JPWO2016125807A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器 - Google Patents

Abstract

陽極と、発光層と、陰極と、を含み、前記発光層は、第一の化合物および第二の化合物を含み、前記第一の化合物は、遅延蛍光性の化合物であり、前記第二の化合物は、蛍光発光性の化合物であり、前記第一の化合物の発光量子収率は、７０％以下であり、前記第一の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ１と、前記第二の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ２とが、０≦Ｉｐ２−Ｉｐ１≦０．８ｅＶの関係を満たす、有機エレクトロルミネッセンス素子。

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という場合がある。）に電圧を印加すると、陽極から正孔が、また陰極から電子が、それぞれ発光層に注入される。そして、発光層において、注入された正孔と電子とが再結合し、励起子が形成される。このとき、電子スピンの統計則により、一重項励起子が２５％の割合で生成し、及び三重項励起子が７５％の割合で生成する。
一重項励起子からの発光を用いる蛍光型の有機ＥＬ素子は、携帯電話やテレビ等のフルカラーディスプレイへ応用されている。蛍光型の有機ＥＬ素子について、素子性能をさらに向上させるための検討が行われている。例えば、発光効率をさらに向上させるため、一重項励起子および三重項励起子を利用する有機ＥＬ素子が検討されている。

遅延蛍光を利用した有機ＥＬ素子が提案され、研究がなされている。例えば、ＴＡＤＦ（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ、熱活性化遅延蛍光）機構が研究されている。このＴＡＤＦ機構は、一重項準位と三重項準位とのエネルギー差（ΔＳＴ）の小さな材料を用いた場合に、三重項励起子から一重項励起子への逆項間交差が熱的に生じる現象を利用する機構である。熱活性化遅延蛍光については、例えば、『安達千波矢編、「有機半導体のデバイス物性」、講談社、２０１２年３月２２日、２６１−２６２ページ』に記載されている。
ＴＡＤＦ機構を利用した有機ＥＬ素子は、例えば、非特許文献１や非特許文献２にも開示されている。

Hajime Nakanotani、他９名、「High-Efficiency organic light-emitting diodes with fluorescent emitters」、NATURE COMMUNICATIONS、２０１４年５月３０日、５、４０１６（DOI:10.1038/ncomms5016） Dongdong Zhang、他６名、「High-Efficiency Fluorescent Organic Light-Emitting Devices Using Sensitizing Hosts with a Small Singlet-Triplet Exchange Energy」、ADVANCED MATERIALS、２０１４（DOI:10.1002/adma.201401476）

本発明の目的は、長寿命化させること、発光効率を向上させること、および高い電流密度で駆動させたときのロールオフを抑制させることのできる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器を提供することである。

本発明の一態様によれば、陽極と、発光層と、陰極と、を含み、前記発光層は、第一の化合物および第二の化合物を含み、前記第一の化合物は、遅延蛍光性の化合物であり、前記第二の化合物は、蛍光発光性の化合物であり、前記第一の化合物の発光量子収率は、７０％以下であり、前記第一の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ１と、前記第二の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ２とが、
０≦Ｉｐ２−Ｉｐ１≦０．８ｅＶ …（数１）の関係を満たす、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

本発明の別の一態様によれば、陽極と、発光層と、陰極と、を含み、前記発光層は、第一の化合物および第二の化合物を含み、前記第一の化合物は、遅延蛍光性の化合物であり、前記第二の化合物は、蛍光発光性の化合物であり、前記第一の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ１と、前記第二の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ２とが、
０≦Ｉｐ２−Ｉｐ１≦０．３ｅＶ …（数３）
の関係を満たす、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器が提供される。

前述の本発明の一態様によれば、長寿命化させること、発光効率を向上させること、および高い電流密度で駆動させたときのロールオフを抑制させることのできる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器を提供することができる。

第一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。 過渡ＰＬを測定する装置の概略図である。 過渡ＰＬの減衰曲線の一例を示す図である。 第一実施形態の発光層に含まれる化合物同士のエネルギー準位およびエネルギー移動の関係を示す図である。 第二実施形態の発光層に含まれる化合物同士のエネルギー準位およびエネルギー移動の関係を示す図である。

〔第一実施形態〕
本発明の第一実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成について説明する。
有機ＥＬ素子は、陽極および陰極の両電極間に有機層を備える。この有機層は、有機化合物で構成される層を一つ以上有する。有機層は、無機化合物をさらに含んでいてもよい。本実施形態の有機ＥＬ素子は、有機層として少なくとも一つの発光層を含む。有機層は、例えば、発光層だけで構成されていてもよいし、有機ＥＬ素子で採用される層、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、および電子障壁層等のいずれかの層を有していてもよい。

図１に、本実施形態における有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。有機ＥＬ素子１は、透光性の基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を含む。有機層１０は、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７、発光層５、電子輸送層８、および電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。

＜発光層＞
有機ＥＬ素子の発光層は、第一の化合物および第二の化合物を含む。発光層は、金属錯体を含んでもよいが、本実施形態では、燐光発光性の金属錯体を含まないことが好ましい。

（第一の化合物）
本実施形態の第一の化合物は、遅延蛍光性の化合物である。
第一の化合物の発光量子収率は、７０％以下である。第一の化合物の発光量子収率は、６５％以下であることが好ましく、６０％以下であることがより好ましい。第一の化合物の発光量子収率は、０％を超えることが好ましく、３０％以上であることがより好ましい。

本実施形態の第一の化合物は、金属錯体ではない。第一の化合物は、下記一般式（１）で表されることが好ましい。

前記一般式（１）において、Ａはアクセプター性部位であり、下記一般式（ａ−１）〜（ａ−７）から選ばれる部分構造を有する基である。Ａが複数存在する場合、複数のＡは互いに同一または異なり、Ａ同士が結合して飽和または不飽和の環を形成してもよく、Ｂはドナー性部位であり、下記一般式（ｂ−１）〜（ｂ−６）から選ばれる部分構造を有する。Ｂが複数存在する場合、複数のＢは互いに同一または異なり、Ｂ同士が結合して飽和または不飽和の環を形成してもよく、ａ，ｂ，およびｄは、それぞれ独立に、１〜５の整数であり、ｃは０〜５の整数であり、ｃが０のとき、ＡとＢとは単結合またはスピロ結合で結合し、ｃが１〜５の整数のとき、Ｌは、置換または無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換または無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される連結基であり、Ｌが複数存在する場合、複数のＬは互いに同一または異なり、Ｌ同士が結合して飽和または不飽和の環を形成してもよい。

前記一般式（ｂ−１）〜（ｂ−６）において、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒが置換基である場合の置換基は、置換または無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換または無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、および置換または無置換の炭素数１〜３０のアルキル基からなる群から選択され、Ｒが複数存在する場合、複数のＲは互いに同一または異なり、Ｒ同士が結合して飽和または不飽和の環を形成してもよい。

前記一般式（１）で表される化合物の結合様式の一例として、例えば下記表１に示す結合様式が挙げられる。

・第一の化合物の製造方法
第一の化合物は、例えば、国際公開第２０１３／１８０２４１号、国際公開第２０１４／０９２０８３号、および国際公開第２０１４／１０４３４６号等に記載された方法に従い、製造することができる。

・遅延蛍光性
遅延蛍光（熱活性化遅延蛍光）については、「有機半導体のデバイス物性」（安達千波矢編、講談社発行）の２６１〜２６８ページで解説されている。その文献の中で、蛍光発光材料の励起一重項状態と励起三重項状態のエネルギー差ΔＥ_１３を小さくすることができれば、通常は遷移確率が低い励起三重項状態から励起一重項状態への逆エネルギー移動が高確率で生じ、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ， ＴＡＤＦ）が発現すると説明されている。さらに、当該文献中の図１０．３８で、遅延蛍光の発生メカニズムが説明されている。本実施形態における第一の化合物は、このようなメカニズムで発生する熱活性化遅延蛍光を示す化合物である。遅延蛍光の発光は過渡ＰＬ（Ｐｈｏｔｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）測定により確認できる。

過渡ＰＬ測定から得た減衰曲線に基づいて遅延蛍光の挙動を解析することもできる。過渡ＰＬ測定とは、試料にパルスレーザーを照射して励起させ、照射を止めた後のＰＬ発光の減衰挙動（過渡特性）を測定する手法である。ＴＡＤＦ材料におけるＰＬ発光は、最初のＰＬ励起で生成する一重項励起子からの発光成分と、三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光成分に分類される。最初のＰＬ励起で生成する一重項励起子の寿命は、ナノ秒オーダーであり、非常に短い。そのため、当該一重項励起子からの発光は、パルスレーザーを照射後、速やかに減衰する。
一方、遅延蛍光は、寿命の長い三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光であるため、ゆるやかに減衰する。このように最初のＰＬ励起で生成する一重項励起子からの発光と、三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光とでは、時間的に大きな差がある。そのため、遅延蛍光由来の発光強度を求めることができる。

図２には、過渡ＰＬを測定するための例示的装置の概略図が示されている。
本実施形態の過渡ＰＬ測定装置１００は、所定波長の光を照射可能なパルスレーザー部１０１と、測定試料を収容する試料室１０２と、測定試料から放射された光を分光する分光器１０３と、２次元像を結像するためのストリークカメラ１０４と、２次元像を取り込んで解析するパーソナルコンピュータ１０５と、を備える。なお、過渡ＰＬの測定は、本実施形態で説明する装置に限定されない。
試料室１０２に収容される試料は、マトリックス材料に対し、ドーピング材料が１２質量％の濃度でドープされた薄膜を石英基板に成膜することで得られる。
試料室１０２に収容された薄膜試料に対し、パルスレーザー部１０１からパルスレーザーを照射して、ドーピング材料を励起させる。励起光の照射方向に対して９０度の方向へ発光を取り出し、取り出した光を分光器１０３で分光し、ストリークカメラ１０４内で２次元像を結像する。その結果、縦軸が時間に対応し、横軸が波長に対応し、輝点が発光強度に対応する２次元画像を得ることができる。この２次元画像を所定の時間軸で切り出すと、縦軸が発光強度であり、横軸が波長である発光スペクトルを得ることができる。また、当該２次元画像を波長軸で切り出すと、縦軸が発光強度の対数であり、横軸が時間である減衰曲線（過渡ＰＬ）を得ることができる。

例えば、マトリックス材料として、下記参考化合物Ｍ１を用い、ドーピング材料として下記参考化合物ＤＰ１を用いて上述のようにして薄膜試料Ａを作製し、過渡ＰＬ測定を行った。

ここでは、前述の薄膜試料Ａ、および薄膜試料Ｂを用いて減衰曲線を解析した。薄膜試料Ｂは、マトリックス材料として下記参考化合物Ｍ２を用い、ドーピング材料として前記参考化合物ＤＰ１を用いて、上述のようにして薄膜試料を作製した。
図３には、薄膜試料Ａおよび薄膜試料Ｂについて測定した過渡ＰＬから得た減衰曲線が示されている。

上記したように過渡ＰＬ測定によって、縦軸を発光強度とし、横軸を時間とする発光減衰曲線を得ることができる。この発光減衰曲線に基づいて、光励起により生成した一重項励起状態から発光する蛍光と、三重項励起状態を経由し、逆エネルギー移動により生成する一重項励起状態から発光する遅延蛍光との、蛍光強度比を見積もることができる。遅延蛍光性の材料では、素早く減衰する蛍光の強度に対し、緩やかに減衰する遅延蛍光の強度の割合が、ある程度大きい。
本実施形態における遅延蛍光発光量は、図２の装置を用いて求めることができる。前記第一の化合物は、当該第一の化合物が吸収する波長のパルス光（パルスレーザーから照射される光）で励起された後、当該励起状態から即座に観察されるＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）と、当該励起後、即座には観察されず、その後観察されるＤｅｌａｙ発光（遅延発光）とが存在する。本実施形態においては、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量がＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量に対して５％以上であることが好ましい。
Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量は、“Ｎａｔｕｒｅ ４９２， ２３４−２３８， ２０１２”に記載された方法と同様の方法により求めることができる。なお、Ｐｒｏｍｐｔ発光およびＤｅｌａｙ発光の量の算出に使用される装置は、前記文献に記載の装置に限定されない。
また、遅延蛍光性の測定に用いられる試料は、例えば、第一の化合物と下記化合物ＴＨ−２とを、第一の化合物の割合が１２質量％となるように石英基板上に共蒸着し、膜厚１００ｎｍの薄膜を形成した試料を使用することができる。

（第二の化合物）
本実施形態の第二の化合物は、蛍光発光性の化合物である。
第二の化合物は、主ピーク波長（発光ピーク波長と称する場合もある。）が５５０ｎｍ以下の蛍光発光を示すことが好ましい。また、第二の化合物は、主ピーク波長が４３０ｎｍ以上の蛍光発光を示すことが好ましい。主ピーク波長とは、第二の化合物が１０^−６モル／リットル以上１０^−５モル／リットル以下の濃度で溶解しているトルエン溶液について、測定した発光スペクトラムにおける発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長をいう。
第二の化合物は、緑色または青色の蛍光発光を示すことが好ましい。また、第二の化合物は、発光量子収率の高い材料であることが好ましい。

本実施形態に係る第二の化合物としては、蛍光発光性材料を用いることができる。具体的には、例えば、ビスアリールアミノナフタレン誘導体、アリール置換ナフタレン誘導体、ビスアリールアミノアントラセン誘導体、アリール基置換アントラセン誘導体、ビスアリールアミノピレン誘導体、アリール基置換ピレン誘導体、ビスアリールアミノクリセン誘導体、アリール置換クリセン誘導体、ビスアリールアミノフルオランテン誘導体、アリール置換フルオランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ピロメテンホウ素錯体化合物、ピロメテン骨格を有する化合物もしくはその金属錯体、ジケトピロロピロール誘導体、ペリレン誘導体が挙げられる。

また、本実施形態に係る第二の化合物としては、下記一般式（１０）で表される化合物を用いてもよい。

前記一般式（１０）において、Ａ_Ｄは、置換もしくは無置換の環形成炭素数１２〜５０の芳香族炭化水素基であり、このＡ_Ｄにおける環形成炭素数１２〜５０の芳香族炭化水素基としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセン、フェナントレン、クリセン、ピレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ペリレン、ピセン、トリフェニレン、フルオレン、ベンゾフルオレン、スチルベン、ナフタセン等から誘導される基を挙げることができ、さらにこれらの芳香族炭化水素基をベンゾ化した基及び環拡張した基も挙げることができる。
前記一般式（１０）において、Ｂ_Ｄは、下記一般式（１１）で表される基である。
前記一般式（１０）において、ｐａは、１以上４以下の整数であり、ｐｂは、０以上４以下の整数である。

前記一般式（１１）において、Ａｒ_１、Ａｒ_２及びＡｒ_３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ｐｃは０以上４以下の整数であり、前記一般式（１１）において、波線部分は、前記Ａ_Ｄで表される芳香族炭化水素基との結合箇所を表す。
前記一般式（１０）および（１１）において、Ａ_Ｄが複数個ある場合には、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｂ_Ｄが複数個ある場合には、互いに同一でも異なっていてもよく、ｐａが複数個ある場合には、互いに同一でも異なっていてもよく、ｐｂが複数個ある場合には、互いに同一でも異なっていてもよく、Ａｒ_１が複数個ある場合には、互いに同一でも異なっていてもよく、Ａｒ_２が複数個ある場合には、互いに同一でも異なっていてもよく、Ａｒ_３が複数個ある場合には、互いに同一でも異なっていてもよく、ｐｃが複数個ある場合には、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記一般式（１０）で表される化合物としては、例えば、次に列挙する一般式の化合物を挙げることができるが、前記第二の化合物は、これらの例に限定されない。以下において、Ａ_Ｄ１〜Ａ_Ｄ４は、それぞれ独立に、前記Ａ_Ｄと同義であり、Ｂ_Ｄ１〜Ｂ_Ｄ４は、それぞれ独立に、前記Ｂ_Ｄと同義である。

前記Ａ_Ｄにおける芳香族炭化水素基としては、環形成炭素数が１２〜２４である芳香族炭化水素基が好ましく、環形成炭素数が１８〜２０である芳香族炭化水素基がより好ましい。前記Ａ_Ｄにおける芳香族炭化水素基としては、例えば、ナフチルフェニル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ベンゾフルオレニル基、スチリルフェニル基、ナフタセニル基、ペリレニル基、及びそれらをさらに環拡張した基等が挙げられ、アントリル基、ピセニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾフルオレニル基、スチリルフェニル基、ナフタセニル基、ペリレニル基及びそれらをさらにベンゾ化した基もしくは環拡張した基が好ましく、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾフルオレニル基、スチリルフェニル基及びそれらをさらにベンゾ化した基もしくは環拡張した基がより好ましく、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、およびベンゾフルオレニル基が特に好ましい。

前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３における芳香族炭化水素基としては、それぞれ独立に、環形成炭素数が６〜２４である芳香族炭化水素基が好ましく、環形成炭素数が６〜１２である芳香族炭化水素基がより好ましい。前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３における芳香族炭化水素基としては、それぞれ独立に、例えば、フェニル基、ナフチルフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ベンゾフルオレニル基、スチリルフェニル基、ナフタセニル基、ペリレニル基、及びそれらをさらにベンゾ化した基もしくは環拡張した基等が挙げられ、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基がより好ましく、フェニル基が特に好ましい。
置換基を有する芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニルナフチル基、ナフチルフェニル基、トリル基、キシリル基、シリルフェニル基、トリメチルシリルフェニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、およびシアノフェニル基等が挙げられ、トリル基、キシリル基、トリメチルシリルフェニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、シアノフェニル基、およびシリルフェニル基等が好ましい。

前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるアルキル基としては、それぞれ独立に、炭素数が１〜１０であるアルキル基が好ましく、炭素数が１〜５であるアルキル基がより好ましい。前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基（異性体を含む）、ヘキシル基（異性体を含む）、ヘプチル基（異性体を含む）、オクチル基（異性体を含む）、ノニル基（異性体を含む）、デシル基（異性体を含む）、ウンデシル基（異性体を含む）、及びドデシル基（異性体を含む）等が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、及びペンチル基（異性体を含む）が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、及びｔ−ブチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基およびｔ−ブチル基が特に好ましい。
前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるアルキル基としては、それぞれ独立に、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基であってもよい。前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるシクロアルキル基としては、それぞれ独立に、環形成炭素数が３〜６のシクロアルキル基が好ましく、環形成炭素数が５又は６のシクロアルキル基がより好ましい。前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、およびアダマンチル基などが挙げられ、シクロペンチル基、およびシクロヘキシル基が好ましい。
前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるアルケニル基としては、それぞれ独立に、炭素数が２〜２０であるアルケニル基が好ましく、炭素数２〜１０であるアルケニル基がより好ましい。前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、１−メチルアリル基、１，１−ジメチルアリル基、２−メチルアリル基、および１，２−ジメチルアリル基等が挙げられる。
置換のアルケニル基としては、例えば、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基、１−フェニルアリル基、２−フェニルアリル基、３−フェニルアリル基、３，３−ジフェニルアリル基、１−フェニル−１−ブテニル基、および３−フェニル−１−ブテニル基等が挙げられる。
前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるアルキニル基としては、それぞれ独立に、炭素数が２〜２０であるアルキニル基が好ましく、炭素数２〜１０であるアルキニル基がより好ましい。前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるアルキニル基としては、例えば、プロパルギル基、および３−ペンチニル基等が挙げられる。

前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３における複素環基としては、それぞれ独立に、環形成原子数が５〜２４である複素環基が好ましく、環形成原子数が５〜１８である複素環基がより好ましい。前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３における複素環基としては、ヘテロ原子（たとえば窒素原子、酸素原子、硫黄原子）を１〜５個含む複素環基を挙げることができる。さらに、前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３における複素環基としては、それぞれ独立に、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリニル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズチアゾリル基、インダゾリル基、ベンズイソキサゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、及びキサンテニル基などが挙げられ、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、およびジベンゾチオフェニル基が好ましく、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、およびジベンゾチオフェニル基がより好ましい。

前記一般式（１０）で表される化合物において、“置換もしくは無置換”というときの任意の置換基は、
炭素数１〜５０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルキル基；
炭素数２〜２０（好ましくは２〜１０）のアルケニル基；
炭素数２〜２０（好ましくは２〜１０）のアルキニル基；
環形成炭素数３〜５０（好ましくは３〜６、より好ましくは５又は６）のシクロアルキル基；
環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１２）の芳香族炭化水素基；
環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１２）の芳香族炭化水素基を有する炭素数１〜５０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアラルキル基；
アミノ基；
炭素数１〜５０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基；
環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１２）の芳香族炭化水素基を有するモノアリールアミノ基又はジアリールアミノ基；
炭素数１〜５０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルキル基を有するアルコキシ基；
環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１２）の芳香族炭化水素基を有するアリールオキシ基；
炭素数１〜５０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルキル基を有するアルキルチオ基；
環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１２）の芳香族炭化水素基を有するアリールチオ基；
炭素数１〜５０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１２）の芳香族炭化水素基から選ばれる基を有するモノ置換シリル基、ジ置換シリル基又はトリ置換シリル基；
環原子数５〜５０（好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１８）でありヘテロ原子（たとえば窒素原子、酸素原子、硫黄原子）を１〜５個（好ましくは１〜３個、より好ましくは１〜２個）含む複素環基；
炭素数１〜５０（好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５）のハロアルキル基；
ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、好ましくはフッ素原子）；
シアノ基；および
ニトロ基からなる群より選ばれるものが好ましい。
上記置換基の中でも、とりわけ、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数５又は６のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、及び環形成原子数５〜２４でありヘテロ原子（窒素原子、酸素原子、硫黄原子）を１〜３個含む複素環基からなる群より選ばれる置換基が好ましい。

“置換もしくは無置換”というときの置換基としての炭素数１〜５０のアルキル基は、前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるアルキル基として説明した基と同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としての炭素数２〜２０のアルケニル基は、前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるアルケニル基として説明した基と同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としての炭素数２〜２０のアルキニル基は、前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるアルキニル基として説明した基と同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としての環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基は、前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３におけるシクロアルキル基として説明した基と同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としての環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基は、前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３における芳香族炭化水素基として説明した基と同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としての環形成炭素数６〜５０のアラルキル基は、環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基と、炭素数１〜５０アラルキル基とを有し、このアルキル基部分の具体例は、上述のアルキル基と同様であり、芳香族炭化水素基部分の具体例は、上述の芳香族炭化水素基と同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としてのモノアルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基において、アルキル基部分の具体例は、上述のアルキル基と同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としてのモノアリールアミノ基又はジアリールアミノ基において、アリール基（芳香族炭化水素基）部分の具体例は、上述の芳香族炭化水素基と同義である。

“置換もしくは無置換”というときの置換基としてのアルコキシ基において、アルキル基部分の具体例は、上述のアルキル基と同義であり、アルコキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としてのアリールオキシ基において、アリール基（芳香族炭化水素基）部分の具体例は、上述の芳香族炭化水素基と同義であり、アリールオキシ基は、例えば、フェノキシ基等が挙げられる。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としてのアルキルチオ基において、アルキル基部分の具体例は、上述のアルキル基と同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としてのアリールチオ基において、アリール基（芳香族炭化水素基）部分の具体例は、上述の芳香族炭化水素基と同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としてのモノ置換シリル基、ジ置換シリル基又はトリ置換シリル基としては、炭素数１〜５０のアルキルシリル基および環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基を挙げることができる。炭素数１〜５０のアルキルシリル基としては、モノアルキルシリル基、ジアルキルシリル基、及びトリアルキルシリル基が挙げられ、たとえば各アルキル基の具体例は、上述のアルキル基と同義である。環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基としては、モノアリールシリル基、ジアリールシリル基、及びトリアリールシリル基が挙げられ、各アリール基の具体例は、後述するアリール基と同様であり、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、t-ブチルジフェニルシリル基、トリトリルシリル基等が挙げられる。

“置換もしくは無置換”というときの置換基としての複素環基は、前記Ａｒ_１、Ａｒ_２およびＡｒ_３における複素環基として説明した基と同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としてのハロアルキル基は、上述のアルキル基をハロゲン化した基を挙げることができ、具体例としては、例えば、トリフルオロメチル基等を挙げることができる。

（第一の化合物と第二の化合物との組合せ）
本実施形態の有機ＥＬ素子によれば、長寿命化させること、発光効率を向上させること、および高い電流密度で駆動させたときのロールオフを抑制させることができる。ロールオフとは、高い電流密度で駆動すると発光効率が低下する現象をいう。

本実施形態の発光層に含まれる第一の化合物は、遅延蛍光性の化合物である。遅延蛍光性の化合物は、分子構造にドナー性（電子供与性）部分およびアクセプター性（電子受容性）部分を有するため、励起時には、遅延蛍光性の化合物の分子内に、電荷が局在化した状態が存在する。このような電荷の局在化した状態は様々な副反応を起こす可能性があるため、励起寿命の長い遅延蛍光性の化合物は、特に励起状態の安定性が低くなる傾向がある。また、遅延蛍光性化合物の発光スペクトルの半値幅は大きくなる。そのため、遅延蛍光性化合物を発光材料として、大型テレビなどの高精細な表示が求められる表示装置（例えば、ディスプレイなど）に適用し難い。

そこで、遅延蛍光性化合物と蛍光発光性化合物とを含む発光層を備えた方式の有機ＥＬ素子が検討されている。このような方式の有機ＥＬ素子では、遅延蛍光性化合物が発光層の増感剤として用いられ、蛍光発光性化合物が発光材料として用いられる。このような方式の有機ＥＬ素子によれば、蛍光発光性化合物を発光させるので、発光スペクトルの半値幅が小さくなることが期待される。また、励起安定性の低い遅延蛍光性化合物からの発光を回避させることができるため、有機ＥＬ素子の長寿命化が期待される。さらには、当該方式の有機ＥＬ素子であれば、発光材料として遅延蛍光性化合物を含む発光層を備えた方式の有機ＥＬ素子と同等の発光効率が得られることも理論上、期待される。

本発明者らは、第一の化合物である遅延蛍光性化合物と、第二の化合物である蛍光発光性化合物とを所定条件下で組み合わせることで、長寿命化、発光効率の向上、および高電流密度領域でのロールオフの抑制という効果が得られることを見出した。

本実施形態において、第一の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ１と、第二の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ２とが、下記数式（数１）の関係を満たすことが好ましく、下記数式（数１Ａ）の関係を満たすことが更に好ましい。
０≦Ｉｐ２−Ｉｐ１≦０．８ｅＶ …（数１）
０＜Ｉｐ２−Ｉｐ１≦０．８ｅＶ …（数１Ａ）
前記数式（数１）の関係を満たすことで、発光層に入った正孔が、蛍光発光性の第二の化合物で補足されて発光する現象（本明細書において、トラップ発光と称する場合がある。）を抑制することができる。トラップ発光が抑制されると、遅延蛍光性の化合物である第一の化合物にて正孔と電子との再結合が促進される。励起状態の第一の化合物から、第二の化合物への速やかなエネルギー移動が起こり、第一の化合物は基底状態に戻り、第二の化合物は励起状態となる。励起状態の第二の化合物は、基底状態に戻る際に、光を放射する。以上のように第一の化合物での正孔と電子との再結合が促進されることにより、第二の化合物からの発光に寄与する励起子が増加し、その結果、発光効率が向上すると考えられる。
さらに、第二の化合物によるトラップ発光が抑制されることで、キャリア（正孔および電子）と、励起子（一重項励起子および三重項励起子）との衝突も抑制される。その結果、高電流密度領域においては、低電流密度領域に比べて、発光層におけるキャリアの数が増加するが、本実施形態の有機ＥＬ素子によれば、キャリアと励起子とが衝突して失活することを抑制することができるので、高電流密度領域におけるロールオフも抑制されると考えられる。
本実施形態において、Ｉｐ１とＩｐ２とが、下記数式（数２）の関係を満たすことが好ましい。下記数式（数２）の関係を満たすことで、トラップ発光を抑制し易くなる。
０≦Ｉｐ２−Ｉｐ１≦０．５ｅＶ …（数２）
なお、Ｉｐ２−Ｉｐ１＞０．８ｅＶである場合、第二の化合物で電子が補足されて、電子と励起子との衝突が促進され、ロールオフが促進される。本実施形態において、Ｉｐ１とＩｐ２とが、下記数式（数２Ａ）の関係を満たすことがより好ましい。
０＜Ｉｐ２−Ｉｐ１≦０．５ｅＶ …（数２Ａ）

本実施形態において、第一の化合物の発光量子収率の大小は、エネルギー移動効率に寄与するため、小さくなり過ぎないことが好ましく、第一の化合物の発光量子収率は３０％以上であることが好ましい。一方、第一の化合物の発光量子収率が７０％を超えると、第二の化合物への励起エネルギーの移動と、第一の化合物からの発光過程とが競合する可能性がある。それゆえ、第一の化合物の発光量子収率が７０％以下であることが好ましい。

本実施形態の有機ＥＬ素子は、発光させたときに５５０ｎｍ以下の波長範囲にピークを示す光を放射することが好ましい。すなわち、有機ＥＬ素子から放射される光の主ピーク波長が５５０ｎｍ以下の範囲に含まれることが好ましい。本実施形態の有機ＥＬ素子を発光させたときに、発光層５において、主に第二の化合物が発光していることが好ましい。本実施形態の有機ＥＬ素子が放射する光の波長範囲としては、４３０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、本実施形態の有機ＥＬ素子は、発光させたときに青色または緑色の蛍光発光を放射することも好ましい。

・ＴＡＤＦ機構
本実施形態の有機ＥＬ素子では、第一の化合物としてΔＳＴ（Ｍ１）が小さい化合物を用いることが好ましく、外部から与えられる熱エネルギーによって、第一の化合物の三重項準位から第一の化合物の一重項準位への逆項間交差が起こり易くなる。有機ＥＬ素子内部の電気励起された励起子の励起三重項状態が、逆項間交差によって、励起一重項状態へスピン交換がされるエネルギー状態変換機構をＴＡＤＦ機構と呼ぶ。
図４は、発光層における第一の化合物および第二の化合物のエネルギー準位の関係の一例を示す図である。図４において、Ｓ０は、基底状態を表し、Ｓ１（Ｍ１）は、第一の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍ１）は、第一の化合物の最低励起三重項状態を表し、Ｓ１（Ｍ２）は、第二の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍ２）は、第二の化合物の最低励起三重項状態を表す。図４中のＳ１（Ｍ１）からＳ１（Ｍ２）へ向かう破線の矢印は、第一の化合物の最低励起一重項状態から第二の化合物の最低励起一重項状態へのフェルスター型エネルギー移動を表す。最低励起一重項状態Ｓ１と最低励起三重項状態Ｔ１との差を、ΔＳＴとして定義する。
図４に示すように、第一の化合物としてΔＳＴ（Ｍ１）の小さな化合物を用いると、最低励起三重項状態Ｔ１（Ｍ１）は、熱エネルギーにより、最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ１）に逆項間交差が可能である。そして、第一の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ１）から第二の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ２）へのフェルスター型エネルギー移動が生じる。この結果、第二の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ２）からの蛍光発光を観測することができる。このＴＡＤＦ機構による遅延蛍光を利用することによっても、理論的に内部効率を１００％まで高めることができると考えられている。

本実施形態において、第一の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ１）は、第二の化合物の一重項エネルギーＳ（Ｍ２）よりも大きいことが好ましい。
また、本実施形態において、第一の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍ１）は、第二の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍ２）よりも大きいことが好ましい。Ｔ_７７Ｋ（Ｍ１）は、２．０ｅＶ以上であることが好ましく、２．２ｅＶ以上であることがより好ましい。

・三重項エネルギーと７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップとの関係
ここで、三重項エネルギーと７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップとの関係について説明する。本実施形態では、７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップは、通常定義される三重項エネルギーとは異なる点がある。
三重項エネルギーの測定は、次のようにして行われる。まず、測定対象となる化合物を石英基板上に蒸着した試料、または適切な溶媒中に溶解した溶液を石英ガラス管内に封入した試料を作製する。この試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値に基づいて、所定の換算式から三重項エネルギーを算出する。
ここで、本実施形態に用いる第一の化合物としては、ΔＳＴが小さい化合物であることが好ましい。ΔＳＴが小さいと、低温（７７［Ｋ］）状態でも、項間交差、及び逆項間交差が起こりやすく、励起一重項状態と励起三重項状態とが混在する。その結果、上記と同様にして測定されるスペクトルは、励起一重項状態および励起三重項状態の両者からの発光を含んでおり、いずれの状態から発光したのかについて峻別することは困難であるが、基本的には三重項エネルギーの値が支配的と考えられる。
そのため、本実施形態では、通常の三重項エネルギーＴと測定手法は同じであるが、その厳密な意味において異なることを区別するため、次のようにして測定される値をエネルギーギャップＴ_７７Ｋと称する。薄膜を用いて測定する場合には、測定対象となる化合物を石英基板上に膜厚１００ｎｍで蒸着して試料を作製する。この試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式１から算出されるエネルギー量をエネルギーギャップＴ_７７Ｋとする。
換算式１：Ｔ_７７Ｋ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ
燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ−４５００形分光蛍光光度計本体を用いることができる。なお、測定装置はこの限りではなく、冷却装置及び低温用容器と、励起光源と、受光装置とを組み合わせることにより、測定してもよい。

・一重項エネルギーＳ
一重項エネルギーＳは、次のようにして測定される。
測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：発光強度、横軸：波長とする。）を測定した。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式２に代入して一重項エネルギーを算出した。
換算式２：Ｓ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ
本実施例では、吸収スペクトルを日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）で測定した。なお、吸収スペクトル測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。

吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。

・発光層の膜厚
本実施形態の有機ＥＬ素子１における発光層５の膜厚は、好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは７ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍｎｍ以下である。５ｎｍ未満では発光層５の形成が困難となり、色度の調整が困難となるおそれがあり、１００ｎｍを超えると駆動電圧が上昇するおそれがある。

・発光層における化合物の含有率
本実施形態の有機ＥＬ素子１では、発光層５において、第一の化合物の含有率は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以上６０質量％以下であることがさらに好ましい。第二の化合物の含有率は、１質量％以上１０質量％以下であることが好ましい。発光層５における第一の化合物および第二の化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。なお、本実施形態は、発光層５に、第一の化合物および第二の化合物以外の材料が含まれることを除外しない。

＜基板＞
基板２は、有機ＥＬ素子１の支持体として用いられる。基板２としては、例えば、ガラス、石英、プラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板である。可撓性基板としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、又はポリエチレンナフタレート等からなるプラスチック基板等が挙げられる。また、基板２として、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

＜陽極＞
基板２上に形成される陽極３には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、陽極３は、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
陽極３上に形成される有機層のうち、陽極３に接して形成される正孔注入層６は、陽極３の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることもできる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極３を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

＜正孔注入層＞
正孔注入層６は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等やジピラジノ［２，３−ｆ：２０，３０−ｈ］キノキサリン−２，３，６，７，１０，１１−ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ−ＣＮ）も挙げられる。
また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層７は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層７には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の正孔移動度を有する物質である。
正孔輸送層７には、ＣＢＰ、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（ＰＣｚＰＡ）のようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いてもよい。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層した層としてもよい。
正孔輸送層を二層以上配置する場合、エネルギーギャップのより大きい材料を含む層を、発光層５に近い側に配置することが好ましい。

本実施形態において、正孔輸送層７は、発光層５で生成する三重項励起子が正孔輸送層へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層５内に閉じ込める機能を有することが好ましい。

＜電子輸送層＞
電子輸送層８は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層８には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。本実施態様においては、ベンゾイミダゾール化合物を好適に用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層８として用いてもよい。また、電子輸送層８は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層した層としてもよい。
また、電子輸送層８には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）などを用いることができる。

本実施形態において、電子輸送層８は、発光層５で生成する三重項励起子が電子輸送層８や電子注入層９へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層５内に閉じ込める機能を有することが好ましい。

＜電子注入層＞
電子注入層９は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層９には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させた物質、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させた物質等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極４からの電子注入をより効率よく行うことができる。
あるいは、電子注入層９に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層８を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

＜陰極＞
陰極４には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極４を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
なお、電子注入層９を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極４を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。

＜層形成方法＞
本実施形態の有機ＥＬ素子１の各層の形成方法としては、上記で特に言及した以外には制限されず、乾式成膜法や湿式成膜法等の公知の方法を採用できる。乾式成膜法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法などが挙げられる。湿式成膜法としては、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法などが挙げられる。

＜膜厚＞
本実施形態の有機ＥＬ素子１の各有機層の膜厚は、上記で特に言及した以外には制限されない。一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常、膜厚は、数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジニル基は環形成炭素数５であり、フラニル基は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。

本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は、環形成原子数が６であり、キナゾリン環は、環形成原子数が１０であり、フラン環は、環形成原子数が５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
次に前記一般式に記載の各置換基について説明する。

本明細書における環形成炭素数６〜３０または環形成炭素数６〜４０の芳香族炭化水素基（アリール基と称する場合がある。）としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、ペリレニル基などが挙げられる。
本明細書におけるアリール基としては、環形成炭素数が６〜２０であることが好ましく、６〜１４であることがより好ましく、６〜１２であることが更に好ましい。上記アリール基の中でもフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、フルオレニル基が特に好ましい。１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基および４−フルオレニル基については、９位の炭素原子に、後述する本明細書における置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基や置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基が置換されていることが好ましい。

本明細書における環形成原子数５〜３０の複素環基（ヘテロアリール基、ヘテロ芳香族環基、または芳香族複素環基と称する場合がある。）は、ヘテロ原子として、窒素、硫黄、酸素、ケイ素、セレン原子、およびゲルマニウム原子からなる群から選択される少なくともいずれかの原子を含むことが好ましく、窒素、硫黄、および酸素からなる群から選択される少なくともいずれかの原子を含むことがより好ましい。
本明細書における環形成原子数５〜３０の複素環基（ヘテロアリール基、ヘテロ芳香族環基、または芳香族複素環基と称する場合がある。）としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基などが挙げられる。
本明細書における複素環基の環形成原子数は、５〜２０であることが好ましく、５〜１４であることがさらに好ましい。上記複素環基の中でも１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基が特に好ましい。１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基および４−カルバゾリル基については、９位の窒素原子に、本明細書における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基が置換されていることが好ましい。

また、本明細書において、複素環基は、例えば、下記一般式（ＸＹ−１）〜（ＸＹ−１８）で表される部分構造から誘導される基であってもよい。

前記一般式（ＸＹ−１）〜（ＸＹ−１８）において、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、ヘテロ原子であり、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ケイ素原子、またはゲルマニウム原子であることが好ましい。前記一般式（ＸＹ−１）〜（ＸＹ−１８）で表される部分構造は、任意の位置で結合手を有して複素環基となり、この複素環基は、置換基を有していてもよい。

また、本明細書において、置換もしくは無置換のカルバゾリル基としては、例えば、下記式で表されるようなカルバゾール環に対してさらに環が縮合した基も含み得る。このような基も置換基を有していてもよい。また、結合手の位置も適宜変更され得る。

本明細書における炭素数１〜３０のアルキル基としては、直鎖、分岐鎖または環状のいずれであってもよい。直鎖または分岐鎖のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、アミル基、イソアミル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基、が挙げられる。
本明細書における直鎖または分岐鎖のアルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがさらに好ましい。上記直鎖または分岐鎖のアルキル基の中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、アミル基、イソアミル基、ネオペンチル基が特に好ましい。
本明細書における炭素数３〜３０のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。シクロアルキル基の環形成炭素数は、３〜１０であることが好ましく、５〜８であることがさらに好ましい。上記シクロアルキル基の中でも、シクロペンチル基やシクロヘキシル基が特に好ましい。
アルキル基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基が１以上のハロゲン原子で置換された基が挙げられる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。

本明細書において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、または芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、および芳香環を含む）を構成する炭素原子およびヘテロ原子を意味する。

本明細書において、水素原子とは、中性子数の異なる同位体、すなわち、軽水素（Ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（Ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。

本明細書において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基としては、上述のようなアリール基、複素環基、アルキル基（直鎖または分岐鎖のアルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基）の他に、アラルキル基、置換アミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、およびカルボキシ基が挙げられる。
ここで挙げた置換基の中では、アリール基、複素環基、アルキル基、ハロゲン原子、アルキルシリル基、アリールシリル基、シアノ基が好ましく、さらには、各置換基の説明において好ましいとした具体的な置換基が好ましい。
これらの置換基は、上記のアリール基、複素環基、アルキル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、およびカルボキシ基からなる群から選択される少なくともいずれかの基によって更に置換されてもよい。また、これらの置換基は、複数が互いに結合して環を形成してもよい。

炭素数１〜３０のアルコキシ基は、−ＯＺ_１と表される。このＺ_１の例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基があげられる。アルコキシ基の炭素数は、１〜２０であることが好ましい。
アルコキシ基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルコキシ基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルコキシ基が１以上のフッ素原子で置換された基が挙げられる。

環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、−ＯＺ_２と表される。このＺ_２の例として、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基が挙げられる。アリールオキシ基の環形成炭素数は、６〜２０であることが好ましい。このアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基が挙げられる。

置換アミノ基としては、炭素数２〜３０のアルキルアミノ基および環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基が挙げられる。
炭素数２〜３０のアルキルアミノ基は、−ＮＨＲ_Ｖ、または−Ｎ（Ｒ_Ｖ）_２と表される。このＲ_Ｖの例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。
環形成炭素数６〜６０のアリールアミノ基は、−ＮＨＲ_Ｗ、または−Ｎ（Ｒ_Ｗ）_２と表される。このＲ_Ｗの例として、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基が挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。

アラルキル基としては、環形成炭素数６〜３０のアラルキル基が好ましく、−Ｚ_３−Ｚ_４と表される。このＺ_３の例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基に対応するアルキレン基が挙げられる。このＺ_４の例として、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基の例が挙げられる。このアラルキル基は、炭素数７〜３０のアラルキル基（アリール部分は炭素数６〜３０、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２）、アルキル部分は炭素数１〜３０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６）であることが好ましい。このアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、２−フェニルプロパン−２−イル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基が挙げられる。

アルケニル基としては、炭素数２〜３０のアルケニル基が好ましく、直鎖、分岐鎖、または環状のいずれであってもよく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、シクロペンタジエニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基等が挙げられる。

アルキニル基としては、炭素数２〜３０のアルキニル基が好ましく、直鎖、分岐鎖、または環状のいずれであってもよく、例えば、エチニル、プロピニル、２−フェニルエチニル等が挙げられる。

炭素数１〜３０のアルキルチオ基は、−ＳＲ_Ｖと表される。このＲ_Ｖの例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。アルキルチオ基の炭素数は、１〜２０であることが好ましい。
環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基は、−ＳＲ_Ｗと表される。このＲ_Ｗの例として、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基が挙げられる。アリールチオ基の環形成炭素数は、６〜２０であることが好ましい。

置換シリル基としては、炭素数３〜３０のアルキルシリル基、環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基が挙げられる。
本明細書における炭素数３〜３０のアルキルシリル基としては、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を有するトリアルキルシリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｎ−オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル−ｎ−プロピルシリル基、ジメチル−ｎ−ブチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。トリアルキルシリル基における３つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基としては、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基が挙げられる。
ジアルキルアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を２つ有し、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を１つ有するジアルキルアリールシリル基が挙げられる。ジアルキルアリールシリル基の炭素数は、８〜３０であることが好ましい。
アルキルジアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を１つ有し、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を２つ有するアルキルジアリールシリル基が挙げられる。アルキルジアリールシリル基の炭素数は、１３〜３０であることが好ましい。
トリアリールシリル基は、例えば、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を３つ有するトリアリールシリル基が挙げられる。トリアリールシリル基の炭素数は、１８〜３０であることが好ましい。

アルデヒド基、カルボニル基、エステル基、およびカルバモイル基、アミノ基には、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、または複素環などで置換されていてもよく、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、および複素環は、置換基をさらに有していてもよい。シロキサニル基は、エーテル結合を介したケイ素化合物基であり、例えば、トリメチルシロキサニル基などが挙げられる。

本明細書において、「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表し、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。
本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表し、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。

本明細書において、置換基同士が互いに結合して環構造が形成される場合、環構造は、飽和環、不飽和環、芳香族炭化水素環、または複素環である。また、置換基同士が互いに結合して形成された環構造は、置換基を有していてもよい。

本明細書において、連結基における芳香族炭化水素基および複素環基としては、上述した一価の基から、１つ以上の原子を除いて得られる二価以上の基が挙げられる。
また、本明細書において、芳香族炭化水素環および複素環としては、上述した一価の基の由来となる環構造が挙げられる。

＜電子機器＞
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子１は、表示装置や発光装置等の電子機器に使用できる。表示装置としては、例えば、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、タブレットもしくはパーソナルコンピュータ等が挙げられる。発光装置としては、例えば、照明、もしくは車両用灯具等が挙げられる。

〔第二実施形態〕
第二実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成について説明する。第二実施形態の説明において第一実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略化する。また、第二実施形態では、特に言及されない材料や化合物については、第一実施形態で説明した材料や化合物と同様の材料や化合物を用いることができる。

第二実施形態に係る有機ＥＬ素子は、発光層が、第三の化合物をさらに含んでいる点で、第一実施形態に係る有機ＥＬ素子と異なる。その他の点については第一実施形態と同様である。

（第三の化合物）
第三の化合物の一重項エネルギーは、第一の化合物の一重項エネルギーよりも大きい。

図５は、発光層における第一の化合物、第二の化合物、および第三の化合物のエネルギー準位の関係の一例を示す図である。図５において、Ｓ０は、基底状態を表し、Ｓ１（Ｍ１）は、第一の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍ１）は、第一の化合物の最低励起三重項状態を表し、Ｓ１（Ｍ２）は、第二の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍ２）は、第二の化合物の最低励起三重項状態を表し、Ｓ１（Ｍ３）は、第三の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍ３）は、第三の化合物の最低励起三重項状態を表す。図５中のＳ１（Ｍ１）からＳ１（Ｍ２）へ向かう破線の矢印は、第一の化合物の最低励起一重項状態から第二の化合物の最低励起一重項状態へのフェルスター型エネルギー移動を表す。
図５に示すように、第一の化合物としてΔＳＴ（Ｍ１）の小さな化合物を用いると、最低励起三重項状態Ｔ１（Ｍ１）は、熱エネルギーにより、最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ１）に逆項間交差が可能である。そして、第一の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ１）から第二の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ２）へのフェルスター型エネルギー移動が生じる。この結果、第二の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍ２）からの蛍光発光を観測することができる。このＴＡＤＦ機構による遅延蛍光を利用することによっても、理論的に内部効率を１００％まで高めることができると考えられている。

・３つの成分の比率
本実施形態では、発光層において、第一の化合物の含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、第二の化合物の含有率は、１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、第三の化合物の含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましい。第一の化合物の含有率は、２０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以上６０質量％以下であることが更に好ましい。発光層における第一の化合物、第二の化合物、および第三の化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。なお、本実施形態は、発光層に、第一の化合物、第二の化合物、および第三の化合物以外の材料が含まれることを除外しない。

第三の化合物としては、特に限定されないが、アミン化合物以外の化合物であることが好ましい。また、例えば、第三の化合物としては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体を用いることができるが、これら誘導体に限定されない。

第三の化合物は、一つの分子中に下記一般式（３１）で表される部分構造および下記一般式（３２）で表される部分構造のうち少なくともいずれかを含む化合物であることも好ましい。

前記一般式（３１）において、
Ｙ_３１〜Ｙ_３６は、それぞれ独立に、窒素原子、または第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｙ_３１〜Ｙ_３６のうち少なくともいずれかは、第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
前記一般式（３２）において、
Ｙ_４１〜Ｙ_４８は、それぞれ独立に、窒素原子、または第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｙ_４１〜Ｙ_４８のうち少なくともいずれかは、第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
Ｘ_３は、窒素原子、酸素原子、または硫黄原子である。

前記一般式（３２）において、Ｙ_４１〜Ｙ_４８のうち少なくとも２つが第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、当該炭素原子を含む環構造が構築されていることも好ましい。
例えば、前記一般式（３２）で表される部分構造が、下記一般式（３２１），（３２２），（３２３），（３２４），（３２５）および（３２６）で表される部分構造からなる群から選択されるいずれかの部分構造であることが好ましい。

前記一般式（３２１）〜（３２６）において、
Ｘ_３は、窒素原子、酸素原子、または硫黄原子であり、
Ｙ_４１〜Ｙ_４８は、それぞれ独立に、窒素原子、または第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
Ｘ_４は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、または炭素原子であり、
Ｙ_５１〜Ｙ_５４は、それぞれ独立に、窒素原子、または第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子である。
本実施形態においては、第三の化合物は、前記一般式（３２１）〜（３２６）のうち前記一般式（３２３）で表される部分構造を有することが好ましい。

前記一般式（３１）で表される部分構造は、下記一般式（３３）で表される基および下記一般式（３４）で表される基からなる群から選択される少なくともいずれかの基として第三の化合物に含まれることが好ましい。
下記一般式（３３）および下記一般式（３４）で表されるように、結合箇所が互いにメタ位に位置することは、７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍ３）を高く保つことができるため、第三の化合物として好ましい。

前記一般式（３３）および前記一般式（３４）において、Ｙ_３１，Ｙ_３２，Ｙ_３４およびＹ_３６は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ_３１であり、Ｒ_３１は、水素原子または置換基であり、Ｒ_３１が置換基である場合の置換基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、置換シリル基、置換ゲルマニウム基、置換ホスフィンオキシド基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、およびカルボキシ基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ_３１における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であることが好ましい。
前記一般式（３３）および前記一般式（３４）において、波線部分は、第三の化合物の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。

前記一般式（３３）において、前記Ｙ_３１，前記Ｙ_３２，前記Ｙ_３４および前記Ｙ_３６は、それぞれ独立に、ＣＲ_３１であることが好ましく、複数のＲ_３１は、同一でも異なっていてもよい。
また、前記一般式（３４）において、前記Ｙ_３２，前記Ｙ_３４および前記Ｙ_３６は、それぞれ独立に、ＣＲ_３１であることが好ましく、複数のＲ_３１は、同一でも異なっていてもよい。

置換ゲルマニウム基は、−Ｇｅ（Ｒ_１０１）_３で表されることが好ましい。Ｒ_１０１は、それぞれ独立に、置換基である。置換基Ｒ_１０１は、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましい。複数のＲ_１０１は、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記一般式（３２）で表される部分構造は、下記一般式（３５）で表される基，下記一般式（３６）で表される基，下記一般式（３７）で表される基，下記一般式（３８）で表される基，下記一般式（３９）で表される基，および下記一般式（３０ａ）で表される基からなる群から選択される少なくともいずれかの基として第三の化合物に含まれることが好ましい。

前記一般式（３５）〜（３９），（３０ａ）において、
Ｙ_４１，Ｙ_４２，Ｙ_４３，Ｙ_４４，Ｙ_４５，Ｙ_４６，Ｙ_４７，およびＹ_４８は、それぞれ独立に、窒素原子またはＣＲ_３２であり、
Ｒ_３２は、水素原子または置換基であり、Ｒ_３２が置換基である場合の置換基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、置換シリル基、置換ゲルマニウム基、置換ホスフィンオキシド基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、およびカルボキシ基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ_３２における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であることが好ましく、
前記一般式（３５），（３６）において、Ｘ_３は、窒素原子であり、
前記一般式（３７）〜（３９），（３０ａ）において、Ｘ_３は、ＮＲ_３３、酸素原子または硫黄原子であり、
Ｒ_３３は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、置換シリル基、置換ゲルマニウム基、置換ホスフィンオキシド基、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、およびカルボキシ基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ_３３における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であることが好ましい。
前記一般式（３５）〜（３９），（３０ａ）において、波線部分は、第三の化合物の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。

前記一般式（３５）において、Ｙ_４１〜Ｙ_４８は、それぞれ独立に、ＣＲ_３２であることが好ましく、前記一般式（３６）および前記一般式（３７）において、Ｙ_４１〜Ｙ_４５，Ｙ_４７およびＹ_４８は、それぞれ独立に、ＣＲ_３２であることが好ましく、前記一般式（３８）において、Ｙ_４１，Ｙ_４２，Ｙ_４４，Ｙ_４５，Ｙ_４７およびＹ_４８は、それぞれ独立に、ＣＲ_３２であることが好ましく、前記一般式（３９）において、Ｙ_４２〜Ｙ_４８は、それぞれ独立に、ＣＲ_３２であることが好ましく、前記一般式（３０ａ）において、Ｙ_４２〜Ｙ_４７は、それぞれ独立に、ＣＲ_３２であることが好ましく、複数のＲ_３２は、同一でも異なっていてもよい。

第三の化合物において、前記Ｘ_３は、酸素原子もしくは硫黄原子であることが好ましく、酸素原子であることがより好ましい。

第三の化合物において、前記Ｒ_３１、および前記Ｒ_３２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であって、前記Ｒ_３１、および前記Ｒ_３２における置換基は、フッ素原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であることが好ましい。前記Ｒ_３１、および前記Ｒ_３２は、水素原子、シアノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることがより好ましい。ただし、前記Ｒ_３１、および前記Ｒ_３２における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であることが好ましい。

第三の化合物は、芳香族炭化水素化合物、または芳香族複素環化合物であることも好ましい。また、第三の化合物は、分子中に縮合芳香族炭化水素環を有していないことが好ましい。

・第三の化合物の製造方法
第三の化合物は、例えば、国際公開第２０１２／１５３７８０号および国際公開第２０１３／０３８６５０号等に記載の方法により製造することができる。

第三の化合物における置換基の例は、例えば、以下のとおりであるが、本発明は、これらの例に限定されない。

芳香族炭化水素基（アリ−ル基と称する場合がある。）の具体例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾアントリル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオランテニル基等が挙げられ、好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、ナフチル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基等を挙げることができる。
置換基を有する芳香族炭化水素基としては、トリル基、キシリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基等を挙げることができる。
具体例が示すように、アリール基は、縮合アリール基及び非縮合アリール基の両方を含む。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、ナフチル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基が好ましい。

芳香族複素環基（ヘテロアリール基、ヘテロ芳香族環基、または複素環基と称する場合がある。）の具体例としては、ピロリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピリジル基、トリアジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、ナフチリジニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、ベンズオキサゾリル基、チエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンズチアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基等が挙げられ、好ましくは、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基等を挙げることができる。
芳香族複素環基としては、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基が好ましく、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基がさらに好ましい。

第三の化合物において、置換シリル基は、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基、置換もしくは無置換のアリールアルキルシリル基、または置換もしくは無置換のトリアリールシリル基であることも好ましい。
置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基を挙げることができる。
置換若しくは無置換のアリールアルキルシリル基の具体例としては、ジフェニルメチルシリル基、ジトリルメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基等を挙げることができる。
置換若しくは無置換のトリアリールシリル基の具体例としては、トリフェニルシリル基、トリトリルシリル基等を挙げることができる。

第三の化合物において、置換ホスフィンオキシド基は、置換もしくは無置換のジアリールホスフィンオキシド基であることも好ましい。
置換もしくは無置換のジアリールホスフィンオキシド基の具体例としては、ジフェニルホスフィンオキシド基、ジトリルホスフィンオキシド基等を挙げることができる。

本実施形態の有機ＥＬ素子によれば、長寿命化させること、発光効率を向上させること、および高い電流密度で駆動させたときのロールオフを抑制させることができる。
第二実施形態の有機ＥＬ素子は、発光層に、遅延蛍光性の第一の化合物と、蛍光発光性の第二の化合物と、第一の化合物よりも大きな一重項エネルギーを有する第三の化合物と、を含んでおり、発光効率がさらに向上する。発光効率が向上する理由としては、第三の化合物が含まれていることによって発光層のキャリアバランスが改善されるためと考えられる。

〔第三実施形態〕
第三実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成について説明する。第三実施形態の説明において第一実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略化する。また、第三実施形態では、特に言及されない材料や化合物については、第一実施形態で説明した材料や化合物と同様の材料や化合物を用いることができる。

第三実施形態に係る有機ＥＬ素子は、発光層は、第一の化合物および第二の化合物を含み、第一の化合物は、遅延蛍光性の化合物であり、第二の化合物は、蛍光発光性の化合物であり、第一の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ１と、第二の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ２とが、下記数式（数３）の関係を満たす。Ｉｐ１とＩｐ２とが、下記数式（数３Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
０≦Ｉｐ２−Ｉｐ１≦０．３ｅＶ …（数３）
０＜Ｉｐ２−Ｉｐ１≦０．３ｅＶ …（数３Ａ）
第一実施形態の第一の化合物は所定の発光量子収率の条件で規定されるのに対し、第三実施形態の第一の化合物は、遅延蛍光性の化合物であれば発光量子収率の条件で規定されない。その他の点について、第三実施形態は、第一実施形態と同様である。

第三実施形態の有機ＥＬ素子において、発光層に第二実施形態で説明した第三の化合物がさらに含まれていてもよい。

前記数式（数３）の関係を満たすことで、トラップ発光を抑制することができる。トラップ発光が抑制されると、遅延蛍光性の化合物である第一の化合物にて正孔と電子との再結合が促進される。励起状態の第一の化合物から、第二の化合物への速やかなエネルギー移動が起こり、第一の化合物は基底状態に戻り、第二の化合物は励起状態となる。励起状態の第二の化合物は、基底状態に戻る際に、光を放射する。以上のように、本実施形態においても、第一の化合物での正孔と電子との再結合が促進されることにより、第二の化合物からの発光に寄与する励起子が増加し、その結果、発光効率が向上すると考えられる。
さらに、第二の化合物によるトラップ発光が抑制されることで、キャリア（正孔および電子）と、励起子（一重項励起子および三重項励起子）との衝突も抑制される。その結果、高電流密度領域においては、低電流密度領域に比べて、発光層におけるキャリアの数が増加するが、本実施形態の有機ＥＬ素子によれば、キャリアと励起子とが衝突して失活することを抑制することができるので、高電流密度領域におけるロールオフも抑制されると考えられる。

〔実施形態の変形〕
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されない。本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良などは、本発明に含まれる。

例えば、発光層は、１層に限られず、複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、少なくとも１つの発光層が前記第一の化合物および前記第二の化合物を含んでいればよい。例えば、その他の発光層が、蛍光発光型の発光層であっても、三重項励起状態から直接基底状態への電子遷移による発光を利用した燐光発光型の発光層であってもよい。
また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。

また、例えば、発光層の陽極側や陰極側に障壁層を隣接させて設けてもよい。障壁層は、発光層に接して配置され、正孔、電子および励起子の少なくともいずれかを阻止することが好ましい。
例えば、発光層の陰極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、電子を輸送し、正孔が当該障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、電子輸送層を含む場合は、発光層と電子輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、発光層の陽極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、正孔を輸送し、電子が当該障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、正孔輸送層を含む場合は、発光層と正孔輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、励起エネルギーが発光層からその周辺層に漏れ出さないように、障壁層を発光層に隣接させて設けてもよい。発光層で生成した励起子が、当該障壁層よりも電極側の層（例えば、電子輸送層や正孔輸送層）に移動することを阻止する。
発光層と障壁層とは接合していることが好ましい。

その他、本発明の実施における具体的な構造および形状などは、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などとしてもよい。

本発明に係る実施例を説明する。本発明はこれらの実施例によって限定されない。

有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物を以下に示す。

＜化合物の評価＞
次に、本実施例で使用した化合物の物性を測定した。測定方法および算出方法を以下に示す。

（イオン化ポテンシャルの測定方法）
大気下で光電子分光装置（理研計器株式会社製:ＡＣ−３）を用いて測定した。具体的には、測定対象となる化合物に光を照射し、その際に電荷分離によって生じる電子量を測定することにより測定した。

（発光量子収率の測定方法）
次のようにして発光量子収率Φを測定した。
トルエンを溶媒として、測定対象となる試料の溶液を調製した。調製した試料溶液を１ｃｍセルに入れ、吸光光度計にて吸収スペクトルを測定した。測定した吸収スペクトルを元に、発光スペクトル測定における励起波長を決定した。なお、励起波長は、吸収ピークを与える波長が望ましいが、特に限定されない。また試料溶液の濃度は、発光の再吸収を抑えるため希薄であることが望ましい。本測定では、励起波長における吸光度が０．０５以下になるように試料溶液の濃度を調製した。
以上のようにして調製した試料溶液を真空コック付ガラス試料管に入れた。この試料管を真空ポンプと真空計を備えた真空ラインに接続し、凍結脱気を行った。本測定における凍結脱気とは、試料管の溶液溜め部分を液体窒素に浸漬し、試料溶液を凍結した後に試料管内を真空引きする操作を指す。また、本測定において、真空ポンプとしてロータリーポンプを用い、真空計としてピラニ真空計を用いた。なお、真空ポンプや真空計は、本測定で用いた真空ポンプや真空計に限定されない。
凍結脱気の後に室温にて試料溶液を溶解させ、再び凍結脱気を行い、真空度の変化が認められなくなるまで、この操作を繰り返した。繰り返し操作の結果、得られた溶液を、脱気試料溶液とした。
この脱気試料溶液を含む試料管と１ｃｍ蓋付セルとをグローブボックス内に入れた。グローブボックス内の窒素等の不活性気体雰囲気下で、試料管から蓋付セルに脱気試料溶液を移し替え、蓋付セルを密閉した。密閉後、グローブボックスから蓋付セルを取り出し、蛍光光度計を用いて脱気試料溶液の発光スペクトルを測定した。得られた発光スペクトルの短波長側の立ち上がりと、長波長側の立ち上がりとを結ぶ直線を基準線として、発光の面積強度Ｆ_１を算出した。
ここまでと同様の操作を発光量子収率が既知である標準試料についても行い、脱気標準試料溶液の発光の面積強度Ｆ_２を算出した。
対象とする試料の発光量子収率Φは、次に示す式Ａにより求めた。
Φ＝Φ_２×｛（Ｆ_１Ａ_２ｎ_１ ^２）／（Ｆ_２Ａ_１ｎ_２ ^２）｝ …（式Ａ）
ここで、前記（式Ａ）において、Φ_２は標準試料の発光量子収率、Ａ_１は試料溶液の励起波長における吸光度、Ａ_２は標準試料溶液の励起波長における吸光度、ｎ_１は試料溶液の調製に用いた溶媒の屈折率、ｎ_２は標準試料溶液の調製に用いた溶媒の屈折率を表す。

本実施例では、標準試料溶液には９，１０−ジフェニルアントラセンのエタノール溶液を用い、Φ_２＝０．９５とした（Ｍｏｒｒｉｓ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，８０（１９７６）９６９．）。
また、ｎ_１＝１．４９８（トルエン），ｎ_２＝１．３６２（エタノール）とした（「化学便覧 基礎編 改訂５版」、１４章、ＩＩ−６４０頁、２００４年２月１日発行）。
吸収スペクトル測定装置としては島津社製の吸光光度計（装置名：ＵＶ−３１００ＰＣ）、発光スペクトル測定装置としては日立社製の蛍光光度計（装置名：Ｆ−４５００）を用いた。
なお、標準試料溶液は発光量子収率が既知であれば、本測定で用いた溶液に特に限定されず、また用いる溶媒も本測定で用いた溶媒に限定されない。また、吸収スペクトル測定装置、および発光スペクトル測定装置も本測定で用いた装置に限定されない。

イオン化ポテンシャルおよび発光量子収率の測定結果を表２に示す。発光量子収率は、単位をパーセントとして表示した。なお、表２中、化合物Ｈ−２の発光量子収率は、９９％を超えることを意味する。

（遅延蛍光発光性）
遅延蛍光発光性は図２に示す装置を利用して過渡ＰＬを測定することにより確認した。前記化合物Ｈ−１と前記化合物ＴＨ−２とを、化合物Ｈ−１の割合が１２質量％となるように石英基板の上に共蒸着し、膜厚１００ｎｍの薄膜を形成して試料を作製した。前記化合物Ｈ−１が吸収する波長のパルス光（パルスレーザーから照射される光）で励起された後、当該励起状態から即座に観察されるＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）と、当該励起後、即座には観察されず、その後観察されるＤｅｌａｙ発光（遅延発光）とが存在する。本実施例における遅延蛍光発光とは、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量がＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量に対して５％以上を意味する。
化合物Ｈ−１について、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量がＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量に対して５％以上あることが確認された。
Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量は、“Ｎａｔｕｒｅ ４９２， ２３４−２３８， ２０１２”に記載された方法と同様の方法により求めることができる。なお、Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量の算出に使用される装置は、図２の装置や文献に記載された装置に限定されない。

（一重項エネルギーＳ）
一重項エネルギーＳは、次のようにして測定した。測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：発光強度、横軸：波長とする。）を測定した。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式２に代入して一重項エネルギーを算出した。
換算式２：Ｓ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
本実施例では、吸収スペクトルを日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）で測定した。なお、吸収スペクトル測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。

算出した一重項エネルギーＳを以下に示す。
Ｈ−１ ：２．７４ｅＶ
Ｈ−２ ：２．８９ｅＶ
ＤＡ ：３．５５ｅＶ

＜有機ＥＬ素子の作製、および評価＞
有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。

（実施例１）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄を行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯの膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＩを蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層を形成した。
次に、正孔注入層の上に、化合物ＨＴ−１を蒸着し、ＨＩ膜上に膜厚１１０ｎｍの第一正孔輸送層を形成した。
次に、この第一正孔輸送層の上に、化合物ＨＴ−２を蒸着し、膜厚１５ｎｍの第二正孔輸送層を形成した。
次に、この第二正孔輸送層の上に、化合物ＤＡと、化合物Ｈ−１と、化合物Ｄ−１とを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。発光層における化合物Ｈ−１の濃度を５０質量％とし、化合物Ｄ−１の濃度を１質量％とした。
次に、この発光層の上に、化合物ＨＢ−１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔ブロック層を形成した。
次に、この正孔ブロック層の上に、化合物ＥＴ−１を蒸着し、膜厚３５ｎｍの電子輸送層を形成した。
次に、この電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着し、膜厚１ｎｍの電子注入性電極（陰極）を形成した。
そして、この電子注入性電極上に、金属アルミニウム（Ａｌ）を蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属Ａｌ陰極を形成した。
実施例１の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（5） / HT-1（110） / HT-2（15） / DA:H-1:D-1（25, 50%, 1%） / HB-1（5） / ET-1（35） / LiF（1） / Al（80）
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。また、同じく括弧内において、パーセント表示された数字は、発光層における第一の化合物および第二の化合物の割合（質量％）を示す。

（比較例１）
比較例１の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層における化合物Ｄ−１を化合物Ｄ−２に変更したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。
比較例１の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（5） / HT-1（110） / HT-2（15） / DA:H-1:D-2（25, 50%, 1%） / HB-1（5） / ET-1（35） / LiF（1） / Al（80）

（比較例２）
比較例２の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層における化合物Ｄ−１を化合物Ｄ−３に変更したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。
比較例２の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（5） / HT-1（110） / HT-2（15） / DA:H-1:D-3（25, 50%, 1%） / HB-1（5） / ET-1（35） / LiF（1） / Al（80）

（比較例３）
比較例３の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層における化合物Ｈ−１を化合物Ｈ−２に変更したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。
比較例３の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（5） / HT-1（110） / HT-2（15） / DA:H-2:D-1（25, 50%, 1%） / HB-1（5） / ET-1（35） / LiF（1） / Al（80）

（比較例４）
比較例４の有機ＥＬ素子は、比較例３の発光層における化合物Ｄ−１を化合物Ｄ−２に変更したこと以外は、比較例３と同様にして作製した。
比較例４の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（5） / HT-1（110） / HT-2（15） / DA:H-2:D-2（25, 50%, 1%） / HB-1（5） / ET-1（35） / LiF（1） / Al（80）

（比較例５）
比較例５の有機ＥＬ素子は、比較例３の発光層における化合物Ｄ−１を化合物Ｄ−３に変更したこと以外は、比較例３と同様にして作製した。
比較例５の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（5） / HT-1（110） / HT-2（15） / DA:H-2:D-3（25, 50%, 1%） / HB-1（5） / ET-1（35） / LiF（1） / Al（80）

〔有機ＥＬ素子の評価〕
実施例１および比較例１〜５において作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表３および表４に示す。

・ＣＩＥ１９３１色度
電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２、１ｍＡ／ｃｍ^２、または１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように、作製した有機ＥＬ素子に電圧を印加した時のＣＩＥ１９３１色度座標（ｘ、ｙ）を、分光放射輝度計（コニカミノルタ株式会社製、商品名：ＣＳ−１０００）を用いて計測した。

・外部量子効率ＥＱＥ
電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２、１ｍＡ／ｃｍ^２、または１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを上記分光放射輝度計で計測した。得られた上記分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行なったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。

・主ピーク波長λ_ｐ
得られた上記分光放射輝度スペクトルから主ピーク波長λ_ｐを求めた。

・寿命ＬＴ８０
初期電流密度を５０ｍＡ／ｃｍ^２に設定して直流の連続通電試験を行い、試験開始時の輝度に対して、輝度が８０％まで減少する時間を寿命（ＬＴ８０）とした。

・ロールオフ
実施例１、比較例１、３、および４の有機ＥＬ素子のそれぞれについて、電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２、１ｍＡ／ｃｍ^２、または１０ｍＡ／ｃｍ^２の駆動条件で駆動させた際の外部量子効率の内、最も高い外部量子効率に対する、各駆動条件における外部量子効率の比を算出した。

表３および表４示されているように、実施例１の有機ＥＬ素子によれば、比較例１〜５の有機ＥＬ素子に比べて外部量子効率が高く、長寿命であり、高い電流密度で駆動させたときのロールオフが抑制された。

１…有機ＥＬ素子、３…陽極、４…陰極、５…発光層。

Claims (12)

1. 陽極と、発光層と、陰極と、を含み、
   前記発光層は、第一の化合物および第二の化合物を含み、
   前記第一の化合物は、遅延蛍光性の化合物であり、
   前記第二の化合物は、蛍光発光性の化合物であり、
   前記第一の化合物の発光量子収率は、７０％以下であり、
   前記第一の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ１と、前記第二の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ２とが、
   ０≦Ｉｐ２−Ｉｐ１≦０．８ｅＶ …（数１）
   の関係を満たす、有機エレクトロルミネッセンス素子。
2. 前記発光層は、第三の化合物をさらに含み、
   前記第三の化合物の一重項エネルギーは、前記第一の化合物の一重項エネルギーよりも大きい、
   請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 前記第一の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ１と、前記第二の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ２とが、
   ０≦Ｉｐ２−Ｉｐ１≦０．５ｅＶ …（数２）
   の関係を満たす、請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 前記第一の化合物の発光量子収率は、６５％以下である、
   請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 前記第一の化合物の発光量子収率は、６０％以下である、
   請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 前記第一の化合物の発光量子収率は、３０％以上である、
   請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 前記第一の化合物の一重項エネルギーは、前記第二の化合物の一重項エネルギーよりも大きい、
   請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 前記第二の化合物の発光ピーク波長は、５５０ｎｍ以下である、
   請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 陽極と、発光層と、陰極と、を含み、
   前記発光層は、第一の化合物および第二の化合物を含み、
   前記第一の化合物は、遅延蛍光性の化合物であり、
   前記第二の化合物は、蛍光発光性の化合物であり、
   前記第一の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ１と、前記第二の化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ２とが、
   ０≦Ｉｐ２−Ｉｐ１≦０．３ｅＶ …（数３）
   の関係を満たす、有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 前記陽極と前記発光層との間に正孔輸送層をさらに備える、
    請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 前記発光層と前記陰極との間に電子輸送層をさらに備える、
    請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器。