JPWO2018062067A1 - 樹脂フィルム、バリアフィルム及び導電性フィルム、並びに、これらの製造方法 - Google Patents

Abstract

脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体を含む樹脂からなる樹脂フィルムであって、前記重合体の結晶化度が、３０％以上であり、かつ、前記樹脂フィルムの式（１）に示される厚みムラＴvが５％以下である、樹脂フィルム。ここで、上記式（１）は、Ｔv［％］＝［（Ｔmax−Ｔmin）／Ｔave］×１００であり、この式（１）中、Ｔmaxは、前記樹脂フィルムの厚みの最大値であり、Ｔminは、前記樹脂フィルムの厚みの最小値であり、かつ、Ｔaveは、前記樹脂フィルムの厚みの平均値である。

Description

本発明は、樹脂フィルム；前記樹脂フィルムを備えたバリアフィルム及び導電性フィルム；並びに、前記の樹脂フィルム、バリアフィルム及び導電性フィルムの製造方法に関する。

脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体を含む樹脂からなる樹脂フィルムに関して、当該樹脂フィルムを加熱することにより、該重合体の少なくとも一部の結晶化を促進する技術が知られている（特許文献１及び２参照）。このように結晶化した重合体を含む樹脂からなる樹脂フィルムは、通常、耐熱性に優れる。また、結晶化度の高さに応じて樹脂フィルムの強度が向上することも期待される。

特開２００２-１９４０６７号公報 特開２０１３-０１０３０９号公報

重合体の結晶化を促進すべく樹脂フィルムの加熱を行った場合、得られた樹脂フィルムに、ある程度の高さの強度は確保できる。しかしながら、得られた樹脂フィルムは、その耐屈曲性が、期待されるほどには優れてはいない場合があることが判明した。ここで、樹脂フィルムの耐屈曲性とは、多数回におよぶ屈曲試験に対する樹脂フィルムの耐性をいう。

特に、樹脂フィルムを導電性フィルムの用途で用いる場合には、樹脂フィルムの上に、導電性フィルム用の導電性層を設けるときに、樹脂フィルムと導電性層の間で応力差が生じる。そのような応力差を小さくすべく、樹脂フィルムには、耐屈曲性に優れていることが求められる。同様に、樹脂フィルムをバリアフィルムの用途で用いる場合にも、樹脂フィルムには、耐屈曲性に優れていることが求められる。

そこで、本発明は、前記のような課題に鑑みて創案されたもので、強度に優れ、かつ、耐屈曲性に優れる樹脂フィルム；前記樹脂フィルムを備えたバリアフィルム及び導電性フィルム；並びに、前記の樹脂フィルム、バリアフィルム及び導電性フィルムの製造方法を提供することを目的とする。

本発明者は、前記課題を解決するために検討を行い、結晶化の促進後に得られる樹脂フィルムの耐屈曲性が期待されるほどには優れてはいない原因に、樹脂フィルムの厚みの均一性が関わっていることを見出した。さらに、厚みの均一性に優れる樹脂フィルムを用いても、結晶化の促進を行った後には厚みの均一性が低下していたことから、厚みの均一性の低下は、結晶化の促進の際に生じることも判明した。
さらに本発明者は、鋭意検討した結果、所定の計算式で算出される厚みムラの値が５％以下であれば、十分に優れる耐屈曲性をもつ樹脂フィルムを提供することができることを見出した。また、樹脂フィルムの厚みムラの値を５％以下にするためには、結晶化の促進に先立って行われる延伸処理の直前に十分な予熱を行うことが有効であることを見出した。さらには、厚みムラの値が５％以下の樹脂フィルムを用いることで、導電性層を設けるとき及びバリア層を設けるときに生じる応力差を小さくして、変形の少ない導電性フィルム及びバリアフィルムを製造することができることも見出した。本発明は、かかる知見に基づき完成したものである。
すなわち、本発明は以下の通りである。

〔１〕 脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体を含む樹脂からなる樹脂フィルムであって、
前記重合体の結晶化度が、３０％以上であり、かつ、
前記樹脂フィルムの下記式（１）に示される厚みムラＴv
Ｔv［％］＝［（Ｔmax−Ｔmin）／Ｔave］×１００ （１）
（上記式（１）中、
Ｔmaxは、前記樹脂フィルムの厚みの最大値であり、
Ｔminは、前記樹脂フィルムの厚みの最小値であり、かつ、
Ｔaveは、前記樹脂フィルムの厚みの平均値である）
が５％以下である、
樹脂フィルム。
〔２〕 前記脂環式構造を含有する重合体が、ジシクロペンタジエンの開環重合体の水素化物である、
〔１〕に記載の樹脂フィルム。
〔３〕 前記樹脂フィルムの内部ヘイズが３％以下である、
〔１〕又は〔２〕に記載の樹脂フィルム。
〔４〕 前記樹脂フィルムが、光学フィルムである、
〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の樹脂フィルム。
〔５〕 〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の樹脂フィルムと、
前記樹脂フィルムの上に設けられた導電性層と
を備える、導電性フィルム。
〔６〕 〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の樹脂フィルムと、
前記樹脂フィルムの上に設けられたバリア層と
を備える、バリアフィルム。
〔７〕 〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の樹脂フィルムの製造方法であって、
脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体を含む樹脂からなる第１のフィルムを、当該第１のフィルムの少なくとも二辺を保持した状態で、第１の温度Ｔ１以上でかつ第２の温度Ｔ２以下の範囲内の予熱温度Ｔphで予熱時間ｔphにわたって予熱して、第２のフィルムを得る予熱工程と、
前記第２のフィルムに対して第１の温度Ｔ１以上でかつ第２の温度Ｔ２以下の範囲内の延伸温度Ｔstで延伸処理を施すことにより、第３のフィルムを得る延伸工程と、
前記第３のフィルムの少なくとも二辺を保持した状態で、前記第３のフィルムに対して、前記延伸温度Ｔstよりも高温であって、第３の温度Ｔ３以上でかつ前記重合体の融点Ｔｍ未満の範囲内の熱固定温度Ｔtsで５秒以上保持する熱固定工程と
を含み、
ここで、前記第１の温度Ｔ１は、下記式（２）：
Ｔ１［℃］＝（５×Ｔｇ＋５×Ｔｐｃ）／１０ （２）
（上記式（２）中、Ｔｇは、前記重合体のガラス転移温度であり、かつ、Ｔｐｃは、前記重合体の結晶化ピーク温度である）
で示され、
前記第２の温度Ｔ２は、下記式（３）：
Ｔ２［℃］＝（９×Ｔｐｃ＋１×Ｔｍ）／１０ （３）
で示され、
前記予熱時間ｔphの上限ｔph(max)は、下記式（４）：
ｔph(max)［秒］＝８０×［（Ｔ１−Ｔph）／（Ｔ２−Ｔ１）］＋９０ （４）
で示され、かつ、
前記第３の温度Ｔ３は、下記式（５）：
Ｔ３［℃］＝（９×Ｔｐｃ＋１×Ｔｍ）／１０ （５）
で示される、
樹脂フィルムの製造方法。
〔８〕 前記熱固定温度Ｔtsは、前記第３の温度Ｔ３以上でかつ第４の温度Ｔ４以下の範囲内にあり、
ここで、前記第４の温度Ｔ４は、以下式（６）：
Ｔ４［℃］＝（２×Ｔｐｃ＋８×Ｔｍ）／１０ （６）
で示される、
〔７〕に記載の樹脂フィルムの製造方法。
〔９〕 前記熱固定工程を行う熱固定時間ｔtsが、９０秒以下である、
〔７〕又は〔８〕に記載の樹脂フィルムの製造方法。
〔１０〕 〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の樹脂フィルムの上に、導電性層を形成する工程を含む、導電性フィルムの製造方法。
〔１１〕 〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の樹脂フィルムの上に、バリア層を形成する工程を含む、バリアフィルムの製造方法。

本発明によれば、強度に優れ、かつ、耐屈曲性に優れる樹脂フィルム；前記樹脂フィルムを備えたバリアフィルム及び導電性フィルム；並びに、前記の樹脂フィルム、バリアフィルム及び導電性フィルムの製造方法を提供することができる。

図１は、保持装置の例を模式的に示す平面図である。 図２は、保持装置の例を模式的に示す平面図である。 図３は、樹脂フィルムの製造装置の例を模式的に示す正面図である。 図４は、樹脂フィルムの製造装置の例を模式的に示す平面図である。 図５は、リンク装置の一部分を模式的に示す平面図である。 図６は、リンク装置の一部分を模式的に示す平面図である。 図７は、バリア層をＣＶＤ法により無機層として成膜しうる成膜装置の一例を模式的に示す断面図である。 図８は、表２及び表４中の予熱温度Ｔphと予熱時間ｔphをプロットしたグラフである。

以下、本発明について実施形態及び例示物を示して詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施形態及び例示物に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

以下の説明において、「長尺」のフィルムとは、幅に対して、５倍以上の長さを有するフィルムをいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有するフィルムをいう。長さの上限に特段の制限は無いが、通常、幅に対して１０万倍以下である。

以下の説明において、要素の方向が「平行」、「垂直」及び「直交」とは、別に断らない限り、本発明の効果を損ねない範囲内、例えば±５°の範囲内での誤差を含んでいてもよい。

以下の説明において、長尺のフィルムの長手方向は、通常は製造ラインにおけるフィルム搬送方向と平行である。また、ＭＤ方向（ｍａｓｈｉｎｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）は、製造ラインにおけるフィルムの搬送方向であり、通常は長尺のフィルムの長手方向と平行である。さらに、ＴＤ方向（ｔｒａｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）は、フィルム面に平行な方向であって、前記ＭＤ方向に垂直な方向であり、通常は長尺のフィルムの幅方向と平行である。

［１．樹脂フィルム］
本発明の樹脂フィルムは、脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体を含む樹脂からなる樹脂フィルムである。以下の説明において、前記の樹脂を「結晶性樹脂」ということがある。結晶性樹脂に含まれる重合体の結晶化度は３０％以上である。また、本発明の樹脂フィルムは、厚みムラＴvが５％以下である。厚みムラＴvについては後述する。そして、本発明の樹脂フィルムは、上記のような特徴を有することにより、耐屈曲性に優れる。

〔１．１．結晶性樹脂〕
結晶性樹脂は、脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体を含む。ここで、脂環式構造を含有する重合体とは、分子内に脂環式構造を有する重合体であって、環状オレフィンを単量体として用いた重合反応によって得られうる重合体又はその水素化物をいう。また、脂環式構造を含有する重合体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

脂環式構造を含有する重合体が有する脂環式構造としては、例えば、シクロアルカン構造及びシクロアルケン構造が挙げられる。これらの中でも、熱安定性などの特性に優れる樹脂フィルムが得られ易いことから、シクロアルカン構造が好ましい。１つの脂環式構造に含まれる炭素原子の数は、好ましくは４個以上、より好ましくは５個以上であり、好ましくは３０個以下、より好ましくは２０個以下、特に好ましくは１５個以下である。１つの脂環式構造に含まれる炭素原子の数が上記範囲内にあることで、機械的強度、耐熱性、及び成形性が高度にバランスされる。

脂環式構造を含有する重合体において、全ての構造単位に対する脂環式構造を有する構造単位の割合は、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上である。脂環式構造を含有する重合体における脂環式構造を有する構造単位の割合を前記のように多くすることにより、耐熱性を高めることができる。全ての構造単位に対する脂環式構造を有する構造単位の割合は、１００重量%以下としうる。
また、脂環式構造を含有する重合体において、脂環式構造を有する構造単位以外の残部は、格別な限定はなく、使用目的に応じて適宜選択しうる。

結晶性樹脂に含まれる脂環式構造を含有する重合体は、結晶性を有する。ここで、「脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体」とは、融点Ｔｍを有する〔すなわち、示差走査熱量計（ＤＳＣ）で融点を観測することができる〕脂環式構造を含有する重合体をいう。脂環式構造を含有する重合体の融点Ｔｍは、好ましくは２００℃以上、より好ましくは２３０℃以上であり、好ましくは２９０℃以下である。このような融点Ｔｍを有する脂環式構造を含有する重合体を用いることによって、成形性と耐熱性とのバランスに更に優れた樹脂フィルムを得ることができる。

脂環式構造を含有する重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１，０００以上、より好ましくは２，０００以上であり、好ましくは１，０００，０００以下、より好ましくは５００，０００以下である。このような重量平均分子量を有する脂環式構造を含有する重合体は、成形加工性と耐熱性とのバランスに優れる。

脂環式構造を含有する重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．０以上、より好ましくは１．５以上であり、好ましくは４．０以下、より好ましくは３．５以下である。ここで、Ｍｎは数平均分子量を表す。このような分子量分布を有する脂環式構造を含有する重合体は、成形加工性に優れる。
脂環式構造を含有する重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、テトラヒドロフランを展開溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、ポリスチレン換算値として測定しうる。

脂環式構造を含有する重合体のガラス転移温度Ｔｇは、特に限定されないが、通常は８５℃以上、通常１７０℃以下である。

前記の脂環式構造を含有する重合体としては、例えば、下記の重合体（α）〜重合体（δ）が挙げられる。これらの中でも、耐熱性に優れる樹脂フィルムが得られ易いことから、脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体としては、重合体（β）が好ましい。
重合体（α）：環状オレフィン単量体の開環重合体であって、結晶性を有するもの。
重合体（β）：重合体（α）の水素化物であって、結晶性を有するもの。
重合体（γ）：環状オレフィン単量体の付加重合体であって、結晶性を有するもの。
重合体（δ）：重合体（γ）の水素化物等であって、結晶性を有するもの。

具体的には、脂環式構造を含有する重合体としては、ジシクロペンタジエンの開環重合体であって結晶性を有するもの、及び、ジシクロペンタジエンの開環重合体の水素化物であって結晶性を有するものがより好ましい。脂環式構造を含有する重合体としては、ジシクロペンタジエンの開環重合体の水素化物であって結晶性を有するものが特に好ましい。ここで、ジシクロペンタジエンの開環重合体とは、全構造単位に対するジシクロペンタジエン由来の構造単位の割合が、通常５０重量％以上、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは９０重量％以上、さらに好ましくは１００重量％の重合体をいう。

以下、重合体（α）及び重合体（β）の製造方法を説明する。
重合体（α）及び重合体（β）の製造に用いうる環状オレフィン単量体は、炭素原子で形成された環構造を有し、該環中に炭素−炭素二重結合を有する化合物である。環状オレフィン単量体の例としては、ノルボルネン系単量体等が挙げられる。また、重合体（α）が共重合体である場合には、環状オレフィン単量体として、単環の環状オレフィンを用いてもよい。

ノルボルネン系単量体は、ノルボルネン環を含む単量体である。ノルボルネン系単量体としては、例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５−エチリデン−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン（慣用名：エチリデンノルボルネン）及びその誘導体（例えば、環に置換基を有するもの）等の、２環式単量体；トリシクロ［４．３．０．１^２，５］デカ−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）及びその誘導体等の、３環式単量体；７，８−ベンゾトリシクロ［４．３．０．１^２，５］デカ−３−エン（慣用名：メタノテトラヒドロフルオレン：１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレンともいう）及びその誘導体、テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロドデセン）、８−エチリデンテトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−３−ドデセン及びその誘導体等の、４環式単量体；などが挙げられる。

前記の単量体において置換基としては、例えば、メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；プロパン−２−イリデン等のアルキリデン基；フェニル基等のアリール基；ヒドロキシ基；酸無水物基；カルボキシル基；メトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；などが挙げられる。また、前記の置換基は、１種類を単独で有していてもよく、２種類以上を任意の比率で有していてもよい。

単環の環状オレフィンとしては、例えば、シクロブテン、シクロペンテン、メチルシクロペンテン、シクロヘキセン、メチルシクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン等の環状モノオレフィン；シクロヘキサジエン、メチルシクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、メチルシクロオクタジエン、フェニルシクロオクタジエン等の環状ジオレフィン；等が挙げられる。

環状オレフィン単量体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。環状オレフィン単量体を２種以上用いる場合、重合体（α）は、ブロック共重合体であってもよいし、ランダム共重合体であってもよい。

環状オレフィン単量体には、エンド体及びエキソ体の立体異性体が存在するものがありうる。環状オレフィン単量体としては、エンド体及びエキソ体のいずれを用いてもよい。また、エンド体及びエキソ体のうち一方の異性体のみを単独で用いてもよく、エンド体及びエキソ体を任意の割合で含む異性体混合物を用いてもよい。中でも、脂環式構造を含有する重合体の結晶性が高まり、耐熱性により優れる樹脂フィルムが得られ易くなることから、一方の立体異性体の割合を高くすることが好ましい。例えば、エンド体又はエキソ体の割合が、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上である。また、合成が容易であることから、エンド体の割合が高いことが好ましい。

重合体（α）及び重合体（β）は、通常、そのシンジオタクチック立体規則性の度合い（ラセモ・ダイアッドの割合）を高めることで、結晶性を高くすることができる。重合体（α）及び重合体（β）の立体規則性の程度を高くする観点から、重合体（α）及び重合体（β）の構造単位についてのラセモ・ダイアッドの割合は、好ましくは５１％以上、より好ましくは６０％以上、特に好ましくは７０％以上である。ラセモ・ダイアッドの割合の上限は、１００％以下としうる。

ラセモ・ダイアッドの割合は、^１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル分析により、測定しうる。具体的には、下記の方法により測定しうる。
オルトジクロロベンゼン−ｄ^４を溶媒として、２００℃で、ｉｎｖｅｒｓｅ−ｇａｔｅｄ ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ法を適用して、重合体試料の^１３Ｃ−ＮＭＲ測定を行う。この^１３Ｃ−ＮＭＲ測定の結果において、オルトジクロロベンゼン−ｄ^４の１２７．５ｐｐｍのピークを基準シフトとして、メソ・ダイアッド由来の４３．３５ｐｐｍのシグナルと、ラセモ・ダイアッド由来の４３．４３ｐｐｍのシグナルを同定する。これらのシグナルの強度比に基づいて、重合体試料のラセモ・ダイアッドの割合を求めうる。

重合体（α）の合成には、通常、開環重合触媒を用いる。開環重合触媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。このような重合体（α）の合成用の開環重合触媒としては、環状オレフィン単量体を開環重合させ、シンジオタクチック立体規則性を有する開環重合体を生成させうるものが好ましい。好ましい開環重合触媒としては、下記式（７）で示される金属化合物を含むものが挙げられる。

Ｍ（ＮＲ^１）Ｘ_４−ａ（ＯＲ^２）_ａ・Ｌ_ｂ （７）
（式（７）において、
Ｍは、周期律表第６族の遷移金属原子からなる群より選択される金属原子を示し、
Ｒ^１は、３位、４位及び５位の少なくとも１つの位置に置換基を有していてもよいフェニル基、又は、−ＣＨ_２Ｒ^３（Ｒ^３は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、及び、置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選択される基を示す。）で表される基を示し、
Ｒ^２は、置換基を有していてもよいアルキル基、及び、置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選択される基を示し、
Ｘは、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、及び、アルキルシリル基からなる群より選択される基を示し、
Ｌは、電子供与性の中性配位子を示し、
ａは、０又は１の数を示し、
ｂは、０〜２の整数を示す。）

式（７）において、Ｍは、周期律表第６族の遷移金属原子からなる群より選択される金属原子を示す。このＭとしては、クロム、モリブデン及びタングステンが好ましく、モリブデン及びタングステンがより好ましく、タングステンが特に好ましい。

式（７）において、Ｒ^１は、３位、４位及び５位の少なくとも１つの位置に置換基を有していてもよいフェニル基、又は、−ＣＨ_２Ｒ^３で表される基を示す。
Ｒ^１の、３位、４位及び５位の少なくとも１つの位置に置換基を有していてもよいフェニル基の炭素原子数は、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１５である。また、前記置換基としては、例えば、メチル基、エチル基等のアルキル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等のアルコキシ基；などが挙げられる。これらの置換基は、１種類を単独で有していてもよく、２種類以上を任意の比率で有していてもよい。さらに、Ｒ^１において、３位、４位及び５位の少なくとも２つの位置に存在する置換基が互いに結合し、環構造を形成していてもよい。

３位、４位及び５位の少なくとも１つの位置に置換基を有していてもよいフェニル基としては、例えば、無置換フェニル基；４−メチルフェニル基、４−クロロフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−メトキシフェニル基等の一置換フェニル基；３，５−ジメチルフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基等の二置換フェニル基；３，４，５−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリクロロフェニル基等の三置換フェニル基；２−ナフチル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−２−ナフチル基等の置換基を有していてもよい２−ナフチル基；等が挙げられる。

Ｒ^１の、−ＣＨ_２Ｒ^３で表される基において、Ｒ^３は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、及び、置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選択される基を示す。
Ｒ^３の、置換基を有していてもよいアルキル基の炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０である。このアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。さらに、前記置換基としては、例えば、フェニル基、４−メチルフェニル基等の置換基を有していてもよいフェニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシル基；等が挙げられる。これらの置換基は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
Ｒ^３の、置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ベンジル基、ネオフィル基等が挙げられる。

Ｒ^３の、置換基を有していてもよいアリール基の炭素原子数は、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１５である。さらに、前記置換基としては、例えば、メチル基、エチル基等のアルキル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等のアルコキシ基；等が挙げられる。これらの置換基は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
Ｒ^３の、置換基を有していてもよいアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−メチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基等が挙げられる。

これらの中でも、Ｒ^３で表される基としては、炭素原子数が１〜２０のアルキル基が好ましい。

式（７）において、Ｒ^２は、置換基を有していてもよいアルキル基、及び、置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選択される基を示す。Ｒ^２の、置換基を有していてもよいアルキル基、及び、置換基を有していてもよいアリール基としては、それぞれ、Ｒ^３の、置換基を有していてもよいアルキル基、及び、置換基を有していてもよいアリール基として示した範囲から選択されるものを任意に用いうる。

式（７）において、Ｘは、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、及び、アルキルシリル基からなる群より選択される基を示す。
Ｘのハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｘの、置換基を有していてもよいアルキル基、及び、置換基を有していてもよいアリール基としては、それぞれ、Ｒ^３の、置換基を有していてもよいアルキル基、及び、置換基を有していてもよいアリール基として示した範囲から選択されるものを任意に用いうる。
Ｘのアルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。
式（７）で示される金属化合物が１分子中に２以上のＸを有する場合、それらのＸは、互いに同じでもよく、異なっていてもよい。さらに、２以上のＸが互いに結合し、環構造を形成していてもよい。

式（７）において、Ｌは、電子供与性の中性配位子を示す。
Ｌの電子供与性の中性配位子としては、例えば、周期律表第１４族又は第１５族の原子を含有する電子供与性化合物が挙げられる。その具体例としては、トリメチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン等のホスフィン類；ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等のエーテル類；トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、ルチジン等のアミン類；等が挙げられる。これらの中でも、エーテル類が好ましい。また、式（７）で示される金属化合物が１分子中に２以上のＬを有する場合、それらのＬは、互いに同じでもよく、異なっていてもよい。

式（７）で示される金属化合物としては、フェニルイミド基を有するタングステン化合物が好ましい。即ち、式（７）において、Ｍがタングステン原子であり、且つ、Ｒ^１がフェニル基である化合物が好ましい。さらに、その中でも、テトラクロロタングステンフェニルイミド（テトラヒドロフラン）錯体がより好ましい。

式（７）で示される金属化合物の製造方法は、特に限定されない。例えば、特開平５−３４５８１７号公報に記載されるように、第６族遷移金属のオキシハロゲン化物；３位、４位及び５位の少なくとも１つの位置に置換基を有していてもよいフェニルイソシアナート類又は一置換メチルイソシアナート類；電子供与性の中性配位子（Ｌ）；並びに、必要に応じて、アルコール類、金属アルコキシド及び金属アリールオキシド；を混合することにより、式（７）で示される金属化合物を製造することができる。

前記の製造方法では、式（７）で示される金属化合物は、通常、反応液に含まれた状態で得られる。金属化合物の製造後、前記の反応液をそのまま開環重合反応の触媒液として用いてもよい。また、結晶化等の精製処理により、金属化合物を反応液から単離及び精製した後、得られた金属化合物を開環重合反応に供してもよい。

開環重合触媒は、式（７）で示される金属化合物を単独で用いてもよく、式（７）で示される金属化合物を他の成分と組み合わせて用いてもよい。例えば、式（７）で示される金属化合物と有機金属還元剤とを組み合わせて用いることで、重合活性を向上させることができる。

有機金属還元剤としては、例えば、炭素原子数１〜２０の炭化水素基を有する周期律表第１族、第２族、第１２族、第１３族又は１４族の有機金属化合物が挙げられる。このような有機金属化合物としては、例えば、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、フェニルリチウム等の有機リチウム；ブチルエチルマグネシウム、ブチルオクチルマグネシウム、ジヘキシルマグネシウム、エチルマグネシウムクロリド、ｎ−ブチルマグネシウムクロリド、アリルマグネシウムブロミド等の有機マグネシウム；ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、ジフェニル亜鉛等の有機亜鉛；トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、ジエチルアルミニウムクロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジイソブチルアルミニウムイソブトキシド、エチルアルミニウムジエトキシド、イソブチルアルミニウムジイソブトキシド等の有機アルミニウム；テトラメチルスズ、テトラ（ｎ−ブチル）スズ、テトラフェニルスズ等の有機スズ；等が挙げられる。これらの中でも、有機アルミニウム又は有機スズが好ましい。また、有機金属還元剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

開環重合反応は、通常、有機溶媒中で行われる。有機溶媒は、開環重合体及びその水素化物を、所定の条件で溶解もしくは分散させることが可能であり、かつ、開環重合反応及び水素化反応を阻害しないものを用いうる。このような有機溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ビシクロヘプタン、トリシクロデカン、ヘキサヒドロインデン、シクロオクタン等の脂環族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系脂肪族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン系芳香族炭化水素類；ニトロメタン、ニトロベンゼン、アセトニトリル等の含窒素炭化水素類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類；これらを組み合わせた混合溶媒；等が挙げられる。これらの中でも、有機溶媒としては、芳香族炭化水素類、脂肪族炭化水素類、脂環族炭化水素類、エーテル類が好ましい。また、有機溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

開環重合反応は、例えば、環状オレフィン単量体と、式（７）で示される金属化合物と、必要に応じて有機金属還元剤とを混合することにより、開始させることができる。これらの成分を混合する順序は、特に限定されない。例えば、環状オレフィン単量体を含む溶液に、式（７）で示される金属化合物及び有機金属還元剤を含む溶液を混合してもよい。また、有機金属還元剤を含む溶液に、環状オレフィン単量体及び式（７）で示される金属化合物を含む溶液を混合してもよい。さらに、環状オレフィン単量体及び有機金属還元剤を含む溶液に、式（７）で示される金属化合物の溶液を混合してもよい。各成分を混合する際は、それぞれの成分の全量を一度に混合してもよいし、複数回に分けて混合してもよい。また、比較的に長い時間（例えば１分間以上）にわたって連続的に混合してもよい。

開環重合反応の開始時における反応液中の環状オレフィン単量体の濃度は、好ましくは１重量％以上、より好ましくは２重量％以上、特に好ましくは３重量％以上であり、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４５重量％以下、特に好ましくは４０重量％以下である。環状オレフィン単量体の濃度を前記範囲の下限値以上にすることにより、生産性を高くできる。また、上限値以下にすることにより、開環重合反応後の反応液の粘度を低くできるので、その後の水素化反応を容易に行うことができる。

開環重合反応に用いる式（７）で示される金属化合物の量は、「金属化合物：環状オレフィン単量体」のモル比が、所定の範囲の収まるように設定することが望ましい。具体的には、前記のモル比は、好ましくは１：１００〜１：２，０００，０００、より好ましくは１：５００〜１，０００，０００、特に好ましくは１：１，０００〜１：５００，０００である。金属化合物の量を前記範囲の下限値以上にすることにより、十分な重合活性を得ることができる。また、上限値以下にすることにより、反応後に金属化合物を容易に除去できる。

有機金属還元剤の量は、式（７）で示される金属化合物１モルに対して、好ましくは０．１モル以上、より好ましくは０．２モル以上、特に好ましくは０．５モル以上であり、好ましくは１００モル以下、より好ましくは５０モル以下、特に好ましくは２０モル以下である。有機金属還元剤の量を前記範囲の下限値以上にすることにより、重合活性を十分に高くできる。また、上限値以下にすることにより、副反応の発生を抑制することができる。

重合体（α）の重合反応系は、活性調整剤を含んでいてもよい。活性調整剤を用いることで、開環重合触媒を安定化したり、開環重合反応の反応速度を調整したり、重合体の分子量分布を調整したりできる。
活性調整剤としては、官能基を有する有機化合物を用いうる。このような活性調整剤としては、例えば、含酸素化合物、含窒素化合物、含リン有機化合物等が挙げられる。

含酸素化合物としては、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、アニソール、フラン、テトラヒドロフラン等のエーテル類；アセトン、ベンゾフェノン、シクロヘキサノンなどのケトン類；エチルアセテート等のエステル類；等が挙げられる。
含窒素化合物としては、例えば、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類；トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、キヌクリジン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン等のアミン類；ピリジン、２，４−ルチジン、２，６−ルチジン、２−ｔ−ブチルピリジン等のピリジン類；等が挙げられる。
含リン化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフェート、トリメチルホスフェート等のホスフィン類；トリフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド類；等が挙げられる。

活性調整剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
重合体（α）の重合反応系における活性調整剤の量は、式（７）で示される金属化合物１００モル％に対して、好ましくは０．０１モル％〜１００モル％である。

重合体（α）の重合反応系は、重合体（α）の分子量を調整するために、分子量調整剤を含んでいてもよい。分子量調整剤としては、例えば、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン等のα−オレフィン類；スチレン、ビニルトルエン等の芳香族ビニル化合物；エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、アリルグリシジルエーテル、酢酸アリル、アリルアルコール、グリシジルメタクリレート等の酸素含有ビニル化合物；アリルクロライド等のハロゲン含有ビニル化合物；アクリルアミド等の窒素含有ビニル化合物；１，４−ペンタジエン、１，４−ヘキサジエン、１，５−ヘキサジエン、１，６−ヘプタジエン、２−メチル−１，４−ペンタジエン、２，５−ジメチル−１，５−ヘキサジエン等の非共役ジエン；１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン等の共役ジエン；等が挙げられる。

分子量調整剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
重合体（α）を重合するための重合反応系における分子量調整剤の量は、目的とする分子量に応じて適切に決定しうる。分子量調整剤の具体的な量は、環状オレフィン単量体に対して、好ましくは０．１モル％〜５０モル％の範囲である。

重合温度は、好ましくは−７８℃以上、より好ましくは−３０℃以上であり、好ましくは＋２００℃以下、より好ましくは＋１８０℃以下である。
重合時間は、反応規模に依存しうる。具体的な重合時間は、好ましくは１分間から１０００時間の範囲である。

上述した製造方法により、重合体（α）が得られる。この重合体（α）を水素化することにより、重合体（β）を製造することができる。
重合体（α）の水素化は、例えば、常法に従って水素化触媒の存在下で、重合体（α）を含む反応系内に水素を供給することによって行うことができる。この水素化反応において、反応条件を適切に設定すれば、通常、水素化反応により水素化物のタクチシチーが変化することはない。

水素化触媒としては、オレフィン化合物の水素化触媒として公知の均一系触媒及び不均一触媒を用いうる。
均一系触媒としては、例えば、酢酸コバルト／トリエチルアルミニウム、ニッケルアセチルアセトナート／トリイソブチルアルミニウム、チタノセンジクロリド／ｎ−ブチルリチウム、ジルコノセンジクロリド／ｓｅｃ−ブチルリチウム、テトラブトキシチタネート／ジメチルマグネシウム等の、遷移金属化合物とアルカリ金属化合物の組み合わせからなる触媒；ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、クロロヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、クロロヒドリドカルボニルビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウム、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ベンジリジンルテニウム（ＩＶ）ジクロリド、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム等の貴金属錯体触媒；等が挙げられる。
不均一触媒としては、例えば、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム等の金属触媒；ニッケル／シリカ、ニッケル／ケイソウ土、ニッケル／アルミナ、パラジウム／カーボン、パラジウム／シリカ、パラジウム／ケイソウ土、パラジウム／アルミナ等の、前記金属をカーボン、シリカ、ケイソウ土、アルミナ、酸化チタンなどの担体に担持させてなる固体触媒が挙げられる。
水素化触媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

水素化反応は、通常、不活性有機溶媒中で行われる。不活性有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類；ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素類；シクロヘキサン、デカヒドロナフタレンなどの脂環族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；等が挙げられる。不活性有機溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。また、不活性有機溶媒は、開環重合反応に用いた有機溶媒と同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。さらに、開環重合反応の反応液に水素化触媒を混合して、水素化反応を行ってもよい。

水素化反応の反応条件は、通常、用いる水素化触媒によっても異なる。
水素化反応の反応温度は、好ましくは−２０℃以上、より好ましくは−１０℃以上、特に好ましくは０℃以上であり、好ましくは＋２５０℃以下、より好ましくは＋２２０℃以下、特に好ましくは＋２００℃以下である。反応温度を前記範囲の下限値以上にすることにより、反応速度を速くできる。また、上限値以下にすることにより、副反応の発生を抑制できる。

水素圧力は、好ましくは０．０１ＭＰａ以上、より好ましくは０．０５ＭＰａ以上、特に好ましくは０．１ＭＰａ以上であり、好ましくは２０ＭＰａ以下、より好ましくは１５ＭＰａ以下、特に好ましくは１０ＭＰａ以下である。水素圧力を前記範囲の下限値以上にすることにより、反応速度を速くできる。また、上限値以下にすることにより、高耐圧反応装置等の特別な装置が不要となり、設備コストを抑制できる。

水素化反応の反応時間は、所望の水素化率が達成される任意の時間に設定してもよく、好ましくは０．１時間〜１０時間である。
水素化反応後は、通常、常法に従って、重合体（α）の水素化物である重合体（β）を回収する。

水素化反応における水素化率（水素化された主鎖二重結合の割合）は、好ましくは９８％以上、より好ましくは９９％以上である。水素化率が高くなるほど、脂環式構造を含有する重合体の耐熱性を良好にできる。水素化率の上限は、１００％以下としうる。
ここで、重合体の水素化率は、オルトジクロロベンゼン−ｄ^４を溶媒として、１４５℃で、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により測定しうる。

次に、重合体（γ）及び重合体（δ）の製造方法を説明する。
重合体（γ）及び（δ）の製造に用いる環状オレフィン単量体としては、重合体（α）及び重合体（β）の製造に用いうる環状オレフィン単量体として示した範囲から選択されるものを任意に用いうる。また、環状オレフィン単量体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

重合体（γ）の製造においては、単量体として、環状オレフィン単量体に組み合わせて、環状オレフィン単量体と共重合可能な任意の単量体を用いうる。任意の単量体としては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン等の炭素原子数２〜２０のα−オレフィン；スチレン、α−メチルスチレン等の芳香環ビニル化合物；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエン等の非共役ジエン；等が挙げられる。これらの中でも、α−オレフィンが好ましく、エチレンがより好ましい。また、任意の単量体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

環状オレフィン単量体と任意の単量体との量の割合は、重量比（環状オレフィン単量体：任意の単量体）で、好ましくは３０：７０〜９９：１、より好ましくは５０：５０〜９７：３、特に好ましくは７０：３０〜９５：５である。

環状オレフィン単量体を２種以上用いる場合、及び、環状オレフィン単量体と任意の単量体を組み合わせて用いる場合は、重合体（γ）は、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重合体であってもよい。

重合体（γ）の合成には、通常、付加重合触媒を用いる。このような付加重合触媒としては、例えば、バナジウム化合物及び有機アルミニウム化合物から形成されるバナジウム系触媒、チタン化合物及び有機アルミニウム化合物から形成されるチタン系触媒、ジルコニウム錯体及びアルミノオキサンから形成されるジルコニウム系触媒等が挙げられる。また、付加重合体触媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

付加重合触媒の量は、単量体１モルに対して、好ましくは０．０００００１モル以上、より好ましくは０．００００１モル以上であり、好ましくは０．１モル以下、より好ましくは０．０１モル以下である。

環状オレフィン単量体の付加重合は、通常、有機溶媒中で行われる。有機溶媒としては、環状オレフィン単量体の開環重合に用いうる有機溶媒として示した範囲から選択されるものを任意に用いうる。また、有機溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

重合体（γ）を製造するための重合における重合温度は、好ましくは−５０℃以上、より好ましくは−３０℃以上、特に好ましくは−２０℃以上であり、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下、特に好ましくは１５０℃以下である。また、重合時間は、好ましくは３０分以上、より好ましくは１時間以上であり、好ましくは２０時間以下、より好ましくは１０時間以下である。

上述した製造方法により、重合体（γ）が得られる。この重合体（γ）を水素化することにより、重合体（δ）を製造することができる。
重合体（γ）の水素化は、重合体（α）を水素化する方法として先に示したものと同様の方法により、行いうる。

結晶性樹脂において、脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体の割合は、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体の割合を前記範囲の下限値以上にすることにより、本発明の樹脂フィルムの耐熱性を高めることができる。脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体の割合の上限は、１００重量％以下としうる。

結晶性樹脂に含まれる脂環式構造を含有する重合体は、本発明の樹脂フィルムを製造するよりも前においては、結晶化していなくてもよい。しかし、本発明の樹脂フィルムが製造された後においては、当該樹脂フィルムを形成する結晶性樹脂が含む脂環式構造を含有する重合体は、通常、結晶化していることにより、高い結晶化度を有することができる。具体的な結晶化度の範囲は所望の性能に応じて適宜選択しうるが、好ましくは１０％以上、より好ましくは１５％以上である。樹脂フィルムに含まれる脂環式構造を含有する重合体の結晶化度を前記範囲の下限値以上にすることにより、樹脂フィルムに高い耐熱性や耐薬品性を付与することができる。
樹脂フィルムに含まれる脂環式構造を含有する重合体の結晶化度は、Ｘ線回折法によって測定しうる。

結晶性樹脂は、脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体に加えて、任意の成分を含みうる。任意の成分としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤等の酸化防止剤；ヒンダードアミン系光安定剤等の光安定剤；石油系ワックス、フィッシャートロプシュワックス、ポリアルキレンワックス等のワックス；ソルビトール系化合物、有機リン酸の金属塩、有機カルボン酸の金属塩、カオリン及びタルク等の核剤；ジアミノスチルベン誘導体、クマリン誘導体、アゾール系誘導体（例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、及びベンゾチアソール誘導体）、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ナフタル酸誘導体、及びイミダゾロン誘導体等の蛍光増白剤；ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリチル酸系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤等の紫外線吸収剤；タルク、シリカ、炭酸カルシウム、ガラス繊維等の無機充填材；着色剤；難燃剤；難燃助剤；帯電防止剤；可塑剤；近赤外線吸収剤；滑剤；フィラー、及び、軟質重合体等の、脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体以外の任意の重合体；などが挙げられる。また、任意の成分は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

〔１．２．樹脂フィルムの物性〕
（樹脂フィルムの耐屈曲性）
本発明の樹脂フィルムは、上述した結晶性樹脂からなる。結晶性樹脂からなる従来の樹脂フィルムでは、一般に、耐屈曲性に十分には優れていない傾向があった。しかし、本発明の樹脂フィルムは、脂環式構造を含有する結晶化度が３０％以上の重合体を含む樹脂でありながら、十分に優れた耐屈曲性を有する。ここで、耐屈曲性は、実施例の欄中の評価項目で説明するような方法で測定した破断屈曲回数で評価しうる。具体的には、破断屈曲回数が１００千回以上の場合に耐屈曲性に十分に優れていると評価することができ、破断屈曲回数が２００千回以上の場合に耐屈曲性に特に優れていると評価することができる。そして、本発明の樹脂フィルムは、上述のとおり十分に優れた耐屈曲性を有するので、光学フィルムの用途、並びに、導電性フィルム及びバリアフィルムの用途にも適したものとなる。

（樹脂フィルムの結晶化度）
本発明の樹脂フィルムに含まれる重合体の結晶化度は、３０％以上、好ましくは３５％以上である。結晶化度の上限は、特に限定されず、従って１００％以下としうるが、好ましくは８５％以下である。重合体の結晶化度が前記下限以上であることにより、高い強度を得ることができる。重合体の結晶化度が前記上限以下であることにより、良好な耐屈曲性をより容易に達成しうる。

（樹脂フィルムの厚みムラＴv）
そして、上述のように耐屈曲性に十分に優れていると評価されるような本発明の樹脂フィルムは、当該樹脂フィルムの厚みムラＴvが５％以下であり、好ましくは、４％以下であり、さらに好ましくは３％以下であり、また、理想的には厚みムラＴvは０％であるが下限を０％超としてもよい。

ここで、上記厚みムラＴvは、下記式（８）に、樹脂フィルムの厚みの最大値Ｔmax、樹脂フィルムの厚みの最小値Ｔmin、及び、樹脂フィルムの厚みの平均値Ｔaveを代入することによって求められる。
Ｔv［％］＝［（Ｔmax−Ｔmin）／Ｔave］×１００ （８）

上記の最大値Ｔmax、最小値Ｔmin、及び、平均値Ｔaveは、以下のようにして測定される。以下のようにして厚みを測定することで、樹脂フィルムの局所的な指標ではない、樹脂フィルムの全体的な指標としての、厚みムラＴv及び厚みを評価することができる。
まず、樹脂フィルムの厚みの測定対象領域を樹脂フィルムの面上に定める。具体的には、樹脂フィルムの４辺（長辺及び短辺）の長さがいずれも１ｍ以下の枚葉のフィルムの場合、フィルム面全体を測定対象領域とし、樹脂フィルムの４辺（長辺及び短辺）の長さのいずれかもしくはいずれもが１ｍを超える枚葉のフィルム又は長尺のフィルムの場合、フィルム面に含まれる短辺の長さ×短辺の長さのサイズの任意の領域を測定対象領域とする。
次に、上述のように定めた測定対象領域内で、樹脂フィルムの厚みの測定箇所を少なくとも３０点定める。これら測定箇所は、フィルム面上において上記測定対象領域の外縁側に分布する測定箇所を直線で結んで形成される多角形の面積が、測定対象領域の７０％以上を占めるようにする。ただし、外縁側に分布する測定箇所は、互いに隣り合う２点の測定箇所を結ぶ線分と、その線分の一方の端点とその端点の隣にある測定箇所とを結ぶ線分とがなす内角が１８０°以下であるという条件を満たす。外縁側に分布する測定箇所が定まる限りにおいて、他の測定箇所は上記多角形の領域内でその位置及び数を任意に定めることができる。ただし、任意の３点の測定箇所を結んだ三角形であってその辺上の点を含む内側領域上に他の測定箇所を含まない三角形の面積が５０ｃｍ^２以下であり、かつ測定対象領域の面積の５％以下になるように測定箇所を定める。例えば、４辺の長さがいずれも１ｍ以下の枚葉のフィルムの場合、実施例の欄中の評価項目で説明するような方法で測定箇所を定めうる。
そして、上記のように定めた測定箇所で樹脂フィルムの厚みを測定する。少なくとも３０点の計測箇所で得られた厚みのうち、その最大値を、樹脂フィルムの厚みの最大値Ｔmaxとし、その最小値を、樹脂フィルムの厚みの最小値Ｔminとし、その平均値を、樹脂フィルムの厚みの平均値Ｔaveとする。

本発明の樹脂フィルムは、上述したように求められる厚みムラＴvの値が小さいので、屈曲しても、不均一な応力集中が生じにくく、その結果、破断が生じにくいという効果を奏する。

（樹脂フィルムの位相差ムラ及び配向ムラ）
本発明の樹脂フィルムは、光学特性が付与された光学フィルムである場合、通常は、厚みムラが小さいのと同様に、位相差ムラ及び配向ムラも小さい。したがって、本発明によれば、優れた光学フィルムを提供することができる。

（樹脂フィルムの内部ヘイズ）
本発明の樹脂フィルムは、内部ヘイズが小さいことが好ましい。ここで、通常、ヘイズには、樹脂フィルムの表面にある微細な凹凸による光散乱によるものと、内部屈折率分布によるものとが含まれる。内部ヘイズとは、通常のヘイズから樹脂フィルムの表面にある微細な凹凸による光散乱によるヘイズを差し引いたものをいう。そのような内部ヘイズは、実施例の欄中の評価項目で説明するような方法で測定しうる。
好ましくは、樹脂フィルムの内部ヘイズは、３％以下であり、より好ましくは２％以下であり、さらに好ましくは１％以下であり、特に好ましくは０．５％以下であり、また、理想的には内部ヘイズは０％であるが下限を０％超としてもよい。

（樹脂フィルムの透明性）
本発明の樹脂フィルムは、透明性に優れることが好ましい。具体的には、本発明の樹脂フィルムの全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは８８％以上である。
樹脂フィルムの全光線透過率は、紫外・可視分光計を用いて、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で測定しうる。

（樹脂フィルムの光学特性）
本発明の樹脂フィルムは、用途に応じて、レターデーションを有していてもよい。例えば、本発明の樹脂フィルムを位相差フィルム、光学補償フィルム等の光学フィルムとして用いる場合には、樹脂フィルムはレターデーションを有することが好ましい。

（樹脂フィルムの厚み）
本発明の樹脂フィルムの厚みは、所望の用途に応じて適宜選択しうるが、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上であり、好ましくは１ｍｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、特に好ましくは２００μｍ以下である。樹脂フィルムの厚みを前記範囲の下限値以上にすることにより、適度の強度を得ることができる。また、上限値以下にすることにより、長尺のフィルムを製造する場合の巻取りを可能にすることができる。本発明の樹脂フィルムは、厚みムラが小さいので、ロールに巻き取るときの巻きムラを小さくすることができ、また、シワの発生も抑えられる。また、本発明の樹脂フィルムは、厚みムラが小さいので、表面に塗工層を設けるときの塗工ムラ及び塗工厚みのムラを抑えることもできる。

（樹脂フィルムの用途）
本発明の樹脂フィルムは、任意の用途に用いうる。中でも、本発明の樹脂フィルムは、例えば、光学等方性フィルム及び位相差フィルム等の光学フィルム、電気電子用フィルム、バリアフィルム用の基材フィルム、並びに、導電性フィルム用の基材フィルムとして好適である。前記の光学フィルムとしては、例えば、液晶表示装置用の位相差フィルム、偏光板保護フィルム、有機ＥＬ表示装置の円偏光板用の位相差フィルム、等が挙げられる。電気電子用フィルムとしては、例えば、フレキシブル配線基板、フィルムコンデンサー用絶縁材料、などが挙げられる。バリアフィルムとしては、例えば、有機ＥＬ素子用の基板、封止フィルム、太陽電池の封止フィルム、などが挙げられる。導電性フィルムとしては、例えば、有機ＥＬ素子や太陽電池のフレキシブル電極、タッチパネル部材、などが挙げられる。

［２．樹脂フィルムの製造方法］
本発明の樹脂フィルムは、脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体を含む樹脂からなる第１のフィルムを、当該第１のフィルムの少なくとも二辺を保持した状態で、第１の温度Ｔ１以上でかつ第２の温度Ｔ２以下の範囲内の予熱温度Ｔphで予熱時間ｔphにわたって予熱して、第２のフィルムを得る予熱工程と；前記第２のフィルムに対して第１の温度Ｔ１以上でかつ第２の温度Ｔ２以下の範囲内の延伸温度Ｔstで延伸処理を施すことにより、第３のフィルムを得る延伸工程と；前記第３のフィルムの少なくとも二辺を保持した状態で、前記第３のフィルムに対して、前記延伸温度Ｔstよりも高温であって、第３の温度Ｔ３以上でかつ前記重合体の融点Ｔｍ未満の範囲内の熱固定温度Ｔtsで熱固定時間ｔtsにわたって保持する熱固定工程とを含む、樹脂フィルムの製造方法にしたがって製造される。各工程における温度範囲及び時間については後述する。そして、上記の樹脂フィルムの製造方法にしたがうことにより、脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体を含む樹脂から、強度に優れ、かつ、耐屈曲性に優れた樹脂フィルムを製造することができる。

以下、この製造方法について詳細に説明する。

〔２．１．第１のフィルムの用意〕
前記の樹脂フィルムの製造方法の実施に先立ち、第１のフィルムを用意する工程を行う。第１のフィルムは、結晶性樹脂からなり所望の厚みを有するフィルムである。ここで、第１のフィルムの所望の厚みは、後の延伸工程における延伸倍率を考慮して任意に設定しうる。かかる厚みは、通常は５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上であり、通常は１ｍｍ以下、好ましくは５００μｍ以下である。

第１のフィルムは、例えば、射出成形法、押出成形法、プレス成形法、インフレーション成形法、ブロー成形法、カレンダー成形法、注型成形法、圧縮成形法等の樹脂成型法によって製造しうる。これらの中でも、厚みの制御が容易であることから、押出成形法によって第１のフィルムを製造することが好ましい。押出成形法によって第１のフィルムを製造する場合、その押出成形法における製造条件は、好ましくは下記の通りである。シリンダー温度（溶融樹脂温度）は、好ましくはＴｍ以上、より好ましくは「Ｔｍ＋２０」℃以上であり、好ましくは「Ｔｍ＋１００」℃以下、より好ましくは「Ｔｍ＋５０」℃以下である。また、キャストロール温度は、好ましくは「Ｔｇ−５０」℃以上であり、好ましくは「Ｔｇ＋７０」℃以下、より好ましくは「Ｔｇ＋４０」℃以下である。さらに、冷却ロール温度は、好ましくは「Ｔｇ−７０」℃以上、より好ましくは「Ｔｇ−５０」℃以上であり、好ましくは「Ｔｇ＋６０」℃以下、より好ましくは「Ｔｇ＋３０」℃以下である。このような条件で第１のフィルムを製造することにより、厚さ１μｍ〜１ｍｍの第１のフィルムを容易に製造できる。ここで、「Ｔｍ」は脂環式構造を含有する重合体の融点を表し、「Ｔｇ」は脂環式構造を含有する重合体のガラス転移温度を表す。

〔２．２．予熱工程〕
本発明に係る樹脂フィルムの製造方法では、延伸工程に先立って予熱工程を実施する。この予熱工程は、延伸工程に先立って第１のフィルムを所定の温度範囲内にある状態で維持するために行われる。このために、予熱工程では、第１のフィルムの少なくとも二辺を保持した状態で予熱温度Ｔphで予熱時間ｔphにわたって第１のフィルムを加熱する。そして、第１のフィルムの少なくとも二辺を保持することにより、保持された辺の間の領域において第１のフィルムの熱収縮による変形を抑制できる。通常、予熱工程と延伸工程とは連続して行われるので、予熱工程と延伸工程との間に他の工程は行われない。

上記予熱温度Ｔphは、予熱工程で第１のフィルムが曝される加熱雰囲気の温度であり、通常は、加熱装置の設定温度と同じ温度となる。この予熱温度Ｔphは、第１の温度Ｔ１以上でかつ第２の温度Ｔ２以下の範囲内の温度である。好適な加熱装置は、非接触で第１のフィルムを加熱可能な加熱装置であり、具体例を挙げると、オーブン及び加熱炉が挙げられる。

ここで、前記第１の温度Ｔ１は、予熱温度Ｔphがとり得る温度の範囲の下限であり、下記式（９）で示され、好ましくは下記式（９’）で示され、より好ましくは下記式（９”）で示される。
Ｔ１［℃］＝（５×Ｔｇ＋５×Ｔｐｃ）／１０ （９）
Ｔ１［℃］＝［（５×Ｔｇ＋５×Ｔｐｃ）／１０］＋５ （９’）
Ｔ１［℃］＝［（５×Ｔｇ＋５×Ｔｐｃ）／１０］＋１０ （９”）
上記式（９）、（９’）及び（９”）中、Ｔｇは、前記結晶性樹脂に含まれる重合体のガラス転移温度であり、かつ、Ｔｐｃは、前記結晶性樹脂に含まれる重合体の結晶化ピーク温度である。上記式（９）、（９’）及び（９”）からわかるように、通常、第１の温度Ｔ１は、ガラス転移温度Ｔｇよりも高い温度であり、結晶化ピーク温度Ｔｐｃよりも低い温度である。
そして、予熱温度Ｔphが第１の温度Ｔ１以上であることにより、後の熱固定工程において生じる厚みの均一性の低下を大幅に抑制することができる。

また、前記第２の温度Ｔ２は、予熱温度Ｔphがとり得る温度の範囲の上限であり、下記式（１０）で示され、好ましくは下記式（１０’）で示され、より好ましくは下記式（１０”）で示される。下記式（１０）、（１０’）及び（１０”）からわかるように、通常、第２の温度Ｔ２は、結晶化ピーク温度Ｔｐｃよりも高い温度であり、融点Ｔｍよりも低い温度である。
Ｔ２［℃］＝［（９×Ｔｐｃ＋１×Ｔｍ）／１０］ （１０）
Ｔ２［℃］＝［（９×Ｔｐｃ＋１×Ｔｍ）／１０］−５ （１０’）
Ｔ２［℃］＝［（９×Ｔｐｃ＋１×Ｔｍ）／１０］−１０ （１０”）
そして、予熱温度Ｔphが第２の温度Ｔ２以下であることにより、後続の延伸工程において生じる延伸不良を抑制したり、後の熱固定工程において生じる厚みの均一性の低下を大幅に抑制したりすることができる。さらには、予熱温度Ｔphが第２の温度Ｔ２以下であることにより、得られる樹脂フィルムのヘイズを小さくすることができ、白濁を抑制することができる。

上記予熱時間ｔphは、延伸工程に先立って、第１のフィルムが所定の温度範囲内にある状態で維持されている時間であり、すなわち予熱工程で第１のフィルムが加熱雰囲気に曝されている時間である。ここで、所定の温度範囲とは、予熱温度Ｔphがとり得る温度の範囲と同一であり、すなわち、第１の温度Ｔ１以上でかつ第２の温度Ｔ２以下の範囲内の温度である。

ここで、予熱時間ｔphの上限ｔph(max)は、下記式（１１）で示され、好ましくは下記式（１１’）で示され、より好ましくは下記式（１１”）で示される。
ｔph(max)［秒］
＝８０×［（Ｔ１−Ｔph）／（Ｔ２−Ｔ１）］＋９０ （１１）
ｔph(max)［秒］
＝０．８×［８０×｛（Ｔ１−Ｔph）／（Ｔ２−Ｔ１）｝＋９０］ （１１’）
ｔph(max)［秒］
＝０．６×［８０×｛（Ｔ１−Ｔph）／（Ｔ２−Ｔ１）｝＋９０］ （１１”）
そして、予熱時間ｔphが上限ｔph(max)以下であることにより、後続の延伸工程において生じる延伸不良を抑制したり、後の熱固定工程において生じる厚みの均一性の低下を大幅に抑制したりすることができる。さらには、予熱時間ｔphが上限ｔph(max)以下であることにより、得られる樹脂フィルムのヘイズを小さくすることができ、白濁を防止することができる。

また、予熱時間ｔphの下限ｔph(min)は、１秒であり、好ましくは５秒である。これにより、第１のフィルムが不均一に加熱されることを防止することができる。そのため、後続の延伸工程での延伸不良に起因した厚みの均一性の低下を抑制することができる。

上記の「第１のフィルムの少なくとも二辺を保持した状態」とは、第１のフィルムにたわみが認められない程度に、保持具で又は離間された２つのローラーで第１のフィルムを保持した状態をいう。ただし、この状態には、第１のフィルムが実質的に延伸されるような保持状態は含まれない。また、実質的に延伸されるとは、第１のフィルムのいずれかの方向への延伸倍率が通常１．０３倍以上になることをいう。

第１のフィルムを保持する場合、適切な保持具によって第１のフィルムを保持する。保持具は、第１のフィルムの辺の全長を連続的に保持しうるものでもよく、間隔を空けて間欠的に保持しうるものでもよい。例えば、所定の間隔で配列された保持具によって第１のフィルムの辺を間欠的に保持してもよい。枚葉の第１のフィルムでは、その全ての辺を保持することが好ましい。具体例を挙げると、矩形の枚葉の第１のフィルムでは、四辺を保持することが好ましい。これにより、予熱工程における変形をより確実に抑制することができる。

第１のフィルムの辺を保持しうる保持具としては、第１のフィルムの辺以外の部分では第１のフィルムと接触しないものが好ましい。このような保持具を用いることにより、より平滑性に優れる樹脂フィルムを得ることができる。

また、保持具としては、保持具同士の相対的な位置を予熱工程においては固定しうるものが好ましい。このような保持具は、予熱工程において保持具同士の位置が相対的に移動しないので、予熱工程における第１のフィルムの実質的な延伸を抑制しやすい。

好適な保持具としては、例えば、矩形の第１のフィルム用の保持具として、型枠に所定間隔で設けられ第１のフィルムの辺を把持しうるクリップ等の把持子が挙げられる。また、例えば、長尺の第１のフィルムの幅方向の端部にある二辺を保持するための保持具としては、テンター延伸機に設けられ第１のフィルムの辺を把持しうる把持子が挙げられる。

長尺の第１のフィルムを用いる場合、その第１のフィルムの長手方向の端部にある辺（即ち、短辺）を保持してもよいが、前記の辺を保持する代わりに第１のフィルムの予熱処理を施される領域の長手方向の両側を保持してもよい。例えば、第１のフィルムの予熱処理を施される領域の長手方向の両側に、第１のフィルムを熱収縮しないように保持しうる保持装置を設けてもよい。このような保持装置としては、例えば、２つのロールの組み合わせ、押出機と引き取りロールとの組み合わせ、などが挙げられる。これらの組み合わせによって第１のフィルムを保持することで、予熱処理を施される領域において当該第１のフィルムの熱収縮を抑制できる。そのため、前記の組み合わせを保持装置として用いれば、第１のフィルムを搬送方向に送りながら当該第１のフィルムを保持できるので、樹脂フィルムの効率的な製造ができる。

上述したようにして予熱工程を実施することにより、予熱された第１のフィルムとして第２のフィルムが得られる。

〔２．３．延伸工程〕
本発明に係る樹脂フィルムの製造方法では、予熱工程で得られた第２のフィルムの延伸を行うための延伸工程を実施する。この延伸工程は、第２のフィルムが上述した所定の温度範囲内にある状態で開始される。このために、延伸工程では、第２のフィルムに対して延伸温度Ｔstで延伸処理が施される。

上記延伸温度Ｔstは、延伸工程で第２のフィルムが曝される加熱雰囲気の温度であり、通常は、延伸機の設定温度と同じ温度となる。この延伸温度Ｔstは、上記第１の温度Ｔ１以上でかつ上記第２の温度Ｔ２以下の範囲内の温度である。したがって、延伸温度Ｔstに、予熱温度Ｔphと同じ温度を設定してもよく、また、この場合における延伸温度Ｔstと予熱温度Ｔphの温度差は、５℃以下とすることが好ましく、さらに好ましくは２℃以下である。延伸温度Ｔstとしてこのような温度を設定することにより、第２のフィルムに含まれる重合体分子を適切に配向させることができる。

第２のフィルムの延伸方法に格別な制限は無く、任意の延伸方法を用いうる。例えば、第２のフィルムを長手方向に一軸延伸する方法（縦一軸延伸法）、第２のフィルムを幅方向に一軸延伸する方法（横一軸延伸法）等の、一軸延伸法；第２のフィルムを長手方向に延伸すると同時に幅方向に延伸する同時二軸延伸法、第２のフィルムを長手方向及び幅方向の一方に延伸した後で他方に延伸する逐次二軸延伸法などの二軸延伸法；第２のフィルムを幅方向に平行でもなく垂直でもない斜め方向に延伸する方法（斜め延伸法）；などが挙げられる。

前記の縦一軸延伸法としては、例えば、ロール間の周速の差を利用した延伸方法などが挙げられる。
また、前記の横一軸延伸法としては、例えば、テンター延伸機を用いた延伸方法などが挙げられる。
さらに、前記の同時二軸延伸法としては、例えば、ガイドレールに沿って移動可能に設けられ且つ第２のフィルムを固定しうる複数のクリップを備えたテンター延伸機を用いて、クリップの間隔を開いて第２のフィルムを長手方向に延伸すると同時に、ガイドレールの広がり角度により第２のフィルムを幅方向に延伸する延伸方法などが挙げられる。
また、前記の逐次二軸延伸法としては、例えば、ロール間の周速の差を利用して第２のフィルムを長手方向に延伸した後で、その第２のフィルムの両端部をクリップで把持してテンター延伸機により幅方向に延伸する延伸方法などが挙げられる。
さらに、前記の斜め延伸法としては、例えば、第２のフィルムに対して長手方向又は幅方向に左右異なる速度の送り力、引張り力又は引取り力を付加しうるテンター延伸機を用いて第２のフィルムを斜め方向に連続的に延伸する延伸方法などが挙げられる。

第２のフィルムを延伸する場合の延伸倍率は、所望の光学特性、厚み、強度などにより適宜選択しうるが、通常は１．０３倍以上、好ましくは１．１倍以上、より好ましくは１．２倍以上であり、通常は２０倍以下、好ましくは１０倍以下、より好ましくは５倍以下である。ここで、例えば二軸延伸法のように異なる複数の方向に延伸を行う場合、延伸倍率は各延伸方向における延伸倍率の積で表される総延伸倍率のことである。延伸倍率を前記範囲の上限値以下にすることにより、フィルムが破断する可能性を小さくできるので、樹脂フィルムの製造を容易に行うことができる。また、延伸処理に要する時間は、延伸倍率に応じて設定しうる。

前記のような延伸処理を第２のフィルムに施すことにより、延伸された第２のフィルムとしての第３のフィルムが得られ、このような第３のフィルムを用いることにより所望の特性を有する樹脂フィルムを得ることができる。

〔２．４．熱固定工程〕
本発明に係る樹脂フィルムの製造方法では、熱固定工程を実施する。この熱固定工程は、第３のフィルム中に含まれる脂環式構造を含有する重合体の結晶化を促進するために行われる。熱固定工程では、第３のフィルムの少なくとも二辺を保持した状態で、熱固定温度Ｔtsで保持する。これによって、通常、脂環式構造を含有する重合体の結晶化度を３０％未満から３０％以上に高めることができる。そして、第３のフィルムの少なくとも二辺を保持することにより、保持された辺の間の領域において第３のフィルムの熱収縮による変形を抑制することができる。結晶化度を３０％以上に高めることで、樹脂フィルムの強度を優れたものとすることができる。

上記の「第３のフィルムの少なくとも二辺を保持した状態」とは、上述の「第１のフィルムの少なくとも二辺を保持した状態」と同じであるのでその説明を割愛する。また、保持具についても同じであるので、その説明を割愛する。

上記熱固定温度Ｔtsは、熱固定工程で第３のフィルムが曝される加熱雰囲気の温度であり、通常は、加熱装置の設定温度と同じ温度となる。この熱固定温度Ｔtsは、延伸温度Ｔstよりも高温であって、第３の温度Ｔ３以上でかつ重合体の融点Ｔｍ未満の範囲内の温度である。また、熱固定温度Ｔtsは、予熱温度Ｔphよりも高温であることが好ましい。好適な加熱装置は、非接触で第３のフィルムを加熱可能な加熱装置であり、具体例を挙げると、オーブン及び加熱炉が挙げられる。このような温度範囲を採用することにより、得られる樹脂フィルムの白濁を抑制できる。

ここで、前記第３の温度Ｔ３は、熱固定温度Ｔtsがとり得る温度の範囲の下限であり、下記式（１２）で示され、好ましくは下記式（１２’）で示され、より好ましくは下記式（１２”）で示される。下記式（１２）、（１２’）及び（１２”）からわかるように、通常、第３の温度Ｔ３は、結晶化ピーク温度Ｔｐｃよりも高い温度であり、融点Ｔｍよりも低い温度である。
Ｔ３［℃］＝［（９×Ｔｐｃ＋１×Ｔｍ）／１０］ （１２）
Ｔ３［℃］＝［（９×Ｔｐｃ＋１×Ｔｍ）／１０］＋１０ （１２’）
Ｔ３［℃］＝［（９×Ｔｐｃ＋１×Ｔｍ）／１０］＋２０ （１２”）

また、好ましくは、上記熱固定温度Ｔtsは、前記第３の温度Ｔ３以上でかつ第４の温度Ｔ４以下の範囲内にある。第４の温度Ｔ４は、熱固定温度Ｔtsが局所的にも融点Ｔｍに到達してしまうことがないように見込んで設定した、熱固定温度Ｔtsがとり得る温度の範囲の上限である。
ここで、前記第４の温度Ｔ４は、好ましくは、下記式（１３）で示され、より好ましくは下記式（１３’）で示され、さらに好ましくは下記式（１３”）で示される。下記式（１３）、（１３’）及び（１３”）からわかるように、第４の温度Ｔ４は、結晶化ピーク温度Ｔｐｃよりも高い温度であり、融点Ｔｍよりも低い温度である。
Ｔ４［℃］＝［（２×Ｔｐｃ＋８×Ｔｍ）／１０］ （１３）
Ｔ４［℃］＝［（２×Ｔｐｃ＋８×Ｔｍ）／１０］−２０ （１３’）
Ｔ４［℃］＝［（２×Ｔｐｃ＋８×Ｔｍ）／１０］−４０ （１３”）

また、前記熱固定工程を行う熱固定時間ｔtsは、５秒以上である。ここで、熱固定時間ｔtsとは、熱収縮しないように少なくとも２辺を保持された第３のフィルムが所定の温度範囲内にある状態で維持されている時間である。この所定の温度範囲とは、熱固定温度Ｔtsがとり得る温度の範囲と同一であり、すなわち、上記第３の温度Ｔ３以上でかつ上記第４の温度Ｔ４以下の範囲内の温度である。また、好ましくは、熱固定時間ｔtsは、９０秒以下である。
そして、熱固定時間ｔtsが５秒以上であることにより、重合体の結晶化度を十分に高めて、樹脂フィルムの強度を優れたものとすることができる。また、熱固定時間ｔtsを９０秒以下にすることにより、得られる樹脂フィルムの白濁を抑制できるので、光学フィルムとしての使用に適した樹脂フィルムが得られる。したがって、熱固定時間ｔtsは、５秒以上９０秒以下の範囲内にあることがより好ましい。

好ましくは、熱固定工程では、上記の「第３のフィルムの少なくとも二辺を保持した状態」に代えて、「第３のフィルムの少なくとも二辺を保持して緊張させた状態」とする。「第３のフィルムの少なくとも二辺を保持して緊張させた状態」とは、第３のフィルムに延伸に至らないまでもある程度の張力をかけることをいう。これは、熱固定工程では、予熱工程及び延伸工程よりも高い温度に第３のフィルムが曝されることによる熱収縮を考慮した方が好ましいためである。これにより、第３のフィルムの平滑性を損なうことなく、結晶化を進めることができる。

前記のような熱固定処理を第３のフィルムに施すことにより、結晶化が促進された第３のフィルムとしての第４のフィルムが得られる。

〔２．５．緩和工程〕
本発明では、熱固定工程の後で、熱固定工程で得られた第４のフィルムを熱収縮させ残留応力を除去するために、緩和工程を行うことが好ましい。緩和工程では、熱固定工程で得られた第４のフィルムを平坦に維持しながら、所定の温度範囲で、前記第４のフィルムの緊張を緩和する緩和処理を行う。

第４のフィルムの緊張を緩和する、とは、保持装置によって保持されて緊張した状態から第４のフィルムを解放することをいい、第４のフィルムが緊張していなければ第４のフィルムが保持装置で保持されていてもよい。このように緊張が緩和されると、第４のフィルムは熱収縮を生じうる状態となる。緩和工程では、第４のフィルムに熱収縮を生じさせることによって、樹脂フィルムに加熱時において生じうる応力を解消している。そのため、本発明の樹脂フィルムの高温環境下での熱収縮を小さくできるので、高温環境下での寸法安定性に優れる樹脂フィルムが得られる。

第４のフィルムの緊張の緩和は、一時に行ってもよく、時間をかけて連続的又は段階的に行ってもよい。ただし、得られる樹脂フィルムの波打ち及びシワ等の変形の発生を抑制するためには、緊張の緩和は、連続的又は段階的に行うことが好ましい。

前記の第４のフィルムの緊張の緩和は、第４のフィルムを平坦に維持しながら行う。ここで第４のフィルムを平坦に維持する、とは、第４のフィルムに波打ち及びシワといった変形を生じないように第４のフィルムを平面形状に保つことをいう。これにより、得られる樹脂フィルムの波打ち及びシワ等の変形の発生を抑制できる。

緩和処理の際の第４のフィルムの処理温度は、熱固定工程での熱固定温度Ｔtsとの温度差が２０℃以下、好ましくは１０℃以下の範囲内であることが好ましい。これにより、緩和工程における第４のフィルムの温度ムラを抑制したり、樹脂フィルムの生産性を高めたりできる。

緩和工程において、第４のフィルムを前記の温度範囲に維持する処理時間は、好ましくは１秒以上、より好ましくは５秒以上である。この処理時間の上限は、熱固定時間ｔtsと緩和工程での処理時間の合計が９０秒以下（すなわち、熱固定時間ｔts＋緩和工程での処理時間≦９０秒）であり、かつ熱固定時間ｔtsの２倍が緩和工程での処理時間以上（すなわち、熱固定時間ｔts×２≧緩和工程での処理時間）となるように設定することが好ましい。処理時間を前記範囲の下限値以上にすることにより、本発明の樹脂フィルムの高温環境下での寸法安定性を効果的に高めることができる。また、上限値以下にすることにより、本発明の樹脂フィルムの高温環境下での寸法安定性を効果的に高めることができ、また、緩和工程における結晶化の進行による樹脂フィルムの白濁を抑制することができる。

前記のような緩和工程において枚葉の第４のフィルムに緩和処理を施す場合、例えば、その第４のフィルムの四辺を保持しながら、保持部分の間隔を連続的又は段階的に狭める方法を採用しうる。この場合、第４のフィルムの四辺において保持部分の間隔を同時に狭めてもよい。また、一部の辺において保持部分の間隔を狭めた後で、別の一部の辺の保持部分の間隔を狭めてもよい。さらに、一部の辺の保持部分の間隔を狭めないで維持してもよい。また、一部の辺の保持部分の間隔は連続的又は段階的に狭め、別の一部の辺の保持部分の間隔を一時に狭めてもよい。

また、前記のような緩和工程において長尺の第４のフィルムに緩和処理を施す場合、例えば、テンター延伸機を用いて、クリップを案内しうるガイドレールの間隔を第４のフィルムの搬送方向において狭めたり、隣り合うクリップの間隔を狭めたりする方法が挙げられる。

前記のように、第４のフィルムを保持した状態で保持部分の間隔を狭めることで第４のフィルムの緊張の緩和を行う場合、間隔を狭める程度は、熱固定工程において得られた第４のフィルムに残留していた応力の大きさに応じて設定しうる。
通常、熱固定工程において得られた第４のフィルムには、既に延伸処理が施されているので、大きな応力が残留する傾向がある。そのため、この第４のフィルムの緊張を緩和するために間隔を狭める程度は、延伸処理が施されていないフィルムを用いる場合に比べて大きくすることが好ましい。

緩和工程において保持間隔を狭める程度は、緩和工程での第４のフィルムの処理温度において第４のフィルムに緊張を与えない状態での熱収縮率Ｓ（％）を基準として定めうる。具体的には、保持間隔を狭める程度は、通常０．１Ｓ以上、好ましくは０．５Ｓ以上、より好ましくは０．７Ｓ以上、また通常１．２Ｓ以下、好ましくは１．０Ｓ以下、より好ましくは０．９５Ｓ以下である。また、例えば直交する２方向で熱収縮率Ｓが異なる場合のように、前記熱収縮率Ｓに異方性がある場合は、各々の方向について前記範囲内で保持間隔を狭める程度を定めうる。このような範囲にすることで、樹脂フィルムの残留応力を十分に除去し、かつ平坦性を維持させることができる。

第４のフィルムの熱収縮率Ｓは、下記の方法により測定しうる。
室温２３℃の環境下で、第４のフィルムを１５０ｍｍ×１５０ｍｍの大きさの正方形に切り出し、試料フィルムとする。この試料フィルムを、緩和工程の処理温度と同じ温度に設定したオーブン内で６０分間加熱し、２３℃（室温）まで冷却した後、試料フィルムの熱収縮率Ｓを求めたい方向に平行な二辺の長さを測定する。
測定された二辺それぞれの長さを基に、下記式（III）に基づいて、試料フィルムの熱収縮率Ｓを算出する。式（III）において、Ｌ_１（ｍｍ）は、加熱後の試料フィルムの測定した二辺の一方の辺の長さを示し、Ｌ_２（ｍｍ）はもう一方の辺の長さを示す。
熱収縮率Ｓ（％）＝［（３００−Ｌ_１−Ｌ_２）／３００］×１００ （III）

前記のような緩和処理を第４のフィルムに施すことにより、製造対象であった樹脂フィルムが得られる。また、緩和処理を行わない場合には、第４のフィルムが樹脂フィルムとなる。

〔２．６．熱固定工程及び緩和工程の第一の例〕
以下、上述した熱固定工程及び緩和工程の第一の例について説明する。第一の例は、枚葉の第３のフィルムを用いて枚葉の樹脂フィルムを製造する方法の例を示す。ただし、熱固定工程及び緩和工程は、この第一の例に限定されない。

図１及び図２は、保持装置の例を模式的に示す平面図である。
図１に示すように、保持装置１００は、枚葉の第３のフィルム１０を保持するための装置である。保持装置１００は、型枠１１０と、型枠１１０に位置調整を可能に設けられた複数の保持具としてクリップ１２１、１２２、１２３及び１２４を備える。クリップ１２１、クリップ１２２、クリップ１２３及びクリップ１２４は、それぞれ、第３のフィルム１０の辺１１、辺１２、辺１３及び辺１４を把持しうるように設けられている。

このような保持装置１００を用いて熱固定工程を行う場合、保持装置１００に、脂環式構造を含有する重合体を含む樹脂からなる第３のフィルム１０を取り付ける。具体的には、クリップ１２１〜１２４で第３のフィルム１０を把持することで、第３のフィルム１０の四辺１１〜１４を保持した状態にする。そして、このように保持した状態の第３のフィルム１０を、図示しないオーブンにより、熱固定温度Ｔtsで加熱する。

これにより、第３のフィルム１０に含まれる脂環式構造を含有する重合体の結晶化が進行して、図２に示すように、第４のフィルム２０が得られる。この際、第３のフィルム１０の四辺１１〜１４が保持した状態となっていたので、第４のフィルム２０には熱収縮による変形は生じない。そのため、通常は、第４のフィルム２０には、熱収縮を生じさせようとする応力が残留している。

その後、前記のように製造された第４のフィルム２０には、緩和工程が行われる。前記の第４のフィルム２０は、熱固定工程が終わった時点においては、保持装置１００のクリップ１２１、クリップ１２２、クリップ１２３及びクリップ１２４に、当該第４のフィルム２０の辺２１、辺２２、辺２３及び辺２４において保持されている。緩和工程では、この第４のフィルム２０を、引き続き熱固定温度Ｔtsとの温度差が２０℃以下の範囲内の温度に加熱した状態で、保持装置１００のクリップ１２１〜１２４の間隔Ｉ_１２１、Ｉ_１２２、Ｉ_１２３及びＩ_１２４を狭める。これにより、第４のフィルム２０の熱収縮による寸法変化に追従するように、クリップ１２１〜１２４による第４のフィルム２０の保持部分の間隔は狭まる。そのため、第４のフィルム２０は、平坦に維持しながら緊張を緩和されて、枚葉の樹脂フィルムが得られる。

こうして得られた樹脂フィルムでは、高温環境下における寸法変化の原因となり得るフィルム内の応力が解消されている。そのため、得られた樹脂フィルムにおいて、高温環境下での寸法安定性を向上させることができる。また、樹脂フィルムに含まれる脂環式構造を含有する重合体が結晶化されているので、この樹脂フィルムは、通常、耐熱性に優れる。

〔２．７．熱固定工程及び緩和工程の第二の例〕
以下、上述した熱固定工程及び緩和工程の第二の例について説明する。第二の例は、長尺の第３のフィルムを用いて長尺の樹脂フィルムを製造する方法の例を示す。ただし、熱固定工程及び緩和工程は、この第二の例に限定されない。

図３は、樹脂フィルムの製造装置の例を模式的に示す正面図であり、図４は、樹脂フィルムの製造装置の例を模式的に示す平面図である。
図３及び図４に示すように、製造装置２００は、保持装置としてのテンター延伸機３００、搬送ロール４１０及び４２０、並びに、加熱装置としてのオーブン５００を備える。

図４に示すように、テンター延伸機３００は、フィルム搬送路の左右両脇に設けられた無端状のリンク装置３１０及び３２０、前記のリンク装置３１０及び３２０を駆動するためのスプロケット３３０及び３４０を備える。また、前記のリンク装置３１０及び３２０は、それぞれ複数の保持具としてクリップ３１１及び３２１が設けられている。

クリップ３１１及び３２１は、第３のフィルム３０の幅方向の端部の辺３１及び３２、第４のフィルム４０の幅方向の端部の辺４１及び４２、並びに、樹脂フィルム５０の幅方向の端部の辺５１及び５２を把持することによって、第３のフィルム３０を保持しうるように設けられている。また、これらのクリップ３１１及び３２１は、リンク装置３１０及び３２０の回転に伴って移動可能に設けられている。

リンク装置３１０及び３２０は、スプロケット３３０及び３４０で駆動されることにより、フィルム搬送路の両脇に設けられた図示しないガイドレールで規定される周回軌道に沿って、矢印Ａ３１０及びＡ３２０で示すように回転できるように設けられている。よって、リンク装置３１０及び３２０に設けられたクリップ３１１及び３２１は、フィルム搬送路の両脇において所望の周回軌道に沿って移動できる構成を有している。

さらに、クリップ３１１及び３２１は、適切な任意の機構により、オーブン５００の入り口５１０近傍において第３のフィルム３０の二辺３１及び３２を保持し、その保持した状態を維持したままでリンク装置３１０及び３２０の回転に伴ってフィルム搬送方向に移動し、オーブン５００の出口５２０近傍において樹脂フィルム５０を放すように設けられている。

さらに、このテンター延伸機３００は、フィルム搬送方向におけるクリップ３１１及び３２１の間隔Ｗ_ＭＤ並びに幅方向におけるクリップ３１１及び３２１の間隔Ｗ_ＴＤを任意に調整できる構成を有している。ここに示す例では、パンタグラフ式のリンク装置３１０及び３２０を用いることによって、前記のようなクリップ３１１及び３２１の間隔Ｗ_ＭＤ及びＷ_ＴＤを調整可能にした例を示す。

図５及び図６は、前記のリンク装置３１０の一部分を模式的に示す平面図である。
図５及び図６に示すように、リンク装置３１０は、連結された複数のリンクプレート３１２ａ〜３１２ｄを備える。この例に示すリンク装置３１０では、これら複数のリンクプレート３１２ａ〜３１２ｄを輪状に連結させることにより、リンク装置３１０の形状を無端状にしている。

また、リンク装置３１０は、軸受けローラー３１３ａ及び３１３ｂを備える。これらの軸受けローラー３１３ａ及び３１３ｂは、図示しないガイドレールによって形成される溝内を通りうるように設けられている。したがって、ガイドレールの軌道を調整することにより、そのガイドレールに沿って回転するリンク装置３１０の周回軌道を調整することができ、ひいては当該リンク装置３１０に設けられたクリップ３１１の走行軌道を調整できる。そのため、このリンク装置３１０は、ガイドレールの軌道を調整することにより、フィルム搬送方向の任意の位置で、幅方向におけるクリップ３１１の位置を変化させられる構成を有している。そして、このように幅方向におけるクリップ３１１の位置を変化させることにより、幅方向におけるクリップ３１１及び３２１の間隔Ｗ_ＴＤを変化させることが可能である。

さらに、図５及び図６に示す通り、リンク装置３１０の一単位は、（ａ）外側の軸受けローラー３１３ａ及び内側の軸受けローラー３１３ｂの両方の上に支点を持ち、さらに内側に延長し、その内側端にクリップ３１１を有するリンクプレート３１２ａ；（ｂ）リンクプレート３１２ａと軸受けローラー３１３ｂ上において共通する支点を有し、別の軸受けローラー３１３ａ上のもう一点の支点に延長するリンクプレート３１２ｂ；（ｃ）リンクプレート３１２ｂの支点間の部分に支点を有し、そこから内側に延長し、内側端にクリップ３１１を有するリンクプレート３１２ｃ；並びに、（ｄ）リンクプレート３１２ｃの内側端及び外側端との間に支点を有し、そこから外側に延長し、隣接する単位のリンクプレート３１２ａ上に支点を有するリンクプレート３１２ｄ；を備える。ここで、外側とはフィルム搬送路から遠い側を表し、内側とはフィルム搬送路に近い側を表す。このようなリンク装置３１０では、ガイドローラの溝の間隔Ｄ１及びＤ２に応じて、リンクピッチを収縮状態と伸展状態との間で変化させることができる。そのため、このリンク装置３１０は、ガイドローラの溝の間隔Ｄ１及びＤ２を調整することにより、フィルム搬送方向における任意の位置で、フィルム搬送方向におけるクリップ３１１同士の間隔Ｗ_ＭＤを変化させられる構成を有している。

また、もう一方のリンク装置３２０は、フィルム搬送路に対してリンク装置３１０とは反対側に設けられていること以外は、前述したリンク装置３１０と同様の構成を有している。そのため、リンク装置３２０も、リンク装置３１０と同様の要領で、フィルム搬送方向におけるクリップ３２１同士の間隔Ｗ_ＭＤ及び幅方向におけるクリップ３２１の位置が調整可能な構成を有している。

図３及び図４に示すように、フィルム搬送方向においてテンター延伸機３００の両側には、搬送ロール４１０及び４２０が設けられている。テンター延伸機３００の上流側に設けられた搬送ロール４１０は第３のフィルム３０を搬送しうるように設けられたロールであり、テンター延伸機３００の下流側に設けられた搬送ロール４２０は樹脂フィルム５０を搬送しうるように設けられたロールである。これらの搬送ロール４１０及び４２０は、搬送のために第３のフィルム３０を保持しうるように設けられている。したがって、これらの搬送ロール４１０及び４２０は、テンター延伸機３００（第３のフィルム３０の熱固定処理を施される領域に相当する。）の長手方向の両側において、第３のフィルム３０を熱収縮しないように保持した状態にしうる保持装置として機能できる。

また、図４に示すように、オーブン５００は隔壁５３０を備え、この隔壁５３０によってオーブン５００内の空間は、上流の熱固定室５４０及び下流の緩和室５５０に区画されている。

このような製造装置２００を用いて樹脂フィルム５０を製造する場合、脂環式構造を含有する重合体を含む樹脂からなる長尺の第３のフィルム３０を、搬送ロール４１０を経由してテンター延伸機３００に供給する。

テンター延伸機３００へ送られた第３のフィルム３０は、図４に示すように、オーブン５００の入り口５１０の近傍においてクリップ３１１及び３２１に把持されることにより、二辺３１及び３２をクリップ３１１及び３２１によって保持される。クリップ３１１及び３２１に保持された第３のフィルム３０は、前記のクリップ３１１及び３２１による保持、並びに、搬送ロール４１０及び４２０による保持によって、好ましくは緊張した状態にされる。そして、第３のフィルム３０は、このように保持された状態のままで、第３のフィルム３０は入り口５１０を通ってオーブン５００内の熱固定室５４０に搬送される。

熱固定室５４０において、第３のフィルム３０は、熱固定温度Ｔtsで加熱されて、熱固定工程が行われる。これにより、第３のフィルム３０に含まれる脂環式構造を含有する重合体の結晶化が進行して、第４のフィルム４０が得られる。この際、第３のフィルム３０の二辺３１及び３２が保持された状態となっており、さらに搬送ロール４１０及び４２０による保持により保持された状態となっているので、第４のフィルム４０には熱収縮による変形は生じない。そのため、通常は、第４のフィルム４０には、熱収縮を生じさせようとする応力が残留している。

その後、製造された第４のフィルム４０は、二辺４１及び４２をクリップ３１１及び３２１で保持されたままで、オーブン５００の緩和室５５０に送られる。緩和室５５０では、第４のフィルム４０を、引き続き熱固定温度Ｔtsとの温度差が２０℃以下の範囲内の温度に加熱した状態で、フィルム搬送方向におけるクリップ３１１及び３２１の間隔Ｗ_ＭＤ並びに幅方向におけるクリップ３１１及び３２１の間隔Ｗ_ＴＤを狭める。これにより、第４のフィルム４０の熱収縮による寸法変化に追従するように、クリップ３１１及び３２１による第４のフィルム４０の保持部分の間隔は狭まる。そのため、第４のフィルム４０は、平坦に維持しながら緊張を緩和されて、長尺の樹脂フィルム５０が得られる。

樹脂フィルム５０は、出口５２０を通ってオーブン５００の外へ送り出される。そして、樹脂フィルム５０は、オーブン５００の出口５２０の近傍においてクリップ３１１及び３２１から放され、搬送ロール４２０を経由して送り出され、回収される。

こうして得られた樹脂フィルム５０では、高温環境下における寸法変化の原因となり得るフィルム内の応力が解消されている。そのため、得られた樹脂フィルム５０において、高温環境下での寸法安定性を向上させることができる。また、樹脂フィルム５０に含まれる脂環式構造を含有する重合体が結晶化されているので、この樹脂フィルム５０は、通常、耐熱性に優れる。

〔２．８．任意の工程〕
本発明の樹脂フィルムの製造方法では、上述した予熱工程、延伸工程、熱固定工程及び緩和工程に組み合わせて、更に任意の工程を行ってもよい。
例えば、得られた樹脂フィルムに表面処理を行ってもよい。

［３．導電性フィルム］
本発明の樹脂フィルムは、前記のように、耐屈曲性に優れるので、無機層の形成工程などのような高温プロセスを含む成膜工程を実施した場合に、樹脂フィルムと導電性層の間で生じる応力差を小さくすることができ、もって、良好な成膜が可能である。
そこで、このように優れた性質を活かして、本発明の樹脂フィルムを導電性フィルムの基材フィルムとして用いてもよい。この導電性フィルムは、本発明の樹脂フィルムと、この樹脂フィルム上に直接又は間接的に設けられた導電性層とを備える複層構造のフィルムである。通常、樹脂フィルムは導電性層との密着性に優れるので、導電性層は、樹脂フィルムの表面に直接に設けることができるが、必要に応じて平坦化層などの下地層を介して設けてもよい。

導電性層の材料としては、銀、銅等の金属；ＩＴＯ（インジウム錫オキサイド）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛オキサイド）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＩＷＯ（インジウムタングステンオキサイド）、ＩＴｉＯ（インジウムチタニウムオキサイド）、ＡＺＯ（アルミニウム亜鉛オキサイド）、ＧＺＯ（ガリウム亜鉛オキサイド）、ＸＺＯ（亜鉛系特殊酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウムガリウム亜鉛オキサイド）などの導電性の無機材料；ポリチオフェン化合物などの有機導電性材料が挙げられる。

導電性層の厚みは、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは２５０ｎｍ以下、より好ましくは２２０ｎｍ以下である。

導電性層を形成することにより、得られる導電性フィルムに電極としての機能を付与しうる。このような導電性フィルムの導電性層側の面の表面抵抗率は、使用する目的に応じて適宜選択しうるが、通常は１０００Ω／ｓｑ．以下、好ましくは１００Ω／ｓｑ．以下である。下限に特に制限は無いが、例えば０．１Ω／ｓｑ．以上にしうる。

導電性層の形成方法に制限は無い。例えば、金属ナノワイヤを含む組成物やポリチオフェン化合物の塗布によって、導電性層を形成してもよい。また、例えば、基材フィルムとは別に用意した導電性層を、基材フィルムとしての樹脂フィルムに貼り合わせることにより、樹脂フィルムの面に導電性層を形成してもよい。
さらに、例えば、導電性材料を、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト蒸着法、アーク放電プラズマ蒸着法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、鍍金法、及びこれらの組み合わせ等の成膜方法によって樹脂フィルムの面に成膜することで、導電性層を形成してもよい。
これらの中でも、蒸着法及びスパッタリング法が好ましく、スパッタリング法が特に好ましい。スパッタリング法では、厚みが均一な導電性層を形成できるので、導電性層に局所的に薄い部分が発生することを抑制できる。したがって、前記の薄い部分による抵抗の増大を抑制できるので、例えば静電容量式タッチセンサーとして用いた場合に、静電容量の変化の検知感度を高められる。
本発明の樹脂フィルムは高温環境下での寸法安定性及び耐熱性に優れるので、高出力で成膜を行うことができ、そのため平坦で導電性に優れた導電性層を迅速に成膜できる。
また、樹脂フィルムの面に導電性層を形成する前に、樹脂フィルムの前記面には、表面処理を施してもよい。表面処理としては、コロナ処理、プラズマ処理、薬品処理等が挙げられる。これにより、樹脂フィルムと導電性層との結着性を高めることができる。
さらに、導電性層の形成方法は、例えばエッチング法等の膜除去法によって導電性層を所望のパターン形状に成形することを含んでいてもよい。

また、前記の導電性フィルムは、樹脂フィルム及び導電性層に組み合わせて、光学機能層やバリア層など任意の層を備えうる。

［４．バリアフィルム］
本発明の樹脂フィルムは、前記のように、耐屈曲性に優れる。そのため、無機層の形成工程などのような高温プロセスを含む成膜工程を実施した場合に、樹脂フィルムとバリア層の間で生じる応力差を小さくすることができ、もって、良好な成膜が可能である。

そこで、このように優れた性質を活かして、本発明の樹脂フィルムをバリアフィルムの基材フィルムとして用いてもよい。このバリアフィルムは、本発明の樹脂フィルムと、この樹脂フィルム上に直接又は間接的に設けられたバリア層とを備える複層構造のフィルムである。通常、樹脂フィルムはバリア層との密着性に優れるので、バリア層は、樹脂フィルムの表面に直接に設けることができるが、必要に応じて平坦化層などの下地層を介して設けてもよい。

バリア層の材料としては、例えば、無機材料を用いうる。このような無機材料の例としては、金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物、及びこれらの混合物を含む材料が挙げられる。金属酸化物、金属窒化物、及び金属酸化窒化物を構成する金属の例としては、珪素、アルミニウムが挙げられ、特に珪素が好ましい。より具体的には、金属酸化物、金属窒化物、及び金属酸化窒化物の組成の例としては、それぞれＳｉＯｘ（１．５＜ｘ＜１．９）、ＳｉＮｙ（１．２＜ｙ＜１．５）、及びＳｉＯｘＮｙ（１＜ｘ＜２および０＜ｙ＜１）で表される組成が挙げられる。このような材料を用いることにより、透明性及びバリア性に優れたバリアフィルムが得られる。

バリア層の厚みは、好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上であり、好ましくは２０００ｎｍ以下、より好ましくは１０００ｎｍ以下である。
バリア層の水蒸気透過率は、その上限が、０．１ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下であることが好ましく、０．０１ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下であることがより好ましい。

バリアフィルムは、本発明の樹脂フィルム上にバリア層を形成する工程を含む製造方法によって製造しうる。バリア層の形成方法は、特に限定されず、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト蒸着法、アーク放電プラズマ蒸着法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成膜方法により形成しうる。アーク放電プラズマ法では、適度なエネルギーを有する蒸発粒子が生成され、高密度のバリア層を形成することができる。また、複数種類の成分を同時に蒸着又はスパッタリングすることで、これら複数の成分を含むバリア層を形成することができる。また、ポリシラザン系化合物を本発明の樹脂フィルム上に塗布、乾燥した後、ポリシラザン系化合物をシリカガラスに転化させる方法によってもバリア層を形成することができる。

前記のようなバリアフィルムの製造方法の具体例を、それを行う装置の例を参照して説明する。図７は、バリア層をＣＶＤ法により無機層として成膜しうる成膜装置の一例を模式的に示す断面図である。
図７に示すように、成膜装置７００は、フィルム巻き取り式のプラズマＣＶＤ装置であり、長尺の樹脂フィルム５０のロール体７０１から繰り出される樹脂フィルム５０に、ＣＶＤ法にてバリア層を連続的に成膜してバリアフィルム７０を得て、このバリアフィルム７０をロール体７０２として巻き取る一連の操作を行う。

成膜装置７００は、ガイドロール７１１、キャンロール７１２、及びガイドロール７１３を有し、これにより、繰り出された樹脂フィルム５０を矢印Ａ１で示される向きに導き、製造工程に供することができる。ガイドロール７１１、キャンロール７１２、及びガイドロール７１３の位置及びこれらが樹脂フィルム５０に賦与する張力を適宜調整することにより、樹脂フィルム５０は、キャンロール７１２により導かれる間、キャンロール７１２に密着した状態とされる。

キャンロール７１２は、矢印Ａ２で示す方向に回転し、その上の樹脂フィルム５０は、反応管７２１に近づいた状態で搬送される。その際、電源７２３から電極７２２に電力を印加し、一方、キャンロール７１２を適切な接地手段（不図示）により接地し、かつガス導入口７２４から矢印Ａ３の方向にバリア層の材料のガスを導入する。これにより、樹脂フィルム５０の面上にバリア層を連続的に形成することができる。かかる一連の操作は、真空槽７９０で囲繞された空間内で行なわれる。真空槽７９０内の圧力は、真空排気装置７３０を操作することにより減圧し、ＣＶＤ法に適した圧力に調整しうる。

このような工程を高出力で実施した場合、仮に樹脂フィルム５０が高温環境下での寸法安定性に劣ると、キャンロール２１２からの樹脂フィルム５０の浮きが発生したり、樹脂フィルム５０の変形が生じたりしやすいので、良好なバリア層の連続的な形成が困難となる可能性がある。しかし、本発明の樹脂フィルム５０は、高温環境下での寸法安定性に優れるので、前記のような浮きが発生し難い。そのため、本発明の樹脂フィルム５０を用いれば、平坦かつ均一なバリア層を連続的に形成できるので、バリアフィルム７０の効率の良い製造が可能である。また、本発明の樹脂フィルム５０は耐熱性に優れるので、樹脂フィルム５０への熱ダメージを抑制できる。そのため、水蒸気透過率の小さいバリアフィルム７０を容易に製造できる。

また、前記のバリアフィルムは、樹脂フィルム及びバリア層に組み合わせて任意の層を備えうる。このような任意の層の例としては、帯電防止層、ハードコート層、及び汚染防止層等が挙げられる。これらの任意の層は、例えば、バリア層上に任意の層の材料を塗布し硬化させる方法、又は、熱圧着により貼付する方法などの方法により設けうる。

以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温及び常圧の条件において行った。さらに、以下の説明において、「ｓｃｃｍ」は気体の流量の単位であり、１分間当たりに流れる気体の量を、その気体が２５℃、１ａｔｍである場合の体積（ｃｍ^３）で示す。「試験片」とは、以下に述べる実施例及び比較例に係る樹脂フィルム又は導電性フィルム又はバリアフィルムを所定のサイズに切り出したものをいう。

［評価方法］
〔厚みの測定方法〕
試験片の樹脂フィルムの厚み（μｍ）は、接触式ウェブ厚さ計（明産社製、製品名「ＲＣ−１０１」）を用いて測定した。

〔厚みムラＴvの測定方法〕
試験片の樹脂フィルムの厚みムラＴv（％）は、下記式（１４）にしたがって求めた。
Ｔv［％］＝［（Ｔmax−Ｔmin）／Ｔave］×１００ （１４）
上記式（１４）中、
Ｔmaxは、試験片の樹脂フィルムの厚みの最大値であり、
Ｔminは、試験片の樹脂フィルムの厚みの最小値であり、かつ、
Ｔaveは、試験片の樹脂フィルムの厚みの平均値である。
すなわち、試験片の樹脂フィルムの厚みムラＴvは、樹脂フィルムの複数個所の厚みを測定した時の厚みの最大値Ｔmaxと厚みの最小値Ｔminの差の絶対値を厚みの平均値Ｔaveで割ったものを百分率（％）で表したものである。

ここで、試験片の樹脂フィルムの厚みの最大値Ｔmax及び最小値Ｔmin及び平均値Ｔaveは、以下のようにして求めた。
試験片の樹脂フィルムの４辺のうち、互いに向き合う１組の辺をＡとし、かつ、辺Ａに直交するもう１組の辺をＢとし、辺Ａに平行な３本の直線をフィルム面上に定めた。３本の直線のうち、１本は、一方の辺Ａから、辺Ｂの長さの１／２０の距離だけ離れた直線とし、１本は、辺Ｂの中点を通る直線とし、残りの１本は、他方の辺Ａから、辺Ｂの長さの１／２０の距離だけ離れた直線とした。各直線上において、一方の辺Ｂから辺Ａの長さの１／２０にある距離の点を厚みの計測箇所の始点とし、他方の辺Ｂから辺Ａの長さの１／２０にある点を終点として、等間隔で互いに離れた１０点の計測箇所を定め、各計測箇所で、厚みを計測した。
そして、合わせて３０点の計測箇所で得られた厚みのうち、その最大値を、試験片の樹脂フィルムの厚みの最大値Ｔmaxとし、その最小値を、試験片の樹脂フィルムの厚みの最小値Ｔminとし、その平均値を、試験片の樹脂フィルムの厚みの平均値Ｔaveとした。

〔結晶化度の測定方法〕
重合体の結晶化度（％）は、Ｘ線回折法によって測定した。

〔内部ヘイズ〕
試験片の樹脂フィルムの内部ヘイズは以下のようにして測定した。まず、試験片の樹脂フィルムとして、５０ｍｍ×５０ｍｍのサイズに切り出したものを用意した。続いて、試験片の樹脂フィルムの両表面に、厚み５０μｍの透明光学粘着フィルム（３Ｍ社製、８１４６−２）を介して、シクロオレフィンフィルム（日本ゼオン社製ゼオノアフィルム「ＺＦ１４−０４０」、厚さ４０μｍ）を貼合した。次いで、シクロオレフィンフィルムを貼り合わせた試験片の樹脂フィルムのヘイズを、ヘイズメーター（日本電色工業社製「ＮＤＨ５０００」）を用いて測定した。測定の結果得られたヘイズ値から、シクロオレフィンフィルム２枚分のヘイズ値と透明光学粘着フィルム２層分のヘイズ値の和０．０４を差し引いた値を試験片の樹脂フィルムの内部ヘイズとした。
ここで、シクロオレフィンフィルム２枚分のヘイズ値と透明光学粘着フィルム２層分のヘイズ値の和を求めるために、シクロオレフィンフィルム、透明光学粘着フィルム、透明光学粘着フィルム、及び、シクロオレフィンフィルムをこの順に備える積層体を形成した。そして、この積層体のヘイズ値を測定し、得られた測定値をシクロオレフィンフィルム２枚分のヘイズ値と透明光学粘着フィルム２層分のヘイズ値の和とした。

〔破断屈曲回数の測定方法〕
試験片の樹脂フィルムの耐屈曲性を評価するために、破断屈曲回数（×千回）を以下のようにして測定した。具体的には、まず、試験片の樹脂フィルムとして、幅５０ｍｍ×長さ１００ｍｍのサイズに切り出したものを用意した。そして、試験片の樹脂フィルムの破断屈曲回数の測定を、ユアサシステム機器社製の卓上型耐久試験機「ＤＬＤＭＬＨ−ＦＳ」を用いた面状体無負荷Ｕ字伸縮試験の方法にしたがって行った。伸縮試験の条件として、試験片の樹脂フィルムの曲げ半径１ｍｍ、伸縮速度８０回／分の条件を設定した。ここでは、樹脂フィルムが、ほぼ平坦な状態から半径１ｍｍの屈曲部を有する状態にまで曲げられ、再びほぼ平坦な状態になるまでを屈曲回数１回として計数している。そして、試験片の樹脂フィルムの屈曲を繰り返し行った。屈曲回数１万回までは１０００回毎に、１万回を超えて５万回までは５０００回毎に、５万回を超えた以降は１万回毎に試験機を一旦停止して、試験片の樹脂フィルムの破断（クラック）がわずかでも生じたかどうかを目視で確認した。クラックが生じた時点での屈曲回数を「破断屈曲回数」とした。このような破断屈力回数の測定を５枚の試験片の樹脂フィルムに対して行った（Ｎ＝５）。５枚の試験片の樹脂フィルムについて得られた破断屈曲回数のうち、最も少ないものを耐屈曲性の評価に用いた。
ここで、破断屈曲回数が多いほど樹脂フィルムが耐屈曲性に優れることを意味し、破断屈曲回数が１００千回（１０万回）以上の場合に、樹脂フィルムが耐屈曲性に十分に優れていると評価され、破断屈曲回数が２００×千回（２０万回）超の場合に、樹脂フィルムが耐屈曲性に特に優れていると評価される。

〔重合体の水素化率の測定方法〕
重合体の水素化率は、オルトジクロロベンゼン−ｄ^４を溶媒として、１４５℃で、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により測定した。

〔重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）の測定方法〕
重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）システム（東ソー社製「ＨＬＣ−８３２０」）を用いて、ポリスチレン換算値として測定した。測定の際、カラムとしてはＨタイプカラム（東ソー社製）を用い、溶媒としてはテトラヒドロフランを用いた。また、測定時の温度は、４０℃であった。

〔重合体のラセモ・ダイアッドの割合の測定方法〕
重合体のラセモ・ダイアッドの割合の測定は以下のようにして行った。オルトジクロロベンゼン−ｄ^４を溶媒として、２００℃で、ｉｎｖｅｒｓｅ−ｇａｔｅｄ ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ法を適用して、重合体の^１３Ｃ−ＮＭＲ測定を行った。この^１３Ｃ−ＮＭＲ測定の結果において、オルトジクロロベンゼン−ｄ^４の１２７．５ｐｐｍのピークを基準シフトとして、メソ・ダイアッド由来の４３．３５ｐｐｍのシグナルと、ラセモ・ダイアッド由来の４３．４３ｐｐｍのシグナルとを同定した。これらのシグナルの強度比に基づいて、重合体のラセモ・ダイアッドの割合を求めた。

〔ガラス転移温度Ｔｇ、融点Ｔｍ及び結晶化ピーク温度Ｔｐｃの測定方法〕
重合体のガラス転移温度Ｔｇ及び融点Ｔｍの測定は、以下のようにして行った。まず、重合体を、加熱によって融解させ、融解した重合体をドライアイスで急冷し、これにより、非晶質性の重合体を得た。続いて、非晶質性の重合体を試験体として用いて、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて、１０℃／分の昇温速度（昇温モード）で、重合体のガラス転移温度Ｔｇ、融点Ｔｍ及び結晶化ピーク温度Ｔｐｃを測定した。

〔フィルム変形量の測定方法〕
導電性フィルムの試験片の耐屈曲性を評価するために、フィルム変形量（μｍ）を以下のように測定した。
まず、導電性フィルムの試験片として、５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切り出したものを用意した。次いで、導電性フィルムの樹脂フィルム側の面を上にして、導電性フィルムを平らなステージ上に置いた。この導電性フィルムの上に、厚さ１００μｍ、５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさのガラス板を、互いの４つの角が一致するように重ねた。この状態で、ガラス板の４つの角における、ステージ上面からガラス板上面までの高さを、超深度顕微鏡（キーエンス社製「ＶＫ−９５００」）を用いて測定した。こうして得られた測定値から、下記式を用いて、導電性フィルムのフィルム変形量を算出した。
式：フィルム変形量（μｍ）＝４つの角における高さの測定値の平均値−樹脂フィルムの厚みの平均値−ガラス板の厚み
また、バリアフィルムの試験片の耐屈曲性を評価するために、バリアフィルムの試験片についても、上記と同じ方法で、フィルム変形量を測定した。
ここで、フィルム変形量の値が大きいほど、導電性フィルムの試験片及びバリアフィルムの試験片に用いた樹脂フィルムに生じていた大きな変形ムラに起因して、導電性層又はバリア層を積層する際に樹脂フィルムとの間で大きな内部応力差がかかったことを意味し、その場合、導電性フィルムの試験片及びバリアフィルムの試験片の耐屈曲性は十分に優れているとはいえないと評価される。

［製造例１．ジシクロペンタジエンの開環重合体の水素化物の製造］
樹脂フィルムを構成しうる重合体として、ジシクロペンタジエンの開環重合体の水素化物を以下のようにして製造した。
金属製の耐圧反応器を、充分に乾燥した後、窒素置換した。この金属製耐圧反応器に、シクロヘキサン１５４．５部、ジシクロペンタジエン（エンド体含有率９９％以上）の濃度７０％シクロヘキサン溶液４２．８部（ジシクロペンタジエンの量として３０部）、及び１−ヘキセン１．８部を加え、５３℃に加温した。

テトラクロロタングステンフェニルイミド（テトラヒドロフラン）錯体０．０１４部を０．７０部のトルエンに溶解した溶液に、濃度１９％のジエチルアルミニウムエトキシド／ｎ−ヘキサン溶液０．０６１部を加えて１０分間攪拌して、触媒溶液を調製した。
この触媒溶液を耐圧反応器に加えて、開環重合反応を開始した。その後、５３℃を保ちながら４時間反応させて、ジシクロペンタジエンの開環重合体の溶液を得た。
得られたジシクロペンタジエンの開環重合体の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、それぞれ、８，８３０および２９，８００であり、これらから求められる分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は３．３７であった。

得られたジシクロペンタジエンの開環重合体の溶液２００部に、停止剤として１，２−エタンジオール０．０３７部を加えて、６０℃に加温し、１時間攪拌して重合反応を停止させた。ここに、ハイドロタルサイト様化合物（協和化学工業社製「キョーワード（登録商標）２０００」）を１部加えて、６０℃に加温し、１時間攪拌した。その後、濾過助剤（昭和化学工業社製「ラヂオライト（登録商標）＃１５００」）を０．４部加え、ＰＰプリーツカートリッジフィルター（ＡＤＶＡＮＴＥＣ東洋社製「ＴＣＰ−ＨＸ」）を用いて吸着剤と溶液を濾別した。

濾過後のジシクロペンタジエンの開環重合体の溶液２００部（重合体量３０部）に、シクロヘキサン１００部を加え、クロロヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム０．００４３部を添加して、水素圧６ＭＰａ、１８０℃で４時間水素化反応を行った。これにより、ジシクロペンタジエンの開環重合体の水素化物を含む反応液が得られた。この反応液は、水素化物が析出してスラリー溶液となっていた。

前記の反応液に含まれる水素化物と溶液とを、遠心分離器を用いて分離し、６０℃で２４時間減圧乾燥して、結晶性を有するジシクロペンタジエンの開環重合体の水素化物２８．５部を得た。この水素化物の水素化率は９９％以上であることが確認され、ガラス転移温度Ｔｇは９７℃、融点Ｔｍは２６６℃、結晶化ピーク温度Ｔｐｃは１３６℃、ラセモ・ダイアッドの割合は８９％であった。

［製造例２Ａ．厚み５０μｍの第１のフィルムの製造］
樹脂フィルムに延伸処理を施す前の第１のフィルムを以下のようにして製造した。
製造例１で得たジシクロペンタジエンの開環重合体の水素化物１００部に、酸化防止剤（テトラキス〔メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン；ＢＡＳＦジャパン社製「イルガノックス（登録商標）１０１０」）１．１部を混合して、樹脂フィルムの材料となる結晶性樹脂を得た。

前記の結晶性樹脂を、内径３ｍｍΦのダイ穴を４つ備えた二軸押出機（東芝機械社製「ＴＥＭ−３７Ｂ」）に投入した。前記の二軸押出機によって、樹脂を熱溶融押出成形によりストランド状の成形体に成形した。この成形体をストランドカッターにて細断して、樹脂のペレットを得た。前記の二軸押出機の運転条件を、以下に示す。
・バレル設定温度：２７０℃〜２８０℃
・ダイ設定温度：２５０℃
・スクリュー回転数：１４５ｒｐｍ
・フィーダー回転数：５０ｒｐｍ

引き続き、得られた樹脂のペレットを、Ｔダイを備える熱溶融押出しフィルム成形機に供給した。フィルム成形機の運転条件として、バレル温度２８０℃〜２９０℃、ダイ温度２７０℃、及びスクリュー回転数３０ｒｐｍを設定した。そして、このフィルム成形機は、樹脂ペレットが溶融した溶融樹脂を、回転するキャストロール上に向けて、幅５００ｍｍのフィルム状に、押し出した（キャスト）。このときのキャストロールの回転速度は、６ｍ／分に設定した。その後、押し出された溶融樹脂は、ロール上で冷却されることにより、長尺のフィルム状に成形された。これにより、第１のフィルムを得た。得られた第１のフィルムの厚みは、５０μｍであった。

［製造例２Ｂ．厚み２５μｍの第１のフィルムの製造］
キャストロールの回転速度を１２ｍ／分に変更したこと以外は、製造例２Ａに係る第１のフィルムの製造と同様にして、フィルム成形機を運転させた。その結果得られた第１フィルムの厚みは、２５μｍであった。

［実施例１］
〔１−１．予熱工程〕
製造例２Ａで得た厚み５０μｍの第１のフィルムを、任意の部位で３５０ｍｍ×３５０ｍｍの正方形に必要な枚数分だけ切り出した。この切り出しは、切り出された厚み５０μｍの第１のフィルムの正方形の一対の二辺が、長尺の第１のフィルムのＭＤ方向に平行になるように行った。そして、切り出された厚み５０μｍの第１のフィルムを、小型延伸機（東洋精機製作所社製「ＥＸ１０―Ｂタイプ」）に設置した。この小型延伸機は、フィルムの四辺を把持しうる複数のクリップを備え、このクリップを移動させることによってフィルムを延伸できる構造を有している。この小型延伸機を用いて、厚み５０μｍの第１のフィルムを、四辺を保持した状態で、クリップ間の距離を変更することなく、オーブン（予熱ゾーン）を用いて、予熱温度Ｔphで予熱時間ｔphにわたって予熱した。予熱温度Ｔphは、１２０℃に設定し、また、予熱時間ｔphは、８０秒間に設定した。このようにして、予熱済みの第１のフィルムとして、第２のフィルムを得た。

〔１−２．延伸工程〕
〔１−１〕で得た第２のフィルムは、引き続き、小型延伸機のオーブン（延伸ゾーン）内に載置された状態で、直ちに、クリップ間の距離を徐々に拡大させることにより（このとき、延伸倍率の値が１超の値をとる）、第２のフィルムをＴＤ方向に延伸させた。クリップ間の距離の拡大は、フィルムの延伸倍率が設定した延伸倍率に到達した時点で停止させた。このときの延伸速度は、１０００ｍｍ／分に設定した。また、延伸倍率は、２．５倍に設定した。延伸温度Ｔstは、１２０℃に設定した。このようにして、延伸処理済みの第２のフィルムとして、第３のフィルムを得た。得られた第３のフィルムの厚みの平均値を求めたところ、２０μｍであった。

〔１−３．熱固定工程〕
引き続き、〔１−２〕で得た第３のフィルムの四辺を小型延伸装置のクリップで保持した状態で、小型延伸装置に付属した一対の二次加熱板を第３のフィルムの両面に接近させることにより、熱固定処理を行った。二次加熱板の大きさは３００ｍｍ×３００ｍｍで、一対の加熱板と第３のフィルムとの接近距離は上下各々８ｍｍとなるように調整した。これにより、第３のフィルムは、熱固定温度Ｔtsで３０秒間、一対の加熱板で画成される熱固定ゾーン内で加熱される状態が保持された。このようにして、第３のフィルムに含まれる重合体の結晶化を促進させる結晶化工程を熱固定温度Ｔtsで熱固定時間ｔtsにわたって行って、結晶化処理が施された第３のフィルムとして、第４のフィルムを得た。熱固定温度Ｔtsは、１８０℃に設定した。熱固定時間ｔtsは、３０秒であった。
得られた第４のフィルムに含まれる重合体の結晶化度を測定したところ、７３％であった。

〔１−４．緩和工程〕
第４のフィルムの四辺を保持した状態で、第４のフィルムを、熱固定工程における熱固定温度Ｔtsと同じ設定温度で、ＴＤ方向に３％、ＭＤ方向に１％、５秒間かけて同時にクリップ間距離を縮小させ、そのまま同じ温度で１０秒間保持した。これにより、試験片を切り出すための実施例１に係る樹脂フィルムを得た。
得られた樹脂フィルムの内部ヘイズを測定したところ、０．０７％であった。また、樹脂フィルムの破断屈曲回数を測定したところ、１３０千回（１３万回）であった。

［実施例２］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱時間ｔphを４０秒に設定し、かつ予熱温度Ｔphを１２５℃に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１２５℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［実施例３］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱時間ｔphを６５秒に設定した。以上の事項以外は実施例２と同様の操作を行った。

［実施例４］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１３０℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを３０秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１３０℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［実施例５］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱時間ｔphを４０秒に設定した。以上の事項以外は実施例４と同様の操作を行った。

［実施例６］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱時間ｔphを５０秒に設定した。以上の事項以外は実施例４と同様の操作を行った。

［実施例７］
前記の工程〔１−３．熱固定工程〕において、熱固定温度Ｔtsを１５５℃に設定した。以上の事項以外は実施例４と同様の操作を行った。

［実施例８］
前記の工程〔１−３．熱固定工程〕において、熱固定温度Ｔtsを２３５℃に設定した。以上の事項以外は実施例４と同様の操作を行った。

［実施例９］
前記の工程〔１−３．熱固定工程〕において、熱固定温度Ｔtsを２５０℃に設定した。以上の事項以外は実施例４と同様の操作を行った。

［実施例１０］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１３５℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを２０秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１３５℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。
［実施例１１］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱時間ｔphを３０秒に設定した。以上の事項以外は実施例１０と同様の操作を行った。
［実施例１２］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱時間ｔphを４０秒に設定した。以上の事項以外は実施例１０と同様の操作を行った。

［実施例１３］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１４０℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを１０秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１４０℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。
［実施例１４］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱時間ｔphを３０秒に設定した。以上の事項以外は実施例１３と同様の操作を行った。

［実施例１５］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１４５℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを１５秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１４５℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［実施例１６］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、製造例２Ｂで得た厚み２５μｍの第１のフィルムを用い、予熱温度Ｔphを１３０℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを３０秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１３０℃に設定し、かつ、延伸倍率を１．２５倍に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［実施例１７］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱時間ｔphを５０秒に設定した。以上の事項以外は実施例１６と同様の操作を行った。

［比較例１］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１１０℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを１００秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１１０℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［比較例２］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１１５℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを６０秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１１５℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［比較例３］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱時間ｔphを１０５秒に設定した。以上の事項以外は比較例２と同様の操作を行った。

［比較例４］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱時間ｔphを９５秒に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［比較例５］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１２５℃に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１２５℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［比較例６］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１３０℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを７０秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１３０℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［比較例７］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１３０℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを３０秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１３０℃に設定し、また、前記の工程〔１−３．熱固定工程〕において、熱固定温度Ｔtsを１４０℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［比較例８］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１３５℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを５５秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１３５℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［比較例９］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１４０℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを４５秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１４０℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［比較例１０］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１４５℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを３０秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１４５℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［比較例１１］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１５０℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを５秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１５０℃に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［比較例１２］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１５５℃に設定し、また、それに続く前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１５５℃に設定した。前記の工程〔１−１．予熱工程〕における予熱時間ｔphは実質０秒であった。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［比較例１３］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、製造例２Ｂで得た厚み２５μｍの第１のフィルムを用い、予熱温度Ｔphを１１０℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを１００秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１１０℃に設定し、かつ、延伸倍率を１．２５倍に設定した。以上の事項以外は実施例１と同様の操作を行った。

［比較例１４］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１３０℃に設定し、かつ、予熱時間ｔphを７０秒に設定し、さらに、前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１３０℃に設定した。以上の事項以外は比較例１３と同様の操作を行った。

［比較例１５］
前記の工程〔１−１．予熱工程〕において、予熱温度Ｔphを１５５℃に設定し、また、それに続く前記の工程〔１−２．延伸工程〕において、延伸温度Ｔstを１５５℃に設定した。前記の工程〔１−１．予熱工程〕における予熱時間ｔphは実質０秒であった。以上の事項以外は比較例１３と同様の操作を行った。

［結果］
上述した実施例１〜１７の製造条件を表１に示し、その評価結果を表２に示す。また、上述した比較例１〜１５の製造条件を表３に示し、その評価結果を表４に示す。下記の表１〜４において、略称の意味は、以下の通りである。表１及び表３において、厚みの平均値は、第１のフィルムの厚みの平均値を示す。表２及び表４において、厚みの平均値は、樹脂フィルムの厚みの平均値を示す。
「Ｔph」：予熱温度。
「ｔph」：予熱時間。
「Ｔst」：延伸温度。
「Ｔts」：熱固定温度。
「ｔts」：熱固定時間。
「Ｔv」：厚みムラ。

以下、実施例１８〜２１並びに比較例１６〜１９を説明する。これらの実施例及び比較例では、得られた樹脂フィルムを用いて、以下のように、導電性フィルムの試験片及びバリアフィルムの試験片を得て、フィルム変形量（μｍ）の測定を行った。

［実施例１８］
〔１８−５．導電性フィルムの製造工程〕
まず、樹脂フィルムの片面にスパッタ法で導電性層を形成しうる成膜装置を用意した。この成膜装置は、当該装置内を連続的に搬送される長尺のキャリアフィルム上に固定された樹脂フィルムの表面に、所望の導電性層を形成しうるフィルム巻き取り式のマグネトロンスパッタリング装置である。また、キャリアフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。

実施例４の樹脂フィルムの一部を、１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさの正方形に必要な枚数分だけ切り出した。切り出した樹脂フィルムをキャリアフィルムにポリイミドテープで固定した。そして、このキャリアフィルムを成膜装置に供給し、樹脂フィルムの片面に導電性層を形成した。この際、スパッタリングのターゲットとしては、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２セラミックターゲットを用いた。また、成膜条件は、アルゴン（Ａｒ）流量１５０ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ_２）流量１０ｓｃｃｍ、出力４．０ｋｗ、真空度０．３Ｐａ、フィルム搬送速度０．５ｍ／ｍｉｎとした。

その結果、ＩＴＯからなる厚さ１００ｎｍの透明な導電性層が、樹脂フィルムの片面に形成されて、導電性層及び樹脂フィルムを備える導電性フィルムが得られた。導電性フィルムの試験片のフィルム変形量は４μｍであった。

［実施例１９］
前記の工程〔１８−５．導電性フィルムの製造工程〕において、実施例１６の樹脂フィルムの一部を用いた。以上の事項以外は実施例１８と同様の操作を行った。導電性フィルムの試験片のフィルム変形量は７μｍであった。

［比較例１６］
前記の工程〔１８−５．導電性フィルムの製造工程〕において、比較例６の樹脂フィルムの一部を用いた。以上の事項以外は実施例１８と同様の操作を行った。導電性フィルムの試験片のフィルム変形量は２５μｍであった。

［比較例１７］
前記の工程〔１８−５．導電性フィルムの製造工程〕において、比較例１４の樹脂フィルムの一部を用いた。以上の事項以外は実施例１８と同様の操作を行った。導電性フィルムの試験片のフィルム変形量は３１μｍであった。

［結果］
上述した実施例１８及び１９並びに比較例１６及び１７の結果を表５に示す。

［実施例２０］
〔２０−６．バリアフィルムの製造工程〕
まず、樹脂フィルムの片面にＣＶＤ法でバリア層を形成しうる成膜装置を用意した。この成膜装置は、図７に示した成膜装置と同様に、当該装置内を搬送されるフィルムの表面に所望のバリア層を形成しうるフィルム巻き取り式のプラズマＣＶＤ装置である。ただし、ここで使用する成膜装置は、枚葉の樹脂フィルムにバリア層を形成するため、キャリアフィルムに固定された樹脂フィルムにバリア層を形成しうる構造を有している。具体的には、用意された成膜装置は、当該装置内を連続的に搬送される長尺のキャリアフィルム上に樹脂フィルムを固定した場合に、その樹脂フィルムの表面に所望のバリア層を形成しうる構造を有している。また、キャリアフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。

前記の工程〔１−４．緩和工程〕で得た実施例４の樹脂フィルムの一部を、１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさの正方形に必要な枚数分だけ切り出した。切り出した樹脂フィルムをキャリアフィルムにポリイミドテープで固定した。そして、このキャリアフィルムを前記の成膜装置に供給し、樹脂フィルムの片面にバリア層を形成した。この際の成膜条件は、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）流量１０ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ_２）流量１００ｓｃｃｍ、出力０．８ｋＷ、全圧５Ｐａ、フィルム搬送速度０．５ｍ／ｍｉｎとし、ＲＦプラズマ放電により成膜を行った。

その結果、ＳｉＯｘからなる厚さ３００ｎｍのバリア層が、樹脂フィルムの片面に形成されて、バリア層及び樹脂フィルムを備えるバリアフィルムが得られた。バリアフィルムの試験片のフィルム変形量は３μｍであった。

［実施例２１］
前記の工程〔１８−５．導電性フィルムの製造工程〕において、実施例１６の樹脂フィルムの一部を用いた。以上の事項以外は実施例１８と同様の操作を行った。導電性フィルムの試験片のフィルム変形量は４μｍであった。

［比較例１８］
前記の工程〔１８−５．導電性フィルムの製造工程〕において、比較例６の樹脂フィルムの一部を用いた。以上の事項以外は実施例１８と同様の操作を行った。導電性フィルムの試験片のフィルム変形量は１９μｍであった。

［比較例１９］
前記の工程〔１８−５．導電性フィルムの製造工程〕において、比較例１４の樹脂フィルムの一部を用いた。以上の事項以外は実施例１８と同様の操作を行った。導電性フィルムの試験片のフィルム変形量は２２μｍであった。

［結果］
上述した実施例２０及び２１並びに比較例１８及び１９の結果を表６に示す。

［検討］
表２及び表４中の予熱温度Ｔphと予熱時間ｔphをプロットしたグラフを図８に示す。ただし、図８に示されているのは、厚みが５０μｍの第１のフィルムを用いた実施例１〜１５並びに比較例１〜６及び８〜１２の予熱温度Ｔphと予熱時間ｔphの関係である。
図８からわかるように、予熱温度ＴphがＴ１〜Ｔ２の範囲内において、実施例と比較例との間で予熱時間ｔphの臨界（上限ｔph(max)）が認められた。ここで、上限ｔph(max)の集合は、図８中で、予熱温度ＴphがＴ１〜Ｔ２の間に示す二点鎖線の近傍にあることが分かる。また、言い換えると、実施例と比較例との間の臨界が認められた予熱時間ｔphは、予熱温度ＴphがＴ１〜Ｔ２の範囲であった。したがって、本発明にしたがって樹脂フィルムの厚みムラＴvを５％以下に小さくするためには、図８に示されるように、予熱温度ＴphをＴ１〜Ｔ２の範囲内の温度に設定し、かつ、予熱時間ｔphを、その上限ｔph(max)以下の時間に設定すればよいことが分かった。

前記の実施例１〜１７で測定した厚みムラＴvは、いずれも５％以下であり、その場合に、破断屈曲回数は１００千回を超えること、すなわち、耐屈曲性に優れることが確認された。また、比較例７に示されるように、熱固定温度Ｔtsが低いと、結晶化の進行が遅いことが確認された。

また、比較例７では、熱固定時間ｔtsを他の実施例と同様に３０秒としたにもかかわらず、結晶化度が２６％にまでしか到達せず、そのため、樹脂フィルムの強度及び耐屈曲性が十分に優れているとはいえないものであった。その理由は、熱固定温度Ｔtsが１４０℃と低すぎたためであると考えられる。一方で、比較例７は、１３０℃での予熱時間ｔphが十分に確保されていたために、厚みムラＴvを小さくすることができたと考えられる。このことから、予熱工程において第１のフィルムを一定の温度で十分な時間にわたって予熱しておくことにより、メカニズムは特定されないものの、後の熱固定工程において厚みの均一性が損なわれる事態を抑制又は均質化することができたものと推測される。厚みの均一性が損なわれる事態としては、高温に曝されることによる、フィルム内部での局所的な収縮又は局所的な弛緩が挙げられる。

また、実施例１８〜２１によれば、樹脂フィルムを導電性層を形成するための基材フィルムとして用いることによりフィルム変形量が小さく良好な導電性フィルムが得られること、及び、導電性層を形成するための基材フィルムとして用いることによりフィルム変形量が小さく良好な導電性フィルムが得られることが確認された。

１０ 第３のフィルム
１１、１２、１３及び１４ 第３のフィルムの辺
２０ 第４のフィルム
２１、２２、２３及び２４ 第４のフィルムの辺
３０ 第３のフィルム
３１及び３２ 第３のフィルムの辺
４０ 第４のフィルム
４１及び４２ 第４のフィルムの辺
５０ 樹脂フィルム
５１及び５２ 樹脂フィルムの辺
５３ 樹脂フィルムの表面
７０ バリアフィルム
１００ 保持装置
１１０ 型枠
１２１、１２２、１２３及び１２４ クリップ
２００ 樹脂フィルムの製造装置
３００ テンター延伸機
３１０及び３２０ リンク装置
３１１及び３２１ クリップ
３１２ａ〜３１２ｄ リンクプレート
３１３ａ及び３１３ｂ 軸受けローラー
３３０及び３４０ スプロケット
４１０及び４２０ 搬送ロール
５００ オーブン
５１０ オーブンの入り口
５２０ オーブンの出口
５３０ オーブンの隔壁
５４０ 熱固定室
５５０ 緩和室
７００ 成膜装置
７０１ 樹脂フィルムのロール体
７０２ バリアフィルムのロール体
７１１ ガイドロール
７１２ キャンロール
７１３ ガイドロール
７２１ 反応管
７２２ 電極
７２３ 電源
７２４ ガス導入口
７３０ 真空排気装置
７９０ 真空槽

Claims (11)

1. 脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体を含む樹脂からなる樹脂フィルムであって、
   前記重合体の結晶化度が、３０％以上であり、かつ、
   前記樹脂フィルムの下記式（１）に示される厚みムラＴv
   Ｔv［％］＝［（Ｔmax−Ｔmin）／Ｔave］×１００ （１）
   （上記式（１）中、
   Ｔmaxは、前記樹脂フィルムの厚みの最大値であり、
   Ｔminは、前記樹脂フィルムの厚みの最小値であり、かつ、
   Ｔaveは、前記樹脂フィルムの厚みの平均値である）
   が５％以下である、
   樹脂フィルム。
2. 前記脂環式構造を含有する重合体が、ジシクロペンタジエンの開環重合体の水素化物である、
   請求項１に記載の樹脂フィルム。
3. 前記樹脂フィルムの内部ヘイズが３％以下である、
   請求項１又は２に記載の樹脂フィルム。
4. 前記樹脂フィルムが、光学フィルムである、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂フィルム。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂フィルムと、
   前記樹脂フィルムの上に設けられた導電性層と
   を備える、導電性フィルム。
6. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂フィルムと、
   前記樹脂フィルムの上に設けられたバリア層と
   を備える、バリアフィルム。
7. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂フィルムの製造方法であって、
   脂環式構造を含有し結晶性を有する重合体を含む樹脂からなる第１のフィルムを、当該第１のフィルムの少なくとも二辺を保持した状態で、第１の温度Ｔ１以上でかつ第２の温度Ｔ２以下の範囲内の予熱温度Ｔphで予熱時間ｔphにわたって予熱して、第２のフィルムを得る予熱工程と、
   前記第２のフィルムに対して第１の温度Ｔ１以上でかつ第２の温度Ｔ２以下の範囲内の延伸温度Ｔstで延伸処理を施すことにより、第３のフィルムを得る延伸工程と、
   前記第３のフィルムの少なくとも二辺を保持した状態で、前記第３のフィルムに対して、前記延伸温度Ｔstよりも高温であって、第３の温度Ｔ３以上でかつ前記重合体の融点Ｔｍ未満の範囲内の熱固定温度Ｔtsで５秒以上保持する熱固定工程と
   を含み、
   ここで、前記第１の温度Ｔ１は、下記式（２）：
   Ｔ１［℃］＝（５×Ｔｇ＋５×Ｔｐｃ）／１０ （２）
   （上記式（２）中、Ｔｇは、前記重合体のガラス転移温度であり、かつ、Ｔｐｃは、前記重合体の結晶化ピーク温度である）
   で示され、
   前記第２の温度Ｔ２は、下記式（３）：
   Ｔ２［℃］＝（９×Ｔｐｃ＋１×Ｔｍ）／１０ （３）
   で示され、
   前記予熱時間ｔphの上限ｔph(max)は、下記式（４）：
   ｔph(max)［秒］＝８０×［（Ｔ１−Ｔph）／（Ｔ２−Ｔ１）］＋９０ （４）
   で示され、かつ、
   前記第３の温度Ｔ３は、下記式（５）：
   Ｔ３［℃］＝（９×Ｔｐｃ＋１×Ｔｍ）／１０ （５）
   で示される、
   樹脂フィルムの製造方法。
8. 前記熱固定温度Ｔtsは、前記第３の温度Ｔ３以上でかつ第４の温度Ｔ４以下の範囲内にあり、
   ここで、前記第４の温度Ｔ４は、以下式（６）：
   Ｔ４［℃］＝（２×Ｔｐｃ＋８×Ｔｍ）／１０ （６）
   で示される、
   請求項７に記載の樹脂フィルムの製造方法。
9. 前記熱固定工程を行う熱固定時間ｔtsが、９０秒以下である、
   請求項７又は８に記載の樹脂フィルムの製造方法。
10. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂フィルムの上に、導電性層を形成する工程を含む、導電性フィルムの製造方法。
11. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂フィルムの上に、バリア層を形成する工程を含む、バリアフィルムの製造方法。

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