JPWO2018150556A1 - 電子装置及び接続子 - Google Patents

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宗一郎 梅田
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雄司 森永
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    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
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Abstract

電子装置は、封止部９０と、前記封止部９０内に設けられた電子素子９５と、前記封止部９０から外方に突出する第一端子と、前記電子素子９５のおもて面に導電性接着剤７５を介して接続されるヘッド部４０及び前記第一端子に導体層７０を介して接続される基端部４５を有する接続子５１と、を有している。前記ヘッド部４０は、前記電子素子９５側に突出する一つの第一凸部４１を有している。前記第一凸部４１は、前記導電性接着剤７５に対して沈み込み、前記電子素子９５の前記おもて面に点で接触している。前記基端部４５は、前記導体層７０に接触する複数の突出部４９又は前記導体層７０に接触する支持面４６を有している。

Description

本発明は、電子装置及び接続子に関する。
従来から、半導体素子を基板の導体層上に載置し、当該半導体素子のおもて面と端子とをはんだ等の導電性接着剤を介して接続子で接続することが知られている（特開２０１５−１２０６５号）。大容量の電流を半導体装置内に流す場合には接続子の大きさが大きくなる。このように大きな接続子を用いた場合には、導電性接着剤に対して接続子が沈み込み、ヘッド部側で接続子と半導体素子とが接触することがあるが、信頼性を高めるためには、はんだ等の導電性接着剤の厚みを確保する必要がある。
本発明は、このような点に鑑み、接続子のヘッド部が導電性接着剤に対して沈み込むような場合であっても、ヘッド部側での導電性接着剤の厚みを確保しつつバランスを崩すことを防止できる信頼性の高い電子装置と、このような電子装置に用いられる接続子を提供する。
本発明の一例による電子装置は、
封止部と、
前記封止部内に設けられた電子素子と、
前記封止部から外方に突出する第一端子と、
前記電子素子のおもて面に導電性接着剤を介して接続されるヘッド部及び前記第一端子に導体層を介して接続される基端部を有する接続子と、
を備え、
前記ヘッド部が、前記電子素子側に突出する一つの第一凸部を有し、
前記第一凸部が、前記導電性接着剤に対して沈み込み、前記電子素子の前記おもて面に点で接触し、
前記基端部が、複数の突出部又は支持面を有する。
本発明の一例による電子装置において、
前記基端部は、前記導体層に導電性接着剤を介して接続され、
前記基端部は、前記支持面と、前記支持面の周縁に設けられた凹部と、を有してもよい。
本発明の一例による電子装置において、
前記基端部は、おもて面側に曲がって延びた屈曲部を有し、
前記凹部は、少なくとも前記屈曲部までおもて面側に延びてもよい。
本発明の一例による電子装置において、
前記ヘッド部は、前記電子素子側に突出する第二凸部を有し、
前記第一凸部は、前記第二凸部から前記電子素子側に突出してもよい。
本発明の一例による電子装置において、
前記基端部は前記支持面を有し、
前記基端部の幅方向の中心と前記ヘッド部の幅方向の中心とを結んだ直線を第一方向とした場合に、前記支持面の前記第一方向に沿った長さは前記第二凸部の前記第一方向に沿った長さよりも短くてもよい。
本発明の一例による電子装置において、
前記第一凸部は、前記ヘッド部の幅方向の中心に位置付けられてもよい。
本発明の一例による電子装置において、
前記第一凸部は、その根元側に位置し、縦断面形状が直線となった直線部と、前記直線部の先端側に位置し、縦断面形状が半球又は円弧となった半球形状部と、を有してもよい。
本発明の一例による接続子は、
封止部と、前記封止部内に設けられた電子素子と、前記封止部から外方に突出する第一端子と、を有する電子装置に用いられる接続子であって、
前記電子素子のおもて面に導電性接着剤を介して接続されるヘッド部と、
前記第一端子に導体層を介して接続される基端部と、
を備え、
前記ヘッド部は、前記電子素子側に突出する一つの第一凸部を有し、
前記第一凸部は、前記導電性接着剤に対して沈み込み、前記電子素子の前記おもて面に点で接触するようになっており、
前記基端部は、前記導体層に接触する複数の突出部又は前記導体層に接触する支持面を有する。
本発明によれば、接続子の重さによってヘッド部が導電性接着剤に対して沈み込む場合であっても、電子素子のおもて面に点で接触する一つの第一凸部が設けられ、かつ、基端部が複数の突出部又は支持面を有している。このため、ヘッド部側での導電性接着剤の厚みを確保しつつバランスを崩すことを防止できる信頼性の高い電子装置と、このような電子装置に用いられる接続子を提供できる。
図１は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置の斜視図である。 図２は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置において、封止部を除去した態様を示した斜視図である。 図３は、図２において、接続子の近辺を拡大した側方図である。 図４は、本発明の第１の実施の形態で用いられる接続子を示した側方図である。 図５は、本発明の第１の実施の形態で用いられる接続子を示した底面図である。 図６は、本発明の第１の実施の形態で用いられる第一凸部の一態様を示した側方図である。 図７は、本発明の第１の実施の形態で用いられる第一凸部の別の態様を示した側方図である。 図８は、ヘッド部の一変形例を示した底面図である。 図９は、ヘッド部の別の変形例を示した底面図である。 図１０は、本発明の第１の実施の形態で用いられる接続子の変形例を示した底面図である。 図１１は、本発明の第１の実施の形態で用いられる接続子の第一凸部が導電性接着剤に沈み込んで半導体素子に接触する態様を示した側方図である。 図１２は、本発明の第１の実施の形態の変形例で用いられる接続子の第一凸部が導電性接着剤に沈み込んで半導体素子に接触する態様を示した側方図である。 図１３は、本発明の第２の実施の形態で用いられる接続子の基端部を示した底面図である。
第１の実施の形態
《構成》
図２に示すように、本実施の形態の電子装置の一例である半導体装置は、例えば絶縁性材料からなる基板５と、基板５上に設けられ、銅等からなる導体層７０と、を有してもよい。基板５の裏面には、銅等からなる放熱板７９（図３参照）が設けられてもよい。図２に示すように、半導体装置は、封止樹脂等からなる封止部９０（図１参照）と、封止部９０内に設けられた半導体素子９５と、封止部９０から外方に突出する第一主端子１１と、封止部９０から外方に突出する第二主端子１２と、を有してもよい。図３に示すように、半導体装置は、半導体素子９５のおもて面にはんだ等の導電性接着剤７５を介して接続されるヘッド部４０及び第一主端子１１に導体層７０を介して接続される基端部４５を有する接続子５１を有してもよい。
本実施の形態では、電子装置として半導体装置を用い、電子素子として半導体素子９５を用いて説明するが、これに限られるものではなく、特に「半導体」である必要はない。
図２に示す態様では、導体層７０に第二主端子１２が接続され、第二主端子１２は半導体素子９５の裏面と導体層７０を介して接続されている。第二主端子１２の導体層７０との接続箇所の周縁には、はんだ等の導電性接着剤が流れ出るのを防止するためのレジスト（図示せず）が設けられてもよい。半導体素子９５の裏面と導体層７０とは、はんだ等の導電性接着剤を介して接続されてもよい。
図５に示すように、ヘッド部４０は、半導体素子９５側に突出する一つの第一凸部４１を有している。第一凸部４１は、導電性接着剤７５に対して沈み込み、半導体素子９５のおもて面に点で接触する（図１１及び図１２参照）。基端部４５は、導体層７０に接触する又は導体層７０上の導電性接着剤７５に設けられる支持面４６を有してもよい。なお、本実施の形態における「点」は一定の面積を有していてもよく、第一凸部４１が半導体素子９５のおもて面に点で接触するとは、第一凸部４１のうち、最も半導体素子９５のおもて面側の部分が半導体素子９５のおもて面に接触することを意味している。
図２に示す半導体素子９５は、第一主端子１１におもて面が電気的に接続され、第二主端子１２に裏面が電気的に接続されている。本実施の形態では、封止部９０から外方に突出し、ソース側のセンシングのために用いられるおもて面側のセンシング端子１３（以下「おもて面側センシング端子１３」という。）が設けられている。本実施の形態では、第一端子として主電流が流れる第一主端子１１を用いて説明し、第二端子として主電流が流れるおもて面側センシング端子１３を用いて説明するが、これに限られることはない。第一端子に主電流が流れない態様を採用することもできるし、第二端子がセンシングために用いられない態様を用いることもできる。おもて面側センシング端子１３は図示しないワイヤ等によって、基端部４５に電気的に接続されている。
図４及び図５に示すように、基端部４５は、支持面４６と、支持面４６の周縁に設けられた凹部４７と、を有してもよい。凹部４７は、支持面４６の全体を取り囲むように設けられてもよいが、図５に示すように、支持面４６のうち、基端側の３辺を連続的に取り囲むようにして形成されてもよい。また、凹部４７は、支持面４６を連続的にではなく断続的に取り囲むように形成されてもよい。また、基端部４５はおもて面側（図３の上方側）に曲がって延びた屈曲部４８を有してもよい。凹部４７は、支持面４６からおもて面側に延びた屈曲部４８に沿っておもて面側に延びてもよい。このように凹部４７が屈曲部４８に沿っておもて面側に延びている態様を採用した場合には、屈曲部４８に設けられた凹部４７に沿って導電性接着剤を設けることができ、フェレットを形成しやすくなる点で有益である。
ヘッド部４０は、図４及び図５に示すように、半導体素子９５側に突出する第二凸部４２を有してもよいし、図１０に示すように第二凸部４２を有していなくてもよい。第一凸部４１及び第二凸部４２の各々が一つだけ設けられた態様となってもよいが、図８及び図９に示すように、第一凸部４１及び第二凸部４２の各々が複数設けられてもよい。また、図８及び図９に示すように、複数設けられた第二凸部４２のうち一部では第一凸部４１が設けられていない態様であってもよい。
基端部４５の幅方向（図５の上下方向）の中心とヘッド部４０の幅方向の中心とを結んだ直線を第一方向（図５の左右方向）とした場合に、支持面４６の第一方向に沿った長さは第二凸部４２の第一方向に沿った長さよりも短くなっていてもよい（図５参照）。
第一凸部４１は、ヘッド部４０の幅方向の中心に位置付けられてもよい。
第一主端子１１及び第二主端子１２は、大容量の電流（例えば２００Ａ〜３００Ａ以上）が流れるパワー端子であってもよい。第一主端子１１及び第二主端子１２がこのようなパワー端子である場合には、接続子５１に流れる電流が大きくことから、接続子５１の大きさが大きくなる。このため、接続子５１が導電性接着剤７５に沈み込んでしまうことが起こりやすい。
図１に示す態様では、封止部９０の一方側の側面から、第二主端子１２、おもて面側センシング端子１３、裏面側センシング端子１４及び制御端子１５が外方から突出し、封止部９０の他方側の側面から第一主端子１１が外方に突出している。第一主端子１１、第二主端子１２、おもて面側センシング端子１３、裏面側センシング端子１４及び制御端子１５はおもて面側に曲げられ、おもて面側に設けられた制御基板５と接続されるようになっている。この制御基板５は、半導体素子９５を制御するために用いられるものである。
半導体装置の封止部９０内の構造は線対称となっていてもよい。一例としては、第一主端子１１、第二主端子１２、おもて面側センシング端子１３、裏面側センシング端子１４、制御端子１５及び導体層７０の各々が、任意の直線に対して線対称となるようにして配置されてもよい。なお、図２にはワイヤ１９も示されている。
《作用・効果》
次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果について説明する。
本実施の形態によれば、接続子５１の重さによってヘッド部４０が導電性接着剤７５に対して沈み込む場合であっても、半導体素子９５のおもて面に点で接触する一つの第一凸部４１が設けられ、かつ、基端部４５が支持面４６を有している。このため、ヘッド部４０側での導電性接着剤７５の厚みを確保しつつバランスを崩すことを防止できる。
図５及び図１０に示すように、第一凸部４１が１つだけ設けられている態様を採用した場合には、第一凸部４１が設けられていない箇所に導電性接着剤７５を位置付けることができ、導電性接着剤７５によってヘッド部４０を半導体素子９５に対してより確実に固定できる点で有益である。
基端部４５は、支持面４６で導体層７０に接触するか又は（硬化する前の）導電性接着剤７５にバランスよく浮くことができる。支持面４６が導体層７０に接触する場合には、より確実に、接続子５１のバランスが崩れることを防止できる。他方、支持面４６が導電性接着剤７５に浮いている場合には、導電性接着剤７５が固まったときに、基端部４５と導体層７０とをより確実に接着できる。
基端部４５が導体層７０にはんだ等の導電性接着剤７５を介して接続される態様において、基端部４５が、図５に示すように、支持面４６と、支持面４６の周縁に設けられた凹部４７とを有する態様を採用した場合には、凹部４７に導電性接着剤７５を入れ込むことができ、導電性接着剤７５によるフィレット（例えばはんだフェレット）を形成しやすくできる。このため、導電性接着剤７５の量が不十分となって、導電性接着剤７５が硬化した後で、ひび等が入ってしまうことを防止できる。特に支持面４６が導体層７０に接触するほど接続子５１が重い場合には、このような凹部４７を設けることで、導電性接着剤７５によって基端部４５と導体層７０とを接着できる点で有益である。また、このような場合には、図４に示すように、凹部４７が屈曲部４８に沿っておもて面側に延びている態様を採用することも有益である。
図５に示すように、ヘッド部４０が半導体素子９５側に突出する第二凸部４２を有し、第一凸部４１が第二凸部４２から半導体素子９５側に突出する態様を採用した場合には、第一凸部４１が設けられていない箇所ではんだ等の導電性接着剤７５の厚みを一定程度厚くすることができ、さらに第一凸部４１及び第二凸部４２が設けられていない箇所で導電性接着剤７５の厚みをさらに厚くすることができる。特に接続子５１の重さによってヘッド部４０が導電性接着剤７５に対して沈み込み、第一凸部４１と半導体素子９５のおもて面とが接触する態様においては、第一凸部４１及び第二凸部４２の厚み（高さ）を適切な値にすることで、ヘッド部４０と半導体素子９５のおもて面との間に適切な厚みの導電性接着剤７５を設けることができる。また、第二凸部４２の幅を適切な値にすることで、電流経路の幅を確保することができる。
また、半導体素子９５のおもて面に塗布できる導電性接着剤７５の量や、半導体素子９５のおもて面に載置できるヘッド部４０の大きさに制約がある。この点、導電性接着剤７５と必要な接触面積分だけの（面内方向の）大きさからなる第二凸部４２を設けることで、導電性接着剤７５との適切な接触面積を確保でき、導電性接着剤７５の量を適切なものにすることができる。
支持面４６の第一方向に沿った長さを第二凸部４２の第一方向に沿った長さよりも短くする態様を採用することで（図５参照）、基端部４５の大きさを小さくすることができる。また、第一方向に沿った長さに関して、第二凸部４２と比較して短くしながらも第一凸部４１と比較して長くすることで、支持面４６によってバランスを崩さないようにすることができる。
第一凸部４１がヘッド部４０の幅方向の中心に位置付けられる態様を採用することで、ヘッド部４０が幅方向で傾くことを防止できる。特に接続子５１の重さによってヘッド部４０が導電性接着剤７５に対して沈み込み、第一凸部４１と半導体素子９５のおもて面とが接触する態様においては、第一凸部４１を中心として幅方向でヘッド部４０が傾いてしまう可能性がある。この点、この態様を採用することで、幅方向でヘッド部４０が傾いてしまう可能性を低減できる。
図６及び図７に示すように、第一凸部４１が、その根元側に位置し、縦断面形状が直線となった直線部４１ａと、直線部４１ａの先端側に位置し、縦断面形状が半球又は円弧となった半球形状部４１ｂとを有する態様を採用した場合には、半球形状部４１ｂにおける径を小さくことができる。このため、ヘッド部４０が導電性接着剤７５に沈み込んで第一凸部４１が半導体素子９５のおもて面と接触する場合でも、より小さな面積（点）で第一凸部４１と半導体素子９５のおもて面とを接触させることができる。この結果、ヘッド部４０と半導体素子９５のおもて面との間に位置する導電性接着剤７５を増やすことができ、ひいては、硬化した際に導電性接着剤７５にクラックが入る等の不具合が発生することを未然に防止できる。
図７に示すように、直線部４１ａとして先端に向かって幅の狭くなったテーパー状となっている態様を採用した場合には、先端側で導電性接着剤７５を増やすことができる。このため、半導体素子９５に近い先端側において、硬化した際に導電性接着剤７５にクラックが入る等の不具合が発生することを未然に防止できる。また、先端側に向かって徐々に導電性接着剤７５の量を増やすことができるので、第一凸部４１の周りに均等かつ確実に導電性接着剤７５を位置付けることができる。このため、接続子５１の重さによってヘッド部４０が導電性接着剤７５に対して沈み込み、第一凸部４１と半導体素子９５のおもて面とが接触する態様であっても、ヘッド部４０が傾いてしまう可能性を低減できる。なお、図６に示すように、直線部４１ａは円柱形状となっていてもよい。
第２の実施の形態
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
第１の実施の形態では、接続子５１の基端部４５が導体層７０に接触する支持面４６を有する態様を用いて説明したが、第２の実施の形態では、図１３に示すように、接続子５１の基端部４５が導体層７０に接触する複数の突出部４９を有する態様となっている。
その他の構成は、第１の実施の形態と同様である。第２の実施の形態において、第１の実施の形態と同じ又は同様の部材等については同じ符号を付し、その説明を省略する。本実施の形態でも、第１の実施の形態によって実現される効果と同様の効果を得ることができる。
つまり、本実施の形態によれば、接続子５１の重さによってヘッド部４０が導電性接着剤７５に対して沈み込む場合であっても、半導体素子９５のおもて面に点で接触する一つの第一凸部４１が設けられ、かつ、基端部４５が導体層７０に接触する複数の突出部４９を有している。このため、ヘッド部４０側での導電性接着剤７５の厚みを確保しつつバランスを崩すことを防止できる。
なお、突出部４９の数は２つ以上であればよい。突出部４９が２つだけの場合には、基端部４５の幅方向の中心を通過する直線（第一方向で延在する直線）に対して線対称又は点対象に突出部４９が設けられてもよい。また、突出部４９が多数設けられている場合でも、基端部４５の幅方向の中心を通過する直線（第一方向で延在する直線）に対して線対称又は点対象に突出部４９が設けられてもよい。
最後になったが、上述した各実施の形態の記載、変形例の記載及び図面の開示は、請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。また、出願当初の請求項の記載はあくまでも一例であり、明細書、図面等の記載に基づき、請求項の記載を適宜変更することもできる。
１１ 第一端子（第一主端子）
１３ 第二端子（おもて面側センシング端子）
４０ ヘッド部
４１ 第一凸部
４２ 第二凸部
４５ 基端部
４６ 支持面
４７ 凹部
４９ 突出部
７０ 導体層
７５ 導電性接着剤
９０ 封止部
９５ 半導体素子（電子素子）

Claims (8)

  1. 封止部と、
    前記封止部内に設けられた電子素子と、
    前記封止部から外方に突出する第一端子と、
    前記電子素子のおもて面に導電性接着剤を介して接続されるヘッド部及び前記第一端子に導体層を介して接続される基端部を有する接続子と、
    を備え、
    前記ヘッド部は、前記電子素子側に突出する一つの第一凸部を有し、
    前記第一凸部は、前記導電性接着剤に対して沈み込み、前記電子素子の前記おもて面に点で接触し、
    前記基端部は、複数の突出部又は支持面を有することを特徴とする電子装置。
  2. 前記基端部は、前記導体層に導電性接着剤を介して接続され、
    前記基端部は、前記支持面と、前記支持面の周縁に設けられた凹部と、を有することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
  3. 前記基端部は、おもて面側に曲がって延びた屈曲部を有し、
    前記凹部は、少なくとも前記屈曲部までおもて面側に延びていることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
  4. 前記ヘッド部は、前記電子素子側に突出する第二凸部を有し、
    前記第一凸部は、前記第二凸部から前記電子素子側に突出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子装置。
  5. 前記基端部は前記支持面を有し、
    前記基端部の幅方向の中心と前記ヘッド部の幅方向の中心とを結んだ直線を第一方向とした場合に、前記支持面の前記第一方向に沿った長さは前記第二凸部の前記第一方向に沿った長さよりも短いことを特徴とする請求項４に記載の電子装置。
  6. 前記第一凸部は、前記ヘッド部の幅方向の中心に位置付けられることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子装置。
  7. 前記第一凸部は、その根元側に位置し、縦断面形状が直線となった直線部と、前記直線部の先端側に位置し、縦断面形状が半球又は円弧となった半球形状部と、を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子装置。
  8. 封止部と、前記封止部内に設けられた電子素子と、前記封止部から外方に突出する第一端子と、を有する電子装置に用いられる接続子であって、
    前記電子素子のおもて面に導電性接着剤を介して接続されるヘッド部と、
    前記第一端子に導体層を介して接続される基端部と、
    を備え、
    前記ヘッド部は、前記電子素子側に突出する一つの第一凸部を有し、
    前記第一凸部は、前記導電性接着剤に対して沈み込み、前記電子素子の前記おもて面に点で接触するようになっており、
    前記基端部は、前記導体層に接触する複数の突出部又は前記導体層に接触する支持面を有することを特徴とする接続子。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101954393B1 (ko) * 2017-02-20 2019-03-05 신덴겐코교 가부시키가이샤 전자 장치
CN112289764A (zh) * 2020-09-21 2021-01-29 西安中车永电电气有限公司 Igbt电极焊接脚结构、igbt模块及焊接方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63170961U (en) * 1986-12-04 1988-11-07 Fuji Electric Co Let Semiconductor element
JPH02126659A (ja) * 1988-09-09 1990-05-15 Motorola Inc 湾曲ボンディング・リードを有する半導体デバイスおよびその形成方法
JP2003078093A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Hitachi Unisia Automotive Ltd 半導体装置
WO2012127696A1 (ja) * 2011-03-24 2012-09-27 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール及びパワーユニット装置
WO2016084483A1 (ja) * 2014-11-27 2016-06-02 新電元工業株式会社 リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60129136U (ja) 1984-02-03 1985-08-30 新電元工業株式会社 半導体装置
JP3780061B2 (ja) * 1997-04-17 2006-05-31 株式会社日立製作所 面実装型半導体装置
JP5018013B2 (ja) 2006-10-25 2012-09-05 富士電機株式会社 樹脂封止半導体装置
JP5270614B2 (ja) * 2010-05-24 2013-08-21 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5542627B2 (ja) 2010-11-11 2014-07-09 新電元工業株式会社 接続板、接合構造及び半導体装置
JP2015012065A (ja) 2013-06-27 2015-01-19 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP5930565B1 (ja) * 2014-08-12 2016-06-08 新電元工業株式会社 半導体モジュール
JP6385234B2 (ja) * 2014-10-16 2018-09-05 三菱電機株式会社 半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63170961U (en) * 1986-12-04 1988-11-07 Fuji Electric Co Let Semiconductor element
JPH02126659A (ja) * 1988-09-09 1990-05-15 Motorola Inc 湾曲ボンディング・リードを有する半導体デバイスおよびその形成方法
JP2003078093A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Hitachi Unisia Automotive Ltd 半導体装置
WO2012127696A1 (ja) * 2011-03-24 2012-09-27 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール及びパワーユニット装置
WO2016084483A1 (ja) * 2014-11-27 2016-06-02 新電元工業株式会社 リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法

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