JPWO2017159876A1 - ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜を具備する表示装置、及びその製造方法 - Google Patents
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- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13398—Spacer materials; Spacer properties
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
- G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/02—Materials and properties organic material
- G02F2202/022—Materials and properties organic material polymeric
- G02F2202/023—Materials and properties organic material polymeric curable
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
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Abstract
Description
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、(A)アルカリ可溶性樹脂として、少なくとも(A1)弱酸性基含有樹脂及び(A2)不飽和基含有樹脂を含有する。
(A1)弱酸性基含有樹脂としては、(A1a)二種酸性基含有樹脂を含有することが好ましい。
(A1)弱酸性基含有樹脂としては、(A1b)弱酸性基含有第二樹脂を含有することが好ましい。
(A2)不飽和基含有樹脂としては、(A2a)二種酸性基及び不飽和基含有樹脂を含有することが好ましい。
(A2)不飽和基含有樹脂としては、(A2b)弱酸性基及び不飽和基含有樹脂を含有することが好ましい。
(A2)不飽和基含有樹脂としては、(A2c)酸性基及び不飽和基含有樹脂を含有することが好ましい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物において、(A1a−1)ポリイミドとは、下記に記載する一般的なポリイミドをいう。
(一般式(1)において、R1は、4〜10価のテトラカルボン酸及び/又はその誘導体残基を表し、R2は、2〜10価のジアミン及び/又はその誘導体残基を表す。R3及びR4は、それぞれ独立して、フェノール性水酸基、スルホン酸基、メルカプト基又は一般式(5)若しくは一般式(6)で表される置換基を表す。pは、0〜6の整数を表し、qは、0〜8の整数を表す。)
(一般式(3)において、R9は、4〜10価のテトラカルボン酸及び/又はその誘導体残基を表し、R10は、2〜10価のジアミン及び/又はその誘導体残基を表す。R11は、前記一般式(5)又は一般式(6)で表される置換基を表し、R12は、フェノール性水酸基、スルホン酸基又はメルカプト基を表し、R13は、フェノール性水酸基、スルホン酸基、メルカプト基又は前記一般式(5)若しくは前記一般式(6)で表される置換基を表す。tは、2〜8の整数を表し、uは、0〜6の整数を表し、vは、0〜8の整数を表し、2≦t+u≦8である。)
本発明のネガ型感光性樹脂組成物において、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾールとは、下記に記載する一般的なポリベンゾオキサゾールをいう。
(一般式(2)において、R5は、2〜10価のジカルボン酸及び/又はその誘導体残基を表し、R6は、芳香族構造を有する4〜10価のビスアミノフェノール化合物及び/又はその誘導体残基を表す。R7及びR8は、それぞれ独立して、フェノール性水酸基、スルホン酸基、メルカプト基又は前記一般式(5)若しくは前記一般式(6)で表される置換基を表す。rは、0〜8の整数を表し、sは、0〜6の整数を表す。)
(一般式(4)において、R14は、2〜10価のジカルボン酸及び/又はその誘導体残基を表し、R15は、芳香族構造を有する4〜10価のビスアミノフェノール化合物及び/又はその誘導体残基を表す。R16は、フェノール性水酸基、スルホン酸基、メルカプト基又は前記一般式(5)若しくは一般式(6)で表される置換基を表し、R17は、フェノール性水酸基を表し、R18は、スルホン酸基、メルカプト基又は前記一般式(5)若しくは前記一般式(6)で表される置換基を表す。wは、0〜8の整数を表し、xは、2〜8の整数を表し、yは、0〜6の整数を表し、2≦x+y≦8である。)
(A1a−1)ポリイミド及び/又は(A1a−2)ポリイミド前駆体は、以下に記載するテトラカルボン酸及び/又はその誘導体を含有することができる。テトラカルボン酸としては、例えば、芳香族テトラカルボン酸、脂環式テトラカルボン酸又は脂肪族テトラカルボン酸が挙げられる。これらのテトラカルボン酸は、カルボキシ基の酸素原子以外に、酸素原子以外のヘテロ原子を有してもよい。
ジアミン及びその誘導体としては、例えば、芳香族ジアミン、ビスアミノフェノール化合物、脂環式ジアミン、脂環式ジヒドロキシジアミン、脂肪族ジアミン又は脂肪族ジヒドロキシジアミンが挙げられる。これらジアミン及びその誘導体は、アミノ基及びその誘導体が有する窒素原子、酸素原子以外に、ヘテロ原子を有してもよい。
(A1a−1)ポリイミド、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾール、(A1a−2)ポリイミド前駆体及び(A1b−2)ポリベンゾオキサゾール前駆体から選ばれる一種類以上は、フッ素原子を有する構造単位を含有することが好ましい。ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミド前駆体及びポリベンゾオキサゾール前駆体から選ばれる一種類以上が、フッ素原子を有する構造単位を含有することで、透明性が向上し、露光時の感度を向上させることができる。また、膜表面に撥水性を付与することができ、アルカリ現像時における膜表面からの浸み込みを抑制することができる。ここでいう露光とは、活性化学線(放射線)の照射のことであり、例えば、可視光線、紫外線、電子線又はX線などの照射が挙げられる。一般的に使用されている光源であるという観点から、例えば、可視光線や紫外線の照射が可能な超高圧水銀灯光源が好ましく、j線(波長313nm)、i線(波長365nm)、h線(波長405nm)又はg線(波長436nm)の照射がより好ましい。以降、露光とは、活性化学線(放射線)の照射をいう。
(A1a−1)ポリイミド及び/又は(A1a−2)ポリイミド前駆体は、フッ素原子を有するテトラカルボン酸及びその誘導体に由来する構造単位として、一般式(16)で表される構造単位及び/又は一般式(17)で表される構造単位を含有することが好ましい。
(A1a−1)ポリイミド及び/又は(A1a−2)ポリイミド前駆体は、フッ素原子を有するジアミン及びその誘導体に由来する構造単位として、一般式(12)で表される構造単位及び/又は一般式(13)で表される構造単位を含有することが好ましい。
(A1a−1)ポリイミド及び/又は(A1a−2)ポリイミド前駆体は、芳香族テトラカルボン酸及び/又はその誘導体に由来する構造単位を含有することが好ましい。(A1a−1)ポリイミド及び/又は(A1a−2)ポリイミド前駆体が、芳香族カルボン酸及び/又はその誘導体に由来する構造単位を含有することで、芳香族基の耐熱性により、硬化膜の耐熱性を向上させることができる。芳香族カルボン酸及びその誘導体としては、芳香族テトラカルボン酸及び/又はその誘導体が好ましい。
(A1a−1)ポリイミド、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾール、(A1a−2)ポリイミド前駆体及び(A1b−2)ポリベンゾオキサゾール前駆体から選ばれる一種類以上は、芳香族アミン及び/又はその誘導体に由来する構造単位を含有することが好ましい。(A1a−1)ポリイミド、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾール、(A1a−2)ポリイミド前駆体及び(A1b−2)ポリベンゾオキサゾール前駆体から選ばれる一種類以上が、芳香族アミン及び/又はその誘導体に由来する構造単位を含有することで、芳香族基の耐熱性により、硬化膜の耐熱性を向上させることができる。芳香族アミン及びその誘導体としては、芳香族ジアミン、ビスアミノフェノール化合物、芳香族トリアミン若しくはトリスアミノフェノール化合物、及び/又は、それらの誘導体が好ましく、芳香族ジアミン若しくはビスアミノフェノール化合物及び/又はそれらの誘導体がより好ましい。
(A1a−1)ポリイミド、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾール、(A1a−2)ポリイミド前駆体及び(A1b−2)ポリベンゾオキサゾール前駆体から選ばれる一種類以上は、シリル基又はシロキサン結合を有するジアミン及び/又はその誘導体に由来する構造単位を含有することが好ましい。(A1a−1)ポリイミド、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾール、(A1a−2)ポリイミド前駆体及び(A1b−2)ポリベンゾオキサゾール前駆体から選ばれる一種類以上が、シリル基又はシロキサン結合を有するジアミン及び/又はその誘導体に由来する構造単位を含有することで、樹脂組成物の硬化膜と下地の基板界面における相互作用が増大し、下地の基板との密着性及び硬化膜の耐薬品性を向上させることができる。
(A1a−1)ポリイミド、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾール、(A1a−2)ポリイミド前駆体及び(A1b−2)ポリベンゾオキサゾール前駆体から選ばれる一種類以上は、オキシアルキレン構造を有するアミン及び/又はその誘導体に由来する構造単位を含有することが好ましい。(A1a−1)ポリイミド、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾール、(A1a−2)ポリイミド前駆体及び(A1b−2)ポリベンゾオキサゾール前駆体から選ばれる一種類以上が、オキシアルキレン構造を有するアミン及び/又はその誘導体に由来する構造単位を含有することで、低テーパーのパターン形状を得ることができるとともに、硬化膜の機械特性を向上させることができる。
(A1a−1)ポリイミド、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾール、(A1a−2)ポリイミド前駆体及び(A1b−2)ポリベンゾオキサゾール前駆体から選ばれる一種類以上は、樹脂の末端が、モノアミン、ジカルボン酸無水物、モノカルボン酸、モノカルボン酸塩化物又はモノカルボン酸活性エステルなどの末端封止剤で封止されていても構わない。樹脂の末端が、末端封止剤で封止されることで、(A1a−1)ポリイミド、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾール、(A1a−2)ポリイミド前駆体及び(A1b−2)ポリベンゾオキサゾール前駆体から選ばれる一種類以上を含有する樹脂組成物の塗液の保管安定性を向上させることができる。
(A2)不飽和基含有樹脂は、エチレン性不飽和二重結合基を有する。ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール及びポリベンゾオキサゾール前駆体としては、エチレン性不飽和二重結合基を導入する反応により、樹脂の側鎖に、エチレン性不飽和二重結合基が導入されたものも好ましい。
(A1a−1)ポリイミド、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾール、(A1a−2)ポリイミド前駆体及び(A1b−2)ポリベンゾオキサゾール前駆体から選ばれる一種類以上の樹脂における、構造単位の繰り返し数nは、5以上が好ましく、10以上がより好ましく、15以上がさらに好ましい。繰り返し数nが上記範囲内であると、現像後の解像度を向上させることができる。一方、繰り返し数nは、1,000以下が好ましく、500以下がより好ましく、100以下がさらに好ましい。繰り返し数nが上記範囲内であると、塗布時のレベリング性及びアルカリ現像液でのパターン加工性を向上させることができる。
(A1a−1)ポリイミド又は(A1a−2)ポリイミド前駆体は、公知の方法で合成することができる。例えば、N−メチル−2−ピロリドンなどの極性溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミン(一部を末端封止剤であるモノアミンに置き換え)と、を80〜200℃で反応させる方法、又は、テトラカルボン酸二無水物(一部を末端封止剤であるジカルボン酸無水物、モノカルボン酸、モノカルボン酸塩化物若しくはモノカルボン酸活性エステルに置き換え)とジアミンと、を80〜200℃で反応させる方法などが挙げられる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物において、(A1)弱酸性基含有樹脂として(A1b−3)ポリシロキサンを含有することができる。(A1b−3)ポリシロキサンとは、下記に記載する一般的なポリシロキサンをいう。
本発明に用いられる(A1b−3)ポリシロキサンとしては、硬化膜の耐熱性向上及び現像後の解像度向上の観点から、三官能オルガノシラン単位及び/又は四官能オルガノシラン単位を含有することが好ましい。三官能オルガノシランとしては、一般式(7)で表されるオルガノシラン単位が好ましい。四官能オルガノシラン単位としては、一般式(8)で表されるオルガノシラン単位が好ましい。
本発明に用いられるポリシロキサンとしては、フッ素原子を有するオルガノシラン単位を含有することが好ましい。そのようなポリシロキサンは、一般式(7)、一般式(9)又は一般式(10)で表されるオルガノシラン単位を有するオルガノシランとして、フッ素原子を有するオルガノシランを用いて得られるものであることが好ましい。ポリシロキサンがフッ素原子を有するオルガノシラン単位を含有することで、透明性が向上し、露光時の感度を向上させることができる。また、膜表面に撥水性を付与することができ、アルカリ現像時における膜表面からの浸み込みを抑制することができる。
本発明に用いられるポリシロキサンとしては、芳香族基を有するオルガノシラン単位を含有することが好ましい。そのようなポリシロキサンは、一般式(7)、一般式(9)又は一般式(10)で表されるオルガノシラン単位を有するオルガノシランとして、芳香族基を有するオルガノシランを用いて得られるものであることが好ましい。ポリシロキサンが芳香族基を有するオルガノシラン単位を含有することで、芳香族基の耐熱性により、硬化膜の耐熱性を向上させることができる。
ポリシロキサンとしては、エチレン性不飽和二重結合基を有するオルガノシラン単位により、樹脂の側鎖にエチレン性不飽和二重結合基が導入されたものも好ましい。
ポリシロキサンとしては、酸性基を有するオルガノシラン単位により、樹脂の側鎖に酸性基が導入されたものも好ましい。
本発明に用いられるポリシロキサンのMwとしては、GPCで測定されるポリスチレン換算で、500以上が好ましく、700以上がより好ましく、1,000以上がさらに好ましい。Mwが上記範囲内であると、現像後の解像度を向上させることができる。一方、Mwとしては、100,000以下が好ましく、50,000以下がより好ましく、20,000以下がさらに好ましい。Mwが上記範囲内であると、塗布時のレベリング性及びアルカリ現像液でのパターン加工性を向上させることができる。
ポリシロキサンは、公知の方法で合成することができる。例えば、反応溶媒中で、オルガノシランを加水分解し、脱水縮合させる方法などが挙げられる。オルガノシランを加水分解し、脱水縮合する方法としては、例えば、オルガノシランを含む混合物に、反応溶媒及び水、さらに必要に応じて触媒を添加し、50〜150℃、好ましくは90〜130℃で、0.5〜100時間程度加熱攪拌する方法などが挙げられる。なお、加熱攪拌中、必要に応じて加水分解副生物(メタノールなどのアルコール)や縮合副生物(水)を蒸留により留去しても構わない。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物において、(A2)不飽和基含有樹脂として(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂を含有することができる。(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂とは、下記に記載する一般的な多環側鎖含有芳香族樹脂をいう。
本発明に用いられる(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂としては、以下の(I)〜(IV)のいずれか一種類以上の合成方法により得られた(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂であることが好ましい。
本発明に用いられる(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂としては、フッ素原子を有するテトラカルボン酸、フッ素原子を有するテトラカルボン酸二無水物、フッ素原子を有するトリカルボン酸及びフッ素原子を有するジカルボン酸から選ばれる一種類以上に由来する構造単位を含有することが好ましい。(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂がフッ素原子を有するテトラカルボン酸、フッ素原子を有するテトラカルボン酸二無水物、フッ素原子を有するトリカルボン酸及びフッ素原子を有するジカルボン酸から選ばれる一種類以上に由来する構造単位を含有することで、透明性が向上し、露光時の感度を向上させることができる。また、膜表面に撥水性を付与することができ、アルカリ現像時における膜表面からの浸み込みを抑制することができる。
本発明に用いられる(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂としては、芳香族基を有するテトラカルボン酸、芳香族基を有するテトラカルボン酸二無水物、芳香族基を有するトリカルボン酸及び芳香族基を有するジカルボン酸から選ばれる一種類以上に由来する構造単位を含有することが好ましい。(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂が芳香族基を有するテトラカルボン酸、芳香族基を有するテトラカルボン酸二無水物、芳香族基を有するトリカルボン酸及び芳香族基を有するジカルボン酸から選ばれる一種類以上に由来する構造単位を含有することで、芳香族基の耐熱性により、硬化膜の耐熱性を向上させることができる。
本発明に用いられる(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂としては、脂環式基を有するテトラカルボン酸、脂環式基を有するテトラカルボン酸二無水物、脂環式基を有するトリカルボン酸及び脂環式基を有するジカルボン酸から選ばれる一種類以上に由来する構造単位を含有することが好ましい。(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂が脂環式基を有するテトラカルボン酸、脂環式基を有するテトラカルボン酸二無水物、脂環式基を有するトリカルボン酸及び脂環式基を有するジカルボン酸から選ばれる一種類以上に由来する構造単位を含有することで、脂環式基の耐熱性及び透明性により、硬化膜の耐熱性及び透明性を向上させることができる。
本発明に用いられる(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂としては、テトラカルボン酸、テトラカルボン酸二無水物、トリカルボン酸、トリカルボン酸無水物又はジカルボン酸二無水物に由来する構造単位を含有し、(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂が、酸性基を有することが好ましい。多環側鎖含有芳香族樹脂が酸性基を有することで、アルカリ現像液でのパターン加工性及び現像後の解像度を向上させることができる。
本発明に用いられる(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂のMwとしては、GPCで測定されるポリスチレン換算で、500以上が好ましく、1,000以上がより好ましく、1,500以上がさらに好ましい。Mwが上記範囲内であると、現像後の解像度を向上させることができる。一方、Mwとしては、100,000以下が好ましく、50,000以下がより好ましく、20,000以下がさらに好ましい。Mwが上記範囲内であると、塗布時のレベリング性及びアルカリ現像液でのパターン加工性を向上させることができる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物において、(A2)不飽和基含有樹脂として(A2c−2)アクリル樹脂を含有することができる。(A2c−2)アクリル樹脂とは、下記に記載する一般的なアクリル樹脂をいう。
本発明に用いられる(A2c−2)アクリル樹脂としては、酸性基を有する共重合成分に由来する構造単位を含有し、アクリル樹脂が、酸性基を有することが好ましい。アクリル樹脂が酸性基を有することで、アルカリ現像液でのパターン加工性及び現像後の解像度を向上させることができる。
本発明に用いられる(A2c−2)アクリル樹脂としては、芳香族基を有する共重合成分に由来する構造単位を含有することが好ましい。アクリル樹脂が芳香族基を有する共重合成分に由来する構造単位を含有することで、芳香族基の耐熱性により、硬化膜の耐熱性を向上させることができる。
本発明に用いられる(A2c−2)アクリル樹脂としては、脂環式基を有する共重合成分に由来する構造単位を含有することが好ましい。アクリル樹脂が脂環式基を有する共重合成分に由来する構造単位を含有することで、脂環式基の耐熱性及び透明性により、硬化膜の耐熱性及び透明性を向上させることができる。
本発明に用いられる(A2c−2)アクリル樹脂としては、フッ素原子を有する共重合成分に由来する構造単位を含有することが好ましい。アクリル樹脂がフッ素原子を有する共重合成分に由来する構造単位を含有することで、透明性が向上し、露光時の感度を向上させることができる。また、膜表面に撥水性を付与することができ、アルカリ現像時における膜表面からの浸み込みを抑制することができる。
本発明に用いられる(A2−3)アクリル樹脂の二重結合当量としては、150g/mol以上が好ましく、200g/mol以上がより好ましく、250g/mol以上がさらに好ましい。二重結合当量が150g/mol以上であると、下地の基板との密着性を向上させることができる。一方、二重結合当量としては、10,000g/mol以下が好ましく、5,000g/mol以下がより好ましく、2,000g/mol以下がさらに好ましい。二重結合当量が10,000g/mol以下であると、露光時の感度を向上させることができる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物において、(A2)不飽和基含有樹脂として(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂を含有することができる。(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂とは、下記に記載する一般的なカルボン酸変性エポキシ樹脂をいう。
本発明に用いられる(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂としては、以下の(I)〜(IV)のいずれか一種類以上の合成方法により得られた(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂であることが好ましい。
本発明に用いられる(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂としては、フッ素原子を有するテトラカルボン酸、フッ素原子を有するトリカルボン酸、フッ素原子を有するトリカルボン酸無水物、フッ素原子を有するジカルボン酸及びフッ素原子を有するジカルボン酸無水物から選ばれる一種類以上に由来する構造単位を含有することが好ましい。(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂がフッ素原子を有するテトラカルボン酸、フッ素原子を有するトリカルボン酸、フッ素原子を有するトリカルボン酸無水物、フッ素原子を有するジカルボン酸及びフッ素原子を有するジカルボン酸無水物から選ばれる一種類以上に由来する構造単位を含有することで、透明性が向上し、露光時の感度を向上させることができる。また、膜表面に撥水性を付与することができ、アルカリ現像時における膜表面からの浸み込みを抑制することができる。
本発明に用いられる(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂としては、芳香族基を有するテトラカルボン酸、芳香族基を有するトリカルボン酸、芳香族基を有するトリカルボン酸無水物、芳香族基を有するジカルボン酸及び芳香族基を有するジカルボン酸無水物から選ばれる一種類以上に由来する構造単位を含有することが好ましい。(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂が芳香族基を有するテトラカルボン酸、芳香族基を有するトリカルボン酸、芳香族基を有するトリカルボン酸無水物、芳香族基を有するジカルボン酸及び芳香族基を有するジカルボン酸無水物から選ばれる一種類以上に由来する構造単位を含有することで、芳香族基の耐熱性により、硬化膜の耐熱性を向上させることができる。
本発明に用いられる(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂としては、脂環式基を有するテトラカルボン酸、脂環式基を有するトリカルボン酸、脂環式基を有するトリカルボン酸無水物、脂環式基を有するジカルボン酸及び脂環式基を有するジカルボン酸無水物から選ばれる一種類以上に由来する構造単位を含有することが好ましい。(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂が脂環式基を有するテトラカルボン酸、脂環式基を有するトリカルボン酸、脂環式基を有するトリカルボン酸無水物、脂環式基を有するジカルボン酸及び脂環式基を有するジカルボン酸無水物から選ばれる一種類以上に由来する構造単位を含有することで、脂環式基の耐熱性及び透明性により、硬化膜の耐熱性及び透明性を向上させることができる。
本発明に用いられる(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂としては、テトラカルボン酸、トリカルボン酸、トリカルボン酸無水物及びジカルボン酸無水物に由来する構造単位を含有し、(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂が、酸性基を有することが好ましい。(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂が酸性基を有することで、アルカリ現像液でのパターン加工性及び現像後の解像度を向上させることができる。
本発明に用いられる(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂としては、例えば、“KAYARAD”(登録商標) PCR−1222H、同 PCR−1173H、同 PCR−1221H、同 PCR−1220H、同 CCR−1171H、同 CCR−1307H、同 CCR−1309H、同 CCR−1291H、同 CCR−1235、同 TCR−1348H、同 TCR−1323H、同 TCR−1347H、同 TCR−1338H、同 TCR−1352H、同 TCR−1353H、同 TCR−1354H、同 TCR−1355H、同 TCR−1356H、同 ZAR−1494H、同 ZAR−2001H、同 ZAR−1035、同 ZAR−2000、同 ZFR−1401H、同 ZFR−1491H、同 ZCR−1797H、同 ZCR−1798H、同 ZCR−1569H、同 ZCR−1798H、同 ZCR−1761H、同 ZCR−1601H、同 ZXR−1807H、同 ZXR−1816H、同 ZXR−1810H、同 ZCR−6001H、同 ZCR−6002H、同 ZCR−8001H若しくは同 ZCR−8002H(以上、何れも日本化薬(株)製)又は“NK OLIGO”(登録商標) EA−6340、同 EA−7140若しくは同 EA−7340(以上、何れも新中村化学工業(株)製)が挙げられる。
本発明に用いられる(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂のMwとしては、GPCで測定されるポリスチレン換算で、500以上が好ましく、1,000以上がより好ましく、1,500以上がさらに好ましい。Mwが上記範囲内であると、現像後の解像度を向上させることができる。一方、Mwとしては、100,000以下が好ましく、50,000以下がより好ましく、20,000以下がさらに好ましい。Mwが上記範囲内であると、塗布時のレベリング性及びアルカリ現像液でのパターン加工性を向上させることができる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物において、(A1)弱酸性基含有樹脂として(A1b−4)ノボラック樹脂を含有することができる。(A1b−4)ノボラック樹脂とは、下記に記載する一般的なノボラック樹脂をいう。
本発明に用いられるノボラック樹脂のMwとしては、GPCで測定されるポリスチレン換算で、500以上が好ましく、1,000以上がより好ましく、1,500以上がさらに好ましい。Mwが上記範囲内であると、現像後の解像度を向上させることができる。一方、Mwとしては、100,000以下が好ましく、50,000以下がより好ましく、20,000以下がさらに好ましい。Mwが上記範囲内であると、塗布時のレベリング性及びアルカリ現像液でのパターン加工性を向上させることができる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物において、(A1)弱酸性基含有樹脂として(A1b−5)ポリヒドロキシスチレンを含有することができる。(A1b−5)ポリヒドロキシスチレンとは、下記に記載する一般的なポリヒドロキシスチレンをいう。
本発明に用いられるポリヒドロキシスチレンのMwとしては、GPCで測定されるポリスチレン換算で、500以上が好ましく、1,000以上がより好ましく、1,500以上がさらに好ましい。Mwが上記範囲内であると、現像後の解像度を向上させることができる。一方、Mwとしては、100,000以下が好ましく、50,000以下がより好ましく、20,000以下がさらに好ましい。Mwが上記範囲内であると、塗布時のレベリング性及びアルカリ現像液でのパターン加工性を向上させることができる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物において、(A1)弱酸性基含有樹脂100質量%に占める、(A1a−1)ポリイミド、(A1a−2)ポリイミド前駆体、(A1a−3)カルボン酸変性ポリシロキサン、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾール、(A1b−2)ポリベンゾオキサゾール前駆体及び(A1b−3)ポリシロキサンから選ばれる一種類以上の含有比率は、50〜100質量%が好ましく、60〜100質量%がより好ましく、70〜100質量%がさらに好ましく、80〜100質量%がさらにより好ましく、90〜100質量%が特に好ましい。含有比率が上記範囲内であると、硬化膜の耐熱性を向上させることができる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物としては、さらに、(B)ラジカル重合性化合物を含有することが好ましい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに、(C)感光剤を含有することが好ましい。また、(B)ラジカル重合性化合物および(C)感光剤を含有することが好ましい。(C)感光剤としては、(C1)光重合開始剤及び/又は(C2)光酸発生剤が好ましい。
(C1)光重合開始剤とは、露光によって結合開裂及び/又は反応してラジカルを発生する化合物をいう。
(C2)光酸発生剤とは、露光によって結合開裂を起こして酸を発生する化合物をいう。
(C2)光酸発生剤としては、イオン性化合物と、非イオン性化合物と、がある。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに、(D)着色剤を含有することが好ましい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物としては、前記(D)着色剤が、(D1)顔料を含有することが好ましい。前記(D)着色剤が、(D1)顔料を含有する態様としては、前記(Da)黒色剤及び/又は(Db)黒色以外の着色剤として、(D1)顔料を含有することが好ましい。
樹脂組成物に有機顔料を含有させることで、樹脂組成物の膜に着色性又は調色性を付与することができる。加えて、有機物であるため、化学構造変化又は官能変換により、所望の特定波長の光を透過又は遮光するなど、樹脂組成物の膜の透過スペクトル又は吸収スペクトルを調整し、調色性を向上させることができる。また、有機顔料は、一般的な無機顔料と比較して、絶縁性及び低誘電性に優れるため、有機顔料を含有させることで、膜の抵抗値を向上することができる。特に、有機ELディスプレイの画素分割層等の絶縁層などとして用いた場合に、発光不良等を抑制し、信頼性を向上させることができる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物としては、前記(D1)顔料が、(D1a)黒色顔料、又は、(D1a)黒色顔料及び/又は(D1b)黒色以外の顔料を含有することが好ましい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物としては、前記(D1a)黒色顔料が、(D1a−1)黒色有機顔料、(D1a−2)黒色無機顔料及び(D1a−3)二色以上の着色顔料混合物から選ばれる一種類以上であることが好ましい。
カーボンブラックとしては、表面処理がされたカーボンブラックが好ましい。表面処理としては、酸性基を導入する表面処理、シランカップリング剤による表面処理又は樹脂による被覆処理が好ましい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物としては、前記(D1b)黒色以外の顔料が、(D1b−1)黒色以外の有機顔料及び/又は(D1b−2)黒色以外の無機顔料であることが好ましい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物としては、前記(D1a−1)黒色有機顔料が、(D1a−1a)ベンゾフラノン系黒色顔料及び/又は(D1a−1b)ペリレン系黒色顔料であることが好ましい。
一般式(66)〜(68)において、R253、R254、R259、R260、R265及びR266は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン原子、炭素数1〜10のアルキル基又はフッ素原子を1〜20個有する炭素数1〜10のアルキル基を表す。R255、R256、R261、R262、R267及びR268は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン原子、R271、COOH、COOR271、COO−、CONH2、CONHR271、CONR271R272、CN、OH、OR271、OCOR271、OCONH2、OCONHR271、OCONR271R272、NO2、NH2、NHR271、NR271R272、NHCOR271、NR271COR272、N=CH2、N=CHR271、N=CR271R272、SH、SR271、SOR271、SO2R271、SO3R271、SO3H、SO3 −、SO2NH2、SO2NHR271又はSO2NR271R272を表し、R271及びR272は、それぞれ独立して、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数4〜10のシクロアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数4〜10のシクロアルケニル基又は炭素数2〜10のアルキニル基を表す。複数のR255、R256、R261、R262、R267又はR268で、直接結合、又は、酸素原子ブリッジ、硫黄原子ブリッジ、NHブリッジ若しくはNR271ブリッジで環を形成しても構わない。R257、R258、R263、R264、R269及びR270は、それぞれ独立して、水素、炭素数1〜10のアルキル基又は炭素数6〜15のアリール基を表す。a、b、c、d、e及びfは、それぞれ独立して、0〜4の整数を表す。一般式(66)〜(68)において、R253、R254、R259、R260、R265及びR266は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基又はフッ素原子を1〜12個有する炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。また、R271及びR272は、それぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数4〜7のシクロアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数4〜7のシクロアルケニル基又は炭素数2〜6のアルキニル基が好ましい。また、R257、R258、R263、R264、R269及びR270は、それぞれ独立して、水素、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数6〜10のアリール基が好ましい。上記のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基及びアリール基は、ヘテロ原子を有してもよく、無置換体又は置換体のいずれであっても構わない。
上記以外に、“PALIOGEN”(登録商標) BLACK S0084、同 K0084、同 L0086、同 K0086、同 EH0788又は同 FK4281(以上、何れもBASF社製)が挙げられる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物としては、前記(D)着色剤が、(D2)染料を含有することが好ましい。前記(D)着色剤が、(D2)染料を含有する態様としては、前記(Da)黒色剤及び/又は(Db)黒色以外の着色剤として、(D2)染料を含有することが好ましい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物としては、前記(D2)染料が、(D2a−1)黒色染料、(D2a−2)二色以上の染料混合物及び/又は(D2b)黒色以外の染料を含有することが好ましい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに、(E)分散剤を含有することが好ましい。
(E)分散剤とは、前述した(D1)顔料又は分散染料などの表面と相互作用する表面親和性基、及び、(D1)顔料又は分散染料の分散安定性を向上させる分散安定化構造を有する化合物をいう。(E)分散剤の分散安定化構造としては、ポリマー鎖及び/又は静電荷を有する置換基などが挙げられる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに、増感剤を含有することが好ましい。
増感剤とは、露光によるエネルギーを吸収し、内部転換及び項間交差によって励起三重項の電子を生じ、前述した(C1)光重合開始剤又は(C2)光酸発生剤などへのエネルギー移動を介することが可能な化合物をいう。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに、連鎖移動剤を含有することが好ましい。
連鎖移動剤とは、露光時のラジカル重合により得られるポリマー鎖の、ポリマー生長末端からラジカルを受け取り、他のポリマー鎖へのラジカル移動を介することが可能な化合物をいう。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに、重合禁止剤を含有することが好ましい。
重合禁止剤とは、露光時に発生したラジカル、又は、露光時のラジカル重合により得られるポリマー鎖の、ポリマー生長末端のラジカルを捕捉し、安定ラジカルとして保持することで、ラジカル重合を停止することが可能な化合物をいう。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに、架橋剤を含有することが好ましい。
架橋剤とは、樹脂と結合可能な架橋性基を有する化合物をいう。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに、シランカップリング剤を含有することが好ましい。
シランカップリング剤とは、加水分解性のシリル基又はシラノール基を有する化合物をいう。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに、界面活性剤を含有しても構わない。
界面活性剤とは、親水性の構造及び疎水性の構造を有する化合物をいう。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに、溶剤を含有することが好ましい。
溶剤とは、樹脂組成物中に含有させる各種樹脂及び各種添加剤を溶解させることができる化合物をいう。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに、他の樹脂又はそれらの前駆体を含有しても構わない。他の樹脂又はそれらの前駆体としては、例えば、ポリアミド、ポリアミドイミド、エポキシ樹脂、ウレア樹脂若しくはポリウレタン又はそれらの前駆体が挙げられる。他の樹脂又はそれらの前駆体は、(A)アルカリ可溶性樹脂として含有しても構わない。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物の代表的な製造方法について説明する。例えば、(D)着色剤が(D1)顔料を含有する場合、(A)アルカリ可溶性樹脂の溶液に(E)分散剤を加え、分散機を用いて、この混合溶液に(D1)顔料を分散させ、顔料分散液を調製する。次に、この顔料分散液に、(B)ラジカル重合性化合物、(C1)光重合開始剤及び/又は(C2)光酸発生剤、その他の添加剤及び任意の溶剤を加え、20分〜3時間攪拌して均一な溶液とする。攪拌後、得られた溶液をろ過することで、本発明のネガ型感光性樹脂組成物が得られる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜は、有機ELディスプレイの画素分割層、カラーフィルタ、カラーフィルタのブラックマトリックス、液晶ディスプレイのブラックカラムスペーサー、半導体のゲート絶縁膜、半導体の層間絶縁膜、金属配線用保護膜、金属配線用絶縁膜又はTFT用平坦化膜などの用途に好適に用いることができる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、段差形状を有する硬化パターンを含む硬化膜を得ることが可能である。また段差形状を有する硬化パターンの断面における端部を傾斜辺に形成することができる。本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、低テーパーのパターン形状の硬化パターンを含む硬化膜を得ることが可能である。本発明のネガ型感光性樹脂組成物から得られる、硬化パターンの断面における傾斜辺のテーパー角は、1°以上が好ましく、5°以上がより好ましく、10°以上がさらに好ましく、12°以上がさらにより好ましく、15°以上が特に好ましい。テーパー角が上記範囲内であると、発光素子を高密度に集積及び配置できることで、表示装置の解像度を向上させることができる。一方、硬化パターンの断面における傾斜辺のテーパー角は、60°以下が好ましく、55°以下がより好ましく、50°以下がさらに好ましく、45°以下がさらにより好ましく、40°以下が特に好ましい。テーパー角が上記範囲内であると、透明電極又は反射電極などの電極を形成する際の断線を防止することができる。また、電極のエッジ部における電界集中を抑制できることで、発光素子の劣化を抑制することができる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いたプロセスの一例として、該組成物の硬化膜を、有機ELディスプレイの段差形状を有する画素分割層として用いたプロセスを例に、図1にその模式的断面図を示して説明する。まず、(1)ガラス基板1上に、薄膜トランジスタ(以下、「TFT」)2を形成し、TFT平坦化膜用の感光性材料を成膜し、フォトリソグラフィーによってパターン加工した後、熱硬化させてTFT平坦化用の硬化膜3を形成する。次に、(2)銀‐パラジウム‐銅合金(以下、「APC」)をスパッタにより成膜し、フォトレジストを用いてエッチングによりパターン加工してAPC層を形成し、さらに、APC層の上層に酸化インジウムスズ(以下、「ITO」)をスパッタにより成膜し、フォトレジストを用いたエッチングによりパターン加工し、第1電極として反射電極4を形成する。その後、(3)本発明のネガ型感光性樹脂組成物を塗布及びプリベークして、プリベーク膜5aを形成する。次いで、(4)透光部、遮光部及び半透光部を含む所望のパターンを有するハーフトーンフォトマスク6を介して、活性化学線7を照射する。次に、(5)現像してパターン加工をした後、必要に応じてブリーチング露光及びミドルベークし、熱硬化させることで、画素分割層として、所望のパターンを有し、かつ段差形状を有する硬化パターン5bを形成する。その後、(6)EL発光材料を、マスクを介した蒸着によって成膜してEL発光層8を形成し、マグネシウム‐銀合金(以下、「MgAg」)を蒸着により成膜し、フォトレジストを用いてエッチングによりパターン加工し、第2電極として透明電極9を形成する。次に(7)平坦化膜用の感光性材料を成膜し、フォトリソグラフィーによってパターン加工した後、熱硬化させて平坦化用の硬化膜10を形成し、その後、カバーガラス11を接合させることで、本発明のネガ型感光性樹脂組成物を、段差形状を有する画素分割層として有する有機ELディスプレイを得る。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いた別のプロセスの一例として、該組成物の硬化膜を液晶ディスプレイのブラックカラムスペーサー(以下、「BCS」)及びカラーフィルタのブラックマトリックス(以下、「BM」)として用いたプロセスを例に、図2にその模式的断面図を示して説明する。まず、(1)ガラス基板12上に、バックライトユニット(以下、「BLU」)13を形成し、BLUを有するガラス基板14を得る。
また、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、高感度を維持しつつ、厚膜部と薄膜部とで十分な膜厚差がある段差形状を有し、低テーパーのパターン形状を有する硬化パターンを形成することができる。従って、本発明のネガ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜は、有機ELディスプレイの画素分割層等の絶縁層など、高耐熱性及び段差形状が要求される用途に好適である。加えて、本発明のネガ型感光性樹脂組成物が、(D)着色剤を含有する場合、電極配線の可視化防止又は外光反射低減が可能となり、画像表示におけるコントラストを向上させることができる。従って、本発明のネガ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜を、有機ELディスプレイの画素分割層として用いることで、発光素子の光取り出し側に、偏光板及び1/4波長板を形成することなく、コントラストを向上させることができる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いたプロセスの一例として、該組成物の硬化膜を、フレキシブル有機ELディスプレイの遮光性の画素分割層として用いたプロセスを例に、図3にその模式的断面図を示して説明する。まず、(1)ガラス基板33上に、ポリイミド(以下、「PI」)フィルム基板34を仮固定する。次に、(2)PIフィルム基板34上に、酸化物TFT35を形成し、TFT平坦化膜用の感光性材料を成膜し、フォトリソグラフィーによってパターン加工した後、熱硬化させてTFT平坦化用の硬化膜36を形成する。その後、(3)マグネシウムと銀の合金をスパッタにより成膜し、フォトレジストを用いてエッチングによりパターン加工し、第1電極として反射電極37を形成する。次に、(4)本発明のネガ型感光性樹脂組成物を塗布及びプリベークして、プリベーク膜38aを形成する。次いで、(5)所望のパターンを有するハーフトーンフォトマスク39を介して、活性化学線40を照射する。その後、(6)現像してパターン加工をした後、必要に応じてブリーチング露光及びミドルベークし、熱硬化させることで、フレキシブル及び遮光性の画素分割層として、所望のパターンを有し、かつ段差形状を有する硬化パターン38bを形成する。次に、(7)EL発光材料を、マスクを介した蒸着によって成膜してEL発光層41を形成し、ITOをスパッタにより成膜し、フォトレジストを用いてエッチングによりパターン加工し、第2電極として透明電極42を形成する。その後、(8)平坦化膜用の感光性材料を成膜し、フォトリソグラフィーによってパターン加工した後、熱硬化させて平坦化用の硬化膜43を形成する。次に、(9)別のガラス基板44に仮固定されたポリエチレンテレフタレート(以下、「PET」)フィルム基板45を接合する。その後、(10)前記PIフィルム基板34から前記ガラス基板33を剥離し、該PETフィルム基板45から該ガラス基板44を剥離することで、本発明のネガ型感光性樹脂組成物をフレキシブル及び遮光性の画素分割層として有する、フレキシブル有機ELディスプレイを得る。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、高感度を維持しつつ、厚膜部と薄膜部とで十分な膜厚差がある段差形状を有し、低テーパーのパターン形状を有する硬化パターンを形成することができる。
2.0≦(TFT)≦10 (α)
0.10≦(THT)≦7.5 (β)
0.10×(TFT)≦(THT)≦0.75×(TFT) (γ)
3.0≦(TFT)≦9.0 (δ)
0.20≦(THT)≦7.0 (ε)
0.20×(TFT)≦(THT)≦0.70×(TFT) (ζ)
(1)基板上に、本発明のネガ型感光性樹脂組成物の塗膜を成膜する工程、
(2)前記樹脂組成物にフォトマスクを介して活性化学線を照射する工程、
(3)アルカリ溶液を用いて現像し、前記樹脂組成物の段差形状を有するパターンを形成する工程、及び、
(4)前記パターンを加熱して、前記樹脂組成物の段差形状を有する硬化パターンを得る工程。
前記フォトマスクは、透光部及び遮光部を含むパターンを有するフォトマスクであって、前記透光部と遮光部の間に、透過率が透光部の値より低く、かつ透過率が遮光部の値より高い、半透光部を有するフォトマスクであるとよい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いた、表示装置の製造方法は、(1)基板上に、ネガ型感光性樹脂組成物の塗膜を成膜する工程、を有する。
基板上に、本発明のネガ型感光性樹脂組成物を塗布する方法としては、例えば、マイクログラビアコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング又はスリットコーティングが挙げられる。塗布膜厚は、塗布方法、樹脂組成物の固形分濃度や粘度などによって異なるが、通常は塗布及びプリベーク後の膜厚が0.1〜30μmになるように塗布する。
基板上に、本発明のネガ型感光性樹脂組成物をパターン状に塗布する方法としては、例えば、凸版印刷、凹版印刷、孔版印刷、平版印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、オフセット印刷又はレーザー印刷が挙げられる。塗布膜厚は、塗布方法、本発明の感光性樹脂組成物の固形分濃度や粘度などによって異なるが、通常は塗布及びプリベーク後の膜厚が0.1〜30μmになるように塗布する。
基板上に成膜した、本発明のネガ型感光性樹脂組成物の塗膜をパターン加工する方法としては、例えば、フォトリソグラフィーにより直接パターン加工する方法又はエッチングによりパターン加工する方法が挙げられる。工程数の削減による生産性の向上及びプロセスタイム短縮の観点から、フォトリソグラフィーにより直接パターン加工する方法が好ましい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いた、表示装置の製造方法は、(2)前記樹脂組成物にフォトマスクを介して活性化学線を照射する工程、を有する。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いた、表示装置の製造方法は、(3)アルカリ溶液を用いて現像し、前記樹脂組成物の段差形状を有するパターンを形成する工程、を有する。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いた、表示装置の製造方法は、(4)前記樹脂組成物のパターンを加熱して、前記樹脂組成物の段差形状を有する硬化パターンを得る工程、を有する。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いた、表示装置の製造方法は、透明電極をパターン加工する工程及び/又は反射電極をパターン加工する工程、を有しても構わない。
酸性のエッチング液としては、例えば、フッ化水素酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、亜リン酸、酢酸又はシュウ酸などの酸性を示す化合物の溶液など、公知のものを用いることができる。
ドライエッチングの方法としては、例えば、透明電極又は反射電極上にフォトレジストのパターンを形成した基板に、上記のエッチングガスを暴露させる反応性ガスエッチング、透明電極又は反射電極上にフォトレジストのパターンを形成した基板に、電磁波によってイオン化若しくはラジカル化させたエッチングガスを暴露させるプラズマエッチング、又は透明電極又は反射電極上にフォトレジストのパターンを形成した基板に、電磁波によってイオン化若しくはラジカル化させたエッチングガスを、バイアスを印加して加速させて衝突させる反応性イオンエッチングなどが挙げられる。
フォトレジストを除去する方法としては、例えば、レジスト剥離液を用いる除去又はアッシングによる除去が挙げられる。レジスト剥離液としては、酸性若しくはアルカリ性のレジスト剥離液又は有機溶媒を用いることが好ましく、公知のものを用いることができる。酸性のレジスト剥離液としては、例えば、酸性溶液又は酸性溶液と酸化剤の混合溶液が挙げられ、公知のものを用いることができる。フォトレジストの除去性の観点から、酸性溶液と酸化剤の混合溶液が好ましい。
4HST:4−ヒドロキシスチレン
6FDA:2,2−(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物;4,4’−ヘキサフルオロプロパン−2,2−ジイル−ビス(1,2−フタル酸無水物)
AcrTMS:3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン
APC:Argentum‐Palladium‐Cupper(銀‐パラジウム‐銅合金)
ASL:アニソール
BAHF:2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
BFE:1,2−ビス(4−ホルミルフェニル)エタン
BGPF:9,9−ビス(4−グリシドキシフェニル)フルオレン
Bis−A−AF:2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン
Bk−S0100CF:“IRGAPHOR”(登録商標) BLACK S0100CF(BASF製;一次粒子径40〜80nmのベンゾフラノン系黒色顔料)
CCR−1171H:“KAYARAD”(登録商標) CCR−1171H(日本化薬(株)製;一般式(26)で表される構造単位を有するカルボン酸変性エポキシ樹脂)
D.BYK−167:“DISPERBYK”(登録商標)−167(ビックケミー・ジャパン(株)製;アミン価を有する分散剤)
DETX−S:“KAYACURE”(登録商標) DETX−S(日本化薬(株)製;2,4−ジエチルチオキサントン)
DFA:N,N−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール
DPHA:“KAYARAD”(登録商標) DPHA(日本化薬(株)製;ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート)
ED−900:“JEFFAMINE”(登録商標) ED−900(HUNTSMAN製;オキシアルキレン構造を有するジアミン)
GMA:メタクリル酸グリシジル
HAD:ホルムアルデヒド
HFHA:N,N’−ビス[5,5’−ヘキサフルオロプロパン−2,2−ジイル−ビス(2−ヒドロキシフェニル)]ビス(3−アミノ安息香酸アミド)
IGZO:酸化インジウムガリウム亜鉛
ITO:酸化インジウムスズ
KOH:水酸化カリウム
MAA:メタクリル酸
MAP:3−アミノフェノール;メタアミノフェノール
MBA:3−メトキシ−n−ブチルアセテート
MCS:m−クレゾール
MeTMS:メチルトリメトキシシラン
MgAg:Magnesium‐Argentum(マグネシウム‐銀合金)
MIBK:メチルイソブチルケトン
MOI:“カレンズ”(登録商標) MOI(昭和電工(株)製;2−メタクリロキシエチルイソシアネート)
MT−PE1:“カレンズMT”−PE1(昭和電工(株)製;ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート))
NA:5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物;ナジック酸無水物
NC−2000−L:一般式(32)で表される構造単位を有するカルボン酸変性エポキシ樹脂の合成に用いられるエポキシ樹脂(日本化薬(株)製)
NC−7300L:一般式(29)で表される構造単位を有するカルボン酸変性エポキシ樹脂の合成に用いられるエポキシ樹脂(日本化薬(株)製)
NCI−831:“アデカアークルズ”(登録商標)NCI−831((株)ADEKA製;オキシムエステル系光重合開始剤)
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
ODPA:ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物;オキシジフタル酸二無水物
P.B.15:6:C.I.ピグメントブルー15:6
P.R.254:C.I.ピグメントレッド254
P.Y.139:C.I.ピグメントイエロー139
PCR−1222H:“KAYARAD”(登録商標) PCR−1222H(日本化薬(株)製;一般式(26)で表される構造単位を有するカルボン酸変性エポキシ樹脂)
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
PHA:フタル酸無水物
PhTMS:フェニルトリメトキシシラン
S−20000:“SOLSPERSE”(登録商標) 20000(Lubrizol製;ポリエーテル系分散剤)
SiDA:1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン
STR:スチレン
TCDM:メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル;ジメチロール−トリシクロデカンジメタアクリレート
TCR−1348H:“KAYARAD”(登録商標) TCR−1348H(日本化薬(株)製;一般式(27)で表される構造単位を有するカルボン酸変性エポキシ樹脂)
THPHA:1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物
TMAH:水酸化テトラメチルアンモニウム
TMOS:テトラメトキシシラン
TMSSucA:3−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物
TPK−1227:スルホン酸基を導入する表面処理がされたカーボンブラック(CABOT社製)
TrisP−PA:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エタン(本州化学工業(株)製)
WR−301:“ADEKA ARKLS”(登録商標) WR−301((株)ADEKA製;エポキシ基を有する芳香族化合物及び不飽和カルボン酸を開環付加反応させて得られる樹脂に、カルボン酸無水物を反応させて得られる多環側鎖含有芳香族樹脂)
ZAR−1494H:“KAYARAD”(登録商標) ZAR−1494H(日本化薬(株)製;一般式(34)で表される構造単位を有するカルボン酸変性エポキシ樹脂)
ZCR−1797H:“KAYARAD”(登録商標) ZCR−1797H(日本化薬(株)製;一般式(33)で表される構造単位を有するカルボン酸変性エポキシ樹脂)
ZFR−1491H:“KAYARAD”(登録商標) ZFR−1491H(日本化薬(株)製;一般式(34)で表される構造単位を有するカルボン酸変性エポキシ樹脂)
ZXR−1816H:“KAYARAD”(登録商標) ZXR−1816H(日本化薬(株)製;一般式(28)で表される構造単位を有するカルボン酸変性エポキシ樹脂)
三口フラスコに、BAHFを18.31g(0.05mol)、プロピレンオキシドを17.42g(0.3mol)、アセトンを100mL秤量して溶解させた。ここに、アセトン10mLに塩化3−ニトロベンゾイルを20.41g(0.11mol)溶かした溶液を滴下した。滴下終了後、−15℃で4時間反応させ、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ取し、50℃で真空乾燥させた。得られた固体30gを、300mLのステンレスオートクレーブに入れ、2−メトキシエタノール250mLに分散させ、5%パラジウム−炭素を2g加えた。ここに水素を風船で導入して、室温で2時間反応させた。2時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認した。反応終了後、ろ過して触媒であるパラジウム化合物を除去し、減圧留去させて濃縮し、下記構造のヒドロキシ基含有ジアミン化合物(HFHA)を得た。
ナフトキノンジアジド構造を有する化合物(QD−1)の合成
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、TrisP−PAを21.23g(0.05mol)、5−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドを37.62g(0.14mol)秤量し、1,4−ジオキサン450gに溶解させて室温にした。ここに、1,4−ジオキサン50gとトリエチルアミン15.58g(0.154mol)の混合溶液を、系内が35℃以上にならないように攪拌しながら滴下した。滴下終了後、混合溶液を30℃で2時間攪拌した。攪拌後、析出したトリエチルアミン塩をろ過によって除去した後、ろ液を水に投入して攪拌し、析出した固体沈殿をろ過して得た。得られた固体を減圧乾燥によって乾燥させ、下記構造のナフトキノンジアジド構造を有する化合物(QD−1)を得た。
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、BAHFを31.13g(0.085mol;全アミン及びその誘導体に由来する構造単位に対して77.3mol%)、SiDAを1.24g(0.0050mol;全アミン及びその誘導体に由来する構造単位に対して4.5mol%)、末端封止剤として、MAPを2.18g(0.020mol;全アミン及びその誘導体に由来する構造単位に対して18.2mol%)、NMPを150.00g秤量して溶解させた。ここに、NMP50.00gにODPAを31.02g(0.10mol;全カルボン酸及びその誘導体に由来する構造単位に対して100mol%)溶かした溶液を添加し、20℃で1時間攪拌し、次いで50℃で4時間攪拌した。その後、キシレン15gを添加し、水をキシレンとともに共沸しながら、150℃で5時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を水3Lに投入し、析出した固体沈殿をろ過して得た。得られた固体を水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥し、ポリイミド(PI−1)を得た。得られたポリイミドのMwは27,000、酸当量は350g/mol、pKaは16.5であった。
表1−1に記載のモノマーの種類およびそのモル比にて、合成例1と同様に重合をして、ポリイミド(PI−2)〜ポリイミド(PI−5)を得た。得られたポリイミドの酸当量、pKaを表1−1に記載した。
表1−1に記載のモノマーの種類およびそのモル比にて、合成例1と同様に重合をし、ポリイミド樹脂を得た。乾燥窒素気流下、三口フラスコに、得られたポリイミド樹脂を32.79g、MBAを76.51g秤量して溶解させた。混合溶液を0℃に冷却し、ここに、MBA3.16gにMOI3.16g(樹脂中のフェノール性水酸基に対して0.45mol当量)を溶かした溶液を滴下した。滴下終了後、80℃で1時間攪拌して、ポリイミド溶液(PI−6)を得た。得られたポリイミドのMwは33,000、酸当量は760g/molであり、二重結合当量は930g/mol、pKaは16.5であった。
表1−1に記載のモノマーの種類およびそのモル比にて、合成例6と同様に重合をして、ポリイミド溶液(PI−7)及びポリイミド溶液(PI−8)を得た。得られたポリイミドの酸当量、二重結合当量、pKaを表1−1に記載した。
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、6FDAを44.42g(0.10mol;全カルボン酸及びその誘導体に由来する構造単位に対して100mol%)、NMPを150g秤量して溶解させた。ここに、NMP50gにBAHFを14.65g(0.040mol;全アミン及びその誘導体に由来する構造単位に対して32.0mol%)、HFHAを18.14g(0.030mol;全アミン及びその誘導体に由来する構造単位に対して24.0mol%)、SiDAを1.24g(0.0050mol;全アミン及びその誘導体に由来する構造単位に対して4.0mol%)溶かした溶液を添加し、20℃で1時間攪拌し、次いで50℃で2時間攪拌した。次に、末端封止剤として、NMP15gにMAPを5.46g(0.050mol;全アミン及びその誘導体に由来する構造単位に対して40.0mol%)溶かした溶液を添加し、50℃で2時間攪拌した。その後、NMP15gにDFAを23.83g(0.20mol)溶かした溶液を10分かけて滴下した。滴下終了後、50℃で3時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を室温に冷却した後、反応溶液を水3Lに投入し、析出した固体沈殿をろ過して得た。得られた固体を水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥し、ポリイミド前駆体(PIP−1)を得た。得られたポリイミド前駆体のMwは20,000、酸当量は450g/mol、pKaは16.0であった。
表1−2に記載のモノマーの種類およびそのモル比率にて、合成例9と同様に重合をしポリイミド前駆体を得た。このポリイミド前駆体に、合成例6と同様にしてMOIを反応させ、ポリイミド前駆体溶液(PIP−2)を得た。得られたポリイミド前駆体の酸当量、二重結合当量、pKaを表1−2に記載した。
トルエンを満たしたディーンスターク水分離器及び冷却管を付けた500mL丸底フラスコに、BAHFを34.79g(0.095mol;全アミン及びその誘導体に由来する構造単位に対して95.0mol%)、SiDAを1.24g(0.0050mol;全アミン及びその誘導体に由来する構造単位に対して5.0mol%)、NMPを75.00g秤量して、溶解させた。ここに、NMP25.00gに、BFEを19.06g(0.080mol;全カルボン酸及びその誘導体に由来する構造単位に対し66.7mol%)、末端封止剤として、NAを6.57g(0.040mol;全カルボン酸及びその誘導体に由来する構造単位に対し33.3mol%)溶かした溶液を添加し、20℃で1時間攪拌し、次いで50℃で1時間攪拌した。その後、窒素雰囲気下、200℃以上で10時間加熱攪拌し、脱水反応を行った。反応終了後、反応溶液を水3Lに投入し、析出した固体沈殿をろ過して得た。得られた固体を水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール(PBO−1)を得た。得られたポリベンゾオキサゾールのMwは25,000、酸当量は330g/mol、pKaは18.5であった。
表1−3に記載のモノマーの種類およびそのモル比にて、合成例11と同様に重合をしポリベンゾオキサゾールを得た。このポリベンゾオキサゾールに、合成例6と同様にしてMOIを反応させ、ポリベンゾオキサゾール溶液(PBO−2)を得た。得られたポリベンゾオキサゾールの酸当量、二重結合当量、pKaを表1−3に記載した。
トルエンを満たしたディーンスターク水分離器及び冷却管を付けた500mL丸底フラスコに、BAHFを34.79g(0.095mol;全アミン及びその誘導体に由来する構造単位に対して95.0mol%)、SiDAを1.24g(0.0050mol;全アミン及びその誘導体に由来する構造単位に対して5.0mol%)、NMPを70.00g秤量して、溶解させた。ここに、NMP20.00gに、BFEを19.06g(0.080mol;全カルボン酸及びその誘導体に由来する構造単位に対し66.7mol%)溶かした溶液を添加し、20℃で1時間攪拌し、次いで50℃で2時間攪拌した。次に、末端封止剤として、NMP10gにNAを6.57g(0.040mol;全カルボン酸及びその誘導体に由来する構造単位に対し33.3mol%)溶かした溶液を添加し、50℃で2時間攪拌した。その後、窒素雰囲気下、100℃で2時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を水3Lに投入し、析出した固体沈殿をろ過して得た。得られた固体を水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール前駆体(PBOP−1)を得た。得られたポリベンゾオキサゾール前駆体のMwは20,000、酸当量は330g/mol、pKaは18.5であった。
表1−4に記載のモノマーの種類およびそのモル比にて、合成例13と同様に重合をしポリベンゾオキサゾール前駆体を得た。このポリベンゾオキサゾール前駆体に、合成例6と同様にしてMOIを反応させ、ポリベンゾオキサゾール前駆体溶液(PBOP−2)を得た。得られたポリベンゾオキサゾール前駆体の酸当量、二重結合当量、pKaを表1−4に記載した。
三口フラスコに、MeTMSを27.24g(40mol%)、PhTMSを49.57g(50mol%)、PGMEAを76.60g仕込んだ。フラスコ内に空気を0.05L/minで流し、混合溶液を攪拌しながらオイルバスで40℃に加熱した。混合溶液をさらに攪拌しながら、水27.93gにリン酸0.450gを溶かしたリン酸水溶液を10分かけて滴下した。滴下終了後、40℃で30分間攪拌して、シラン化合物を加水分解させた。加水分解終了後、PGMEA8.51gにTMSSucA13.12g(10mol%)を溶かした溶液を添加した。その後、バス温を70℃にして1時間攪拌した後、続いてバス温を115℃まで昇温した。昇温開始後、約1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱攪拌した(内温は100〜110℃)。2時間加熱攪拌して得られた樹脂溶液を氷浴にて冷却した後、陰イオン交換樹脂及び陽イオン交換樹脂を、それぞれ樹脂溶液に対して2質量%加えて12時間攪拌した。攪拌後、陰イオン交換樹脂及び陽イオン交換樹脂をろ過して除去し、ポリシロキサン溶液(PS−1)を得た。得られたポリシロキサンのMwは4,000であり、酸当量は700g/mol、pKaは21.0であった。
三口フラスコに、MeTMSを27.24g(40mol%)、PhTMSを49.57g(50mol%)、TMOSを7.61g(10mol%)、PGMEAを78.17g仕込んだ。フラスコ内に窒素を0.05L/minで流し、混合溶液を攪拌しながらオイルバスで40℃に加熱した。混合溶液をさらに攪拌しながら、水27.93gにリン酸0.253gを溶かしたリン酸水溶液を10分かけて滴下した。滴下終了後、40℃で30分間攪拌して、シラン化合物を加水分解させた。加水分解終了後、バス温を70℃にして1時間攪拌した後、続いてバス温を115℃まで昇温した。昇温開始後、約2時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱攪拌した(内温は100〜110℃)。2時間加熱攪拌して得られた樹脂溶液を氷浴にて冷却した後、陰イオン交換樹脂及び陽イオン交換樹脂を、それぞれ樹脂溶液に対して2質量%加えて12時間攪拌した。攪拌後、陰イオン交換樹脂及び陽イオン交換樹脂をろ過して除去し、ポリシロキサン溶液(PS−2)を得た。得られたポリシロキサンのMwは4,200であり、酸当量は840g/mol、pKaは23.0であった。
三口フラスコにMeTMSを13.62g(20mol%)、PhTMSを49.57g(50mol%)、AcrTMSを23.43g(20mol%)、PGMEAを89.84g仕込んだ。フラスコ内に空気を0.05L/minで流し、混合溶液を攪拌しながらオイルバスで40℃に加熱した。混合溶液をさらに攪拌しながら、水27.93gにリン酸0.499gを溶かしたリン酸水溶液を10分かけて添加した。添加終了後、40℃で30分間攪拌して、シラン化合物を加水分解させた。加水分解終了後、PGMEA9.98gにTMSSucA13.12g(10mol%)を溶かした溶液を添加した。その後、バス温を70℃にして1時間攪拌した後、続いてバス温を115℃まで昇温した。昇温開始後、約1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱攪拌した(内温は100〜110℃)。2時間加熱攪拌して得られた樹脂溶液を氷浴にて冷却した後、陰イオン交換樹脂及び陽イオン交換樹脂を、それぞれ樹脂溶液に対して2質量%加えて12時間攪拌した。攪拌後、陰イオン交換樹脂及び陽イオン交換樹脂をろ過して除去し、ポリシロキサン溶液(PS−3)を得た。得られたポリシロキサンのMwは5,200、酸当量は800g/molであり、二重結合当量は800g/mol、pKaは21.0であった。
三口フラスコにMeTMSを13.62g(20mol%)、PhTMSを49.57g(50mol%)、TMOSを7.61g(10mol%)、AcrTMSを23.43g(20mol%)、PGMEAを91.57g仕込んだ。フラスコ内に空気を0.05L/minで流し、混合溶液を攪拌しながらオイルバスで40℃に加熱した。混合溶液をさらに攪拌しながら、水27.93gにリン酸0.283gを溶かしたリン酸水溶液を10分かけて添加した。添加終了後、40℃で30分間攪拌して、シラン化合物を加水分解させた。加水分解終了後、バス温を70℃にして1時間攪拌した後、続いてバス温を115℃まで昇温した。昇温開始後、約1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱攪拌した(内温は100〜110℃)。2時間加熱攪拌して得られた樹脂溶液を氷浴にて冷却した後、陰イオン交換樹脂及び陽イオン交換樹脂を、それぞれ樹脂溶液に対して2質量%加えて12時間攪拌した。攪拌後、陰イオン交換樹脂及び陽イオン交換樹脂をろ過して除去し、ポリシロキサン溶液(PS−4)を得た。得られたポリシロキサンのMwは5,400、酸当量は970g/molであり、二重結合当量は730g/mol、pKaは23.0であった。
三口フラスコに、BGPFを46.25g(0.10mol)、MBAを54.53g秤量して溶解させた。ここに、MBA10.00gにMAAを17.22g(0.20mol)、ジベンジルアミンを0.135g(0.0010mol)、4−メトキシフェノールを0.037g(0.0003mol)溶かした溶液を添加し、90℃で4時間攪拌した。その後、MBA30.00gにODPAを27.92g(0.090mol)、末端封止剤として、PHAを2.96g(0.020mol)溶かした溶液を添加し、20℃で1時間攪拌した。その後、窒素雰囲気下、150℃で5時間攪拌して、多環側鎖含有芳香族樹脂溶液(CA−1)を得た。得られた多環側鎖含有芳香族樹脂のMwは4,700、酸当量は470g/molであり、二重結合当量は470g/mol、pKaは11.0であった。
三口フラスコに、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)を0.821g(1mol%)、PGMEAを29.29g仕込んだ。次に、MAAを21.52g(50mol%)、TCDMを22.03g(20mol%)、STRを15.62g(30mol%)仕込み、室温でしばらく攪拌して、フラスコ内をバブリングによって十分に窒素置換した後、70℃で5時間攪拌した。次に、得られた溶液に、PGMEAを59.47gにGMAを14.22g(20mol%)、ジベンジルアミンを0.676g(1mol%)、4−メトキシフェノールを0.186g(0.3mol%)溶かした溶液を添加し、90℃で4時間攪拌して、アクリル樹脂溶液(AC−1)を得た。得られたアクリル樹脂のMwは15,000、カルボン酸当量は490g/molであり、二重結合当量は740g/mol、pKaは12.0であった。
三口フラスコに、MCSを70.29g(0.65mol)、ASLを37.85g(0.35mol)、シュウ酸二水和物を0.62g(0.005mol)、MIBKを198.85g秤量して溶解させた。ここに、HAD(37質量%の水溶液)を243.49g(3.00mol)添加し、95℃で5時間攪拌した。その後、内温を1時間30分かけて180℃に昇温して水を系外へ留去した。その後、さらに内温を195℃に昇温し、150torr(2.0kPa)の減圧下、未反応のモノマーを留去して除去した。混合溶液を室温に冷却して、混合溶液中に溶解している樹脂を析出させ、ノボラック樹脂(NA−1)を得た。得られたノボラック樹脂のMwは5,000、酸当量は310g/mol、pKaは18.5であった。
表1−8に記載のモノマーの種類およびそのモル比にて、合成例21と同様に重合をし、ノボラック樹脂を得た。乾燥窒素気流下、三口フラスコに、得られたノボラック樹脂を19.82g、MBAを46.25g秤量して溶解させた。混合溶液を0℃に冷却し、ここに、MBA1.87gにNA0.80g(樹脂中のフェノール性水酸基に対して0.30mol当量)を溶かした溶液を滴下した。滴下終了後、80℃で1時間攪拌して、ノボラック樹脂溶液(NV−2)を得た。得られたノボラック樹脂のMwは5,500、酸当量は360g/mol、pKaは16.5であった。
三口フラスコに、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)を0.821g(1mol%)、PGMEAを82.31g仕込んだ。次に、4HSTを21.03g(35mol%)、STRを33.85g(65mol%)仕込み、室温でしばらく攪拌して、フラスコ内をバブリングによって十分に窒素置換した後、70℃で5時間攪拌した。その後、反応溶液をメタノール500mL中に投入し、析出した固体沈殿をろ過して得た。得られた固体を水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥し、ポリヒドロキシスチレン(PHS−1)を得た。得られたポリヒドロキシスチレンのMwは15,000、酸当量は320g/mol、pKaは18.5であった。
表1−9に記載のモノマーの種類およびそのモル比にて、合成例22と同様に反応させ、ポリヒドロキシスチレン溶液(PHS−2)を得た。得られたポリヒドロキシスチレンの酸当量は370g/mol、pKaは16.5であった。
三口フラスコに、NC−7300L(エポキシ当量:210g/mol)を42.00g、MBAを43.91g秤量して溶解させた。ここに、MBA10.00gにMAAを17.22g(0.20mol)、ジベンジルアミンを0.270g(0.0020mol)、4−メトキシフェノールを0.074g(0.0006mol)溶かした溶液を添加し、90℃で4時間攪拌した。その後、MBA30.00gにTHPHAを24.34g(0.160mol)溶かした溶液を添加し、20℃で1時間攪拌した。その後、窒素雰囲気下、150℃で5時間攪拌して、カルボン酸変性エポキシ樹脂溶液(AE−1)を得た。得られたカルボン酸変性エポキシ樹脂のMwは5,000、酸当量は510g/molであり、二重結合当量は410g/mol、pKaは12.0であった。
三口フラスコに、NC−2000−L(エポキシ当量:230g/mol)を46.00g、MBAを47.91g秤量して溶解させた。ここに、MBA10.00gにMAAを17.22g(0.20mol)、ジベンジルアミンを0.270g(0.0020mol)、4−メトキシフェノールを0.074g(0.0006mol)溶かした溶液を添加し、90℃で4時間攪拌した。その後、MBA30.00gにTHPHAを24.34g(0.160mol)溶かした溶液を添加し、20℃で1時間攪拌した。その後、窒素雰囲気下、150℃で5時間攪拌して、カルボン酸変性エポキシ樹脂溶液(AE−2)を得た。得られたカルボン酸変性エポキシ樹脂のMwは6,000、酸当量は460g/molであり、二重結合当量は370g/mol、pKaは12.0であった。
合成例1〜26の組成を、まとめて表1−1〜表1−10に示す。
分散剤として、S−20000を34.5g、溶剤として、MBAを782.0g、着色剤として、Bk−S0100CFを103.5g秤量して混合し、高速分散機(ホモディスパー 2.5型;プライミクス(株)製)を用いて20分攪拌し、予備分散液を得た。顔料分散用のセラミックビーズとして、0.30mmφのジルコニア粉砕ボール(YTZ;東ソー(株)製)が75%充填された遠心分離セパレータを具備する、ウルトラアペックスミル(UAM−015;寿工業(株)製)に、得られた予備分散液を供給し、ローター周速7.0m/sで3時間処理して、固形分濃度15質量%、着色剤/分散剤=75/25(質量比)の顔料分散液(Bk−1)を得た。得られた顔料分散液中の顔料の数平均粒子径は100nmであった。
樹脂として、合成例1で得られた、ポリイミド(PI−1)の30質量%のMBA溶液を92.0g、分散剤として、S−20000を27.6g、溶剤として、MBAを717.6g、着色剤として、Bk−S0100CF82.8gを秤量して混合し、高速分散機(ホモディスパー 2.5型;プライミクス(株)製)を用いて20分攪拌し、予備分散液を得た。顔料分散用のセラミックビーズとして、0.30mmφのジルコニア粉砕ボール(YTZ;東ソー(株)製)が75%充填された遠心分離セパレータを具備する、ウルトラアペックスミル(UAM−015;寿工業(株)製)に、得られた予備分散液を供給し、ローター周速7.0m/sで3時間処理して、固形分濃度15質量%、着色剤/樹脂/分散剤=60/20/20(質量比)の顔料分散液(Bk−2)を得た。得られた顔料分散液中の顔料の数平均粒子径は100nmであった。
表2に記載の比率にて、調製例2と同様に顔料分散をして、顔料分散液(Bk−3)〜顔料分散液(Bk−7)を得た。
調製例1〜7の組成および顔料分散液中の顔料の数平均粒子径を、まとめて表2に示す。
(1)樹脂の重量平均分子量
GPC分析装置(HLC−8220;東ソー(株)製)を用い、流動層としてテトラヒドロフラン又はNMPを用いて、「JIS K7252−3(2008)」に基づき、常温付近での方法により、ポリスチレン換算の重量平均分子量を測定して求めた。
電位差自動滴定装置(AT−510;京都電子工業(株)製)を用い、滴定試薬として0.1mol/Lの水酸化ナトリウム/エタノール溶液、滴定溶剤としてキシレン/N,N−ジメチルホルムアミド=1/1(質量比)を用いて、「JIS K2501(2003)」に基づき、電位差滴定法により、酸価(単位はmgKOH/g)を測定して求めた。測定した酸価の値から、酸当量(単位はg/mol)を算出した。
電位差自動滴定装置(AT−510;京都電子工業(株)製)を用い、ヨウ素供給源として一塩化ヨウ素溶液(三塩化ヨウ素=7.9g、ヨウ素=8.9g、酢酸=1,000mLの混合溶液)、未反応ヨウ素の捕捉水溶液として100g/Lのヨウ化カリウム水溶液、滴定試薬として0.1mol/Lのチオ硫酸ナトリウム水溶液を用いて、JIS K0070:1992「化学製品の酸価、けん化価、エステル価、よう素価、水酸基価及び不けん化物の試験方法」の「第6項よう素価」に記載の方法に基づき、ウィイス法により、樹脂のヨウ素価を測定した。測定したヨウ素価(単位はgI/100g)の値から、二重結合当量(単位はg/mol)を算出した。
29Si−NMRの測定を行い、オルガノシランに由来するSi全体の積分値に対する、特定のオルガノシラン単位に由来するSiの積分値の割合を算出して、それらの含有比率を計算した。試料(液体)は、直径10mm の“テフロン”(登録商標)製NMRサンプル管に注入して測定に用いた。29Si−NMR測定条件を以下に示す。
装置:核磁気共鳴装置(JNM−GX270;日本電子(株)製)
測定法:ゲーテッドデカップリング法
測定核周波数:53.6693MHz(29Si核)
スペクトル幅:20000Hz
パルス幅:12μs(45°パルス)
パルス繰り返し時間:30.0秒
溶媒:アセトン−d6
基準物質:テトラメチルシラン
測定温度:23℃
試料回転数:0.0Hz。
ゼータ電位・粒子径・分子量測定装置(ゼータサイザーナノZS;シスメックス(株)製)を用い、希釈溶媒としてPGMEAを用いて、顔料分散液を1.0×10−5〜40体積%の濃度に希釈し、希釈溶媒の屈折率をPGMEAに、測定対象の屈折率を1.8に設定して、波長633nmのレーザー光を照射して顔料分散液中の顔料の数平均粒子径を測定した。
電位差自動滴定装置(AT−710M;京都電子工業(株)製)を用い、滴定試薬として0.1mol/Lの水酸化ナトリウム/エタノール溶液、滴定溶剤としてジメチルスルホキシドを用いて、「JIS K2501(2003)」に基づき、電位差滴定法により、酸解離定数を測定して求めた。
ガラス上に、APC(銀/パラジウム/銅=98.07/0.87/1.06(重量比))を10nmスパッタにより成膜し、さらに、APC層の上層に、ITOをスパッタにより100nm成膜したガラス基板(ジオマテック(株)製;以下、「ITO/Ag基板」)は、卓上型光表面処理装置(PL16−110;セン特殊光源(株)製)を用いて、100秒間UV−O3洗浄処理をして使用した。
表面粗さ・輪郭形状測定機(SURFCOM1400D;(株)東京精密製)を用いて、測定倍率を10,000倍、測定長さを1.0mm、測定速度を0.30mm/sとして、プリベーク後、現像後及び熱硬化後の膜厚を測定した。
下記、実施例1記載の方法で、両面アライメント片面露光装置(マスクアライナー PEM−6M;ユニオン光学(株)製)を用いて、感度測定用のグレースケールマスク(MDRM MODEL 4000−5−FS;Opto−Line International社製)を介して、超高圧水銀灯のi線(波長365nm)、h線(波長405nm)及びg線(波長436nm)でパターニング露光した後、フォトリソ用小型現像装置(AD−2000;滝沢産業(株)製)を用いて現像し、組成物の現像後膜を作製した。
A+:感度が1〜30mJ/cm2
A:感度が31〜45mJ/cm2
B:感度が46〜60mJ/cm2
C:感度が61〜90mJ/cm2
D:感度が91〜150mJ/cm2
E:感度が151〜500mJ/cm2。
下記、実施例1記載の方法で、両面アライメント片面露光装置(マスクアライナー PEM−6M;ユニオン光学(株)製)を用いて、感度測定用のグレースケールマスク(MDRM MODEL 4000−5−FS;Opto−Line International社製)を介して、超高圧水銀灯のi線(波長365nm)、h線(波長405nm)及びg線(波長436nm)でパターニング露光した後、フォトリソ用小型現像装置(AD−2000;滝沢産業(株)製)を用いて現像した後、高温イナートガスオーブン(INH−9CD−S;光洋サーモシステム(株)製)を用いて、組成物の硬化膜を作製した。
下記、実施例1記載の方法で、両面アライメント片面露光装置(マスクアライナー PEM−6M;ユニオン光学(株)製)を用いて、感度測定用のグレースケールマスク(MDRM MODEL 4000−5−FS;Opto−Line International社製)を介して、超高圧水銀灯のi線(波長365nm)、h線(波長405nm)及びg線(波長436nm)でパターニング露光した後、フォトリソ用小型現像装置(AD−2000;滝沢産業(株)製)を用いて現像した後、高温イナートガスオーブン(INH−9CD−S;光洋サーモシステム(株)製)を用いて、組成物の硬化膜を作製した。
A+:断面のテーパー角が1〜30°
A:断面のテーパー角が31〜45°
B:断面のテーパー角が46〜60°
C:断面のテーパー角が61〜70°
D:断面のテーパー角が71〜80°
E:断面のテーパー角が81〜179°。
下記、実施例1記載の方法で、高温イナートガスオーブン(INH−9CD−S;光洋サーモシステム(株)製)を用いて、組成物の硬化膜を作製した。
OD値=log10(I0/I)。
下記、実施例1記載の方法で、ITO基板上に組成物のプリベーク膜を5μmの膜厚で成膜し、両面アライメント片面露光装置(マスクアライナー PEM−6M;ユニオン光学(株)製)を用いて、感度測定用のグレースケールマスク(MDRM MODEL 4000−5−FS;Opto−Line International社製)を介して、超高圧水銀灯のi線(波長365nm)、h線(波長405nm)及びg線(波長436nm)でパターニング露光し、フォトリソ用小型現像装置(AD−2000;滝沢産業(株)製)を用いて現像した後、高温イナートガスオーブン(INH−9CD−S;光洋サーモシステム(株)製)を用いて、組成物の硬化膜を作製した。
段差膜厚=(TFT)−(THT25)。
A+:段差膜厚が2.0μm以上
A:段差膜厚が1.5μm以上かつ2.0μm未満
B:段差膜厚が1.0μm以上かつ1.5μm未満
C:段差膜厚が0.5μm以上かつ1.0μm未満
D:段差膜厚が0.1μm以上かつ0.5μm未満
E:段差膜厚が0.1μm未満又は現像後に残膜せず測定不能。
(有機EL表示装置の作製方法)
図5(1)〜(4)に、使用した基板の概略図を示す。まず、38×46mmの無アルカリガラス基板46に、スパッタ法により、ITO透明導電膜10nmを基板全面に形成し、第1電極47としてエッチングした。また、第2電極を取り出すため補助電極48も同時に形成した(図5(1)参照)。得られた基板を“セミコクリーン”(登録商標)56(フルウチ化学(株)製)で10分間超音波洗浄し、超純水で洗浄した。次に、この基板上に、ネガ型感光性樹脂組成物を上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターンニング露光、現像及びリンスした後、熱硬化させた。以上の方法で、幅70μm及び長さ260μmの開口部が、幅方向にピッチ155μm及び長さ方向にピッチ465μmで配置され、それぞれの開口部が第1電極47を露出せしめる形状の絶縁層49を、基板有効エリアに限定して形成した(図5(2)参照)。なお、この開口部が、最終的に有機EL表示装置の発光画素となる。また、基板有効エリアは、16mm四方であり、絶縁層の厚さは、約1.0μmで形成した。
上記の方法で作製した有機EL表示装置を、10mA/cm2で直流駆動にて発光させ、非発光領域や輝度ムラがないかを観察した。作製した有機EL表示装置を、耐久性試験として、80℃で500時間保持した。耐久性試験後、有機EL表示装置を、10mA/cm2で直流駆動にて発光させ、発光特性に変化がないかを観察した。
上記の方法で、38×46mmの無アルカリガラス基板5枚から、有機EL表示装置を5枚×4=20個作製した。作製した有機EL表示装置を、10mA/cm2で直流駆動にて発光させ、非発光領域や輝度ムラなどの表示不良がないかを観察し、20個の有機EL表示装置のうち、正常に発光する個数から表示不良発生率を算出した。
下記のように判定し、表示不良発生率が35%以下となる、A+、A、B及びCを合格とし、表示不良発生率が25%以下となる、A+、A及びBを歩留まり良好とし、表示不良発生率が15%以下となる、A+及びAを歩留まり優秀とした。
A+:表示不良発生率が0〜5%
A:表示不良発生率が6〜15%
B:表示不良発生率が16〜25%
C:表示不良発生率が26〜35%
D:表示不良発生率が36〜65%
E:表示不良発生率が66〜100%。
黄色灯下、NCI−831を0.372g秤量し、MBAを18.069g添加し、攪拌して溶解させた。次に、合成例1で得られたポリイミド(PI−1)の30質量%のMBA溶液を8.257g、DPHAの50質量%のMBA溶液を3.303g添加して攪拌し、均一溶液として調合液を得た。その後、得られた溶液を0.45μmφのフィルターでろ過し、組成物1を調製した。
黄色灯下、NCI−831を0.263g秤量し、MBAを12.776g添加し、攪拌して溶解させた。次に、合成例1で得られたポリイミド(PI−1)の30質量%のMBA溶液を5.838g、DPHAの50質量%のMBA溶液を2.335g添加して攪拌し、均一溶液として調合液を得た。次に、調製例1で得られた顔料分散液(Bk−1)を7.323g秤量し、ここに、上記で得られた調合液を17.677g添加して攪拌し、均一溶液とした。その後、得られた溶液を0.45μmφのフィルターでろ過し、組成物2を調製した。
実施例1又は2と同様に、組成物3〜70を表3−1、表4−1、表5−1、表6−1、表7−1、表8−1、表9−1、表10−1、表11−1、表12−1、表13−1および表14−1に記載の組成にて調製した。得られた各組成物を用いて、実施例1又は2と同様に、基板上に組成物を成膜し、感光特性及び硬化膜の特性の評価を行った。それらの評価結果を、まとめて表3−2、表4−2、表5−2、表6−2、表7−2、表8−2、表9−2、表10−2、表11−2、表12−2、表13−2および表14−2に示す。なお、理解を容易にするため表8−1,表11−1および表8−2,表11−2に、実施例8の組成および評価結果を改めて記載した。
(偏光層を有しない有機EL表示装置の製造方法)
作製した有機EL表示装置の概略を図6に示す。まず、38×46mmの無アルカリガラス基板52上に、電子ビーム蒸着法により、クロムと金の積層膜を成膜し、エッチングによりソース電極53とドレイン電極54を形成した。次に、APC(銀/パラジウム/銅=98.07/0.87/1.06(重量比))をスパッタにより100nm成膜し、エッチングによりパターン加工してAPC層を形成し、さらに、APC層の上層にITOをスパッタにより10nm成膜し、エッチングにより、第1電極として反射電極55を形成した。電極表面を酸素プラズマで洗浄した後、スパッタ法により、アモルファスIGZOを成膜し、エッチングによりソース・ドレイン電極間に酸化物半導体層56を形成した。次に、スピンコート法により、ポジ型感光性ポリシロキサン系材料(SP−P2301;東レ(株)製)を成膜し、フォトリソグラフィーにより、ビアホール57と画素領域58を開口した後、熱硬化させてゲート絶縁層59を形成した。その後、電子ビーム蒸着法により、金を成膜し、エッチングによりゲート電極60を形成することで、酸化物TFTアレイとした。
上記の方法で作製した有機EL表示装置を、10mA/cm2で直流駆動にて発光させ、外光を画素分割層部に照射した場合の輝度(Y’)、外光を照射しない場合の輝度(Y0)を測定した。外光反射低減の指標として、コントラストを下記式により算出した。
コントラスト=Y0/Y’。
A+:コントラストが0.95〜1.00
A:コントラストが0.90〜0.94
B:コントラストが0.80〜0.89
C:コントラストが0.70〜0.79
D:コントラストが0.50〜0.69
E:コントラストが0.01〜0.49。
2 TFT
3 TFT平坦化用の硬化膜
4 反射電極
5a プリベーク膜
5b 段差形状を有する硬化パターン
6 ハーフトーンフォトマスク
7 活性化学線
8 EL発光層
9 透明電極
10 平坦化用の硬化膜
11 カバーガラス
12 ガラス基板
13 BLU
14 BLUを有するガラス基板
15 ガラス基板
16 TFT
17 TFT平坦化用の硬化膜
18 透明電極
19 平坦化膜
20 配向膜
21a プリベーク膜
21b 硬化パターン
21c 段差形状を有する硬化パターン
22 ハーフトーンフォトマスク
23 活性化学線
24 段差形状を有するBCSを有するガラス基板
25 BLU及び段差形状を有するBCSを有するガラス基板
26 ガラス基板
27 CF
28 平坦化用の硬化膜
29 配向膜
30 CF基板
31 BLU、CF及び段差形状を有するBCSを有するガラス基板
32 液晶層
33 ガラス基板
34 PIフィルム基板
35 酸化物TFT
36 TFT平坦化用の硬化膜
37 反射電極
38a プリベーク膜
38b 段差形状を有する硬化パターン
39 ハーフトーンフォトマスク
40 活性化学線
41 EL発光層
42 透明電極
43 平坦化用の硬化膜
44 ガラス基板
45 PETフィルム基板
46 無アルカリガラス基板
47 第1電極
48 補助電極
49 絶縁層
50 有機EL層
51 第2電極
52 無アルカリガラス基板
53 ソース電極
54 ドレイン電極
55 反射電極
56 酸化物半導体層
57 ビアホール
58 画素領域
59 ゲート絶縁層
60 ゲート電極
61 段差形状を有するTFT保護層/画素分割層
62 有機EL発光層
63 透明電極
64 封止膜
65 無アルカリガラス基板
66 厚膜部
67a,67b,67c 薄膜部
68a,68b,68c,68d,68e 硬化パターンの断面の傾斜辺
69 下地の基板の水平辺
Claims (21)
- (A)アルカリ可溶性樹脂として、少なくとも(A1)弱酸性基含有樹脂及び(A2)不飽和基含有樹脂を含む、ネガ型感光性樹脂組成物であって、
前記(A1)弱酸性基含有樹脂が、ジメチルスルホキシド中での酸解離定数が13.0〜23.0の範囲内である酸性基を有し、
前記(A2)不飽和基含有樹脂が、エチレン性不飽和二重結合基を有する、ネガ型感光性樹脂組成物。 - 前記(A1)弱酸性基含有樹脂が、フェノール性水酸基、シラノール基、ヒドロキシイミド基及びヒドロキシアミド基から選ばれる一種類以上の酸性基を有する、請求項1に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- さらに、(B)ラジカル重合性化合物および(C)感光剤を含有する、請求項1又は2に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- 前記(A1)弱酸性基含有樹脂が、エチレン性不飽和二重結合基を有さず、
前記(A)アルカリ可溶性樹脂に占める、前記(A1)弱酸性基含有樹脂の含有比率が、30〜99質量%の範囲内である、請求項1〜3のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物。 - 前記(A)アルカリ可溶性樹脂に占める、前記(A1)弱酸性基含有樹脂の含有比率が、70〜97質量%の範囲内である、請求項4に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- 前記(A1)弱酸性基含有樹脂の酸当量が、200〜1,200g/molの範囲内である、請求項1〜5のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- 前記(A2)不飽和基含有樹脂の二重結合当量が、250〜5,000g/molの範囲内である、請求項1〜6のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- さらに、(D)着色剤を含有する、請求項1〜7のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- 前記(A1)弱酸性基含有樹脂が、(A1a−1)ポリイミド、(A1a−2)ポリイミド前駆体、(A1a−3)カルボン酸変性ポリシロキサン、(A1a−4)カルボン酸変性ノボラック樹脂、(A1a−5)カルボン酸変性ポリヒドロキシスチレン、(A1b−1)ポリベンゾオキサゾール、(A1b−2)ポリベンゾオキサゾール前駆体、(A1b−3)ポリシロキサン、(A1b−4)ノボラック樹脂及び(A1b−5)ポリヒドロキシスチレンから選ばれる一種類以上を含む、請求項1〜8のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- 前記(A2)不飽和基含有樹脂が、(A2a−1)不飽和基含有ポリイミド、(A2a−2)不飽和基含有ポリイミド前駆体、(A2a−3)カルボン酸変性不飽和基含有ポリシロキサン、(A2b−1)不飽和基含有ポリベンゾオキサゾール、(A2b−2)不飽和基含有ポリベンゾオキサゾール前駆体、(A2b−3)不飽和基含有ポリシロキサン、(A2c−1)多環側鎖含有芳香族樹脂、(A2c−2)アクリル樹脂及び(A2c−3)カルボン酸変性エポキシ樹脂から選ばれる一種類以上を含む、請求項1〜9のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物を硬化した硬化膜。
- 膜厚1μm当たりの光学濃度が、0.3〜5.0の範囲内である、請求項11に記載の硬化膜。
- 請求項11又は12に記載の硬化膜を具備する表示装置。
- 前記硬化膜が、段差形状を有する硬化パターンである、請求項13に記載の表示装置。
- 前記段差形状を有する硬化パターンの断面における傾斜辺のテーパー角が、1〜60°の範囲内である、請求項14に記載の表示装置。
- 前記硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を(TFT)μm、及び、薄膜部の膜厚を(THT)μmとするとき、
前記(TFT)と(THT)と、の膜厚差(ΔTFT−HT)μmが、0.5〜10.0μmの範囲内である、請求項14又は15に記載の表示装置。 - 前記(TFT)及び(THT)が、一般式(α)〜(γ)で表される関係をさらに満たす、請求項16に記載の表示装置。
2.0≦(TFT)≦10 (α)
0.10≦(THT)≦7.5 (β)
0.10×(TFT)≦(THT)≦0.75×(TFT) (γ) - 前記(TFT)及び(THT)が、一般式(δ)〜(ζ)で表される関係をさらに満たす、請求項16に記載の表示装置。
3.0≦(TFT)≦9.0 (δ)
0.20≦(THT)≦7.0 (ε)
0.20×(TFT)≦(THT)≦0.70×(TFT) (ζ) - 曲面の表示部を有し、前記曲面の曲率半径が0.1〜10mmの範囲内である、請求項15〜18のいずれかに記載の表示装置。
- 有機ELディスプレイ又は液晶ディスプレイである、請求項13〜19のいずれかに記載の表示装置。
- (1)基板上に、請求項1〜10のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物の塗膜を成膜する工程、
(2)前記樹脂組成物にフォトマスクを介して活性化学線を照射する工程、
(3)アルカリ溶液を用いて現像し、前記樹脂組成物の段差形状を有するパターンを形成する工程、及び、
(4)前記パターンを加熱して、前記樹脂組成物の段差形状を有する硬化パターンを得る工程、を有する表示装置の製造方法であって、
前記フォトマスクが、透光部及び遮光部を含むパターンを有するフォトマスクであって、前記透光部と遮光部の間に、透過率が透光部の値より低く、かつ透過率が遮光部の値より高い、半透光部を有するフォトマスクである、表示装置の製造方法。
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