JPWO2018062252A1 - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
ロッド状発光素子は、半導体ロッドの表面全体が発光面となり得るため、従来の発光素子に比べて、単位体積当たりの発光面積を広くできる利点がある。
そこで、本開示は、発光効率を高めることのできるロッド状発光素子を提供することを目的とする。
多角柱の側面を成すように配置された複数の側面を有する第1導電型半導体ロッドと、
前記第1導電型半導体ロッドの前記側面を覆う半導体から成る活性層と、
前記活性層を覆う第2導電型半導体層と、を含み、
前記活性層は、前記複数の側面のうち少なくとも隣接する2つにそれぞれ配置された複数の井戸層を含み、
前記複数の井戸層のうち隣接する井戸層同士はそれぞれ、隣接する前記側面同士が接する稜線に沿って分離されており、
前記活性層は、半導体から成り、前記稜線上に配置されて前記隣接する井戸層同士を繋ぐ稜線部をさらに含み、
前記稜線部のバンドギャップは、前記複数の井戸層それぞれのバンドギャップよりも広いことを特徴とする。
図3(a)は、図2に示すロッド状発光部5の断面図の部分拡大図である。図3(a)に示すように、個々のロッド状発光部5は、第1導電型半導体ロッド(半導体ロッド10)、活性層20および第2導電型半導体層(半導体層30)を含んでいる。
本開示では、後述する製造方法において、半導体ロッド10の形成の際に絶縁膜90を利用するときには、このような形態になり得る。
また、ロッド状発光部5のすべての側面において、活性層20の厚さは実質的に同じであることが好ましい。同様に、ロッド状発光部5のすべての側面において、半導体層30の厚さは実質的に同じであることが好ましい。これにより、ロッド状発光部5のすべての側面から同程度の発光を得ることができる。
活性層20は、半導体ロッド10の六角形状の外周全体を連続して囲んでいる。活性層20は、井戸層21と稜線部22とを含んでいる。井戸層21は、半導体ロッド10の側面10cに配置されている。隣接する2つの側面10cをそれぞれ覆う2つの井戸層21は、半導体ロッド10の稜線10rの位置において分離されている。つまり、井戸層21は、半導体ロッド10の外周方向において不連続である。隣接する2つの井戸層21の間、つまり半導体ロッド10の稜線10rの位置には稜線部22が設けられている。この稜線部22によって隣接する2つの井戸層21が接続されることにより、半導体ロッド10の外周方向に連続する活性層20が形成される。
上述したように、稜線10rは半導体ロッド10の長手方向(z方向)に伸びているので、活性層20の稜線部22も、稜線10rに沿って、半導体ロッド10の長手方向(z方向)に伸びている。
ロッド状発光部5を点灯する場合、発光素子1に電圧を印加する。これにより活性層20にキャリアが注入され、発光が生じる。ここで、井戸層21を、バンドギャップの大きい稜線部22で分断することにより、分断された小寸法の井戸層21内にキャリアを閉じ込めることができる。その結果、井戸層21内での発光再結合の頻度を増加させることができ、発光効率を向上させることができる。また、稜線部22間の距離が例えば数十nm程度など十分に小さければ、量子効果を得ることができるため、より効率的にキャリアを井戸層21内に閉じ込めることができる。
井戸層21の結晶性が向上することにより、発光素子1を高効率化することができる。また、稜線部22を有することによって井戸層21の結晶性が向上するため、稜線部22が存在しない場合と比較して井戸層21のIn組成比を高くすることも可能である。井戸層21のIn組成比を高くすると、発光が長波長にシフトするので、従来よりも長波長の発光が可能な発光素子1を形成することができる。その結果、窒化物系半導体の発光素子において、井戸層21のIn組成比を制御することにより、赤色〜紫外線の広い範囲の発光波長の発光素子を形成することができる。
また、多角柱の側面に稜線を跨ぐ層を設ける場合、当該層の厚みは稜線で最大となる傾向にある。例えば図4に示すように、稜線10rにおける稜線部22の膜厚22tは側面10cにおける井戸層21の膜厚21tよりも厚い。仮に稜線部22がなく稜線10rにも井戸層21が形成されていれば、井戸層21の膜厚が稜線10rにおいて他の部分よりも厚くなる。そして井戸層21は膜厚が厚いほど結晶性が悪化しやすいため、稜線10rに井戸層21が設けられていると稜線10rにおける井戸層21の結晶性が悪化する場合がある。稜線部22を設けることで、このような稜線10rにおける井戸層21の厚膜化を避けることができる。
別の方法としては、井戸層21をInを含む窒化物半導体から形成し、稜線部22をInを含まない窒化物半導体から形成することが挙げられる。具体的には、井戸層21をInGaNから形成し、稜線部22をGaNから形成することができる。
いずれの例でも、稜線部22のバンドギャップを井戸層21のバンドギャップより広くすることができる。上述したように、井戸層21は半導体ロッド10の全ての側面10c上に配置されることが好ましいため、稜線部22も同様に全ての稜線10rの位置に設けられていることが好ましい。これにより、すべての側面10cの井戸層21において稜線部22を設けたことによる効果を得ることができる。なお、活性層20は、井戸層21と半導体ロッド10との間に配置された障壁層(n側障壁層)、および井戸層21と半導体層30との間に配置された障壁層(p側障壁層)を含むことができる。これにより、井戸層21をn側障壁層とp側障壁層とで挟むことができる。
井戸層21が、バンドギャップの広い障壁層25とバンドギャップの広い稜線部22とで囲まれているので、井戸層21内にキャリアを効率よく閉じ込めることができる。
図3(b)は、ロッド状発光部の変形例である。図3(b)のロッド状発光部6は、上面6aと側面6cとの間に傾斜面(ファセット16d)を有している。ロッド状発光部6は、ファセット16dを有する半導体ロッド16と、半導体ロッド16の外面を覆う活性層26と、活性層26の外面を覆う半導体層36を有している。
このため、半導体ロッド10の上面10a側を、図3(b)に示すような形状とすることが好ましい。図3(b)においても、半導体ロッド16は、側面16cとファセット16dとが接する稜線16eと、ファセット16dと上面16aとが接する稜線16fを有している。半導体ロッド16を覆う活性層26のうち、これらの稜線16e、16fを覆う部分は、井戸層21としてよい。つまり、活性層26は、半導体ロッド16の側面16cから、ファセット16dを通って上面16aまで連続する井戸層21を含んでいてもよい。GaN系結晶におけるM面が側面16cであるときに、ファセット16dと側面16cとの成す角は約152度であることが好ましい。このようなファセット16dはGaN系結晶の(10−11)面であると考えられる。なお、ミラー指数において負の指数は数字の上にバーを付して表されるが、本明細書では数字の前に「−」を付して負の指数を表している。半導体ロッド10がこのようなファセット16dを有することにより、ファセット16d及び稜線16eに結晶性の良好な井戸層21を形成することができる。なお、上面16aはなくてもよい。すなわち、図3(b)に示す断面視では半導体ロッド10の上端部は台形状であるが、三角形状であってもよい。
また、ロッド状発光部5の半導体層30の表面には第1透光性電極81が形成され、さらにその表面に第2透光性電極82が形成されている。第1透光性電極81により、複数のロッド状発光部5の半導体層30は並列に接続される。第2透光性電極82は下地層40の上側まで延在しており、第2透光性電極82と下地層40とはこれらの間に配置された絶縁膜91によって電気的に絶縁されている。
ロッド状発光部5から発光する光は、第1透光性電極81および第2透光性電極82を通って発光素子1の外部に取り出すことができる。
本開示においては、活性層20に含まれる井戸層21が、井戸層21よりバンドギャップの大きい稜線部22で繋がれた構成を有している。井戸層21と稜線部22は、雰囲気、原料ガスおよび形成温度を調節することにより、1つの積層工程内で同時に形成することができることを本発明の発明者は見いだした。
図6A(a)に示すように、成長基板50の上に、バッファ層45および下地層40を順次積層する。バッファ層45および下地層40を形成するための反応装置としては、例えばMOCVD装置を用いることができる。なお、バッファ層45と下地層40の形成を省略して、成長基板50の成長面に直接半導体ロッド10を形成してもよい。
成長基板50としては、後述するようにサファイア基板、SiC基板、窒化物半導体基板などが利用できる。ここでは、サファイア(Al2O3)基板を用いた例を説明する。サファイアの成長基板50の場合、(0001)面を成長面とするのが好ましい。ここで「(0001)面」とは、(0001)面に対してわずかに傾斜した面を含む。具体的には、(0001)面に対し0.5°以上2.0°以下のオフ角をもつ面を成長面とするのがより好ましい。
その後、反応装置にNH3ガスを導入して、成長基板50の上面50aを窒化する。窒化処理は、例えば処理温度900〜1100℃、処理時間1〜30分で行うことができる。このような窒化処理により、その上に成長する窒化物半導体の表面を(000−1)面とすることができる。
図6A(b)に示すように、貫通孔90hから露出した下地層40の上面40aに、半導体ロッド10を形成する。半導体ロッド10を形成する際に、絶縁膜90がマスクとして機能して、貫通孔90hから上向き(z方向)に成長した半導体ロッド10を形成することができる。このとき、サファイアの成長基板50の窒化された表面を成長面とした場合、成長させるGaN系結晶の成長方向は[000−1]方向となるから、半導体ロッド10の成長方向もGaN系結晶の[000−1]方向となる。つまり、半導体ロッド10の下地層40から上方に向う方向(z方向)が、GaN系結晶の[000−1]方向になる。
図6A(c)に示すように、半導体ロッド10の外面に活性層20を形成する。
例えば、ロッド状発光部5を青色発光させる場合、活性層20は、成長基板50の温度を800〜900℃程度とし、原料ガスを供給して形成する。原料ガスは、ガリウム源としてTMGまたはTEGと、窒素源としてNH3と、インジウム源としてTMI(トリメチルインジウム)を含む混合ガスが利用できる。ここで、原料ガス中におけるガリウム元素に対する窒素元素の比を、5.5×103〜2.2×105にするのが好ましい。ガリウム元素に対する窒素元素の比がこの範囲内にあると、活性層20の井戸層21(図4および図5参照)を形成するInGaN膜を良好に形成することができる。なお、比率が前記範囲を下回ると、インジウム源から生じるInがGaやNと結合しにくくなり、In金属として析出されやすくなる。比率が前記範囲を上回ると、窒素源であるNH3から生じるHにより、インジウム源から生じるInが排除されやすくなり、InGaNが形成されにくくなる。
ガリウム元素に対する窒素元素の比は、より好ましくは2.2×104〜2.2×105であり、特に好ましくは4.4×104〜1.1×105である。
稜線部22の幅22wは、1原子以上であり、例えば2nm以下とすることができる。なお、稜線部22の幅とは、稜線部22を挟む2つの井戸層21の最短距離を指す。
図6A(d)に示すように、活性層20の外面に半導体層30を形成する。半導体ロッド10をn型のGaN系結晶(n型窒化物半導体)から形成した場合、半導体層30はp型のGaN系結晶(p型窒化物半導体)から形成する。例えば、半導体層30は、p型GaN層やp型AlGaN層をp型不純物濃度を変えて複数積層させることにより形成する。
半導体層30は、成長基板50の温度を例えば800〜900℃とし、原料ガスを供給して形成する。原料ガスは、ガリウム源としてTMGまたはTEGと、窒素源としてNH3とを含む混合ガスが利用できる。さらに、p型不純物を添加するため、これらの原料ガスに例えばCp2Mg(ビスシクロペンタジエニルマグネシウム)を追加し、Mgが添加されたGaN層を半導体層30として形成する。原料ガスの供給時間を例えば20〜60分とすると、約40〜120nm程度の厚さの半導体層30を形成できる。
半導体層30の形成により、ロッド状発光部5が得られる。
図6B(e)に示すように、ロッド状発光部5の半導体層30の外面と、絶縁膜90の上面90aとを連続して覆うように、第1透光性電極81を形成する。
そして、図6B(f)に示すように、第1透光性電極81の一部と複数のロッド状発光部5の一部とを除去し、下地層40の一部を絶縁膜90から露出させる。絶縁膜90から露出した部分を、第1露出部40xおよび第2露出部40yと称する。なお、第1露出部40xには、半導体ロッド10に通電するための電極が形成される。第2露出部40yの上側には、絶縁膜91を介して、半導体層30に通電するための電極が形成される。各電極については後で詳述する。
このように、第1透光性電極81を形成した後で第1露出部40xおよび第2露出部40yを形成すれば、第1露出部40xおよび第2露出部40yを形成するためのエッチング用のマスクを剥離する剥離液からロッド状発光部5を保護することができる。すなわち、ロッド状発光部5が第1透光性電極81に被覆されているので、剥離液がロッド状発光部5に接触し難い。したがって、必要なロッド状発光部5が除去される可能性を低減することができる。
透光性電極81は、例えばITO膜等の透光性導電膜から形成することができる。
図6C(g)に示すように、第1透光性電極81の一部と、下地層40の第1露出部40xの一部(n側透光性電極71が形成されていない部分)と、下地層40の第2露出部40yの全体とを覆うように、絶縁膜91を形成する。
絶縁膜91は、SiO2、SiN等の絶縁部材から形成する。SiO2は、透光性を有するため、絶縁膜91を通してロッド状発光部5からの発光を取り出すことができる利点がある。
図6C(h)に示すように、n側透光性電極71と第2透光性電極82とを形成する。n側透光性電極71は、下地層40の第1露出部40x上に形成する。第2透光性電極82は、第1透光性電極81と接触し、かつ下地層40の第2露出部40yの上側まで延在している。第2透光性電極82と下地層40の第2露出部40yの間に絶縁膜91を配置することにより、それらが短絡するのを防止している。
次いで、n側透光性電極71上にn側パッド電極70を形成する。および、下地層40の第2露出部40yの直上において、第2透光性電極82上にp側パッド電極80を形成する。
p側の電流経路において、第1透光性電極81が複数のロッド状発光部5の半導体層30と接触しており、n側の電流経路において、下地層40が複数のロッド状発光部5の半導体ロッド10と接触している。つまり、複数のロッド状発光部5は、並列接続されている。
ロッド状発光部5は、多角柱状の外形、もしくは多角柱状で上端にファセットを有する外形を有している。
ロッド状発光部5は、例えば、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等の半導体材料から形成することができる。具体的には、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の窒化物半導体(例えばInN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等)を用いることができる。
ロッド状発光部5の各構成(半導体ロッド10、活性層20および半導体層30)に適した半導体について詳述する。
活性層20は、バンドギャップの大きい稜線部22と、バンドギャップの小さい井戸層21を含む。井戸層21に適した半導体としては、InxGa1−xNが挙げられる。稜線部22に適した半導体としては、GaNおよびInyGa1−yNが挙げられる。なお、井戸層21と稜線部22が共にInGaNから成るときは、井戸層21のIn組成比は稜線部22のIn組成比より大きくする(つまり、x>y)。
半導体層30は、第2導電型半導体(例えばp型半導体)を含む。半導体層30に適した半導体としては、Mg等のp型不純物を含むGaNが挙げられる。半導体層30は、p型不純物を含有するp型半導体から成る層と、アンドープの層とを含む積層構造であってもよい。
n側透光性電極71、第1透光性電極81および第2透光性電極82は、透光性の導電材料から形成することができ、特に、導電性酸化物が好適である。導電性酸化物としては、例えば、ZnO、In2O3、ITO、SnO2、MgOが挙げられる。特にITOは、可視光(可視領域)において高い光透過性を有し、導電率の高い材料であることから好ましい。
なお、n側透光性電極71は省略してもよい。この場合、n側パッド電極70を下地層40に直接形成する。
窒化物半導体を成長させる場合の成長基板50としては、典型的には、サファイア(A12O3)等の絶縁性基板を用いる。また、窒化物半導体(GaN、AlN等)等を用いることもできる。
特に、C面、すなわち(0001)面を成長面とするサファイアの成長基板が好ましい。成長面は厳密に(0001)面と一致するよりは、(0001)面に対して0.5°〜2.0°のオフ角を有しているのが好ましい。このような面を窒化することにより、GaN系半導体を[000−1]方向に成長させることができる。
絶縁膜90、91は、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)やSiNから形成することができる。
n側パッド電極70およびp側パッド電極80としては、電気良導体を用いることができ、例えばCu、Au、Ag、Ni、Sn等の金属が好適である。パッド電極70、80を透光性電極71、81上に形成する場合には、透光性電極とオーミックコンタクトできる導電材料から形成するのが好ましい。なお、p側パッド電極80をロッド状発光部5に直接設けてもよく、その場合は、p側の透光性電極は1層のみ(第1透光性電極81のみ)であってもよい。好ましくは、p側パッド電極80をロッド状発光部5に直接設けるのではなく、図2に示すように、ロッド状発光部5が存在しない領域を設け、その領域にp側パッド電極80を形成する。これにより、ロッド状発光部5からの光をp側パッド電極80によって遮られることなく外部に取り出すことができるため、発光素子1の光取り出し効率を向上させることができる。
本開示に係る半導体ロッド10及び活性層20を製造した。活性層20は、多重量子井戸構造(MQW)とし、各半導体層はMOCVD法により形成した。
次いで、絶縁膜90が形成された成長基板50に、GaNのバッファ層45(厚さ約20nm)を形成し、その後、熱処理を行った。ここでは下地層40は設けなかったため、このように絶縁膜90形成後にバッファ層45の形成を行った。
・基板温度:1045℃
・製造時間:40分
・雰囲気ガス:水素と窒素の混合雰囲気
・キャリアガス:窒素 11slm
・NH3:50sccm(約2×10−3モル/分)
・TMG:20sccm(約65×10−6モル/分)
・基板温度:810℃
・雰囲気ガス:窒素
・キャリアガス:窒素 8slm
・NH3:4slm(約2×10−1モル/分)
・TEG:16sccm(約4×10−6モル/分)
GaNからなる障壁層25は、第1層(半導体ロッド10と接触している層)のみSiドープした。1層目の形成の際には、上記の原料ガスに加えて、Siドーパント源としてSiH4ガスを8×10−9モル/分で添加した。
障壁層25の形成時間は、第1層は約9分(厚さ10nm程度)、第2層〜第7層は、それぞれ4分(厚さ4〜10nm程度)とした。
・基板温度:810℃
・雰囲気ガス:窒素
・キャリアガス:窒素 8slm
・NH3:4slm(約2×10−1モル/分)
・TEG:16sccm(約4×10−6モル/分)
・TMI:142sccm(約12×10−6モル/分)
混合層の形成時間は、第1層〜第6層の全てにおいて、それぞれ4分(厚さ4〜10nm程度)とした。なお、障壁層25の第2層〜第7層と混合層との成長時間は同じであるが、半導体ロッド10の長さ方向において成長速度の差が生じるため、後述するTEM像に示すように、障壁層25と混合層との厚さは同じとは限らない。
図8のTEM像において、活性層20が、障壁層25、井戸層21、および稜線部22を含んでいることが観察できる。各井戸層21は、半導体ロッド10の側面10cと平行な方向に延在している。井戸層21(濃いグレー部分)は、半導体ロッド10の稜線10rとロッド状発光部5の稜線5rとを結ぶ線(仮想線v)の位置で、延在方向が変わる。そして、井戸層21が屈曲する部分に稜線部22(線状の薄いグレー部分)が位置して、稜線部22の両側にある井戸層21を分離している。なお、図8のTEM像において最外周に成長させたのはGaN障壁層(第7層)である。外周部の一部が濃いグレーとなっているが、これはここで成長を止めたことが原因と推測される。
活性層20の厚さ方向に積層された6層の井戸層21の全てにおいて、仮想線vに沿って配置された稜線部22により、井戸層21は分離されていることがわかった。
5、6 ロッド状発光部
10、16 第1導電型半導体ロッド(半導体ロッド)
10c、16c 半導体ロッドの側面
20、26 活性層
21 井戸層
22 稜線部
25 障壁層
30、36 第2導電型半導体層(半導体層)
40 下地層
45 バッファ層
50 成長基板
90、91 絶縁膜
90h 貫通孔
Claims (8)
- 多角柱の側面を成すように配置された複数の側面を有する第1導電型半導体ロッドと、
前記第1導電型半導体ロッドの前記側面を覆う半導体から成る活性層と、
前記活性層を覆う第2導電型半導体層と、を含み、
前記活性層は、前記複数の側面のうち少なくとも隣接する2つにそれぞれ配置された複数の井戸層を含み、
前記複数の井戸層のうち隣接する井戸層同士はそれぞれ、隣接する前記側面同士が接する稜線に沿って分離されており、
前記活性層は、半導体から成り、前記稜線上に配置されて前記隣接する井戸層同士を繋ぐ稜線部をさらに含み、
前記稜線部のバンドギャップは、前記複数の井戸層それぞれのバンドギャップよりも広いことを特徴とする発光素子。 - 前記複数の井戸層は、前記第1導電型半導体ロッドの全ての側面にそれぞれ配置されており、
前記複数の井戸層のうち隣接する井戸層同士は全て前記稜線部により繋がれていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記井戸層は、前記第1導電型半導体ロッドの側面と垂直をなす方向において、障壁層を介して複数積層されていることを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子。
- 前記複数の井戸層はInを含有する窒化物半導体から成り、
前記稜線部のIn組成比は、前記井戸層のIn組成比より低いことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光素子。 - 前記稜線部がGaNから成り、前記複数の井戸層がInGaNから成ることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記第1導電型半導体ロッドは第1導電型窒化物半導体を含む第1導電型窒化物半導体ロッドであり、
前記第2導電型半導体層は第2導電型窒化物半導体を含む第2導電型窒化物半導体層であり、
前記第1導電型窒化物半導体ロッドは、下地層の上面に配置されると共に、ウルツ鉱型の結晶から成り、
前記側面は、前記結晶のM面であり、上面視で六角形状に配置されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光素子。 - 前記第1導電型半導体ロッドは、GaN結晶から成ることを特徴とする請求項6に記載の発光素子。
- 前記第1導電型窒化物半導体ロッドは、前記下地層から上方に向う方向が前記GaN結晶の[000−1]方向であることを特徴とする請求項7に記載の発光素子。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200412100A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and projector |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7320770B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2023-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
JP7137066B2 (ja) | 2018-10-23 | 2022-09-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP2022052420A (ja) * | 2020-09-23 | 2022-04-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法およびプロジェクター |
JP7320794B2 (ja) * | 2021-03-15 | 2023-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ |
JP7432844B2 (ja) | 2021-12-17 | 2024-02-19 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010023921A1 (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-04 | 学校法人上智学院 | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
US20130187128A1 (en) * | 2010-10-07 | 2013-07-25 | Snu R&Db Foundation | Light-emitting element and method for manufacturing same |
WO2015095049A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | Glo Ab | Iii-nitride nanowire led with strain modified surface active region and method of making thereof |
JP2016521459A (ja) * | 2013-04-26 | 2016-07-21 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 活性ゾーンを有する半導体積層体を円柱状構造上に備えた発光アセンブリ |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1241272C (zh) * | 2001-08-22 | 2006-02-08 | 索尼公司 | 氮化物半导体器件及其制造方法 |
US7952109B2 (en) * | 2006-07-10 | 2011-05-31 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Light-emitting crystal structures |
JP5099763B2 (ja) | 2007-12-18 | 2012-12-19 | 国立大学法人東北大学 | 基板製造方法およびiii族窒化物半導体結晶 |
US20160053977A1 (en) * | 2008-09-24 | 2016-02-25 | B/E Aerospace, Inc. | Flexible led lighting element |
CN102148321A (zh) * | 2011-01-24 | 2011-08-10 | 佛山电器照明股份有限公司 | Led白光荧光帽及其制造方法 |
JP5409707B2 (ja) | 2011-06-15 | 2014-02-05 | シャープ株式会社 | 半導体素子、半導体素子の製造方法、発光ダイオード、光電変換素子、太陽電池、照明装置、バックライトおよび表示装置 |
DE102012101718A1 (de) | 2012-03-01 | 2013-09-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
SE537434C2 (sv) * | 2012-06-26 | 2015-04-28 | Polar Light Technologies Ab | Grupp III-nitridstruktur |
KR102075985B1 (ko) * | 2013-10-14 | 2020-02-11 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
JP2015142020A (ja) | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | ロッド型発光素子の製造方法、及びロッド型発光素子 |
KR102249624B1 (ko) * | 2014-07-01 | 2021-05-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광구조물 및 이를 포함하는 발광소자 |
JP6380202B2 (ja) | 2015-03-31 | 2018-08-29 | ブラザー工業株式会社 | 情報保護装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010023921A1 (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-04 | 学校法人上智学院 | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
US20130187128A1 (en) * | 2010-10-07 | 2013-07-25 | Snu R&Db Foundation | Light-emitting element and method for manufacturing same |
JP2016521459A (ja) * | 2013-04-26 | 2016-07-21 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 活性ゾーンを有する半導体積層体を円柱状構造上に備えた発光アセンブリ |
WO2015095049A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | Glo Ab | Iii-nitride nanowire led with strain modified surface active region and method of making thereof |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200412100A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and projector |
US11575247B2 (en) * | 2019-06-28 | 2023-02-07 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and projector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10879422B2 (en) | 2020-12-29 |
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EP3522240A1 (en) | 2019-08-07 |
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