JPWO2019116995A1 - 液晶硬化フィルムおよびその製造方法、偏光板、並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

Abstract

逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成され、配向状態を固定されていてもよい前記液晶性化合物の分子を含む液晶硬化層を含む液晶硬化フィルムであって、前記液晶硬化層に含まれる前記液晶性化合物の少なくとも一部の分子が、前記液晶硬化層の層平面に対して傾斜しており、前記液晶硬化層が、第一硬化層と、前記第一硬化層に直接に接した第二硬化層とを含み、前記第二硬化層に含まれる前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が、前記第一硬化層に含まれる前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも大きい、液晶硬化フィルム。

Description

本発明は、液晶硬化フィルムおよびその製造方法、偏光板、並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。

光学フィルムの一つとして、液晶硬化フィルムが知られている。液晶硬化フィルムは、一般に、液晶性化合物を含む液晶組成物を配向させ、その配向状態を維持したままで硬化させた硬化物で形成された液晶硬化層を備える。このような液晶硬化フィルムとして、特許文献１に記載のものが提案されている。

特許第５３６３０２２号公報

液晶硬化フィルムが備える液晶硬化層には、通常、液晶性化合物が含まれる。この液晶性化合物の分子は、液晶硬化層の層平面に対して傾斜することがある。このように分子が傾斜した液晶性化合物を含む液晶硬化層を備えた液晶硬化フィルムを画像表示装置に設ける場合、視野角特性等の光学特性を調整するために、液晶性化合物の分子の傾斜角を適切に調整することが望ましい。

例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、適宜「有機ＥＬ表示装置」ということがある。）には、その表示面に、外光の反射を抑制するための反射抑制フィルムとして、円偏光板及び楕円偏光板等の偏光板が設けられることがある。この偏光板は、通常、直線偏光子と位相差フィルムとを組み合わせて含む。表示面を傾斜方向から見た場合に反射を抑制して優れた視野角特性を得る観点から、位相差フィルムは、その厚み方向において複屈折を調整することが好ましい。そこで、厚み方向に適切な複屈折を有する位相差フィルムを実現するために、本発明者らは、液晶性化合物の分子の傾斜角が適切に調整された液晶硬化層を備える液晶硬化フィルムの開発を試みた。

また、広い波長範囲において所望の光学的機能を発揮させるためには、前記の位相差フィルムは、逆波長分散性の面内レターデーションを有することが望まれる。そのため、位相差フィルムとして液晶硬化層を用いる場合には、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物（以下、適宜「逆分散液晶性化合物」ということがある。）を用いることが望まれる。

ところが、従来の技術では、液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくするためには、液晶硬化層とは別に配向膜を設ける必要があった。しかし、配向膜を用いて形成される従来の液晶硬化層は、配向欠陥が生じ易かったり、面状態が不良になり易かったりした。そこで、従来とは異なる方法によって逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくできる新たな技術の開発が求められていた。

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくすることができる新たな液晶硬化層を含む液晶硬化フィルム及びその製造方法；逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくすることができる新たな液晶硬化層を含む偏光板；並びに、前記の偏光板を含む有機ＥＬ表示装置；を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、液晶硬化層の製造方法を工夫することにより、前記の課題を解決した液晶硬化フィルムを実現できるとの知見を得た。具体的には、液晶硬化層の一部を形成した後で、当該一部上に液晶硬化層の残りの部分を形成することにより、残りの部分の逆分散液晶性化合物の分子の傾斜を大きくすることができるので、液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくできる、との知見を得た。そして、この知見に基づき、本発明者らは、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。

〔１〕 逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成され、配向状態を固定されていてもよい前記液晶性化合物の分子を含む液晶硬化層を含む液晶硬化フィルムであって、
前記液晶硬化層に含まれる前記液晶性化合物の少なくとも一部の分子が、前記液晶硬化層の層平面に対して傾斜しており、
前記液晶硬化層が、第一硬化層と、前記第一硬化層に直接に接した第二硬化層とを含み、
前記第二硬化層に含まれる前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が、前記第一硬化層に含まれる前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも大きい、液晶硬化フィルム。
〔２〕 前記第一硬化層が、前記第二硬化層に含まれる前記液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくする配向膜として機能できる、〔１〕に記載の液晶硬化フィルム。
〔３〕 前記液晶硬化層における前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が、４０°以上８５°以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の液晶硬化フィルム。
〔４〕 前記液晶硬化層が、前記第一硬化層、前記第二硬化層、及び、前記第二硬化層に直接に接した第三硬化層を、この順に含む、〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルム。
〔５〕 前記液晶硬化層の厚みが１０μｍ以下である、〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルム。
〔６〕 前記液晶硬化層が、１／４波長板として機能できる、〔１〕〜〔５〕のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルム。
〔７〕 〔１〕〜〔６〕のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルムの製造方法であって、
支持面に、前記液晶性化合物を含む第一液晶組成物の層を形成する工程と、
前記第一液晶組成物の層に含まれる前記液晶性化合物を配向させる工程と、
前記第一液晶組成物の層を硬化させて、第一硬化層を形成する工程と、
前記第一硬化層上に、直接に、前記第一液晶組成物に含まれる前記液晶性化合物と同一または異なる液晶性化合物を含む第二液晶組成物の層を形成する工程と、
前記第二液晶組成物の層に含まれる前記液晶性化合物を配向させる工程と、
前記第二液晶組成物の層を硬化させて、第二硬化層を形成する工程と、を含む、液晶硬化フィルムの製造方法。
〔８〕 前記第二硬化層上に、直接に、前記第一液晶組成物に含まれる前記液晶性化合物及び前記第二液晶組成物に含まれる前記液晶性化合物と同一または異なる液晶性化合物を含む第三液晶組成物の層を形成する工程と、
前記第三液晶組成物の層に含まれる前記液晶性化合物を配向させる工程と、
前記第三液晶組成物の層を硬化させて、第三硬化層を形成する工程と、を含む、〔７〕に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
〔９〕 逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成され、配向状態を固定されていてもよい前記液晶性化合物の分子を含む液晶硬化層と、直線偏光子とを含み、
前記液晶硬化層に含まれる前記液晶性化合物の少なくとも一部の分子が、前記液晶硬化層の層平面に対して傾斜しており、
前記液晶硬化層が、第一硬化層と、前記第一硬化層に直接に接した第二硬化層とを含み、
前記第二硬化層に含まれる前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が、前記第一硬化層に含まれる前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも大きい、偏光板。
〔１０〕 〔９〕記載の偏光板を含む、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

本発明によれば、逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくすることができる新たな液晶硬化層を含む液晶硬化フィルム及びその製造方法；逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくすることができる新たな液晶硬化層を含む偏光板；並びに、前記の偏光板を含む有機ＥＬ表示装置；を提供できる。

図１は、ある例に係る液晶硬化層のレターデーション比Ｒ（θ）／Ｒ（０°）を、入射角θに対してプロットしたグラフである。 図２は、本発明の第一実施形態に係る液晶硬化フィルムが含む液晶硬化層の模式的な断面図である。 図３は、本発明の第二実施形態に係る液晶硬化フィルムが含む液晶硬化層の模式的な断面図である。 図４は、傾斜方向から液晶硬化層のレターデーションを測定する際の測定方向を説明するための斜視図である。

以下、例示物及び実施形態を示して本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す例示物及び実施形態に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

以下の説明において、ある層の「面内方向」とは、別に断らない限り、層平面に平行な方向を表す。

以下の説明において、ある層の「厚み方向」とは、別に断らない限り、層平面に垂直な方向を表す。よって、別に断らない限り、ある層の面内方向と厚み方向とは、垂直である。

以下の説明において、ある面の「正面方向」とは、別に断らない限り、その面の法線方向を表し、具体的には前記面の極角０°の方向を指す。

以下の説明において、ある面の「傾斜方向」とは、別に断らない限り、その面に平行でも垂直でもない方向を表し、具体的には前記面の極角が５°以上８５°以下の範囲の方向を指す。

以下の説明において、逆波長分散性の複屈折とは、別に断らない限り、波長４５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（４５０）及び波長５５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（５５０）が、下記式（Ｎ１）を満たす複屈折をいう。このような逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物は、通常、測定波長が長いほど、大きい複屈折を発現できる。
Δｎ（４５０）＜Δｎ（５５０） （Ｎ１）

以下の説明において、順波長分散性の複屈折とは、別に断らない限り、波長４５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（４５０）及び波長５５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（５５０）が、下記式（Ｎ２）を満たす複屈折をいう。このような順波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物は、通常、測定波長が長いほど、小さい複屈折を発現できる。
Δｎ（４５０）＞Δｎ（５５０） （Ｎ２）

以下の説明において、別に断らない限り、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」、「メタクリル酸」及びこれらの組み合わせを包含する用語である。

以下の説明において、ある層の面内レターデーションＲｅは、別に断らない限り、Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで表される値である。ここで、ｎｘは、層の厚み方向に垂直な方向（面内方向）であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表す。ｎｙは、層の前記面内方向であってｎｘの方向に直交する方向の屈折率を表す。ｄは、層の厚みを表す。レターデーションの測定波長は、別に断らない限り、５９０ｎｍである。面内レターデーションＲｅは、位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて測定できる。

以下の説明において、固有複屈折値が正の樹脂とは、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも大きくなる樹脂を意味する。また、固有複屈折値が負の樹脂とは、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも小さくなる樹脂を意味する。固有複屈折値は、誘電率分布から計算しうる。

以下の説明において、ある層の遅相軸の方向とは、別に断らない限り、面内方向の遅相軸の方向をいう。

以下の説明において、要素の方向が「平行」及び「垂直」とは、別に断らない限り、本発明の効果を損ねない範囲内、例えば±４°、好ましくは±３°、より好ましくは±１°の範囲内での誤差を含んでいてもよい。

以下の説明において、別に断らない限り、ある層に含まれる液晶性化合物の分子の「傾斜角」とは、その液晶性化合物の分子が層平面に対してなす角度を表し、「チルト角」とも呼ばれることがある。この傾斜角は、液晶性化合物の分子の屈折率楕円体において最大の屈折率の方向が層平面となす角度のうち、最大の角度に相当する。また、以下の説明においては、別に断らない限り、「傾斜角」とは、液晶硬化層の層平面に対する傾斜角を表す。層平面に対する傾斜角は、その層平面に平行な「面内方向に対する傾斜角」ということがある。

以下の説明において、置換基を有する基の炭素原子数には、別に断らない限り、前記置換基の炭素原子数を含めない。よって、例えば「置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基」との記載は、置換基の炭素原子数を含まないアルキル基自体の炭素原子数が１〜２０であることを表す。

［１．液晶硬化フィルムの概要］
本発明の液晶硬化フィルムは、逆分散液晶性化合物（即ち、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物）を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化層を含むフィルムである。

液晶組成物の硬化物で形成されているので、液晶硬化層は、逆分散液晶性化合物の分子を含む。液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子は、配向状態を固定されていてもよい。用語「配向状態を固定された逆分散液晶性化合物」には、逆分散液晶性化合物の重合体が包含される。通常、重合によって逆分散液晶性化合物の液晶性は失われるが、本願においては、そのように重合した逆分散液晶性化合物も、用語「液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物」に含める。

前記の液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の少なくとも一部の分子は、当該液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜している。ある液晶性化合物の分子が層平面に対して（即ち面内方向に対して）「傾斜している」とは、その分子の層平面に対する（即ち面内方向に対する）傾斜角が５°以上８５°以下の範囲にあることを表す。このように傾斜した液晶性化合物の分子は、通常、層平面に対して（即ち面内方向に対して）平行でも垂直でもない状態となっている。

前記の液晶硬化層において、逆分散液晶性化合物の分子のうち、一部が液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜していてもよく、全部が液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜していてもよい。よって、液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜した逆分散液晶性化合物の分子を含む層を「傾斜配向層」と呼ぶ場合、液晶硬化層がその一部として傾斜配向層を含んでいてもよく、液晶硬化層の全体が傾斜配向層となっていてもよい。また、液晶硬化層において、傾斜配向層以外の層部分に含まれる逆分散液晶性化合物の分子は、通常、液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）平行（傾斜角が０°）となっているか、又は、液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）垂直（傾斜角が９０°）になっている。

液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の少なくとも一部の分子が当該液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜していることは、十分な分解能を有する偏光顕微鏡で液晶硬化層の断面を観察することによって、確認できる。この観察は、逆分散液晶性化合物の分子の傾斜を視認し易くするために、必要に応じて、観察サンプルと偏光顕微鏡の対物レンズとの間に波長板を挿入して実施してもよい。

または、液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の少なくとも一部の分子が当該液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜していることは、下記のようにして確認できる。液晶硬化層の面内の進相軸方向に対して垂直な測定方向で、入射角θにおける液晶硬化層のレターデーションＲ（θ）を測定する。そして、入射角θでの液晶硬化層のレターデーションＲ（θ）を入射角０°での液晶硬化層のレターデーションＲ（０°）で割ったレターデーション比Ｒ（θ）／Ｒ（０°）を求める。こうして求めたレターデーション比Ｒ（θ）／Ｒ（０°）を縦軸、入射角θを横軸としたグラフを描いた場合に、得られたグラフがθ＝０°に対して非対称であれば、液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の少なくとも一部の分子が当該液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜していることが確認できる。

以下、例を挙げてより具体的に説明する。図１は、ある例に係る液晶硬化層のレターデーション比Ｒ（θ）／Ｒ（０°）を、入射角θに対してプロットしたグラフである。液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の全ての分子の傾斜角が０°又は９０°であると、レターデーション比Ｒ（θ）／Ｒ（０°）は、図１で破線で示す例のように、θ＝０°の直線（図１では、θ＝０°を通る縦軸）に対して線対称となる。これに対して、液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の少なくとも一部の分子が液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜していると、レターデーション比Ｒ（θ）／Ｒ（０°）は、図１に実線で示す例のように、通常はθ＝０°の直線に対して非対称となる。よって、レターデーション比Ｒ（θ）／Ｒ（０°）がθ＝０°に対して非対称である場合には、液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の少なくとも一部の分子が当該液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜している、と判定できる。

さらに、液晶硬化層は、第一硬化層と、前記第一硬化層に直接に接した第二硬化層とを含む。ある２層が「直接に」接するとは、これら接する２層の間に他の層が無いことをいう。通常、第一硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子が液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜しており、且つ、第二硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子が液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜している。そして、第二硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、第一硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも大きくなっている。

前記の「実質最大傾斜角」とは、層の一方の面での分子の傾斜角度が０°であり、且つ分子の傾斜角が厚み方向において一定比率で変化していると仮定した場合の、その層に含まれる液晶性化合物の分子の傾斜角の最大値をいう。通常、液晶性化合物の分子の傾斜角は、厚み方向において、層の一側に近いほど小さく前記一側から遠いほど大きい。前記の実質最大傾斜角は、このような厚み方向における傾斜角の変化の比率（即ち、一側に近いほど減少し、一側から遠いほど増加するという変化の比率）が一定であり、且つ、前記一側の最表面（即ち、一方の面）での分子の傾斜角が０°であると仮定して計算される、傾斜角の最大値を表す。この実質最大傾斜角は、液晶硬化層に含まれる液晶性化合物の分子の傾斜角の大きさを示す指標である。通常、実質最大傾斜角が大きい液晶硬化層ほど、その液晶硬化層に含まれる液晶性化合物の分子の全体として見た傾斜角が大きい傾向がある。よって、液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくできれば、その液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角を全体として大きくできる。そして、このように実質最大傾斜角が大きい液晶硬化層を用いれば、その液晶硬化層を反射抑制フィルムに設けた場合に、厚み方向における複屈折の調整を適切に行うことができるので、表示面の傾斜方向において反射を効果的に抑制することができる。

本発明では、第一硬化層が、第二硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくする配向膜として機能できる。そのため、第一硬化層の作用により、第二硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくできるので、第一硬化層及び第二硬化層を含む液晶硬化層全体としての逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくすることができる。そして、このように第一硬化層の作用によって液晶硬化層全体としての逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角が大きくできることが、第二硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が第一硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも大きいことに現れている。

ある層（液晶硬化層、第一硬化層、第二硬化層、第三硬化層等）における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、後述する実施例に記載の測定方法で測定できる。後述する実施例に記載の測定方法によれば、その層が逆分散液晶性化合物以外の液晶性化合物を含んでいる場合でも、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を測定することが可能である。

［２．逆分散液晶性化合物］
逆分散液晶性化合物は、液晶性を有する化合物であり、通常、当該逆分散液晶性化合物を配向させた場合に、液晶相を呈することができる化合物である。

また、逆分散液晶性化合物は、前記の通り、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物である。ここで、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物とは、当該液晶性化合物の層を形成し、その層において液晶性化合物を配向させた際に、逆波長分散性の複屈折を発現する液晶性化合物をいう。通常は、液晶性化合物をホモジニアス配向させた場合に、液晶性化合物の層が逆波長分散性の複屈折を示すかどうかを調べることで、その液晶性化合物が逆波長分散性の複屈折を発現するかどうかを確認できる。ここで、液晶性化合物をホモジニアス配向させる、とは、当該液晶性化合物を含む層を形成し、その層における液晶性化合物の分子のメソゲン骨格の長軸方向を、前記層の面に平行なある一の方向に配向させることをいう。液晶性化合物が配向方向の異なる複数種類のメソゲン骨格を含む場合は、それらのうち最も長い種類のメソゲンが配向する方向が、前記の配向方向となる。また、前記の層の複屈折は、「（層の面内レターデーション）÷（層の厚み）」から求められる。

逆分散液晶性化合物は、当該逆分散液晶性化合物の分子中に、主鎖メソゲンと、前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを含む化合物でありうる。主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンを含む前記の逆分散液晶性化合物は、当該逆分散液晶性化合物が配向した状態において、側鎖メソゲンが主鎖メソゲンと異なる方向に配向できる。そのため、このように配向した逆分散液晶性化合物の層においては、主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンは、異なる方向に配向しうる。このような場合、その層の複屈折は主鎖メソゲンに対応する屈折率と側鎖メソゲンに対応する屈折率との差として発現するので、結果として、逆波長分散性の複屈折を発現できる。

逆分散液晶性化合物は、重合性を有することが好ましい。よって、逆分散液晶性化合物は、その分子が、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びエポキシ基等の重合性基を含むことが好ましい。重合性を有する逆分散液晶性化合物は、液晶相を呈した状態で重合し、液晶相における分子の配向状態を維持したまま重合体となることができる。よって、液晶硬化層において逆分散液晶性化合物の配向状態を固定したり、液晶性化合物の重合度を高めて液晶硬化層の機械的強度を高めたりすることが可能である。

逆分散液晶性化合物の分子量は、好ましくは３００以上、より好ましくは５００以上、特に好ましくは８００以上であり、好ましくは２０００以下、より好ましくは１７００以下、特に好ましくは１５００以下である。このような範囲の分子量を有する逆分散液晶性化合物を用いることにより、液晶組成物の塗工性を特に良好にできる。

測定波長５９０ｎｍにおける逆分散液晶性化合物の複屈折Δｎは、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０３以上であり、好ましくは０．１５以下、より好ましくは０．１０以下である。このような範囲の複屈折Δｎを有する逆分散液晶性化合物を用いることにより、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が大きい液晶硬化層を容易に得ることができる。さらに、通常は、このような範囲の複屈折Δｎを有する逆分散液晶性化合物を用いることにより、配向欠陥の少ない液晶硬化層を得やすい。

液晶性化合物の複屈折は、例えば、下記の方法により測定できる。
液晶性化合物の膜を作成し、その膜に含まれる液晶性化合物をホモジニアス配向させる。その後、その膜の面内レターデーションを測定する。そして、「（膜の面内レターデーション）÷（膜の厚み）」から、液晶性化合物の複屈折を求めることができる。この際、面内レターデーション及び厚みの測定を容易にするために、ホモジニアス配向させた液晶性化合物の膜は、硬化させてもよい。

逆分散液晶性化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

逆分散液晶性化合物の例としては、下記式（Ｉ）で表されるものが挙げられる。

式（Ｉ）において、Ａｒは、下記式（II−１）〜式（II−７）のいずれかで表される基を示す。式（II−１）〜式（II−７）において、＊は、Ｚ^１又はＺ^２との結合位置を表す。

前記の式（II−１）〜式（II−７）において、Ｅ^１及びＥ^２は、それぞれ独立して、−ＣＲ^１１Ｒ^１２−、−Ｓ−、−ＮＲ^１１−、−ＣＯ−及び−Ｏ−からなる群より選ばれる基を表す。また、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立して、水素原子、又は、炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。中でも、Ｅ^１及びＥ^２は、それぞれ独立して、−Ｓ−であることが好ましい。

前記の式（II−１）〜式（II−７）において、Ｄ^１〜Ｄ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、または、置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｄ^１〜Ｄ^３が表す基の炭素原子数（置換基の炭素原子数を含む。）は、それぞれ独立して、通常、２〜１００である。

Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族炭化水素環基の炭素原子数は、６〜３０が好ましい。Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。中でも、芳香族炭化水素環基としては、フェニル基がより好ましい。

Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族炭化水素環基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の、炭素原子数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数１〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；−ＯＣＦ_３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ａは、炭素原子数１〜６のアルキル基；並びに、炭素原子数１〜６のアルキル基若しくは炭素原子数１〜６のアルコキシ基を置換基として有していてもよい、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；からなる群より選ばれる基を表す。

Ｒ^ｂは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルケニル基；置換基を有していてもよい炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基；及び、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素環基；からなる群より選ばれる基を表す。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基の炭素原子数は、好ましくは１〜１２、より好ましくは４〜１０である。Ｒ^ｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−へキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、およびｎ−イコシル基等が挙げられる。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素原子数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チエニル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾール−２−イルチオ基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の、炭素原子数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１２のフルオロアルキル基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；及び、ベンゾジオキサニル基；等が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基の炭素原子数は、好ましくは２〜１２である。Ｒ^ｂにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、およびイコセニル基等が挙げられる。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基が有しうる置換基としては、例えば、Ｒ^ｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。中でも、シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基が好ましい。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；および、フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；等が挙げられる。中でも、シクロアルキル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；および、フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；が好ましい。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素環基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられる。中でも、芳香族炭化水素環基としては、フェニル基が好ましい。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素環基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素原子数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の、炭素原子数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１２のフルオロアルキル基；−ＯＣＦ_３；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；等が挙げられる。中でも、芳香族炭化水素環基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基；ニトロ基；フラニル基、チオフェニル基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１２のフルオロアルキル基；−ＯＣＦ_３；が好ましい。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族複素環基の炭素原子数は、２〜３０が好ましい。Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基としては、例えば、１−ベンゾフラニル基、２−ベンゾフラニル基、イミダゾリル基、インドリニル基、フラザニル基、オキサゾリル基、キノリル基、チアジアゾリル基、チアゾリル基、チアゾロピラジニル基、チアゾロピリジル基、チアゾロピリダジニル基、チアゾロピリミジニル基、チエニル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、ナフチリジニル基、ピラジニル基、ピラゾリル基、ピラニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピロリル基、フタラジニル基、フラニル基、ベンゾ［ｃ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリアジニル基、ベンゾトリアゾリル基、およびベンゾピラゾリル基等が挙げられる。中でも、芳香族複素環基としては、フラニル基、ピラニル基、チエニル基、オキサゾリル基、フラザニル基、チアゾリル基、及びチアジアゾリル基等の、単環の芳香族複素環基；並びに、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キノリル基、１−ベンゾフラニル基、２−ベンゾフラニル基、フタルイミド基、ベンゾ［ｃ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、チアゾロピリジル基、チアゾロピラジニル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、及びベンゾチアジアゾリル基等の、縮合環の芳香族複素環基；がより好ましい。

Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族複素環基が有しうる置換基としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

前記の式（II−１）〜式（II−７）において、Ｄ^４〜Ｄ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい非環状基を表す。Ｄ^４及びＤ^５は、一緒になって環を形成していてもよい。Ｄ^４〜Ｄ^５が表す基の炭素原子数（置換基の炭素原子数を含む。）は、それぞれ独立して、通常、１〜１００である。

Ｄ^４〜Ｄ^５における非環状基の炭素原子数は、１〜１３が好ましい。Ｄ^４〜Ｄ^５における非環状基としては、例えば、炭素原子数１〜６のアルキル基；シアノ基；カルボキシル基；炭素原子数１〜６のフルオロアルキル基；炭素原子数１〜６のアルコキシ基；−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_３；−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＰｈ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^ｘ；が挙げられる。中でも、非環状基としては、シアノ基、カルボキシル基、−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_３、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＰｈ、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣ_２Ｈ_５、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣ_４Ｈ_９、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ（ＣＨ_３）_２、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）−ＯＣＨ_３、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）_２−ＯＨ、及び−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−Ｃ_４Ｈ_９、が好ましい。前記のＰｈは、フェニル基を表す。また、前記のＲ^ｘは、炭素原子数１〜１２の有機基を表す。Ｒ^ｘの具体例としては、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、または、水酸基で置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基が挙げられる。

Ｄ^４〜Ｄ^５における非環状基が有しうる置換基としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｄ^４及びＤ^５が一緒になって環を形成している場合、前記のＤ^４及びＤ^５によって環を含む有機基が形成される。この有機基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。下記式において、＊は、各有機基が、Ｄ^４及びＤ^５が結合する炭素と結合する位置を表す。

Ｒ^＊は、炭素原子数１〜３のアルキル基を表す。
Ｒ^＊＊は、炭素原子数１〜３のアルキル基、及び、置換基を有していてもよいフェニル基からなる群より選ばれる基を表す。
Ｒ^＊＊＊は、炭素原子数１〜３のアルキル基、及び、置換基を有していてもよいフェニル基からなる群より選ばれる基を表す。
Ｒ^＊＊＊＊は、水素原子、炭素原子数１〜３のアルキル基、水酸基、及び、−ＣＯＯＲ^１３からなる群より選ばれる基を表す。Ｒ^１３は、炭素原子数１〜３のアルキル基を表す。
フェニル基が有しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、シアノ基及びアミノ基が挙げられる。中でも、置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シアノ基及びアルコキシ基が好ましい。フェニル基が有する置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

前記の式（II−１）〜式（II−７）において、Ｄ^６は、−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ（Ｒ^ｇ）Ｒ^ｈ、−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ^ｇ）Ｒ^ｈ、及び、−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｒ^ｉからなる群より選ばれる基を表す。Ｄ^６が表す基の炭素原子数（置換基の炭素原子数を含む。）は、通常、３〜１００である。

Ｒ^ｆは、水素原子；並びに、メチル基、エチル基、プロピル基、及びイソプロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；からなる群より選ばれる基を表す。

Ｒ^ｇは、水素原子；並びに、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０の有機基；からなる群より選ばれる基を表す。

Ｒ^ｇにおける置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０の有機基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；炭素原子数１〜２０のアルキル基に含まれる−ＣＨ_２−の少なくとも一つが、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基（ただし、−Ｏ−または−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く）；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルケニル基；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルキニル基；置換基を有していてもよい炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基；置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−ＣＳ−ＮＨ−Ｒ^ｂ；が挙げられる。Ｒ^ａ及びＲ^ｂの意味は、上述した通りである。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基の好ましい炭素原子数の範囲及び例示物は、Ｒ^ｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基と同じである。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素原子数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の、炭素原子数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基；１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１２のフルオロアキル基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；−ＳＲ^ｂ；−ＳＲ^ｂで置換された炭素原子数１〜１２のアルコキシ基；水酸基；等が挙げられる。Ｒ^ａ及びＲ^ｂの意味は、上述した通りである。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基の好ましい炭素原子数の範囲及び例示物は、Ｒ^ｂにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基と同じである。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基が有しうる置換基としては、例えば、Ｒ^ｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数２〜２０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、２−ペンチニル基、ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、７−デカニル基等が挙げられる。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数２〜２０のアルキニル基が有しうる置換基としては、例えば、Ｒ^ｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基としては、例えば、Ｒ^ｂにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基と同じ例が挙げられる。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基が有しうる置換基としては、例えば、Ｒ^ｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基と同じ例が挙げられる。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基が有しうる置換基としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基と同じ例が挙げられる。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基が有しうる置換基としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

上述したものの中でも、Ｒ^ｇとしては、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；炭素原子数１〜２０のアルキル基に含まれる−ＣＨ_２−の少なくとも一つが、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、または、−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基（ただし、−Ｏ−または−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く）；置換基を有していてもよい炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基；置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基；並びに、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基；が好ましい。その中でも、Ｒ^ｇとしては、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；並びに、炭素原子数１〜２０のアルキル基に含まれる−ＣＨ_２−の少なくとも一つが、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、または、−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基（ただし、−Ｏ−または−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く）；が特に好ましい。

Ｒ^ｈは、炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、有機基を表す。

Ｒ^ｈの好ましい例としては、（１）１以上の炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環を有する、炭素原子数６〜４０の炭化水素環基、が挙げられる。この芳香族炭化水素環を有する炭化水素環基を、以下、適宜「（１）炭化水素環基」ということがある。（１）炭化水素環基の具体例としては、下記の基が挙げられる。

（１）炭化水素環基は、置換基を有していてもよい。（１）炭化水素環基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の、炭素原子数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；−ＯＣＦ_３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。Ｒ^ａ及びＲ^ｂの意味は、上述した通りである。これらの中でも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、および、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、が好ましい。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｈの別の好ましい例としては、（２）炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、炭素原子数２〜４０の複素環基が挙げられる。この芳香環を有する複素環基を、以下、適宜「（２）複素環基」ということがある。（２）複素環基の具体例としては、下記の基が挙げられる。Ｒは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。

（２）複素環基は、置換基を有していてもよい。（２）複素環基が有しうる置換基としては、例えば、（１）炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｈの更に別の好ましい例としては、（３）炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基からなる群より選ばれる１以上の基で置換された、炭素原子数１〜１２のアルキル基が挙げられる。この置換されたアルキル基を、以下、適宜「（３）置換アルキル基」ということがある。

（３）置換アルキル基における「炭素原子数１〜１２のアルキル基」としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基などが挙げられる。
（３）置換アルキル基における「炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基」としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基と同じ例が挙げられる。
（３）置換アルキル基における「炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基」としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基と同じ例が挙げられる。

（３）置換アルキル基は、更に置換基を有していてもよい。（３）置換アルキル基が有しうる置換基としては、例えば、（１）炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｈの更に別の好ましい例としては、（４）炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基からなる群より選ばれる１以上の基で置換された、炭素原子数２〜１２のアルケニル基が挙げられる。この置換されたアルケニル基を、以下、適宜「（４）置換アルケニル基」ということがある。

（４）置換アルケニル基における「炭素原子数２〜１２のアルケニル基」としては、例えば、ビニル基、アリル基などが挙げられる。
（４）置換アルケニル基における「炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基」としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基と同じ例が挙げられる。
（４）置換アルケニル基における「炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基」としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基と同じ例が挙げられる。

（４）置換アルケニル基は、更に置換基を有していてもよい。（４）置換アルケニル基が有しうる置換基としては、例えば、（１）炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｈの更に別の好ましい例としては、（５）炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基からなる群より選ばれる１以上の基で置換された、炭素原子数２〜１２のアルキニル基が挙げられる。この置換されたアルキニル基を、以下、適宜「（５）置換アルキニル基」ということがある。

（５）置換アルキニル基における「炭素原子数２〜１２のアルキニル基」としては、例えば、エチニル基、プロピニル基などが挙げられる。
（５）置換アルキニル基における「炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基」としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基と同じ例が挙げられる。
（５）置換アルキニル基における「炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基」としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基と同じ例が挙げられる。

（５）置換アルキニル基は、更に置換基を有していてもよい。（５）置換アルキニル基が有しうる置換基としては、例えば、（１）炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｈの好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。

Ｒ^ｈの更に好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。

Ｒ^ｈの特に好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。

上述したＲ^ｈの具体例は、更に置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の、炭素原子数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；−ＯＣＦ_３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。Ｒ^ａ及びＲ^ｂの意味は、上述した通りである。これらの中でも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、および、炭素原子数１〜６のアルコキシ基が好ましい。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｉは、炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、有機基を表す。

Ｒ^ｉの好ましい例としては、１以上の炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環を有する、炭素原子数６〜４０の炭化水素環基が挙げられる。
また、Ｒ^ｉの別の好ましい例としては、炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、炭素原子数２〜４０の複素環基が挙げられる。

Ｒ^ｉの特に好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。Ｒの意味は、上述した通りである。

式（II−１）〜式（II−７）のいずれかで表される基は、Ｄ^１〜Ｄ^６以外に更に置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜６のＮ−アルキルアミノ基、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルスルフィニル基、カルボキシル基、炭素原子数１〜６のチオアルキル基、炭素原子数１〜６のＮ−アルキルスルファモイル基、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

式（Ｉ）におけるＡｒの好ましい例としては、下記の式（III−１）〜式（III−１０）で表される基が挙げられる。また、式（III−１）〜式（III−１０）で表される基は、置換基として炭素原子数１〜６のアルキル基を有していてもよい。下記式中、＊は、結合位置を表す。

式（III−１）及び式（III−４）の特に好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。下記式中、＊は、結合位置を表す。

式（Ｉ）において、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２１−、−ＣＦ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＦ_２−ＣＦ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｎ−、及び、−Ｃ≡Ｃ−、からなる群より選ばれるいずれかを表す。Ｒ^２１は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。

式（Ｉ）において、Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい環状脂肪族基、及び、置換基を有していてもよい芳香族基、からなる群より選ばれる基を表す。Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２が表す基の炭素原子数（置換基の炭素原子数を含む。）は、それぞれ独立して、通常、３〜１００である。中でも、Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素原子数５〜２０の環状脂肪族基、または、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０の芳香族基が好ましい。

Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２における環状脂肪族基としては、例えば、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、１，４−シクロヘプタン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等の、炭素原子数５〜２０のシクロアルカンジイル基；デカヒドロナフタレン−１，５−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基等の、炭素原子数５〜２０のビシクロアルカンジイル基；等が挙げられる。中でも、置換されていてもよい炭素原子数５〜２０のシクロアルカンジイル基が好ましく、シクロヘキサンジイル基がより好ましく、シクロヘキサン−１，４−ジイル基が特に好ましい。環状脂肪族基は、トランス体であってもよく、シス体であってもよく、シス体とトランス体との混合物であってもよい。中でも、トランス体がより好ましい。

Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２における環状脂肪族基が有しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２における芳香族基としては、例えば、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、４，４’−ビフェニレン基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；フラン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；等が挙げられる。中でも、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基が好ましく、フェニレン基がさらに好ましく、１，４−フェニレン基が特に好ましい。

Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２における芳香族基が有しうる置換基としては、例えば、Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２における環状脂肪族基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

式（Ｉ）において、Ｙ^１〜Ｙ^４は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、及び、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２３−、からなる群より選ばれるいずれかを表す。Ｒ^２２及びＲ^２３は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。

式（Ｉ）において、Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜２０の脂肪族炭化水素基；並びに、炭素原子数３〜２０の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基（−ＣＨ_２−）の１以上が−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基；からなる群より選ばれる有機基を表す。Ｇ^１及びＧ^２の前記有機基に含まれる水素原子は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、または、ハロゲン原子に置換されていてもよい。ただし、Ｇ^１及びＧ^２の両末端のメチレン基（−ＣＨ_２−）が−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置換されることはない。

Ｇ^１及びＧ^２における炭素原子数１〜２０の脂肪族炭化水素基の具体例としては、炭素原子数１〜２０のアルキレン基が挙げられる。

Ｇ^１及びＧ^２における炭素原子数３〜２０の脂肪族炭化水素基の具体例としては、炭素原子数３〜２０のアルキレン基が挙げられる。

式（Ｉ）において、Ｐ^１及びＰ^２は、それぞれ独立して、重合性基を表す。Ｐ^１及びＰ^２における重合性基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等の、ＣＨ_２＝ＣＲ^３１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基；ビニル基；ビニルエーテル基；ｐ−スチルベン基；アクリロイル基；メタクリロイル基；カルボキシル基；メチルカルボニル基；水酸基；アミド基；炭素原子数１〜４のアルキルアミノ基；アミノ基；エポキシ基；オキセタニル基；アルデヒド基；イソシアネート基；チオイソシアネート基；等が挙げられる。Ｒ^３１は、水素原子、メチル基、又は塩素原子を表す。中でも、ＣＨ_２＝ＣＲ^３１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基が好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（アクリロイルオキシ基）、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（メタクリロイルオキシ基）がより好ましく、アクリロイルオキシ基が特に好ましい。

式（Ｉ）において、ｐ及びｑは、それぞれ独立して、０又は１を表す。

式（Ｉ）で表される逆分散液晶性化合物は、例えば、国際公開第２０１２／１４７９０４号に記載される、ヒドラジン化合物とカルボニル化合物との反応により製造しうる。

［３．液晶組成物］
液晶組成物は、逆分散液晶性化合物を含み、更に、必要に応じて任意の成分を含む。任意の成分は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組合わせて用いてもよい。

通常、液晶組成物は重合によって硬化できるので、液晶組成物は、任意の成分として重合開始剤を含む。重合開始剤の種類は、液晶組成物に含まれる重合性の化合物の種類に応じて選択しうる。例えば、重合性の化合物がラジカル重合性であれば、ラジカル重合開始剤を使用しうる。また、重合性の化合物がアニオン重合性であれば、アニオン重合開始剤を使用しうる。さらに、重合性の化合物がカチオン重合性であれば、カチオン重合開始剤を使用しうる。重合開始剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

重合開始剤の量は、逆分散液晶性化合物１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上であり、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは１０重量部以下である。重合開始剤の量が前記範囲に収まることにより、重合を効率的に進行させることができる。

液晶組成物は、任意の成分として、界面活性剤を含んでいてもよい。特に、所望の液晶硬化層を安定して得る観点から、界面活性剤としては、分子中にフッ素原子を含む界面活性剤が好ましい。以下の説明において、分子中にフッ素原子を含む界面活性剤を、適宜「フッ素系界面活性剤」ということがある。

フッ素系界面活性剤はノニオン系界面活性剤であることが好ましい。フッ素系界面活性剤がイオン性基を含まないノニオン系界面活性剤である場合に、液晶硬化層の面状態及び配向性を、特に良好にすることができる。

フッ素系界面活性剤は、重合性を有さなくてもよく、重合性を有していてもよい。重合性を有するフッ素系界面活性剤は、液晶組成物の層を硬化させる工程で重合できるので、通常は、液晶硬化層においては重合体の分子の一部に含まれる。

フッ素系界面活性剤としては、例えば、ＡＧＣセイミケミカル社製のサーフロンシリーズ（Ｓ４２０など）、ネオス社製のフタージェントシリーズ（２５１、ＦＴＸ−２１２Ｍ、ＦＴＸ−２１５Ｍ、ＦＴＸ−２０９など）、ＤＩＣ社製のメガファックシリーズ（Ｆ−４４４など）等が挙げられる。また、フッ素系界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

フッ素系界面活性剤の量は、逆分散液晶性化合物１００重量部に対して、好ましくは０．０３重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上であり、好ましくは０．５０重量部以下、より好ましくは０．３０重量部以下である。フッ素系界面活性剤の量が前記の範囲にあることにより、液晶硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を効果的に大きくできる。

液晶組成物は、任意の成分として、溶媒を含んでいてもよい。溶媒としては、逆分散液晶性化合物を溶解できるものが好ましい。このような溶媒としては、通常、有機溶媒を用いる。有機溶媒の例としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン溶媒；酢酸ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル溶媒；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル溶媒；及びトルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；が挙げられる。また、溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

溶媒の沸点は、取り扱い性に優れる観点から、好ましくは６０℃〜２５０℃、より好ましくは６０℃〜１５０℃である。

溶媒の量は、逆分散液晶性化合物１００重量部に対して、好ましくは２００重量部以上、より好ましくは２５０重量部以上、特に好ましくは３００重量部以上であり、好ましくは６５０重量部以下、より好ましくは５５０重量部以下、特に好ましくは４５０重量部以下である。溶媒の量を、前記範囲の下限値以上にすることにより異物発生の抑制ができ、前記範囲の上限値以下にすることにより乾燥負荷の低減ができる。

また、液晶組成物は、液晶硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の大きな傾斜角を容易に実現させるために、任意の成分として、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくする作用を発揮できる傾斜作用成分を含んでいてもよい。この傾斜作用成分の役割は、下記の通りである。

後述する本発明の一実施形態である液晶硬化フィルムの製造方法では、第一硬化層を形成した後で、当該第一硬化層上に第二硬化層を形成する。この際、通常は、先に形成される第一硬化層での逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも、次に形成される第二硬化層での逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が大きいので、これら２層を合わせた全体の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくでき、その結果、液晶硬化層全体として大きい傾斜角を達成できる。このとき、第一硬化層での逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が大きい方が、液晶硬化層全体として逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくしやすい。しかし、多くの逆分散液晶性化合物は、それ単独で配向させても小さい傾斜角しか得られない。よって、第一硬化層での逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくする観点から、逆分散液晶性化合物の分子の傾斜を促進できる傾斜作用成分を用いてもよい。また、傾斜作用成分を用いれば、第二硬化層及び当該第二硬化層上に更に形成される層においても、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくし易い。ただし、逆分散液晶性化合物の分子の傾斜の促進は、液晶硬化層を形成する工程において操作又は条件を調整することによっても可能であるので、傾斜作用成分は必ずしも用いなくても構わない。

傾斜作用成分としては、例えば、傾斜配向性を有する順分散液晶性化合物が挙げられる。ここで、「順分散液晶性化合物」とは、順波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物をいう。また、「傾斜配向性を有する順分散液晶性化合物」とは、樹脂フィルムのラビング処理面に、液晶性化合物として順分散液晶性化合物を単独で含む組成物を塗工し配向処理を施して試験層を得た場合に、その試験層における順分散液晶性化合物の分子が層平面に対してなす実質最大傾斜角が、３０°以上となることができる順分散液晶性化合物をいう。このように傾斜配向性を有する順分散液晶性化合物は、４．８以上６．７以下のｌｏｇＰを有するフッ素系界面活性剤と組み合わせて用いることにより、液晶硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくする作用を発揮できる。

ここで「ｌｏｇＰ」とは、１−オクタノール／水分配係数のことをいう。フッ素系界面活性剤のｌｏｇＰは、下記の測定方法によって測定できる。
フッ素系界面活性剤を１重量％含む試料溶液を調製し、ＪＩＳ ７２６０−１１７：２００６｛分配係数（１−オクタノール／水）の測定−高速液体クロマトグラフィー｝に概ね準拠した方法で、ＨＰＬＣ／ＥＬＳＤ分析（高速液体クロマトグラフィー／蒸発光散乱検出分析）を行って、溶出時間（ｒ．ｔ．）を測定する。他方、ＪＩＳ ７２６０−１１７：２００６に記載のある、ｌｏｇＰの値が既知の標識化合物に、前記フッ素系界面活性剤と同様にして、ＨＰＬＣ／ＥＬＳＤ分析を行い、溶出時間（ｒ．ｔ．）を測定する。標識化合物の測定結果に基づいて、溶出時間とｌｏｇＰとの関係を示す検量線を作成する。その後、フッ素系界面活性剤について測定された溶出時間を、前記の検量線に当てはめることにより、フッ素系界面活性剤のｌｏｇＰを求める。

傾斜配向性を有する順分散液晶性化合物としては、例えば、下記の化合物が挙げられる。また、傾斜配向性を有する順分散液晶性化合物を含む液晶組成物については、特開２０１８−１６２３７９号公報及び特願２０１７−０６０１５４号の明細書の記載を参照してよい。

傾斜配向性を有する順分散液晶性化合物の量は、逆分散液晶性化合物と傾斜配向性を有する順分散液晶性化合物との合計１００重量部に対して、好ましくは１重量部以上、より好ましくは５重量部以上、さらに好ましくは１０重量部以上であり、好ましくは２５重量部以下、より好ましくは２０重量部以下である。このような量の傾斜配向性を有する順分散液晶性化合物を用いることにより、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が大きく、且つ、配向欠陥の少ない液晶硬化層を、容易に得ることができる。

傾斜作用成分としては、例えば、分子量Ｍｗとπ電子数Ｎｐとの比Ｍｗ／Ｎｐが１７以上７０以下である（メタ）アクリル酸エステル化合物が挙げられる。この（メタ）アクリル酸エステル化合物の分子量Ｍｗとπ電子数Ｎｐとの比Ｍｗ／Ｎｐは、詳細には、通常１７以上、好ましくは２３以上であり、通常７０以下、好ましくは５０以下である。この（メタ）アクリル酸エステル化合物は、フッ素系界面活性剤と組み合わせて用いることにより、液晶硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくする作用を発揮できる。

化合物の１分子当たりのπ電子数は、その化合物に含まれる不飽和結合の種類及び数に基づいて求められる。不飽和結合それぞれに含まれるπ電子数の例を挙げると、脂肪族性又は芳香族性の炭素−炭素二重結合（Ｃ＝Ｃ）に含まれるπ電子数は２個、炭素−炭素三重結合（Ｃ≡Ｃ）に含まれるπ電子数は４個、炭素−窒素二重結合（Ｃ＝Ｎ）に含まれるπ電子数は２個、炭素−窒素三重結合（Ｃ≡Ｎ）に含まれるπ電子数は４個、窒素−窒素二重結合（Ｎ＝Ｎ）に含まれるπ電子数は２個である。

前記の（メタ）アクリル酸エステル化合物としては、例えば、下記のものが挙げられる。また、前記の（メタ）アクリル酸エステル化合物を含む液晶組成物については、国際公開第２０１８／１７３７７８号及び特願２０１７−０６０１２２号の明細書の記載を参照してよい。

前記の（メタ）アクリル酸エステル化合物の量は、逆分散液晶性化合物及び（メタ）アクリル酸エステル化合物の合計１００重量部に対して、好ましくは１重量部以上、より好ましくは５重量部以上であり、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは２０重量部以下である。（メタ）アクリル酸エステル化合物の量を前記の範囲に収めることにより、液晶硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくする作用を発揮できる。

また、前記の（メタ）アクリル酸エステル化合物は、フッ素系界面活性剤と組み合わせて用いることが好ましい。この際、フッ素系界面活性剤の量は、逆分散液晶性化合物及び（メタ）アクリル酸エステル化合物の合計１００重量部に対して、通常０．１１重量部以上、好ましくは０．１２重量部以上であり、通常０．２９重量部以下、好ましくは０．２５重量部以下、より好ましくは０．２０重量部以下である。フッ素系界面活性剤の量が前記の範囲にあることにより、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が大きく、且つ、配向欠陥の少ない液晶硬化層を、容易に得ることができる。

傾斜作用成分としては、例えば、磁場応答性を有する液晶性化合物が挙げられる。ここで、「磁場応答性を有する液晶性化合物」とは、液晶化温度において磁界を印加された場合に、その磁界によって配向状態が変化できる液晶性化合物である。磁場応答性を有する液晶性化合物を含む液晶組成物は、その配向処理の際に適切に磁界を印加されることにより、液晶硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくする作用を発揮できる。

磁場応答性を有する液晶性化合物としては、例えば、下記のものが挙げられる。また、磁場応答性を有する液晶性化合物を含む液晶組成物については、特開２０１８−１６３２１８号公報及び特願２０１７−０５９３２７号の明細書の記載を参照してよい。

磁場応答性を有する液晶性化合物の量は、磁場応答性を有する液晶性化合物と逆分散液晶性化合物との合計１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは１重量部以上、特に好ましくは３重量部以上であり、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、特に好ましくは２０重量部以下である。磁場応答性を有する液晶性化合物の量を前記の範囲に収めることにより、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が大きく、且つ、配向欠陥の少ない液晶硬化層を、容易に得ることができる。

液晶組成物が含みうる任意のその他の成分としては、例えば、金属；金属錯体；酸化チタン等の金属酸化物；染料、顔料等の着色剤；蛍光材料、燐光材料等の発光材料；レベリング剤；チキソ剤；ゲル化剤；多糖類；紫外線吸収剤；赤外線吸収剤；抗酸化剤；イオン交換樹脂；等が挙げられる。これらの成分の量は、逆分散液晶性化合物の合計１００重量部に対して、各々０．１重量部〜２０重量部としうる。

［４．液晶硬化層］
液晶硬化層は、上述した液晶組成物を硬化した硬化物の層である。前記の液晶組成物の硬化は、通常、当該液晶組成物が含む重合性の化合物の重合によって達成される。よって、液晶硬化層は、通常、液晶組成物が含んでいた成分の一部又は全部の重合体を含む。例えば、逆分散液晶性化合物が重合性を有する場合、その逆分散液晶性化合物が重合するので、液晶硬化層は、重合前の配向状態を維持したまま重合した逆分散液晶性化合物の重合体を含む層でありうる。前述のように、この重合した逆分散液晶性化合物も、用語「液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物」に含める。

液晶組成物の硬化物においては、硬化前の流動性が失われるので、通常、逆分散液晶性化合物の配向状態は、硬化前の配向状態のまま、固定されている。そして、この液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の少なくとも一部の分子が、当該液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜している。

液晶硬化層は、第一硬化層及び第二硬化層等の複数の層を含む複層構造を有する。以下の説明では、最終的に得られる液晶硬化層と区別するため、この液晶硬化層に含まれる部分としての層を、適宜「単位硬化層」と呼ぶことがある。このような複層構造は、通常、液晶硬化層の製造方法に起因して生じる。

第一硬化層及び第二硬化層等の複数の単位硬化層を含む液晶硬化層において、その液晶硬化層に含まれる各単位硬化層は、下記の方法によって区別できる。
液晶硬化層を、エポキシ樹脂で包埋して、試料片を得る。この試料片を、ミクロトームを用いて、液晶硬化層の厚み方向に平行にスライスして、観察サンプルを得る。この際、スライスは、液晶硬化層の面内遅相軸方向と断面とが平行となるように行う。その後、スライスにより現れた断面を、偏光顕微鏡を用いて観察する。この観察は、観察サンプルと偏光顕微鏡の対物レンズとの間に波長板を挿入して、観察サンプルのレターデーションに応じた色を呈した像が見られるように行う。このとき、色が異なる部分を、単位硬化層と単位硬化層との境目として確認し、各単位硬化層を区別できる。

以下、液晶硬化層の層構造の例を説明する。
図２は、本発明の第一実施形態に係る液晶硬化フィルムが含む液晶硬化層１００の模式的な断面図である。例えば、液晶硬化層１００は、図２に示すように、第一硬化層１１０と、この第一硬化層１１０に直接に接した第二硬化層１２０とを含んでいてもよい。このような液晶硬化層１００は、第一硬化層１１０を形成する工程の後で、その第一硬化層１１０の表面１１０Ｕに第二硬化層１２０を形成する工程を行って、製造できる。

図３は、本発明の第二実施形態に係る液晶硬化フィルムが含む液晶硬化層２００の模式的な断面図である。例えば、液晶硬化層２００は、図３に示すように、第一硬化層１１０と、この第一硬化層１１０に直接に接した第二硬化層１２０と、この第二硬化層１２０に直接に接した第三硬化層２３０とを、当該液晶硬化層２００の厚み方向においてこの順に含んでいてもよい。このような液晶硬化層２００は、第一硬化層１１０を形成する工程の後で、その第一硬化層１１０の表面１１０Ｕに第二硬化層１２０を形成する工程を行い、更にその後で第二硬化層１２０の表面１２０Ｕに第三硬化層２３０を形成する工程を行って、製造できる。

前記のように複層構造を有する液晶硬化層では、通常、第一硬化層に近い単位硬化層ほど当該単位硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が小さく、第一硬化層から遠い単位硬化層ほど当該単位硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が大きい傾向がある。そのため、液晶硬化層では、第二硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が、第一硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも大きくなっている。このような液晶硬化層では、通常、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が小さい単位硬化層は、先に形成された単位硬化層であり、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が大きい単位硬化層は、後に形成された単位硬化層である。

よって、図２に示す第一実施形態としての液晶硬化層１００では、第二硬化層１２０における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が、第一硬化層１１０における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも、大きい。前記の実質最大傾斜角の大小関係は、下記の方法によって確認できる。第一硬化層１１０及び第二硬化層１２０を含む液晶硬化層１００全体の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角と、第一硬化層１１０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角とを用いて、第二硬化層１２０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を算出する。そして、第一硬化層１１０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角と、第二硬化層１２０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角とを比べる。これにより、第一硬化層１１０における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角と第二硬化層１２０における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角との大小関係を確認できる。この際、第一硬化層１１０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、液晶硬化層１００の形成過程において測定できる。

また、図３に示す第二実施形態としての液晶硬化層２００では、第三硬化層２３０における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が、通常、第二硬化層１２０における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角より大きく、第二硬化層１２０における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、第一硬化層１１０における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも大きい。さらに、好ましくは、第三硬化層２３０における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、その第三硬化層２３０よりも前に形成された層部分（即ち、第一硬化層１１０及び第二硬化層１２０からなる層部分）２４０における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも、大きい。前記の実質最大傾斜角の大小関係は、下記の方法によって確認できる。第一硬化層１１０、第二硬化層１２０及び第三硬化層２３０を含む液晶硬化層２００全体の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角と、第一硬化層１１０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角と、第二硬化層１２０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角とを用いて、第三硬化層２３０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を算出する。そして、第一硬化層１１０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角と、第二硬化層１２０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角と、第三硬化層２３０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角とを比べる。これにより、第一硬化層１１０、第二硬化層１２０及び第三硬化層２３０における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角の大小関係を確認できる。この際、第一硬化層１１０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角、及び、第二硬化層１２０単独における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、液晶硬化層２００の形成過程において測定できる。

液晶硬化層は、当該液晶硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の少なくとも一部の分子が液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜しているのであるから、前記のように液晶硬化層が複層構造を有する場合、一部の単位硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子は、液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜していなくてもよい。よって、例えば、一部の単位硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子が液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）平行又は垂直であってもよい。

液晶硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、好ましくは４０°以上、より好ましくは４６°以上、特に好ましくは５６°以上であり、好ましくは８５°以下、より好ましくは８３°以下、特に好ましくは８０°以下である。逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が前記の範囲に収まる液晶硬化層は、直線偏光子と組み合わせることにより、有機ＥＬ表示装置に設けた場合に高い視野角特性を達成できる偏光板を実現することができる。

各単位硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角の範囲は、特には限定されないが、望ましい範囲を挙げると、下記の通りである。
第一硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、好ましくは１５°以上、より好ましくは２０°以上、特に好ましくは３０°以上である。上限は、特段の制限は無いが、好ましくは６０°以下である。

第二硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、好ましくは４５°以上、より好ましくは５０°以上、特に好ましくは５７°以上であり、好ましくは８５°以下である。

また、第一硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角と、第二硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角との差は、好ましくは５°以上、より好ましくは８°以上、特に好ましくは１０°以上であり、好ましくは７０°以下、より好ましくは６５°以下、特に好ましくは５５°以下である。

第三硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、好ましくは５０°以上、より好ましくは５５°以上、特に好ましくは６０°以上であり、好ましくは８５°以下である。

液晶硬化層の面内方向においては、逆分散液晶性化合物の分子の配向方向は、通常、均一である。よって、液晶硬化層は、通常、液晶硬化層を厚み方向から見た逆分散液晶性化合物の分子の配向方向に平行な面内遅相軸を有する。そして、このように面内方向において逆分散液晶性化合物が一定の配向方向に配向するので、液晶硬化層は、通常、所定の大きさの面内レターデーションを有する。

液晶硬化層は、逆分散液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物によって形成されているので、通常、逆波長分散性の面内レターデーションを有する。ここで、逆波長分散性の面内レターデーションとは、波長４５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（４５０）及び波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（５５０）が、通常下記式（Ｎ３）を満たす面内レターデーションをいう。中でも、液晶硬化層の面内レターデーションは、下記式（Ｎ４）を満たすことが好ましい。このように逆波長分散性の面内レターデーションを有することにより、液晶硬化層は、１／４波長板又は１／２波長板等の光学用途において、広い波長帯域において均一に機能を発現できる。よって、このような液晶硬化層を用いることにより、広い波長範囲において外光の反射を抑制できる反射抑制フィルムを実現できる。
Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．００ （Ｎ３）
Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜０．９０ （Ｎ４）

液晶硬化層の具体的な面内レターデーションの範囲は、液晶硬化層の用途に応じて任意に設定しうる。特に、直線偏光子と組み合わせて、有機ＥＬ表示装置用の反射抑制フィルムとしての偏光板を得るためには、液晶硬化層は、１／４波長板として機能できる面内レ―デーションを有することが望ましい。ここで、１／４波長板として機能できる面内レ―デーションとは、具体的には、好ましくは８０ｎｍ以上、好ましくは１９０ｎｍ以下、より好ましくは１８０ｎｍ以下である。

一般に、表示面に入射角「＋φ」で入射する外光は、出射角「−φ」で反射する。よって、表示面に設けられる反射抑制フィルムが液晶硬化層を含む場合、表示面の傾斜方向において外光は入射角「＋φ」での往路と出射角「−φ」での復路とを含む経路で液晶硬化層を通過する。この経路を通る光の反射を効果的に抑制する観点から、液晶硬化層のレターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）は、１．００に近いことが好ましい。ここで、Ｒ（±５０°）とは、液晶硬化層の面内の進相軸方向に対して垂直な測定方向で測定した、入射角θが−５０°及び＋５０°での液晶硬化層のレターデーションＲ（−５０°）及びＲ（＋５０°）の平均値を表す。具体的には、液晶硬化層のレターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）は、好ましくは０．９０以上、より好ましくは０．９２以上、特に好ましくは０．９３以上であり、また、好ましくは１．１５以下、より好ましくは１．１２以下、特に好ましくは１．１０以下である。液晶硬化層のレターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）が１．００に近いことにより、前記のように、その液晶硬化層を含む偏光板によって、傾斜方向における外光の反射を効果的に抑制できる。具体的には、外光が液晶硬化層を入射時及び反射時の２回通る間に、その偏光状態を適切に変換して、偏光板の直線偏光子による効果的な遮断を実現することが可能となる。よって、このような液晶硬化層は、直線偏光子と組み合わせて偏光板を得た場合に、その偏光板による反射抑制能力を広い入射角範囲において発揮できるので、優れた視野角特性を得ることができる。

液晶硬化層は、通常、面状態が良好である。よって、液晶硬化層は、通常、その厚みのムラが小さく、したがって面内レターデーションのムラが小さい。液晶硬化層の面状態は、実施例に記載の方法で評価できる。

液晶硬化層は、通常、配向欠陥が少ない。液晶硬化層の配向欠陥は、実施例に記載の方法で評価できる。

液晶硬化層の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは１０．０μｍ以下、より好ましくは７．０μｍ以下である。液晶硬化層の厚みが前記の範囲にあることにより、面内レターデーション等の特性を所望の範囲に容易に調整することができる。また、このような厚みの液晶硬化層は、有機ＥＬ表示装置の反射抑制フィルムに用いられてきた従来の位相差フィルムよりも薄いので、有機ＥＬ表示装置の薄型化に貢献できる。

［５．任意の層］
液晶硬化フィルムは、液晶硬化層のみを含むフィルムであってもよく、液晶硬化層に組み合わせて任意の層を含むフィルムであってもよい。任意の層としては、液晶硬化層の製造に用いる基材；位相差フィルム；他の部材と接着するための接着剤層；フィルムの滑り性を良くするマット層；耐衝撃性ポリメタクリレート樹脂層などのハードコート層；反射防止層；防汚層；等が挙げられる。

［６．液晶硬化フィルムの製造方法］
上述した液晶硬化フィルムは、一実施形態として、適切な支持面に第一硬化層を形成する工程と、その第一硬化層上に、直接に第二硬化層を形成する工程とを含む製造方法によって、製造できる。ここで、ある層上に別の層を形成する態様が「直接に」とは、これら２層の間に他の層が無いことをいう。また、液晶硬化層の製造方法は、第二硬化層上に更に１又は２以上の単位硬化層を形成する工程を含んでいてもよい。この製造方法において、第一硬化層及び第二硬化層等の各単位硬化層の厚みは、同じでもよく、異なっていてもよい。さらに、各単位硬化層の液晶組成物の組成は、同じでもよく、異なっていてもよい。

液晶組成物の硬化物による単位硬化層の形成は、通常、
（ｉ）液晶組成物の層を形成する工程と；
（ii）液晶組成物の層に含まれる逆分散液晶性化合物を配向させる工程と；
（iii）液晶組成物の層を硬化させる工程と；
を含む。したがって、液晶硬化フィルムの製造方法では、これらの工程（ｉ）〜（iii）を繰り返して、所望の液晶硬化層を形成する。この際、各単位硬化層の厚みは、同じでもよく、異なっていてもよい。さらに、各単位硬化層の液晶組成物の組成は、同じでもよく、異なっていてもよい。

各単位硬化層の形成は、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が大きい単位硬化層が得られるように、操作又は条件を調整して行うことが好ましい。

例えば、液晶組成物の層に含まれる逆分散液晶性化合物を配向させる工程（ii）を、液晶組成物の層の温度条件が所定の要件を満たすように行うことが好ましい。具体的には、当該液晶性化合物を配向させる工程（ii）における液晶組成物の層の温度条件が、試験組成物の残留分粘度が通常８００ｃＰ以下となる温度条件と同一になるように、行うことが好ましい。前記の試験組成物とは、液晶組成物から重合開始剤を除いた組成を有する組成物である。また、試験組成物の残留分粘度とは、液晶性化合物を配向させる工程の液晶組成物の層と同一温度条件における、試験組成物の残留成分の粘度である。また、試験組成物の残留成分とは、試験組成物に含まれる成分のうち、液晶性化合物を配向させる工程の液晶組成物の層と同一温度条件において気化せずに残留した成分である。このような要件を満たすように工程（ii）を行うことで、単位硬化層の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくすることが可能である。

更に詳しく説明する。逆分散液晶性化合物を配向させる工程（ii）を、前記の要件を満たすように行う場合、当該工程（ii）は、試験組成物の残留分粘度が所定範囲に収まる温度条件と同一温度条件に、液晶組成物の層を調整して、行う。前記残留分粘度の具体的範囲は、通常８００ｃＰ（センチポアズ）以下、好ましくは６００ｃＰ以下、より好ましくは４００ｃＰ以下、さらに好ましくは２００ｃＰ以下である。このように試験組成物の残留分粘度が低くなる温度条件と同一温度条件で液晶組成物の層中の液晶性化合物を配向させることにより、単位硬化層の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくすることができる。前記残留分粘度の下限は、所望の厚みの液晶硬化層を得る観点から、好ましくは５ｃＰ以上、より好ましくは１０ｃＰ以上である。

逆分散液晶性化合物を配向させる工程（ii）の液晶組成物の層と同一温度条件における試験組成物の残留分粘度は、下記の方法によって測定できる。
液晶組成物から重合開始剤を除いた試験組成物を用意する。この試験組成物をロータリーエバポレーターで減圧濃縮して溶媒を除去し、残留成分を得る。この残留成分について、予め、測定温度を変化させながら粘度を測定し、測定温度とその測定温度での粘度との情報を得る。この情報を、以下、適宜「温度−粘度情報」という。この「温度−粘度情報」から、逆分散液晶性化合物を配向させる工程（ii）での液晶組成物の層の温度における粘度を、残留分粘度として読み取る。

逆分散液晶性化合物を配向させる工程（ii）の液晶組成物の層と同一温度条件において試験組成物の残留分粘度を上述した範囲に収める方法としては、例えば、下記（Ａ）及び（Ｂ）の方法が挙げられる。
（Ａ）逆分散液晶性化合物を配向させる工程（ii）における液晶組成物の層の温度を、適切に調整する。この方法では、通常、液晶組成物の層の温度を十分に高温にすることで、この温度と同一温度条件での試験組成物の残留分粘度を低くして、上述した範囲となるように調整する。
（Ｂ）液晶組成物の組成を、適切に調整する。この方法では、通常、液晶組成物に含まれる成分として、逆分散液晶性化合物に適切な種類及び量の添加剤を組み合わせることで、当該添加剤を含む試験組成物の残留分粘度を低くして、上述した範囲となるように調整する。

工程（ii）における液晶組成物の層の温度条件の調整については、国際公開第２０１８／１７３７７３号及び特願２０１７−０６０１５９号の明細書の記載を参照してよい。

また、例えば、磁場応答性を有する液晶性化合物を含む液晶組成物を用いる場合には、液晶組成物の層に含まれる逆分散液晶性化合物を配向させる工程（ii）を、液晶組成物の層に磁界を印加した状態で行うことが好ましい。これにより、単位硬化層の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくすることが可能である。

液晶組成物の層に印加される磁界の向きは、通常は、液晶組成物の層の厚み方向に垂直ではない方向であり、好ましくは、液晶組成物の層の厚み方向に平行な方向である。このような向きの磁界を印加することにより、単位硬化層の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を効果的に大きくできる。

液晶組成物の層に印加される磁界の磁束密度は、好ましくは０．２テスラ以上、より好ましくは０．５テスラ以上、特に好ましくは０．８テスラ以上である。このような大きさの磁界を印加することにより、単位硬化層の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を効果的に大きくできる。磁界の磁束密度の上限に制限は無く、例えば２０．０テスラ以下としうる。磁界の印加については、特開２０１８−１６３２１８号公報及び特願２０１７−０５９３２７号の明細書の記載を参照してよい。

以下、例を示して、液晶硬化フィルムの製造方法について更に具体的に説明する。例えば、第一硬化層と、この第一硬化層に直接に接した第二硬化層とを含む液晶硬化層（図２の液晶硬化層１００を参照）は、
支持面に、逆分散液晶性化合物を含む第一液晶組成物の層を形成する工程と、
第一液晶組成物の層に含まれる逆分散液晶性化合物を配向させる工程と、
第一液晶組成物の層を硬化させて、第一硬化層を形成する工程と、
第一硬化層上に、直接に、逆分散液晶性化合物を含む第二液晶組成物の層を形成する工程と、
第二液晶組成物の層に含まれる逆分散液晶性化合物を配向させる工程と、
第二液晶組成物の層を硬化させて、第二硬化層を形成する工程と、
を含む製造方法によって、製造できる。以下の説明において、第一硬化層を形成するために用いられる第一液晶組成物に含まれる逆分散液晶性化合物を、「第一の逆分散液晶性化合物」ということがある。また、第二硬化層を形成するために用いられる第二液晶組成物に含まれる逆分散液晶性化合物を、「第二の逆分散液晶性化合物」ということがある。

第一の逆分散液晶性化合物及び第二の逆分散液晶性化合物は、上述した逆分散液晶性化合物から、第一硬化層及び第二硬化層それぞれの形成に用いるものを任意に選択して用いることができ、これらは同じでもよく異なっていてもよい。また、第一液晶組成物及び第二液晶組成物は、上述した液晶組成物から、第一硬化層及び第二硬化層それぞれの形成に用いるものを任意に選択して用いることができ、これらは同じでもよく異なっていてもよい。

支持面としては、第一液晶組成物の層を支持できる任意の面を用いうる。この支持面としては、液晶硬化層の面状態を良好にする観点から、通常、凹部及び凸部の無い平坦面を用いる。液晶硬化層の生産性を高める観点から、前記の支持面としては、長尺の基材の表面を用いることが好ましい。ここで「長尺」とは、幅に対して、５倍以上の長さを有する形状をいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有するフィルムの形状をいう。

基材としては、通常、樹脂フィルムやガラス板を用いる。特に、高い温度で配向処理を行う場合、その温度に耐えうる基材を選択するのが好ましい。樹脂としては、通常、熱可塑性樹脂を用いる。中でも、配向規制力の高さ、機械的強度の高さ、及びコストの低さといった観点から、樹脂としては、正の固有複屈折値を有する樹脂が好ましい。更には、透明性、低吸湿性、寸法安定性及び軽量性に優れることから、ノルボルネン系樹脂等の、脂環式構造含有重合体を含む樹脂を用いることが好ましい。基材に含まれる樹脂の好適な例を商品名で挙げると、ノルボルネン系樹脂として、日本ゼオン社製「ゼオノア」を挙げうる。

支持面としての基材の表面には、第一液晶組成物の層における第一の逆分散液晶性化合物の配向を促進するため、配向規制力を付与するための処理が施されていることが好ましい。配向規制力とは、液晶組成物に含まれる逆分散液晶性化合物等の液晶性化合物を配向させることができる、支持面の性質をいう。支持面に配向規制力を付与するため処理としては、例えば、光配向処理、ラビング処理、イオンビーム配向処理、延伸処理などが挙げられる。

第一液晶組成物の層を形成する工程において、第一液晶組成物は、通常、流体状で用意される。そのため、通常は、支持面に第一液晶組成物を塗工して、第一液晶組成物の層を形成する。第一液晶組成物を塗工する方法としては、例えば、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、ギャップコーティング法、及びディッピング法が挙げられる。

第一液晶組成物の層を形成した後で、第一液晶組成物の層に含まれる第一の逆分散液晶性化合物を配向させる工程を行う。配向を行う際には、通常、第一液晶組成物の層を、所定の温度条件に所定の時間だけ保持する。これにより、第一液晶組成物の層において、第一の逆分散液晶性化合物等の液晶性化合物が配向する。

通常、面内方向においては、第一の逆分散液晶性化合物は、支持面の配向規制力に応じた方向に配向する。また、第一液晶組成物が傾斜作用成分を含んでいれば、厚み方向において、第一の逆分散液晶性化合物は、少なくとも一部が層平面に対して（即ち面内方向に対して）大きく傾斜するように配向するので、第一液晶組成物の層に含まれる第一の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくすることができる。

また、配向時の第一液晶組成物の層の温度条件は、前記のように、第一液晶組成物に対応する試験組成物の残留分粘度を前記範囲に収めることができる温度条件と同一に設定することが好ましい。このような条件での配向によっても、第一液晶組成物の層に含まれる第一の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくすることができる。

さらに、第一液晶組成物が磁場応答性を有する液晶性化合物を含む場合には、配向は、前記のように、第一液晶組成物の層に磁界を印加した状態で行うことが好ましい。このような条件での配向によっても、第一液晶組成物の層に含まれる第一の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくすることができる。

配向時の具体的な温度は、第一の逆分散液晶性化合物の液晶化温度以上の範囲で適切に設定され、中でも、基材に含まれる樹脂のガラス転移温度未満の温度であることが好ましい。これにより、配向処理による基材の歪みの発生を抑制できる。

第一の逆分散液晶性化合物を配向させる工程は、通常、オーブン内において行われる。この際、オーブンの設定温度と、そのオーブン内に置かれた第一液晶組成物の層の温度とは、異なる場合がありえる。この場合、予め、多数のオーブン設定温度において、その設定温度のオーブン内に置かれた第一液晶組成物の層の温度を測定し、記録しておくことが好ましい。この記録されたオーブンの設定温度とその設定温度のオーブン内に置かれた第一液晶組成物の層の温度との情報を、以下、適宜「設定温度−層温度情報」という。この「設定温度−層温度情報」を用いれば、オーブン設定温度から、オーブン内に置かれた第一液晶組成物の層の温度を容易に知ることができる。

第一の逆分散液晶性化合物を配向させる工程において、第一液晶組成物の層の温度を前記の温度に保持する時間は、所望の液晶硬化層が得られる範囲で任意に設定でき、例えば３０秒間〜５分間でありうる。

第一の逆分散液晶性化合物を配向させた後で、第一液晶組成物の層を硬化させて、第一硬化層を形成する工程を行う。この工程では、通常、第一の逆分散液晶性化合物等の液晶性化合物の一部又は全部を重合させて、第一液晶組成物の層を硬化させる。重合の際、液晶性化合物は、通常、その分子の配向を維持したままで重合する。よって、前記の重合により、重合前の第一液晶組成物に含まれる液晶性化合物の配向状態は固定される。

重合方法としては、第一液晶組成物に含まれる成分の性質に適合した方法を選択しうる。重合方法としては、例えば、活性エネルギー線を照射する方法、及び、熱重合法が挙げられる。中でも、加熱が不要であり、室温で重合反応を進行させられるので、活性エネルギー線を照射する方法が好ましい。ここで、照射される活性エネルギー線には、可視光線、紫外線、及び赤外線等の光、並びに電子線等の任意のエネルギー線が含まれうる。

なかでも、操作が簡便なことから、紫外線等の光を照射する方法が好ましい。紫外線照射時の温度は、基材のガラス転移温度以下とすることが好ましく、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１００℃以下、特に好ましくは８０℃以下である。紫外線照射時の温度の下限は、１５℃以上としうる。紫外線の照射強度は、好ましくは０．１ｍＷ／ｃｍ^２以上、より好ましくは０．５ｍＷ／ｃｍ^２以上であり、好ましくは１００００ｍＷ／ｃｍ^２以下、より好ましくは５０００ｍＷ／ｃｍ^２以下、さらに好ましくは１０００ｍＷ／ｃｍ^２以下、特に好ましくは６００ｍＷ／ｃｍ^２以下である。紫外線の照射量は、好ましくは０．１ｍＪ／ｃｍ^２以上、より好ましくは０．５ｍＪ／ｃｍ^２以上であり、好ましくは１００００ｍＪ／ｃｍ^２以下、より好ましくは５０００ｍＪ／ｃｍ^２以下である。

ある所定の厚み範囲においては、第一硬化層が薄いほど、第一硬化層に含まれる第一の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくできる。よって、第一硬化層が薄いほど、第二硬化層に含まれる第二の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくし易い傾向にある。そこで、液晶硬化層における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を更に大きくする観点では、第一硬化層の厚みは、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．２μｍ以上、特に好ましくは０．３μｍ以上であり、好ましくは５．０μｍ以下、より好ましくは４．０μｍ以下、特に好ましくは３．０μｍ以下である。

第一硬化層を形成した後、第二液晶組成物の層を形成する前に、必要に応じて、第一硬化層の表面に、配向規制力を付与するための処理を施してもよい。このような処理としては、例えば、ラビング処理が挙げられる。ただし、第一硬化層の表面は、特段の処理を施さなくても配向規制力を有しているので、前記の処理は行わなくてもよい。

第一硬化層を形成した後で、その第一硬化層上に、直接に、第二液晶組成物の層を形成する工程を行う。第二液晶組成物の層の形成は、第一液晶組成物の層の形成と同じようにして行うことができる。第一硬化層が液晶組成物の硬化物で形成されているので、その第一硬化層は第二液晶組成物に対して高い親和性を有する。よって、通常は、第一硬化層に対する第二液晶組成物の塗工性が良好であるので、面状態の良好な第二液晶組成物の層が形成される。

第二液晶組成物の層を形成した後で、第二液晶組成物の層に含まれる第二の逆分散液晶性化合物を配向させる工程を行う。第二の逆分散液晶性化合物の配向は、第一液晶組成物の層に含まれる第一の逆分散液晶性化合物の配向と同じようにして行うことができる。これにより、第二液晶組成物の層において、第二の逆分散液晶性化合物等の液晶性化合物が配向する。

通常、面内方向においては、第二の逆分散液晶性化合物は、第一硬化層の表面の配向規制力に応じた方向に配向する。他方、厚み方向においては、第二の逆分散液晶性化合物は、少なくとも一部が層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜するように配向する。この際、第二液晶組成物の層に含まれる第二の逆分散液晶性化合物の分子は、第一硬化層の作用によって、層平面に対して（即ち面内方向に対して）大きく傾斜する。よって、通常は、第一硬化層における第一の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも、その第一硬化層上に形成された第二液晶組成物の層における第二の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を、大きくできる。

前記のように、第一硬化層は、第二液晶組成物に対して高い親和性を有する。よって、第二液晶組成物は第一硬化層になじみ、分子の配向が乱され難い。よって、第二液晶組成物では面内方向において配向状態を均一にできる。したがって、前記の配向では、通常、配向欠陥の発生が抑制される。

第二の逆分散液晶性化合物を配向させた後で、第二液晶組成物の層を硬化させて、第二硬化層を形成する工程を行う。第二液晶組成物の層の硬化は、第一液晶組成物の層の硬化と同じようにして行うことができる。これにより、第一硬化層及び前記第二硬化層を含む層として液晶硬化層を形成して、液晶硬化フィルムを得ることができる。

こうして得られた液晶硬化フィルムでは、第一硬化層及び第二硬化層を合わせた液晶硬化層全体における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくすることができる。したがって、前記の製造方法によって、液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が大きい液晶硬化層を含む液晶硬化フィルムを製造することが可能である。

また、得られた液晶硬化フィルムにおいて、第二硬化層における第二の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、第一硬化層における第一の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも大きい。したがって、第一硬化層における第一の逆分散液晶化合物の分子の実質最大傾斜角よりも、第一硬化層及び第二硬化層を合わせた液晶硬化層全体における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を、大きくできる。

前記の製造方法においては、上述したように、第一硬化層における第一の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも、第二硬化層における第二の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくでき、その結果、第一硬化層及び第二硬化層を合わせた液晶硬化層全体における逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくしている。本発明者らは、このような現象は、下記に説明する仕組みによって生じていると推察する。ただし、本発明の技術的範囲は、下記に説明する仕組みによって制限されない。

第一硬化層上に第二液晶組成物の層を形成すると、第二液晶組成物の層に含まれる第二の逆分散液晶性化合物の配向は、第一硬化層における第一の逆分散液晶性化合物の配向に影響される。よって、第一硬化層において第一の逆分散液晶性化合物の分子が層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜していると、このように傾斜した第一の逆分散液晶性化合物の分子は、第二液晶組成物の層に含まれる第二の逆分散液晶性化合物の分子の層平面に対する（即ち面内方向に対する）傾斜を大きくするように働く。そのため、第二硬化層において、第二の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくできる。
また、第一硬化層の表面は、第一液晶組成物の層の空気界面に相当するので、特定の化学種が集中しやすい。また、これらの化学種の中には、逆分散液晶性化合物に対して親和性が小さいものがある。そうすると、第一硬化層上に第二液晶組成物の層を形成した場合、第二の逆分散液晶性化合物の分子は、前記の化学種にはなじまず、なるべく離れようとする。そのため、第二の逆分散液晶性化合物の分子は、第一硬化層の表面に弾かれるようにして大きく傾斜しようとするので、第二硬化層において、第二の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくできる。
そして、これらの作用により、第二硬化層における第二の逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくできるので、第一硬化層及び第二硬化層を合わせた液晶硬化層全体における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくできている。

前記の例では、単位硬化層として第一硬化層及び第二硬化層の２層のみを含む液晶硬化層を含む液晶硬化フィルムの製造方法を説明したが、３層以上の単位硬化層を含む液晶硬化層も、上述した例と同じ要領で製造できる。この場合、第二硬化層を形成した後で、第二硬化層の形成と同じ工程を更に繰り返すことにより、第二硬化層上に更に別の単位硬化層を形成して、３層以上の単位硬化層を含む液晶硬化層を得ることができる。

例えば、第一硬化層と、この第一硬化層に直接に接した第二硬化層と、この第二硬化層に直接に接した第三硬化層とを含む液晶硬化層（図３の液晶硬化層２００を参照）は、上述した製造方法によって支持面上に第一硬化層及び第二硬化層を形成した後で、
第二硬化層上に、直接に、逆分散液晶性化合物を含む第三液晶組成物の層を形成する工程と、
第三液晶組成物の層に含まれる逆分散液晶性化合物を配向させる工程と、
第三液晶組成物の層を硬化させて、第三硬化層を形成する工程と、
を含む製造方法によって、製造できる。以下の説明において、第三硬化層を形成するために用いられる第三液晶組成物に含まれる逆分散液晶性化合物を、「第三の逆分散液晶性化合物」ということがある。

ここで、第三の逆分散液晶性化合物は、上述した逆分散液晶性化合物から、第三硬化層の形成に用いるものを任意に選択して用いることができ、第一の逆分散液晶性化合物及び第二の逆分散液晶性化合物と同じでもよく異なっていてもよい。また、第三液晶組成物は、上述した液晶組成物から、第三硬化層の形成に用いるものを任意に選択して用いることができ、第一液晶組成物及び第二液晶組成物と同じでもよく異なっていてもよい。さらに、第三硬化層を形成するための前記の工程は、第二硬化層を形成するための工程と同じようにして実施でき、第二硬化層を形成するための工程と同じ利点を得ることができる。

上述した製造方法によれば、層平面に対する（即ち面内方向に対する）分子の実質最大傾斜角が大きい逆分散液晶性化合物を含む液晶硬化層を含む液晶硬化フィルムを、製造できる。特に、単位構造層の形成を繰り返すことで所望の液晶硬化層を得ることができるので、単位構造層以外の層の形成が不要であることから、製造工程の効率化が可能である。さらに、前記の製造方法では、液晶組成物を用いて単位構造層の形成を繰り返すので、単位構造層とその上に形成される液晶組成物との親和性が高い。よって、通常は、単位構造層に対する液晶組成物のなじみが良いので、液晶硬化層の全体として、配向欠陥の抑制及び面状態の改善が可能である。

また、上述した製造方法では、第一硬化層が配向膜として機能できるので、本発明の効果を有効に活用できる観点からすると、液晶硬化層とは別の配向膜を用意する必要が無い。このように液晶硬化層とは別の配向膜を用意しない場合には、配向膜の分だけ製造コストを削減することが可能である。

上述した液晶硬化フィルムの製造方法は、上述した工程に組み合わせて、更に任意の工程を含んでいてもよい。
例えば、液晶硬化フィルムの製造方法は、支持面から液晶硬化層を剥離する工程を含んでいてもよい。上述した製造方法では、通常、基材の支持面上に形成された液晶硬化層が得られる。この基材及び液晶硬化層を含む複層フィルムを、液晶硬化フィルムとして用いてもよいが、液晶硬化層を支持面から剥離して、液晶硬化層自体を、液晶硬化フィルムとして用いてもよい。

また、液晶硬化フィルムの製造方法は、例えば、液晶硬化層上に更に任意の層を形成する工程を含んでいてもよい。

さらに、液晶硬化フィルムの製造方法は、例えば、基材上に形成された液晶硬化層を、任意のフィルム層に転写する工程を含んでいてもよい。よって、例えば、液晶硬化フィルムの製造方法は、基材上に形成された液晶硬化層と任意のフィルム層とを貼り合わせた後で、必要に応じて基材を剥離して、液晶硬化層及び任意のフィルム層を含む液晶硬化フィルムを得る工程を含んでいてもよい。この際、貼り合わせには、適切な粘着剤又は接着剤を用いてもよい。この場合、液晶硬化層及び任意のフィルム層を含む液晶硬化フィルムを得ることができる。

前記のような製造方法によれば、長尺の基材を用いて、長尺の液晶硬化フィルムを得ることができる。このような長尺の液晶硬化フィルムは、連続的な製造が可能であり、生産性に優れる。また、他のフィルムとの貼り合わせを、ロールトゥロールによって行うことができるので、この点でも、生産性に優れる。通常、長尺の液晶硬化フィルムは、巻き取られてロールの状態で保存及び運搬がなされる。

［７．偏光板］
本発明の偏光板は、上述した液晶硬化層と直線偏光子とを含む。この偏光板は、円偏光板又は楕円偏光板として機能できることが好ましい。このような偏光板は、有機ＥＬ表示装置に設けることにより、有機ＥＬ表示装置の表示面の正面方向において外光の反射を抑制できる。このとき、液晶硬化層が逆分散液晶性化合物を含むので、広い波長範囲において外光の反射抑制が可能である。また、上述した液晶硬化層は、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が大きいことから分かるように、層全体として逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角が大きいので、その面内方向だけでなく厚み方向においても複屈折を適切に調整することができる。よって、この液晶硬化層を含む偏光板は、有機ＥＬ表示装置の表示面の正面方向だけでなく傾斜方向においても外光の反射を抑制できる。したがって、この偏光板を用いることにより、視野角の広い有機ＥＬ表示装置を実現することができる。

直線偏光子としては、例えば、ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させた後、ホウ酸浴中で一軸延伸することによって得られるフィルム；ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させ延伸しさらに分子鎖中のポリビニルアルコール単位の一部をポリビニレン単位に変性することによって得られるフィルム；が挙げられる。また、直線偏光子の他の例としては、グリッド偏光子、多層偏光子、などの、偏光を反射光と透過光に分離する機能を有する偏光子が挙げられる。これらのうち、直線偏光子としては、ポリビニルアルコールを含有する偏光子が好ましい。

直線偏光子に自然光を入射させると、一方の偏光だけが透過する。この直線偏光子の偏光度は特に限定されないが、好ましくは９８％以上、より好ましくは９９％以上である。
また、直線偏光子の厚みは、好ましくは５μｍ〜８０μｍである。

偏光板を円偏光板として機能させたい場合、直線偏光子の偏光吸収軸に対して液晶硬化層の遅相軸がなす角度は、４５°またはそれに近い角度であることが好ましい。前記の角度は、具体的には、好ましくは４５°±５°、より好ましくは４５°±４°、特に好ましくは４５°±３°である。

偏光板は、直線偏光子及び液晶硬化層に組み合わせて、更に任意の層を含んでいてもよい。任意の層としては、例えば、直線偏光子と液晶硬化層とを貼り合わせるための接着層；直線偏光子を保護するための偏光子保護フィルム層；などが挙げられる。

［８．有機ＥＬ表示装置］
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述した偏光板を含む。有機ＥＬ表示装置は、通常、表示素子として有機ＥＬ素子を含み、この有機ＥＬ素子の視認側に、偏光板が設けられる。また、偏光板は、有機ＥＬ素子側から、液晶硬化層及び直線偏光子をこの順に含む。そして、このような構成において、前記の偏光板が反射抑制フィルムとして機能できる。

以下、偏光板が円偏光板として機能する場合を例に挙げて、反射抑制の仕組みを説明する。装置外部から入射した光は、その一部の直線偏光のみが直線偏光子を通過し、次にそれが液晶硬化層を通過することにより、円偏光となる。円偏光は、表示装置内の光を反射する構成要素（有機ＥＬ素子の反射電極等）により反射され、再び液晶硬化層を通過することにより、入射した直線偏光の振動方向と直交する振動方向を有する直線偏光となり、直線偏光子を通過しなくなる。ここで、直線偏光の振動方向とは、直線偏光の電場の振動方向を意味する。これにより、反射抑制の機能が達成される。このような反射抑制の原理は、特開平９−１２７８８５号公報を参照してよい。

有機ＥＬ素子は、通常、透明電極層、発光層及び電極層をこの順に備え、透明電極層及び電極層から電圧を印加されることにより発光層が光を生じうる。有機発光層を構成する材料の例としては、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリフルオレン系、およびポリビニルカルバゾール系の材料を挙げることができる。また、発光層は、複数の発光色が異なる層の積層体、あるいはある色素の層に異なる色素がドーピングされた混合層を有していてもよい。さらに、有機ＥＬ素子は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、等電位面形成層、電荷発生層等の機能層を備えていてもよい。

以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り、重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温常圧大気中において行った。

さらに、以下に説明する実施例及び比較例で使用するワイヤーバーとしては、＃３〜＃７のワイヤーバーから適切なものを選択して用いた。

また、以下に説明する実施例及び比較例で製造された液晶硬化フィルムに含まれる支持基材は、光学等方性を有するので、レターデーションの測定結果には影響を与えない。そこで、以下に説明する実施例及び比較例における液晶硬化層のレターデーションの測定は、試料として液晶硬化フィルムを用いて実施した。

［評価方法］
〔厚みの測定方法〕
液晶硬化層に含まれる各層の厚みは、膜厚計（フィルメトリクス社製「Ｆ２０−ＥＸＲ」）を用いて測定した。
また、測定された各層の厚みの合計として、液晶硬化層の厚みを計算した。この液晶硬化層の厚みを、以下の基準で評価した。
「Ａ」：１０．０μｍ以下。
「Ｃ」：１０．０μｍ超過。

〔液晶硬化層及びそれに含まれる第一硬化層〜第三硬化層での液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角の測定方法〕
図４は、傾斜方向から液晶硬化層のレターデーションを測定する際の測定方向を説明するための斜視図である。図４において、矢印Ａ１は液晶硬化層３００の面内の遅相軸方向を表し、矢印Ａ２は液晶硬化層３００の面内の進相軸方向を表し、矢印Ａ３は液晶硬化層３００の厚み方向を表す。

位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて、図４に示すように、液晶硬化層３００のレターデーションを、入射角θが−５０°〜５０°の範囲で測定した。この際、測定方向Ａ４は、液晶硬化層３００の面内の進相軸方向Ａ２に対して垂直に設定した。また、測定波長は５９０ｎｍであった。

測定されたレターデーションから、前記の位相差計に付属の解析ソフトウェア（ＡｘｏＭｅｔｒｉｃｓ社製の解析ソフトウェア「Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒ Ａｎａｌｙｓｉｓ」；解析条件は、解析波長５９０ｎｍ、層分割数２０層）により、液晶硬化層３００における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を解析した。

このように求めた液晶硬化層３００における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角の値を、下記の基準で判定した。
Ａ：実質最大傾斜角が４０°以上８５°以下。
Ｂ：実質最大傾斜角が３０°以上４０°未満。
Ｃ：実質最大傾斜角が３０°未満。

また、第一硬化層における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、下記の方法によって測定した。
この第一硬化層を液晶硬化層の代わりに用いること以外は、前記の液晶硬化層における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角の測定方法と同じ方法により、第一硬化層における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を測定した。この測定は、液晶硬化層の製造途中に、第一硬化層を得た後、その第一硬化層の表面にラビング処理を施して更に液晶組成物を塗工する前の時点で、行った。

さらに、第二硬化層における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、下記の方法によって測定した。
液晶硬化層全体の液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角と、第一硬化層における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角とを測定した。そして、測定したこれらの実質最大傾斜角と、第一硬化層及び第二硬化層の厚みとを用いて、第二硬化層における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を計算した。

また、第三硬化層における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角は、下記の方法によって測定した。
液晶硬化層全体の液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角と、第一硬化層における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角と、第二硬化層における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角とを測定した。そして、測定したこれらの実質最大傾斜角と、第一硬化層、第二硬化層及び第三硬化層の厚みとを用いて、第三硬化層における液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を計算した。

〔液晶硬化層の面状態の評価方法〕
ライトテーブル上に一対の直線偏光子（偏光子及び検光子）を、パラニコルとなるように重ねた。ここでパラニコルとは、直線偏光子の偏光透過軸が平行となる態様を表す。
実施例又は比較例で製造した液晶硬化フィルムを、１６ｃｍ角サイズに裁断し、測定用のフィルム片を得た。このフィルム片を、前記のようにライトテーブル上に設置した直線偏光子の間に置いた。この際、フィルム片の遅相軸は、厚み方向から見て直線偏光子の吸収軸に対して略４５°の角度をなすように設定した。その後、目視にて観察した。観察された像での均一性（位相差の均一性）に応じて、下記の基準によって液晶硬化層の面状態を評価した。
Ａ：観察された像に、ムラがない。
Ｃ：観察された像に、ムラが見られる。

ところで、別途、前記のライトテーブル上に設置された一対の直線偏光子の間に、液晶硬化フィルムの製造に用いた支持基材を置き、目視で観察した。その結果、液晶硬化層を備えない支持基材のみを前記フィルム片の代わりに用いて観察した場合には、全面がほぼ均一でムラが認められなかった。この結果から、前記の評価で観察されるムラは、液晶硬化層の面状態に起因して生じていることを確認した。

〔液晶硬化層の配向欠陥の評価方法〕
実施例又は比較例で製造した液晶硬化フィルムを、偏光顕微鏡を用いて、クロスニコル下において、透過観察した。この観察の際、対物レンズは２０倍に設定した。観察の結果から、下記の基準によって液晶硬化層の配向欠陥を評価した。
Ａ：全面がほぼ均一で、配向欠陥が認められない。
Ｃ：配向欠陥がはっきりと認められる。

〔液晶硬化層の逆波長分散性の評価方法〕
位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて、液晶硬化層の面内レターデーション（即ち、液晶硬化層の入射角０°でのレターデーション）を、測定波長４５０ｎｍ及び５５０ｎｍで測定した。測定された測定波長４５０ｎｍ及び５５０ｎｍでの面内レターデーションＲｅ（４５０）及びＲｅ（５５０）の値から、液晶硬化層の逆波長分散性を、以下の基準で評価した。
「Ａ」：Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜０．９
「Ｂ」：０．９≦Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．０
「Ｃ」：Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＞１．０

〔少なくとも一部の液晶性化合物の分子が傾斜していることの確認方法〕
位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて、図４に示すように、液晶硬化層３００のレターデーションを、入射角θが−５０°〜５０°の範囲で測定した。この際、測定方向Ａ４は、液晶硬化層３００の面内の進相軸方向Ａ２に対して垂直に設定した。また、測定波長は５９０ｎｍであった。

測定された入射角θでの液晶硬化層のレターデーションＲ（θ）を、入射角０°での液晶硬化層のレターデーションＲ（０°）で割って、レターデーション比Ｒ（θ）／Ｒ（０°）を求めた。求めたレターデーション比Ｒ（θ）／Ｒ（０°）を縦軸、入射角θを横軸としたグラフを描いた。そして、得られたグラフがθ＝０°に対して非対称であるか否かに基づいて、下記の基準で、分子の傾斜配向を確認した。
「Ａ」：レターデーション比Ｒ（θ）／Ｒ（０°）がθ＝０°に対して非対称であるので、その液晶硬化層３００に含まれる液晶性化合物の少なくとも一部の分子が液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）傾斜配向している。
「Ｃ」：レターデーション比Ｒ（θ）／Ｒ（０°）がθ＝０°に対して対称であるので、その液晶硬化層３００に含まれる液晶性化合物の全ての分子が液晶硬化層の層平面に対して（即ち面内方向に対して）平行又は垂直である。

〔視野角特性の評価方法〕
位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて、図４に示すように、液晶硬化層３００のレターデーションを、入射角θが−５０°〜５０°の範囲で測定した。この際、測定方向Ａ４は、液晶硬化層３００の面内の進相軸方向Ａ２に対して垂直に設定した。また、測定波長は５９０ｎｍであった。

入射角θが−５０°でのレターデーションＲ（−５０°）及び入射角θが＋５０°でのレターデーションＲ（＋５０°）の平均値Ｒ（±５０°）を計算した。そして、この平均値Ｒ（±５０°）を、入射角θが０°の面内レターデーションＲ（０°）で割って、平均レターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）を求めた。この平均レターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）が１．００に近いほど、より優れた視野角特性を有機ＥＬ表示装置において実現できることを表す。そこで、前記の平均レターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）の値に基づいて、下記の基準で視野角特性を評価した。
「Ａ」：０．９３≦Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）≦１．１０
「Ｂ」：０．９０≦Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）＜０．９３
「Ｃ」：Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）＜０．９０

〔総合評価方法〕
各実施例及び比較例の総合評価は、液晶硬化層に含まれる液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角、並びに、液晶硬化層の厚み、逆波長分散性及び視野角特性の評価結果を総合して、以下の基準で判定した。
「Ａ」：液晶硬化層に含まれる液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角、並びに、液晶硬化層の厚み、逆波長分散性及び視野角特性の評価結果がいずれもＡのみ。
「Ｂ」：液晶硬化層に含まれる液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角、並びに、液晶硬化層の厚み、逆波長分散性及び視野角特性の評価結果にＣがなく、Ｂが一個以上。
「Ｃ」：液晶硬化層に含まれる液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角、並びに、液晶硬化層の厚み、逆波長分散性及び視野角特性の評価結果にＣが１個以上。

［製造例１：逆分散液晶性化合物１を含む液晶組成物１の製造］
下記式で表される重合性を有する逆分散液晶性化合物１を１００重量部、フッ素系界面活性剤（ＡＧＣセイミケミカル社製「Ｓ４２０」）０．１５重量部、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩｒｇａｃｕｒｅＯＸＥ０４」）４．３重量部、並びに、溶媒としてシクロペンタノン１４８．５重量部及び１，３−ジオキソラン２２２．８重量部を混合して、液晶組成物１を製造した。

［製造例２：逆分散液晶性化合物２を含む液晶組成物２の製造］
逆分散液晶性化合物１の代わりに、下記式で表される重合性を有する逆分散液晶性化合物２を用いた。以上の事項以外は、製造例１と同じ操作を行って、液晶組成物２を製造した。

［製造例３：順分散液晶性化合物３を含む液晶組成物３の製造］
逆分散液晶性化合物１の代わりに、下記式で表される重合性を有する順分散液晶性化合物３を用いた。以上の事項以外は、製造例１と同じ操作を行って、液晶組成物３を製造した。

［実施例１］
（支持基材の用意）
支持基材として、片面にマスキングフィルムが貼り合わせられた熱可塑性のノルボルネン樹脂からなる樹脂フィルム（日本ゼオン社製「ゼオノアフィルム ＺＦ１６」；厚み１００μｍ）を用意した。この支持基材からマスキングフィルムを剥離し、マスキング剥離面にコロナ処理を施した。次いで、支持基材のコロナ処理面にラビング処理を施した。

（第一硬化層の形成）
支持基材のラビング処理面に、ワイヤーバーを用いて、製造例１で製造した液晶組成物１を塗工して、液晶組成物の層を形成した。
次いで、この液晶組成物の層を、１４５℃に設定したオーブン内で４分間加熱して、層内の液晶性化合物を配向させた。前記の加熱条件は、使用した液晶組成物に対応する試験組成物の残留分粘度が１７０ｃＰとなる温度条件であった。
その後、液晶組成物の層に窒素雰囲気下で５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、液晶組成物の層を硬化させて、厚み１．０μｍの第一硬化層を得た。

（第二硬化層の形成）
第一硬化層の表面に、ラビング処理を施した。そして、第一硬化層のラビング処理面に、ワイヤーバーを使用して、第一硬化層の形成時に用いた残りの液晶組成物（即ち、液晶組成物１）を塗工して、液晶組成物の層を形成した。
次いで、この液晶組成物の層を、１４５℃に設定したオーブン内で４分間加熱して、層内の液晶性化合物を配向させた。
その後、液晶組成物の層に窒素雰囲気下で５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、液晶組成物の層を硬化させて、厚み１．０μｍの第二硬化層を得た。

これにより、支持基材と、この支持基材上に形成された第一硬化層及び第二硬化層を含む液晶硬化層とを含む液晶硬化フィルムを得た。得られた液晶硬化フィルムを用いて、上述した方法で、液晶硬化層の評価を行った。

［実施例２〜４］
液晶組成物の塗工に用いるワイヤーバーを変更することにより、第一硬化層及び第二硬化層の厚みを下記表１に示すように変更した。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、液晶硬化フィルムの製造及び液晶硬化層の評価を行った。

［実施例５］
実施例１と同じ操作を行って、支持基材上に、第一硬化層及び第二硬化層を形成した。

その後、第二硬化層の表面に、ラビング処理を施した。そして、第二硬化層のラビング処理面に、ワイヤーバーを使用して、第一硬化層及び第二硬化層の形成時に用いた残りの液晶組成物（即ち、液晶組成物１）を塗工して、液晶組成物の層を形成した。
次いで、この液晶組成物の層を、１４５℃に設定したオーブン内で４分間加熱して、層内の液晶性化合物を配向させた。
その後、液晶組成物の層に窒素雰囲気下で５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、液晶組成物の層を硬化させて、厚み１．０μｍの第三硬化層を得た。

これにより、支持基材と、この支持基材上に形成された第一硬化層、第二硬化層及び第三硬化層をこの順に含む液晶硬化層とを含む液晶硬化フィルムを得た。得られた液晶硬化フィルムを用いて、上述した方法で、液晶硬化層の評価を行った。

［実施例６］
液晶組成物の塗工に用いるワイヤーバーを変更することにより、第一硬化層及び第二硬化層の厚みを下記表２に示すように変更した。また、第一硬化層及び第二硬化層を形成するための液晶組成物として、液晶組成物１の代わりに製造例２で製造した液晶組成物２を用いた。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、液晶硬化フィルムの製造及び液晶硬化層の評価を行った。なお、この実施例６において、液晶性化合物を配向させるために液晶組成物の層をオーブン内で加熱する際の加熱条件（即ち、設定温度１４５℃との加熱条件）は、使用した液晶組成物２に対応する試験組成物の残留分粘度が２５５ｃＰとなる温度条件であった。

［実施例７］
液晶組成物の塗工に用いるワイヤーバーを変更することにより、第一硬化層及び第二硬化層の厚みを下記表２に示すように変更した。また、第二硬化層を形成するための液晶組成物として、液晶組成物１の代わりに製造例２で製造した液晶組成物２を用いた。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、液晶硬化フィルムの製造及び液晶硬化層の評価を行った。

［比較例１］
第二硬化層の形成を行わなかったこと以外は、実施例１と同じ操作を行って、支持基材と、この支持基材上に形成された第一硬化層のみを含む液晶硬化層とを含む液晶硬化フィルムを得た。得られた液晶硬化フィルムを用いて、上述した方法で、液晶硬化層の評価を行った。

［比較例２〜４］
液晶組成物の塗工に用いるワイヤーバーを変更することにより、第一硬化層の厚みを下記表３に示すように変更した。以上の事項以外は、比較例１と同じ操作を行って、液晶硬化フィルムの製造及び液晶硬化層の評価を行った。

［比較例５］
（ポジティブＡプレートの作製）
逆分散液晶性化合物１を１００重量部、フッ素系界面活性剤（ＤＩＣ社製「Ｆ５６２」）０．３０重量部、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩｒｇａｃｕｒｅＯＸＥ０４」）４．３重量部、並びに、溶媒としてシクロペンタノン１４８．５重量部及び１，３−ジオキソラン２２２．８重量部を混合して、液晶組成物４を製造した。この液晶組成物４を、実施例１で用意した支持基材のラビング処理面に、ワイヤーバーを用いて塗工して、液晶組成物の層を形成した。次いで、この液晶組成物の層を、１１０℃に設定したオーブン内で４分間加熱して、層内の逆分散液晶性化合物を配向させた。その後、液晶組成物の層に窒素雰囲気下で５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、液晶組成物の層を硬化させることにより、支持基材と、この支持基材上に設けられた逆分散液晶性化合物１を含む液晶組成物の硬化物からなる層Ａとを備えた複層フィルムＡを得た。第一硬化層に相当する層としてこの層Ａに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を測定したところ、０°であった。

（ポジティブＣプレートの作製）
ポリ（９−ビニルカルバゾール）（アルドリッチケミカル製、重量平均分子量約１１０万）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に溶解させ、濃度１２重量％のポリマー溶液を調製した。また、このポリマー溶液には、界面活性剤（大日本インキ社製「メガファックＦ−１４４Ｄ」）を、ポリ（９−ビニルカルバゾール）１００重量部に対して０．１重量部添加した。このポリマー溶液を、実施例１で用意した支持基材上にスピンコート法で塗工した。塗工されたポリマー溶液の層を、６０℃に設定したオーブン内で６０分間、次いで１００℃に設定したオーブンで１５分間乾燥することにより、支持基材と、この支持基材上に設けられたポリ（９−ビニルカルバゾール）からなる層Ｂとを備えた複層フィルムＢを得た。層Ｂに液晶性化合物が含まれていると仮定して、第二硬化層に相当する層としてこの層Ｂの実質最大傾斜角を測定したところ、９０°であった。

（ポジティブＡプレートとポジティブＣプレートの積層）
複層フィルムＡの層Ａと、複層フィルムＢの層Ｂとを、接着剤（日東電工社製「ＣＳ９６２１Ｔ」）を介して貼り合わせて、複層フィルムＣを得た。この複層フィルムＣに含まれる、層Ａ、接着剤層及び層Ｂからなる層部分を、液晶硬化層に相当する層として、上述した方法で評価した。なお、比較例５においては、前記の層部分に含まれる液晶性化合物に相当する成分が傾斜していないことから、液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角の測定は行わなかった。

［比較例６］
液晶組成物の塗工に用いるワイヤーバーを変更することにより、第一硬化層及び第二硬化層の厚みを下記表４に示すように変更した。また、第一硬化層を形成するための液晶組成物として、液晶組成物１の代わりに製造例３で製造した液晶組成物３を用いた。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、液晶硬化フィルムの製造及び液晶硬化層の評価を行った。

［比較例７］
ポリビニルアルコール溶液（濃度５重量％；クラレ社製「ＰＶＡ−２０４Ｃ」）を用意した。この溶液の溶媒は、水及びイソプロピルアルコールを１：１（重量比）で含む混合溶媒であった。

支持基材として、片面にマスキングフィルムが貼り合わせられた熱可塑性のノルボルネン樹脂からなる樹脂フィルム（日本ゼオン社製「ゼオノアフィルム ＺＦ１６」；厚み１００μｍ）を用意した。この支持基材からマスキングフィルムを剥離した。マスキング剥離面に、前記のポリビニルアルコール溶液を、スピンコート法で塗工した。塗工された溶液の層を、５０℃に設定したホットプレートで３０分、次いで１２０℃に設定したオーブンで１０分乾燥することにより、厚み１．０μｍの配向膜を得た。

前記の配向膜の表面に、ラビング処理を施した。そして、配向膜のラビング処理面に、ワイヤーバーを使用して、製造例１で製造した液晶組成物１を塗工して、液晶組成物の層を形成した。
次いで、この液晶組成物の層を、１４５℃に設定したオーブン内で４分間加熱して、層内の液晶性化合物を配向させた。
その後、液晶組成物の層に窒素雰囲気下で５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、液晶組成物の層を硬化させて、厚み３．４．μｍの液晶硬化層を得た。この液晶硬化層を、上述した方法で評価した。

［結果］
上述した実施例及び比較例の結果を、下記の表１〜４に示す。下記の表において、略称の意味は、下記の通りである。
逆分散１：逆分散液晶性化合物１を含む液晶組成物。
逆分散２：逆分散液晶性化合物２を含む液晶組成物。
順分散３：順分散液晶性化合物３を含む液晶組成物。
ポジＡ：ポジティブＡプレート。
ポジＣ：ポジティブＣプレート。
ＰＶＡ：ポリビニルアルコール。

［検討］
表１及び表２から分かるように、実施例においては、実質最大傾斜角の大きい液晶硬化層が得られている。よって、本発明により、液晶硬化層の全体として液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくすることができたことが確認された。その結果、視野角特性にも優れていた。また、実施例で得られた液晶硬化層は、いずれも、逆波長分散性を有しており、配向欠陥の発生が抑制されており、更に、面状態が良好であった。

表３に示す比較例１〜４では、液晶硬化層が１層のみを有するので、実質最大傾斜角を大きくできていない。
また、表４に示す比較例６では、第一硬化層用の液晶性化合物として順分散液晶性化合物を用いた。この比較例６では、第一硬化層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも、第二硬化層に含まれる逆分散液晶化合物の分子の実質最大傾斜角が小さい。さらに、比較例６では、液晶硬化層の面状態が不良であり、配向欠陥が生じている。よって、比較例６では、第一硬化層による配向規制力が第二硬化層に十分に及んでいないので、液晶硬化層全体としての実質最大傾斜角を大きくできなかったことが分かる。
これらの結果から、実質最大傾斜角の大きい液晶硬化層を得るという前記の効果が、逆分散液晶性化合物を含む第一硬化層と、逆分散液晶性化合物を含む第二硬化層との組み合わせによって実現されていることが分かる。

さらに、比較例７では、形成された液晶硬化層には配向欠陥が発生していた。また、配向膜上への液晶組成物１の塗工の際、ハジキ及びムラの発生があり、液晶硬化層の面状態は不良であった。これは、配向膜と液晶組成物１との間で材料が大きく異なるので、配向膜に対する液晶組成物１の親和性が低いことが原因と考えられる。

なお、比較例５でも、Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）の値を１．００に近づけることができている。しかし、比較例５のフィルムは、その厚みが実施例に比べて大幅に大きい。よって、近年の薄型化の要求を考慮すると、実用的な価値としては、実施例で得た液晶硬化フィルムの方が優れている。

１００ 液晶硬化層
１１０ 第一硬化層
１２０ 第二硬化層
２００ 液晶硬化層
２３０ 第三硬化層
２４０ 液晶硬化層において、第三硬化層よりも前に形成された層部分
３００ 液晶硬化層

Claims (10)

1. 逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成され、配向状態を固定されていてもよい前記液晶性化合物の分子を含む液晶硬化層を含む液晶硬化フィルムであって、
   前記液晶硬化層に含まれる前記液晶性化合物の少なくとも一部の分子が、前記液晶硬化層の層平面に対して傾斜しており、
   前記液晶硬化層が、第一硬化層と、前記第一硬化層に直接に接した第二硬化層とを含み、
   前記第二硬化層に含まれる前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が、前記第一硬化層に含まれる前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも大きい、液晶硬化フィルム。
2. 前記第一硬化層が、前記第二硬化層に含まれる前記液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくする配向膜として機能できる、請求項１に記載の液晶硬化フィルム。
3. 前記液晶硬化層における前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が、４０°以上８５°以下である、請求項１又は２に記載の液晶硬化フィルム。
4. 前記液晶硬化層が、前記第一硬化層、前記第二硬化層、及び、前記第二硬化層に直接に接した第三硬化層を、この順に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルム。
5. 前記液晶硬化層の厚みが１０μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルム。
6. 前記液晶硬化層が、１／４波長板として機能できる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルム。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルムの製造方法であって、
   支持面に、前記液晶性化合物を含む第一液晶組成物の層を形成する工程と、
   前記第一液晶組成物の層に含まれる前記液晶性化合物を配向させる工程と、
   前記第一液晶組成物の層を硬化させて、第一硬化層を形成する工程と、
   前記第一硬化層上に、直接に、前記第一液晶組成物に含まれる前記液晶性化合物と同一または異なる液晶性化合物を含む第二液晶組成物の層を形成する工程と、
   前記第二液晶組成物の層に含まれる前記液晶性化合物を配向させる工程と、
   前記第二液晶組成物の層を硬化させて、第二硬化層を形成する工程と、を含む、液晶硬化フィルムの製造方法。
8. 前記第二硬化層上に、直接に、前記第一液晶組成物に含まれる前記液晶性化合物及び前記第二液晶組成物に含まれる前記液晶性化合物と同一または異なる液晶性化合物を含む第三液晶組成物の層を形成する工程と、
   前記第三液晶組成物の層に含まれる前記液晶性化合物を配向させる工程と、
   前記第三液晶組成物の層を硬化させて、第三硬化層を形成する工程と、を含む、請求項７に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
9. 逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成され、配向状態を固定されていてもよい前記液晶性化合物の分子を含む液晶硬化層と、直線偏光子とを含み、
   前記液晶硬化層に含まれる前記液晶性化合物の少なくとも一部の分子が、前記液晶硬化層の層平面に対して傾斜しており、
   前記液晶硬化層が、第一硬化層と、前記第一硬化層に直接に接した第二硬化層とを含み、
   前記第二硬化層に含まれる前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が、前記第一硬化層に含まれる前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角よりも大きい、偏光板。
10. 請求項９記載の偏光板を含む、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

Images