハ上に縮小投影されるレーザ光(紫外線光)の色収差が発生して解像力が低下する。そこで色収差が無視できる程度となるまでガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する必要がある。スペクトル線幅はスペクトル幅とも呼ばれる。このためガスレーザ装置のレーザ共振器内には狭帯域化素子を有する狭帯域化部(Line Narrow Module)が設けられ、この狭帯域化部によりスペクトル幅の狭帯域化が実現されている。なお、狭帯域化素子はエタロンやグレーティング等であってもよい。このようにスペクトル幅が狭帯域化されたレーザ装置を狭帯域化レーザ装置という。
また、エキシマレーザ光はパルス幅が約数10nsであって、波長は248.4nmや193.4nmと短いことから、高分子材料やガラス材料等の直接加工に用いられることがある。高分子材料は、結合エネルギよりも高いフォトンエネルギをもつエキシマレーザ光によって、高分子材料の結合を切断できる。そのため、非加熱加工が可能となり、加工形状が綺麗になることが知られている。
また、ガラスやセラミックス等はエキシマレーザ光に対する吸収率が高いので、可視レーザ光及び赤外線レーザ光では加工することが難しい材料の加工もできることが知られている。
本開示の1つの観点に係るエネルギ計測装置は、レーザ発振器から出力されるレーザ光のエネルギを計測するエネルギ計測装置であって、レーザ発振器から出力されるレーザ光の第1光路上に第1入射角で配置され、第1光路を通るレーザ光の一部を反射して第2光路を生成する第1ビームスプリッタと、第2光路上に第2入射角で配置され、第2光路を通るレーザ光の一部を反射して第3光路を生成する第2ビームスプリッタと、第3光路上に第3入射角で配置され、第3光路を通るレーザ光の一部を反射して第4光路を生成する第3ビームスプリッタと、第4光路上に第4入射角で配置され、第4光路を通るレーザ光の一部を反射して第5光路を生成する第4ビームスプリッタと、第5光路上又は第5光路を経由した光路上に配置されたエネルギセンサと、を備え、第1入射角と第2入射角とは等しく、第3入射角と第4入射角とは等しく、第1ビームスプリッタの第1入射面と第2ビームスプリッタの第2入射面とは第1平面上にあり、第3ビームスプリッタの第3入射面と第4ビームスプリッタの第4入射面とは第1平面に対して垂直な第2平面上にあり、第1ビームスプリッタは、第1平面において第1光路を第1方向に折り曲げて第2光路を生成し、第2ビームスプリッタは、第1平面において第2光路を第1方向に折り曲げて第3光路を生成し、第3ビームスプリッタは、第2平面において第3光路を第2方向に折り曲げて第4光路を生成し、第4ビームスプリッタは、第2平面において第4光路を第2方向に折り曲げて第5光路を生成するエネルギ計測装置である。
本開示の1つの観点に係るエネルギ計測装置は、レーザ発振器から出力されるレーザ光のエネルギを計測するエネルギ計測装置であって、レーザ発振器から出力されるレーザ光の第1光路上に第1入射角で配置され、第1光路を通るレーザ光の一部を反射して第2光路を生成する第1ビームスプリッタと、第2光路上に第2入射角で配置され、第2光路を通るレーザ光の一部を反射して第3光路を生成する第2ビームスプリッタと、第3光路上に第3入射角で配置され、第3光路を通るレーザ光の一部を反射して第4光路を生成する第3ビームスプリッタと、第4光路上に第4入射角で配置され、第4光路を通るレーザ光の一部を反射して第5光路を生成する第4ビームスプリッタと、第5光路上又は第5光路を経由した光路上に配置されたエネルギセンサと、を備え、第1入射角と第4入射角とは等しく、第2入射角と第3入射角とは等しく、第1ビームスプリッタの第1入射面と第4ビームスプリッタの第4入射面とは第1平面に平行であり、第2ビームスプリッタの第2入射面と第3ビームスプリッタの第3入射面とは第1入射面に対して垂直な第2平面上にあり、第1ビームスプリッタは、第1入射面において第1光路を第1方向に折り曲げて第2光路を生成し、第2ビームスプリッタは、第2平面において第2光路を第2方向に折り曲げて第3光路を生成し、第3ビームスプリッタは、第2平面において第3光路を第2方向に折り曲げて第4光路を生成し、第4ビームスプリッタは、第4入射面において第4光路を第1方向とは逆方向に折り曲げて第5光路を生成するエネルギ計測装置である。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図1は、例示的なエキシマレーザ装置の構成を概略的に示す図である。
図2は、フッ化カルシウムの反射特性を示す図である。
図3は、実施形態1に係るパワーモニタの構成を概略的に示す斜視図である。
図4は、実施形態1に係るパワーモニタの構成を概略的に示す正面図である。
図5は、実施形態1に係るパワーモニタの構成を概略的に示す側面図である。
図6は、メイン光の入射角変化による検出値の変化の抑制の説明図である。
図7は、メイン光の入射角変化による検出値の変化の抑制の説明図である。
図8は、実施形態2に係るパワーモニタの構成を概略的に示す斜視図である。
図9は、実施形態2に係るパワーモニタの構成を概略的に示す正面図である。
図10は、実施形態2に係るパワーモニタの構成を概略的に示す側面図である。
図11は、実施形態2に係るパワーモニタの構成を概略的に示す上面図である。
図12は、メイン光の入射角変化による検出値の変化の抑制の説明図である。
図13は、実施形態3に係るパワーモニタの構成を概略的に示す斜視図である。
図14は、実施形態3に係るパワーモニタの構成を概略的に示す斜視図である。
−目次−
1.エキシマレーザ装置の全体説明
1.1 構成
1.2 動作
2.課題
3.実施形態1
3.1 構成
3.2 動作
3.3 作用・効果
4.実施形態2
4.1 構成
4.2 動作
4.3 作用・効果
5.実施形態3
5.1 構成
5.2 動作
5.3 作用・効果
6.その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
1.エキシマレーザ装置の全体説明
1.1 構成
1.2 動作
2.課題
3.実施形態1
3.1 構成
3.2 動作
3.3 作用・効果
4.実施形態2
4.1 構成
4.2 動作
4.3 作用・効果
5.実施形態3
5.1 構成
5.2 動作
5.3 作用・効果
6.その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
1.エキシマレーザ装置の全体説明
1.1 構成
図1は、例示的なエキシマレーザ装置の構成を概略的に示す図である。エキシマレーザ装置1は、制御部10と、レーザ発振器システム20とを含む。
1.1 構成
図1は、例示的なエキシマレーザ装置の構成を概略的に示す図である。エキシマレーザ装置1は、制御部10と、レーザ発振器システム20とを含む。
制御部10は、露光装置100に設けられた露光装置コントローラ110との間で各種信号を送受信する。制御部10は、レーザ発振器システム20を制御する。制御部10には、記憶部12が設けられている。
レーザ発振器システム20(レーザ発振器の一例)は、チャンバ22と、レーザ共振器28と、充電器34と、パルスパワーモジュール(PPM:Pulse Power Module)36と、パワーモニタ38と、を含む。
チャンバ22は、一対の電極24a及び24bと、レーザ光を透過する2つのウインドウ26a及び26bとを含む。チャンバ22は、レーザ共振器28の光路上に配置される。
チャンバ22には、例えば、レアガスとしてアルゴンガス又はクリプトンガス、ハロゲンガスとしてフッ素ガス又は塩素ガス、バッファガスとしてネオンガス又はヘリュームガスを含むレーザガスが封入される。一対の電極24a及び24bは、レーザガスを放電により励起するための電極である。チャンバ22内で発生したレーザ光は、ウインドウ26a及び26bを介してチャンバ22の外部に出射する。
レーザ共振器28は、出力結合ミラー(OC:Output Coupler)30と、狭帯域化モジュール(LNM:Line Narrowing Module)32とを含む。
出力結合ミラー30は、チャンバ22から出力されるレーザ光のうちの一部のレーザ光を透過させて出力し、一部のレーザ光を反射させてチャンバ22内に戻す部分反射ミラーである。
狭帯域化モジュール32は、プリズム32aとグレーティング32bとを含む。プリズム32aはビームの幅を拡大する。グレーティング32bは、入射角と回折角度とが同じ角度となるリトロー配置される。狭帯域化モジュール32は、プリズム32aとグレーティング32bとによってレーザ光から特定の波長のレーザ光を取り出し、レーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する。
出力結合ミラー30とグレーティング32bとの間の距離は、チャンバ22から出力される所定波長のレーザ光が定常波を形成する距離に設定される。チャンバ22から出射したレーザ光は、狭帯域化モジュール32と出力結合ミラー30との間で往復し、チャンバ22内の電極24aと電極24bとの間を通過する度に増幅される。増幅されたレーザ光の一部は、出力結合ミラー30を介して、出力レーザ光として出力される。
充電器34は、電源装置に接続されたコンデンサによって構成される。充電器34は、一対の電極24a及び24b間に高電圧を印加するための電気エネルギを保持する。充電器34は、パルスパワーモジュール36に設けられる充電コンデンサに接続される。
パルスパワーモジュール36は、不図示の充電コンデンサ、及び制御部10によって制御されるスイッチ36aを含む。スイッチ36aがオフからオンになると、パルスパワーモジュール36は、充電器34に保持されていた電気エネルギからパルス状の高電圧を生成し、この高電圧を一対の電極24a及び24b間に印加する。
パワーモニタ38は、出力結合ミラー30から出力される出力レーザ光のエネルギを計測するエネルギ計測装置である。パワーモニタ38は、出力レーザ光の光路上に配置されるビームスプリッタ38aと、集光レンズ38bと、光センサ38cとを含む。
ビームスプリッタ38aは、入射した光を2方向に分岐させる光学素子であり、入射した光の一部を透過させるとともに一部を反射させる。集光レンズ38bは、レーザ光を集光するレンズであり、複数のレンズで構成してもよい。光センサ38cは、例えばフォトダイオードであり、入射するレーザ光の強度に応じた検出信号を出力する。
1.2 動作
制御部10は、露光装置100に設けられた露光装置コントローラ110から送信された目標パルスエネルギEtと発振トリガ信号とを受信する。
制御部10は、露光装置100に設けられた露光装置コントローラ110から送信された目標パルスエネルギEtと発振トリガ信号とを受信する。
制御部10は、受信した目標パルスエネルギEtと発振トリガ信号とに基づき、レーザ光のパルスエネルギが目標パルスエネルギEtとなるように充電器34に所定の充電電圧(Vhv)を設定する。制御部10は、発振トリガ信号に同期させてパルスパワーモジュール36のスイッチ36aを動作させる。パルスパワーモジュール36は、スイッチ36aの動作に応じて、充電器34により加えられた充電電圧を短パルス化して、一対の電極24a及び24b間に高電圧を印加する。
一対の電極24a及び24b間に高電圧が印加されると、一対の電極24a及び24b間に放電が発生する。この放電のエネルギにより、チャンバ22内のレーザガスが励起される。レーザ共振器28は、励起されたレーザガスより発せられた光を、出力結合ミラー30と、狭帯域化モジュール32との間で共振させ、レーザ発振させる。狭帯域化モジュール32は、プリズム32aとグレーティング32bとによってレーザ光を狭帯域化する。狭帯域化されたレーザ光は、出力結合ミラー30を透過して出力される。
出力結合ミラー30から出力された出力レーザ光は、パワーモニタ38のビームスプリッタ38aに入射する。ビームスプリッタ38aに入射したレーザ光は、ビームスプリッタ38aによって一部が透過し、一部が反射する。
ビームスプリッタ38aを透過したレーザ光は、露光装置100に入射する。一方、ビームスプリッタ38aによって反射したレーザ光は、パワーモニタ38の集光レンズ38bを介して光センサ38cに入射する。パワーモニタ38は、光センサ38cによって出力レーザ光のパルスエネルギEを検出する。
制御部10は、充電電圧Vhvと出力レーザ光のパルスエネルギEとの少なくとも1つを記憶部12に記憶させる。制御部10は、以上の動作を繰り返すことによって、各々のパルスにおける充電電圧Vhv(Vhv1,Vhv2,・・・・,Vhvn)と出力レーザ光のパルスエネルギE(E1,E2,・・・・,En)とを記憶してもよい。
また、制御部10は、目標パルスエネルギEtと光センサ38cにより検出されたエネルギEとの差ΔEに基づいて、次のレーザ発振に用いられる充電電圧Vhvを定めるフィードバック制御を行う。
2.課題
パワーモニタ38は、光センサ38cに入射するレーザ光が強すぎると、光センサ38cの劣化が進んで寿命が低下する。
パワーモニタ38は、光センサ38cに入射するレーザ光が強すぎると、光センサ38cの劣化が進んで寿命が低下する。
また、パワーモニタ38に入射するレーザ光の入射角及び偏光純度の少なくとも一方が変化すると、実際のパルスエネルギが一定であってもエネルギ検出値が変化する。
図2は、ビームスプリッタ38aの材質の一例であるフッ化カルシウム(CaF2)に入射するレーザ光の入射角と反射率との関係を示している。図2において、実線はS偏光に対する反射率を示し、破線はP偏光に対する反射率を示している。図2では、波長248nmのKrFエキシマレーザ光の入射角が40度から50度までの間における関係を示している。
図2に示すように、フッ化カルシウムは、各入射角においてP偏光に対する反射率とS偏光に対する反射率が異なっている。このため、ビームスプリッタ38aに入射するレーザ光の偏光純度が変化すると、光センサ38cに入射する光量が変化する。
また、フッ化カルシウムは、入射角の増加に伴いP偏光に対する反射率が減少し、S偏光に対する反射率が増加する関係を有している。このため、ビームスプリッタ38aに入射するレーザ光の入射角が変化すると、光センサ38cに入射する光量が変化する。
ここでは、フッ化カルシウムについて説明したが、サファイヤ及び合成石英についても同様の性質を有している。
3.実施形態1
3.1 構成
図3、図4、及び図5は、それぞれ実施形態1に係るパワーモニタの構成を概略的に示す斜視図、正面図、及び側面図である。図4及び図5においては、チャンバ22及びレーザ共振器28についても示している。実施形態1において、出力結合ミラー30から出力されたエキシマレーザ光(以下、メイン光という)の進行方向をZ方向、Z方向に直交する平面内のそれぞれ直交する方向をH方向及びV方向と定義する。
3.1 構成
図3、図4、及び図5は、それぞれ実施形態1に係るパワーモニタの構成を概略的に示す斜視図、正面図、及び側面図である。図4及び図5においては、チャンバ22及びレーザ共振器28についても示している。実施形態1において、出力結合ミラー30から出力されたエキシマレーザ光(以下、メイン光という)の進行方向をZ方向、Z方向に直交する平面内のそれぞれ直交する方向をH方向及びV方向と定義する。
実施形態1に係るパワーモニタ50(エネルギ計測装置の一例)は、第1ビームスプリッタ52と、第2ビームスプリッタ54と、第3ビームスプリッタ56と、第4ビームスプリッタ58と、集光レンズ60と、拡散板62と、光センサ64とを含む。
第1ビームスプリッタ52、第2ビームスプリッタ54、第3ビームスプリッタ56、及び第4ビームスプリッタ58は、それぞれ同一の材質で構成され、ここではフッ化カルシウムで構成される。したがって、第1ビームスプリッタ52、第2ビームスプリッタ54、第3ビームスプリッタ56、及び第4ビームスプリッタ58は、同一の反射特性を有する。
第1ビームスプリッタ52、第2ビームスプリッタ54、第3ビームスプリッタ56、及び第4ビームスプリッタ58は、それぞれノンコートのビームスプリッタである。
なお、第1ビームスプリッタ52、第2ビームスプリッタ54、第3ビームスプリッタ56、及び第4ビームスプリッタ58は、それぞれ同一のコーティングを有していてもよい。
また、メイン光がXeClエキシマレーザ又はXeFエキシマレーザの場合は、第1ビームスプリッタ52、第2ビームスプリッタ54、第3ビームスプリッタ56、及び第4ビームスプリッタ58は、サファイヤ又は合成石英で構成されてもよい。
第1ビームスプリッタ52は、メイン光をサンプリングするためのビームスプリッタである。メイン光の設計上の光路を、Z方向に向かう第1光路O1とする。第1ビームスプリッタ52は、第1光路O1上に第1入射角θ1で配置され、第1光路O1を通るメイン光の一部を反射して第2光路O2を生成する。
第1ビームスプリッタ52は、メイン光を反射する反射面がH方向に対して平行に、かつZ方向及びV方向に対して傾斜を持って配置される。ここでは、第1入射角θ1は45度である。即ち、第1ビームスプリッタ52は、反射面がZ方向及びV方向に対して45度の傾斜を持って配置される。第1ビームスプリッタ52は、第1光路O1を通るメイン光の一部を90度に跳ねて−V方向に向かう第2光路O2を生成する。
また、第1光路O1におけるメイン光は、偏光成分のうち最も大きい偏光成分である主偏光成分がV方向に平行である。したがって、第1ビームスプリッタ52の入射面(第1光路O1と第2光路O2とを含む面、第1入射面の一例)とメイン光の主偏光成分とは平行である。即ち、第1ビームスプリッタ52は、第1光路O1を通るメイン光をP偏光として反射(P反射)する。
このように、第1ビームスプリッタ52は、メイン光の主偏光成分が第1ビームスプリッタ52のP偏光となるように配置されることが反射率低減の観点から好ましい。なお、第1ビームスプリッタ52がメイン光をS偏光として反射(S反射)するようにパワーモニタ50を配置してもよい。
第2ビームスプリッタ54は、第2光路O2上に第2入射角θ2で配置され、第2光路O2を通る光の一部を反射して第3光路O3を生成する。
第2ビームスプリッタ54は、光を反射する反射面がH方向に対して平行に、かつZ方向及びV方向に対して傾斜を持って配置される。第2入射角θ2は、第1入射角θ1と等しく、45度である。即ち、第2ビームスプリッタ54は、反射面がZ方向及びV方向に対して45度の傾斜を持って配置される。
本明細書において、2つの角が等しいとは、2つの角が完全に同一のものに限定されず、2つの角が実質的に等しいものを含む。
例えば、第1入射角θ1と第2入射角θ2とが等しいとは、第1入射角θ1と第2入射角θ2とが等しいとみなすことができる範囲内のものを含む。第1入射角θ1と第2入射角θ2とが等しいとみなすことができる範囲内とは、後述するメイン光の入射角変化による検出値の変化を抑制することができる範囲内である。
第2ビームスプリッタ54は、第2光路O2を通る光の一部を90度に跳ねて−Z方向に向かう第3光路O3を生成する。
また、第2光路O2を通る光は、主偏光成分がZ方向に平行である。したがって、第2ビームスプリッタ54は、第2光路O2を通る光をP反射する。第1ビームスプリッタ52の入射面と第2ビームスプリッタ54の入射面(第2光路O1と第3光路O2とを含む面、第2入射面の一例)とは同一平面である。即ち、第1ビームスプリッタ52の入射面と第2ビームスプリッタ54の入射面とは、それぞれ第1平面上にある。
本明細書において、2つの平面が同一平面とは、2つの平面が完全に同一のものに限定されず、2つの平面が実質的に同一のものを含む。
例えば、第1ビームスプリッタ52の入射面と第2ビームスプリッタ54の入射面とが同一平面とは、それぞれの入射面が同一平面とみなすことができる範囲内のものを含む。同一平面とみなすことができる範囲内とは、第1ビームスプリッタ52が第1光路O1を通るメイン光をP反射し、第2ビームスプリッタ54が第2光路O2を通る光をP反射することができる範囲内である。
第3ビームスプリッタ56は、第3光路O3上に第3入射角θ3で配置され、第3光路O3を通る光の一部を反射して第4光路O4を生成する。
第3ビームスプリッタ56は、光を反射する反射面がV方向に対して平行に、かつZ方向及びH方向に対して傾斜を持って配置される。第3入射角θ3は第1入射角θ1と等しいことが望ましく、ここでは、第3入射角θ3は45度である。即ち、第3ビームスプリッタ56は、反射面がZ方向及びH方向に対して45度の傾斜を持って配置される。第3ビームスプリッタ56は、第3光路O3を通る光の一部を90度に跳ねて−H方向に向かう第4光路O4を生成する。
また、第3光路O3を通る光は、主偏光成分がV方向に平行である。したがって、第3ビームスプリッタ56は、第3光路O3を通る光をS反射する。第3ビームスプリッタ56の入射面(第3光路O3と第4光路O4とを含む面、第3入射面の一例)は、第1ビームスプリッタ52の入射面に対して垂直である。即ち、第3ビームスプリッタ56の入射面は、第1平面に対して垂直な第2平面上にある。
本明細書において、2つの平面が垂直とは、2つの平面が完全に垂直のものに限定されず、2つの平面が実質的に垂直のものを含む。
例えば、第1ビームスプリッタ52の入射面と第3ビームスプリッタ56の入射面とが垂直とは、それぞれの入射面が垂直とみなすことができる範囲内のものを含む。垂直とみなすことができる範囲内とは、第1ビームスプリッタ52が第1光路O1を通るメイン光をP反射し、第3ビームスプリッタ56が第3光路O3を通る光をS反射することができる範囲内である。
第4ビームスプリッタ58は、第4光路O4上に第4入射角θ4で配置され、第4光路O4を通る光の一部を反射して第5光路O5を生成する。
第4ビームスプリッタ58は、光を反射する反射面がV方向に対して平行に、かつZ方向及びH方向に対して傾斜を持って配置される。第4入射角θ4は、第3入射角θ3と等しく、45度である。即ち、第4ビームスプリッタ58は、反射面がZ方向及びH方向に対して45度の傾斜を持って配置される。第4入射角θ4は、第2入射角θ2と等しいことが望ましい。
第4ビームスプリッタ58は、第4光路O4を通る光の一部を90度に跳ねてZ方向に向かう第5光路O5を生成する。
また、第4光路O4を通る光は、主偏光成分がV方向に平行である。したがって、第4ビームスプリッタ58は、第4光路O4を通る光をS反射する。第3ビームスプリッタ56の入射面と第4ビームスプリッタ58の入射面(第4光路O4と第5光路O5とを含む面、第4入射面の一例)とは、同一平面である。即ち、第3ビームスプリッタ56の入射面と第4ビームスプリッタ58の入射面とは、それぞれ第2平面上にある。
なお、第2ビームスプリッタ54、第3ビームスプリッタ56、及び第4ビームスプリッタ58の反射面の裏面側には、不図示の光吸収部材が配置される。第2ビームスプリッタ54、第3ビームスプリッタ56、及び第4ビームスプリッタ58を透過した光は、不図示の光吸収部材に吸収される。
集光レンズ60は、レーザ光を集光するレンズであり、第5光路O5上に配置される。集光レンズ60は、第5光路O5を通る光を光センサ64の受光部に集光する。拡散板62は、入射した光を拡散して光センサ64の劣化を防止するためのものであり、例えばすりガラスが用いられる。拡散板62は、集光レンズ60が集光したレーザ光をスムージングして出射する。光センサ64(エネルギセンサの一例)は、例えばフォトダイオードである。光センサ64は、入射したレーザ光のパルスエネルギEを検出する。
ここでは第5光路O5上に光センサ64を配置したが、光センサ64は、第5光路O5を経由した光路上に配置すればよい。例えば、第5光路O5の後に、第1ビームスプリッタ52、第2ビームスプリッタ54、第3ビームスプリッタ56、及び第4ビームスプリッタ58と同様に配置した4つのビームスプリッタによる新たな光路を構成し、新たな光路の出力光路上に光センサ64を配置してもよい。
エキシマレーザ装置1において、パワーモニタ38に代えてパワーモニタ50を適用することができる。
3.2 動作
出力結合ミラー30から出力され、Z方向に向かう第1光路O1を通るメイン光は、第1入射角θ1で第1ビームスプリッタ52に入射する。第1ビームスプリッタ52に入射したメイン光は、一部がP反射し、−V方向に90度に跳ねられる。P反射した光は、第2光路O2を通り、第2入射角θ2で第2ビームスプリッタ54に入射する。
出力結合ミラー30から出力され、Z方向に向かう第1光路O1を通るメイン光は、第1入射角θ1で第1ビームスプリッタ52に入射する。第1ビームスプリッタ52に入射したメイン光は、一部がP反射し、−V方向に90度に跳ねられる。P反射した光は、第2光路O2を通り、第2入射角θ2で第2ビームスプリッタ54に入射する。
第2ビームスプリッタ54に入射した光は、一部がP反射し、−Z方向に90度に跳ねられる。P反射した光は、第3光路O3を通り、第3入射角θ3で第3ビームスプリッタ56に入射する。
図6及び図7は、第1ビームスプリッタ52に入射するメイン光の入射角変化による検出値の変化の抑制を説明するための図である。
パワーモニタ50は、第1ビームスプリッタ52のVZ平面内方向の入射角変化に対し、入射角変化が逆方向に変化する向きに第2ビームスプリッタ54が配置される。具体的には、図6に示すように、第1ビームスプリッタ52及び第2ビームスプリッタ54は、入射光に対し逆方向に跳ねる向きに配置される。即ち、第1ビームスプリッタ52及び第2ビームスプリッタ54は、ビームスプリッタの裏面から反射面に向かう方向をビームスプリッタの法線ベクトルの向きと定義すると、それぞれの法線ベクトルのV方向成分が逆向きで、Z方向成分が同じ向きに配置される。この構成により、第1ビームスプリッタ52は、第1平面において第1光路O1を第1方向である右回り方向に折り曲げて第2光路O2を生成する。また、第2ビームスプリッタ54は、第1平面において第2光路O2を第1方向である右回り方向に折り曲げて第3光路O3を生成する。
第1ビームスプリッタ52と第2ビームスプリッタ54とは、それぞれ光路を右回り方向に折り曲げているが、それぞれ光路を左回り方向に折り曲げてもよい。このように、パワーモニタ50は、第1ビームスプリッタ52と第2ビームスプリッタ54とで、第1ビームスプリッタ52の入射面の同一方向視において右回り方向及び左回り方向のうちのいずれかの同回り方向に折り曲げて光路を生成する構成を有している。即ち、ここでの第1方向とは、Z方向、H方向及びV方向に対する絶対的な方向ではなく、レーザ光の進行方向に対する相対的な方向を表している。
ここで、メイン光の光軸のポインティングがずれ、第1ビームスプリッタ52に対するメイン光の入射角が設計上の第1光路O1の入射角θ1よりVZ平面内において入射角の角度誤差Δθだけ増減する場合について考える。メイン光の入射角がVZ平面内でΔθだけ増減すると、第1ビームスプリッタ52を反射する光の反射角もVZ平面内でΔθだけ増減する。その結果、第2ビームスプリッタ54に入射する光の入射角がVZ平面内で−Δθだけ増減する。
このように、メイン光の入射角がVZ平面内において増減すると、第1ビームスプリッタ52の反射率が入射角依存により変化する。これに対し、第2ビームスプリッタ54の入射角は第1ビームスプリッタ52の入射角の増減とは逆向きに変化する。このため、第1ビームスプリッタ52と第2ビームスプリッタ54とでは、反射率の入射角依存による変化が逆向きとなる。したがって、各反射率の積は変化しにくくなり、メイン光の入射角の増減によるパルスエネルギ検出値の変化を抑制することができる。
入射角の角度誤差Δθは、30ミリラジアン(≒1.72度)以下であることが好ましく、より好ましくは10ミリラジアン(≒0.57度)以下である。
なお、図7に示す例では、第1ビームスプリッタ52及び第2ビームスプリッタ54は、入射光に対し同じ方向に跳ねる向きに配置される。即ち、第1ビームスプリッタ52及び第2ビームスプリッタ54は、それぞれの法線ベクトルのV方向成分及びZ方向成分が逆向きに配置されている。この構成により、第1ビームスプリッタ52と第2ビームスプリッタ54は、同一方向視において逆回り方向に光路を折り曲げている。この場合は、第1ビームスプリッタ52に入射するメイン光の角度変化を打ち消すことはできない。したがって、メイン光の入射角の増減によるパルスエネルギ検出値の変化を抑制することはできない。
図3、図4、及び図5の説明に戻り、第3ビームスプリッタ56に入射したレーザ光は、一部がS反射し、−H方向に90度に跳ねられる。S反射したレーザ光は、第4光路O4を通り、第4入射角θ4で第4ビームスプリッタ58に入射する。
第4ビームスプリッタ58に入射した光は、一部がS反射し、Z方向に90度に跳ねられる。S反射した光は、第5光路O5を通り、集光レンズ60に入射する。
また、パワーモニタ50は、第1ビームスプリッタ52のHZ平面内方向の入射角変化に対し、第3ビームスプリッタ56及び第4ビームスプリッタ58が、メイン光の入射角変化による検出値の変化を抑制するように配置されている。即ち、図5に示すように、第3ビームスプリッタ56及び第4ビームスプリッタ58は、それぞれの法線ベクトルのH方向成分が逆向きで、Z方向成分が同じ向きに配置される。この構成により、第3ビームスプリッタ56は、第2平面において第3光路O3を第2方向である右回り方向に折り曲げて第4光路O4を生成する。また、第4ビームスプリッタ58は、第2平面において第4光路O4を第2方向である右回り方向に折り曲げて第5光路O5を生成する。第2方向についても、Z方向、H方向及びV方向に対する絶対的な方向ではなく、レーザ光の進行方向に対する相対的な方向を表している。HZ平面内方向の入射角の角度誤差Δθについても、30ミリラジアン(≒1.72度)以下であることが好ましく、より好ましくは10ミリラジアン(≒0.57度)以下である。
再び図3、図4、及び図5の説明に戻り、集光レンズ60に入射したレーザ光は、集光されて拡散板62を通過する。拡散板62を通過した光は、スムージングされて光センサ64に入射する。光センサ64は、入射した光の強度に応じた検出信号を出力する。
光センサ64に入射する光は、メイン光から以下のように減光されている。メイン光の波長を248nm、第1ビームスプリッタ52、第2ビームスプリッタ54、第3ビームスプリッタ56、及び第4ビームスプリッタ58の材質であるフッ化カルシウムの入射角が45度の場合のP偏光反射率(%Rp)を0.713%、S偏光反射率(%Rs)を8.446%であるとする。
この場合の4枚のビームスプリッタの反射率%Raは、
%Ra=0.00713×0.00713×0.08446×0.08446×24
=5.08231×10−6
=5.08231×10−4%
となる。ここで、上式の24の項は、裏面反射分である。
%Ra=0.00713×0.00713×0.08446×0.08446×24
=5.08231×10−6
=5.08231×10−4%
となる。ここで、上式の24の項は、裏面反射分である。
3.3 作用・効果
実施形態1に係るパワーモニタ50によれば、メイン光の主偏光成分が第1ビームスプリッタ72の入射面と平行となるように配置することで、反射率を低減させることができる。
実施形態1に係るパワーモニタ50によれば、メイン光の主偏光成分が第1ビームスプリッタ72の入射面と平行となるように配置することで、反射率を低減させることができる。
また、4枚のビームスプリッタにより、光センサ64に入射するレーザ光を減光することができる。これにより、光センサ64を長寿命化することができる。
また、入射光に対し逆方向に跳ねる2枚のビームスプリッタ対である第1ビームスプリッタ52と第2ビームスプリッタ54、及び第3ビームスプリッタ56と第4ビームスプリッタ58を用いたことにより、入射角の変化によるパルスエネルギ検出値の変化を抑制することができる。
さらに、メイン光に対してP反射を2回、及びS反射を2回させてから光センサ64に入力させている。このように、P反射の回数とS反射の回数とが同じ回数であるため、メイン光の偏光純度が変化した場合であっても、透過率(=光センサ64の入力/メイン光の出力)が変化しない。したがって、メイン光の偏光純度の変化によるパルスエネルギ検出値の変化を抑制することができる。
4.実施形態2
4.1 構成
図8、図9、図10、及び図11は、それぞれ実施形態2に係るパワーモニタの構成を概略的に示す斜視図、正面図、側面図、及び上面図である。図9及び図10においては、チャンバ22及びレーザ共振器28についても示している。実施形態1と同様に、出力結合ミラー30から出力されたメイン光の進行方向をZ方向、Z方向に直交する平面内のそれぞれ直交する方向をH方向及びV方向とする。
4.1 構成
図8、図9、図10、及び図11は、それぞれ実施形態2に係るパワーモニタの構成を概略的に示す斜視図、正面図、側面図、及び上面図である。図9及び図10においては、チャンバ22及びレーザ共振器28についても示している。実施形態1と同様に、出力結合ミラー30から出力されたメイン光の進行方向をZ方向、Z方向に直交する平面内のそれぞれ直交する方向をH方向及びV方向とする。
実施形態2に係るパワーモニタ70は、第1ビームスプリッタ72と、第2ビームスプリッタ74と、第3ビームスプリッタ76と、第4ビームスプリッタ78とを含む。
第1ビームスプリッタ72、第2ビームスプリッタ74、第3ビームスプリッタ76、及び第4ビームスプリッタ78は、実施形態1に係る第1ビームスプリッタ52、第2ビームスプリッタ54、第3ビームスプリッタ56、及び第4ビームスプリッタ58と同様に、フッ化カルシウムで構成されたノンコートのビームスプリッタである。
第1ビームスプリッタ72は、メイン光をサンプリングするためのビームスプリッタである。メイン光は、Z方向に向かう第1光路O11を通る。
第1ビームスプリッタ72は、メイン光の第1光路O11上に第1入射角θ1で配置され、第1光路O11を通るメイン光の一部を反射して第2光路O12を生成する。
第1ビームスプリッタ72は、メイン光を反射する反射面がH方向に対して平行に、かつZ方向及びV方向に対して傾斜を持って配置される。ここでは、第1入射角θ1は45度である。即ち、第1ビームスプリッタ72は、反射面がZ方向及びV方向に対して45度の傾斜を持って配置される。第1ビームスプリッタ72は、第1光路O11を通るメイン光の一部を90度に跳ねて−V方向に向かう第2光路O12を生成する。
また、第1光路O11におけるメイン光は、主偏光成分がV方向に平行である。したがって、第1ビームスプリッタ72は、メイン光をP反射する。なお、第1ビームスプリッタ72がメイン光をS反射するようにパワーモニタ70を配置してもよい。第1ビームスプリッタ72の入射面(第1入射面の一例)は、第1平面に平行である。
第2ビームスプリッタ74は、第2光路O12上に第2入射角θ2で配置され、第2光路O2を通る光の一部を反射して第3光路O13を生成する。
第2ビームスプリッタ74は、光を反射する反射面がZ方向に対して平行に、かつH方向及びV方向に対して傾斜を持って配置される。第2入射角θ2は、第1入射角θ1と等しいことが望ましい。ここでは、第2入射角θ2は45度である。即ち、第2ビームスプリッタ74は、反射面がH方向及びV方向に対して45度の傾斜を持って配置される。
第2ビームスプリッタ74は、第2光路O12を通る光の一部を90度に跳ねて−H方向に向かう第3光路O13を生成する。
また、第2光路O12を通る光は、主偏光成分がZ方向に平行である。したがって、第2ビームスプリッタ74は、第2光路O12を通る光をS反射する。
第2ビームスプリッタ74の入射面(第2入射面の一例)は、第1平面に対して垂直である。
第3ビームスプリッタ76は、第3光路O13上に第3入射角θ3で配置され、第3光路O3を通る光の一部を反射して第4光路O14を生成する。
第3ビームスプリッタ76は、光を反射する反射面がZ方向に対して平行に、かつV方向及びH方向に対して傾斜を持って配置される。第3入射角θ3は、第2入射角θ2と等しく、45度である。即ち、第3ビームスプリッタ76は、反射面がV方向及びH方向に対して45度の傾斜を持って配置される。
第3ビームスプリッタ76は、第3光路O13を通る光の一部を90度に跳ねてV方向に向かう第4光路O14を生成する。
また、第3光路O13を通る光は、主偏光成分がZ方向に平行である。したがって、第3ビームスプリッタ76は、第3光路O13を通る光をS反射する。
第2ビームスプリッタ74の入射面と第3ビームスプリッタ76の入射面(第3入射面の一例)とは、同一平面である。即ち、第2ビームスプリッタ74の入射面と第3ビームスプリッタ76の入射面とは、それぞれ第1平面に対して垂直な第2平面上にある。
第4ビームスプリッタ78は、第4光路O14上に第4入射角θ4で配置され、第4光路O4を通る光の一部を反射して第5光路O15を生成する。
第4ビームスプリッタ78は、第4光路O14上に、反射面がH方向に対して平行に、かつZ方向及びV方向に対して傾斜を持って配置される。第4入射角θ4は、第1入射角θ1と等しく、45度である。即ち、第4ビームスプリッタ78は、反射面がZ方向及びV方向に対して45度の傾斜を持って配置される。第4入射角θ4は、第3入射角θ3と等しいことが望ましい。
第4ビームスプリッタ78は、第4光路O14を通る光の一部を90度に跳ねて−Z方向に向かう第5光路O15を生成する。
また、第4光路O14を通る光は、主偏光成分がZ方向に平行である。したがって、第4ビームスプリッタ78は、第4光路O14を通る光をP反射する。
第1ビームスプリッタ72の入射面と第4ビームスプリッタ78の入射面(第4入射面の一例)とは、平行である。即ち、第4ビームスプリッタ78の入射面は、第1平面に平行である。
エキシマレーザ装置1において、パワーモニタ38に代えてパワーモニタ70を適用することができる。
4.2 動作
出力結合ミラー30から出力され、Z方向に向かう第1光路O11を通るメイン光は、第1入射角θ1で第1ビームスプリッタ72に入射する。第1ビームスプリッタ72に入射したメイン光は、一部がP反射し、−V方向に90度に跳ねられる。P反射した光は、第2光路O12を通り、第2入射角θ2で第2ビームスプリッタ74に入射する。
出力結合ミラー30から出力され、Z方向に向かう第1光路O11を通るメイン光は、第1入射角θ1で第1ビームスプリッタ72に入射する。第1ビームスプリッタ72に入射したメイン光は、一部がP反射し、−V方向に90度に跳ねられる。P反射した光は、第2光路O12を通り、第2入射角θ2で第2ビームスプリッタ74に入射する。
第2ビームスプリッタ74に入射した光は、一部がS反射し、−H方向に90度に跳ねられる。S反射した光は、第3光路O13を通り、第3入射角θ3で第3ビームスプリッタ76に入射する。
第3ビームスプリッタ76に入射したレーザ光は、一部がS反射し、V方向に90度に跳ねられる。S反射したレーザ光は、第4光路O14を通り、第4入射角θ4で第4ビームスプリッタ78に入射する。
第4ビームスプリッタ78に入射した光は、一部がP反射し、−Z方向に90度に跳ねられる。P反射した光は、第5光路O15を通り、集光レンズ60に入射する。
集光レンズ60に入射したレーザ光は、集光されて拡散板62を介して光センサ64に入射する。光センサ64は、入射したレーザ光の強度に応じた検出信号を出力する。ここでは第5光路O15上に光センサ64を配置したが、光センサ64は、第5光路O15を経由した光路上に配置すればよい。
図12は、第1ビームスプリッタ72に入射するメイン光の入射角変化による検出値の変化の抑制を説明するための図である。
パワーモニタ70は、第1ビームスプリッタ72のVZ平面内方向の入射角変化に対し、入射角変化が逆方向に変化する向きに第4ビームスプリッタ78が配置される。具体的には、第1ビームスプリッタ72及び第4ビームスプリッタ78は、それぞれの法線ベクトルのV方向成分及びZ方向成分が同じ向きに配置される。この構成により、第1ビームスプリッタ72は、第1入射面において第1光路O11を第1方向である右回り方向に折り曲げて第2光路O12を生成する。また、第4ビームスプリッタ78は、第4入射面において第4光路O14を第1方向とは逆方向である左回り方向に折り曲げて第5光路O15を生成する。なお、第1ビームスプリッタ72が左回り方向に光路を折り曲げ、第4ビームスプリッタ78が右回り方向に光路を折り曲げてもよい。
このように、パワーモニタ70は、同じ方向を向く第1ビームスプリッタ72と第4ビームスプリッタ78とで、同一方向視において第1ビームスプリッタ72は右回り方向及び左回り方向のうちのいずれかの第1方向に折り曲げて、第4ビームスプリッタ78は第1方向とは逆方向に折り曲げて光路を生成する構成を有している。
ここで、メイン光の光軸のポインティングがずれ、第1ビームスプリッタ72に対するメイン光の入射角が設計上の第1光路O11の入射角θ1よりVZ平面内において角度誤差Δθだけ増減する場合について考える。メイン光の入射角がVZ平面内でΔθだけ増減すると、第1ビームスプリッタ72を反射する光の反射角もVZ平面内でΔθだけ増減する。
第2ビームスプリッタ74及び第3ビームスプリッタ76による反射で、このΔθの増減が反転される。その結果、第4ビームスプリッタ78の第4光路O14の入射角が−Δθだけ増減する。
このように、メイン光の入射角が増減すると、第1ビームスプリッタ72の反射率が入射角依存により変化する。これに対し、第4ビームスプリッタ78の入射角は第1ビームスプリッタ72の入射角の増減とは逆向きに変化する。このため、第1ビームスプリッタ72と第4ビームスプリッタ78とでは、反射率の入射角依存による変化が逆向きとなる。したがって、各反射率の積は変化しにくくなり、メイン光の入射角の増減によるパルスエネルギ検出値の変化を抑制することができる。
なお、入射角の角度誤差Δθは、30ミリラジアン(≒1.72度)以下であることが好ましく、より好ましくは10ミリラジアン(≒0.57度)以下である。
また、パワーモニタ70は、第1ビームスプリッタ72のHZ平面内方向の入射角変化に対し、第2ビームスプリッタ74及び第3ビームスプリッタ76が、メイン光の入射角変化による検出値の変化を抑制するように配置されている。即ち、図11に示すように、第2ビームスプリッタ74及び第3ビームスプリッタ76は、それぞれの法線ベクトルのH方向成分が逆向きで、V方向成分が同じ向きに配置される。この構成により、第2ビームスプリッタ74は、第2平面において第2光路O12を第2方向である左回り方向に折り曲げて第3光路O13を生成する。また、第3ビームスプリッタ76は、第2平面において第3光路O13を第2方向である左回り方向に折り曲げて第4光路O14を生成する。HZ平面内方向の入射角の角度誤差についても、30ミリラジアン(≒1.72度)以下であることが好ましく、より好ましくは10ミリラジアン(≒0.57度)以下である。
4.3 作用・効果
実施形態2に係るパワーモニタ70によれば、メイン光の主偏光成分が第1ビームスプリッタ72の入射面と平行となるように配置することで、反射率を低減させることができる。
実施形態2に係るパワーモニタ70によれば、メイン光の主偏光成分が第1ビームスプリッタ72の入射面と平行となるように配置することで、反射率を低減させることができる。
また、4枚のビームスプリッタにより、光センサ64に入射するレーザ光を減光することができる。これにより、光センサ64を長寿命化することができる。
また、入射光に対し逆方向に跳ねる2枚のビームスプリッタ対である第1ビームスプリッタ72と第4ビームスプリッタ78、及び第2ビームスプリッタ74と第3ビームスプリッタ76を用いることにより、入射角の変化によるパルスエネルギ検出値の変化を抑制することができる。
さらに、メイン光に対してP反射の回数とS反射の回数とが同じ回数であるため、メイン光の偏光純度が変化した場合であっても、透過率が変化しない。したがって、メイン光の偏光純度の変化によるパルスエネルギ検出値の変化を抑制することができる。
5.実施形態3
実施形態1及び実施形態2では、第1入射角θ1、第2入射角θ2、第3入射角θ3、及び第4入射角θ4がそれぞれ45度の場合を例示したが、45度以外の任意の角度でもよい。実施形態3では、第1入射角θ1、第2入射角θ2、第3入射角θ3、及び第4入射角θ4が30度の場合を例示する。
実施形態1及び実施形態2では、第1入射角θ1、第2入射角θ2、第3入射角θ3、及び第4入射角θ4がそれぞれ45度の場合を例示したが、45度以外の任意の角度でもよい。実施形態3では、第1入射角θ1、第2入射角θ2、第3入射角θ3、及び第4入射角θ4が30度の場合を例示する。
5.1 構成
図13及び図14は、実施形態3に係るパワーモニタの構成を概略的に示す斜視図である。図13及び図14は、斜視する方向が異なる。実施形態1と同様に、出力結合ミラー30から出力されたメイン光の進行方向をZ方向、Z方向に直交する平面内のそれぞれ直交する方向をH方向及びV方向とする。
図13及び図14は、実施形態3に係るパワーモニタの構成を概略的に示す斜視図である。図13及び図14は、斜視する方向が異なる。実施形態1と同様に、出力結合ミラー30から出力されたメイン光の進行方向をZ方向、Z方向に直交する平面内のそれぞれ直交する方向をH方向及びV方向とする。
実施形態3に係るパワーモニタ80は、第1ビームスプリッタ82と、第2ビームスプリッタ84と、第3ビームスプリッタ86と、第4ビームスプリッタ88とを含む。
第1ビームスプリッタ82、第2ビームスプリッタ84、第3ビームスプリッタ86、及び第4ビームスプリッタ88は、フッ化カルシウムで構成されたノンコートのビームスプリッタである。
第1ビームスプリッタ82は、メイン光をサンプリングするためのビームスプリッタである。メイン光は、Z方向に向かう第1光路O21を通る。第1ビームスプリッタ52は、メイン光の第1光路O1上に第1入射角30度で配置される。第1ビームスプリッタ82は、第1光路O21を通るメイン光の一部を60度に跳ねて第2光路O22を生成する。
第2ビームスプリッタ84は、第2光路O22上に、第1入射角と等しい第2入射角30度で配置される。第2ビームスプリッタ84は、第2光路O22を通る光の一部を60度に跳ねて第3光路O23を生成する。第1ビームスプリッタ82の入射面(第1入射面の一例)と第2ビームスプリッタ84の入射面(第2入射面の一例)とは同一平面である。
第3ビームスプリッタ86は、第3光路O23上に第3入射角30度で配置される。第3ビームスプリッタ86は、第3光路O23を通る光の一部を60度に跳ねて第4光路O24を生成する。第3ビームスプリッタ86の入射面(第3入射面の一例)は、第1ビームスプリッタ82の入射面に対して垂直である。
第4ビームスプリッタ88は、第4光路O24上に第3入射角と等しい第4入射角30度で配置される。第4ビームスプリッタ88は、第4光路O24を通る光の一部を60度に跳ねて第5光路O25を生成する。第3ビームスプリッタ86の入射面(第3入射面の一例)と第4ビームスプリッタ88の入射面(第4入射面の一例)とは同一平面である。
エキシマレーザ装置1において、パワーモニタ38に代えてパワーモニタ80を適用することができる。
5.2 動作
出力結合ミラー30から出力され、Z方向に向かう第1光路O21を通るメイン光は、第1入射角θ1で第1ビームスプリッタ82に入射する。第1ビームスプリッタ82に入射したメイン光は、一部がP反射し、60度に跳ねられる。P反射した光は、第2光路O22を通り、第2入射角θ2で第2ビームスプリッタ84に入射する。
出力結合ミラー30から出力され、Z方向に向かう第1光路O21を通るメイン光は、第1入射角θ1で第1ビームスプリッタ82に入射する。第1ビームスプリッタ82に入射したメイン光は、一部がP反射し、60度に跳ねられる。P反射した光は、第2光路O22を通り、第2入射角θ2で第2ビームスプリッタ84に入射する。
第2ビームスプリッタ84に入射した光は、一部がP反射し、60度に跳ねられる。P反射した光は、第3光路O23を通り、第3入射角θ3で第3ビームスプリッタ86に入射する。
パワーモニタ80は、第1ビームスプリッタ82と第2ビームスプリッタ84とで、第1ビームスプリッタ82の入射面の同一方向視において右回り方向及び左回り方向のうちのいずれかの同回り方向に折り曲げて光路を生成する構成を有している。これにより、第1ビームスプリッタ82に入射するメイン光の入射角変化による検出値の変化を抑制する。
第3ビームスプリッタ86に入射したレーザ光は、一部がS反射し、60度に跳ねられる。S反射したレーザ光は、第4光路O24を通り、第4入射角θ4で第4ビームスプリッタ88に入射する。
第4ビームスプリッタ88に入射した光は、一部がS反射し、60度に跳ねられる。S反射した光は、第5光路O25を通り、集光レンズ60に入射する。
パワーモニタ80は、第3ビームスプリッタ86と第4ビームスプリッタ88とで、第3ビームスプリッタ86の入射面の同一方向視において右回り方向及び左回り方向のうちのいずれかの同回り方向に折り曲げて光路を生成する構成を有している。これにより、第1ビームスプリッタ82に入射するメイン光の入射角変化による検出値の変化を抑制する。
集光レンズ60に入射したレーザ光は、集光されて拡散板62を介して光センサ64に入射する。光センサ64は、入射した光の強度に応じた検出信号を出力する。
5.3 作用・効果
実施形態3に係るパワーモニタ80によれば、メイン光の主偏光成分が第1ビームスプリッタ82の入射面と平行となるように配置することで、反射率を低減させることができる。
実施形態3に係るパワーモニタ80によれば、メイン光の主偏光成分が第1ビームスプリッタ82の入射面と平行となるように配置することで、反射率を低減させることができる。
また、4枚のビームスプリッタにより、光センサ64に入射するレーザ光を減光することができる。これにより、光センサ64を長寿命化することができる。
また、入射光に対し逆方向に跳ねる2枚のビームスプリッタ対である第1ビームスプリッタ82と第2ビームスプリッタ84、及び第3ビームスプリッタ86と第4ビームスプリッタ88を用いることにより、入射角の変化によるパルスエネルギ検出値の変化を抑制することができる。
さらに、メイン光に対してP反射の回数とS反射の回数とが同じ回数であるため、メイン光の偏光純度が変化した場合であっても、透過率が変化しない。したがって、メイン光の偏光純度の変化によるパルスエネルギ検出値の変化を抑制することができる。
6.その他
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。したがって、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。したがって、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「1つの」は、「少なくとも1つ」又は「1又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「A、B及びCの少なくとも1つ」という用語は、「A」「B」「C」「A+B」「A+C」「B+C」又は「A+B+C」と解釈されるべきである。さらに、それらと「A」「B」「C」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
Claims (20)
- レーザ発振器から出力されるレーザ光のエネルギを計測するエネルギ計測装置であって、
前記レーザ発振器から出力されるレーザ光の第1光路上に第1入射角で配置され、前記第1光路を通るレーザ光の一部を反射して第2光路を生成する第1ビームスプリッタと、
前記第2光路上に第2入射角で配置され、前記第2光路を通るレーザ光の一部を反射して第3光路を生成する第2ビームスプリッタと、
前記第3光路上に第3入射角で配置され、前記第3光路を通るレーザ光の一部を反射して第4光路を生成する第3ビームスプリッタと、
前記第4光路上に第4入射角で配置され、前記第4光路を通るレーザ光の一部を反射して第5光路を生成する第4ビームスプリッタと、
前記第5光路上又は前記第5光路を経由した光路上に配置されたエネルギセンサと、
を備え、
前記第1入射角と前記第2入射角とは等しく、
前記第3入射角と前記第4入射角とは等しく、
前記第1ビームスプリッタの第1入射面と前記第2ビームスプリッタの第2入射面とは第1平面上にあり、
前記第3ビームスプリッタの第3入射面と前記第4ビームスプリッタの第4入射面とは前記第1平面に対して垂直な第2平面上にあり、
前記第1ビームスプリッタは、前記第1平面において前記第1光路を第1方向に折り曲げて前記第2光路を生成し、
前記第2ビームスプリッタは、前記第1平面において前記第2光路を前記第1方向に折り曲げて前記第3光路を生成し、
前記第3ビームスプリッタは、前記第2平面において前記第3光路を第2方向に折り曲げて前記第4光路を生成し、
前記第4ビームスプリッタは、前記第2平面において前記第4光路を前記第2方向に折り曲げて前記第5光路を生成するエネルギ計測装置。 - 請求項1に記載のエネルギ計測装置であって、
前記第1ビームスプリッタ、前記第2ビームスプリッタ、前記第3ビームスプリッタ、及び前記第4ビームスプリッタは、それぞれノンコートのビームスプリッタであるエネルギ計測装置。 - 請求項1に記載のエネルギ計測装置であって、
前記第1ビームスプリッタ、前記第2ビームスプリッタ、前記第3ビームスプリッタ、及び前記第4ビームスプリッタは、それぞれ同一の材質で構成されるエネルギ計測装置。 - 請求項3に記載のエネルギ計測装置であって、
前記同一の材質はフッ化カルシウムであるエネルギ計測装置。 - 請求項1に記載のエネルギ計測装置であって、
前記第1入射角、前記第2入射角、前記第3入射角、及び前記第4入射角は、それぞれ等しいエネルギ計測装置。 - 請求項5に記載のエネルギ計測装置であって、
前記第1入射角、前記第2入射角、前記第3入射角、及び前記第4入射角は、それぞれ45度であるエネルギ計測装置。 - 請求項1に記載のエネルギ計測装置であって、
前記第1ビームスプリッタは、前記レーザ発振器から出力されるレーザ光の偏光成分のうち最も大きい偏光成分に対し、P偏光として反射するように配置されるエネルギ計測装置。 - 請求項1に記載のエネルギ計測装置であって、さらに、
前記第4ビームスプリッタと前記エネルギセンサとの間に配置されたレンズを備えたエネルギ計測装置。 - 請求項1に記載のエネルギ計測装置であって、さらに、
前記第4ビームスプリッタと前記エネルギセンサとの間に配置された拡散板を備えたエネルギ計測装置。 - レーザ光を発振する発振器と、
請求項1に記載のエネルギ計測装置と、
を備えたエキシマレーザ装置。 - レーザ発振器から出力されるレーザ光のエネルギを計測するエネルギ計測装置であって、
前記レーザ発振器から出力されるレーザ光の第1光路上に第1入射角で配置され、前記第1光路を通るレーザ光の一部を反射して第2光路を生成する第1ビームスプリッタと、
前記第2光路上に第2入射角で配置され、前記第2光路を通るレーザ光の一部を反射して第3光路を生成する第2ビームスプリッタと、
前記第3光路上に第3入射角で配置され、前記第3光路を通るレーザ光の一部を反射して第4光路を生成する第3ビームスプリッタと、
前記第4光路上に第4入射角で配置され、前記第4光路を通るレーザ光の一部を反射して第5光路を生成する第4ビームスプリッタと、
前記第5光路上又は前記第5光路を経由した光路上に配置されたエネルギセンサと、
を備え、
前記第1入射角と前記第4入射角とは等しく、
前記第2入射角と前記第3入射角とは等しく、
前記第1ビームスプリッタの第1入射面と前記第4ビームスプリッタの第4入射面とは第1平面に平行であり、
前記第2ビームスプリッタの第2入射面と前記第3ビームスプリッタの第3入射面とは前記第1平面に対して垂直な第2平面上にあり、
前記第1ビームスプリッタは、前記第1入射面において前記第1光路を第1方向に折り曲げて前記第2光路を生成し、
前記第2ビームスプリッタは、前記第2平面において前記第2光路を第2方向に折り曲げて前記第3光路を生成し、
前記第3ビームスプリッタは、前記第2平面において前記第3光路を前記第2方向に折り曲げて前記第4光路を生成し、
前記第4ビームスプリッタは、前記第4入射面において前記第4光路を前記第1方向とは逆方向に折り曲げて前記第5光路を生成するエネルギ計測装置。 - 請求項11に記載のエネルギ計測装置であって、
前記第1ビームスプリッタ、前記第2ビームスプリッタ、前記第3ビームスプリッタ、及び前記第4ビームスプリッタは、それぞれノンコートのビームスプリッタであるエネルギ計測装置。 - 請求項11に記載のエネルギ計測装置であって、
前記第1ビームスプリッタ、前記第2ビームスプリッタ、前記第3ビームスプリッタ、及び前記第4ビームスプリッタは、それぞれ同一の材質で構成されるエネルギ計測装置。 - 請求項13に記載のエネルギ計測装置であって、
前記同一の材質はフッ化カルシウムであるエネルギ計測装置。 - 請求項11に記載のエネルギ計測装置であって、
前記第1入射角、前記第2入射角、前記第3入射角、及び前記第4入射角は、それぞれ等しいエネルギ計測装置。 - 請求項15に記載のエネルギ計測装置であって、
前記第1入射角、前記第2入射角、前記第3入射角、及び前記第4入射角は、それぞれ45度であるエネルギ計測装置。 - 請求項11に記載のエネルギ計測装置であって、
前記第1ビームスプリッタは、前記レーザ発振器から出力されるレーザ光の偏光成分のうち最も大きい偏光成分に対し、P偏光として反射するように配置されるエネルギ計測装置。 - 請求項11に記載のエネルギ計測装置であって、さらに、
前記第4ビームスプリッタと前記エネルギセンサとの間に配置されたレンズを備えたエネルギ計測装置。 - 請求項11に記載のエネルギ計測装置であって、さらに、
前記第4ビームスプリッタと前記エネルギセンサとの間に配置された拡散板を備えたエネルギ計測装置。 - レーザ光を発振する発振器と、
請求項11に記載のエネルギ計測装置と、
を備えたエキシマレーザ装置。
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