JPWO2019187416A1 - 反射防止膜および光学部材 - Google Patents
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- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 title 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 108
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 65
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 192
- 239000002585 base Substances 0.000 description 43
- 230000008859 change Effects 0.000 description 39
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 18
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 14
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000511976 Hoya Species 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 alumina (hereinafter Chemical compound 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002042 time-of-flight secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUPMNPUBXDQPQU-UHFFFAOYSA-N [Nb].[Si]=O Chemical compound [Nb].[Si]=O QUPMNPUBXDQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004682 monohydrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000004684 trihydrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/118—Anti-reflection coatings having sub-optical wavelength surface structures designed to provide an enhanced transmittance, e.g. moth-eye structures
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
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Abstract
反射防止膜は、基材側に配置される誘電体多層膜と、誘電体多層膜に積層して設けられたアルミナ水和物を主成分とする微細凹凸層とを備える。誘電体多層膜は、相対的に高い屈折率を有する高屈折率層と相対的に低い屈折率を有する低屈折率層との交互層からなり、誘電体多層膜が、高屈折率層および低屈折率層のうちの1層として窒化ケイ素からなるバリア層を含み、バリア層の密度は2.7g/cm3以上、かつ厚みが15nm以上150nm以下である。
Description
基材側に配置される誘電体多層膜と、誘電体多層膜に積層して設けられたアルミナ水和物を主成分とする微細凹凸層とを備え、
誘電体多層膜が、相対的に高い屈折率を有する高屈折率層と相対的に低い屈折率を有する低屈折率層との交互層を含み、
誘電体多層膜が、高屈折率層および低屈折率層のうちの1層として窒化ケイ素を含むバリア層を含み、
バリア層の密度が2.7g/cm3以上、かつ厚みが15nm以上150nm以下である。
低屈折率層が酸窒化ケイ素からなるものであってもよい。
本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。本開示に段階的に記載されている数値範囲において、ある数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示に記載されている数値範囲において、ある数値範囲で記載された上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
高屈折率層21の材料としては、酸化ニオブ、酸化ケイ素ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、およびチタン酸ランタン、並びに、これらの混合物が挙げられる。
バリア層の厚みが15nm以上であることで、反射率の環境変化が小さく抑えられる。また、バリア層の厚みが150nm以下であることで、膜の応力を小さくでき、クラックの発生や膜の剥離を抑制できる利点がある。中でも、バリア層25の厚みは20nm以上であることが好ましく、また、100nm以下であることが好ましい。厚みは、任意の断面についてのSEM(Scanning Electron Microscope:走査型電子顕微鏡)画像を取得し、取得画像中における平均厚みとする。
FDS−90SG(HOYA社製)の基材上に5種類の異なる成膜条件でそれぞれ30nmの窒化ケイ素膜をスパッタ成膜し、各膜について、密度および拡散長を測定した。各膜をそれぞれSiN−A,SiN−B,SiN−C、SiN−DおよびSiN−Eとする。密度は拡散長測定のための環境試験前にXRRにより測定した。また、各膜について85℃、85%の温湿環境下で100時間環境試験を行った後、TOF−SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析法)により膜表面から深さ方向にNaの測定を行い、基材表面からのNaが検出される深さ位置までの距離を拡散長とした。各膜についての、密度および拡散長を表1に示す。
誘電体多層膜を構成する各層のうち、窒化ケイ素(SiN)膜、酸窒化ケイ素(SiON)膜、および酸化ニオブ(Nb2O5)膜、並びに微細凹凸層の前駆体であるアルミナ(Al2O3)膜は、それぞれ反応性スパッタにより成膜した。誘電体多層膜を構成する層のうち、フッ化マグネシウム(MgF2)膜は真空蒸着により成膜した。
その後、100℃の沸騰水に1分間浸漬して温水処理を行い、アルミナ膜を水和化し、アルミナの水和物を主成分とする微細凹凸層とした。
以上の手順で各比較例および実施例の反射防止膜を作製した。
A:反射率の差分が0.05以下である。
B:反射率の差分が0.05超、0.1以下である。
C:反射率の差分が0.1超、0.3以下である。
D:反射率の差分が0.3超、0.5以下である。
E:反射率の差分が0.5超である。
比較例1〜3はバリア層を備えていない反射防止膜である。比較例1は、微細凹凸層と窒化ケイ素膜を備えない誘電体多層膜のみからなる反射防止膜である。比較例2は、微細凹凸層を備え、誘電体多層膜中に窒化ケイ素膜を有していない反射防止膜である。また、比較例3は、微細凹凸層を備え、誘電体多層膜中にSiN−Aの膜を備えた反射防止膜である。
実施例1〜4は、SiN−B〜SiN−Eの1つをバリア層として、誘電体多層膜中の1層目として、すなわち基材に隣接する位置に備えた反射防止膜である。実施例1〜4におけるバリア層の厚みは21.5nmと共通とした。
実施例6〜9は、SiN−Bからなるバリア層を、誘電体多層膜中の基材に隣接する位置に備えた反射防止膜であり、それぞれバリア層の厚みを15nm、20nm、100nmおよび150nmとした。
実施例10〜13は、SiN−Cからなるバリア層を、誘電体多層膜中の基材に隣接する位置に備えた反射防止膜であり、それぞれバリア層の厚みを15nm、20nm、100nmおよび150nmとした。
実施例14〜17は、SiN−Dからなるバリア層を、誘電体多層膜中の基材に隣接する位置に備えた反射防止膜であり、それぞれバリア層の厚みを15nm、20nm、100nmおよび150nmとした。
実施例18〜21は、SiN−Eからなるバリア層を、誘電体多層膜中の基材に隣接する位置に備えた反射防止膜であり、それぞれバリア層の厚みを15nm、20nm、100nmおよび150nmとした。
実施例22、23は、誘電体多層膜の基材に隣接する位置にSiN−Cからなるバリア層を備え、かつ、誘電体多層膜中の5層目にバリア層ではない窒化ケイ素膜を備えた反射防止膜とした。実施例23においては、さらに7層目にSiN−Cからなるバリア層を備えた。
実施例24、25は、誘電体多層膜の基材に隣接する位置にSiN−Cからなるバリア層を備え、かつ、誘電体多層膜中の7層目として、すなわち、微細凹凸層に隣接する低屈折率層に隣接する位置にSiN−Bからなるバリア層を備えた反射防止膜とした。なお、実施例24と実施例25とではSiN−Bの厚みが異なる。
実施例26は、実施例25において、7層目のバリア層をSiN−Cとした反射防止膜である。
実施例27は、誘電体多層膜中の高屈折率層をすべてSiN−Cからなるバリア層とし、低屈折率層をすべてSiON膜とした反射防止膜である。
実施例28は、実施例27において、低屈折率層をすべてMgF2とした反射防止膜である。
実施例29および実施例30は、誘電体多層膜中の高屈折率層をすべてSiN−Cからなるバリア層とし、低屈折率層をすべてSiON膜とし、誘電体多層膜を9層構造とした反射防止膜である。実施例29は、誘電体多層膜の最も基材側が低屈折率層であり、実施例30は、誘電体多層膜の最も基材側高屈折率層である。
実施例22、23の5層目のSiN−A、実施例24、25の7層目のSiN−Bおよび実施例26の7層目のSiN−Cの各窒化ケイ素膜について酸化率を測定した。
各膜について、85℃、85%の温室環境下で100時間の環境試験を行った。その環境試験の前後において、X線光電子分光法(X-ray Photoelectron Spectroscopy :XPS)により深さ方向の元素分析を行い、酸化率を測定した。各窒化ケイ素膜中の酸素原子数と窒素原子数の比を酸化率=酸素原子数/窒素原子数として求めた。なお、酸素原子数、窒素原子数とは、深さ方向の測定結果を積算した膜全体の原子数である。
実施例27および実施例28について、別途誘電体多層膜までのサンプルを形成し、環境試験後、表面に粘着テープを貼付し、引き剥がす密着性の試験を行った。
密着性試験の結果、実施例28に対応するサンプルではテープ剥離が見られ、実施例27に対応するサンプルではテープ剥離は見られなかった。これは、実施例27の反射防止膜は実施例28と比較して層間の密着性が高いことを示す。実施例27の反射防止膜は、高屈折率層はSiN膜、低屈折率層はSiON膜から形成されており、誘電体多層膜を構成するすべての層がシリコン系物質であるため、誘電体多層膜の各層の密着性が良好であると推測される。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
Claims (12)
- 基材の一表面に設けられる反射防止膜であって、
前記基材側に配置される誘電体多層膜と、該誘電体多層膜に積層して設けられたアルミナ水和物を主成分とする微細凹凸層とを備え、
前記誘電体多層膜が、相対的に高い屈折率を有する高屈折率層と相対的に低い屈折率を有する低屈折率層との交互層を含み、
前記誘電体多層膜が、前記高屈折率層および前記低屈折率層のうちの1層として窒化ケイ素を含むバリア層を含み、
前記バリア層の密度が2.7g/cm3以上、かつ厚みが15nm以上150nm以下である反射防止膜。 - 前記バリア層の密度が3.1g/cm3以下である請求項1に記載の反射防止膜。
- 前記バリア層の厚みが20nm以上である請求項1または請求項2に記載の反射防止膜。
- 前記バリア層の厚みが100nm以下である請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の反射防止膜。
- 前記バリア層が前記基材に隣接して設けられている請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の反射防止膜。
- 前記基材に隣接して前記低屈折率層の1層が配置され、該基材に隣接して配置された低屈折率層に隣接して前記バリア層が設けられている請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の反射防止膜。
- 前記バリア層が前記微細凹凸層に隣接して設けられている請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の反射防止膜。
- 前記微細凹凸層に隣接して前記低屈折率層の1層が配置され、該微細凹凸層に隣接して配置された低屈折率層に隣接して前記バリア層が設けられている請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の反射防止膜。
- 前記誘電体多層膜が前記バリア層を2層以上含む請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の反射防止膜。
- 前記バリア層が前記高屈折率層の1層として備えられており、
前記低屈折率層が酸窒化ケイ素からなる請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の反射防止膜。 - 基材と、該基材の一表面に備えられた請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の反射防止膜とを備えた光学部材。
- 前記基材の、波長500nmにおける屈折率が1.6以上である請求項11に記載の光学部材。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018063900 | 2018-03-29 | ||
JP2018063900 | 2018-03-29 | ||
PCT/JP2018/047105 WO2019187416A1 (ja) | 2018-03-29 | 2018-12-20 | 反射防止膜および光学部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019187416A1 true JPWO2019187416A1 (ja) | 2021-03-11 |
JP6918208B2 JP6918208B2 (ja) | 2021-08-11 |
Family
ID=68061187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020509650A Active JP6918208B2 (ja) | 2018-03-29 | 2018-12-20 | 反射防止膜および光学部材 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200408955A1 (ja) |
JP (1) | JP6918208B2 (ja) |
CN (1) | CN111902739B (ja) |
WO (1) | WO2019187416A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11714212B1 (en) * | 2020-09-14 | 2023-08-01 | Apple Inc. | Conformal optical coatings for non-planar substrates |
EP4016141A1 (en) * | 2020-12-15 | 2022-06-22 | Fundació Institut de Ciències Fotòniques | Antireflective multilayer article with nanostructures |
CN114578462A (zh) * | 2021-03-22 | 2022-06-03 | 浙江舜宇光学有限公司 | 光学成像镜头 |
JP2023163653A (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-10 | 日東電工株式会社 | 反射防止フィルムおよびその製造方法、ならびに画像表示装置 |
JP2024058057A (ja) * | 2022-10-14 | 2024-04-25 | デクセリアルズ株式会社 | 光学積層体および物品 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014081522A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Fujifilm Corp | 反射防止膜を備えた光学部材およびその製造方法 |
JP2015094878A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | キヤノン株式会社 | 反射防止膜、光学素子、光学系および光学機器 |
WO2016031167A1 (ja) * | 2014-08-25 | 2016-03-03 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止膜および反射防止膜を備えた光学部材 |
WO2016136261A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止膜および光学部材 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2730990B1 (fr) * | 1995-02-23 | 1997-04-04 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent a revetement anti-reflets |
CN102089684B (zh) * | 2008-05-15 | 2014-08-13 | 巴斯夫公司 | 薄膜结构的制造方法及其组合物 |
CN101527326A (zh) * | 2009-03-02 | 2009-09-09 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种应用于冶金硅太阳电池的减反射膜及其制备方法 |
JP5647924B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-01-07 | 富士フイルム株式会社 | 光学部材の製造方法 |
CN106574986B (zh) * | 2014-08-27 | 2019-02-22 | 富士胶片株式会社 | 具备防反射膜的光学部件及其制造方法 |
-
2018
- 2018-12-20 WO PCT/JP2018/047105 patent/WO2019187416A1/ja active Application Filing
- 2018-12-20 CN CN201880091646.1A patent/CN111902739B/zh active Active
- 2018-12-20 JP JP2020509650A patent/JP6918208B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-09 US US17/016,325 patent/US20200408955A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014081522A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Fujifilm Corp | 反射防止膜を備えた光学部材およびその製造方法 |
JP2015094878A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | キヤノン株式会社 | 反射防止膜、光学素子、光学系および光学機器 |
WO2016031167A1 (ja) * | 2014-08-25 | 2016-03-03 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止膜および反射防止膜を備えた光学部材 |
WO2016136261A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止膜および光学部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111902739B (zh) | 2022-05-13 |
WO2019187416A1 (ja) | 2019-10-03 |
US20200408955A1 (en) | 2020-12-31 |
CN111902739A (zh) | 2020-11-06 |
JP6918208B2 (ja) | 2021-08-11 |
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A621 | Written request for application examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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