JPWO2016113885A1

JPWO2016113885A1 - 内視鏡および撮像装置

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Publication number: JPWO2016113885A1
Application number: JP2016569181A
Authority: JP
Inventors: 紀幸藤森
Original assignee: Olympus Corp
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 2015-01-15
Filing date: 2015-01-15
Publication date: 2017-10-19
Also published as: US20170311785A1; CN107205625B; EP3245934A1; EP3245934A4; WO2016113885A1; CN107205625A

Abstract

内視鏡２は、第１の主面１０ＳＡに撮像部１３が形成され第２の主面１０ＳＢに接合端子１８を有する半導体基板１１と、前記半導体基板１１の前記第１の主面１０ＳＡに配設された、導体層１２Ａが絶縁層１２Ｂ、１２Ｃを介して積層されている、配線層１２と、を有する撮像素子１０と、前記撮像素子１０の前記第１の主面側の全体を覆うように接着されているカバーガラス３０と、を具備する撮像装置１が、挿入部の先端部２ａに配設されている内視鏡２であって、少なくとも前記撮像素子１０の前記配線層１２の側面を覆う、樹脂４１に透湿性が前記樹脂４１の透湿性よりも低い遮断粒子４２が分散されている、保護部４０を有する。

Description

本発明は、配線層に低誘電率材料を有する撮像装置を具備する内視鏡、および前記撮像装置、に関する。

ＣＭＯＳ受光素子等からなる受光部が主面（受光面）に形成された撮像素子を具備するチップサイズパッケージ型の撮像装置は、小径であることから内視鏡に用いられている。半導体技術により作製された微細パターンからなる受光部と、配線板等が接続される大きな接合電極との整合性を取るために、撮像素子には導体層と絶縁層とからなる配線層が不可欠である。近年、撮像装置の高性能化のために、配線層の絶縁層として酸化シリコンよりも低誘電率の材料、いわゆるＬｏｗ−ｋ材料を用いることが検討されている。

しかし、Ｌｏｗ−ｋ材料は、耐湿性／耐水性、すなわち水分（水蒸気等を含む）の浸透に対する耐性において、従来の絶縁層材料よりも劣っている。Ｌｏｗ−ｋ材料を絶縁層とするチップサイズパッケージ型の撮像装置は、Ｌｏｗ−ｋ材料が外周部に露出しているため、信頼性が十分ではないおそれがあった。すなわち、Ｌｏｗ−ｋ材料からなる絶縁層に水が侵入すると、比誘電率が上昇し寄生容量が増加し信号遅延が生じることにより動作不良が生じたり、絶縁層が剥離したりするといった問題が発生しかねないおそれがあった。

日本国特開２０１１−１６６０８０号公報には、撮像素子をシールドケースに収納した撮像装置が開示されている。撮像素子とシールドケースとの隙間には封止樹脂が充填されている。

しかし、上記公報には、封止樹脂を介して浸透した水分による影響については何の開示も示唆もない。これは、撮像素子の絶縁層としてＬｏｗ−ｋ材料を用いていないためであると推察される。

特開２０１１−１６６０８０号公報

本発明の実施形態は、耐湿性に優れた信頼性の高い内視鏡、および耐湿性に優れた信頼性の高い撮像装置を提供することを目的とする。

本発明の実施形態の内視鏡は、第１の主面に受光部が形成され、第２の主面に前記受光部と電気的に接続されている接合端子を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１の主面に配設された、導体層が絶縁層を介して積層されている、配線層と、を有する撮像素子と、前記撮像素子の前記第１の主面側の全体を覆うように接着されているカバーガラスと、を具備する撮像装置が、挿入部の先端部に配設されている内視鏡であって、少なくとも前記撮像素子の前記配線層の側面を覆う、樹脂に透湿性が前記樹脂の透湿性よりも低い遮断粒子が分散されている、保護部を有する。

別の実施形態の撮像装置は、第１の主面に受光部が形成され、第２の主面に前記受光部と電気的に接続されている接合端子を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１の主面に配設された、導体層が絶縁層を介して積層されている配線層と、を有する撮像素子と、前記撮像素子の前記第１の主面側の全体を覆うように接着されているカバーガラスと、を具備する撮像装置であって、少なくとも前記撮像素子の前記配線層の側面を覆う、樹脂に透湿性が前記樹脂の透湿性よりも低い遮断粒子が分散されている、保護部を有する。

本発明によれば、耐湿性に優れた信頼性の高い内視鏡、および耐湿性に優れた信頼性の高い撮像装置を提供することができる。

第１実施形態の内視鏡を含む内視鏡システムを説明するための図である。第１実施形態の内視鏡の撮像装置の斜視図である。第１実施形態の内視鏡の撮像装置の上面図である。第１実施形態の内視鏡の撮像装置の図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。第１実施形態の内視鏡の撮像ユニットの断面図である。第１実施形態の内視鏡の保護部の断面図である。第１実施形態の内視鏡の保護部の断面模式図である。第１実施形態の変形例１の内視鏡の撮像ユニットの断面図である。第１実施形態の変形例２の内視鏡の変形例の保護部の断面模式図である。第１実施形態の変形例３の内視鏡の撮像ユニットの断面図である。第２実施形態の内視鏡の保護部の断面模式図である。第２実施形態の変形例１の内視鏡の保護部の断面模式図である。第２実施形態の変形例２の内視鏡の撮像ユニットの断面図である。

＜第１実施形態＞
図１に示すように、本実施形態の内視鏡２は、プロセッサ４と共に内視鏡システム９を構成している。内視鏡２は、撮像装置１を含む撮像ユニット３が配設された先端部２ａと、先端部２ａから延設された細長い挿入部２ｂと、挿入部２ｂの基端部側に配設された操作部２ｃと、操作部２ｃから延設されたユニバーサルコード２ｄと、ユニバーサルコード２ｄの基端部側に配設されたコネクタ２ｅと、を有する。

コネクタ２ｅは、プロセッサ４と着脱自在に接続される。プロセッサ４は、撮像装置１の撮像信号を、信号処理して画像信号をモニタ４Ａに出力する。

図２〜図４に示すように、撮像装置１は、撮像素子１０と、透明部材であるカバーガラス３０と、撮像素子１０とカバーガラス３０とを接着している接着層２０と、を具備する。撮像素子１０は、撮像部（受光部／画素部）１３が形成された半導体基板１１と配線層１２とを含む。後述するように、配線層１２の側面が特定の構成の保護部４０により取り囲まれているため、撮像装置１は耐湿性に優れている。

なお、図面は、模式的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、夫々の部分の厚みの比率、粒子の大きさ、および含有率等は現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。さらに、断面図における粒子の形状は断面形状ではなく側面形状とし、粒子の大きさも図示の都合上、実際とは大きく異なる。

撮像素子１０の第１の主面１０ＳＡには、撮像部１３と、回路部１４と、複数の電極パッド１５と、が形成されている。一方、撮像素子１０の第２の主面１０ＳＢには、それぞれの貫通配線１７を介して、それぞれの電極パッド１５と接続された複数の接合端子１８が形成されている。

ＣＭＯＳ撮像素子等からなる撮像部１３は、シリコン等からなる半導体基板１１の主面に公知の半導体製造技術により形成されている。

回路部１４は撮像部１３の信号を処理する半導体回路を含んでいる。半導体回路は撮像部１３と同様に、シリコン等からなる半導体基板１１の主面に公知の半導体製造技術により形成されている。

配線層１２が第１の主面１０ＳＡに配設された半導体基板１１からなる撮像素子１０は、ウエハレベルチップサイズパッケージ型のチップであり、撮像素子１０とカバーガラス３０とは平面視寸法が同じである。すなわち、複数の撮像素子１０が形成された撮像素子ウエハと、ガラスウエハとが接着された接合ウエハを、切断し個片化することにより撮像装置１は製造されている。撮像素子１０は一括して大量生産できるため生産性に優れている。

撮像装置１については、むろん、必ずしもウエハレベルチップサイズパッケージ型の撮像素子チップからなる必要はなく、既に個片化された撮像素子１０とカバーガラス３０とを接合して製造するものであってもよい。

そして、配線層１２の少なくとも１つの絶縁層１２Ｃは、低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）からなる。電極パッド１５は、配線層１２を介して撮像部１３や回路部１４と接続されている。

なお、複数の導体層１２Ａの導電性材料は異なる材料で構成されていてもよい。また、複数の絶縁層１２Ｂの絶縁材料は異なる材料で構成されていてもよい。そして、少なくとも１つの絶縁層１２Ｃは、低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）からなる。

低誘電率材料とは、酸化シリコン（ｋ＝４．０）よりも比誘電率ｋが低い材料であり、好ましくは比誘電率ｋが３．０以下の材料である。低誘電率材料の比誘電率ｋの下限値は、技術的限界により、２．０以上、好ましくは１．５以上である。

撮像装置１では、絶縁層１２Ｃの低誘電率材料は、多孔質（ポーラス状）の炭素ドープシリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）である。ポーラスＳｉＯＣは、その構造上、空隙を有している多孔質体として形成され、比誘電率ｋを２．７とすることも可能である。

絶縁層１２Ｃの材料としては、ＳｉＯＣの他、フッ素ドープシリコン酸化膜（ＳｉＯＦ／ＦＳＧ）、水素含有ポリシロキサン（ＨＳＱ）系、メチル含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系、有機系（ポリイミド系、パリレン系、フッ素樹脂系）材料等も使用可能である。

そして、接着層２０を介して撮像素子１０の第１の主面１０ＳＡに接着されている透明部材であるカバーガラス３０は、平面視寸法が撮像素子１０と同じである。透明部材は、撮像部１３が受光する光の波長領域において透過率が高い材料であれば、樹脂等から構成されていてもよい。厚さが十分に厚いカバーガラス３０は、撮像部１３および回路部１４等への上部からの水分の浸透を遮断している。

接着層２０は、絶縁層１２Ｃの低誘電率材料よりも耐湿性に優れた、紫外線硬化型または熱硬化型の、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等からなる。なお、撮像部１３の直上にマイクロレンズアレイが配設されている場合においては、接着層２０は配設されていなくともよい。

図５に示すように、撮像装置１は、対物レンズ光学系６１が固定されたシールドケース６０の内部に収容され、撮像ユニット３として内視鏡２に配設される。撮像装置１の接合端子１８は配線板６４を介して信号ケーブル６３と電気的に接続されている。信号ケーブル６３は撮像装置の制御等を行うと同時に撮像信号を処理するプロセッサ４に接続される。

撮像素子１０の側面とシールドケース６０の内壁との隙間は封止樹脂６２により封止されている。封止樹脂６２は、紫外線硬化型または熱硬化型の、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等、の耐湿性に優れた樹脂から選択される。シールドケース６０はステンレス等の金属からなり、遮光機能および電磁ノイズ耐性改善機能を有するとともに、水分の浸透を防止する耐湿性を有する。なお、後述するように、内視鏡２の細径化のためには、シールドケース６０を具備しない撮像ユニットであってもよい。

以上の説明のように、配線層１２の側面は、封止樹脂６２およびシールドケース６０で保護されている。しかし、配線層１２への水分の浸入を更に確実に防止するために、撮像装置１には、保護部４０が配設されている。

図６に示すように、保護部４０は、樹脂４１に、透湿性が樹脂４１よりも低い遮断粒子４２が分散されている。透湿性は、所定厚さの試験フィルムを作製し、ＪＩＳＺ０２０８（カップ法）にて評価した。例えば、樹脂４１のみからなる試験フィルムと、粒子を分散した樹脂４１からなる試験フィルムと、の透湿性の比較から、粒子の透湿性が樹脂４１の透湿性よりも低いことが確認できる。

例えば、樹脂としてエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂を用いた場合には、シリカ、またはアルミナからなる遮断粒子４２を用いることが好ましい。

さらに、遮断粒子４２の直径Ｄが保護部４０の厚さＴの１／１００以上１／５以下であると、透湿性が大きく改善する（図７参照）。保護部４０の厚さＴは、例えば、断面を電子顕微鏡で撮影した写真から計測した値であり凹凸がある場合は算出平均値である。一方、粒子の直径Ｄは、分散前の粒子を、電子顕微鏡で撮影した写真から計測した算術平均値である。遮断粒子４２（微少粉体、フィラー）は、球形ではなく、楕円形、矩形、棒状、繊維状または無定型等であってもよい。また、粒子の直径Ｄは、所定の分布を有していてもよい。さらに、保護部４０は異なる粒径の粒子を含んでいてもよいが、遮断粒子４２に占める割合として、９０重量％以上の粒子が前記範囲内であることが好ましい。

透湿性が樹脂４１よりも低い遮断粒子４２が分散されている保護部４０が水分の浸入を効果的に防止できるのは、図７に示すように、水分の浸入経路Ｐが遮断粒子４２により長くなるためと推定される。遮断粒子４２の直径Ｄが前記範囲の下限以上であれば、所定の透湿性改善効果が確認され、前記範囲の上限以下であれば、樹脂４１における遮断粒子４２の分散性が良く、充填等も容易となる。

なお、上記効果をより効果的に得るためには、遮断粒子４２の含有率が３０重量％以上であることが好ましく、特に好ましくは７５重量％以上である。ただし、粒子含有率が高すぎると基体への接着強度が低下するため、９５重量％以下が好ましく、特に好ましくは９０重量％以下である。なお、粒子含有率は、塗布する分散液の調合値である。

撮像装置１の配線層１２は、側面からの水分の浸透が、保護部４０、封止樹脂６２およびシールドケース６０により遮断されている。そのため、撮像装置１は、平面視寸法が小さいチップサイズパッケージ型半導体装置で、配線層１２の側面に低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）が露出している構成であっても、高い信頼性を備えている。

撮像装置１は、例えば、８５℃、湿度８５％の高温多湿環境に１０００時間放置しても特性が劣化することがなかった。また、撮像装置１が配設された内視鏡２は、所定の滅菌処理等が施された後も、性能が損なわれることはなかった。

＜第１実施形態の変形例＞
次に説明する第１実施形態の変形例の内視鏡は、第１実施形態の内視鏡２と類似し、内視鏡２の効果を有しているため、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し、説明は省略する。

内視鏡２では、保護部４０は配線層１２の側面を覆っていた。しかし、保護部は、少なくとも配線層１２の側面を覆っていればよい、言い換えれば、保護部４０が配線層１２の側面だけでなく、カバーガラス３０と半導体基板１１およびその接着層２０の側面等を覆っていてもよい。

例えば、図８に示す、第１実施形態の変形例１の内視鏡２Ａの撮像ユニット３Ａでは、保護部４０と同じように遮断粒子４２を含む樹脂４１からなる保護部４０Ａにより、撮像装置１Ａの配線層１２の側面だけでなく、シールドケース６０の内部が封止されている。言い換えれば、封止樹脂６２Ａが、樹脂４１に、透湿性が樹脂の透湿性よりも低い遮断粒子４２が分散されている構成である。

次に説明する第１実施形態の変形例２の内視鏡２Ｂの撮像装置１Ｂの保護部４０Ｂは、第１実施形態の撮像装置１と同じように、配線層１２の側面を覆っている。

しかし、図９に示すように、保護部４０Ｂは遮断粒子４２の含有率が厚さ方向で変化しており、配線層１２と接する内側の第１の保護部４０Ｂ１の粒子含有率が、外側の第２の保護部４０Ｂ２の粒子含有率よりも小さい。

保護部４０Ｂは、粒子含有率が異なる第１の保護部４０Ｂ１と第２の保護部４０Ｂ２とからなるため、配線層１２への接着強度が十分に高く、かつ、保護部４０Ｂの遮断粒子４２の含有率を大きくできる。

さらに、図１０に示す第１実施形態の変形例３の内視鏡２Ｃの撮像装置１Ｃを含む撮像ユニット３Ｃでは、第１の保護部４０Ｃ１により配線層１２の側面が覆われており、第１の保護部４０Ｃ１よりも粒子含有率の高い第２の保護部４０Ｃ２である封止樹脂６２Ｃによりシールドケース６０の内部が封止されている。

なお、変形例２、３のように、遮断粒子４２の含有率が変化している場合には、最も高い領域の含有率が３０重量％以上９５重量％以下であることが好ましく、特に好ましくは５０重量％以上９０重量％以下である。一方、最も低い領域の含有率は０％でもよい。ただし、保護部全体の含有率は３０重量％以上であることが好ましい。

なお、厚さ方向で遮断粒子４２の含有率が変化している保護部は、３層以上の多層構造でもよいし、組成傾斜膜でもよい。

撮像ユニット３Ｃは、粒子含有率が異なる第１の保護部４０Ｃ１と第２の保護部４０Ｃ２とからなるため、配線層１２への接着強度が十分に高く、かつ、保護部中の遮断粒子４２の含有率を大きくできる。

＜第２実施形態＞
次に第２実施形態の内視鏡２Ｄについて説明する。内視鏡２Ｄは、第１実施形態の内視鏡２と、類似しているため、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。

内視鏡２Ｄは、第１実施形態の内視鏡２とは、保護部４０Ｄの構成が異なる。

図１１に示すように、内視鏡２Ｄの撮像装置１Ｄの保護部４０Ｄは、遮断粒子４２に加えて、吸水率が樹脂４１の吸水率よりも高い吸湿粒子４３を含む。

吸水率は、ＪＩＳ７２０９にて評価した。例えば、樹脂４１としてエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂を用いた場合には、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、ベントナイト、またはゼオライトからなる吸湿粒子４３を用いる。

吸湿粒子４３は、樹脂４１に浸入した水分をトラップする。このため、遮断粒子４２に加えて吸湿粒子４３を含む保護部４０Ｄは、保護部４０よりも配線層１２への水分の浸入防止効果が高い。このため、内視鏡２Ｄは内視鏡２の効果を有し、さらに信頼性が高い。

すなわち、内視鏡２Ｄの先端部２ａは、使用時等にだけ高湿度環境にさらされる。例えば医療用内視鏡であれば、体内に挿入される間および使用後の滅菌処理の間に、水分が浸入する可能性がある。吸湿粒子４３がトラップした水分は、使用していない時、特に乾燥処理時に外部へ放出される。

吸湿粒子４３の含有率は、吸湿性改善効果が顕著となる５重量％以上であることが好ましく、上限は６５重量％である。また、遮断粒子４２の含有率と吸湿粒子４３の含有率との合計が３０重量％以上９５重量％以下であることが好ましい。

なお、遮光性を有する、例えばカーボンブラックを吸湿粒子４３として用いることにより、撮像素子への外光の入射を防止することができる。

＜第２実施形態の変形例＞
第２実施形態の変形例１の内視鏡２Ｅでは、図１２に示すように、撮像装置１Ｅの保護部４０Ｅが、遮断粒子４２を含む第１の保護部４０Ｅ１と、吸湿粒子４３を含む第２の保護部４０Ｅ２と、遮断粒子４２を含む第３の保護部４０Ｅ３と、が順に積層された３層構造である。

そして、配線層１２と接する第１の保護部４０Ｅ１の粒子含有率が、外側の第３の保護部４０Ｅ３の粒子含有率よりも少ない。このため、保護部４０Ｅは接着強度が強い。さらに、第３の保護部４０Ｅ３に浸透した水分が保護部４０Ｅ２へ至ったとき、保護部４０Ｅ２でトラップされる。そして、トラップされきらずに保護部４０Ｅ２を通過した水分があった場合、その水分は保護部４０Ｅ１で遮断される。

内視鏡２Ｅは、内視鏡２Ｄ等の効果を有し、さらに信頼性が高い。

次に、図１３に示す第２実施形態の変形例２の内視鏡２Ｆでは、撮像ユニット３Ｆの撮像装置１Ｆの保護部４０Ｆでは、配線層１２の側面を第１の保護部４０Ｆ１が覆っており、さらに、第２の保護部４０Ｆ２が第１の保護部４０Ｆ１を覆っており、さらに第３の保護部４０Ｆ３が封止樹脂６２Ｆとして、撮像装置の後端部を封止している。

なお、撮像ユニット３Ｆはシールドケースを具備しておらず、対物レンズ光学系６１は、カバーガラス３０と接合された枠部材６０Ｆに固定されている。

内視鏡２Ｆは、内視鏡２Ｅの効果を有し、さらに信頼性が高い。また、内視鏡２Ｆは、シールドケースを具備する内視鏡よりも細径化が容易である。

＜撮像装置＞
なお、以上の説明では、撮像装置の配線層１２の側面を特定構成の保護部４０、４０Ａ〜４０Ｆが覆っている内視鏡について説明した。しかし、高い防湿性が要求される環境で使用される各種の撮像装置として、撮像装置１、１〜１Ｆを用いることができることは言うまでもない。

例えば、以下の撮像装置は、耐湿性に優れており、信頼性が高い。

第１の主面に受光部が形成され、第２の主面に前記受光部と電気的に接続されている接合端子を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１の主面に配設された、導体層が絶縁層を介して積層されている配線層と、を有する撮像素子と、前記撮像素子の前記第１の主面側の全体を覆うように接着されているカバーガラスと、を具備する撮像装置であって、
少なくとも前記撮像素子の前記配線層の側面を覆う、樹脂に透湿性が前記樹脂の透湿性よりも低い遮断粒子が分散されている、保護部を有する撮像装置。

以上のように本発明は上述した実施形態等に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等ができる。

１、１Ａ〜１Ｆ…撮像装置
２、２Ａ〜２Ｆ…内視鏡
３…撮像ユニット
９…内視鏡システム
１０…撮像素子
１１…半導体基板
１２…配線層
１３…撮像部
１４…回路部
１５…電極パッド
１７…貫通配線
１８…接合端子
２０…接着層
３０…カバーガラス
４０…保護部
４１…樹脂
４２…遮断粒子
４３…吸湿粒子
５０…封止樹脂
６０…シールドケース
６２…封止樹脂

Claims

第１の主面に受光部が形成され、第２の主面に前記受光部と電気的に接続されている接合端子を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１の主面に配設された、導体層が絶縁層を介して積層されている、配線層と、を有する撮像素子と、
前記撮像素子の前記第１の主面側の全体を覆うように接着されているカバーガラスと、を具備する撮像装置が、挿入部の先端部に配設されている内視鏡であって、
少なくとも前記撮像素子の前記配線層の側面を覆う、樹脂に透湿性が前記樹脂の透湿性よりも低い遮断粒子が分散されている、保護部を有することを特徴とする内視鏡。
前記遮断粒子が、シリカ、またはアルミナからなることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡。
前記遮断粒子の直径が、前記保護部の厚さの１／１００以上１／５以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の内視鏡。
前記遮断粒子の含有率が３０重量％以上９５重量％以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の内視鏡。
前記遮断粒子の含有率が、前記保護部の厚さ方向で変化しており、
外側の領域の粒子含有率が、内側の領域の粒子含有率よりも、大きいことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の内視鏡。
前記保護部が、吸水率が前記樹脂の吸水率よりも高い吸湿粒子を含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の内視鏡。
前記吸湿粒子が、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、ベントナイト、または、ゼオライトからなることを特徴とする請求項６に記載の内視鏡。
前記吸湿粒子が、遮光性を有することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の内視鏡。
前記吸湿粒子の含有率が５重量％以上６５重量％以下であり、
前記遮断粒子の含有率と前記吸湿粒子の含有率との合計が３０重量％以上９５重量％以下であることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の内視鏡。
前記遮断粒子の含有率および前記吸湿粒子の含有率が、前記保護部の厚さ方向で変化していることを特徴とする請求項６から請求項９のいずれか１項に記載の内視鏡。
前記保護部が、前記遮断粒子を含む第１の保護部と、前記吸湿粒子を含む第２の保護部と、前記遮断粒子を含み、粒子含有率が前記第１の保護部よりも大きい、第３の保護部と、が順に積層された多層構造であることを特徴とする請求項１０に記載の内視鏡。
第１の主面に受光部が形成され、第２の主面に前記受光部と電気的に接続されている接合端子を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１の主面に配設された、導体層が絶縁層を介して積層されている配線層と、を有する撮像素子と、
前記撮像素子の前記第１の主面側の全体を覆うように接着されているカバーガラスと、を具備する撮像装置であって、
少なくとも前記撮像素子の前記配線層の側面を覆う、樹脂に透湿性が前記樹脂の透湿性よりも低い遮断粒子が分散されている、保護部を有することを特徴とする撮像装置。