JPWO2016103617A1 - 電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施形態に係る電解コンデンサの断面模式図であり、図2は、同電解コンデンサが具備するコンデンサ素子の一部を展開した概略図である。
≪電解コンデンサの製造方法≫
以下、本実施形態に係る電解コンデンサの製造方法の一例について、工程ごとに説明する。
(i)各材料の準備工程
まず、陽極体21の原料である金属箔を準備する。金属の種類は特に限定されないが、誘電体層の形成が容易である点から、アルミニウム、タンタル、ニオブなどの弁作用金属または弁作用金属を含む合金を用いることが好ましい。
(第1実施形態)
本実施形態では、導電性高分子と多価アルコールとを含む固体電解質層を形成した後、オキソ酸を固体電解質層に含浸させる。
(ii−1)陽極体に導電性高分子と多価アルコールとを含む固体電解質層を形成する工程(第1−1工程)
固体電解質層は、導電性高分子と多価アルコールとを含み、オキソ酸を含まない第2処理液をコンデンサ素子10に含浸させることにより、形成することができる。
(iii−1)第1処理液を含浸させる工程(第2−1工程)
続いて、形成された固体電解質層に、オキソ酸を含む第1処理液を含浸させる。
(iv−1)第1処理液の少なくとも一部を除去する工程(第3−1工程)
第2工程の後、コンデンサ素子10に加熱乾燥や減圧乾燥などの乾燥処理を行い、固体電解質層に含浸されている第1処理液の少なくとも一部を除去してもよい。固体電解質層と誘電体層との密着性がさらに向上するためである。なお、第2処理液(処理液2Aおよび/または処理液2B)が水を含む場合、この工程において、水は、大部分(例えば、全体の90質量%以上)が除去されることが好ましい。
(v)コンデンサ素子を封止する工程
次に、コンデンサ素子10を封止する。具体的には、まず、リード線14A、14Bが有底ケース11の開口する上面に位置するように、コンデンサ素子を有底ケース11に収納する。有底ケース11の材料としては、アルミニウム、ステンレス鋼、銅、鉄、真鍮などの金属あるいはこれらの合金を用いることができる。
(第2実施形態)
本実施形態では、導電性高分子とオキソ酸とを含む固体電解質層を形成した後、多価アルコールを固体電解質層に含浸させる。
(ii−2)陽極体に導電性高分子とオキソ酸とを含む固体電解質層を形成する工程(第1−2工程)
固体電解質層は、導電性高分子とオキソ酸とを含み、多価アルコールを含まない第4処理液をコンデンサ素子10に含浸させることにより、形成することができる。
(iii−2)第3処理液を含浸させる工程(第2−2工程)
続いて、形成された固体電解質層に、多価アルコールを含む第3処理液を含浸させる。固体電解質層に第3処理液を含浸する方法は、特に限定されず、第1処理液を含浸する方法と同じ方法が例示される。
(iv−2)第3処理液の少なくとも一部を除去する工程(第3−2工程)
第2−2工程の後、コンデンサ素子10に加熱乾燥や減圧乾燥などの乾燥処理を行い、コンデンサ素子に含浸されている第3処理液の少なくとも一部を除去してもよい。固体電解質層と誘電体層との密着性がさらに向上するためである。また、第4処理液(処理液4Aまたは処理液4B)が水を含む場合、水は、大部分(例えば、全体の90質量%以上)が除去されることが好ましい。乾燥の条件は、上記と同様であれば良い。
[第1処理液]
第1処理液は、オキソ酸を含んでおり、第1実施形態において形成される固体電解質層に、オキソ酸を含浸させるために用いられる。オキソ酸は、溶媒(第1溶媒)に溶解している。後述するように、第1処理液は多価アルコールを含んでいても良く、オキソ酸は、多価アルコールと錯体を形成した状態で、第1処理液に含まれていても良い。なかでも、ESRの低減効果の点で、少なくとも電離した状態のオキソ酸が第1処理液に含まれていることが好ましい。
[第2処理液]
第2処理液は、導電性高分子と多価アルコールとを含み、オキソ酸を含まないものであって、第1実施形態において固体電解質層を形成するために用いられる。第2処理液において、導電性高分子は粒子の状態で、オキソ酸を含まない溶媒(第2溶媒)に分散しており、多価アルコールは、第2溶媒に溶解あるいは分散している。
[処理液2A]
第2処理液に換えて、導電性高分子を含み、オキソ酸を含まない処理液2Aおよび多価アルコールを含み、オキソ酸を含まない処理液2Bを用いて、固体電解質層を形成しても良い。処理液2Aは、多価アルコールを含まないこと以外は、第2処理液と同様の構成である。処理液2Aにおける導電性高分子の濃度は、第2処理液における濃度と同じであっても良い。
[処理液2B]
処理液2Bは、多価アルコールを含み、オキソ酸を含まない。多価アルコールとしては、第2処理液で例示したのと同様の多価アルコールを挙げることができる。
[第3処理液]
第3処理液は、多価アルコールを含み、第2実施形態において形成される固体電解質層に含浸される。第3処理液は、オキソ酸を含んでいても良いが、ESR低減効果の観点から、少なくともオキソ酸との錯体を形成していない状態の多価アルコールが第3処理液に含まれることが好ましい。
[第4処理液]
第4処理液は、導電性高分子とオキソ酸とを含み、多価アルコールを含んでいないものであって、第2実施形態において固体電解質層を形成するために用いられる。第4処理液において、導電性高分子は粒子の状態で溶媒(第4溶媒)に分散しており、オキソ酸は、第4溶媒に溶解している。
[処理液4A]
第4処理液に換えて、導電性高分子を含み、多価アルコールを含まない処理液4A、および、オキソ酸を含み、多価アルコールを含まない処理液4Bを用いて、固体電解質層を形成しても良い。処理液4Aは、オキソ酸を含まないこと以外は、第4処理液と同様の構成である。処理液4Aにおける導電性高分子(ドーパントもしくはポリアニオンを含む)の濃度は、例えば、処理液2Aと同じであっても良い。
[処理液4B]
処理液4Bは、オキソ酸を含み、多価アルコールを含まない。オキソ酸は、溶媒に溶解している。溶媒としては、第2溶媒として例示したのと同様の溶媒を挙げることができる。処理液4Aの溶媒は、水を含むことが好ましく、その含有割合は、第4処理液と同様であっても良い。処理液4Bにおけるオキソ酸の濃度は、例えば、第4処理液における濃度と同じであっても良い。
[実施例]
以下、実施例に基づいて、本発明をより詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
《実施例1》
本実施例では、定格電圧25V、定格静電容量330μFの巻回型の電解コンデンサ(Φ10mm×L(長さ)10mm)を作製した。以下に、電解コンデンサの具体的な製造方法について説明する。
(陽極体を準備する工程)
厚さ100μmのアルミニウム箔にエッチング処理を行い、アルミニウム箔の表面を粗面化した。その後、アルミニウム箔の表面に、化成処理により、誘電体層を形成した。化成処理は、アジピン酸アンモニウム溶液にアルミニウム箔を浸漬し、これに60Vの電圧を印加することにより行った。
(陰極体を準備する工程)
厚さ50μmのアルミニウム箔にエッチング処理を行い、アルミニウム箔の表面を粗面化した。
(準備工程:コンデンサ素子の作製)
陽極体および陰極体に陽極リードタブおよび陰極リードタブを接続し、陽極体と陰極体とを、リードタブを巻き込みながら、セパレータを介して巻回し、コンデンサ素子を得た。コンデンサ素子から突出する各リードタブの端部には、陽極リード線および陰極リード線をそれぞれ接続した。そして、作製されたコンデンサ素子に対して、再度化成処理を行い、陽極体の切断された端部に誘電体層を形成した。次に、コンデンサ素子の外側表面の端部を巻止めテープで固定した。
(第1工程:固定電解質層の形成)
3,4−エチレンジオキシチオフェンと、ドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸とを、イオン交換水(第1溶媒)に溶かした混合溶液を調製した。得られた混合溶液を撹拌しながら、イオン交換水に溶かした硫酸第二鉄と過硫酸ナトリウムとを添加し、重合反応を行った。反応後、得られた反応液を透析して、未反応モノマーおよび過剰な酸化剤を除去し、約3.0質量%のポリスチレンスルホン酸がドープされたポリエチレンジオキシチオフェンを含む分散液を得た。この分散液に、マンニトールを溶解させて、第2処理液を得た。第2処理液におけるマンニトールの濃度は、3.0質量%であった。
(第2工程:第1処理液の含浸)
ホウ酸および第1溶媒として水を含む第1処理液を準備した。第1処理液におけるホウ酸の濃度は、10質量%とした。この第1処理液を、固体電解質層が形成されたコンデンサ素子に含浸させた。このとき、ホウ酸が、コンデンサ素子に含浸された導電性高分子100質量部に対して、約245質量部含浸されるように、第1処理液を含浸させた。マンニトールは、含浸されたホウ酸100質量部に対して、約50質量部含浸されていた。
(第3工程:乾燥工程)
次いで、コンデンサ素子を150℃で30分間、乾燥した。
(コンデンサ素子を封止する工程)
乾燥されたコンデンサ素子を、図1に示すような外装ケースに収容し、封止して、電解コンデンサを作製した。
《実施例2》
第1処理液に、ホウ酸、EG(第1溶媒)、アジピン酸モノアンモニウム(支持電解質)を含ませたこと、乾燥工程(第3工程)を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして電解コンデンサを作製した。ホウ酸は、コンデンサ素子に含浸された導電性高分子100質量部に対して、約93質量部含浸されており、マンニトールは、含浸されたホウ酸100質量部に対して、約132質量部含浸されていた。評価結果を表1に示す。
《実施例3》
ホウ酸に替えてリン酸を使用し、リン酸を、コンデンサ素子に含浸された導電性高分子100質量部に対して約62質量部含浸させたこと以外は、実施例2と同様にして電解コンデンサを作製した。マンニトールは、含浸されたリン酸100質量部に対して、約200質量部含浸されていた。評価結果を表1に示す。
《実施例4》
マンニトールに替えてグリセリンを使用したこと以外は、実施例2と同様にして電解コンデンサを作製した。評価結果を表1に示す。
《比較例1》
第2処理液にマンニトールを添加しなかったこと、および、第1処理液を使用しなかったこと以外は、実施例1と同様にして電解コンデンサを作製した。評価結果を表1に示す。
《比較例2》
第2処理液にマンニトールとともにホウ酸を添加したこと、および、第1処理液を使用しなかったこと以外は、実施例2と同様にして電解コンデンサを作製した。評価結果を表1に示す。
《比較例3》
第2処理液にマンニトールを添加しなかったこと、および、第1処理液にホウ酸とともにマンニトールを添加したこと以外は、実施例2と同様にして電解コンデンサを作製した。評価結果を表1に示す。
Claims (10)
- 誘電体層が形成された陽極体に、導電性高分子と多価アルコールとを含む固体電解質層を形成する第1工程と、
前記固体電解質層が形成された前記陽極体に、ヒドロキシ基を2つ以上持つオキソ酸を含む第1処理液を含浸させる第2工程と、を有する、電解コンデンサの製造方法。 - 前記固体電解質層は、前記導電性高分子と前記多価アルコールとを含み、前記オキソ酸を含まない第2処理液を前記陽極体に含浸させて形成される、請求項1に記載の電解コンデンサの製造方法。
- 誘電体層が形成された陽極体に、導電性高分子とヒドロキシ基を2つ以上持つオキソ酸とを含む固体電解質層を形成する第1工程と、
前記固体電解質層が形成された前記陽極体に、多価アルコールを含む第3処理液を含浸させる第2工程と、を有する、電解コンデンサの製造方法。 - 前記固体電解質層は、前記導電性高分子と前記オキソ酸とを含み、前記多価アルコールを含まない第4処理液を前記陽極体に含浸させて形成される、請求項3に記載の電解コンデンサの製造方法。
- 前記第1処理液または前記第3処理液が、支持電解質を含む電解液である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電解コンデンサの製造方法。
- 前記第2工程の後に、前記第1処理液または前記第3処理液の少なくとも一部を除去する第3工程を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電解コンデンサ。
- 前記オキソ酸が、ホウ酸、リン酸、ホスホン酸、ポリリン酸、亜硫酸、チオ硫酸およびそれらの誘導体よりなる群から選択される少なくとも1つである請求項1〜6のいずれか一項に記載の電解コンデンサの製造方法。
- 前記多価アルコールが、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、ポリグリセリン、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、トリメチロールプロパン、マンニトール、キシリトール、エリスリトールおよびペンタエリスリトールよりなる群から選択される少なくとも1つである、請求項1〜7のいずれか一項に記載の電解コンデンサの製造方法。
- 前記オキソ酸が、前記陽極体に、前記導電性高分子100質量部に対して10〜1,000質量部含浸される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の電解コンデンサの製造方法。
- 前記多価アルコールが、前記陽極体に、前記オキソ酸100質量部に対して20〜2,000質量部含浸される、請求項1〜9のいずれか一項に記載の電解コンデンサの製造方法。
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