JPWO2019003725A1 - パワーモジュール用基板およびパワーモジュール - Google Patents
パワーモジュール用基板およびパワーモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019003725A1 JPWO2019003725A1 JP2019526691A JP2019526691A JPWO2019003725A1 JP WO2019003725 A1 JPWO2019003725 A1 JP WO2019003725A1 JP 2019526691 A JP2019526691 A JP 2019526691A JP 2019526691 A JP2019526691 A JP 2019526691A JP WO2019003725 A1 JPWO2019003725 A1 JP WO2019003725A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal plate
- corner
- power module
- surface roughness
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 169
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 169
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 75
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 11
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 9
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 9
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum-germanium Chemical compound 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
- C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
- C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/963—Surface properties, e.g. surface roughness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/121—Metallic interlayers based on aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/125—Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/126—Metallic interlayers wherein the active component for bonding is not the largest fraction of the interlayer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/126—Metallic interlayers wherein the active component for bonding is not the largest fraction of the interlayer
- C04B2237/127—The active component for bonding being a refractory metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/126—Metallic interlayers wherein the active component for bonding is not the largest fraction of the interlayer
- C04B2237/128—The active component for bonding being silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/343—Alumina or aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/365—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/366—Aluminium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/368—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/402—Aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/407—Copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
- C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/86—Joining of two substrates at their largest surfaces, one surface being complete joined and covered, the other surface not, e.g. a small plate joined at it's largest surface on top of a larger plate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/88—Joining of two substrates, where a substantial part of the joining material is present outside of the joint, leading to an outside joining of the joint
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85439—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85455—Nickel (Ni) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/85464—Palladium (Pd) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Geometry (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
絶縁基板1と、該絶縁基板1にろう材3を介して接合された金属板2とを備えており、該金属板2の側面における厚み方向の表面粗さは、少なくとも平面視における前記金属板2の中心から最も離れた角部2aの表面粗さが、該角部を挟む平面部2bの表面粗さより大きいパワーモジュール用基板10である。また、このパワーモジュール用基板10に電子部品40を搭載したパワーモジュール100である。【選択図】 図12
Description
本開示は、金属板が絶縁基板に接合されたパワーモジュール用基板およびパワーモジュールに関するものである。
従来、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の電子部品が搭載されたパワーモジュールのような電子装置に用いられる回路基板として、例えば、セラミック焼結体等からなる絶縁基板に銅等の金属材料からなる金属板が接合されたパワーモジュール用基板が用いられている。
パワーモジュールを小型化するために、打ち抜き加工で金属板を作製して、絶縁基板に対して垂直な側面を有する金属板とすることで、金属板(の側面)同士の間隔を小さくすることが行なわれている(例えば、特許文献1を参照。)。
本開示の1つの態様のパワーモジュール用基板は、絶縁基板と、該絶縁基板にろう材を介して接合された金属板とを備えており、該金属板の側面における厚み方向の表面粗さは、少なくとも平面視における前記金属板の中心から最も離れた角部の表面粗さは、該角部を挟む平面部の表面粗さより大きい。
本開示の1つの態様のパワーモジュールは、上記構成のパワーモジュール用基板と、該パワーモジュール用基板の前記金属板上に搭載された電子部品とを備える。
本開示のパワーモジュール用基板によれば、上記構成であることから、熱応力が集中しやすい角部においては、ろう材の這い上がりが抑えられ、角部から絶縁基板上へのろう材の広がりが大きくなりやすいので、金属板と絶縁基板と間の接合信頼性に優れたパワーモジュール用基板となる。
本開示のパワーモジュールによれば、上記構成のパワーモジュール用基板を備えていることから、信頼性が向上したパワーモジュールとなる。
本開示の実施形態のパワーモジュール用基板およびパワーモジュールについて図面を参照して説明する。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際にパワーモジュール用基板およびパワーモジュール等が使用される際の上下を限定するものではない。
図1は本開示のパワーモジュール用基板の一例を示す上面図である。図2は図1のB−B線における断面図である。図3は図1の下面図である。図4は本開示のパワーモジュール用基板の他の例を示す上面図である。図5は図4のB−B線における断面図である。図6は図4の下面図である。また、図7および図8は、いずれも図1および図4のA部の拡大図の一例である。図9は図8の斜視図である。
パワーモジュール用基板10は、絶縁基板1と、絶縁基板1の主面(上下面)にろう材3を介して接合された金属板2とを備えている。金属板2の側面における厚み方向の表面粗さは、少なくとも平面視における前記金属板2の中心から最も離れた角部2aの表面粗さが、角部2aを挟む平面部2bの表面粗さより大きい。
従来のパワーモジュール用基板においては、金属板同士の間隔を小さくする場合には、金属板を接合するろう材同士の間隔も小さくしなければならず、そのために金属板の側面から絶縁基板の表面への広がりも小さくしていた。しかしながら、ろう材の広がりを小さくすると、金属板と絶縁基板との接合信頼性が低下してしまうおそれがあった。金属板と絶縁基板との間の熱膨脹差によって熱応力が発生し、この熱応力が集中しやすい金属板の角部近傍において、ろう材あるいは絶縁基板に亀裂が発生してしまうことによるものであった。
金属板2の側面は、金属板2の両主面(上下面)の間に位置し、両主面(上下面)に対して略垂直な面である。これにより、金属板2同士の間の間隔を小さくして、より小型のパワーモジュール用基板10とすることができる。金属板2は、ろう材3によって絶縁基板1に接合されており、金属板2と絶縁基板1との間にろう材3が介在している。ろう材3は金属板2の側面から絶縁基板1の表面にかけて広がっており、いわゆるメニスカス形状のフィレット部を形成している。このろう材3のフィレット部は平面視で金属板2の外縁からはみ出た部分である。金属板2同士の間隔を小さくするには、ろう材3のはみ出し量を小さくする必要がある。
パワーモジュール用基板においては、例えば、半導体素子を搭載してパワーモジュールとして動作させた際の、半導体素子に発生する熱によって、金属板と絶縁基板との間の熱膨張差による熱応力が発生する。例えば、金属板の平面視の形状は矩形状であることが多いが、熱応力は金属板の端、特に角部の直下および角部のろう材の外側の端部に集中しやすい。ろう材のはみ出し量が小さいと、金属板の角部とろう材の端とが近くなることで熱応力がさらに集中しやすくなる。そのため、従来のパワーモジュール用基板は、金属板と絶縁基板との接合信頼性が低下しやすくなるものであった。
本開示のパワーモジュール用基板10によれば、金属板2の側面における厚み方向の表面粗さは、金属板2の角部2aの表面粗さが、角部2aを挟む平面部2bの表面粗さより大きいことから、角部2aの方が平面部2bよりもろう材3の濡れ性が悪くなる。、金属板2の側面におけるろう材3の這い上がりは、平面部2bより角部2aの方が小さくなる。これにより、角部2aから絶縁基板1上へのろう材の広がりが大きいものとなる。例えば、表面粗さに違いのない、従来のパワーモジュール用基板における角部近傍における絶縁基板上へのろう材の広がりは、図7および図8に示す例において、二点鎖線で示すようなものとなる。従来に比較して、金属板2の角部と、その外側に位置するろう材3の端部との距離が大きくなっている。そのため、熱応力が分散され、金属板2と絶縁基板1との接合信頼性が向上する。
ここでいう角部2aは、凸の角部である。図1〜図3に示す例および図4〜図6に示す例においては、いずれも絶縁基板1の上面に1つの比較的大きい金属板2(21)とそれを挟むように配置された2つの小さい金属板2(22)の3つの金属板2(21,22)が接合され、下面に1つの金属板2(23)が接合ざれている。図1〜図3に示す例では、これら3つの金属板2(21,22)の平面視の形状は全て矩形状である。これに対して、図4〜図6に示す例では、絶縁基板1の上面の中央部に配置された金属板2(21)は、矩形状の一対の対角を切欠いたような形状であり、図4において破線で囲んだC部内の切欠き部の角部2cは凹の角となっている。この凹の角部2cを含む2つの切欠き部内にそれぞれ位置する2つの金属板22の形状は矩形状である。
全ての凸の角部の表面粗さが平面部の表面粗さより大きくなくてもよく、少なくとも平面視における金属板2の中心から最も離れた角部2aの表面粗さが、この角部2aを挟む平面部2bの表面粗さより大きいものであればよい。上述したように、図1〜図3に示す例および図4〜図6に示す例においては、上面には大きさの大きい金属板2(21)と小さい金属板2(22)が接合されている。例えば、大きさの大きい金属板2(21)には電子部品が搭載され、電子部品の電極と小さい金属板2(22)とがボンディングワイヤで電気的に接続される。上述した熱応力は、金属板2と絶縁基板1との接合長さが長いほど大きくなるので、図1〜図3に示す例のような、矩形状で大きさの大きい金属板2(21)においては4つの角部2aにおいて熱応力が大きくなる。また、図4〜図6に示す例のような場合は、大きさの大きい金属板2(21)における切欠かれていない対角が熱応力の大きい凸の角部2aとなる。また、絶縁基板1の下面に接合された矩形状の金属板2(23)もまた、大きさが大きいので、この金属板2(23)の4つの角もまた熱応力が大きくなる角部2aである。これら角部2aは、いずれも平面視における金属板2の中心から最も離れているものである。平面視における金属板2の中心とは、金属板2の平面視における形状の図心ともいうことができる。このような、絶縁基板1の主面(上面および下面)に接合された金属板2のうち、大きさの大きい金属板2(21)における、金属板2(21)の中心から最も離れた角部2aにおける熱応力を抑えるのが接合信頼性向上には効果的である。そのため、少なくともこのような角部2aにおける表面粗さが、この角部2aを挟む平面部2bの表面粗さより大きければよい。
なお、小さい金属板2(22)の角部22aは、他の金属板2(21)と近接しているので、ろう材3の広がりが大きくならないように、表面粗さを大きくしなくてもよい。また、図4〜図6に示す例における、1つの切欠き部の外側に存在し、凹の角部2cに隣接する2つの凸の角部21aについても、金属板2の中心から最も離れているものではなく、他の金属板2(21)と近接しているので、表面粗さを大きくしなくてもよい。図4〜図6に示す例において、切欠きの大きさが同じで、小さい金属板22がより小さく、大きい金属板21の切欠き部の凸の角部21aと小さい金属板22とが十分に離れている場合には、切欠き部の凸の角部21aの表面粗さも大きくすることができる。
ここで、金属板2の側面の表面粗さの測定は、金属板2の厚み方向に測定する。ろう材3の金属板2の側面における這い上がりの程度に影響を与えるのは、ろう材3の這い上がり方向である金属板2の厚み方向であるからである。角部2aの表面粗さは、角の頂点での表面粗さある必要はなく、角の頂点を含む所定の幅を有する範囲である角部の表面粗さである。この角部は角の頂点から2つの平面部2bの方向へ0.5mm程度までの部分である。図8に示す例のように角が平面視で曲面である場合には、平面視において2つの平面部2bを延長して交差する部分を角の頂点とみなして、そこから平面部2bの方向へ0.5mm程度までの部分である。平面部2bの表面粗さは、角から2mm以上離れた部分で測定する。角部2aが曲面であって、その半径が0.5mmより大きい場合は、平面部2bの表面粗さの測定は、曲面部分の端から1.5mm以上離れた位置で行なう。
表面粗さは、算術平均粗さRaであり、レーザー顕微鏡を用いて測定することができる。例えば、キーエンス社製のレーザー顕微鏡(KV9510)を用いて、測定レンジが100μm、カットオフが0.08mm、測定ピッチが0.01μmの条件で測定することができる。上記で定義した角部2aおよび平面部2bのそれぞれにおいて、複数箇所(例えば3箇所)で測定した平均値を、それぞれ角部2aの表面粗さおよび平面部2bの表面粗さとする。表面粗さは、例えば、金属板2が銅板であり、一般的な金型による打ち抜き加工によって形成された側面(をさらに追加工した側面)を有するものであって、ろう材3が銀−銅合金を主成分とするものである場合であれば、平面部2bの表面粗さが0.3〜1.0μmで、角部2aの表面粗さが0.5μm〜1.5μmとすることができる。このときの平面部2bの表面粗さと角部2aの表面粗さとで、例えば0.1μm以上の差があれば、上記のような効果を奏するものとなる。また、この程度の表面粗さであれば、角部2aにおいても、金属板2の厚みの1/5〜1/2程度までろう材3が這い上がって、金属板2の側面から絶縁基板1の上面にかけてろう材3に凹曲面のメニスカス形状のフィレット部が形成され、応力を緩和しやすくなる。
平面部2bから角部2aにかけて、表面粗さが徐々に大きくなっているパワーモジュール用基板10であってもよい。言い換えれば、角部2aから平面部2bの方へ離れるにつれて表面粗さが小さくなっているものであってもよい。この場合には、金属板2の側面におけるろう材の濡れ性の変化が緩やかになり、図9に示す例のように、金属板2の側面におけるろう材3の高さの変化が緩やかになる。そして、絶縁基板1上へのろう材3の広がり長さ(はみ出し幅)も平面部2bと角部2aとの間で極端に変化することがない。そのため、ろう材3における広がり長さが変化する部分は熱応力等が集中しやすい形状とはならないので、金属板2の絶縁基板1への接合信頼性が向上したものとなる。
この場合の平面部2bから角部2aにかけての表面粗さの変化は、角部2aおよび平面部2bの表面粗さの測定を、一定の間隔(例えば、1mm)をあけて行なうことで確認することができる。加工上のバラツキや測定バラツキにより、必ずしも角部2aから離れるにつれて表面粗さが小さくならない場合もあるが、表面粗さと測定位置(角部2aからの距離)の関係を示すグラフの近似曲線において、角部2aから離れるにつれて表面粗さが小さくなっていればよい。あるいは、以下のようにして確認することもできる。平面部2bを等間隔に複数の領域に分けて、各領域において複数箇所で表面粗さを測定し、各領域における平均の表面粗さを比較すればよい。
上述したが、図8および図9に示す例のように、角部2aは平面視で凸曲面とすることができる。この場合には、角部2aが角を有さない、応力が集中し難い形状となるので、角部2aの近傍を起点として、ろう材3および絶縁基板1にクラック等が発生し難く、信頼性の高いものとなる。角部2aは、例えば、平面視で半径0.1mm〜3mm程度の曲面とすることができる。上記のような表面粗さとする角部2a以外の角部においても凸曲面とすることができる。例えば、大きさの小さい金属板22の凸の角部22a、図4に示す例における切欠き部に形成される凸の角部21aである。このような別の金属板2に隣接する角部を凸曲面とすると、この角部と隣接する金属板2との間において放電が発生して絶縁性が低下してしまう可能性が低減される。
図4に示す例のように、金属板2が凹の角部2cを有し、この凹の角部2cの近傍に他の金属板2(22)が位置している場合は、凹の角部2cの平面粗さは平面部2bより小さくすることができる。このようにすると、図11に示す例のように、凹の角部2cにおけるろう材3の這い上がりが大きくなる。そのため、凹の角部2cの表面粗さが大きい場合の絶縁基板1上へのろう材3の広がり(図10に示す二点鎖線)に比較して、凹の角部2cから絶縁基板1上へのろう材3の広がりが小さいものとなる。これにより、凹の角部2cに近接して配置された他の金属板2(22)との距離が小さくなって絶縁性が低下してしまう可能性が低減される。ここで、図10は、図4(a)のC部の拡大図の一例を示し。図11は図10の斜視図である。
なお、図10および図11に示す例のように、凹の角部2cは、平面視で凹曲面とすることができる。この場合には、凹の角部2cにおけるろう材3の這い上がり高さをより高いものとしやすくなる。また、凹の角部2cが角を有さない、応力が集中し難い形状となるので、凹の角部2cの近傍を起点としたクラック等が発生し難く、信頼性の高いものとなる。凹の角部2cは、例えば、平面視で半径0.1mm〜3mm程度の凹曲面とすることができる。
凹の角部2cの表面粗さの測定位置は、角の頂点から2つの平面部2b(21b)の方向へ0.5mm程度までの部分であればよい。図10および図11に示す例のように角が平面視で曲面である場合には、平面視において2つの平面部2b(21b)を延長して交差する部分を角の頂点とみなして、そこから平面部2b(21b)の方向へ0.5mm程度までの部分である。より明確には、図10に示す例のように、凹の角部2cを有する金属板2(21)の平面部2b(21b)から外側に広がったろう材3の外周端の直線部分を角の方向へ延長した仮想延長線(図10に示す2つの直線L)が凹の角部2cを有する金属板2(21)の側面と交差する部分に挟まれる範囲(図10および図11に示す範囲c)を金属板21の凹の角部2cとすることができる。言い換えれば、凹の角部2cの範囲は、角の頂点から平面部2b(21b)の外側のろう材3の幅の範囲である。
凹の角部2cから平面部2b(21b)にかけて表面粗さが徐々に大きくなるものとすることができる。この場合には、金属板2の側面におけるろう材の濡れ性の変化が、凹の角部2cの近傍においても緩やかになり、図11に示す例のように、ろう材3の金属板2(21)の側面における高さの変化が緩やかになる。そして、絶縁基板1上へのろう材3の広がり長さも平面部2b(21b)と凹の角部2cとの間で極端に変化することがない。そのため、ろう材3における広がり長さが変化する部分は熱応力等が集中しやすい形状とはならないので、金属板2(21)の絶縁基板1への接合信頼性が向上したものとなる。上述したように、平面部2bから角部2aにかけて表面粗さを徐々に大きくするのと組み合わせて、凹の角部2cから平面部2b、角部2aと徐々に表面粗さを大きくすることができる。
図12は、本開示のパワーモジュールの一例を示す上面図である。図13は図12のB−B線における断面図である。パワーモジュール100は、図12および図13に示す例のように、上述したようなパワーモジュール用基板10と、パワーモジュール用基板10の金属板2(21)上に搭載された電子部品40とを備える。このようなパワーモジュール100によれば、上記構成のパワーモジュール用基板10を備えていることから、金属板2と絶縁基板1との接合信頼性が向上したものとなる。
図12および図13に示す例におけるパワーモジュール用基板10は、図1〜図3に示す例のパワーモジュール用基板10と同じであり、絶縁基板1の上面に1つの大きい金属板2(21)と2つの小さい金属板2(22)とを備えている。大きい金属板2(21)に電子部品40が搭載されており、電子部品40と小さい金属板2(22)とは、ボンディングワイヤ41等の接続材によって電気的に接続されている。図12および図13に示す例においては、例えば、金属板21は、電子部品40の搭載用かつ放熱用として機能し、金属板22は、電子部品40を外部電気回路(図示せず)に電気的に接続するための接続する端子として機能する。この場合、金属板22は、平面視で絶縁基板1の外縁から突出していてもよい。また、図1〜図3および図4〜図6に示す例においては、絶縁基板1の下面にも金属板23がろう材3によって接合されている。図1〜図3および図4〜図6に示す例の場合は、金属板23は絶縁基板1の下面より一回り小さい四角形状のものである。このような金属板23は、電子部品40で発生した熱をパワーモジュール100外に放出するための放熱板として機能させることができる。これによって、パワーモジュール100としての放熱性が向上し、電子部品40の長期の作動信頼性が向上する。この絶縁基板1の下面に接合された金属板23は、電子部品40を搭載したり、外部回路と接続したりするための回路板として機能するものであってもよい。
絶縁基板1は、パワーモジュール用基板10において、金属板2を固定して支持するための基体部分である。また、絶縁基板1は、絶縁基板1の上面における金属板21と金属板22あるいは絶縁基板1の上面の金属板21,22と絶縁基板1の下面の金属板23とを互いに電気的に絶縁させるための絶縁部材として機能する。
絶縁基板1は、セラミック焼結体からなり、高い機械的強度および高い伝熱特性(冷却特性)などの特性を有するものがよい。セラミック焼結体としては、公知の材料を用いることができ、例えば、アルミナ(Al2O3)質焼結体、窒化アルミニウム(AlN)質焼結体、窒化ケイ素(Si3N4)質焼結体および炭化珪素(SiC)質焼結体などを用いることができる。絶縁基板1は、例えば、縦が10〜120mm、横が10〜120mm厚さが0.2〜3.0mmの矩形板状のものを用いることができる。このような絶縁基板1は、公知の製造方法によって製造することができ、例えば、アルミナ粉末に焼結助剤を添加した原料粉末に有機バインダー等を加えて混練して、基板状に成形したのち、焼成することで製造することができる。
金属板2は、上述したように、パワーモジュール100において、電子部品40が搭載され、電子部品40を外部電気回路に電気的に接続するための回路導体として、あるいは電子部品40に発生する熱を放熱するための放熱板として機能する。そのため、その形状は特に定まったものはなく、パワーモジュール100における配線設計に応じて設定されるものである。金属板2の厚みは、電気抵抗や強度、放熱性を考慮して、例えば、0.2mm〜2.0mmに設定することができる。また、金属板2の数および配置もまた図1〜図3および図4〜図6に示す例に限られるものではない。
金属板2は、例えば銅(Cu)または銅合金あるいはアルミニウム(Al)またはアルミニウム合金等の金属材料によって形成されている。いわゆる99%以上の純銅や純アルミニウムであると電気抵抗が小さく、熱伝導性にも優れている。また金属板2の成分として酸素が含有される場合には、金属板2における含有量が少ない方が、ボンディングワイヤ41と金属板2との接合強度の向上に関して有利である。
金属板2は、例えば、金属母基板を打ち抜き加工して所定の形状とし、さらに側面の表面粗さを調整するための追加工をすることで作製することができる。金型を用いた、通常の打ち抜き加工により、側面と主面との間の角度がほぼ直角である金属板2とすることができる。そのため、パワーモジュール用基板10においては、金属板2間の距離を小さくすることができ、小型化することができる。金属板2の形状は、打ち抜き加工の際の金型の形状によって設定することができ、角部2aおよび凹の角部2cの形状をそれぞれ平面視で凸曲面および凹曲面とするのも同様である。
そして、打ち抜き加工によって形成された、比較的表面粗さの小さい側面を追加工することで、凹の角部2cより表面粗さの大きい平面部2b、さらに平面部2bより表面粗さの大きい凸の角部2aを有する金属板2を形成することができる。打ち抜き加工後の追加工の程度を、角部2a、平面部2bおよび凹の角部2cのそれぞれで異ならせることで表面粗さも異ならせることができる。追加工としては、例えば、バレル研磨あるいはブラスト加工を用いることができる。ブラスト加工においては、研磨材を当てる時間を凹の角部2c、平面部2b、凸の角部2aの順で長くすればよい。バレル研磨においてもブラスト加工においても以下のようにすれば、研磨材を当てる時間を調整することができる。例えば、平面部2bおよび凹の角部2cに樹脂等からなる保護膜を設けた状態でバレル研磨またはブラスト加工した後、保護膜を除去して再度バレル研磨またはブラスト加工をすることで、角部2aの表面粗さを大きくすることもできる。平面部2bより凹の角部2cの方が研磨材が当たり難いので、平面部2bと凹の角部2cとでは加工時間を同じにすることができる。また、このような追加工によって、打ち抜き加工で発生するバリを除去することもできる。さらには、打ち抜き加工および追加工によって、金属板2の上面と側面の間の角を面取りしてR面とすることができ、この角からの放電を抑えることができる。
あるいは、追加工で凹の角部2cの表面粗さを平面部2bの表面粗さより小さくするには、例えば、バレル研磨に用いるメディア(研磨石、研磨材)の大きさを調整して、凹の角部2cに研磨材が当たり難くする方法を用いることができる。例えば、直径0.6mmのメディアを用いると、直角の凹の角部2cにおいては角の頂点から0.3mm程度まではメディアが当たり難くなるので研磨され難く、この部分以外が研磨されやすくなる。研磨によって表面粗さが大きくなるようにすれば、研磨され難い凹の角部2cの表面粗さは元のままで、研磨されやすい平面部2bおよび凸の角部2a等の表面粗さは大きくなる。このとき、凸の角部2aは平面部2bより研磨材が当たりやすいので、加工時間を調整することで凸の角部2aの表面粗さを平面部2bの表面粗さより大きくすることができる。これは、ブラスト加工の場合でも同様で、研磨材の大きさを調整すればよい。
小さい金属板22の側面は、部位によって表面粗さを変える必要はないが、小さい金属板22と大きい金属板21の平面部2b(21b)とでろう材3の側面への這い上がりの程度、絶縁基板1上への広がりの程度を同程度にするために、小さい金属板22についても大きい金属板21の平面部2b(21b)に施すのと同じ追加工をして作製することができる。
金属板2の側面において、平面部2bから角部2aにかけて表面粗さが徐々に大きくなるようにするためには、例えば、上述した保護膜を用いてバレル研磨またはブラスト加工することもできる。例えば、平面部2bを保護膜で覆った状態でバレル研磨またはブラスト加工を施した後、角部2aの近傍の保護膜だけを除去して再度バレル研磨またはブラスト加工を施すことで、追加工の加工量(研磨の程度)を部位によって異ならせることができる。
凹の角部2cから平面部2b(21b)、角部2a(21a)と徐々に表面粗さを大きくするには、凹の角部2cおよび平面部2b(21b)を保護膜で覆って追加工し、保護膜の角部2a(21a)側の一部を除去して再度追加工することを繰り返すればよい。あるいは、上述したバレル研磨において、複数種類の大きさを有するメディアを用いることができる。例えば、上記の直径0.6mmの第1メディアに加えて、直径3mmの第2メディアを用いることで、凹の角部2cの角の頂点から0.3mm程度までの部分では第1メディアおよび第2メディアともに当たり難くなり、角の頂点から0.3mm〜1.5mm程度までの部分では第1メディアは当たりやすく、第2メディアは当たり難くなり、角の頂点から1.5mm以上離れた部分では第1メディア、第2メディアともに当たりやすくなる。凹の角部2cから離れるにつれて多くのメディアが当たって研磨されるので、表面粗さを徐々に大きくすることができる。組み合わせるメディアの大きさ、大きさの種類の数、混合比率等により、表面粗さの変化の状態を調整することができる。また、形状の異なるメディア、材質の異なるメディアを混合して用いることもできる。ブラスト加工の場合でも同様である。
金属板2は、ろう材3によって絶縁基板1に接合され(ろう付けされ)ている。ろう材3としては、例えば、金属板2が銅(Cu)または銅合金からなる場合であれば、銀−銅(Ag−Cu)合金ろうに、チタン(Ti)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)等の活性金属を含む活性金属ろうを用いることができる。金属板2がアルミニウム(Al)またはアルミニウム合金からなる場合は、アルミニウム−シリコン(Al−Si)系合金またはアルミニウム−ゲルマニウム(Al−Ge)系合金のろう材を用いることができる。絶縁基板1に、スクリーン印刷等の方法でろう材ペーストを塗布して、その上に金属板2を載置して加圧した状態で加熱することで金属板2は絶縁基板1に接合(ろう付け)される。
ろう材3は、平面視で金属板2の外縁から絶縁基板1上に広がっており、ろう材3の広がり幅、すなわち、平面視で金属板2の外縁からろう材3の外縁までの距離は、例えば、0.05mm〜0.5mm程度とすることができる。また、金属板2(21)と他の金属板2(22)との間隔は、例えば、0.8mm〜2.0mm程度とすることができる。隣接する金属板2同士の間において、ろう材3の外縁間の距離(間隔)は0.5mm〜1.0mmとすることができる。ろう材3および金属板2同士の間隔がこの程度であれば、隣接する金属板2間において絶縁不良となる可能性を小さくすることができるとともに、十分小さいのでパワーモジュール用基板10およびパワーモジュール100を小型のものとすることができる。
絶縁基板1の下面の金属板23が上述した放熱板として機能するものである場合には、平面視において、下面の金属板23の大きさは、例えば、上面の金属板2(21および22)全体の大きさと同じかそれよりも大きく、絶縁基板1よりも小さいものに設定することができる。下面の金属板23が上面の複数の金属板2(21および22)の外縁を結ぶ大きさと同程度の大きさである場合には、絶縁基板1の上下での熱応力の相違が低減されるため、パワーモジュール用基板10の反りを抑制することに関して有利である。また下面の金属板23を絶縁基板1よりも小さくすることで、下面の金属板23と上面の金属板2(21および22)との間の電気絶縁性を向上させることができる。また、下面の金属板23が上面の金属板2(21および22)よりも大きい、言い換えれば平面透視で金属板23の外縁の位置が上面の金属板2(21および22)の外縁より外側に位置する場合には、パワーモジュール100の使用時に発生する熱を下面の金属板23の水平方向に効果的に拡散することができ、放熱性を向上させることに関しては有利である。より放熱性を向上させたい場合には、下面の金属板23を絶縁基板1よりも大きくすることができる。この場合、上面の金属板2(21および22)は絶縁基板1の外縁より内側になるように接合して、下面の金属板23との絶縁性を確保するようにすることができる。
金属板2(21,22、23)の表面には、その表面の保護のため、あるいはろう材3またはボンディングワイヤ41等の接合性の向上のためにめっき層をもうけてもよい。めっき層は、パラジウム、ニッケル、銀等の金属めっき層とすることができる。
なお、パワーモジュール用基板10は、いわゆる多数個取りの形態で作製してこれを分割することで作製することもできる。
このようなパワーモジュール用基板10に電子部品40を搭載することで、図12および図13に示す例のような、パワーモジュール100となる。電子部品40は、例えばIGBT等のパワー半導体素子である。電子部品40は、金属板2の上に、例えば、はんだ付けまたはろう付けあるいは拡散接合で接合されて固定される。図12および図13に示す例では、電子部品40は絶縁基板1の上面に接合された大きい金属板21の上に固定され、電子部品40と上面の小さい金属板22とがアルミニウムや金(Au)等のボンディングワイヤ41で電気的に接続されている。なお、パワーモジュール100は、例えば、ケースに収納されていてもよいし、ケースに収納してさらに樹脂で覆うこともできる。ケースの底にヒートシンクを配置して、パワーモジュール用基板10の下面の金属板23とヒートシンクとを伝熱性の材料、例えば伝熱グリースで接合して放熱性を高めることもできる。
なお、パワーモジュール用基板10およびパワーモジュール100は、上記実施形態に記載された例に限定されるものではなく、本開示の要旨の範囲内で種々の変更は可能である。
1・・・・絶縁基板
2(21,22,23)・・・・金属板
2a(21a,22a)・・・角部
2b(21b,22b)・・・平面部
2c・・・凹の角部
3・・・・ろう材
10・・・パワーモジュール用基板
40・・・・電子部品
41・・・・ボンディングワイヤ
100・・・パワーモジュール
2(21,22,23)・・・・金属板
2a(21a,22a)・・・角部
2b(21b,22b)・・・平面部
2c・・・凹の角部
3・・・・ろう材
10・・・パワーモジュール用基板
40・・・・電子部品
41・・・・ボンディングワイヤ
100・・・パワーモジュール
Claims (4)
- 絶縁基板と、該絶縁基板にろう材を介して接合された金属板とを備えており、
該金属板の側面における厚み方向の表面粗さは、少なくとも平面視における前記金属板の中心から最も離れた角部の表面粗さが、該角部を挟む平面部の表面粗さより大きいパワーモジュール用基板。 - 前記平面部から前記角部にかけて、前記表面粗さは徐々に大きくなっている請求項1に記載のパワーモジュール用基板。
- 前記角部は平面視で凸曲面である請求項1または請求項2に記載のパワーモジュール用基板。
- 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のパワーモジュール用基板と、
該パワーモジュール用基板の前記金属板上に搭載された電子部品とを備えるパワーモジュール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017126375 | 2017-06-28 | ||
JP2017126375 | 2017-06-28 | ||
PCT/JP2018/019679 WO2019003725A1 (ja) | 2017-06-28 | 2018-05-22 | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019003725A1 true JPWO2019003725A1 (ja) | 2020-04-02 |
JP6832426B2 JP6832426B2 (ja) | 2021-02-24 |
Family
ID=64741364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019526691A Active JP6832426B2 (ja) | 2017-06-28 | 2018-05-22 | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11195776B2 (ja) |
EP (1) | EP3648557B1 (ja) |
JP (1) | JP6832426B2 (ja) |
CN (1) | CN110809910B (ja) |
WO (1) | WO2019003725A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019003725A1 (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-03 | 京セラ株式会社 | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
WO2023190255A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | デンカ株式会社 | 回路基板及びその製造方法、並びにパワーモジュール |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08236666A (ja) * | 1995-02-23 | 1996-09-13 | Nec Corp | 放熱用金属板付半導体装置 |
JP2001110953A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 半導体モジュール用基板及びその製造方法 |
JP2010010561A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
WO2015019602A1 (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | 株式会社 東芝 | 回路基板および半導体装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57139469A (en) * | 1981-02-24 | 1982-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of die for press forming |
JP2001148438A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 金属蓋及びパッケージ |
US6921971B2 (en) * | 2003-01-15 | 2005-07-26 | Kyocera Corporation | Heat releasing member, package for accommodating semiconductor element and semiconductor device |
JP5151080B2 (ja) | 2005-07-20 | 2013-02-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 絶縁基板および絶縁基板の製造方法並びにパワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
US7821130B2 (en) * | 2008-03-31 | 2010-10-26 | Infineon Technologies Ag | Module including a rough solder joint |
US20100068552A1 (en) * | 2008-03-31 | 2010-03-18 | Infineon Technologies Ag | Module including a stable solder joint |
JP5291376B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2013-09-18 | 京セラケミカル株式会社 | 複合防弾板 |
JP5400447B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-01-29 | 三井金属鉱業株式会社 | 粗化処理銅箔、粗化処理銅箔の製造方法及び銅張積層板 |
WO2011027418A1 (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 株式会社 東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP5614423B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2014-10-29 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
JP5954371B2 (ja) * | 2014-08-05 | 2016-07-20 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
CN106688091B (zh) * | 2014-09-26 | 2020-03-13 | 京瓷株式会社 | 布线基板、电子装置以及电子模块 |
JP6642146B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2020-02-05 | 日立金属株式会社 | 窒化珪素系セラミックス集合基板及びその製造方法 |
WO2019003725A1 (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-03 | 京セラ株式会社 | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
-
2018
- 2018-05-22 WO PCT/JP2018/019679 patent/WO2019003725A1/ja unknown
- 2018-05-22 US US16/627,099 patent/US11195776B2/en active Active
- 2018-05-22 EP EP18824890.0A patent/EP3648557B1/en active Active
- 2018-05-22 CN CN201880041644.1A patent/CN110809910B/zh active Active
- 2018-05-22 JP JP2019526691A patent/JP6832426B2/ja active Active
-
2021
- 2021-10-14 US US17/501,539 patent/US20220037226A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08236666A (ja) * | 1995-02-23 | 1996-09-13 | Nec Corp | 放熱用金属板付半導体装置 |
JP2001110953A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 半導体モジュール用基板及びその製造方法 |
JP2010010561A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
WO2015019602A1 (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | 株式会社 東芝 | 回路基板および半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3648557B1 (en) | 2023-08-30 |
WO2019003725A1 (ja) | 2019-01-03 |
CN110809910A (zh) | 2020-02-18 |
EP3648557A1 (en) | 2020-05-06 |
CN110809910B (zh) | 2022-11-25 |
EP3648557A4 (en) | 2021-03-24 |
US20220037226A1 (en) | 2022-02-03 |
JP6832426B2 (ja) | 2021-02-24 |
US20200135612A1 (en) | 2020-04-30 |
US11195776B2 (en) | 2021-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20220037226A1 (en) | Power module substrate and power module | |
JP4124040B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN114156240A (zh) | 用于半导体模块的底板和用于制造底板的方法 | |
JP6339452B2 (ja) | チップ抵抗器およびその実装構造 | |
CN108028232B (zh) | 布线基板、电子装置以及电子模块 | |
JP6702800B2 (ja) | 回路基板集合体、電子装置集合体、回路基板集合体の製造方法および電子装置の製造方法 | |
JP6271867B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JP6046421B2 (ja) | 配線基板および電子装置 | |
JP6744488B2 (ja) | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール | |
JP6317178B2 (ja) | 回路基板および電子装置 | |
JP6983119B2 (ja) | 放熱板、半導体パッケージおよび半導体装置 | |
WO2019163941A1 (ja) | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール | |
JP2018006377A (ja) | 複合基板、電子装置および電子モジュール | |
JP5855822B2 (ja) | 多数個取り配線基板 | |
JP4812516B2 (ja) | 複数個取り配線基板 | |
JP2005223348A (ja) | 多層基板 | |
JP7017341B2 (ja) | 半導体パッケージおよび半導体装置 | |
JP5574848B2 (ja) | 多数個取り配線基板 | |
JP4656126B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6608728B2 (ja) | 回路基板および電子装置 | |
JP6406547B2 (ja) | 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置ならびに電子モジュール | |
JP2023089928A (ja) | パッケージ | |
JP2016032032A (ja) | 回路基板、および電子装置 | |
JP2005244149A (ja) | 配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6832426 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |