JPWO2017073486A1 - 配線基板、電子装置および電子モジュール - Google Patents

配線基板、電子装置および電子モジュール Download PDF

Info

Publication number
JPWO2017073486A1
JPWO2017073486A1 JP2017547773A JP2017547773A JPWO2017073486A1 JP WO2017073486 A1 JPWO2017073486 A1 JP WO2017073486A1 JP 2017547773 A JP2017547773 A JP 2017547773A JP 2017547773 A JP2017547773 A JP 2017547773A JP WO2017073486 A1 JPWO2017073486 A1 JP WO2017073486A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal layer
slit
external electrode
wiring board
heat dissipation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017547773A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6473829B2 (ja
Inventor
晃一 川崎
晃一 川崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JPWO2017073486A1 publication Critical patent/JPWO2017073486A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6473829B2 publication Critical patent/JP6473829B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

配線基板は、主面を有する絶縁基板と、絶縁基板の主面かつ外縁部に設けられた外部電極と、絶縁基板の主面において、平面視で外部電極より面積が大きく、外部電極に隣接して設けられ、スリットを有した放熱用金属層とを有しており、スリットが放熱用金属層の外周縁に開口部を有しており、外部電極は、開口部と対向する位置に設けられている。

Description

本発明は、配線基板、電子装置および電子モジュールに関するものである。
従来、絶縁基板の主面に、モジュール基板と接合するための外部電極と放熱用金属層とを有する配線基板が知られている。外部電極と放熱用金属層との間にはんだを介して、配線基板とモジュール基板とが接合される（例えば、特開2005−191203号公報参照）。
また、このような配線基板においては、はんだにより接合する際に発生するガスを放出させるために電極にスリットを設けることがある。
しかしながら、近年は電子装置の高機能化に伴い、電子部品の発熱量が高くなってきている。放熱用金属層のスリットが大きいと、放熱用金属層の放熱性に偏りが生じやすくなり、配線基板に歪みが生じやすいものとなって、放熱用金属層が絶縁基板から、あるいははんだが放熱用金属層から剥がれることが懸念される。
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、主面を有する絶縁基板と、該絶縁基板の主面かつ外縁部に設けられた外部電極と、前記絶縁基板の主面において、平面視で前記外部電極より面積が大きく、前記外部電極に隣接して設けられ、スリットを有した放熱用金属層とを有しており、前記スリットが前記放熱用金属層の外周縁に開口部を有しており、前記外部電極は、前記開口部と対向する位置に設けられている。
本発明の一つの態様によれば、電子装置は、上記構成の配線基板と、該配線基板に搭載された電子部品とを有する。
本発明の一つの態様によれば、電子モジュールは、接続パッドを有するモジュール基板と、前記接続パッドにはんだを介して接続された上記構成の電子装置とを有する。
本発明の一つの態様による配線基板において、主面を有する絶縁基板と、絶縁基板の主面かつ外縁部に設けられた外部電極と、絶縁基板の主面において、平面視で外部電極より面積が大きく、外部電極に隣接して設けられ、スリットを有した放熱用金属層とを有しており、スリットが放熱用金属層の外周縁に開口部を有しており、外部電極は、開口部と対向する位置に設けられている。上記構成により、スリットを延長した仮想の延長部分と外部電極とが重なるものとなり、放熱性が低下しやすいスリットの近傍に外部電極が配置され、放熱用金属層および外部電極を介してモジュール基板への伝熱を良好なものとし、熱の偏りを抑制することで、配線基板に歪みが生じることを抑制し、放熱用金属層が絶縁基板から、あるいははんだが放熱用金属層から剥がれることを抑制することができる。
本発明の一つの態様による電子装置において、上記構成の配線基板と、配線基板に搭載された電子部品とを有していることによって、放熱性に優れ、モジュール基板との接合信頼性を良好なものとした電子装置とすることができる。
本発明の一つの態様による電子モジュールは、接続パッドを有するモジュール基板と、接続パッドにはんだを介して接続された上記構成の電子装置とを有していることによって、放熱性に優れ、かつ電子装置とモジュール基板との接合信頼性を良好なものとした、長期信頼性に優れたものとできる。
（ａ）は本発明の第１の実施形態における電子装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示した電子装置のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）はＢ−Ｂ線における断面図である。 図１（ｂ）に示した電子装置のＣ部における要部拡大下面図である。 図１における電子装置をモジュール基板に実装した電子モジュールを示す縦断面図である。 （ａ）は本発明の第２の実施形態における電子装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。 図５（ａ）に示した電子装置のＡ−Ａ線における断面図である。 本発明の第３の実施形態における電子装置を示す要部拡大下面図である。 本発明の第４の実施形態における電子装置を示す要部拡大縦断面図である。 （ａ）は本発明の第５の実施形態における電子装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
本発明のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態における電子装置は、図１〜図４に示すように、配線基板１と、配線基板１の上面に設けられた電子部品２とを含んでいる。電子装置は、図４に示すように、例えば電子モジュールを構成するモジュール基板５上にはんだ６を用いて接続される。
本実施形態における配線基板１は、主面を有する絶縁基板11と、絶縁基板11の主面かつ外縁部に設けられた外部電極12と、絶縁基板11の主面において、平面視で外部電極12より面積が大きく、外部電極12に隣接して設けられた放熱用金属層13を有している。配線基板１は、絶縁基板の主面および内部に設けられた配線導体14を有している。放熱用金属層13は、スリット15を有している。スリット15は、放熱用金属層13の外周縁に開口部15ａを有している。外部電極12は、開口部15ａと対向する位置に設けられている。図１〜図３において、配線基板１および電子装置は仮想のｘｙｚ空間におけるｘｙ平面に載置されている。図１〜図３において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に配線基板１等が使用される際の上下を限定するものではない。
第１の実施形態の配線基板１において、配線導体14は、図１（ａ）に示す例において、網掛けにて示している。外部電極12および放熱用金属層13は、図１（ｂ）に示す例において、それぞれ網掛けにて示している。
絶縁基板11は、一方主面（図１〜図３では下面）および他方主面（図１〜図３では上面）と、側面とを有している。絶縁基板11は、電子部品２の搭載領域17を含む上面を有しており、平面視すなわち主面に垂直な方向から見ると矩形の板状の形状を有している。絶縁基板11は電子部品２を支持するための支持体として機能し、上面中央部の搭載領域17上に、電子部品２が低融点ろう材または導電性樹脂等の接合部材を介して接着されて固定される。
絶縁基板11は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，窒化珪素質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。絶縁基板11は、例えば酸化アルミニウム質焼結体である場合であれば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して泥漿物を作製する。この泥漿物を、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等を採用してシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製する。次に、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに、セラミックグリーンシートを必要に応じて複数枚積層して生成形体を形成し、この生成形体を高温（約1600℃）で焼成することによって絶縁基板11が製作される。
外部電極12は、絶縁基板11の一方主面に設けられている。外部電極12は、はんだ６を介してモジュール基板５と接合するとともに、電子部品２とモジュール基板５の接続パッド51とを電気的に接続するためのものである。外部電極12は、例えば、図１〜図３に示すように、平面視にて絶縁基板11の４つの角部にそれぞれ設けられている。外部電極12は、平面視で、例えば、円形状、あるいは矩形状等の多角形状とすることができる。外部電極12は、例えば、10μｍ〜30μｍ程度の厚みに形成される。
放熱用金属層13は、絶縁基板11の一方主面に設けられている。放熱用金属層13は、外部電極12と同様に、はんだ６を介してモジュール基板５とを接合するとともに、配線基板１の熱をモジュール基板５に効率よく放熱するためのものである。放熱用金属層13は、例えば、図１〜図３に示すように、平面透視で電子部品２（搭載領域17）と重なるように絶縁基板11の一方主面の中央部に設けられている。また、放熱用金属層13は、図１〜図３に示すように、平面視で複数の外部電極12のそれぞれに隣接しており、複数の外部電極12に取り囲まれるように設けられている。放熱用金属層13は、平面視で、例えば、円形状、あるいは矩形状等の多角形状とすることができる。放熱用金属層13は、例えば、10μｍ〜30μｍ程度の厚みに形成される。なお、放熱用金属層13は、例えばグランド用の配線導体等に接続されてもよい。
また、放熱用金属層13は、例えば、図１〜図３に示されるように、平面透視にて、電子部品２よりも大きく形成しておくと、電子部品２の熱をモジュール基板５に良好に放熱することができる。
配線導体14は、絶縁基板11の主面および内部に設けられている。配線導体14は、外部電極12とともに、配線基板１に搭載された電子部品２とモジュール基板５とを電気的に接続するためのものである。配線導体14は、絶縁基板11の表面または内部に設けられた配線導体14と、絶縁基板11を構成する絶縁層を貫通して上下に位置する配線導体同士を電気的に接続する貫通導体とを含んでいる。絶縁基板11の主面に形成される配線導体14は、例えば、10μｍ〜30μｍ程度の厚みに形成される。
外部電極12および放熱用金属層13、配線導体14は、例えばタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等を主成分とする金属粉末メタライズである。例えば、絶縁基板11が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、Ｗ，ＭｏまたはＭｎ等の高融点金属粉末に適当な有機バインダーおよび溶媒等を添加混合して得たメタライズペーストを、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷法によって所定のパターンに印刷塗布して、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁基板11の所定位置に被着形成される。外部電極12および放熱用金属層13は、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートに外部電極12または放熱用金属層13となるメタライズペーストを印刷塗布し、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。配線導体14は、例えば、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートに配線導体14用のメタライズペーストをスクリーン印刷法等の印刷手段によって印刷塗布し、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。また、配線導体14が貫通導体である場合は、例えば、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートに金型またはパンチングによる打ち抜き加工またはレーザー加工等の加工方法によって貫通導体用の貫通孔を形成し、この貫通孔に貫通導体用のメタライズペーストを上記印刷手段によって充填しておき、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。メタライズペーストは、上述の金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、絶縁基板11との接合強度を高めるために、ガラス粉末、セラミック粉末を含んでいても構わない。
外部電極12および放熱用金属層13、配線導体14の絶縁基板11から露出する表面には、電気めっき法または無電解めっき法によって金属めっき層が被着される。金属めっき層は、ニッケル，銅，金または銀等の耐食性および接続部材との接続性に優れる金属から成るものであり、例えば厚さ0.5〜５μｍ程度のニッケルめっき層と0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが、あるいは厚さ１〜10μｍ程度のニッケルめっき層と0.1〜１μｍ程度の銀めっき層とが、順次被着される。これによって、外部電極12および放熱用金属層13、配線導体14が腐食することを効果的に抑制できるとともに、配線導体14と電子部品２との固着および配線導体14とボンディングワイヤ等の接続部材３との接合、ならびに外部電極12および放熱用金属層13とモジュール基板５に形成された接続用の接続パッド51との接合を強固にできる。
また、金属めっき層は、ニッケルめっき層／金めっき層に限られるものではなく、ニッケルめっき層／金めっき層／銀めっき層、あるいはニッケルめっき層／パラジウムめっき層／金めっき層等を含むその他の金属めっき層であっても構わない。
また、電子部品２が搭載される配線導体14上では、例えば上述のニッケルめっき層と金めっき層の下地層に、例えば、厚さ10〜80μｍ程度の銅めっき層を金属めっき層として被着させておくことにより、電子部品２の熱を銅めっき層を介して配線基板１側に良好に放熱させやすくしてもよい。
放熱用金属層13は、スリット15を有している。スリット15は、例えば、平面視で、放熱用金属層13を等しく分割するように配置されている。スリット15は、例えば、図２に示すように、矩形状の絶縁基板11の４つの角部の方向に向かって開口する開口部15ａを有しており、放熱用金属層13を４つの領域に等しく分割するような形状となっている。
このようなスリット15は、例えば、上述に示されるように、絶縁基板11用のセラミックグリーンシート上に放熱用金属層13用の導体ペーストをスクリーン印刷法によって印刷塗布する際に、放熱用金属層13のパターンを形成する際に、開口部15ａを有するスリット15を有する形状に印刷塗布することにより形成することができる。
また、円形状等の金属層を形成した後、切削加工やレーザー加工、あるいはエッチング加工等を用いて、金属層の一部を除去することで、開口部15ａを有するスリット15を有する放熱用金属層13として形成しても構わない。
ここで、スリット15の幅は、放熱用金属層13に金属めっき層を被着した状態において、平面視で40μｍ以上であると、放熱用金属層13とモジュール基板５とをはんだ６により接合する際に発生するガスを外部に良好に放出しやすくなる。また、放熱用金属層13とモジュール基板５とを接合した際の接合性や放熱性を考慮すると、スリット15の幅は、放熱用金属層13に金属めっき層を被着した状態において、平面視で200μｍ以下であることが好ましい。
また、スリット15は、例えば、放熱用金属層13の外周縁から放熱用金属層13の中央を除いた内側に向かう形状や屈曲部を有する形状であってもよいが、図１および図２に示される例のように、他方端側が放熱用金属層13の中央に向かって直線状に延びていると、放熱用金属層13とモジュール基板５とをはんだ６により接合する際に発生するガスが、放熱用金属層13の中央から外周縁に向かって放出されやすくなるので好ましい。
また、平面視におけるスリット15の幅は、放熱用金属層13の厚みよりも大きくなるようにしておくと、開口部15ａの近傍に外部電極12側から発生したガスをスリット15内でガスが滞留することを抑制しやすくなる。
また、外部電極12は、スリット15の開口部15ａと対向する位置に設けられている。上記構成により、スリット15を延長した仮想の延長部分と外部電極12とが重なるものとなり、放熱性が低下しやすいスリット15の近傍に外部電極12が配置され、放熱用金属層13および外部電極12を介してモジュール基板５への伝熱を良好なものとし、熱の偏りを抑制することで、配線基板１に歪みが生じることを抑制し、放熱用金属層13が絶縁基板11から、あるいははんだ６が放熱用金属層13から剥がれることを抑制することができる。
外部電極12とスリット15との間隔Ｗ２は、スリット15の幅Ｗ１以上であると、スリット15から外部電極12側に放出されたガスを、外部電極12と放熱用金属層13との間を介して良好に外部に放出させやすくすることができる。
また、図１に示される例のように、外部電極12は矩形状であり、外部電極12の辺が、スリット15の開口部15に対して相対するように設けられていると、スリット15の近傍で外部電極12の面積を大きいものとすることができ、放熱用金属層13および外部電極12を介してモジュール基板への伝熱を効果的なものとし、熱の偏りを効果的に抑制することで、配線基板１に歪みが生じることを効果的に抑制することができる。
配線基板１の上面に電子部品２を搭載することによって、電子装置を作製できる。配線基板１に搭載される電子部品２は、ＩＣチップまたはＬＳＩチップ等の半導体素子，発光素子，水晶振動子または圧電振動子等の圧電素子および各種センサ等である。例えば、電子部品２がワイヤボンディング型の半導体素子である場合には、半導体素子は、低融点ろう材または導電性樹脂等の接合部材によって、配線導体14上に固定された後、ボンディングワイヤ等の接続部材３を介して半導体素子の電極と配線導体14とが電気的に接続されることによって配線基板１に搭載される。これにより、電子部品２は外部電極12に電気的に接続される。また、例えば電子部品２がフリップチップ型の半導体素子である場合には、半導体素子は、はんだバンプ、金バンプまたは導電性樹脂（異方性導電樹脂等）等の接続部材３を介して、半導体素子の電極と配線導体14とが電気的および機械的に接続されることによって配線基板１に搭載される。また、配線基板１には、複数の電子部品２を搭載してもよいし、必要に応じて、抵抗素子または容量素子等の小型の電子部品を搭載してもよい。また、電子部品２は必要に応じて、樹脂またはガラス等からなる封止材４を用いて、樹脂、ガラス、セラミックスまたは金属等からなる蓋体等により封止される。
本実施形態の電子装置の外部電極12および放熱用金属層13が、図４に示すように、モジュール基板５の接続パッド51にはんだ６を介して接続されて、電子モジュールとなる。はんだ６は、絶縁基板11の外縁部にて外部電極12に、また、絶縁基板11の下面の中央を含むように放熱用金属層13に接合されていることから、外部からの応力が加わった場合に、外部電極またははんだ６にかかる応力を効果的に分散することが可能となる。また、はんだ６は内面電極13の切欠き部12の内側の端部から接続パッド51の外側の端部にかけて広がるように傾斜している、すなわちフィレットが形成されている。このような構成とすることにより、取り扱い時の外力等によって電子装置に応力が発生しても、広がるように傾斜しているはんだ６によって応力が分散されるものとなり、電子装置がモジュール基板５に強固に接続されるものとなって、接続信頼性が向上した電子モジュールとすることができる。
スリット15は、一方の端部に開口部15ａを有し、他方の端部が閉じており、外部電極12は、図３に示すように、他方の端部から一方の端部を介して延ばした仮想直線14ｂ上に位置するように設けられていると、スリット15を延長した仮想の延長部分の幅方向における半分以上と外部電極12とが重なるものとなり、放熱性が低下しやすいスリット15のより近傍に外部電極12が配置されるものとなり、放熱用金属層13および外部電極12を介してモジュール基板５への伝熱をより良好なものとし、熱の偏りをより抑制することで、配線基板１に歪みが生じることを抑制し、放熱用金属層13が絶縁基板11から、あるいははんだ６が放熱用金属層13から剥がれることをより抑制することができる。
スリット15は、例えば、図２に示すように、放熱用金属層13が平面視にて円形状である場合、１つのスリット15の長さ（一方の端部（開口部15ａ）から他方の端部までの長さ）は、放熱用金属層13の半径ｒの１／５〜１／２程度とすることが好ましい。また、放熱用金属層13が、例えば、平面視にて矩形状であり、放熱用金属層13の対角線の方向にスリットが形成される場合、１つのスリット15ａの長さは、放熱用金属層13の対角線の長さの１／10〜１／４程度とすることが好ましい。
外部電極12は、中央部が仮想直線14ｂ上に位置するように設けられていると、外部電極12が、仮想直線14ｂを挟んで両側に位置する部分の面積が同等となりやすく、スリット15の近傍でより均等に配置されるものとなり、放熱用金属層13および外部電極12を介してモジュール基板５への伝熱を良好なものとし、熱の偏りを効果的に抑制することで、配線基板１に歪みが生じることを抑制し、放熱用金属層13が絶縁基板11から、あるいははんだ６が放熱用金属層13から剥がれることを効果的に抑制することができる。
放熱用金属層13は、複数のスリット15を有しており、複数のスリット15は、平面視で放熱用金属層13の中央部を中心とした点対称（回転対称）となる位置に設けられていると、放熱性が低下しやすいスリット15による熱の偏りを効果的に抑制し、放熱用金属層13および外部電極12を介してモジュール基板５への伝熱を良好なものとすることができ、配線基板１に歪みが生じることを抑制し、放熱用金属層13が絶縁基板11から、あるいははんだ６が放熱用金属層13から剥がれることをより抑制することができる。
配線基板１が、図１（ｂ）に示すように、複数の外部電極12を有しており、複数の外部電極12は、平面視で放熱用金属層13の中央部を中心とした点対称（回転対称）となる位置に設けられていると、放熱性が低下しやすいスリット15による熱の偏りをより効果的に抑制し、スリット15の近傍に外部電極12が配置され、放熱用金属層13および外部電極12を介してモジュール基板５への伝熱を良好なものとし、熱の偏りをより効果的に抑制することで、配線基板１に歪みが生じることを抑制し、放熱用金属層13が絶縁基板11から、あるいははんだ６が放熱用金属層13から剥がれることを効果的に抑制することができる。
また、放熱用金属層13は、放熱用金属層13の厚みが外部電極12の厚みよりも大きいと、ガスの流路となるスリット15の縦断面積が大きいものとなるので、ガスの放出を良好なものとすることができるともに、放熱用金属層13からモジュール基板５への放熱を良好なものとすることができる。
また、スリット15が、平面透視で電子部品２の搭載領域17と重ならないように設けられていると、配線基板１の熱が放熱用金属層13からモジュール基板５へ良好に伝わるものとなり、配線基板１に歪みが生じることを抑制し、放熱用金属層13が絶縁基板11から、あるいははんだ６が放熱用金属層13から剥がれることを抑制することができる。
本実施形態１の配線基板１は、主面を有する絶縁基板11と、絶縁基板11の主面かつ外縁部に設けられた外部電極12と、絶縁基板11の主面において、平面視で外部電極12より面積が大きく、外部電極12に隣接して設けられ、スリット15を有した放熱用金属層13とを有しており、スリット15が放熱用金属層13の外周縁に開口部15ａを有しており、外部電極12は、開口部15ａと対向する位置に設けられている。上記構成により、スリット15を延長した仮想の延長部分と外部電極12とが重なるものとなり、放熱性が低下しやすいスリット15の近傍に外部電極12が配置され、放熱用金属層13および外部電極12を介してモジュール基板５への伝熱を良好なものとし、熱の偏りを抑制することで、配線基板１に歪みが生じることを抑制し、放熱用金属層13が絶縁基板11、あるいははんだ６が放熱用金属層13から剥がれることを抑制することができる。
本発明の一つの態様による電子装置において、上記構成の配線基板１と、配線基板１に搭載された電子部品２とを有していることによって、放熱性に優れ、モジュール基板５との接合信頼性を良好なものとした電子装置とすることができる。
本発明の一つの態様による電子モジュールは、接続パッド51を有するモジュール基板５と、接続パッド51にはんだ６を介して接続された上記構成の電子装置とを有していることによって、放熱性に優れ、かつ電子装置とモジュール基板５との接合信頼性を良好なものとした、長期信頼性に優れたものとできる。
本実施形態における配線基板１は、小型で高出力の電子装置において好適に使用することができ、配線基板１における電気的接続を良好に図ることができる。例えば、電子部品２として、高発光の発光素子を搭載する発光素子搭載用の小型の配線基板１として好適に用いることができる。
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態による電子装置について、図５および図６を参照しつつ説明する。
本発明の第２の実施形態における電子装置において、上記した第１の実施形態の電子装置と異なる点は、外部電極12が、矩形状の絶縁基板11の４辺の中央部においてもそれぞれ設けられている点である。スリット15は、開口部15ａが矩形状の絶縁基板11の４辺方向に向って開口している。
第２の実施形態の配線基板１において、配線導体14は、図５（ａ）に示す例において、第１の実施形態の配線基板１と同様に、網掛けにて示している。外部電極12および放熱用金属層13は、図５（ｂ）に示す例において、第１の実施形態の配線基板１と同様に、それぞれ網掛けにて示している。
本発明の第２の実施形態における配線基板１によれば、第１の実施形態の配線基板１と同様に、放熱性が低下しやすいスリット15の近傍に外部電極12が配置されるものとなり、放熱用金属層13および外部電極12を介してモジュール基板５への伝熱を良好なものとし、熱の偏りを抑制することで、配線基板１に歪みが生じることを抑制し、放熱用金属層13が絶縁基板11、あるいははんだ６が放熱用金属層13から剥がれることを抑制することができる。
外部電極12は、図５に示すように、スリット15の開口部15ａと対向する箇所以外にも設けておいても構わない。
例えば、図５に示すように、放熱用金属層13が、平面視にて円形状である場合、第１の実施形態と同様に、スリット15の長さ（一方の端部（開口部15ａ）から他方の端部までの長さ）は、放熱用金属層13の半径ｒの１／５〜１／２程度とすることが好ましい。また、放熱用金属層13が、例えば、平面視にて矩形状であり、放熱用金属層13の相対する辺の方向に向かってスリットが形成される場合、スリット15の長さは、放熱用金属層13の辺の長さの１／10〜１／４程度とすることが好ましい。
第２の実施形態の配線基板１においては、第１の実施形態１の配線基板１と比較して、外部電極12が矩形状の絶縁基板11の辺の中央部に設けられているので、スリット15の開口部15ａと、開口部15ａに対向するように絶縁基板11の外縁部に設けられている外部電極12との間隔がより小さくなるため、外部電極12からの放熱によって、スリット15における放熱性の低下をより良好なものとし、熱の偏りを抑制することで、配線基板１に歪みが生じることを抑制し、放熱用金属層13が絶縁基板から、あるいははんだ６が放熱用金属層13から剥がれることを抑制することができる。
第２の実施形態の配線基板１は、上述の第１の実施形態の配線基板１と同様の製造方法を用いて製作することができる。
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態による電子装置について、図７を参照しつつ説明する。
本発明の第３の実施形態における電子装置において、上記した第１の実施形態の電子装置と異なる点は、放熱用金属層13の他方の端部側におけるスリット15の幅よりも、放熱用金属層13の一方の端部側におけるスリット15の幅が大きくなっている、言い換えればスリット15の幅は、放熱用金属層13の外縁側の端部が内部側の端部より大きい点である。
第３の実施形態の配線基板１において、放熱用金属層13は、図７に示す例において、第１の実施形態の配線基板１と同様に、網掛けにて示している。
第３の実施形態における配線基板１において、スリット15は、放熱用金属層13の他方の端部側におけるスリット15の幅よりも、放熱用金属層13の一方の端部側におけるスリット15の幅が大きくなっていることから、放熱用金属層13の中央から外周縁側に向かってガスを良好に放出させることができる。また、スリット15の幅を一方の端部側から他方の端部側までの間を全体的に大きくする場合と比較して、放熱用金属層13の中央側の面積が確保されるので、放熱用金属層13とモジュール基板５とのはんだ６による接合性と、配線基板１からモジュール基板５への放熱性とを良好なものにすることができる。
このようなスリット15は、他方の端部側から一方の端部側に向かってスリット15の幅を段階的あるいは部分的に大きくしたり、放熱用金属層13の他方の端部側から一方の端部側に向かってスリット15の幅を漸次大きくすることで、放熱用金属層13の他方の端部側におけるスリット15の幅よりも放熱用金属層13の一方端側におけるスリット15の幅を大きくすることができる。なお、スリット15の幅が、放熱用金属層13の他方の端部側から放熱用金属層13の一方の端部側に向かって漸次大きくなっていると、放熱用金属層13とモジュール基板５とをはんだ６により接合する際に、はんだ６から発生したガスが外部にスムーズに放出されやすいものとなるので、はんだ６内にボイドが発生することを抑制することができる。
第３の実施形態における放熱用金属層13およびスリット15は、第１の実施形態と同様の方法により形成される。例えば、放熱用金属層13およびスリット15を、絶縁基板11用のセラミックグリーンシート上に放熱用金属層13用の導体ペーストをスクリーン印刷法によって印刷塗布により形成する場合、放熱用金属層13の他方の端部側におけるスリット15の幅よりも、放熱用金属層13の一方の端部側におけるスリット15の幅が大きくなるように放熱用金属層13のパターンを形成すれば良い。
また、平面透視において、電子部品２よりも外側の領域においてスリット15の幅を大きくしておくと、電子装置の放熱性を保持しつつ、ガスを良好に放出させやすくすることができる。
第３の実施形態の配線基板１は、第１の実施形態と同様に、小型で高出力の電子装置において好適に使用することができ、配線基板１における電気的接続を良好に図ることができる。例えば、電子部品２として、高発光の発光素子を搭載する発光素子搭載用の小型の配線基板１として好適に用いることができる。
第３の実施形態の配線基板１は、上述の第１の実施形態の配線基板１と同様の製造方法を用いて製作することができる。
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態による電子装置について、図８を参照しつつ説明する。
本発明の第４の実施形態における配線基板において、上記した実施形態の配線基板と異なる点は、図８に示される例のように、スリット15は、断面視したときのスリット15の幅が絶縁基板11側におけるスリット15の幅よりも放熱用金属層13の外表面側（下面側）におけるスリット15の幅が大きくなっている点である。
第４の実施形態の配線基板１によれば、スリット15は、断面視したときのスリット15の幅が絶縁基板11側におけるスリット15の幅よりも放熱用金属層13の外表面側（下面側）におけるスリット15の幅が大きくなっていることから、ガスの流路となるスリット15の縦断面積が大きいものとなるので、ガスの放出を良好なものとすることができ、はんだ６内にボイドが含まれるのを抑制することができる。
第４の実施形態の配線基板１は、第１の実施形態と同様に、小型で高出力の電子装置において好適に使用することができ、配線基板１における電気的接続を良好に図ることができる。例えば、電子部品２として、高発光の発光素子を搭載する発光素子搭載用の小型の配線基板１として好適に用いることができる。
第４の実施形態の配線基板１は、上述の第１の実施形態の配線基板１と同様の製造方法を用いて製作することができる。例えば、放熱用金属層13およびスリット15を、絶縁基板11用のセラミックグリーンシート上に放熱用金属層13用の導体ペーストをスクリーン印刷法によって印刷塗布により形成する場合、断面視したときのスリット15の幅が絶縁基板11側におけるスリット15の幅よりもスリット15の下面側におけるスリット15の幅が大きくなるように放熱用金属層13のパターンを形成すれば良い。
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態による電子装置について、図９を参照しつつ説明する。
本発明の第５の実施形態における電子装置において、上記した第１の実施形態の電子装置と異なる点は、スリット15の開口部15ａが、矩形状の絶縁基板11の４辺および４つの角部に設けられており、外部電極12が、それぞれのスリット15の開口部15ａに対向して、絶縁基板11の４辺および４つの角部にそれぞれ設けられている点である。
第５の実施形態の配線基板１において、配線導体14は、図９（ａ）に示す例において、第１の実施形態の配線基板１と同様に、網掛けにて示している。外部電極12および放熱用金属層13は、図９（ｂ）に示す例において、第１の実施形態の配線基板１と同様に、それぞれ網掛けにて示している。
第５の実施形態の配線基板１によれば、第１の実施形態の配線基板１と同様に、放熱性が低下しやすいスリット15の近傍におけるモジュール基板５への伝熱を良好なものとし、熱の偏りを抑制することで、配線基板１に歪みが生じることを抑制し、放熱用金属層13が絶縁基板11、あるいははんだ６が放熱用金属層13から剥がれることを抑制することができる。
また、スリット15は、図９に示すように、スリット15の長さまたはスリット15の幅を異ならせても構わない。例えば、矩形状の絶縁基板11の４つの角部に開口部15ａを有するスリット15は、矩形状の絶縁基板11の４つの辺に開口部15ａを有するスリット15よりもスリット15の長さあるいはスリット15の幅を大きくしても構わない。これにより、電子部品２に近く、大きく熱が伝熱しやすい領域のスリット15の幅を小さくし、放熱用金属層13からモジュール基板５への伝熱をしやすくし、かつ絶縁基板11の４つの角部方向へのガスの放出をしやすくしても構わない。
第５の実施形態の配線基板１は、第１の実施形態と同様に、小型で高出力の電子装置において好適に使用することができ、配線基板１における電気的接続を良好に図ることができる。例えば、電子部品２として、高発光の発光素子を搭載する発光素子搭載用の小型の配線基板１として好適に用いることができる。
第５の実施形態の配線基板１は、上述の第１の実施形態の配線基板１と同様の製造方法を用いて製作することができる。
本開示は、上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、外部電極12は、絶縁基板11の一方主面に設けられているが、絶縁基板11の側面と一方主面との間に切欠きが設けられており、切欠きの内面に外部電極12が延出された、いわゆるキャスタレーション導体を有していてもよい。
また、第１の実施形態の配線基板１において、第２の実施形態の配線基板１と同様に、外部電極12が、スリット15の開口部15ａと対向する箇所以外にも設けておいても構わない。
また、第２の実施形態の配線基板１、または第５の実施形態の配線基板１は、図５または図９に示すように、矩形状の絶縁基板11の１つの辺に対して、１つのスリット15および１つの外部電極12を設けているが、矩形状の絶縁基板11の１つの辺に対して、複数のスリット15および複数の外部電極12を設けていても構わない。
また、第３の実施形態の配線基板１におけるスリット15の構成、または第４の実施形態の配線基板１におけるスリット15の構成は、第１の実施形態、または第２の実施形態、あるいは第５の実施形態の配線基板１におけるスリット15に適用しても構わない。また、スリット15は、第３の実施形態の配線基板１におけるスリット15の構成、および第４の実施形態の配線基板１におけるスリット15の構成のそれぞれの特長を有したスリット15であっても構わない。
放熱用金属層13は、外部電極12および配線導体14と同様に、配線基板１に搭載された電子部品２とモジュール基板５とを電気的に接続するための電極として用いても構わない。この場合、放熱用金属層13は、例えば、配線導体14を介して外部電極12の１つと電気的に接続して形成していても構わない。
また、配線基板１は、絶縁基板11の内部に、絶縁基板11よりも熱伝導率に優れた金属部材を平面視で電子部品２が搭載される領域、および放熱用金属層13と重なる領域に埋設された配線基板１であってもよい。
また、図９に示すように、配線基板１は、配線導体14に挟まれるように設けられた電子部品搭載層16等の配線以外の導体を有していても構わない。電子部品搭載層16は、図９（ａ）に示す例において、網掛けにて示している。例えば、これらの導体は、外部電極12、放熱用金属層13および配線導体14と同様の材料および方法によって製作することができ、露出する表面には、外部電極12、放熱用金属層13および配線導体14と同様の金属めっき層が被着される。電子部品搭載層16は、例えば電子部品２の搭載用に用いられる。
また、第１〜第５の実施形態における配線基板１は、それぞれ平板状の配線基板１として形成しているが、他方主面に電子部品２が収容されるキャビティを有する配線基板１であっても構わない。
また、上述の例では、配線基板１には、１つの電子部品２が搭載されているが、複数の電子部品２、例えば、複数の発光素子が搭載される発光素子搭載用の配線基板１であっても構わない。この場合、放熱用金属層13は、平面透視にて、複数の電子部品２の搭載領域と重なるとともに、複数の電子部品２の搭載領域よりも大きいことが好ましい。
また、配線基板１は、多数個取り配線基板の形態で製作されていてもよい。

Claims (9)

  1. 主面を有する絶縁基板と、
    該絶縁基板の主面かつ外縁部に設けられた外部電極と、
    前記絶縁基板の主面において、平面視で前記外部電極より面積が大きく、前記外部電極に隣接して設けられ、スリットを有した放熱用金属層とを有しており、
    前記スリットが前記放熱用金属層の外周縁に開口部を有しており、
    前記外部電極は、前記開口部と対向する位置に設けられていることを特徴とする配線基板。
  2. 前記スリットは、一方の端部に前記開口部を有し、他方の端部が閉じており、
    前記外部電極は、前記他方の端部から前記一方の端部を介して延ばした仮想直線上に位置するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
  3. 前記外部電極は、中央部が前記仮想直線上に位置するように設けられていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
  4. 前記外部電極は矩形状であり、
    前記外部電極の辺が、前記スリットの前記開口部に対して相対するように設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板。
  5. 前記放熱用金属層は、複数の前記スリットを有しており、
    前記複数のスリットは、平面視で前記放熱用金属層の中央部を中心とした点対称となる位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板。
  6. 複数の前記外部電極を有しており、
    前記複数の外部電極は、平面視で前記放熱用金属層の中央部を中心とした点対称となる位置に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
  7. 前記絶縁基板は、前記電子部品の搭載領域を有しており、
    前記スリットが、平面透視で前記搭載領域と重ならないように設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の配線基板。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の配線基板と、
    該配線基板に搭載された電子部品とを有することを特徴とする電子装置。
  9. 接続パッドを有するモジュール基板と、
    前記接続パッドにはんだを介して接続された請求項８に記載の電子装置とを有することを特徴とする電子モジュール。
JP2017547773A 2015-10-27 2016-10-21 配線基板、電子装置および電子モジュール Active JP6473829B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015210924 2015-10-27
JP2015210924 2015-10-27
PCT/JP2016/081310 WO2017073486A1 (ja) 2015-10-27 2016-10-21 配線基板、電子装置および電子モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017073486A1 true JPWO2017073486A1 (ja) 2018-07-19
JP6473829B2 JP6473829B2 (ja) 2019-02-20

Family

ID=58630534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017547773A Active JP6473829B2 (ja) 2015-10-27 2016-10-21 配線基板、電子装置および電子モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10347557B2 (ja)
EP (1) EP3370254B1 (ja)
JP (1) JP6473829B2 (ja)
CN (1) CN108028232B (ja)
WO (1) WO2017073486A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6834762B2 (ja) * 2016-09-29 2021-02-24 豊田合成株式会社 発光装置及び電子部品
CN116033646B (zh) * 2022-07-15 2023-11-24 荣耀终端有限公司 Pcb组件及电子设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005012155A (ja) * 2003-05-26 2005-01-13 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2005191203A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2006060141A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Sharp Corp 印刷基板及びこれを用いた表面実装型半導体パッケージの実装方法
WO2009107835A1 (ja) * 2008-02-29 2009-09-03 日本電信電話株式会社 Ｍｅｍｓデバイスとその製造方法
JP2013084960A (ja) * 2011-10-11 2013-05-09 Led Engin Inc はんだ接合のための溝付き板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5410449A (en) * 1993-05-24 1995-04-25 Delco Electronics Corp. Heatsink conductor solder pad
JP4634230B2 (ja) * 2005-06-17 2011-02-16 株式会社オートネットワーク技術研究所 回路基板、電子部品及び電気接続箱
JP4821710B2 (ja) * 2007-06-14 2011-11-24 三菱電機株式会社 プリント配線板
JP2014220330A (ja) * 2013-05-07 2014-11-20 日立金属株式会社 光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュール
JP2016066699A (ja) * 2014-09-25 2016-04-28 京セラサーキットソリューションズ株式会社 複合配線基板およびその実装構造体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005012155A (ja) * 2003-05-26 2005-01-13 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2005191203A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2006060141A (ja) * 2004-08-23 2006-03-02 Sharp Corp 印刷基板及びこれを用いた表面実装型半導体パッケージの実装方法
WO2009107835A1 (ja) * 2008-02-29 2009-09-03 日本電信電話株式会社 Ｍｅｍｓデバイスとその製造方法
JP2013084960A (ja) * 2011-10-11 2013-05-09 Led Engin Inc はんだ接合のための溝付き板

Also Published As

Publication number Publication date
EP3370254A1 (en) 2018-09-05
EP3370254B1 (en) 2020-11-25
WO2017073486A1 (ja) 2017-05-04
CN108028232B (zh) 2021-09-24
CN108028232A (zh) 2018-05-11
JP6473829B2 (ja) 2019-02-20
US20180286777A1 (en) 2018-10-04
US10347557B2 (en) 2019-07-09
EP3370254A4 (en) 2019-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11145587B2 (en) Electronic component mounting substrate, electronic device, and electronic module
JP6194104B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
JP6767204B2 (ja) 電子部品搭載用基板、電子装置および電子モジュール
JP6698826B2 (ja) 電子部品搭載用基板、電子装置および電子モジュール
JP6473829B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
JP6431191B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
JP2017152433A (ja) 電子部品搭載用基板、電子装置および電子モジュール
JP2023071984A (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
JP6698301B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
JP6780996B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
WO2018155434A1 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
JP6737646B2 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
US10937707B2 (en) Wiring substrate, electronic device, and electronic module
US20210066180A1 (en) Electronic component mounting substrate, electronic device, and electronic module
WO2016152905A1 (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール
JP6595308B2 (ja) 電子部品搭載用基板、電子装置および電子モジュール
JP6633381B2 (ja) 電子部品搭載用基板、電子装置および電子モジュール
JP2005244149A (ja) 配線基板
JP2018014454A (ja) 配線基板、電子装置および電子モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180313

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181101

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181227

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190128

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6473829

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150