JPWO2018150547A1 - レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
2.極端紫外光生成システムの説明
2.1 全体構成
2.2 動作
3.比較例の戻り光モジュールの説明
3.1 構成
3.2 動作
3.3 課題
4.実施形態1の戻り光モジュールの説明
4.1 構成
4.2 動作
4.3 作用・効果
4.4 変形例
5.実施形態2の戻り光モジュールの説明
5.1 構成
5.2 動作
5.3 作用・効果
6.実施形態3の戻り光モジュールの説明
6.1 構成
6.2 動作
6.3 作用・効果
7.実施形態4の戻り光モジュールの説明
7.1 構成
7.2 動作
7.3 作用・効果
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。
なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
本開示の実施形態は、極端紫外線(EUV:Extreme UltraViolet)と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置と、その光を生成するために用いられるレーザ装置とに関するものである。なお、以下本明細書では、極端紫外光をEUV光という場合があり、EUV光を生成するためのコントローラをEUV光生成制御部という場合がある。
2.1 全体構成
図1は、極端紫外光生成システムの全体の概略構成例を示す模式図である。図1に示すように、EUV光生成システム100は、極端紫外光生成装置1及びレーザ装置2を有するシステムである。EUV光生成システム100は、露光装置3と共に用いられる。
露光装置3から出力されるバースト信号S1と、ターゲットセンサ15から出力されるドロップレット関連信号S15とは、EUV光生成制御部16に入力される。EUV光生成制御部16は、バースト信号S1やドロップレット関連信号S15等に基づいてターゲット供給部12を制御し、ドロップレットDLが出力されるタイミング、ドロップレットDLの出力方向等を調整する。また、EUV光生成制御部16は、バースト信号S1及びドロップレット関連信号S15に基づいて、バースト動作するよう発光トリガ信号S16をレーザ制御部70に出力する。
次に、比較例の戻り光モジュールを説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
図2は、比較例の戻り光モジュールの構成を示す模式図である。図2に示すように、比較例の戻り光モジュール50は、上記のようにビームスプリッタBS及び光センサ51を含む。また、比較例の戻り光モジュール50は、集光レンズ52を更に含む。集光レンズ52は、ビームスプリッタBSと光センサ51との間に配置される。この集光レンズ52の集光位置Pに光センサ51の受光面51Aが配置される。
上記のように、ビームスプリッタBSに進む戻り光L2の一部は、ビームスプリッタBSを透過することでレーザ光L1の光路から分離される。レーザ光L1の光路から分離された戻り光L2は、集光レンズ52で光センサ51の受光面51Aに集光される。光センサ51は、受光面51Aに集光される戻り光L2のパワーに関連する情報を検出する。
集光レンズ52で光センサ51の受光面51Aに集光された戻り光L2の一部は、図2において実線で示すように、受光面51Aで戻り光L3として反射される場合がある。この場合、光センサ51の受光面51Aが集光レンズ52の集光位置Pに配置されているため、受光面51Aで反射される殆どの戻り光L3がレーザ光L1の光路に入り易い。
4.1 構成
図3は、実施形態1の戻り光モジュールの構成を示す模式図である。図3に示すように、実施形態1の戻り光モジュール50は、上記のようにビームスプリッタBS及び光センサ51を含む。また、実施形態1の戻り光モジュール50は、集光光学系55を含む。
上記のように、ビームスプリッタBSに進む戻り光L2の一部は、ビームスプリッタBSでレーザ光L1の光路から分離される。レーザ光L1の光路から分離された戻り光L2は、集光レンズ55Aで集光されながら光センサ51の受光面51Aに入射する。光センサ51は、受光面51Aに入射した戻り光L2のパワーに関連する情報を検出する。
実施形態1の戻り光モジュール50は、光センサ51の受光面51Aを集光レンズ52の集光位置Pよりも集光レンズ55A側に配置することで、受光面51Aで反射される戻り光L3を拡散させる。
実施形態1では、光センサ51の受光面51Aが集光レンズ55Aの集光位置Pよりも集光レンズ55A側に配置された。しかし、図4に示すように、光センサ51の受光面51Aは、集光レンズ55Aの集光位置Pよりも集光レンズ55A側とは反対側に配置されていてもよい。要するに、戻り光L2の光路上において光センサ51の受光面51Aが集光光学系55の集光位置Pとは異なる位置に配置されていればよい。
5.1 構成
図6は、実施形態2の戻り光モジュールの構成を示す模式図である。図6に示すように、実施形態2の戻り光モジュール50は、実施形態1と同様に、ビームスプリッタBS、光センサ51及び集光光学系55を含む。
上記のように、ビームスプリッタBSに進む戻り光L2の一部は、ビームスプリッタBSでレーザ光L1の光路から分離される。レーザ光L1の光路から分離された戻り光L2は、集光レンズ55Bで集光されながら光センサ51の受光面51Aに入射する。光センサ51は、受光面51Aに入射した戻り光L2のパワーに関連する情報を検出する。
実施形態2の戻り光モジュール50は、戻り光L2の光軸AX2に対し傾斜する状態で光センサ51の受光面51Aを配置することで、受光面51Aで反射される戻り光L3を光軸AX2から逸らして拡散させる。
6.1 構成
図7は、実施形態3の戻り光モジュールの構成を示す模式図である。図7に示すように、実施形態3の戻り光モジュール50は、実施形態1と同様に、ビームスプリッタBS、光センサ51及び集光光学系55を含む。
上記のように、ビームスプリッタBSに進む戻り光L2の一部は、ビームスプリッタBSでレーザ光L1の光路から分離される。レーザ光L1の光路から分離された戻り光L2は、凹面ミラー55Cの凹面で反射され集光されながら光センサ51の受光面51Aに入射する。光センサ51は、受光面51Aに入射した戻り光L2のパワーに関連する情報を検出する。
実施形態3の戻り光モジュール50は、集光光学系55を凹面ミラー55Cとすることで、受光面51Aで反射される戻り光L3を凹面ミラー55Cで拡散させる。
7.1 構成
光アイソレータ40からビームスプリッタBSで反射されるレーザ光L1は、上記のように第1パワーアンプPA1に進む。また、光アイソレータ40からビームスプリッタBSを透過するレーザ光L1は、光センサ80のビームスプリッタに進む。
実施形態4のレーザ装置2は、ビームスプリッタBSを用いてレーザ光L1の光路から光センサ80で検出するレーザ光L1を分離し、そのビームスプリッタBSを用いてレーザ光L1の光路から光センサ51で検出する戻り光L2を分離する。このため、実施形態4のレーザ装置2は、1枚のビームスプリッタBSを用いて、レーザ光L1を光センサ80で監視するとともに、戻り光L2を光センサ51で監視し得る。従って、実施形態4のレーザ装置2によれば、レーザ光L1の監視用と、戻り光L2の監視用とで別々のビームスプリッタを配置させる場合に比べて、当該ビームスプリッタにおける光量ロスを低減し得る。
Claims (8)
- レーザ光を出射するマスターオシレータと、
前記マスターオシレータから出射されるレーザ光の光路上に配置される増幅器と、
前記マスターオシレータと前記増幅器との間に配置され、前記レーザ光の進行方向とは反対の方向に前記レーザ光の光路を進む戻り光の少なくとも一部を前記レーザ光の光路から分離するビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタで前記レーザ光の光路から分離される前記戻り光を集光する集光光学系と、
前記戻り光の受光面を有し、前記集光光学系を介して前記受光面に入射する戻り光のパワーに関連する情報を検出する光センサと、
を備え、
前記受光面は、前記戻り光の光路上において前記集光光学系の集光位置と異なる位置に配置される
レーザ装置。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記受光面は、前記集光光学系の集光位置よりも前記集光光学系側に配置される。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記受光面は、前記集光光学系の集光位置よりも前記集光光学系側とは反対側に配置される。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記集光光学系は平凸レンズとされ、前記平凸レンズの平面は、前記平凸レンズに入射する前記戻り光の光軸に対し傾斜する状態で配置される。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記受光面は、前記受光面に入射する前記戻り光の光軸に対し傾斜する状態で配置される。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記集光光学系は、前記戻り光を反射して集光しながら前記受光面に導く凹面ミラーとされる。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記マスターオシレータと前記ビームスプリッタとの間に配置される光アイソレータを更に備える。 - レーザ光を出射するマスターオシレータと、
前記マスターオシレータから出射されるレーザ光の光路上に配置される増幅器と、
前記マスターオシレータと前記増幅器との間に配置され、前記レーザ光の進行方向とは反対の方向に前記レーザ光の光路を進む戻り光の少なくとも一部を前記レーザ光の光路から分離するビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタで前記レーザ光の光路から分離される前記戻り光を集光する集光光学系と、
前記戻り光の受光面を有し、前記集光光学系を介して前記受光面に入射する戻り光のパワーに関連する情報を検出する光センサと、
を備え、
前記受光面は、前記受光面に入射する前記戻り光の光軸に対し傾斜する状態で配置される
レーザ装置。
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