JPWO2017043619A1 - 希土類オキシ硫化物の製造方法、希土類オキシ硫化物、及び蓄冷材 - Google Patents
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Abstract
Description
硫酸イオンの供給源とは、濃硫酸、希土類硫酸塩、及び硫酸アンモニウム等を例示できる。また、該供給源と溶媒とが一体となった希硫酸、あるいは各種硫酸塩溶液を使用してもよい。溶媒としては水が好ましい。
(2−A)混合物Aを、98℃以上で2時間以上加熱処理して、沈殿物を得る工程。
(2−B)該沈殿物を、大気雰囲気中、600℃以上900℃以下で2時間以上焼成処理して、R2O2SO4を得る工程。
(3)工程(2−A)で得られた沈殿物、又は(2−B)で得られたR2O2SO4を、還元雰囲気中、600℃以上1000℃以下で還元処理して、R2O2Sを得る工程。
希土類元素1モル当たりの硫酸イオンの量が0.6モル未満の場合は、不純物の少ない希土類オキシ硫化物が得られないことがある。一方、希土類元素1モル当たりの硫酸イオンの量が0.7モルを超える場合は、不純物の少ない希土類オキシ硫化物は得られるが、希土類オキシ硫化物の収率が低下するおそれがある。更には、還元時に生じる排ガス中の硫化水素ガスや無水硫酸ガスの濃度が高くなり、排ガス処理にかかるコストが上昇するという問題が生じるおそれもある。
なお、上記収率低下の原因は明確ではないが、次の工程(2−A)の加熱処理時に、過剰に存在する硫酸イオンが影響し、副生成物が生成されやすくなるためと考えられる。なお、該副生成物は水溶性と考えられる。
以後、希硫酸及び硫酸塩溶液を総称して硫酸イオン含有溶液と称する場合がある。硫酸イオン含有溶液中の硫酸イオン濃度は特に限定されないが、反応速度の点で、0.1〜5mol/Lが好ましく、0.3〜3mol/Lがより好ましく、0.5〜2mol/Lがさらに好ましい。
工程(2−A)において、加熱処理温度が98℃未満では反応が十分に進行せず、最終的に高純度な製品が得られない。加熱処理温度の上限は、混合物Aの溶液の溶質濃度にもよるが、110℃以下程度が好ましい。あるいは、加熱処理温度を、1気圧下で混合物Aの溶液が沸騰する温度としてもよい。なお、加熱処理時に加圧してもよいが、加熱処理温度は110℃を超えないことが好ましい。
加熱処理時間については、反応が完全に行われる、つまり平衡状態に達するのに十分な時間であればよく、2時間以上とするのが妥当である。また、実用的な点で10時間以下が好ましい。
ここで、混合物Aは、硫酸イオン含有溶液中に希土類化合物が溶解、分散、沈殿、又はこれらの状態が混在している場合を含む。従って、「混合物Aの溶液」とは、混合物Aの内、溶液部分のことを意味するものとする。
沈殿物又はその乾燥物を、直ちに工程(3)で還元処理してもよいが、その前に工程(2−B)で大気中焼成処理してもよい。
工程(2−B)において、焼成温度が600℃未満の場合、R2O2SO4の生成反応が十分に進行しないおそれがある。一方、900℃を超える場合は生成物が分解するおそれがある。焼成処理時間については、反応が完全に行われる、つまり平衡状態に達するのに十分な時間であればよく、2時間以上とするのが妥当である。また、実用的な点で5時間以下が好ましい。上記所定範囲の温度及び時間で焼成処理することで、効率よくR2O2SO4を得ることができる。
なお、R2O2SO4の生成確認はX線回折測定により行うことができる。X線回折装置としては、例えば、株式会社リガク製「Ultima IV」を挙げることができ、測定条件としては、CuKα線によるX線回折(管電圧40kV、管電流40mA)を例示できる。
また、還元剤としての水素以外に、水素と共に不活性ガスとしてNe、Ar等の希ガス、窒素、又はこれらの混合ガスを含んでもよい。
この場合の触媒としては、Ni系、Ru系、及びPt系等の公知の触媒を使用すればよい。
また、還元剤としてカーボン粉末を使用することもでき、この場合は、工程(2−A)で得られる沈殿物又は工程(2−B)で得られるR2O2SO4とカーボン粉末とを混合し、不活性ガスをフローしながら、600℃以上1000℃以下で還元処理する。
管状炉での還元反応は、炉内(内管の中)に工程(2−A)で得られる沈殿物又は工程(2−B)で得られるR2O2SO4を入れ、水素ガス等の還元剤を充填して、上記温度で還元反応を行う。還元剤として水素ガスを用いない場合は、上記触媒も該被還元化合物に接触しないようにして炉内に入れる。
具体的には、X線回折の2θの値が10〜40°の範囲で希土類オキシ硫化物以外のピークが確認されないことをいう。例えば、希土類酸化物が含まれる場合には、2θ=27〜30°付近に希土類酸化物由来のピークが確認される。
本発明の希土類オキシ硫化物を粉体として得た場合、アトマイズ法や造粒法などにより粒状化し、さらに不活性ガス雰囲気、1000℃以上で焼結させて緻密で高強度の粒状体とすることが、蓄冷材として使用する上で好ましい。略球状体であることがより好ましい。当該粒状体(略球状体)を蓄冷器に充填し、該蓄冷器を冷凍機に搭載することによって蓄冷材として使用する。
酸化ガドリニウム粉末50.0g(0.138mol)を秤量してセパラブルフラスコに入れ、硫酸イオン含有溶液として1mol/Lの希硫酸を193ml(0.193mol;ガドリニウム元素1モル当たり硫酸イオン0.7モル)加え、混合して混合物Aを得た[工程(1)]。混合物Aの入ったセパラブルフラスコに撹拌機とジムロート冷却管をセットして還流装置を組み、撹拌しながら、100℃で2時間加熱処理し、沈殿物を得た[工程(2−A)]。その後、該沈殿物をヌッチェ法によりろ過して水で洗浄し、100℃で24時間乾燥した。得られた乾燥物を、管状炉にて、水素100%の雰囲気下、650℃で4時間還元処理して、粉末状の希土類オキシ硫化物Gd2O2Sを得た[工程(3)]。製造条件を表1に示す。なお、本実施例及び比較例においては、最終生成物は全て粉末状として得られた。
得られたGd2O2Sについて、上記X線回折装置にてX線回折測定を行い、Gd2O2S以外のピークの有無を判断基準として、純度を以下の様に判定した。その結果、希土類オキシ硫化物のGd2O2S以外のピークが確認されず、〇(高純度)と判定された。判定結果を表1に示す。また、X線回折パターンを図1に示す。
〇(high purity);2θの値が10〜40°の範囲において希土類オキシ硫化物以外のピークが確認されない。
×(not high purity);2θの値が10〜40°の範囲において希土類オキシ硫化物以外のピークが確認される。
実施例1と同様に工程(2−A)まで行い、得られた沈殿物をヌッチェ法によりろ過して水で洗浄し、100℃で24時間乾燥した。得られた乾燥物を、大気中750℃で2時間焼成処理して、Gd2O2SO4を得た[工程(2−B)]。得られたGd2O2SO4を、管状炉にて、水素100%の雰囲気下、650℃で4時間還元処理してGd2O2Sを得た[工程(3)]。得られたGd2O2Sについて、実施例1と同様に純度を判定した。製造条件及び判定結果を表1に示す。
硫酸イオン含有溶液である希硫酸の添加量を表1に示すように変更した以外は実施例2と同様にしてGd2O2Sをそれぞれ得た。得られたGd2O2Sについて、実施例1と同様に純度を判定した。製造条件及び判定結果を表1に示す。
ヌッチェ法によるろ過の後に水洗浄を行わなかったこと以外は実施例2と同様にしてGd2O2Sを得た。得られたGd2O2Sについて、実施例1と同様に純度を判定した。製造条件及び判定結果を表1に示す。
工程(3)の還元処理温度を900℃に変更した以外は実施例2と同様にしてGd2O2Sを得た。得られたGd2O2Sについて、実施例1と同様に純度を判定した。製造条件及び判定結果を表1に示す。
工程(3)の還元雰囲気を水素30%−窒素70%に変更した以外は実施例2と同様にしてGd2O2Sを調製した。得られたGd2O2Sについて、実施例1と同様に純度を判定した。製造条件及び判定結果を表1に示す。
工程(2−A)の加熱処理時間を5時間に変更した以外は実施例2と同様にしてGd2O2Sを得た。得られたGd2O2Sについて、実施例1と同様に純度を判定した。製造条件及び判定結果を表1に示す。
硫酸イオン含有溶液である希硫酸の添加量を表1に示すように変更した以外は実施例1と同様にしてGd2O2Sを得た。得られたGd2O2Sについて、実施例1と同様に純度を判定した。その結果、2θ=28〜29°付近にGd2O3のピークが確認された。製造条件及び判定結果を表1に示す。
硫酸イオン含有溶液である希硫酸の添加量を表1に示すように変更した以外は実施例2と同様にしてGd2O2Sを得た。得られたGd2O2Sについて、実施例1と同様に純度を判定した。その結果、2θ=28〜29°付近にGd2O3のピークが確認された。製造条件及び判定結果を表1に示す。
工程(2−B)までは比較例2と同様に行い、続く工程(3)において、得られたGd2O2SO4を、管状炉にて、水素30%−窒素70%の雰囲気下、650℃で3時間保持した後、800℃まで昇温し1時間保持して還元処理し、Gd2O2Sを得た。得られたGd2O2Sについて、実施例1と同様に純度を判定した。その結果、2θ=28〜29°付近にGd2O3のピークが確認された。製造条件及び判定結果を表1に示す。また、X線回折パターンを図2に示す。
工程(2−A)の加熱処理時間を1時間に変更した以外は実施例2と同様にしてGd2O2Sを得た。得られたGd2O2Sについて、実施例1と同様に純度を判定した。その結果、2θ=20〜21°付近に、Gd2O2S以外のピークが確認された。当該ピークの由来については同定できなかった。製造条件及び判定結果を表1に示す。また、X線回折パターンを図3に示す。
工程(3)の還元処理温度を500℃に変更した以外は実施例2と同様にして還元処理を行った。還元処理後の化合物についてX線回折測定を行ったところ、Gd2O2SO4のピークパターンを示し、還元処理反応が進行せず、Gd2O2Sは得られなかった。製造条件を表1に示す。また、X線回折パターンを図4に示す。
特許文献2に従い、酸化ガドリニウム粉末50.0g(0.138mol)を秤量してビーカーに入れ、1Lの水に懸濁させた。これに1mol/Lの希硫酸を138ml(ガドリニウム元素1モル当たり硫酸イオン0.5モル)加え、撹拌しながら100℃に到達するまで加熱し、その後80℃に保持して2時間加熱処理した。得られた沈殿生成物をヌッチェ法によりろ過し、100℃で24時間乾燥した。得られた乾燥物を、大気中、750℃で2時間焼成処理した。この焼成物を、管状炉にて、水素100%の雰囲気下、650℃で4時間還元処理してGd2O2Sを得た。得られたGd2O2Sについて、実施例1と同様に純度を判定した。その結果、2θ=28〜29°付近にGd2O3のピークが確認された。製造条件及び判定結果を表1に示す。
特許文献1に従い、酸化ガドリニウム粉末10gを石英ボートに充填し、石英反応管に硫化水素ガスを0.2L/minの流量で流しながら、650℃で4時間反応させ、Gd2O2Sを得た。得られたGd2O2Sについて、実施例1と同様に純度を判定した。その結果、Gd2O3のピークは確認されなかった。製造条件及び判定結果を表1に示す。
なお、本製造方法は、製造段階で多量の硫化水素を用いるため安全性の確保が非常に困難であった。
実施例2で得られたGd2O2S粉末を圧力1t/cm2で直径20mmの円盤状に成形し、それを大気圧下、Ar雰囲気にて1250℃、5時間の焼結を行って、ペレットを得た。得られたペレットの熱容量測定を行った結果、磁気転位温度は5.4K、熱容量は、5.4Kにおいて、1.1J/cc・Kであった。なお、円盤状ペレットとした理由は熱容量測定に好適だからである。
熱容量測定は、物理特性測定装置PPMS(日本カンタム・デザイン株式会社製)を使用して、2〜4Kを0.5K、4〜6Kを0.2K、及び6〜25Kを0.5Kの各間隔で、2〜25Kの範囲を測定した。
比較例2で得られたGd2O2S粉末を使用した以外は実施例9と同様にして熱容量測定を行った。その結果、磁気転位温度は5.4K、熱容量は0.89J/cc・Kであった。
Claims (6)
- 希土類元素Rを含む希土類酸化物と、硫酸イオンの供給源と、溶媒とを、前記希土類元素R1モル当たりの硫酸イオンの量が0.6モル以上0.7モル以下となる混合比(モル比)で混合して、混合物Aを得る工程(1)と、
前記混合物Aを、98℃以上で2時間以上加熱処理して、沈殿物を得る工程(2−A)と、
前記沈殿物を、還元雰囲気中、600℃以上1000℃以下で還元処理して、R2O2Sを得る工程(3)と、を含む、
希土類オキシ硫化物の製造方法。 - 前記工程(2−A)の後、前記工程(3)の前に、前記沈殿物を、大気雰囲気中、600℃以上900℃以下で2時間以上焼成処理して、R2O2SO4を得る工程(2−B)を含み、前記工程(3)の前記還元処理は、前記沈殿物の代わりに前記R2O2SO4に対して行われる、
請求項1に記載の希土類オキシ硫化物の製造方法。 - 前記希土類元素Rが、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、及びLuからなる群から選択される少なくとも一種の元素である、
請求項1又は2に記載の希土類オキシ硫化物の製造方法。 - 前記沈殿物を、前記工程(2−A)の後、次の工程の前に乾燥させる工程を含む、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の希土類オキシ硫化物の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法により得られた希土類オキシ硫化物。
- 請求項5に記載の希土類オキシ硫化物を含む蓄冷材。
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