CN108028232B - 布线基板、电子装置以及电子模块 - Google Patents
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Abstract
布线基板具有:绝缘基板,具有主面;外部电极,设置在绝缘基板的主面且外缘部;以及散热用金属层,在绝缘基板的主面中,在俯视下面积比外部电极大,与外部电极相邻地设置该散热用金属层,且该散热用金属层具有缝隙,缝隙在散热用金属层的外周缘具有开口部,外部电极设置在与开口部对置的位置处。
Description
技术领域
本发明涉及布线基板、电子装置以及电子模块。
背景技术
在现有技术中,已知一种布线基板,在绝缘基板的主面具有用于与模块基板接合的外部电极和散热用金属层。在外部电极与散热用金属层之间经由焊料将布线基板和模块基板接合(例如,参照JP特开2005-191203号公报)。
此外,在这样的布线基板中,为了散发利用焊料接合时产生的气体,有时会在电极设置缝隙。
发明内容
发明要解决的课题
但是,近几年,伴随电子装置的高性能化,电子部件的发热量逐渐在变高。若散热用金属层的缝隙大,则容易在散热用金属层的散热性上产生偏重,容易在布线基板产生形变,担忧散热用金属层会从绝缘基板剥离,或者焊料会从散热用金属层剥离。
用于解决课题的手段
根据本发明的一个方式,布线基板具有:绝缘基板,具有主面;外部电极,设置在该绝缘基板的主面且外缘部;以及散热用金属层,在所述绝缘基板的主面中,俯视下面积比所述外部电极大,与所述外部电极相邻地设置该散热用金属层,且该散热用金属层具有缝隙,所述缝隙在所述散热用金属层的外周缘具有开口部,所述外部电极设置在与所述开口部对置的位置处。
根据本发明的一个方式,电子装置具有:上述结构的布线基板;以及搭载于该布线基板的电子部件。
根据本发明的一个方式,电子模块具有:具有连接焊盘的模块基板;以及经由焊料与所述连接焊盘连接的上述结构的电子装置。
发明效果
在本发明的一个方式的布线基板中,具有:具有主面的绝缘基板;设置在绝缘基板的主面且外缘部的外部电极;以及散热用金属层,在绝缘基板的主面中,俯视下面积比外部电极大,且与外部电极相邻地设置该散热用金属层,并且该散热用金属层具有缝隙,缝隙在散热用金属层的外周缘具有开口部,外部电极设置在与开口部对置的位置处。通过上述结构,将缝隙延长的虚拟的延长部分和外部电极重叠,在散热性容易降低的缝隙的附近配置外部电极,使得经由散热用金属层以及外部电极向模块基板的传热变得良好,抑制了热的偏重,从而能够抑制在布线基板产生形变,能够抑制散热用金属层从绝缘基板剥离、或者焊料从散热用金属层剥离的情况。
在本发明的一个方式的电子装置中,通过具有上述结构的布线基板以及搭载于布线基板的电子部件,能够成为散热性出色且与模块基板的接合可靠性良好的电子装置。
本发明的一个方式的电子模块通过具备具有连接焊盘的模块基板以及经由焊料与连接焊盘连接的上述结构的电子装置,能够成为散热性出色且电子装置与模块基板的接合可靠性良好的、长期可靠性出色的电子模块。
附图说明
图1(a)是表示本发明的第1实施方式的电子装置的俯视图,(b)是(a)的仰视图。
图2(a)是图1(a)所示的电子装置的A-A线处的剖视图,(b)是B-B线处的剖视图。
图3是图1(b)所示的电子装置的C部的主要部分放大仰视图。
图4是表示将图1的电子装置安装到模块基板的电子模块的纵剖视图。
图5(a)是表示本发明的第2实施方式的电子装置的俯视图,(b)是(a)的仰视图。
图6是图5(a)所示的电子装置的A-A线处的剖视图。
图7是表示本发明的第3实施方式的电子装置的主要部分放大仰视图。
图8是表示本发明的第4实施方式的电子装置的主要部分放大纵剖视图。
图9(a)是表示本发明的第5实施方式的电子装置的俯视图,(b)是(a)的仰视图。
具体实施方式
参照附图,说明本发明的几个例示性的实施方式。
(第1实施方式)
本发明的第1实施方式的电子装置如图1~图4所示,包括布线基板1和设置在布线基板1的上表面的电子部件2。如图4所示,例如使用焊料6将电子装置连接在构成电子模块的模块基板5上。
本实施方式的布线基板1具有:具有主面的绝缘基板11;设置在绝缘基板11的主面且外缘部的外部电极12;以及散热用金属层13,在绝缘基板11的主面中,俯视下面积比外部电极12大,且与外部电极12相邻地设置该散热用金属层13。布线基板1具有设置在绝缘基板的主面以及内部的布线导体14。散热用金属层13具有缝隙15。缝隙15在散热用金属层13的外周缘具有开口部15a。外部电极12设置在与开口部15a对置的位置处。在图1~图3中,布线基板1以及电子装置被放置在虚拟的xyz空间中的xy平面上。在图1~图3中,所谓上方是指虚拟的z轴的正方向。另外,以下说明中的上下的区别是为了便于说明,实际上并不限定使用布线基板1等时的上下。
在第1实施方式的布线基板1中,在图1(a)所示的例子中,用阴影示出了布线导体14。在图1(b)所示的例子中,分别用阴影示出了外部电极12以及散热用金属层13。
绝缘基板11具有一个主面(图1~图3中是下表面)、另一个主面(图1~图3中是上表面)和侧面。绝缘基板11具有包括电子部件2的搭载区域17的上表面,俯视下,即从与主面垂直的方向观察时具有矩形的板状的形状。绝缘基板11作为用于支承电子部件2的支承体起作用,在上表面中央部的搭载区域17上,经由低熔点钎料或者导电性树脂等接合构件将电子部件2粘接并固定。
绝缘基板11例如能够使用氧化铝质烧结体(氧化铝陶瓷)、氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体、莫来石质烧结体或者玻璃陶瓷烧结体等陶瓷。绝缘基板11例如若是氧化铝质烧结体的情况,则在氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)等原料粉末中添加并混合适当的有机粘合剂以及溶剂等来制成泥浆物。通过采用以往周知的刮刀法或者压延辊法等,将该泥浆物成形为片状,从而制成陶瓷生片。接着,对该陶瓷生片实施适当的冲压加工,并且根据需要将陶瓷生片层叠多片来形成生成形体,通过在高温(约1600℃)下烧固该生成形体,从而制作绝缘基板11。
外部电极12设置在绝缘基板11的一个主面。外部电极12经由焊料6与模块基板5接合,并且用于将电子部件2和模块基板5的连接焊盘51电连接。外部电极12例如如图1~图3所示,在俯视下分别设置在绝缘基板11的四个角部。外部电极12在俯视下例如能够设为圆形形状、或者矩形形状等多边形状。外部电极12例如形成为10μm~30μm左右的厚度。
散热用金属层13设置在绝缘基板11的一个主面。散热用金属层13与外部电极12同样,经由焊料6与模块基板5接合,并且用于将布线基板1的热高效地散热到模块基板5。散热用金属层13例如如图1~图3所示,在俯视透视下与电子部件2(搭载区域17)重叠地设置在绝缘基板11的一个主面的中央部。此外,散热用金属层13如图1~图3所示在俯视下,与多个外部电极12的每一个相邻,且被设置成被多个外部电极12包围。散热用金属层13在俯视下例如能够设为圆形形状、或者矩形形状等多边形状。散热用金属层13例如形成为10μm~30μm左右的厚度。另外,散热用金属层13例如可以与接地用的布线导体等连接。
此外,散热用金属层13若例如如图1~图3所示那样在俯视透视下形成得比电子部件2大,则能够使电子部件2的热良好地散热到模块基板5。
布线导体14设置在绝缘基板11的主面以及内部。布线导体14用于与外部电极12一起将搭载于布线基板1的电子部件2和模块基板5电连接。布线导体14包括:设置在绝缘基板11的表面或者内部的布线导体14;将贯通构成绝缘基板11的绝缘层而位于上下的布线导体彼此电连接的贯通导体。形成在绝缘基板11的主面的布线导体14例如形成为10μm~30μm左右的厚度。
外部电极12、散热用金属层13以及布线导体14是例如以钨(W)、钼(Mo)、锰(Mn)、银(Ag)或者铜(Cu)等为主成分的金属粉末金属化物。例如,若是绝缘基板11由氧化铝质烧结体构成的情况,则在W、Mo或者Mn等高熔点金属粉末中添加并混合适当的有机粘合剂以及溶媒等而得到金属化膏,预先利用丝网印刷法在绝缘基板11用的陶瓷生片上将该金属化膏印刷涂敷成给定的图案,与绝缘基板11用的陶瓷生片同时进行烧固,由此被覆形成在绝缘基板11的给定位置处。外部电极12以及散热用金属层13是通过在绝缘基板11用的陶瓷生片上印刷涂敷会成为外部电极12或者散热用金属层13的金属化膏,并与绝缘基板11用的陶瓷生片一起进行烧固而形成的。布线导体14是例如通过丝网印刷法等印刷手段,在绝缘基板11用的陶瓷生片上印刷涂敷布线导体14用的金属化膏,与绝缘基板11用的陶瓷生片一起进行烧固而形成的。此外,在布线导体14是贯通导体的情况下,例如利用基于模具或者冲孔的冲压加工或者激光加工等加工方法,在绝缘基板11用的陶瓷生片中形成贯通导体用的贯通孔,并利用上述印刷手段,在该贯通孔填充贯通导体用的金属化膏,与绝缘基板11用的陶瓷生片一起进行烧固,由此来形成。金属化膏通过在上述的金属粉末中加入适当的溶剂以及粘合剂进行混炼,从而调制成适度的粘度。另外,为了提高与绝缘基板11的接合强度,也可以包括玻璃粉末、陶瓷粉末。
在外部电极12以及散热用金属层13、布线导体14的从绝缘基板11露出的表面,利用电镀法或者无电解镀覆法,被覆金属镀覆层。金属镀覆层由镍、铜、金或者银等耐腐蚀性以及与连接构件的连接性出色的金属构成,例如依次被覆厚度为0.5~5μm左右的镍镀覆层和厚度为0.1~3μm左右的金镀覆层、或者厚度为1~10μm左右的镍镀覆层和厚度为0.1~1μm左右的银镀覆层。由此,能够有效抑制外部电极12以及散热用金属层13、布线导体14发生腐蚀,并且能够使布线导体14与电子部件2的粘着以及布线导体14与接合线等连接构件3的接合、以及外部电极12及散热用金属层13与形成在模块基板5的连接用连接焊盘51的接合变得牢固。
此外,金属镀覆层并不限于镍镀覆层/金镀覆层,可以是包括镍镀覆层/金镀覆层/银镀覆层、或者镍镀覆层/钯镀覆层/金镀覆层等的其他金属镀覆层。
此外,可以通过在搭载电子部件2的布线导体14上,例如在上述的镍镀覆层和金镀覆层的基底层,例如作为金属镀覆层而被覆厚度为10~80μm左右的铜镀覆层,从而容易使电子部件2的热经由铜镀覆层良好地散热到布线基板1侧。
散热用金属层13具有缝隙15。缝隙15例如配置成在俯视下等分散热用金属层13。缝隙15例如如图2所示那样,具有朝向矩形形状的绝缘基板11的四个角部的方向开口的开口部15a,成为了将散热用金属层13等分成四个区域的形状。
这样的缝隙15例如如上述所示那样,能够在利用丝网印刷法在绝缘基板11用的陶瓷生片上印刷涂敷散热用金属层13用的导体膏时,在形成散热用金属层13的图案时,印刷涂敷成具备具有开口部15a的缝隙15的形状,由此来形成。
此外,可以在形成圆形形状等的金属层后,通过使用切削加工、激光加工、或者蚀刻加工等,除去金属层的一部分,从而形成为具备具有开口部15a的缝隙15的散热用金属层13。
这里,缝隙15的宽度若在将金属镀覆层被覆于散热用金属层13的状态下俯视下在40μm以上,则容易将利用焊料6对散热用金属层13和模块基板5进行接合时产生的气体良好地散发到外部。此外,若考虑将散热用金属层13和模块基板5接合时的接合性、散热性,则缝隙15的宽度优选在散热用金属层13被覆金属镀覆层的状态下俯视下是200μm以下。
此外,缝隙15例如可以是从散热用金属层13的外周缘朝向除了散热用金属层13的中央以外的内侧的形状、或具有弯曲部的形状,若如图1以及图2所示的例子那样,另一端侧朝向散热用金属层13的中央以直线状延伸,则利用焊料6对散热用金属层13和模块基板5进行接合时产生的气体就容易从散热用金属层13的中央向外周缘散发,因而是优选的。
此外,若使俯视下的缝隙15的宽度大于散热用金属层13的厚度,则容易在开口部15a的附近抑制从外部电极12侧产生的气体在缝隙15内发生滞留的情况。
此外,外部电极12设置在与缝隙15的开口部15a对置的位置处。通过上述结构,将缝隙15延长的虚拟的延长部分和外部电极12重叠,在散热性容易降低的缝隙15的附近配置外部电极12,使经由散热用金属层13以及外部电极12向模块基板5的传热变得良好,抑制热的偏重,由此能够抑制在布线基板1中产生形变,能够抑制散热用金属层13从绝缘基板11剥离、或者焊料6从散热用金属层13剥离的情况。
若外部电极12和缝隙15的间隔W2在缝隙15的宽度W1以上,则能够容易使从缝隙15散发到外部电极12侧的气体经由外部电极12与散热用金属层13之间良好地散发到外部。
此外,若如图1所示的例子那样,外部电极12是矩形形状,且外部电极12的边被设置成与缝隙15的开口部15相对,则能够在缝隙15的附近使外部电极12的面积较大,使得经由散热用金属层13以及外部电极12向模块基板的传热变得更有效,使热的偏重有效得到抑制,从而能够有效抑制在布线基板1中产生形变的情况。
通过在布线基板1的上表面搭载电子部件2,从而能够制成电子装置。搭载在布线基板1的电子部件2是IC芯片或者LSI芯片等半导体元件、发光元件、水晶振子或者压电振子等压电元件以及各种传感器等。例如,在电子部件2是引线接合型的半导体元件的情况下,利用低熔点钎料或者导电性树脂等接合构件将半导体元件固定在布线导体14上后,经由接合线等连接构件3电连接半导体元件的电极和布线导体14,从而将半导体元件搭载于布线基板1。由此,电连接电子部件2与外部电极12。此外,在例如电子部件2是倒装芯片型的半导体元件的情况下,经由焊料凸块、金凸块或者导电性树脂(各向异性导电树脂等)等连接构件3将半导体元件的电极和布线导体14电连接以及机械连接,从而将半导体元件搭载到布线基板1。此外,在布线基板1可以搭载多个电子部件2,也可以根据需要搭载电阻元件或者电容元件等小型的电子部件。此外,电子部件2根据需要使用由树脂或者玻璃等构成的密封材料4,利用由树脂、玻璃、陶瓷或者金属等构成的盖体等来密封。
本实施方式的电子装置的外部电极12以及散热用金属层13如图4所示那样经由焊料6与模块基板5的连接焊盘51连接,成为电子模块。由于焊料6在绝缘基板11的外缘部与外部电极12接合并且以包括绝缘基板11的下表面的中央的方式与散热用金属层13接合,因此在施加了来自外部的应力的情况下,能够有效分散施加至外部电极或者焊料6的应力。此外,焊料6倾斜成从内面电极13的切口部12的内侧的端部一直扩展到连接焊盘51的外侧的端部,即形成了焊脚(fillet)。通过构成这样的结构,即使因操作时的外力等对电子装置产生应力,也会通过倾斜成扩展形状的焊料6使应力分散,从而能够使电子装置与模块基板5牢固地连接,能够成为连接可靠性得到了提高的电子模块。
缝隙15在一个端部具有开口部15a,另一个端部闭合,若外部电极12如图3所示那样被设置成位于从另一个端部经由一个端部延伸的虚拟直线14b上,则将缝隙15延长的虚拟的延长部分的宽度方向上的一半以上的部分和外部电极12就会重叠,会变成在散热性容易降低的缝隙15的更附近处配置外部电极12,使经由散热用金属层13以及外部电极12向模块基板5的传热变得更加良好,进一步抑制热的偏重,由此能够抑制在布线基板1中产生形变,能够抑制散热用金属层13从绝缘基板11剥离、或者焊料6从散热用金属层13剥离的情况。
缝隙15在例如如图2所示那样散热用金属层13在俯视下是圆形形状的情况下,优选将一个缝隙15的长度(从一个端部(开口部15a)至另一个端部的长度)设为散热用金属层13的半径r的1/5~1/2左右。此外,在散热用金属层13例如在俯视下是矩形形状且在散热用金属层13的对角线的方向上形成缝隙的情况下,优选将一个缝隙15a的长度设为散热用金属层13的对角线的长度的1/10~1/4左右。
若外部电极12被设置成中央部位于虚拟直线14b上,则外部电极12夹持虚拟直线14b位于两侧的部分的面积就容易变成相等,可在缝隙15的附近更均等地进行配置,使得经由散热用金属层13以及外部电极12向模块基板5的传热变得良好,有效抑制热的偏重,由此能够抑制在布线基板1中产生形变,能够有效抑制散热用金属层13从绝缘基板11剥离、或者焊料6从散热用金属层13剥离的情况。
散热用金属层13具有多个缝隙15,若多个缝隙15被设置在俯视下以散热用金属层13的中央部为中心的点对称(旋转对称)的位置处,则能够有效抑制因散热性容易降低的缝隙15引起的热的偏重,能够使经由散热用金属层13以及外部电极12向模块基板5的传热变得良好,能够抑制在布线基板1中产生形变,能够进一步抑制散热用金属层13从绝缘基板11剥离、或者焊料6从散热用金属层13剥离的情况。
布线基板1如图1(b)所示那样具有多个外部电极12,若多个外部电极12被设置在俯视下以散热用金属层13的中央部为中心的点对称(旋转对称)的位置处,则会更加有效抑制因散热性容易降低的缝隙15引起的热的偏重,在缝隙15的附近配置外部电极12,使经由散热用金属层13以及外部电极12向模块基板5的传热变得良好,更加有效地抑制热的偏重,从而能够抑制在布线基板1中产生形变,能够有效抑制散热用金属层13从绝缘基板11剥离、或者焊料6从散热用金属层13剥离的情况。
此外,对于散热用金属层13而言,若散热用金属层13的厚度比外部电极12的厚度大,则作为气体流路的缝隙15的纵剖面积就大,因此能够使气体良好地发散,并且能够使从散热用金属层13向模块基板5的散热变得良好。
此外,若缝隙15设置成在俯视透视下与电子部件2的搭载区域17不重叠,则布线基板1的热就会从散热用金属层13良好地传递至模块基板5,能够抑制在布线基板1中产生形变,能够抑制散热用金属层13从绝缘基板11剥离、或者焊料6从散热用金属层13剥离的情况。
本实施方式1的布线基板1具有:具有主面的绝缘基板11;设置在绝缘基板11的主面且外缘部的外部电极12;以及在绝缘基板11的主面中俯视下面积比外部电极12大且与外部电极12相邻设置并具有缝隙15的散热用金属层13,缝隙15在散热用金属层13的外周缘具有开口部15a,外部电极12设置在与开口部15a对置的位置处。通过上述结构,将缝隙15延长的虚拟的延长部分和外部电极12会重叠,在散热性容易降低的缝隙15的附近配置外部电极12,使经由散热用金属层13以及外部电极12向模块基板5的传热变得良好,抑制热的偏重,由此能够抑制在布线基板1中产生形变,能够抑制散热用金属层13从绝缘基板11剥离、或者焊料6从散热用金属层13剥离的情况。
在本发明的一个方式的电子装置中,通过具有上述结构的布线基板1以及搭载于布线基板1的电子部件2,从而能够成为散热性出色且与模块基板5的接合可靠性良好的电子装置。
本发明的一个方式的电子模块通过具备具有连接焊盘51的模块基板5以及经由焊料6与连接焊盘51连接的上述结构的电子装置,从而能够成为散热性出色且电子装置与模块基板5的接合可靠性良好的、长期可靠性出色的电子模块。
本实施方式的布线基板1适合用于小型且高输出的电子装置中,能够良好地实现布线基板1的电连接。例如,可适当用作作为电子部件2而搭载高发光的发光元件的发光元件搭载用的小型布线基板1。
(第2实施方式)
接着,参照图5以及图6,说明本发明的第2实施方式的电子装置。
在本发明的第2实施方式的电子装置中,与上述的第1实施方式的电子装置的不同点在于,外部电极12分别还设置在矩形形状的绝缘基板11的四条边的中央部。缝隙15中,开口部15a向矩形形状的绝缘基板11的四条边方向开口。
在第2实施方式的布线基板1中,在图5(a)所示的例子中,与第1实施方式的布线基板1同样地用阴影示出了布线导体14。在图5(b)所示的例子中,与第1实施方式的布线基板1同样地分别用阴影示出了外部电极12以及散热用金属层13。
根据本发明的第2实施方式的布线基板1,与第1实施方式的布线基板1同样地,在散热性容易降低的缝隙15的附近配置外部电极12,使经由散热用金属层13以及外部电极12向模块基板5的传热变得良好,抑制了热的偏重,从而能够抑制在布线基板1中产生形变,能够抑制散热用金属层13从绝缘基板11剥离、或者焊料6从散热用金属层13剥离的情况。
外部电极12可以如图5所示那样还设置在与缝隙15的开口部15a对置的部位以外的位置处。
例如,如图5所示,在散热用金属层13在俯视下是圆形形状的情况下,与第1实施方式同样地,优选将缝隙15的长度(从一个端部(开口部15a)至另一个端部的长度)设为散热用金属层13的半径r的1/5~1/2左右。此外,在散热用金属层13例如在俯视下是矩形形状且向散热用金属层13的相对的边的方向形成缝隙的情况下,优选将缝隙15的长度设为散热用金属层13的边的长度的1/10~1/4左右。
在第2实施方式的布线基板1中,与第1实施方式1的布线基板1相比,外部电极12被设置在矩形形状的绝缘基板11的边的中央部,所以缝隙15的开口部15a与在绝缘基板11的外缘部被设置成对置于开口部15a的外部电极12之间的间隔变得更小,所以通过基于外部电极12的散热,使缝隙15中的散热性的降低更加良好,抑制了热的偏重,从而能够抑制在布线基板1中产生形变,能够抑制散热用金属层13从绝缘基板剥离、或者焊料6从散热用金属层13剥离的情况。
第2实施方式的布线基板1能够使用与上述的第1实施方式的布线基板1同样的制造方法来制作。
(第3实施方式)
接着,参照图7,说明基于本发明的第3实施方式的电子装置。
在本发明的第3实施方式的电子装置中,与上述的第1实施方式的电子装置的不同点在于,散热用金属层13的一个端部侧的缝隙15的宽度大于散热用金属层13的另一个端部侧的缝隙15的宽度,换言之,对于缝隙15的宽度而言,散热用金属层13的外缘侧的端部大于内部侧的端部。
在第3实施方式的布线基板1中,在图7所示的例子中,与第1实施方式的布线基板1同样地用阴影示出了散热用金属层13。
在第3实施方式的布线基板1中,对于缝隙15而言,散热用金属层13的一个端部侧的缝隙15的宽度大于散热用金属层13的另一个端部侧的缝隙15的宽度,因此能够从散热用金属层13的中央向外周缘侧良好地使气体发散。此外,与将缝隙15的宽度在一个端部侧至另一个端部侧之间整体变大的情况相比,确保了散热用金属层13的中央侧的面积,因此能够使散热用金属层13与模块基板5之间的基于焊料6的接合性、从布线基板1向模块基板5的散热性变得良好。
这样的缝隙15中,使缝隙15的宽度从另一个端部侧向一个端部侧阶段性地或者部分性地变大,或者使缝隙15的宽度从散热用金属层13的另一个端部侧向一个端部侧逐渐变大,从而能够使散热用金属层13的一个端侧的缝隙15的宽度大于散热用金属层13的另一个端部侧的缝隙15的宽度。另外,若缝隙15的宽度从散热用金属层13的另一个端部侧向散热用金属层13的一个端部侧逐渐变大,则在利用焊料6接合散热用金属层13和模块基板5时,容易使从焊料6产生的气体平稳地发散到外部,能够抑制在焊料6内产生空隙(void)。
第3实施方式的散热用金属层13以及缝隙15通过与第1实施方式相同的方法形成。例如,在利用丝网印刷法,在绝缘基板11用的陶瓷生片上印刷涂敷散热用金属层13用的导体膏来形成散热用金属层13以及缝隙15的情况下,只要将散热用金属层13的图案形成为散热用金属层13的一个端部侧的缝隙15的宽度大于散热用金属层13的另一个端部侧的缝隙15的宽度即可。
此外,若在俯视透视下,在比电子部件2更靠外侧的区域使缝隙15的宽度变大,则能够保持电子装置的散热性,并且能够容易使气体良好地发散。
第3实施方式的布线基板1与第1实施方式同样的,适合用于小型且高输出的电子装置中,能够良好地实现布线基板1的电连接。例如,能够适于用作作为电子部件2而搭载高发光的发光元件的发光元件搭载用的小型布线基板1。
第3实施方式的布线基板1能够使用与上述的第1实施方式的布线基板1同样的制造方法来制作。
(第4实施方式)
接着,参照图8,说明本发明的第4实施方式的电子装置。
在本发明的第4实施方式的布线基板中,与上述的实施方式的布线基板的不同点在于,如图8所示的例子那样,对于缝隙15的剖视时的缝隙15的宽度而言,散热用金属层13的外表面侧(下表面侧)的缝隙15的宽度大于绝缘基板11侧的缝隙15的宽度。
根据第4实施方式的布线基板1,由于对于缝隙15的剖视时的缝隙15的宽度而言,散热用金属层13的外表面侧(下表面侧)的缝隙15的宽度大于绝缘基板11侧的缝隙15的宽度,因此作为气体流路的缝隙15的纵剖面积大,能够使气体良好地发散,能够抑制在焊料6内包括空隙(void)的情况。
第4实施方式的布线基板1与第1实施方式同样地,适合使用在小型且高输出的电子装置中,能够良好地实现布线基板1的电连接。例如,能够适当用作作为电子部件2而搭载高发光的发光元件的发光元件搭载用的小型布线基板1。
第4实施方式的布线基板1能够使用与上述的第1实施方式的布线基板1相同的制造方法来制作。例如,在利用丝网印刷法,在绝缘基板11用的陶瓷生片上印刷涂敷散热用金属层13用的导体膏来形成散热用金属层13以及缝隙15的情况下,只要将散热用金属层13的图案形成为对于剖视时的缝隙15的宽度而言,缝隙15的下表面侧的缝隙15的宽度大于绝缘基板11侧的缝隙15的宽度即可。
(第5实施方式)
接着,参照图9,说明本发明的第5实施方式的电子装置。
在本发明的第5实施方式的电子装置中,与上述的第1实施方式的电子装置的不同点在于,缝隙15的开口部15a设置在矩形形状的绝缘基板11的四条边以及四个角部处,外部电极12与各个缝隙15的开口部15a对置地分别设置在绝缘基板11的四条边以及四个角部处。
在第5实施方式的布线基板1中,在图9(a)所示的例子中,与第1实施方式的布线基板1同样地用阴影示出了布线导体14。在图9(b)所示的例子中,与第1实施方式的布线基板1同样地分别用阴影示出了外部电极12以及散热用金属层13。
根据第5实施方式的布线基板1,与第1实施方式的布线基板1同样地,使散热性容易降低的缝隙15附近处向模块基板5的传热变得良好,抑制了热的偏重,从而能够抑制在布线基板1中产生形变,能够抑制散热用金属层13从绝缘基板11剥离、或者焊料6从散热用金属层13剥离的情况。
此外,缝隙15可以如图9所示那样使缝隙15的长度或者缝隙15的宽度不同。例如,在矩形形状的绝缘基板11的四个角部具有开口部15a的缝隙15可以使缝隙15的长度或者缝隙15的宽度大于在矩形形状的绝缘基板11的四个边具有开口部15a的缝隙15。由此,可以靠近电子部件2,减小容易大量传热的区域的缝隙15的宽度,使得从散热用金属层13向模块基板5的传热变得容易,并且使得向绝缘基板11的四个角部方向的气体的发散变得容易。
第5实施方式的布线基板1与第1实施方式同样得,适合用在小型且高输出的电子装置中,能够良好地实现布线基板1的电连接。例如,可适于用作作为电子部件2而搭载高发光的发光元件的发光元件搭载用的小型布线基板1。
第5实施方式的布线基板1能够使用与上述的第1实施方式的布线基板1相同的制造方法来制作。
本公开并不限于上述的实施方式的例子,能够进行各种变更。例如,虽然将外部电极12设置在了绝缘基板11的一个主面,但是也可以在绝缘基板11的侧面与一个主面之间设置切口,具有向切口的内表面延伸出外部电极12的所谓侧槽导体。
此外,在第1实施方式的布线基板1中,与第2实施方式的布线基板1同样地,可以将外部电极12还设置在与缝隙15的开口部15a对置的部位以外的位置处。
此外,第2实施方式的布线基板1或者第5实施方式的布线基板1虽然如图5或者图9所示那样,相对于矩形形状的绝缘基板11的一个边设置了一个缝隙15以及一个外部电极12,但是也可以相对于矩形形状的绝缘基板11的一个边,设置多个缝隙15以及多个外部电极12。
此外,第3实施方式的布线基板1的缝隙15的结构或者第4实施方式的布线基板1的缝隙15的结构可以应用于第1实施方式、或者第2实施方式、或者第5实施方式的布线基板1中的缝隙15中。此外,缝隙15可以是具有第3实施方式的布线基板1的缝隙15的结构、以及第4实施方式的布线基板1的缝隙15的结构各自的特长的缝隙15。
散热用金属层13与外部电极12以及布线导体14同样地,可以用作用于将搭载于布线基板1的电子部件2和模块基板5电连接的电极。在该情况下,散热用金属层13例如可以形成为经由布线导体14与外部电极12中的一个进行电连接。
此外,布线基板1可以是如下的布线基板1,即,在绝缘基板11的内部,在俯视下搭载电子部件2的区域以及与散热用金属层13重叠的区域中埋设了热传导率比绝缘基板11更出色的金属构件。
此外,如图9所示,布线基板1可以具有设置成被布线导体14夹持的电子部件搭载层16等布线以外的导体。在图9(a)所示的例子中用阴影示出了电子部件搭载层16。例如,这些导体能够利用与外部电极12、散热用金属层13以及布线导体14相同的材料以及方法来制作,在露出的表面被覆与外部电极12、散热用金属层13以及布线导体14相同的金属镀覆层。电子部件搭载层16例如用于搭载电子部件2。
此外,第1~第5实施方式的布线基板1分别形成为平板状的布线基板1,但是也可以是在另一个主面具有容纳电子部件2的腔室的布线基板1。
此外,在上述的例子中,虽然在布线基板1搭载了一个电子部件2,但是也可以是搭载多个电子部件2、例如多个发光元件的发光元件搭载用的布线基板1。在该情况下,散热用金属层13优选在俯视透视下与多个电子部件2的搭载区域重叠,并且大于多个电子部件2的搭载区域。
此外,布线基板1可以以多连片布线基板的方式来制作。
Claims (9)
1.一种布线基板,其特征在于,具有:
绝缘基板,具有主面;
多个外部电极,设置在该绝缘基板的主面且外缘部;以及
散热用金属层,是所述绝缘基板的主面上的散热用金属层,在俯视下面积比所述外部电极大,与所述外部电极相邻地设置该散热用金属层,且该散热用金属层具有多个缝隙,
所述多个缝隙在设于所述散热用金属层的外周缘的第1端部具有开口部且第2端部闭合,
各开口部与对应的外部电极对置,
与对应的开口部对置的各外部电极位于从对应的缝隙的所述第2端部经由所述第1端部而延伸的虚拟直线上,
与对应的开口部对置的各外部电极的中央部位于所述虚拟直线上。
2.根据权利要求1所述的布线基板,其特征在于,
所述外部电极是矩形形状,
所述外部电极的边被设置成与对应的缝隙的所述开口部相对。
3.根据权利要求1或2所述的布线基板,其特征在于,
所述多个缝隙被设置在俯视下以所述散热用金属层的中央部为中心的点对称的位置处。
4.根据权利要求3所述的布线基板,其特征在于,
多个所述外部电极被设置在俯视下以所述散热用金属层的中央部为中心的点对称的位置处。
5.根据权利要求1或2所述的布线基板,其特征在于,
所述绝缘基板具有电子部件的搭载区域,
所述多个缝隙被设置成在俯视透视下不与所述搭载区域重叠。
6.根据权利要求3所述的布线基板,其特征在于,
所述绝缘基板具有电子部件的搭载区域,
所述多个缝隙被设置成在俯视透视下不与所述搭载区域重叠。
7.根据权利要求4所述的布线基板,其特征在于,
所述绝缘基板具有电子部件的搭载区域,
所述多个缝隙被设置成在俯视透视下不与所述搭载区域重叠。
8.一种电子装置,其特征在于,具有:
权利要求1~7中任一项所述的布线基板;以及
搭载于该布线基板的电子部件。
9.一种电子模块,其特征在于,具有:
具有连接焊盘的模块基板;以及
经由焊料与所述连接焊盘连接的权利要求8所述的电子装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015-210924 | 2015-10-27 | ||
JP2015210924 | 2015-10-27 | ||
PCT/JP2016/081310 WO2017073486A1 (ja) | 2015-10-27 | 2016-10-21 | 配線基板、電子装置および電子モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108028232A CN108028232A (zh) | 2018-05-11 |
CN108028232B true CN108028232B (zh) | 2021-09-24 |
Family
ID=58630534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680054650.1A Active CN108028232B (zh) | 2015-10-27 | 2016-10-21 | 布线基板、电子装置以及电子模块 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10347557B2 (zh) |
EP (1) | EP3370254B1 (zh) |
JP (1) | JP6473829B2 (zh) |
CN (1) | CN108028232B (zh) |
WO (1) | WO2017073486A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6834762B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2021-02-24 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び電子部品 |
JP7121188B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2022-08-17 | 京セラ株式会社 | 素子用基板、発光素子モジュールおよび発光装置 |
CN116033646B (zh) * | 2022-07-15 | 2023-11-24 | 荣耀终端有限公司 | Pcb组件及电子设备 |
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-
2016
- 2016-10-21 WO PCT/JP2016/081310 patent/WO2017073486A1/ja active Application Filing
- 2016-10-21 US US15/761,977 patent/US10347557B2/en active Active
- 2016-10-21 EP EP16859716.9A patent/EP3370254B1/en active Active
- 2016-10-21 JP JP2017547773A patent/JP6473829B2/ja active Active
- 2016-10-21 CN CN201680054650.1A patent/CN108028232B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
US10347557B2 (en) | 2019-07-09 |
CN108028232A (zh) | 2018-05-11 |
EP3370254A1 (en) | 2018-09-05 |
EP3370254A4 (en) | 2019-06-26 |
EP3370254B1 (en) | 2020-11-25 |
US20180286777A1 (en) | 2018-10-04 |
JPWO2017073486A1 (ja) | 2018-07-19 |
WO2017073486A1 (ja) | 2017-05-04 |
JP6473829B2 (ja) | 2019-02-20 |
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Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |