KR20200091934A

KR20200091934A - 다층 배선판의 제조 방법

Info

Publication number: KR20200091934A
Application number: KR1020207021006A
Authority: KR
Inventors: 미사토 미조구치; 가즈히로 요시카와
Original assignee: 미쓰이금속광업주식회사
Priority date: 2018-03-28
Filing date: 2019-03-22
Publication date: 2020-07-31
Also published as: TW201943324A; JP6622444B1; CN111684869A; CN111684869B; JPWO2019188836A1; WO2019188836A1; TWI703909B; KR102231993B1

Abstract

회로 밀착성이 우수하면서도, 레이저 가공에 의한 내층 회로의 관통을 매우 효과적으로 방지하는 것이 가능한, 다층 배선판의 제조 방법이 제공된다. 이 다층 배선판의 제조 방법은, (a) 제1 금속박 위에 제1 절연층 및 제2 금속박을 순서대로 적층하여 제1 적층체를 형성하는 공정과, (b) 제2 배선층을 형성하는 공정과, (c) 제2 절연층 및 제3 금속박을 순서대로 적층하여 제2 적층체를 형성하는 공정과, (d) 제1 비아 홀과 제2 비아 홀을 형성하는 공정과, (e) 제1 배선층, 제2 배선층 및 제3 배선층을 포함하는 다층 배선판을 형성하는 공정을 포함하고, 제2 금속박의 적어도 제1 절연층과 대향하는 면은, 푸리에 변환 적외 분광 광도계(FT-IR)에 의해 측정되는 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율이 80％ 이상이며, 또한, ISO25178에 준거하여 측정되는 산의 정점 밀도 Spd가 7000개/㎟ 이상 15000개/㎟ 이하이다.

Description

다층 배선판의 제조 방법

본 발명은, 다층 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.

근년, 프린트 배선판의 실장 밀도를 높여 소형화하기 위해, 프린트 배선판의 다층화가 널리 행해지고 있다. 이와 같은 다층 프린트 배선판은, 휴대용 전자 기기의 다수에서, 경량화나 소형화를 목적으로 하여 이용되고 있다. 그리고, 이 다층 프린트 배선판에는, 층간 절연층의 가일층의 두께의 저감, 및 배선판으로서의 한층 더한 박형화 및 경량화가 요구되고 있다.

이와 같은 요구를 충족시키는 기술로서, 코어리스 빌드업법을 이용한 다층 프린트 배선판의 제조 방법이 채용되어 있다. 코어리스 빌드업법이란, 소위 코어 기판을 사용하지 않고, 절연층과 배선층을 교대로 적층(빌드업)하여 다층화하는 방법이다. 코어리스 빌드업법에 있어서는, 지지체와 다층 프린트 배선판의 박리를 용이하게 행할 수 있도록, 캐리어를 갖는 금속박을 사용하는 것이 제안되어 있다. 예를 들어, 특허문헌 1(일본 특허 제4460013호 공보)에는, 캐리어를 갖는 금속박의 금속박측에 절연층 및 두께 18㎛의 금속층을 순서대로 적층하고, 금속층을 가공하여 내층 회로(제1 도체 패턴)를 형성하고, 내층 회로에 추가로 절연층 및 금속박을 순서대로 적층하고, 캐리어를 박리하여 내층 회로의 양면측에 금속박을 구비하는 기판을 형성하고, 그 후, 기판 양면의 금속박과 내층 회로를 비아를 통해 전기적으로 접속하는 배선 기판의 제조 방법이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는, 기판의 양면으로부터 레이저 가공을 행하여 금속박 및 절연층을 관통하여 내층 회로에 도달하는 비아 홀을 각각 형성하고, 기판 양면의 금속박에 드라이 필름으로 패터닝을 실시하고, 그 후, 전기 도금에 의해 비아 홀을 도금 금속으로 충전함과 함께, 외층 회로(도체 패턴)를 기판의 양면에 형성하는 것도 개시되어 있다.

일본 특허 제4460013호 공보

근년, 다층 프린트 배선판에 요구되는 가일층의 박형화에 수반하여, 다층 배선판의 내층 회로에 사용되는 금속박(이하, 「내층 금속박」으로 함)의 두께도 저감되어 있다. 이러한 점에서, 특허문헌 1에 기재된 바와 같은 배선 기판의 제조에 있어서도, 극박화한 내층 금속박을 사용하는 것이 요망된다. 그러나, 기존의 극박 구리박(예를 들어 두께 6㎛ 이상 12㎛ 이하)을 내층 금속박으로서 사용한 경우, 층간 접속용 비아 홀을 형성하는 공정에 있어서, 양면(외층)의 금속박 및 절연층뿐만 아니라 내층 회로까지 레이저 가공에 의해 관통하여 구멍이 생긴다는 문제가 있다.

본 발명자들은, 금번, 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율 및 산의 정점 밀도 Spd가 소정의 조건을 충족하는 특정면을 구비한 금속박을 내층 금속박으로서 사용하여 다층 배선판의 제조를 행함으로써, 회로 밀착성이 우수하면서도, 레이저 가공에 의한 내층 회로의 관통을 매우 효과적으로 방지할 수 있다는 지견을 얻었다.

따라서, 본 발명의 목적은, 회로 밀착성이 우수하면서도, 레이저 가공에 의한 내층 회로의 관통을 매우 효과적으로 방지하는 것이 가능한, 다층 배선판의 제조 방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 일 양태에 의하면, 다층 배선판의 제조 방법이며,

(a) 제1 금속박 위에 제1 절연층 및 제2 금속박을 순서대로 적층하여 제1 적층체를 형성하는 공정과,

(b) 상기 제2 금속박에 패터닝을 실시하여 제2 배선층을 형성하는 공정과,

(c) 상기 제2 배선층이 형성된 상기 제1 적층체 위에 제2 절연층 및 제3 금속박을 순서대로 적층하여 제2 적층체를 형성하는 공정과,

(d) 상기 제2 적층체에 대해서 상기 제1 금속박 및 상기 제3 금속박의 각각으로부터 레이저 가공을 실시하여, 상기 제1 금속박 및 상기 제1 절연층을 관통하여 상기 제2 배선층에 도달하는 제1 비아 홀과, 상기 제3 금속박 및 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제2 배선층에 도달하는 제2 비아 홀을 형성하는 공정과,

(e) 상기 제2 적층체의 양면에 대해서, 상기 제1 비아 홀, 상기 제2 배선층 및 상기 제2 비아 홀을 통한 전기적 접속이 형성되도록 도금 및 패터닝을 실시하여, 상기 제1 절연층에 인접하는 제1 배선층, 상기 제2 금속박에서 유래하는 제2 배선층, 및 상기 제2 절연층에 인접하는 제3 배선층을 포함하는 다층 배선판을 형성하는 공정을

포함하고,

상기 제2 금속박의 적어도 상기 제1 절연층과 대향하는 면은, 푸리에 변환 적외 분광 광도계(FT-IR)에 의해 측정되는 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율이 80％ 이상이며, 또한, ISO25178에 준거하여 측정되는 산의 정점 밀도 Spd가 7000개/㎟ 이상 15000개/㎟ 이하인, 방법이 제공된다.

도 1은 본 발명의 제조 방법의 일례에 있어서의, 초기의 공정(공정 (i) 내지 (ⅲ))을 나타내는 공정 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제조 방법의 일련에 있어서의, 도 1에 도시된 공정에 이어지는 공정(공정 (ⅳ)∼ (ⅴ))을 나타내는 공정 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 제조 방법의 일련에 있어서의, 도 2에 도시된 공정에 이어지는 공정(공정 (ⅵ) 내지 (ⅶ))을 나타내는 공정 흐름도이다.

정의

본 발명을 특정하기 위해 사용되는 파라미터의 정의를 이하에 나타낸다.

본 명세서에 있어서 「파장 10.6㎛의 레이저의 반사율」이란, 푸리에 변환 적외 광도계(FT-IR)에 의해 측정되는, 파장 10.6㎛의 레이저를 시료(금속박) 표면에 조사했을 때의, 기준판(예를 들어 Au 증착 미러)에서 반사한 광의 양에 대한, 시료에서 반사한 광의 양의 비율이다. 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율의 측정은, 시판 중인 푸리에 변환 적외 광도계를 사용하여, 본 명세서의 실시예에 기재되는 여러 조건에 따라서 행할 수 있다. 또한, 레이저 가공에 전형적으로 사용되는 탄산 가스 레이저의 파장이 10.6㎛이기 때문에, 푸리에 변환 적외 광도계의 레이저 파장을 10.6㎛로 하였다.

본 명세서에 있어서 「산의 정점 밀도 Spd」란, ISO25178에 준거하여 측정되는, 단위 면적당 산 정점의 수를 나타내는 파라미터이다. 이 값이 크면 다른 물체와의 접촉점의 수가 많음을 시사한다. 산의 정점 밀도 Spd는, 금속박 표면에 있어서의 소정의 측정 면적(예를 들어 107㎛×143㎛의 영역)의 표면 프로파일을 시판 중인 레이저 현미경으로 측정함으로써 산출할 수 있다.

본 명세서에 있어서 「10점 평균 거칠기 Rz」란, JIS B 0601-1994에 준거하여 결정될 수 있는 파라미터이며, 기준 길이의 거칠기 곡선에 있어서, 가장 높은 산 정상부터 높은 순으로 5번째까지의 산 높이의 평균과, 가장 깊은 골짜기의 바닥부터 깊은 순으로 5번째까지의 골짜기 깊이의 평균과의 합을 말한다.

다층 배선판의 제조 방법

본 발명은, 다층 배선판의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은, (1) 제1 적층체의 형성, (2) 제2 배선층의 형성, (3) 제2 적층체의 형성, (4) 소망에 따라 행해지는 캐리어의 박리, (5) 제1 및 제2 비아 홀의 형성, (6) 제1 및 제3 배선층의 형성의 각 공정을 포함한다.

이하, 도 1 내지 3을 참조하면서, 공정 (1) 내지 (6)의 각각에 대하여 설명한다.

(1) 제1 적층체의 형성

도 1의 (i) 및 (ii)에 도시한 바와 같이, 제1 금속박(16)을 준비하고, 이 제1 금속박(16) 위에 제1 절연층(18) 및 제2 금속박(20)을 순서대로 적층하여 제1 적층체(22)를 형성한다. 제1 금속박(16)은 캐리어를 갖는 금속박(10)의 형태로 제공되어도 된다. 캐리어를 갖는 금속박(10)은, 전형적으로는 제1 캐리어(12), 제1 박리층(14), 및 제1 금속박(16)을 순서대로 구비한다. 또한, 제1 캐리어(12)의 양면에 상하 대칭이 되도록 각종 층을 순서대로 구비하여 이루어지는 구성으로 해도 된다. 또는, 캐리어를 갖는 금속박(10)의 제1 캐리어(12)측이 프리프레그 등의 임시 지지체(도시생략)에 첩부되어 강성이 부여되어도 된다. 이 경우, 임시 지지체의 양면에 캐리어를 갖는 금속박(10)이 상하 대칭으로 첩부되고, 얻어진 적층체의 양면에 상하 대칭이 되도록 후술하는 각 층이 형성되고, 그 후 임시 지지체가 제1 캐리어(12)와 함께 제거되는 것이 바람직하다. 또한, 프리프레그란, 합성 수지판, 유리판, 유리 직포, 유리 부직포, 종이 등의 기재에 합성 수지를 함침시킨 복합 재료의 총칭이다.

제1 캐리어(12)는 제1 금속박(16)을 지지하여 그 핸들링성을 향상시키기 위한 박 내지 층이다. 제1 캐리어(12)의 바람직한 예로서는, 알루미늄박, 구리박, 스테인리스(SUS)박, 수지 필름, 표면을 구리 등으로 메탈 코팅한 수지 필름, 수지판, 유리판, 및 그것들의 조합을 들 수 있다. 제1 캐리어(12)의 두께는 전형적으로는 5㎛ 이상 250㎛ 이하이고, 바람직하게는 9㎛ 이상 200㎛ 이하이다.

제1 박리층(14)은 제1 캐리어(12)의 박리를 가능하게 하는 층인 한, 재질은 특별히 한정되지는 않는다. 예를 들어, 제1 박리층(14)은, 캐리어를 갖는 금속박의 박리층으로서 채용되는 공지된 재료로 구성될 수 있다. 제1 박리층(14)은, 유기 박리층 및 무기 박리층의 어느 것이어도 되고, 유기 박리층과 무기 박리층과의 복합 박리층이어도 된다. 박리층의 두께는, 전형적으로는 1㎚ 이상 1㎛ 이하이고, 바람직하게는 5㎚ 이상 500㎚ 이하, 보다 바람직하게는 6㎚ 이상 100㎚ 이하이다.

제1 금속박(16)은, 코어리스 빌드업법의 배선층용 금속박에 채용되는 공지된 구성일 수 있다. 예를 들어, 제1 금속박(16)은, 무전해 도금법 및 전해 도금법 등의 습식 성막법, 스퍼터링 및 화학 증착 등의 건식 성막법, 또는 그것들의 조합에 의해 형성한 것이어도 된다. 제1 금속박(16)의 예로서는, 알루미늄박, 구리박, 스테인리스(SUS)박, 니켈 박 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 구리박이다. 구리박은 압연 구리박 및 전해 구리박의 어느 것이어도 된다. 또한, 제1 금속박(16)의 바람직한 두께는 0.1㎛ 이상 12㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상 9㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이상 7㎛ 이하, 특히 바람직하게는 1.5㎛ 이상 5㎛ 이하이다. 이와 같은 범위 내이면, 후술하는 비아 홀 형성 공정에 있어서, 제1 금속박(16)으로부터 직접 레이저 가공을 행하여 비아 홀을 형성하는 것이 용이해진다. 또한, 제1 금속박(16)이 배선층의 형성에 사용되는 경우, 상술한 두께의 범위 내이면 미세 회로 형성성도 우수하다.

제1 절연층(18)은, 코어리스 빌드업법의 절연층에 채용되는 공지된 구성이면 되며, 특별히 한정되지는 않는다. 예를 들어, 제1 절연층(18)은, 프리프레그나 수지 시트 등의 절연 수지 재료를 제1 금속박(16) 위에 적층하고, 그 후, 열간 프레스 성형을 실시함으로써 바람직하게 형성할 수 있다. 사용하는 프리프레그에 함침되는 절연성 수지의 바람직한 예로서는, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 비스말레이미드 트리아진 수지(BT 수지), 폴리페닐렌 에테르 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다. 또한, 수지 시트를 구성하는 절연성 수지의 바람직한 예로서는, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 또한, 제1 절연층(18)에는 절연성을 향상시키는 등의 관점에서 실리카, 알루미나 등의 각종 무기 입자로 이루어지는 필러 입자 등이 함유되어 있어도 된다. 제1 절연층(18)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1㎛ 이상 100㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상 40㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이상 30㎛ 이하이다. 제1 절연층(18)은 복수의 층으로 구성되어 있어도 된다.

제2 금속박(20)의 적어도 제1 절연층(18)과 대향하는 면은, 푸리에 변환 적외 분광 광도계(FT-IR)에 의해 측정되는 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율이 80％ 이상이며, 또한, ISO25178에 준거하여 측정되는 산의 정점 밀도 Spd가 7000개/㎟ 이상 15000개/㎟ 이하이다. 이와 같은 조건을 충족하는 금속박을 내층 금속박(즉 제2 금속박(20))으로서 사용하여 다층 배선판의 제조를 행함으로써, 회로 밀착성이 우수하면서도, 레이저 가공에 의한 내층 회로(즉 제2 배선층(24))의 관통을 매우 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.

즉, 제2 금속박(20)의 제1 절연층(18)과 대향하는 면에 있어서의 푸리에 변환 적외 분광 광도계에 의해 측정되는 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율을 80％ 이상으로 높게 함으로써, 비아 홀 형성에 사용되는 레이저광의 흡수를 효과적으로 방해하는 것이 가능해진다. 그 결과, 제2 금속박(20)에서 유래하는 제2 배선층(24)의 레이저 가공에 의한 관통을 매우 효과적으로 방지할 수 있다. 이 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율은 제2 금속박(20)의 표면을 평활하게 할수록 커진다고 할 수 있다. 그러나, 레이저 반사율을 크게 하기 위해서 제2 금속박(20)의 표면을 단순히 평활하게 한 경우, 제2 금속박(20)과 제1 절연층(18)의 밀착성이 저하되어버려, 회로 박리가 발생하기 쉬워진다. 이와 같이, 레이저 가공에 의한 내층 회로의 관통 방지와, 회로 밀착성을 양립하는 것은 용이한 것이 아니다. 이러한 점에서, 본 발명에 있어서는, 제2 금속박(20)의 제1 절연층(18)과 대향하는 면에 있어서, 파장 10.6㎛의 레이저 반사율 향상에 기여하는 평활성을 유지하면서, 산의 정점 밀도 Spd를 7000개/㎟ 이상 15000개/㎟ 이하로 높게 함으로써, 제2 금속박(20)의 제1 절연층(18)에 대한 침투를 대부분의 접점 수로 확보할 수 있다. 그 결과, 높은 회로 밀착성을 확보하면서도, 레이저 가공에 의한 내층 회로의 관통을 매우 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.

상기 관점에서, 제2 금속박(20)의 제1 절연층(18)과 대향하는 면은, 푸리에 변환 적외 분광 광도계(FT-IR)에 의해 측정되는 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율이 80％ 이상이며, 바람직하게는 85％ 이상, 보다 바람직하게는 90％ 이상, 더욱 바람직하게는 95％ 이상이다. 상한값은 특별히 한정되는 것은 아니며 100％여도 되지만, 전형적으로는 98％ 이하이다. 또한, 제2 금속박(20)의 제1 절연층(18)과 대향하는 면은, ISO25178에 준거하여 측정되는 산의 정점 밀도 Spd가 7000개/㎟ 이상 15000개/㎟ 이하이고, 바람직하게는 10000개/㎟ 이상 15000개/㎟ 이하, 보다 바람직하게는 13000개/㎟ 이상 15000개/㎟ 이하이다. 상기 바람직한 범위 내이면, 높은 회로 밀착성을 더 한층 확보하면서, 레이저 가공 시에 있어서의 제2 배선층(24)의 관통을 더 효과적으로 방지할 수 있다.

바람직하게는, 제2 금속박(20)에 있어서의 제1 절연층(18)과 대향하는 면의 10점 평균 거칠기 Rz가 0.2㎛ 이상 2.0㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상 1.8㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.8㎛ 이상 1.5㎛ 이하이다. 이와 같은 범위 내이면 미세 회로 형성성을 더 한층 향상시킬 수 있다.

제2 금속박(20)의 제1 절연층(18)과 대향하는 면에 있어서의 상기 범위 내의 파장 10.6㎛의 레이저 반사율, 산의 정점 밀도 Spd 및 10점 평균 거칠기 Rz는, 구리박 표면에 공지 내지 원하는 조건으로 조화 처리를 실시함으로써 실현할 수 있다. 따라서, 제2 금속박(20)의 제1 절연층(18)과 대향하는 면은 조화면인 것이 바람직하다. 또한, 상기 여러 조건을 충족하는 표면을 갖는 시판 중인 구리박을 선택적으로 입수해도 된다.

제2 금속박(20)은, 무전해 도금법 및 전해 도금법 등의 습식 성막법, 스퍼터링 및 화학 증착 등의 건식 성막법, 또는 그것들의 조합에 의해 형성한 것이어도 된다. 제2 금속박(20)의 예로서는, 알루미늄박, 구리박, 스테인리스(SUS)박 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 구리박이다. 구리박은 압연 구리박 및 전해 구리박의 어느 것이어도 된다. 제2 금속박(20)의 바람직한 두께는 0.1㎛ 이상 12㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상 9㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이상 7㎛ 이하이다. 이와 같은 범위 내이면, 미세 회로 형성을 행하는 데 매우 적합한 것으로 된다. 또한, 제2 금속박(20)은 제2 캐리어(도시생략), 제2 박리층(도시생략), 및 제2 금속박(20)을 순서대로 구비한 캐리어를 갖는 금속박의 형태로 제공되어도 되고, 이 경우에는 제2 금속박(20)을 제1 절연층(18) 위에 적층 후, 제2 배선층(24)을 형성하기 전에, 제2 캐리어를 제1 적층체(22)로부터 박리하면 된다. 제2 캐리어 및 제2 박리층의 구성은 상술한 제1 캐리어(12) 및 제1 박리층(14)에 각각 준한 것으로 하면 되며, 특별히 한정되지는 않는다.

(2) 제2 배선층의 형성

도 1의 (ⅲ)에 도시한 바와 같이, 제2 금속박(20)에 패터닝을 실시함으로써 제2 배선층(24)을 형성한다. 패터닝은 공지된 방법에 의해 행하면 된다. 바람직한 회로 형성 방법은, 제2 금속박(20)을 그대로 또는 일부로서 사용하여 제2 배선층(24)을 형성하는 방법이며, 보다 바람직하게는, 제2 금속박(20) 위에 도금 등을 행하지 않고, 제2 금속박(20)을 그대로 사용하여 제2 배선층(24)을 형성하는 방법을 들 수 있다. 이와 같은 회로 형성이 가능한 방법의 바람직한 예로서는 서브트랙티브법을 들 수 있다. 서브트랙티브법에 의한 회로 형성의 일례로서는, 우선 제2 금속박(20)의 표면에 드라이 필름을 첩부하고, 소정의 패턴으로 노광 및 현상을 행하여, 에칭 레지스트(도시생략)를 형성한다. 이어서, 제2 금속박(20)을 구성하는 금속을 용해 가능한 에칭액으로 처리함으로써, 에칭 레지스트 사이로부터 노출된 금속을 용해 제거한 후, 에칭 레지스트를 박리하여 제2 배선층(24)으로 할 수 있다.

제2 배선층(24)의 형성 공정은, 제2 배선층(24)에 내층 처리를 실시하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 내층 처리는 CZ 처리 등의 조화 처리를 포함하는 것이 바람직하고, CZ 처리는 유기산계 마이크로 에칭제(예를 들어 맥크 가부시키가이샤제, 제품 번호 CZ-8101)를 사용하여, 제2 배선층(24) 표면에 미세 조화를 실시함으로써 바람직하게 행할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 제2 배선층(24) 표면에 미세 요철을 형성하고, 후술하는 제2 적층체의 형성 공정에 있어서의 제2 배선층(24)과 제2 절연층(26)의 밀착성을 향상시킬 수 있다.

제2 배선층(24)의 두께는 3㎛ 이상 12㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상 10㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이상 8㎛ 이하이다. 이와 같은 범위 내이면, 다층 프린트 배선판에 요구되는 박형화에 매우 유리해진다. 또한, 본 발명의 방법에 의하면, 제2 배선층(24)의 두께가 상기와 같이 얇은 경우라도, 레이저 가공에 수반하는 관통을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 제2 배선층(24)에 상술한 내층 처리를 실시하는 경우에는, 내층 처리 후에 있어서의 제2 배선층(24)의 두께가 상기 범위 내인 것이 바람직하다.

(3) 제2 적층체의 형성

도 2의 (ⅳ)에 도시한 바와 같이, 제2 배선층(24)이 형성된 제1 적층체(22) 위에 제2 절연층(26) 및 제3 금속박(28)을 적층하여 제2 적층체(30)을 형성한다. 이렇게 함으로써, 제2 배선층(24)이 제1 절연층(18)과 제2 절연층(26)의 사이에 매립된 내층 회로로 된다. 제2 절연층(26) 및 제3 금속박(28)의 구성은 제1 절연층(18) 및 제1 금속박(16)의 각각에 준한 것으로 하면 된다. 따라서, 제1 금속박(16) 및 제1 절연층(18)에 관한 바람직한 양태는 제3 금속박(28) 및 제2 절연층(26)의 각각에도 그대로 적용된다. 또한, 제3 금속박(28)은 제3 캐리어(도시생략), 제3 박리층(도시생략), 및 제3 금속박(28)을 순서대로 구비한 캐리어를 갖는 금속박의 형태로 제공되어도 된다. 제3 캐리어 및 제3 박리층의 구성은 상술한 제1 캐리어(12) 및 제1 박리층(14)에 준한 것으로 하면 되며, 특별히 한정되지는 않는다.

제2 배선층(24)의 제2 절연층(26)과 대향하는 면은, 푸리에 변환 적외 분광 광도계(FT-IR)에 의해 측정되는 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율이 80％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 85％ 이상, 더욱 바람직하게는 90％ 이상, 특히 바람직하게는 95％ 이상이다. 상한값은 특별히 한정되는 것은 아니며 100％여도 되지만, 전형적으로는 98％ 이하이다. 또한, 제2 배선층(24)의 제2 절연층(26)과 대향하는 면은, ISO25178에 준거하여 측정되는 산의 정점 밀도 Spd가 7000개/㎟ 이상 15000개/㎟ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10000개/㎟ 이상 15000개/㎟ 이하, 더욱 바람직하게는 13000개/㎟이상 15000개/㎟ 이하이다. 이와 같은 범위 내이면, 제2 배선층(24)과 제2 절연층(26)의 높은 밀착성을 확보할 수 있음과 함께, 제3 금속박(28)으로부터의 레이저 가공 시에 있어서도 제2 배선층(24)의 관통을 방지할 수 있다. 제2 배선층(24)의 제2 절연층(26)과 대향하는 면에 있어서의 상기 범위 내의 파장 10.6㎛의 레이저 반사율 및 산의 정점 밀도 Spd는, 제2 금속박(20)의 표면에 미리 구비하고 있어도 되지만, 상술한 내층 처리(예를 들어 CZ 처리 등의 조화 처리)에 의해 제2 배선층(24)의 표면에 사후적으로 부여되어도 된다. 따라서, 제2 배선층(24)의 제2 절연층(26)과 대향하는 면은 조화면인 것이 바람직하다.

바람직하게는, 제2 배선층(24)의 두께 T₂에 대한 제1 금속박(16)의 두께 T₁의 비인 T₁/T₂가 0.23 이상이며, 또한/또는 제2 배선층(24)의 두께 T₂에 대한 제3 금속박(28)의 두께 T₃의 비인 T₃/T₂가 0.23 이상이다. 보다 바람직하게는 T₁/T₂ 및 T₃/T₂의 양쪽이 0.23 이상이다. 본 발명에 따르면, 제2 금속박(20)에서 유래한 제2 배선층(24)이 레이저광을 흡수하기 어려운 표면을 갖기 때문에, 상기 범위를 만족하도록 제2 금속박(20)을 극박화하여도, 내층 회로인 제2 배선층(24)의 레이저 가공에 의한 손상을 억제하는 것이 가능해진다. T₁/T₂ 및/또는 T₃/T₂는 1.0 이하인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.50 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.33 이하이다. 또한, 레이저 가공을 실시하기 전에 금속박 내지 배선층에 표면 처리를 행하는(즉 금속박 내지 배선층의 두께를 변화시키는) 경우에는, 상기 T₁, T₂ 및 T₃은, 당해 표면 처리 후에 있어서의 제1 금속박(16)의 두께, 제2 배선층(24)의 두께 및 제3 금속박(28)의 두께를 각각 가리키기로 한다. 예를 들어, 제2 배선층(24)에 상술한 내층 처리를 실시하는 경우에는, T₂는 내층 처리 후에 있어서의 제2 배선층(24)의 두께로 된다.

(4) 캐리어의 박리(임의 공정)

제1 금속박(16) 및/또는 제3 금속박(28)이 캐리어를 갖는 금속박의 형태로 제공되는 경우에는, 도 2의 (ⅴ)에 도시한 바와 같이, 제1 캐리어(12) 및/또는 제3 캐리어(도시생략)를 제2 적층체(30)로부터 박리한다. 이렇게 함으로써, 후술하는 제1 및 제2 비아 홀의 형성 공정에 있어서, 제1 금속박(16) 및 제3 금속박(28)의 각각으로부터 레이저 가공을 실시하는 것이 가능해진다. 또한, 제2 적층체(30)는 제1 절연층(18) 및 제2 절연층(26)에 의해 강성이 증대되어 있기 때문에, 캐리어를 박리한 상태에서도 충분한 핸들링성을 확보할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이 캐리어를 갖는 금속박이 프리프레그 등의 임시 지지체(도시생략)에 첩부되어 있는 경우에는, 임시 지지체는 제1 캐리어(12) 및/또는 제3 캐리어(도시생략)와 함께 제2 적층체(30)로부터 제거되게 된다.

(5) 제1 및 제2 비아 홀의 형성

도 3의 (ⅵ)에 도시된 바와 같이, 제2 적층체(30)에 대해서 제1 금속박(16) 및 제3 금속박(28)의 각각으로부터 레이저 가공을 실시함으로써, 제1 금속박(16) 및 제1 절연층(18)을 관통하여 제2 배선층(24)에 도달하는 제1 비아 홀(32)과, 제3 금속박(28) 및 제2 절연층(26)을 관통하여 제2 배선층(24)에 도달하는 제2 비아 홀(34)을 형성한다. 레이저 가공에는 탄산 가스 레이저, 엑시머 레이저, UV 레이저, YAG 레이저 등의 다양한 레이저가 사용 가능하지만, 탄산 가스 레이저를 사용하는 것이 특히 바람직하다. 본 발명의 방법에 의하면, 비아 홀의 형성 공정에 있어서, 레이저 가공에 의한 제2 배선층(24)의 관통을 매우 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.

제1 및 제2 비아 홀의 형성 공정은, 레이저 가공으로 비아 홀을 형성했을 때 발생하는 비아 홀 저부의 수지 잔사(스미어)를 제거하는 처리로서, 크롬산염 용액 및 과망간산염 용액 중 적어도 어느 한쪽을 사용한 디스미어 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 디스미어 공정은 팽윤 처리, 크롬산 처리 또는 과망간산 처리, 및 환원 처리 등의 처리를 이 순서로 행하는 처리이며, 공지된 습식 프로세스가 채용될 수 있다. 크롬산염의 예로서는 크롬산 칼륨을 들 수 있다. 과망간산염의 예로서는, 과망간산나트륨, 과망간산칼륨 등을 들 수 있다. 특히, 디스미어 처리액의 환경 부하 물질의 배출 저감, 전해 재생성 등의 관점에서, 과망간산염을 사용하는 것이 바람직하다.

제1 비아 홀(32) 및 제2 비아 홀(34)의 직경은 모두 30㎛ 이상 80㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30㎛ 이상 60㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 30㎛ 이상 40㎛ 이하이다. 이와 같은 범위 내이면, 다층 프린트 배선판의 고밀도화에 매우 유리해진다. 또한, 상기와 같은 작은 직경을 갖는 비아 홀을 형성하기 위해서는, 레이저의 빔 직경(스폿 직경)을 작게 하는 것이 요망된다. 이 경우, 제2 배선층(24)의 레이저 조사 부분에 레이저의 에너지가 집중하기 쉬워지기 때문에, 본래적으로는 제2 배선층(24)의 관통이 발생하기 쉬워진다고 할 수 있다. 이러한 점에서, 본 발명의 방법에 의하면, 제2 금속박(20)에서 유래한 제2 배선층(24)이 레이저광을 흡수하기 어려운 표면을 갖기 때문에, 레이저의 에너지가 집중한 경우에 있어서도, 제2 배선층(24)의 관통을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.

(6) 제1 및 제3 배선층의 형성

도 3의 (ⅶ)에 도시한 바와 같이, 제2 적층체(30)의 양면에 대해서, 제1 비아 홀(32), 제2 배선층(24) 및 제2 비아 홀(34)을 통한 전기적 접속이 형성되도록 도금 및 패터닝을 실시하여, 제1 절연층(18)에 인접하는 제1 배선층(38), 제2 금속박(20)에서 유래하는 제2 배선층(24) 및 제2 절연층(26)에 인접하는 제3 배선층(40)을 포함하는 다층 배선판(42)을 형성한다. 제1 배선층(38)은 전형적으로는 제1 금속박(16)에서 유래하는 것이며, 제1 금속박(16)에서 유래한 금속을 전형적으로는 포함하지만, 제1 금속박(16)의 표면 프로파일만을 이어받은 새로운 배선층(제1 금속박(16)에서 유래한 금속을 포함하지 않음)으로서 형성되어도 된다. 마찬가지로, 제3 배선층(40)은 전형적으로는 제3 금속박(28)에서 유래하는 것이며, 제3 금속박(28)에서 유래한 금속을 전형적으로는 포함하지만, 제3 금속박(28)의 표면 프로파일만을 이어받은 새로운 배선층(제3 금속박(28)에서 유래한 금속을 포함하지 않음)으로서 형성되어도 된다. 제1 배선층(38) 및 제3 배선층(40)의 형성 방법에 대한 공법은 특별히 한정되지 않으며, 서브트랙티브법, MSAP(모디파이드·세미· 애디티브·프로세스)법, SAP(세미 애디티브)법 등의 공지된 방법이 이용 가능하다. 여기서, 도 3의 (ⅶ)는 MSAP법에 의해 회로 형성을 행한 것이다. MSAP법에 의한 회로 형성의 일례로서는, 우선 제1 금속박(16) 및 제3 금속박(28)의 표면에 포토레지스트(도시생략)를 소정의 패턴으로 형성한다. 포토레지스트는 감광성 필름인 것이 바람직하고, 이 경우는 노광 및 현상에 의해 소정의 배선 패턴을 포토레지스트에 부여하면 된다. 이어서, 제1 금속박(16) 및 제3 금속박(28)의 노출 표면(즉 포토레지스트층에서 마스킹되어 있지 않은 부분), 그리고 제1 비아 홀(32) 및 제2 비아 홀(34)에 전기 도금층(36)을 형성한다. 이때, 제1 비아 홀(32) 및 제2 비아 홀(34)에 도금 금속이 충전되기 때문에, 제2 적층체(30)의 양면이 제1 비아 홀(32), 제2 배선층(24) 및 제2 비아 홀(34)을 통해 전기적으로 접속된다. 전기 도금은 공지된 방법에 의해 행하면 되며, 특별히 한정되지는 않는다. 포토레지스트층을 박리한 후, 제1 금속박(16), 제3 금속박(28) 및 전기 도금층(36)을 에칭 가공함으로써, 제1 배선층(38) 및 제3 배선층(40)이 형성된 다층 배선판(42)을 얻을 수 있다.

다층 배선판(42) 위에 추가로 빌드업 배선층을 형성해도 된다. 즉, 다층 배선판(42) 위에 절연층과 배선 패턴을 더 포함하는 배선층을 교대로 적층 배치함으로써, 제n 배선층(n은 4 이상의 정수, 바람직하게는 5, 7, 9 등의 홀수)까지 형성된 다층 배선판을 얻을 수 있다. 이 공정의 반복은 원하는 층수의 빌드업 배선층이 형성될 때까지 행하면 된다. 또한, 필요에 따라 외층면에 솔더 레지스트나, 필러 등의 실장용 범프 등을 형성해도 된다.

실시예

본 발명을 이하의 예에 의해 더욱 구체적으로 설명한다.

예 1 내지 6

다층 배선판의 내층 금속박으로서 사용하기 위한 구리박을 6종류 준비하고, 각종 평가를 행하였다. 구체적인 수순은 이하와 같다.

(1) 구리박의 준비

표 1에 나타내는 각 파라미터를 적어도 한쪽 면에 갖는 두께 12㎛의 전해 구리박을 6종류 준비하였다. 이들 구리박 중 몇몇은 시판품이며, 그 밖에는 공지된 방법에 기초하여 별도 제작한 것이다. 준비한 구리박의 각 파라미터의 측정 내지 산출 방법은 이하와 같다.

(FT-IR에 있어서의 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율)

적외 분광 광도계(Thermo Fisher SCIENTIFIC사제, Nicolet Nexus 640 FT-IR Spectrometer)를 사용하여, 구리박 표면에 대해서 하기 조건에서 측정을 행하고, IR 스펙트럼 데이터를 취득하였다. 취득한 IR 스펙트럼 데이터를 해석함으로써, 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율을 산출하였다.

<측정 조건>

- 측정법: 정반사법

- 백그라운드: Au 증착 미러

- 분해능: 4㎝^-1

- 스캔 횟수: 64scan

- 검출기: DTGS(Deuterium Tri-Glycine Sulfate) 검출기

(산의 정점 밀도 Spd)

레이저 현미경(가부시키가이샤 키엔스제, VK-X100)을 사용하여, S 필터에 의한 컷오프 파장 0.8㎛, 배율 2000배(측정 면적 107㎛×143㎛)의 조건에서, ISO25178에 준거하여 구리박 표면의 산 정점 밀도 Spd를 측정하였다.

(10점 평균 거칠기 Rz)

레이저 현미경(가부시키가이샤 키엔스제, VK-X100)을 사용하고, 배율 2000배, 컷오프값 0.8㎛, 측정 길이 100㎛의 조건에서, JIS B 0601-1994에 준거하여 구리박 표면의 10점 평균 거칠기 Rz를 측정하였다.

(2) 구리박의 평가

준비한 구리박에 대하여, 각종 특성의 평가를 이하와 같이 행하였다.

<레이저 가공성>

상기 (1)에서 준비한 구리박을 내층 금속박으로서 사용하여 레이저 가공성 평가용 적층체를 이하와 같이 제작하였다. 우선, 두께 2㎛의 구리박을 제1 금속박(16)으로서 준비하고, 제1 금속박(16) 위에 제1 절연층(18)으로서 두께 0.02㎜의 프리프레그(미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤제, GHPL-830NSF)를 적층하였다. 이어서, 제2 금속박(20)으로서, 상기 (1)에서 준비한 구리박을, 표 1에 나타내는 각 파라미터를 갖는 측의 면이 제1 절연층(18) 위에 맞닿도록 적층하고, 압력 4.0MPa, 온도 220℃에서 90분간의 열간 프레스 성형을 행하여 제1 적층체(22)를 얻었다. 제2 금속박(20)의 표면을 마이크로 에칭액으로 1㎛ 에칭한 후, 드라이 필름을 첩부하고, 소정의 패턴으로 노광 및 현상을 행하여, 에칭 레지스트를 형성하였다. 제2 구리박 표면을 염화구리 에칭액으로 처리하고, 에칭 레지스트 사이에서 구리를 용해 제거한 후, 에칭 레지스트를 박리하여 제2 배선층(24)을 형성하였다. 제2 배선층(24) 표면에 대해서 조화 처리(CZ 처리)를 실시하였다. 조화 처리 후에 있어서의 제2 배선층(24)의 두께는 9㎛였다. 따라서, 제2 배선층의 두께 T₂(9㎛)에 대한 제1 금속박의 두께 T₁(2㎛)의 비인 T₁/T₂는 2/9=약 0.22였다. 그 후, 제2 배선층(24)이 형성된 제1 적층체(22) 위에 두께 0.02㎜의 프리프레그(미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤제, GHPL-830NSF) 및 두께 2㎛의 구리박을 각각 제2 절연층(26) 및 제3 금속박(28)으로서 순서대로 적층하고, 압력 4.0MPa, 온도 220℃에 90분간의 열간 프레스 성형을 행하였다. 이와 같이 하여, 레이저 가공성 평가용 적층체를 얻었다. 얻어진 레이저 가공성 평가용 적층체에 대해서, 탄산 가스 레이저를 사용하여 9.5MW/㎠의 출력 밀도로 제1 금속박(16)측으로부터 레이저 가공을 실시하고, 제1 금속박(16) 및 제1 절연층(18)을 관통하여 제2 배선층(24)에 도달하는 직경 65㎛의 비아 홀을 형성하였다. 이 비아 홀을 제1 금속박(16)측으로부터 금속 현미경으로 관찰하고, 제2 배선층(24)의 관통 유무를 판정하였다. 각 예에 대하여 비아 홀의 형성 및 관통 판정을 88 구멍씩 행하고, 비아 홀의 형성 수 및 제2 배선층(24)의 관통 수로부터, 레이저 가공 후에 있어서의 제2 배선층(24)의 관통률을 산출하였다.

<회로 밀착성>

두께 0.1㎜의 프리프레그(미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤제, GHPL-830NSF) 3장을 적층하고, 적층한 프리프레그에 상기 (1)에서 준비한 구리박을, 표 1에 나타내는 각 파라미터를 갖는 측의 면이 맞닿도록 적층하고, 압력 4.0MPa, 온도 220℃에서 90분간의 열간 프레스 성형을 행하여 동장 적층판 샘플을 제작하였다. 이 동장 적층판 샘플의 양면에 드라이 필름을 맞대고, 에칭 레지스트층을 형성하였다. 그리고, 그 양면의 에칭 레지스트층에, 0.8㎜ 폭의 박리 강도 측정 시험용 회로를 노광 현상하고, 에칭 패턴을 형성하였다. 그 후, 구리 에칭액으로 회로 에칭을 행하고, 에칭 레지스트를 박리하여 회로를 얻었다. 이렇게 해서 형성된 회로(두께 12㎛, 회로 폭 0.8㎜)를 JIS C 6481-1996에 준거하여 프리프레그 표면에 대해서 90° 방향으로 박리하여 필 강도(kgf/㎝)를 측정하였다.

<회로 형성성>

상술한 동장 적층판 샘플의 표면에 회로 높이가 20㎛가 될 때까지 전기 도금을 행하였다. 이렇게 해서 형성된 전기 도금층의 표면에 드라이 필름을 첩부하고, 노광 및 현상을 행하여, 에칭 레지스트를 형성하였다. 염화구리 에칭액으로 처리함으로써, 에칭 레지스트 사이에서 구리를 용해 제거하고, 회로 높이 20㎛, 라인/스페이스=25㎛/25㎛의 직선형 배선 패턴을 형성하였다. 이렇게 해서 얻어진 직선형 배선 패턴을 배율 1000배의 조건에서 바로 위(관찰 각도 0°)부터 SEM으로 관찰하였다. 취득한 SEM 화상을 디지털 마이크로스코프(가부시키가이샤 키엔스제, VHX500)에 도입하여, 회로 보텀 폭을 100점 측장하였다. 측장 결과로부터, 중앙값을 평균값 대신에 이용하여 표준 편차 σ(㎛)를 산출하고, 3σ-(-3σ), 즉 6σ를 회로 직선성의 값으로서 채용하였다.

예 7 내지 12

두께 12㎛의 전해 구리박 대신에, 표 1에 나타내는 각 파라미터를 적어도 한쪽 면에 갖는 두께 9㎛의 전해 구리박을 사용한 것 이외에는, 예 1 내지 6과 마찬가지로 하여 각종 특성의 평가를 행하였다. 또한, 레이저 가공성 평가용 적층체에 있어서의 조화 처리(CZ 처리) 후의 제2 배선층(24)의 두께는 7㎛이며, T₁/T₂는 2/7=약 0.29였다.

예 13 내지 16

두께 12㎛의 전해 구리박 대신에 표 1에 나타내는 각 파라미터를 적어도 한쪽 면에 갖는 두께 7㎛의 전해 구리박을 사용한 것 이외에는, 예 1 내지 6과 마찬가지로 하여 각종 특성의 평가를 행하였다. 또한, 레이저 가공성 평가용 적층체에 있어서의 조화 처리(CZ 처리) 후의 제2 배선층(24)의 두께는 5㎛이며, T₁/T₂는 2/5=0.40이었다.

결과

예 1 내지 16에 있어서 얻어진 평가 결과는 표 1에 나타내는 바와 같았다.

예 17

1) 제1 금속박(16) 및 제3 금속박(28)으로서 두께 2㎛의 구리박 대신에, 두께 3㎛의 구리박을 각각 사용한 것, 2) 에칭양을 조정하여 조화 처리(CZ 처리) 후의 제2 배선층(24)의 두께를 5㎛로 한(즉 T₁/T₂를 3/5=0.60으로 한) 것, 및 3) 탄산 가스 레이저의 출력 밀도를 9.5MW/㎠로부터 9.75MW/㎠로 변경한 것 이외에는, 예 11과 마찬가지로 하여 레이저 가공성의 평가를 행하였다.

예 18

1) 제1 금속박(16) 및 제3 금속박(28)으로서 두께 2㎛의 구리박 대신에, 두께 3㎛의 구리박을 각각 사용한 것, 및 2) 탄산 가스 레이저의 출력 밀도를 9.5MW/㎠로부터 9.75MW/㎠로 변경한 것 이외에는, 예 16과 마찬가지로 하여 레이저 가공성의 평가를 행하였다. 또한, 레이저 가공성 평가용 적층체에 있어서의 조화 처리(CZ 처리) 후의 제2 배선층(24)의 두께는 5㎛이며, T₁/T₂는 3/5=0.60이었다.

예 19

1) 제1 금속박(16) 및 제3 금속박(28)으로서 두께 2㎛의 구리박 대신에, 두께 3㎛의 구리박을 사용한 것, 및 2) 탄산 가스 레이저의 출력 밀도를 9.5MW/㎠로부터 9.75MW/㎠로 변경한 것 이외에는, 예 14와 마찬가지로 하여 레이저 가공성의 평가를 행하였다. 또한, 레이저 가공성 평가용 적층체에 있어서의 조화 처리(CZ 처리) 후의 제2 배선층(24)의 두께는 5㎛이며, T₁/T₂는 3/5=0.60이었다.

예 20

1) 제1 금속박(16) 및 및 제3 금속박(28)으로서 두께 3㎛의 구리박 대신에 두께 5㎛의 구리박을 각각 사용한 것, 및 2) 탄산 가스 레이저의 출력 밀도를 9.75MW/㎠로부터 10.25MW/㎠로 변경한 것 이외에는, 예 17과 마찬가지로 하여 레이저 가공성의 평가를 행하였다. 또한, 레이저 가공성 평가용 적층체에 있어서의 조화 처리(CZ 처리) 후의 제2 배선층(24)의 두께는 5㎛이며, T₁/T₂는 5/5=1.0이었다.

예 21

1) 제1 금속박(16) 및 및 제3 금속박(28)으로서 두께 3㎛의 구리박 대신에 두께 5㎛의 구리박을 각각 사용한 것, 및 2) 탄산 가스 레이저의 출력 밀도를 9.75MW/㎠로부터 10.25MW/㎠로 변경한 것 이외에는, 예 18과 마찬가지로 하여 레이저 가공성의 평가를 행하였다. 또한, 레이저 가공성 평가용 적층체에 있어서의 조화 처리(CZ 처리) 후의 제2 배선층(24)의 두께는 5㎛이며, T₁/T₂는 5/5=1.0이었다.

예 22

1) 제1 금속박(16) 및 및 제3 금속박(28)으로서 두께 3㎛의 구리박 대신에, 두께 5㎛의 구리박을 사용한 것, 및 2) 탄산 가스 레이저의 출력 밀도를 9.75MW/㎠로부터 10.25MW/㎠로 변경한 것 이외에는, 예 19와 마찬가지로 하여 레이저 가공성의 평가를 행하였다. 또한, 레이저 가공성 평가용 적층체에 있어서의 조화 처리(CZ 처리) 후의 제2 배선층(24)의 두께는 5㎛이며, T₁/T₂는 5/5=1.0이었다.

결과

예 17 내지 22에 있어서 얻어진 평가 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다.

Claims

다층 배선판의 제조 방법이며,
(a) 제1 금속박 위에 제1 절연층 및 제2 금속박을 순서대로 적층하여 제1 적층체를 형성하는 공정과,
(b) 상기 제2 금속박에 패터닝을 실시하여 제2 배선층을 형성하는 공정과,
(c) 상기 제2 배선층이 형성된 상기 제1 적층체 위에 제2 절연층 및 제3 금속박을 순서대로 적층하여 제2 적층체를 형성하는 공정과,
(d) 상기 제2 적층체에 대해서 상기 제1 금속박 및 상기 제3 금속박의 각각으로부터 레이저 가공을 실시하여, 상기 제1 금속박 및 상기 제1 절연층을 관통하여 상기 제2 배선층에 도달하는 제1 비아 홀과, 상기 제3 금속박 및 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제2 배선층에 도달하는 제2 비아 홀을 형성하는 공정과,
(e) 상기 제2 적층체의 양면에 대해서, 상기 제1 비아 홀, 상기 제2 배선층 및 상기 제2 비아 홀을 통한 전기적 접속이 형성되도록 도금 및 패터닝을 실시하고, 상기 제1 절연층에 인접하는 제1 배선층, 상기 제2 금속박에서 유래하는 제2 배선층 및 상기 제2 절연층에 인접하는 제3 배선층을 포함하는 다층 배선판을 형성하는 공정을
포함하고,
상기 제2 금속박의 적어도 상기 제1 절연층과 대향하는 면은, 푸리에 변환 적외 분광 광도계(FT-IR)에 의해 측정되는 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율이 80％ 이상이며, 또한, ISO25178에 준거하여 측정되는 산의 정점 밀도 Spd가 7000개/㎟ 이상 15000개/㎟ 이하인, 방법.
제1항에 있어서,
상기 제2 금속박에 있어서의 상기 제1 절연층과 대향하는 면의 10점 평균 거칠기 Rz가 0.2㎛ 이상 2.0㎛ 이하인, 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 배선층의 상기 제2 절연층과 대향하는 면은, 푸리에 변환 적외 분광 광도계(FT-IR)에 의해 측정되는 파장 10.6㎛의 레이저의 반사율이 80％ 이상이며, 또한, ISO25178에 준거하여 측정되는 산의 정점 밀도 Spd가 7000개/㎟ 이상 15000개/㎟ 이하인, 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 배선층의 두께가 3㎛ 이상 12㎛ 이하인, 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 금속박, 상기 제2 금속박 및 상기 제3 금속박이 모두 구리박인, 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 금속박 및 상기 제3 금속박의 각각의 두께가 0.1㎛ 이상 12㎛ 이하인, 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 배선층의 두께 T₂에 대한 상기 제1 금속박의 두께 T₁의 비인 T₁/T₂가 0.23 이상이며, 또한/또는 상기 제2 배선층의 두께 T₂에 대한 상기 제3 금속박의 두께 T₃의 비인 T₃/T₂가 0.23 이상인, 방법.
제7항에 있어서,
상기 T₁/T₂가 1.0 이하이며, 또한/또는 상기 T₃/T₂가 1.0 이하인, 방법.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 비아 홀 및 상기 제2 비아 홀의 직경이 모두 30㎛ 이상 80㎛ 이하인, 방법.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 금속박이, 제1 캐리어, 제1 박리층, 및 상기 제1 금속박을 순서대로 구비한 캐리어를 갖는 금속박의 형태로 제공되고, 상기 제2 적층체의 형성 후이며, 또한, 상기 제1 금속박에 대한 레이저 가공 전에, 상기 제1 캐리어가 상기 제2 적층체로부터 박리되며, 또한/또는
상기 제3 금속박이, 제3 캐리어, 제3 박리층, 및 상기 제3 금속박을 순서대로 구비한 캐리어를 갖는 금속박의 형태로 제공되고, 상기 제2 적층체의 형성 후이며, 또한, 상기 제3 금속박에 대한 레이저 가공 전에, 상기 제3 캐리어가 상기 제2 적층체로부터 박리되는, 방법.