JPWO2019188836A1 - 多層配線板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
回路密着性に優れながらも、レーザー加工による内層回路の貫通を極めて効果的に防止することが可能な、多層配線板の製造方法が提供される。この多層配線板の製造方法は、（ａ）第１金属箔上に第１絶縁層及び第２金属箔を順に積層して第１積層体を形成する工程と、（ｂ）第２配線層を形成する工程と、（ｃ）第２絶縁層及び第３金属箔を順に積層して第２積層体を形成する工程と、（ｄ）第１ビアホールと第２ビアホールとを形成する工程と、（ｅ）第１配線層、第２配線層及び第３配線層を含む多層配線板を形成する工程とを含み、第２金属箔の少なくとも第１絶縁層と対向する面は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であり、かつ、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下である。
Description
本発明は、多層配線板の製造方法に関する。
近年、プリント配線板の実装密度を上げて小型化するために、プリント配線板の多層化が広く行われるようになってきている。このような多層プリント配線板は、携帯用電子機器の多くで、軽量化や小型化を目的として利用されている。そして、この多層プリント配線板には、層間絶縁層の更なる厚みの低減、及び配線板としてのより一層の薄型化及び軽量化が要求されている。
このような要求を満足させる技術として、コアレスビルドアップ法を用いた多層プリント配線板の製造方法が採用されている。コアレスビルドアップ法とは、いわゆるコア基板を用いることなく、絶縁層と配線層とを交互に積層（ビルドアップ）して多層化する方法である。コアレスビルドアップ法においては、支持体と多層プリント配線板との剥離を容易に行えるように、キャリア付金属箔を使用することが提案されている。例えば、特許文献１（特許第４４６００１３号公報）には、キャリア付金属箔の金属箔側に絶縁層及び厚さ１８μｍの金属層を順に積層し、金属層を加工して内層回路（第１導体パターン）を形成し、内層回路に更なる絶縁層及び金属箔を順に積層し、キャリアを剥離して内層回路の両面側に金属箔を具備する基板を形成し、その後、基板両面の金属箔と内層回路とをビアを介して電気的に接続する配線基板の製造方法が開示されている。また、特許文献１には、基板の両面からレーザー加工を行って金属箔及び絶縁層を貫通して内層回路に到達するビアホールを各々形成し、基板両面の金属箔にドライフィルムでパターニングを施し、その後、電気めっきによってビアホールをめっき金属で充填するとともに、外層回路（導体パターン）を基板の両面に形成することも開示されている。
近年、多層プリント配線板に要求される更なる薄型化に伴い、多層配線板の内層回路に用いられる金属箔（以下、「内層金属箔」とする）の厚さも低減している。この点、特許文献１に記載されるような配線基板の製造においても、極薄化した内層金属箔を用いることが望まれる。しかしながら、既存の極薄銅箔（例えば厚さ６μｍ以上１２μｍ以下）を内層金属箔として用いた場合、層間接続用のビアホールを形成する工程において、両面（外層）の金属箔及び絶縁層のみならず内層回路までもがレーザー加工により貫通して穴が生じてしまうという問題がある。
本発明者らは、今般、波長１０．６μｍのレーザーの反射率及び山の頂点密度Ｓｐｄが所定の条件を満たす特定面を備えた金属箔を内層金属箔として用いて多層配線板の製造を行うことにより、回路密着性に優れながらも、レーザー加工による内層回路の貫通を極めて効果的に防止することができるとの知見を得た。
したがって、本発明の目的は、回路密着性に優れながらも、レーザー加工による内層回路の貫通を極めて効果的に防止することが可能な、多層配線板の製造方法を提供することにある。
本発明の一態様によれば、多層配線板の製造方法であって、
（ａ）第１金属箔上に第１絶縁層及び第２金属箔を順に積層して第１積層体を形成する工程と、
（ｂ）前記第２金属箔にパターニングを施して第２配線層を形成する工程と、
（ｃ）前記第２配線層が形成された前記第１積層体上に第２絶縁層及び第３金属箔を順に積層して第２積層体を形成する工程と、
（ｄ）前記第２積層体に対して前記第１金属箔及び前記第３金属箔の各々からレーザー加工を施して、前記第１金属箔及び前記第１絶縁層を貫通して前記第２配線層に到達する第１ビアホールと、前記第３金属箔及び前記第２絶縁層を貫通して前記第２配線層に到達する第２ビアホールとを形成する工程と、
（ｅ）前記第２積層体の両面に対して、前記第１ビアホール、前記第２配線層及び前記第２ビアホールを介した電気的接続が形成されるようにめっき及びパターニングを施して、前記第１絶縁層に隣接する第１配線層、前記第２金属箔に由来する第２配線層、及び前記第２絶縁層に隣接する第３配線層を含む多層配線板を形成する工程と、
を含み、
前記第２金属箔の少なくとも前記第１絶縁層と対向する面は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であり、かつ、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下である、方法が提供される。
（ａ）第１金属箔上に第１絶縁層及び第２金属箔を順に積層して第１積層体を形成する工程と、
（ｂ）前記第２金属箔にパターニングを施して第２配線層を形成する工程と、
（ｃ）前記第２配線層が形成された前記第１積層体上に第２絶縁層及び第３金属箔を順に積層して第２積層体を形成する工程と、
（ｄ）前記第２積層体に対して前記第１金属箔及び前記第３金属箔の各々からレーザー加工を施して、前記第１金属箔及び前記第１絶縁層を貫通して前記第２配線層に到達する第１ビアホールと、前記第３金属箔及び前記第２絶縁層を貫通して前記第２配線層に到達する第２ビアホールとを形成する工程と、
（ｅ）前記第２積層体の両面に対して、前記第１ビアホール、前記第２配線層及び前記第２ビアホールを介した電気的接続が形成されるようにめっき及びパターニングを施して、前記第１絶縁層に隣接する第１配線層、前記第２金属箔に由来する第２配線層、及び前記第２絶縁層に隣接する第３配線層を含む多層配線板を形成する工程と、
を含み、
前記第２金属箔の少なくとも前記第１絶縁層と対向する面は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であり、かつ、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下である、方法が提供される。
定義
本発明を特定するために用いられるパラメータの定義を以下に示す。
本発明を特定するために用いられるパラメータの定義を以下に示す。
本明細書において「波長１０．６μｍのレーザーの反射率」とは、フーリエ変換赤外光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される、波長１０．６μｍのレーザーを試料（金属箔）表面に照射した際の、基準板（例えばＡｕ蒸着ミラー）で反射した光の量に対する、試料で反射した光の量の比率である。波長１０．６μｍのレーザーの反射率の測定は、市販のフーリエ変換赤外光度計を用いて、本明細書の実施例に記載される諸条件に従って行うことができる。なお、レーザー加工に典型的に用いられる炭酸ガスレーザーの波長が１０．６μｍであるため、フーリエ変換赤外光度計のレーザー波長を１０．６μｍとした。
本明細書において「山の頂点密度Ｓｐｄ」とは、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される、単位面積当たりの山頂点の数を表すパラメータである。この値が大きいと他の物体との接触点の数が多いことを示唆する。山の頂点密度Ｓｐｄは、金属箔表面における所定の測定面積（例えば１０７μｍ×１４３μｍの領域）の表面プロファイルを市販のレーザー顕微鏡で測定することにより算出することができる。
本明細書において「十点平均粗さＲｚ」とは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４に準拠して決定されうるパラメータであり、基準長さの粗さ曲線において、最高の山頂から高い順に５番目までの山高さの平均と、最深の谷底から深い順に５番目までの谷深さの平均との和をいう。
多層配線板の製造方法
本発明は、多層配線板の製造方法に関する。本発明の方法は、（１）第１積層体の形成、（２）第２配線層の形成、（３）第２積層体の形成、（４）所望により行われるキャリアの剥離、（５）第１及び第２ビアホールの形成、（６）第１及び第３配線層の形成の各工程を含む。
本発明は、多層配線板の製造方法に関する。本発明の方法は、（１）第１積層体の形成、（２）第２配線層の形成、（３）第２積層体の形成、（４）所望により行われるキャリアの剥離、（５）第１及び第２ビアホールの形成、（６）第１及び第３配線層の形成の各工程を含む。
以下、図１〜３を参照しながら、工程（１）〜（６）の各々について説明する。
（１）第１積層体の形成
図１（ｉ）及び（ｉｉ）に示されるように、第１金属箔１６を用意し、この第１金属箔１６上に第１絶縁層１８及び第２金属箔２０を順に積層して第１積層体２２を形成する。第１金属箔１６はキャリア付金属箔１０の形態で供されてもよい。キャリア付金属箔１０は、典型的には第１キャリア１２、第１剥離層１４、及び第１金属箔１６を順に備える。また、第１キャリア１２の両面に上下対称となるように各種層を順に備えてなる構成としてもよい。あるいは、キャリア付金属箔１０の第１キャリア１２側がプリプレグ等の仮支持体（図示せず）に貼り付けられて剛性が付与されてもよい。この場合、仮支持体の両面にキャリア付金属箔１０が上下対称に貼り付けられ、得られた積層体の両面に上下対称となるように後述する各層が形成され、その後仮支持体が第１キャリア１２とともに除去されるのが好ましい。なお、プリプレグとは、合成樹脂板、ガラス板、ガラス織布、ガラス不織布、紙等の基材に合成樹脂を含浸させた複合材料の総称である。
図１（ｉ）及び（ｉｉ）に示されるように、第１金属箔１６を用意し、この第１金属箔１６上に第１絶縁層１８及び第２金属箔２０を順に積層して第１積層体２２を形成する。第１金属箔１６はキャリア付金属箔１０の形態で供されてもよい。キャリア付金属箔１０は、典型的には第１キャリア１２、第１剥離層１４、及び第１金属箔１６を順に備える。また、第１キャリア１２の両面に上下対称となるように各種層を順に備えてなる構成としてもよい。あるいは、キャリア付金属箔１０の第１キャリア１２側がプリプレグ等の仮支持体（図示せず）に貼り付けられて剛性が付与されてもよい。この場合、仮支持体の両面にキャリア付金属箔１０が上下対称に貼り付けられ、得られた積層体の両面に上下対称となるように後述する各層が形成され、その後仮支持体が第１キャリア１２とともに除去されるのが好ましい。なお、プリプレグとは、合成樹脂板、ガラス板、ガラス織布、ガラス不織布、紙等の基材に合成樹脂を含浸させた複合材料の総称である。
第１キャリア１２は第１金属箔１６を支持してそのハンドリング性を向上させるための箔ないし層である。第１キャリア１２の好ましい例としては、アルミニウム箔、銅箔、ステンレス（ＳＵＳ）箔、樹脂フィルム、表面を銅等でメタルコーティングした樹脂フィルム、樹脂板、ガラス板、及びそれらの組合せが挙げられる。第１キャリア１２の厚さは典型的には５μｍ以上２５０μｍ以下であり、好ましくは９μｍ以上２００μｍ以下である。
第１剥離層１４は第１キャリア１２の剥離を可能とする層であるかぎり、材質は特に限定されない。例えば、第１剥離層１４は、キャリア付金属箔の剥離層として採用される公知の材料で構成されることができる。第１剥離層１４は、有機剥離層及び無機剥離層のいずれであってもよく、有機剥離層と無機剥離層との複合剥離層であってもよい。剥離層の厚さは、典型的には１ｎｍ以上１μｍ以下であり、好ましくは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より好ましくは６ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
第１金属箔１６は、コアレスビルドアップ法の配線層用金属箔に採用される公知の構成であることができる。例えば、第１金属箔１６は、無電解めっき法及び電解めっき法等の湿式成膜法、スパッタリング及び化学蒸着等の乾式成膜法、又はそれらの組合せにより形成したものであってよい。第１金属箔１６の例としては、アルミニウム箔、銅箔、ステンレス（ＳＵＳ）箔、ニッケル箔等が挙げられ、好ましくは銅箔である。銅箔は圧延銅箔及び電解銅箔のいずれであってもよい。また、第１金属箔１６の好ましい厚さは０．１μｍ以上１２μｍ以下であり、より好ましくは０．５μｍ以上９μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上７μｍ以下、特に好ましくは１．５μｍ以上５μｍ以下である。このような範囲内であると、後述するビアホール形成工程において、第１金属箔１６から直接レーザー加工を行ってビアホールを形成することが容易になる。また、第１金属箔１６が配線層の形成に用いられる場合、上述した厚さの範囲内であると微細回路形成性にも優れる。
第１絶縁層１８は、コアレスビルドアップ法の絶縁層に採用される公知の構成であってよく、特に限定されない。例えば、第１絶縁層１８は、プリプレグや樹脂シート等の絶縁樹脂材料を第１金属箔１６上に積層し、その後、熱間プレス成形を施すことにより好ましく形成することができる。使用するプリプレグに含浸される絶縁性樹脂の好ましい例としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、樹脂シートを構成する絶縁性樹脂の好ましい例としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。さらに、第１絶縁層１８には絶縁性を向上する等の観点からシリカ、アルミナ等の各種無機粒子からなるフィラー粒子等が含有されていてもよい。第１絶縁層１８の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、より好ましくは５μｍ以上４０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下である。第１絶縁層１８は複数の層で構成されていてもよい。
第２金属箔２０の少なくとも第１絶縁層１８と対向する面は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であり、かつ、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下である。このような条件を満たす金属箔を内層金属箔（すなわち第２金属箔２０）として用いて多層配線板の製造を行うことにより、回路密着性に優れながらも、レーザー加工による内層回路（すなわち第２配線層２４）の貫通を極めて効果的に防止することが可能となる。
すなわち、第２金属箔２０の第１絶縁層１８と対向する面におけるフーリエ変換赤外分光光度計により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率を８０％以上と高くしたことで、ビアホール形成に用いられるレーザー光の吸収を効果的に妨げることが可能となる。その結果、第２金属箔２０に由来する第２配線層２４のレーザー加工による貫通を極めて効果的に防止することができる。この波長１０．６μｍのレーザーの反射率は第２金属箔２０の表面を平滑にするほど大きくなるといえる。しかしながら、レーザー反射率を大きくするために第２金属箔２０の表面を単に平滑にした場合、第２金属箔２０と第１絶縁層１８との密着性が低下してしまい、回路剥がれが生じやすくなる。このように、レーザー加工による内層回路の貫通防止と、回路密着性とを両立することは容易なことではない。この点、本発明においては、第２金属箔２０の第１絶縁層１８と対向する面において、波長１０．６μｍのレーザー反射率向上に寄与する平滑性を保ちつつ、山の頂点密度Ｓｐｄを７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下と高くすることで、第２金属箔２０の第１絶縁層１８への食い込みを多くの接点数で確保することができる。その結果、高い回路密着性を確保しながらも、レーザー加工による内層回路の貫通を極めて効果的に防止することが可能となる。
上記観点から、第２金属箔２０の第１絶縁層１８と対向する面は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であり、好ましくは８５％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上である。上限値は特に限定されるものでなく１００％であってもよいが、典型的には９８％以下である。また、第２金属箔２０の第１絶縁層１８と対向する面は、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下であり、好ましくは１００００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下、より好ましくは１３０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下である。上記好ましい範囲内であると、高い回路密着性をより一層確保しながら、レーザー加工時における第２配線層２４の貫通をより効果的に防止できる。
好ましくは、第２金属箔２０における第１絶縁層１８と対向する面の十点平均粗さＲｚが０．２μｍ以上２．０μｍ以下であり、より好ましくは０．５μｍ以上１．８μｍ以下、さらに好ましくは０．８μｍ以上１．５μｍ以下である。このような範囲内であると微細回路形成性をより一層向上することができる。
第２金属箔２０の第１絶縁層１８と対向する面における上記範囲内の波長１０．６μｍのレーザー反射率、山の頂点密度Ｓｐｄ及び十点平均粗さＲｚは、銅箔表面に公知ないし所望の条件で粗化処理を施すことにより実現することができる。したがって、第２金属箔２０の第１絶縁層１８と対向する面は粗化面であることが好ましい。また、上記諸条件を満たす表面を有する市販の銅箔を選択的に入手してもよい。
第２金属箔２０は、無電解めっき法及び電解めっき法等の湿式成膜法、スパッタリング及び化学蒸着等の乾式成膜法、又はそれらの組合せにより形成したものであってよい。第２金属箔２０の例としては、アルミニウム箔、銅箔、ステンレス（ＳＵＳ）箔等が挙げられ、好ましくは銅箔である。銅箔は圧延銅箔及び電解銅箔のいずれであってもよい。第２金属箔２０の好ましい厚さは０．１μｍ以上１２μｍ以下であり、より好ましくは１μｍ以上９μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以上７μｍ以下である。このような範囲内であると、微細回路形成を行うのに極めて適したものとなる。また、第２金属箔２０は第２キャリア（図示せず）、第２剥離層（図示せず）、及び第２金属箔２０を順に備えたキャリア付金属箔の形態で供されてもよく、この場合には第２金属箔２０を第１絶縁層１８上に積層後、第２配線層２４を形成する前に、第２キャリアを第１積層体２２から剥離すればよい。第２キャリア及び第２剥離層の構成は上述した第１キャリア１２及び第１剥離層１４にそれぞれ準じたものとすればよく、特に限定されない。
（２）第２配線層の形成
図１（ｉｉｉ）に示されるように、第２金属箔２０にパターニングを施することにより第２配線層２４を形成する。パターニングは公知の手法によって行えばよい。好ましい回路形成手法は、第２金属箔２０をそのまま又は一部として用いて第２配線層２４を形成する手法であり、より好ましくは、第２金属箔２０上にめっき等を行わずに、第２金属箔２０をそのまま用いて第２配線層２４を形成する手法が挙げられる。このような回路形成が可能な手法の好ましい例としてはサブトラクティブ法が挙げられる。サブトラクティブ法による回路形成の一例としては、まず第２金属箔２０の表面にドライフィルムを貼り付け、所定のパターンで露光及び現像を行い、エッチングレジスト（図示せず）を形成する。次いで、第２金属箔２０を構成する金属を溶解可能なエッチング液で処理することにより、エッチングレジスト間から露出した金属を溶解除去した後、エッチングレジストを剥離して第２配線層２４とすることができる。
図１（ｉｉｉ）に示されるように、第２金属箔２０にパターニングを施することにより第２配線層２４を形成する。パターニングは公知の手法によって行えばよい。好ましい回路形成手法は、第２金属箔２０をそのまま又は一部として用いて第２配線層２４を形成する手法であり、より好ましくは、第２金属箔２０上にめっき等を行わずに、第２金属箔２０をそのまま用いて第２配線層２４を形成する手法が挙げられる。このような回路形成が可能な手法の好ましい例としてはサブトラクティブ法が挙げられる。サブトラクティブ法による回路形成の一例としては、まず第２金属箔２０の表面にドライフィルムを貼り付け、所定のパターンで露光及び現像を行い、エッチングレジスト（図示せず）を形成する。次いで、第２金属箔２０を構成する金属を溶解可能なエッチング液で処理することにより、エッチングレジスト間から露出した金属を溶解除去した後、エッチングレジストを剥離して第２配線層２４とすることができる。
第２配線層２４の形成工程は、第２配線層２４に内層処理を施す工程をさらに含むのが好ましい。内層処理はＣＺ処理等の粗化処理を含むのが好ましく、ＣＺ処理は有機酸系マイクロエッチング剤（例えばメック株式会社製、品番ＣＺ−８１０１）を用いて、第２配線層２４表面に微細粗化を施すことにより好ましく行うことができる。こうすることで、第２配線層２４表面に微細凹凸を形成し、後述する第２積層体の形成工程における第２配線層２４と第２絶縁層２６との密着性を向上させることができる。
第２配線層２４の厚さは３μｍ以上１２μｍ以下が好ましく、より好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以上８μｍ以下である。このような範囲内であると、多層プリント配線板に要求される薄型化に極めて有利となる。また、本発明の方法によれば、第２配線層２４の厚さが上記のように薄い場合であっても、レーザー加工に伴う貫通を効果的に防止することができる。なお、第２配線層２４に上述の内層処理を施す場合には、内層処理後における第２配線層２４の厚さが上記範囲内であることが望ましい。
（３）第２積層体の形成
図２（ｉｖ）に示されるように、第２配線層２４が形成された第１積層体２２上に第２絶縁層２６及び第３金属箔２８を積層して第２積層体３０を形成する。こうすることで、第２配線層２４が第１絶縁層１８と第２絶縁層２６の間に埋め込まれた内層回路となる。第２絶縁層２６及び第３金属箔２８の構成は第１絶縁層１８及び第１金属箔１６の各々に準じたものとすればよい。したがって、第１金属箔１６及び第１絶縁層１８に関する好ましい態様は第３金属箔２８及び第２絶縁層２６の各々にもそのまま当てはまる。また、第３金属箔２８は第３キャリア（図示せず）、第３剥離層（図示せず）及び第３金属箔２８を順に備えたキャリア付金属箔の形態で供されてもよい。第３キャリア及び第３剥離層の構成は上述した第１キャリア１２及び第１剥離層１４に準じたものとすればよく、特に限定されない。
図２（ｉｖ）に示されるように、第２配線層２４が形成された第１積層体２２上に第２絶縁層２６及び第３金属箔２８を積層して第２積層体３０を形成する。こうすることで、第２配線層２４が第１絶縁層１８と第２絶縁層２６の間に埋め込まれた内層回路となる。第２絶縁層２６及び第３金属箔２８の構成は第１絶縁層１８及び第１金属箔１６の各々に準じたものとすればよい。したがって、第１金属箔１６及び第１絶縁層１８に関する好ましい態様は第３金属箔２８及び第２絶縁層２６の各々にもそのまま当てはまる。また、第３金属箔２８は第３キャリア（図示せず）、第３剥離層（図示せず）及び第３金属箔２８を順に備えたキャリア付金属箔の形態で供されてもよい。第３キャリア及び第３剥離層の構成は上述した第１キャリア１２及び第１剥離層１４に準じたものとすればよく、特に限定されない。
第２配線層２４の第２絶縁層２６と対向する面は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であるのが好ましく、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上、特に好ましくは９５％以上である。上限値は特に限定されるものでなく１００％であってもよいが、典型的には９８％以下である。また、第２配線層２４の第２絶縁層２６と対向する面は、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下であるのが好ましく、より好ましくは１００００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下、さらに好ましくは１３０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下である。このような範囲内であると、第２配線層２４と第２絶縁層２６との高い密着性を確保できるとともに、第３金属箔２８からのレーザー加工時においても第２配線層２４の貫通を防止することができる。第２配線層２４の第２絶縁層２６と対向する面における上記範囲内の波長１０．６μｍのレーザー反射率及び山の頂点密度Ｓｐｄは、第２金属箔２０の表面が予め備えていてもよいが、上述した内層処理（例えばＣＺ処理等の粗化処理）により第２配線層２４の表面に事後的に付与されてもよい。したがって、第２配線層２４の第２絶縁層２６と対向する面は粗化面であることが好ましい。
好ましくは、第２配線層２４の厚さＴ２に対する第１金属箔１６の厚さＴ１の比であるＴ１／Ｔ２が０．２３以上であり、且つ／又は第２配線層２４の厚さＴ２に対する第３金属箔２８の厚さＴ３の比であるＴ３／Ｔ２が０．２３以上である。より好ましくはＴ１／Ｔ２及びＴ３／Ｔ２の両方が０．２３以上である。本発明によれば、第２金属箔２０に由来した第２配線層２４がレーザー光を吸収しにくい表面を有するため、上記範囲を満足するように第２金属箔２０を極薄化しても、内層回路である第２配線層２４のレーザー加工による損傷を抑制することが可能となる。Ｔ１／Ｔ２及び／又はＴ３／Ｔ２は１．０以下であるのが好ましく、より好ましくは０．５０以下であり、さらに好ましくは０．３３以下である。なお、レーザー加工を施す前に金属箔ないし配線層に表面処理を行う（すなわち金属箔ないし配線層の厚さを変化させる）場合には、上記Ｔ１、Ｔ２及びＴ３は、当該表面処理後における第１金属箔１６の厚さ、第２配線層２４の厚さ、及び第３金属箔２８の厚さをそれぞれ指すものとする。例えば、第２配線層２４に上述した内層処理を施す場合には、Ｔ２は内層処理後における第２配線層２４の厚さとなる。
（４）キャリアの剥離（任意工程）
第１金属箔１６及び／又は第３金属箔２８がキャリア付金属箔の形態で供される場合には、図２（ｖ）に示されるように、第１キャリア１２及び／又は第３キャリア（図示せず）を第２積層体３０から剥離する。こうすることで、後述する第１及び第２ビアホールの形成工程において、第１金属箔１６及び第３金属箔２８の各々からレーザー加工を施すことが可能となる。また、第２積層体３０は第１絶縁層１８及び第２絶縁層２６により剛性が増大しているため、キャリアを剥離した状態でも十分なハンドリング性を確保することができる。なお、前述したようにキャリア付金属箔がプリプレグ等の仮支持体（図示せず）に貼り付けられている場合には、仮支持体は第１キャリア１２及び／又は第３キャリア（図示せず）とともに第２積層体３０から除去されることになる。
第１金属箔１６及び／又は第３金属箔２８がキャリア付金属箔の形態で供される場合には、図２（ｖ）に示されるように、第１キャリア１２及び／又は第３キャリア（図示せず）を第２積層体３０から剥離する。こうすることで、後述する第１及び第２ビアホールの形成工程において、第１金属箔１６及び第３金属箔２８の各々からレーザー加工を施すことが可能となる。また、第２積層体３０は第１絶縁層１８及び第２絶縁層２６により剛性が増大しているため、キャリアを剥離した状態でも十分なハンドリング性を確保することができる。なお、前述したようにキャリア付金属箔がプリプレグ等の仮支持体（図示せず）に貼り付けられている場合には、仮支持体は第１キャリア１２及び／又は第３キャリア（図示せず）とともに第２積層体３０から除去されることになる。
（５）第１及び第２ビアホールの形成
図３（ｖｉ）に示されるように、第２積層体３０に対して第１金属箔１６及び第３金属箔２８の各々からレーザー加工を施すことにより、第１金属箔１６及び第１絶縁層１８を貫通して第２配線層２４に到達する第１ビアホール３２と、第３金属箔２８及び第２絶縁層２６を貫通して第２配線層２４に到達する第２ビアホール３４とを形成する。レーザー加工には炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＵＶレーザー、ＹＡＧレーザー等の様々なレーザーが使用可能であるが、炭酸ガスレーザーを用いるのが特に好ましい。本発明の方法によれば、ビアホールの形成工程において、レーザー加工による第２配線層２４の貫通を極めて効果的に防止することが可能となる。
図３（ｖｉ）に示されるように、第２積層体３０に対して第１金属箔１６及び第３金属箔２８の各々からレーザー加工を施すことにより、第１金属箔１６及び第１絶縁層１８を貫通して第２配線層２４に到達する第１ビアホール３２と、第３金属箔２８及び第２絶縁層２６を貫通して第２配線層２４に到達する第２ビアホール３４とを形成する。レーザー加工には炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＵＶレーザー、ＹＡＧレーザー等の様々なレーザーが使用可能であるが、炭酸ガスレーザーを用いるのが特に好ましい。本発明の方法によれば、ビアホールの形成工程において、レーザー加工による第２配線層２４の貫通を極めて効果的に防止することが可能となる。
第１及び第２ビアホールの形成工程は、レーザー加工でビアホールを形成した際に生じるビアホール底部の樹脂残渣（スミア）を除去する処理として、クロム酸塩溶液及び過マンガン酸塩溶液の少なくともいずれか一方を用いたデスミア工程をさらに含むのが好ましい。デスミア工程は膨潤処理、クロム酸処理又は過マンガン酸処理、及び還元処理という処理をこの順に行う処理であり、公知の湿式プロセスが採用されうる。クロム酸塩の例としてはクロム酸カリウムが挙げられる。過マンガン酸塩の例としては、過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カリウム等が挙げられる。特に、デスミア処理液の環境負荷物質の排出低減、電解再生性等の点から、過マンガン酸塩を用いるのが好ましい。
第１ビアホール３２及び第２ビアホール３４の直径はいずれも３０μｍ以上８０μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは３０μｍ以上６０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以上４０μｍ以下である。このような範囲内であると、多層プリント配線板の高密度化に極めて有利となる。また、上記のような小さい直径を有するビアホールを形成するためには、レーザーのビーム径（スポット径）を小さくすることが望まれる。この場合、第２配線層２４のレーザー照射部分にレーザーのエネルギーが集中しやすくなるため、本来的には第２配線層２４の貫通が生じやすくなるといえる。この点、本発明の方法によれば、第２金属箔２０に由来した第２配線層２４がレーザー光を吸収しにくい表面を有するため、レーザーのエネルギーが集中した場合においても、第２配線層２４の貫通を効果的に防止することが可能となる。
（６）第１及び第３配線層の形成
図３（ｖｉｉ）に示されるように、第２積層体３０の両面に対して、第１ビアホール３２、第２配線層２４及び第２ビアホール３４を介した電気的接続が形成されるようにめっき及びパターニングを施して、第１絶縁層１８に隣接する第１配線層３８、第２金属箔２０に由来する第２配線層２４、及び第２絶縁層２６に隣接する第３配線層４０を含む多層配線板４２を形成する。第１配線層３８は典型的には第１金属箔１６に由来するものであり、第１金属箔１６に由来の金属を典型的には含むが、第１金属箔１６の表面プロファイルのみを引き継いだ新たな配線層（第１金属箔１６に由来の金属を含まない）として形成されてもよい。同様に、第３配線層４０は典型的には第３金属箔２８に由来するものであり、第３金属箔２８に由来の金属を典型的には含むが、第３金属箔２８の表面プロファイルのみを引き継いだ新たな配線層（第３金属箔２８に由来の金属を含まない）として形成されてもよい。第１配線層３８及び第３配線層４０の形成方法についての工法は特に限定されず、サブトラクティブ法、ＭＳＡＰ（モディファイド・セミ・アディティブ・プロセス）法、ＳＡＰ（セミアディティブ）法等の公知の手法が使用可能である。ここで、図３（ｖｉｉ）はＭＳＡＰ法により回路形成を行ったものである。ＭＳＡＰ法による回路形成の一例としては、まず第１金属箔１６及び第３金属箔２８の表面にフォトレジスト（図示せず）を所定のパターンで形成する。フォトレジストは感光性フィルムであるのが好ましく、この場合は露光及び現像により所定の配線パターンをフォトレジストに付与すればよい。次いで、第１金属箔１６及び第３金属箔２８の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）、並びに第１ビアホール３２及び第２ビアホール３４に電気めっき層３６を形成する。このとき、第１ビアホール３２及び第２ビアホール３４にめっき金属が充填されるため、第２積層体３０の両面が第１ビアホール３２、第２配線層２４及び第２ビアホール３４を介して電気的に接続される。電気めっきは公知の手法により行えばよく、特に限定されない。フォトレジスト層を剥離した後、第１金属箔１６、第３金属箔２８及び電気めっき層３６をエッチング加工することにより、第１配線層３８及び第３配線層４０が形成された多層配線板４２を得ることができる。
図３（ｖｉｉ）に示されるように、第２積層体３０の両面に対して、第１ビアホール３２、第２配線層２４及び第２ビアホール３４を介した電気的接続が形成されるようにめっき及びパターニングを施して、第１絶縁層１８に隣接する第１配線層３８、第２金属箔２０に由来する第２配線層２４、及び第２絶縁層２６に隣接する第３配線層４０を含む多層配線板４２を形成する。第１配線層３８は典型的には第１金属箔１６に由来するものであり、第１金属箔１６に由来の金属を典型的には含むが、第１金属箔１６の表面プロファイルのみを引き継いだ新たな配線層（第１金属箔１６に由来の金属を含まない）として形成されてもよい。同様に、第３配線層４０は典型的には第３金属箔２８に由来するものであり、第３金属箔２８に由来の金属を典型的には含むが、第３金属箔２８の表面プロファイルのみを引き継いだ新たな配線層（第３金属箔２８に由来の金属を含まない）として形成されてもよい。第１配線層３８及び第３配線層４０の形成方法についての工法は特に限定されず、サブトラクティブ法、ＭＳＡＰ（モディファイド・セミ・アディティブ・プロセス）法、ＳＡＰ（セミアディティブ）法等の公知の手法が使用可能である。ここで、図３（ｖｉｉ）はＭＳＡＰ法により回路形成を行ったものである。ＭＳＡＰ法による回路形成の一例としては、まず第１金属箔１６及び第３金属箔２８の表面にフォトレジスト（図示せず）を所定のパターンで形成する。フォトレジストは感光性フィルムであるのが好ましく、この場合は露光及び現像により所定の配線パターンをフォトレジストに付与すればよい。次いで、第１金属箔１６及び第３金属箔２８の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）、並びに第１ビアホール３２及び第２ビアホール３４に電気めっき層３６を形成する。このとき、第１ビアホール３２及び第２ビアホール３４にめっき金属が充填されるため、第２積層体３０の両面が第１ビアホール３２、第２配線層２４及び第２ビアホール３４を介して電気的に接続される。電気めっきは公知の手法により行えばよく、特に限定されない。フォトレジスト層を剥離した後、第１金属箔１６、第３金属箔２８及び電気めっき層３６をエッチング加工することにより、第１配線層３８及び第３配線層４０が形成された多層配線板４２を得ることができる。
多層配線板４２上に更なるビルドアップ配線層を形成してもよい。すなわち、多層配線板４２上にさらに絶縁層と配線パターンを含む配線層とを交互に積層配置することで、第ｎ配線層（ｎは４以上の整数、好ましくは５、７、９等の奇数）まで形成された多層配線板を得ることができる。この工程の繰り返しは所望の層数のビルドアップ配線層が形成されるまで行えばよい。また、必要に応じて、外層面にソルダーレジストや、ピラー等の実装用のバンプ等を形成してもよい。
本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。
例１〜６
多層配線板の内層金属箔として用いるための銅箔を６種類用意し、各種評価を行った。具体的な手順は以下のとおりである。
多層配線板の内層金属箔として用いるための銅箔を６種類用意し、各種評価を行った。具体的な手順は以下のとおりである。
（１）銅箔の用意
表１に示される各パラメータを少なくとも一方の面に有する厚さ１２μｍの電解銅箔を６種類用意した。これらの銅箔のうち幾つかは市販品であり、その他は公知の方法に基づき別途作製したものである。用意した銅箔の各パラメータの測定ないし算出方法は以下のとおりである。
表１に示される各パラメータを少なくとも一方の面に有する厚さ１２μｍの電解銅箔を６種類用意した。これらの銅箔のうち幾つかは市販品であり、その他は公知の方法に基づき別途作製したものである。用意した銅箔の各パラメータの測定ないし算出方法は以下のとおりである。
（ＦＴ−ＩＲにおける波長１０．６μｍのレーザーの反射率）
赤外分光光度計（Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社製、Ｎｉｃｏｌｅｔ Ｎｅｘｕｓ ６４０ ＦＴ−ＩＲ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）を用いて、銅箔表面に対して下記条件にて測定を行い、ＩＲスペクトルデータを取得した。取得したＩＲスペクトルデータを解析することにより、波長１０．６μｍのレーザーの反射率を算出した。
＜測定条件＞
‐測定法：正反射法
‐バックグラウンド：Ａｕ蒸着ミラー
‐分解能：４ｃｍ−１
‐スキャン回数：６４ｓｃａｎ
‐検出器：ＤＴＧＳ（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ Ｔｒｉ−Ｇｌｙｃｉｎｅ Ｓｕｌｆａｔｅ）検出器
赤外分光光度計（Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社製、Ｎｉｃｏｌｅｔ Ｎｅｘｕｓ ６４０ ＦＴ−ＩＲ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）を用いて、銅箔表面に対して下記条件にて測定を行い、ＩＲスペクトルデータを取得した。取得したＩＲスペクトルデータを解析することにより、波長１０．６μｍのレーザーの反射率を算出した。
＜測定条件＞
‐測定法：正反射法
‐バックグラウンド：Ａｕ蒸着ミラー
‐分解能：４ｃｍ−１
‐スキャン回数：６４ｓｃａｎ
‐検出器：ＤＴＧＳ（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ Ｔｒｉ−Ｇｌｙｃｉｎｅ Ｓｕｌｆａｔｅ）検出器
（山の頂点密度Ｓｐｄ）
レーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＫ−Ｘ１００）を用い、Ｓフィルターによるカットオフ波長０．８μｍ、倍率２０００倍（測定面積１０７μｍ×１４３μｍ）の条件で、ＩＳＯ２５１７８に準拠して銅箔表面の山の頂点密度Ｓｐｄを測定した。
レーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＫ−Ｘ１００）を用い、Ｓフィルターによるカットオフ波長０．８μｍ、倍率２０００倍（測定面積１０７μｍ×１４３μｍ）の条件で、ＩＳＯ２５１７８に準拠して銅箔表面の山の頂点密度Ｓｐｄを測定した。
（十点平均粗さＲｚ）
レーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＫ−Ｘ１００）を用い、倍率２０００倍、カットオフ値０．８μｍ、測定長さ１００μｍの条件で、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４に準拠して銅箔表面の十点平均粗さＲｚを測定した。
レーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＫ−Ｘ１００）を用い、倍率２０００倍、カットオフ値０．８μｍ、測定長さ１００μｍの条件で、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４に準拠して銅箔表面の十点平均粗さＲｚを測定した。
（２）銅箔の評価
用意した銅箔について、各種特性の評価を以下のとおり行った。
用意した銅箔について、各種特性の評価を以下のとおり行った。
＜レーザー加工性＞
上記（１）で用意した銅箔を内層金属箔として用いてレーザー加工性評価用積層体を以下のように作製した。まず、厚さ２μｍの銅箔を第１金属箔１６として用意し、第１金属箔１６上に第１絶縁層１８として厚さ０．０２ｍｍのプリプレグ（三菱瓦斯化学株式会社製、ＧＨＰＬ−８３０ＮＳＦ）を積層した。次いで、第２金属箔２０として、上記（１）で用意した銅箔を、表１に示される各パラメータを有する側の面が第１絶縁層１８上に当接するように積層し、圧力４．０ＭＰａ、温度２２０℃で９０分間の熱間プレス成形を行って第１積層体２２を得た。第２金属箔２０の表面をマイクロエッチング液で１μｍエッチングした後、ドライフィルムを貼り付け、所定のパターンで露光及び現像を行い、エッチングレジストを形成した。第２銅箔表面を塩化銅エッチング液で処理して、エッチングレジスト間から銅を溶解除去した後、エッチングレジストを剥離して第２配線層２４を形成した。第２配線層２４表面に対して粗化処理（ＣＺ処理）を施した。粗化処理後における第２配線層２４の厚さは９μｍであった。したがって、第２配線層の厚さＴ２（９μｍ）に対する第１金属箔の厚さＴ１（２μｍ）の比であるＴ１／Ｔ２は２／９＝約０．２２であった。その後、第２配線層２４が形成された第１積層体２２上に厚さ０．０２ｍｍのプリプレグ（三菱瓦斯化学株式会社製、ＧＨＰＬ−８３０ＮＳＦ）及び厚さ２μｍの銅箔をそれぞれ第２絶縁層２６及び第３金属箔２８として順に積層し、圧力４．０ＭＰａ、温度２２０℃で９０分間の熱間プレス成形を行った。このようにして、レーザー加工性評価用積層体を得た。得られたレーザー加工性評価用積層体に対して、炭酸ガスレーザーを用いて９．５ＭＷ／ｃｍ２の出力密度で第１金属箔１６側からレーザー加工を施し、第１金属箔１６及び第１絶縁層１８を貫通して第２配線層２４に到達する直径６５μｍのビアホールを形成した。このビアホールを第１金属箔１６側から金属顕微鏡にて観察し、第２配線層２４の貫通の有無を判定した。各例につきビアホールの形成及び貫通判定を８８穴ずつ行い、ビアホールの形成数及び第２配線層２４の貫通数から、レーザー加工後における第２配線層２４の貫通率を算出した。
上記（１）で用意した銅箔を内層金属箔として用いてレーザー加工性評価用積層体を以下のように作製した。まず、厚さ２μｍの銅箔を第１金属箔１６として用意し、第１金属箔１６上に第１絶縁層１８として厚さ０．０２ｍｍのプリプレグ（三菱瓦斯化学株式会社製、ＧＨＰＬ−８３０ＮＳＦ）を積層した。次いで、第２金属箔２０として、上記（１）で用意した銅箔を、表１に示される各パラメータを有する側の面が第１絶縁層１８上に当接するように積層し、圧力４．０ＭＰａ、温度２２０℃で９０分間の熱間プレス成形を行って第１積層体２２を得た。第２金属箔２０の表面をマイクロエッチング液で１μｍエッチングした後、ドライフィルムを貼り付け、所定のパターンで露光及び現像を行い、エッチングレジストを形成した。第２銅箔表面を塩化銅エッチング液で処理して、エッチングレジスト間から銅を溶解除去した後、エッチングレジストを剥離して第２配線層２４を形成した。第２配線層２４表面に対して粗化処理（ＣＺ処理）を施した。粗化処理後における第２配線層２４の厚さは９μｍであった。したがって、第２配線層の厚さＴ２（９μｍ）に対する第１金属箔の厚さＴ１（２μｍ）の比であるＴ１／Ｔ２は２／９＝約０．２２であった。その後、第２配線層２４が形成された第１積層体２２上に厚さ０．０２ｍｍのプリプレグ（三菱瓦斯化学株式会社製、ＧＨＰＬ−８３０ＮＳＦ）及び厚さ２μｍの銅箔をそれぞれ第２絶縁層２６及び第３金属箔２８として順に積層し、圧力４．０ＭＰａ、温度２２０℃で９０分間の熱間プレス成形を行った。このようにして、レーザー加工性評価用積層体を得た。得られたレーザー加工性評価用積層体に対して、炭酸ガスレーザーを用いて９．５ＭＷ／ｃｍ２の出力密度で第１金属箔１６側からレーザー加工を施し、第１金属箔１６及び第１絶縁層１８を貫通して第２配線層２４に到達する直径６５μｍのビアホールを形成した。このビアホールを第１金属箔１６側から金属顕微鏡にて観察し、第２配線層２４の貫通の有無を判定した。各例につきビアホールの形成及び貫通判定を８８穴ずつ行い、ビアホールの形成数及び第２配線層２４の貫通数から、レーザー加工後における第２配線層２４の貫通率を算出した。
＜回路密着性＞
厚さ０．１ｍｍのプリプレグ（三菱瓦斯化学株式会社製、ＧＨＰＬ−８３０ＮＳＦ）３枚を積層し、積層したプリプレグに上記（１）で用意した銅箔を、表１に示される各パラメータを有する側の面が当接するように積層し、圧力４．０ＭＰａ、温度２２０℃で９０分間の熱間プレス成形を行って銅張積層板サンプルを作製した。この銅張積層板サンプルの両面にドライフィルムを張り合わせて、エッチングレジスト層を形成した。そして、その両面のエッチングレジスト層に、０．８ｍｍ幅の剥離強度測定試験用の回路を露光現像し、エッチングパターンを形成した。その後、銅エッチング液で回路エッチングを行い、エッチングレジストを剥離して回路を得た。こうして形成された回路（厚み１２μｍ、回路幅０．８ｍｍ）をＪＩＳ Ｃ ６４８１−１９９６に準拠してプリプレグ表面に対して９０°方向に剥離してピール強度（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。
厚さ０．１ｍｍのプリプレグ（三菱瓦斯化学株式会社製、ＧＨＰＬ−８３０ＮＳＦ）３枚を積層し、積層したプリプレグに上記（１）で用意した銅箔を、表１に示される各パラメータを有する側の面が当接するように積層し、圧力４．０ＭＰａ、温度２２０℃で９０分間の熱間プレス成形を行って銅張積層板サンプルを作製した。この銅張積層板サンプルの両面にドライフィルムを張り合わせて、エッチングレジスト層を形成した。そして、その両面のエッチングレジスト層に、０．８ｍｍ幅の剥離強度測定試験用の回路を露光現像し、エッチングパターンを形成した。その後、銅エッチング液で回路エッチングを行い、エッチングレジストを剥離して回路を得た。こうして形成された回路（厚み１２μｍ、回路幅０．８ｍｍ）をＪＩＳ Ｃ ６４８１−１９９６に準拠してプリプレグ表面に対して９０°方向に剥離してピール強度（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。
＜回路形成性＞
上述の銅張積層板サンプルの表面に回路高さが２０μｍになるまで電気めっきを行った。こうして形成された電気めっき層の表面にドライフィルムを貼り付け、露光及び現像を行い、エッチングレジストを形成した。塩化銅エッチング液で処理することにより、エッチングレジスト間から銅を溶解除去し、回路高さ２０μｍ、ライン／スペース＝２５μｍ／２５μｍの直線状配線パターンを形成した。こうして得られた直線状配線パターンを倍率１０００倍の条件で真上（観察角度０°）からＳＥＭで観察した。取得したＳＥＭ画像をデジタルマイクロスコープ（株式会社キーエンス製、ＶＨＸ５００）に取り込み、回路ボトム幅を１００点測長した。測長結果から、中央値を平均値の代わりに用いて標準偏差σ（μｍ）を算出し、３σ−（−３σ）、すなわち６σを回路直線性の値として採用した。
上述の銅張積層板サンプルの表面に回路高さが２０μｍになるまで電気めっきを行った。こうして形成された電気めっき層の表面にドライフィルムを貼り付け、露光及び現像を行い、エッチングレジストを形成した。塩化銅エッチング液で処理することにより、エッチングレジスト間から銅を溶解除去し、回路高さ２０μｍ、ライン／スペース＝２５μｍ／２５μｍの直線状配線パターンを形成した。こうして得られた直線状配線パターンを倍率１０００倍の条件で真上（観察角度０°）からＳＥＭで観察した。取得したＳＥＭ画像をデジタルマイクロスコープ（株式会社キーエンス製、ＶＨＸ５００）に取り込み、回路ボトム幅を１００点測長した。測長結果から、中央値を平均値の代わりに用いて標準偏差σ（μｍ）を算出し、３σ−（−３σ）、すなわち６σを回路直線性の値として採用した。
例７〜１２
厚さ１２μｍの電解銅箔の代わりに、表１に示される各パラメータを少なくとも一方の面に有する厚さ９μｍの電解銅箔を用いたこと以外は、例１〜６と同様にして各種特性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは７μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は２／７＝約０．２９であった。
厚さ１２μｍの電解銅箔の代わりに、表１に示される各パラメータを少なくとも一方の面に有する厚さ９μｍの電解銅箔を用いたこと以外は、例１〜６と同様にして各種特性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは７μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は２／７＝約０．２９であった。
例１３〜１６
厚さ１２μｍの電解銅箔の代わりに、表１に示される各パラメータを少なくとも一方の面に有する厚さ７μｍの電解銅箔を用いたこと以外は、例１〜６と同様にして各種特性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは５μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は２／５＝０．４０であった。
厚さ１２μｍの電解銅箔の代わりに、表１に示される各パラメータを少なくとも一方の面に有する厚さ７μｍの電解銅箔を用いたこと以外は、例１〜６と同様にして各種特性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは５μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は２／５＝０．４０であった。
結果
例１〜１６において得られた評価結果は表１に示されるとおりであった。
例１〜１６において得られた評価結果は表１に示されるとおりであった。
例１７
１）第１金属箔１６及び第３金属箔２８として厚さ２μｍの銅箔の代わりに、厚さ３μｍの銅箔をそれぞれ用いたこと、２）エッチング量を調整して粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さを５μｍとした（すなわちＴ１／Ｔ２を３／５＝０．６０とした）こと、及び３）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．５ＭＷ／ｃｍ２から９．７５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１１と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。
１）第１金属箔１６及び第３金属箔２８として厚さ２μｍの銅箔の代わりに、厚さ３μｍの銅箔をそれぞれ用いたこと、２）エッチング量を調整して粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さを５μｍとした（すなわちＴ１／Ｔ２を３／５＝０．６０とした）こと、及び３）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．５ＭＷ／ｃｍ２から９．７５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１１と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。
例１８
１）第１金属箔１６及び第３金属箔２８として厚さ２μｍの銅箔の代わりに、厚さ３μｍの銅箔をそれぞれ用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．５ＭＷ／ｃｍ２から９．７５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１６と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは５μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は３／５＝０．６０であった。
１）第１金属箔１６及び第３金属箔２８として厚さ２μｍの銅箔の代わりに、厚さ３μｍの銅箔をそれぞれ用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．５ＭＷ／ｃｍ２から９．７５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１６と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは５μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は３／５＝０．６０であった。
例１９
１）第１金属箔１６及び第３金属箔２８として厚さ２μｍの銅箔の代わりに、厚さ３μｍの銅箔を用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．５ＭＷ／ｃｍ２から９．７５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１４と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは５μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は３／５＝０．６０であった。
１）第１金属箔１６及び第３金属箔２８として厚さ２μｍの銅箔の代わりに、厚さ３μｍの銅箔を用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．５ＭＷ／ｃｍ２から９．７５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１４と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは５μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は３／５＝０．６０であった。
例２０
１）第１金属箔１６及び及び第３金属箔２８として厚さ３μｍの銅箔の代わりに、厚さ５μｍの銅箔をそれぞれ用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．７５ＭＷ／ｃｍ２から１０．２５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１７と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは５μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は５／５＝１．０であった。
１）第１金属箔１６及び及び第３金属箔２８として厚さ３μｍの銅箔の代わりに、厚さ５μｍの銅箔をそれぞれ用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．７５ＭＷ／ｃｍ２から１０．２５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１７と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは５μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は５／５＝１．０であった。
例２１
１）第１金属箔１６及び及び第３金属箔２８として厚さ３μｍの銅箔の代わりに、厚さ５μｍの銅箔をそれぞれ用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．７５ＭＷ／ｃｍ２から１０．２５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１８と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは５μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は５／５＝１．０であった。
１）第１金属箔１６及び及び第３金属箔２８として厚さ３μｍの銅箔の代わりに、厚さ５μｍの銅箔をそれぞれ用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．７５ＭＷ／ｃｍ２から１０．２５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１８と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは５μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は５／５＝１．０であった。
例２２
１）第１金属箔１６及び及び第３金属箔２８として厚さ３μｍの銅箔の代わりに、厚さ５μｍの銅箔を用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．７５ＭＷ／ｃｍ２から１０．２５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１９と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは５μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は５／５＝１．０であった。
１）第１金属箔１６及び及び第３金属箔２８として厚さ３μｍの銅箔の代わりに、厚さ５μｍの銅箔を用いたこと、及び２）炭酸ガスレーザーの出力密度を９．７５ＭＷ／ｃｍ２から１０．２５ＭＷ／ｃｍ２に変更したこと以外は、例１９と同様にしてレーザー加工性の評価を行った。なお、レーザー加工性評価用積層体における粗化処理（ＣＺ処理）後の第２配線層２４の厚さは５μｍであり、Ｔ１／Ｔ２は５／５＝１．０であった。
結果
例１７〜２２において得られた評価結果は表２に示されるとおりであった。
例１７〜２２において得られた評価結果は表２に示されるとおりであった。
Claims (10)
- 多層配線板の製造方法であって、
（ａ）第１金属箔上に第１絶縁層及び第２金属箔を順に積層して第１積層体を形成する工程と、
（ｂ）前記第２金属箔にパターニングを施して第２配線層を形成する工程と、
（ｃ）前記第２配線層が形成された前記第１積層体上に第２絶縁層及び第３金属箔を順に積層して第２積層体を形成する工程と、
（ｄ）前記第２積層体に対して前記第１金属箔及び前記第３金属箔の各々からレーザー加工を施して、前記第１金属箔及び前記第１絶縁層を貫通して前記第２配線層に到達する第１ビアホールと、前記第３金属箔及び前記第２絶縁層を貫通して前記第２配線層に到達する第２ビアホールとを形成する工程と、
（ｅ）前記第２積層体の両面に対して、前記第１ビアホール、前記第２配線層及び前記第２ビアホールを介した電気的接続が形成されるようにめっき及びパターニングを施して、前記第１絶縁層に隣接する第１配線層、前記第２金属箔に由来する第２配線層、及び前記第２絶縁層に隣接する第３配線層を含む多層配線板を形成する工程と、
を含み、
前記第２金属箔の少なくとも前記第１絶縁層と対向する面は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であり、かつ、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下である、方法。 - 前記第２金属箔における前記第１絶縁層と対向する面の十点平均粗さＲｚが０．２μｍ以上２．０μｍ以下である、請求項１に記載の方法。
- 前記第２配線層の前記第２絶縁層と対向する面は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定される波長１０．６μｍのレーザーの反射率が８０％以上であり、かつ、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される山の頂点密度Ｓｐｄが７０００個／ｍｍ２以上１５０００個／ｍｍ２以下である、請求項１又は２に記載の方法。
- 前記第２配線層の厚さが３μｍ以上１２μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第１金属箔、前記第２金属箔及び前記第３金属箔がいずれも銅箔である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第１金属箔及び前記第３金属箔の各々の厚さが０．１μｍ以上１２μｍ以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第２配線層の厚さＴ２に対する前記第１金属箔の厚さＴ１の比であるＴ１／Ｔ２が０．２３以上である、且つ／又は前記第２配線層の厚さＴ２に対する前記第３金属箔の厚さＴ３の比であるＴ３／Ｔ２が０．２３以上である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
- 前記Ｔ１／Ｔ２が１．０以下である、且つ／又は前記Ｔ３／Ｔ２が１．０以下である、請求項７に記載の方法。
- 前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールの直径がいずれも３０μｍ以上８０μｍ以下である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第１金属箔が、第１キャリア、第１剥離層、及び前記第１金属箔を順に備えたキャリア付金属箔の形態で供され、前記第２積層体の形成後で、かつ、前記第１金属箔に対するレーザー加工前に、前記第１キャリアが前記第２積層体から剥離される、かつ／又は
前記第３金属箔が、第３キャリア、第３剥離層、及び前記第３金属箔を順に備えたキャリア付金属箔の形態で供され、前記第２積層体の形成後で、かつ、前記第３金属箔に対するレーザー加工前に、前記第３キャリアが前記第２積層体から剥離される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
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