JP6604497B2 - 電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、電解コンデンサの製造方法に関し、詳細には、低ESR特性を有する電解コンデンサの製造方法に関する。
電子機器のデジタル化に伴い、それに使用されるコンデンサにも小型、大容量で高周波領域における等価直列抵抗(ESR)の小さいものが求められるようになってきている。
小型、大容量で低ESRのコンデンサとしては、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリアニリン等の導電性高分子を陰極材として用いた電解コンデンサが有望である。例えば、誘電体層を形成した陽極箔に、陰極材として導電性高分子を含む固体電解質層を設けたコンデンサ素子が提案されている。
特許文献1では、導電性高分子の分散液に誘電体層を有する陽極体を浸漬させた後、乾燥させて固体電解質層を形成し、ついで、溶媒や溶液と接触させて、再度乾燥し、固体電解コンデンサを得る方法が提案されている。
特開2011−109024号公報
特許文献1では、乾燥工程を経て固体電解質層を形成したのち、他の溶媒や溶液と接触させている。乾燥工程を経ることにより、固体電解質層と誘電体層との密着性が良くなるためである。さらに、固体電解質層に溶媒が残存する場合、得られるコンデンサの特性変動が懸念されるためである。しかし、特許文献1の方法では、ESRの低減が困難な場合がある。
本発明の第一の局面は、誘電体層を有する陽極体を準備する第1工程と、前記陽極体に、導電性高分子が第1溶媒に溶解または分散した第1処理液を含浸する第2工程と、前記第2工程の後、前記陽極体に含浸された前記第1溶媒の一部を除去する第3工程と、前記第3工程の後、前記陽極体に、前記第1溶媒と混和する第2溶媒を含む第2処理液を含浸させてコンデンサ素子を得る第4工程と、を含み、前記第3工程では、前記陽極体を、温度15℃以上かつ相対湿度60%以上の雰囲気に曝露する、電解コンデンサの製造方法に関する。
本発明によれば、ESRが低減された電解コンデンサが得られる。
本発明の一実施形態により得られる電解コンデンサの断面模式図である。 同実施形態により得られるコンデンサ素子の構成を説明するための概略図である。
以下、本発明を実施形態に基づいて、より具体的に説明する。ただし、以下の実施形態は本発明を限定するものではない。
≪電解コンデンサ≫
図1は、本実施形態に係る製造方法により得られる電解コンデンサの断面模式図であり、図2は、同電解コンデンサに係るコンデンサ素子の一部を展開した概略図である。
図1において、電解コンデンサは、コンデンサ素子10と、コンデンサ素子10を収容する有底ケース11と、有底ケース11の開口を塞ぐ封止部材12と、封止部材12を覆う座板13と、封止部材12から導出され、座板13を貫通するリード線14A、14Bと、各リード線とコンデンサ素子10の各電極とを接続するリードタブ15A、15Bと、を備える。有底ケース11の開口端近傍は、内側に絞り加工されており、開口端は封止部材12にかしめるようにカール加工されている。
コンデンサ素子10は、素子から作製される。素子とは、コンデンサ素子10の半製品であり、誘電体層を有する陽極体21を備え、導電性高分子を含む固体電解質層が形成されていないものをいう。また、図2に示すように、素子は、リードタブ15Aと接続された陽極体21と、リードタブ15Bと接続された陰極体22と、セパレータ23とを備えていてもよい。この場合、陽極体21および陰極体22は、セパレータ23を介して巻回されているため、この素子は巻回体とも称される(以下、誘電体層を有する陽極体(素子)を、巻回体と称する場合がある)。巻回体の最外周は、巻止めテープ24により固定される。なお、図2は、巻回体の最外周を止める前の、一部が展開された状態を示している。
陽極体21は、表面が凹凸を有するように粗面化された金属箔を具備し、凹凸を有する金属箔上に誘電体層が形成されている。
コンデンサ素子10は、金属箔に形成された誘電体層の表面の少なくとも一部を覆う固体電解質層を有する。固体電解質層は、陰極体22の表面および/またはセパレータ23の少なくとも一部を被覆していてもよい。なお、コンデンサ素子10は、電解液とともに、有底ケース11、封止部材12などで構成された外装ケースに収容されてもよい。
≪電解コンデンサの製造方法≫
以下、本実施形態に係る電解コンデンサの製造方法の一例について、工程ごとに説明する。
(i)誘電体層を有する陽極体21を準備する工程(第1工程)
まず、陽極体21の原料である金属箔を準備する。金属の種類は特に限定されないが、誘電体層の形成が容易である点から、アルミニウム、タンタル、ニオブなどの弁作用金属または弁作用金属を含む合金を用いることが好ましい。
次に、金属箔の表面を粗面化する。粗面化により、金属箔の表面に、複数の凹凸が形成される。粗面化は、金属箔をエッチング処理することにより行うことが好ましい。エッチング処理は、例えば直流電解法や交流電解法等により行っても良い。
次に、粗面化された金属箔の表面に誘電体層を形成する。誘電体層の形成方法は特に限定されないが、金属箔を化成処理することにより形成することができる。化成処理として、例えば、金属箔をアジピン酸アンモニウム溶液などの化成液に浸漬して、電圧を印加しても良い。
通常は、量産性の観点から、大判の弁作用金属などの箔(金属箔)に対して、粗面化処理および化成処理が行われる。その場合、処理後の箔を所望の大きさに裁断することによって、陽極体21が準備される。
(ii)陰極体22を準備する工程
陰極体22にも、陽極体と同様、金属箔を用いることができる。金属の種類は特に限定されないが、アルミニウム、タンタル、ニオブなどの弁作用金属または弁作用金属を含む合金を用いることが好ましい。必要に応じて、陰極体22の表面を粗面化してもよい。
(iii)巻回体の作製
次に、陽極体21および陰極体22を用いて巻回体を作製する。
まず、陽極体21と陰極体22とを、セパレータ23を介して巻回する。このとき、リードタブ15A、15Bを巻き込みながら巻回することにより、図2に示すように、リードタブ15A、15Bを巻回体から植立させることができる。
セパレータ23の材料は、例えば、セルロース、ナイロン、ポリエチレンテレフタレート、ビニロン、アラミド繊維などを主成分とする不織布を用いることができる。
リードタブ15A、15Bの材料も特に限定されず、導電性材料であればよい。リードタブ15A、15Bの各々に接続されるリード線14A、14Bの材料についても、特に限定されず、導電性材料であればよい。
次に、巻回された陽極体21、陰極体22およびセパレータ23のうち、最外層に位置する陰極体22の外側表面に、巻止めテープ24を配置し、陰極体22の端部を巻止めテープ24で固定する。なお、陽極体21を大判の金属箔を裁断することによって準備した場合には、陽極体21の裁断面に誘電体層を設けるために、巻回体に対し、さらに化成処理を行ってもよい。
(iv)陽極体(巻回体)に第1処理液を含浸する工程(第2工程)
次に、第1溶媒に導電性高分子が溶解した導電性高分子溶液、または、第1溶媒と導電性高分子の粒子とを含む導電性高分子分散液である第1処理液を、巻回体に含浸し、第1処理液を巻回体に付与する。
巻回体に第1処理液を含浸させる方法は、特に限定されない。例えば、容器に収容された第1処理液に巻回体を浸漬させる方法、第1処理液を巻回体に滴下する方法などを用いることができる。含浸時間は、巻回体のサイズにもよるが、例えば1秒〜5時間、好ましくは1分〜30分である。また、含浸は、減圧下で行ってもよい。また、巻回体を第1処理液に浸漬させながら、巻回体または第1処理液に超音波振動を付与してもよい。
導電性高分子としては、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリチオフェンビニレンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよく、2種以上のモノマーの共重合体でもよい。
なお、本明細書では、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリアニリンなどは、それぞれ、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリアニリンなどを基本骨格とする高分子を意味する。したがって、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリアニリンなどには、それぞれの誘導体も含まれ得る。例えば、ポリチオフェンには、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)などが含まれる。
導電性高分子溶液に含まれる導電性高分子は、第1溶媒に溶解している。また、導電性高分子分散液に含まれる導電性高分子は、粒子の状態で第1溶媒に分散している。導電性高分子分散液は、例えば、第1溶媒に導電性高分子の粒子を分散させる方法や、第1溶媒中で導電性高分子の前駆体モノマーを重合させて、第1溶媒中に導電性高分子の粒子を生成させる方法などにより得ることができる。
導電性高分子は、ドーパントを含んでいてもよい。ドーパントとしては、ポリアニオンを用いることができる。ポリアニオンとしては、ポリスチレンスルホン酸由来のポリアニオンが好ましい。ポリアニオンの具体例としては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリルスルホン酸、ポリメタクリルスルホン酸、ポリ(2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸)、ポリイソプレンスルホン酸、ポリアクリル酸などのアニオンが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これらは、単独モノマーの重合体であってもよく、2種以上のモノマーの共重合体であってもよい。
ポリアニオンの重量平均分子量は、特に限定されないが、例えば1,000〜1,000,000である。このようなポリアニオンは、第1溶媒中に均質に分散し易く、均質な固体電解質層を形成しやすい。
また、導電性高分子が粒子の状態で第1溶媒に分散している場合、その粒子の平均粒径D50は、例えば0.01〜0.5μmであることが好ましい。ここで、平均粒径D50は、動的光散乱法による粒径測定装置により測定される体積粒度分布におけるメディアン径である。
第1処理液における導電性高分子(ドーパントもしくはポリアニオンを含む)濃度は、0.5〜10質量%であることが好ましい。このような濃度で導電性高分子を含む第1処理液は、適度な厚みの固体電解質層を形成するのに適するとともに、巻回体に対して含浸されやすいため、生産性を向上させる点でも有利である。
第1溶媒は、水でもよく、水と非水溶媒との混合物でもよく、非水溶媒でもよい。非水溶媒とは、水および水を含む液体を除く、液体の総称であり、有機溶媒やイオン性液体が含まれる。第1溶媒は、特に限定されず、プロトン性溶媒であっても、非プロトン性溶媒であってもよい。プロトン性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、1−プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、グリセリン、ポリグリセリンなどのアルコール類、ホルムアルデヒド、1,4−ジオキサンなどのエーテル類および水などが挙げられる。非プロトン性溶媒としては、例えば、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどのアミド類や、酢酸メチル、γ−ブチロラクトンなどのエステル類、メチルエチルケトンなどのケトン類、ジメチルスルホキシド、スルホランなどの硫黄含有化合物、炭酸プロピレンなどのカーボネート化合物などが挙げられる。第1溶媒としては、これらを単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
特に、第1溶媒は、プロトン性溶媒を含んでいることが好ましい。さらに、第1溶媒が、水を50質量%以上含んでいることが好ましい。この場合、取扱い性および導電性高分子を分散させる場合の分散性が向上する。また、第1溶媒が低粘度であることから、導電性高分子と第2溶媒との接触性が向上することが期待できる。
(v)陽極体(巻回体)に含浸された第1溶媒の一部を除去する工程(第3工程)
次に、第1処理液が付与された巻回体を、温度15℃以上かつ相対湿度60%以上の雰囲気に曝露することにより、第1溶媒の一部を蒸発させ、除去する。第1溶媒の一部を蒸発させる温度は、25℃以上であることが好ましい。蒸発温度の上限は、85℃であることが好ましく、60℃であることがより好ましい。また、相対湿度の上限は、100%であることが好ましく、90%であることがより好ましい。
第1処理液が付与された巻回体を、温度15℃以上かつ相対湿度60%以上の雰囲気という、穏やかな条件で乾燥させることにより、乾燥工程中に導電性高分子の配置の均一化が進むものと考えられる。さらに、後述するように、続いて行われる第2処理液の含浸工程においても、導電性高分子の配置の均一化が進行する。
第1溶媒の蒸発量は、10〜80質量%であることが好ましく、10〜50質量%であることがより好ましい。曝露する時間は、蒸発させる量によって適宜選択すればよいが、例えば、5分〜12時間とすることができる。
ここで、第1処理液が付与された直後の巻回体の質量を1A、第2処理液を付与する直前の巻回体の質量を2B、巻回体の質量を1Bとした場合、第1溶媒の蒸発量(割合)は、[(1A−1B)×第1処理液中の第1溶媒の配合割合−{(2B−1B)−(1A−1B)×第1処理液中の導電性高分子の配合割合)}]、で表わされる、巻回体から蒸発した第1溶媒の量を、{(1A−1B)×第1処理液中の第1溶媒の配合割合)}、で表わされる、巻回体に付与された第1溶媒の量で除して、100を乗じることにより、算出することができる。
第1溶媒の蒸発量が、巻回体に付与された第1溶媒のうちの一部であると、第2溶媒と導電性高分子との接触が生じやすく、その結果、導電性高分子が十分に均一化され、所望のESR値の低減効果を得ることが容易となる。第1溶媒がすべて蒸発すると、導電性高分子の固化が進み、第2溶媒が導電性高分子と接触しても、導電性高分子の均一化が起こりにくくなる。また、第1溶媒の除去を行わないと、第1溶媒によって導電性高分子と第2溶媒との接触が妨げられ易くなり、導電性高分子の均一化が起こりにくくなる。
(vi)陽極体(巻回体)に第2処理液を含浸させる工程(第4工程)
第1溶媒の一部を蒸発させた後、巻回体に第2溶媒を含む第2処理液を含浸させる。すなわち、第1溶媒の残部と導電性高分子とを有する誘電体層の表面に、第2溶媒が付与される。誘電体層の表面には第1溶媒が残存しているため、第1溶媒と混和する第2溶媒が付与されることにより、第2溶媒と、第1溶媒とともに誘電体層31の表面に存在する導電性高分子とが接触する。このとき、第2溶媒は、導電性高分子の配置を均一化する。
第1溶媒の乾燥工程を、相対湿度が60%以上という多湿の環境で行うため、巻回体に付与された第1溶媒は、一様に除去されていく。そのため、巻回体には、第1溶媒が均一な状態で残存する。そこに、第1溶媒と混和する第2溶媒が含浸されると、第1溶媒が均一に残存する部分に、第2溶媒が入り込み、導電性高分子と第2溶媒とがムラなく接触することになる。これにより、誘電体層の表面全体で、導電性高分子の配置がさらに均一化される。相対湿度が60%より低いと、第1溶媒は一様には蒸発せず、局所的に乾燥の進んだ箇所が生じる。そのため、導電性高分子の配置の均一化が十分ではなくなる。このように、乾燥工程および第2処理液の含浸工程において、導電性高分子の配置が均一化されることにより、導電性が向上し、ESR値が低減する。
巻回体に第2処理液を含浸させる方法は、特に限定されないが、巻回体を第2処理液中に浸漬する方法、第2処理液を巻回体に滴下する方法などが挙げられる。また、巻回体に第2処理液を塗布してもよい。
第2溶媒は、第1溶媒と混和するものであれば、特に限定されない。ここで、混和とは、第1溶媒と第2溶媒とが混ざり合い、均質な状態になることをいい、第1溶媒と混和する溶媒とは、第1溶媒と混ざり合い、均質な状態になることのできる溶媒をいう。
第2溶媒は、第1溶媒と同じであっても異なっていてもよい。第2溶媒は、導電性高分子に対して、その配列をさらに均一化させる作用を有していることが好ましい。ESR値の低減効果がさらに向上するためである。また、第2溶媒は、第1溶媒よりも沸点の高い溶媒を含むことが好ましい。必要に応じて行われる第2溶媒の除去工程(第5工程)において、第1溶媒の蒸発が穏やかになり、導電性高分子の配置がより均一化されると考えられるためである。
第2溶媒としては、第1溶媒と同じ溶媒を例示することができる。すなわち、水でもよく、水と非水溶媒との混合物でもよく、非水溶媒でもよい。第2溶媒は、特に限定されず、プロトン性溶媒であっても、非プロトン性溶媒であってもよい。第2溶媒としては、これらを単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、第1溶媒がプロトン性溶媒を含む場合には、第2溶媒は、非プロトン性溶媒を含んでいることが好ましい。ESR値の低減効果がさらに向上するためである。
第2溶媒は、巻回体に付与された導電性高分子100質量部に対して、200〜10,000質量部、巻回体に付与されることが好ましい。導電性高分子の配置の均一性が、より向上するためである。
以上により、陽極体21と陰極体22との間に、誘電体層の表面の少なくとも一部を覆うように固体電解質層が形成される。このとき、固体電解質層は、誘電体層の表面だけでなく、陰極体22および/またはセパレータ23の表面に形成されてもよい。誘電体層の表面に形成された固体電解質層は、事実上の陰極材料として機能する。
(vii)第2溶媒の少なくとも一部を除去する工程(第5工程)
巻回体に第2処理液を含浸させた後、第2溶媒の少なくとも一部を除去してもよい。なかでも、固体電解質層の定着の観点からは、第2溶媒の少なくとも一部を除去することが好ましい。第2溶媒は、ほぼ全てを除去してもよい。加熱により、第2溶媒を除去する場合、加熱温度は、第2溶媒の沸点より高い温度であってもよく、例えば50〜300℃が好ましく、100〜200℃がより好ましい。第2溶媒を蒸発させる量は、特に限定されない。第1溶媒が水を含む場合には、このとき水も除去される。
巻回体に第1処理液を含浸させる工程(第2工程)と、第1溶媒の一部を除去する工程(第3工程)、および、第2処理液を含浸させる工程(第4工程)は、これらを一連の工程として、2回以上繰り返してもよい。この一連の工程を複数回行うことにより、誘電体層に対する固体電解質層の被覆率を高めることができる。また、第2工程を複数回行った後、第3工程および第4工程を行ってもよい。
(viii)コンデンサ素子に電解液を含浸させる工程(第6工程)
第2溶媒を含浸させた後、コンデンサ素子に電解液を含浸させてもよい。これにより、誘電体層の修復機能が向上し、電解コンデンサの耐電圧特性を向上させることができる。
電解液は、非水溶媒であってもよく、非水溶媒とこれに溶解させたイオン性物質(溶質)との混合物であってもよい。溶質としては、有機塩が好ましい。
非水溶媒は、有機溶媒でもよく、イオン性液体でもよい。非水溶媒としては、高沸点溶媒が好ましい。例えば、エチレングリコール、プロピレングリコールなとの多価アルコール類、スルホランなどの環状スルホン類、γ−ブチロラクトンなどのラクトン類、ホルムアルデヒド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどのアミド類、酢酸メチルなどのエステル類、1,4−ジオキサンなどのエーテル類、メチルエチルケトンなどのケトン類などを用いることができる。
有機塩とは、アニオンおよびカチオンの少なくとも一方が有機物を含む塩である。有機塩としては、例えば、マレイン酸トリメチルアミン、ボロジサリチル酸トリエチルアミン、フタル酸エチルジメチルアミン、フタル酸モノ1,2,3,4−テトラメチルイミダゾリニウム、フタル酸モノ1,3−ジメチル−2−エチルイミダゾリニウムなどを用いてもよい。
コンデンサ素子10に電解液を含浸させる方法は、特に限定されない。例えば、容器に収容された電解液に、コンデンサ素子10を浸漬させる方法や、電解液をコンデンサ素子10に滴下する方法などを用いることができる。含浸は、減圧下で行ってもよい。
(ix)コンデンサ素子を封止する工程(第7工程)
次に、コンデンサ素子10を封止する。具体的には、まず、リード線14A、14Bが有底ケース11の開口する上面に位置するように、コンデンサ素子10を有底ケース11に収納する。有底ケース11の材料としては、アルミニウム、ステンレス鋼、銅、鉄、真鍮などの金属あるいはこれらの合金を用いることができる。
次に、リード線14A、14Bが貫通するように形成された封止部材12を、コンデンサ素子10の上方に配置し、コンデンサ素子10を有底ケース11内に封止する。封止部材12は、絶縁性物質であればよい。絶縁性物質としては弾性体が好ましく、中でも耐熱性の高いシリコーンゴム、フッ素ゴム、エチレンプロピレンゴム、ハイパロンゴム、ブチルゴム、イソプレンゴムなどが好ましい。
次に、有底ケース11の開口端近傍に、横絞り加工を施し、開口端を封止部材12にかしめてカール加工する。そして、カール部分に座板13を配置することによって、図1に示すような電解コンデンサが完成する。その後、定格電圧を印加しながら、エージング処理を行ってもよい。
上記の実施形態では、巻回型の電解コンデンサについて説明したが、本発明の適用範囲は上記に限定されず、他の電解コンデンサ、例えば、陽極体として金属の焼結体を用いるチップ型の電解コンデンサや、金属板を陽極体として用いる積層型の電解コンデンサにも適用することができる。
[実施例]
以下、実施例に基づいて、本発明をより詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
《実施例1》
本実施例では、定格電圧100V、定格静電容量15μFの巻回型の電解コンデンサ(Φ8mm×L(長さ)12mm)を作製した。以下に、電解コンデンサの具体的な製造方法について説明する。
(陽極体を準備する工程)
厚さ100μmのアルミニウム箔にエッチング処理を行い、アルミニウム箔の表面を粗面化した。その後、アルミニウム箔の表面に、化成処理により、誘電体層を形成した。その後、アルミニウム箔を、縦×横が6mm×120mmとなるように裁断して、陽極体を準備した。
(陰極体を準備する工程)
厚さ50μmのアルミニウム箔にエッチング処理を行い、アルミニウム箔の表面を粗面化した。その後、アルミニウム箔を、縦×横が6mm×120mmとなるように裁断して、陰極体を準備した。
(巻回体の作製)
陽極体および陰極体に陽極リードタブおよび陰極リードタブを接続し、陽極体と陰極体とを、リードタブを巻き込みながら、セパレータを介して巻回した。巻回体から突出する各リードタブの端部には、陽極リード線および陰極リード線をそれぞれ接続した。そして、作製された巻回体に対して、再度、化成処理を行い、陽極体の切断された端部に誘電体層を形成した。次に、巻回体の外側表面の端部を巻止めテープで固定して巻回体を作製した。
(第1処理液の調製)
3,4−エチレンジオキシチオフェンと、ドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸とを、イオン交換水(第1溶媒)に溶かした混合溶液を調製した。得られた混合溶液を撹拌しながら、イオン交換水に溶かしたp−トルエンスルホン酸第二鉄塩溶液(酸化剤)を添加し、重合反応を行った。反応後、得られた反応液を透析して、未反応モノマーおよび過剰な酸化剤を除去し、約5質量%のポリスチレンスルホン酸がドープされたポリエチレンジオキシチオフェンを含む溶液を得た。得られた溶液にイミダゾールを均一に分散させ、第1処理液を得た。導電性高分子の粒子は、動的光散乱法による粒径測定装置((株)堀場製作所製、動的光散乱式粒径分布測定装置LB‐500)により測定される体積粒度分布におけるメディアン径が100nmであった。
(第1処理液の含浸)
減圧雰囲気(40kPa)中で、所定容器に収容された第1処理液に巻回体を5分間浸漬し、その後、第1処理液から巻回体を引き上げた。
(第1溶媒の除去)
次に、巻回体を45℃、相対湿度60%の環境下で30分間乾燥させ、第1溶媒の一部を除去した。このとき、第1溶媒の蒸発量は、40質量%であった。
(第2処理液の含浸)
次いで、ジメチルスルホキシド(第2溶媒)を含む第2処理液を巻回体に含浸させた。このとき、第2溶媒を、巻回体に付与された導電性高分子100質量部に対して、1,000質量部付与した。
(第2溶媒の除去)
第2処理液が含浸された巻回体を、150℃の乾燥炉内で20分間乾燥させて、第2溶媒の少なくとも一部を除去し、固体電解質層を具備するコンデンサ素子を作製した。
(電解液の含浸)
減圧雰囲気(40kPa)中で、γ−ブチロラクトンとスルホランとの混合溶媒(非水溶媒)を、上記コンデンサ素子を含浸させた。
(コンデンサ素子の封止)
非水溶媒を含浸させたコンデンサ素子を封止して、図1に示すような電解コンデンサを完成させた。その後、定格電圧を印加しながら、130℃で2時間エージング処理を行った。
得られた電解コンデンサについて、静電容量、ESRおよびリーク電流(LC)を測定した。その結果を表1に示す。
また、長期信頼性を評価するために、定格電圧を印加しながら125℃で1000時間保持し、ESRの増加率(ΔESR:初期値(X0)に対する1000時間保持後のESR(X)の比(X/X0))を求めた。ΔESRが、1.2以下の場合を○、1.2を超えた場合を×として評価した。結果を、併せて表1に示す。なお、それぞれの特性値は、300個の試料の平均値である。
《実施例2〜4および比較例1〜4》
表1に示す条件で、第1溶媒を蒸発させたこと以外は、実施例1と同様にして電解コンデンサを作製し、上記と同様に評価した。なお、実施例4は、第2溶媒としてエチレングリコールを用い、比較例3は、第1溶媒の蒸発を行わなかった。
Figure 0006604497
実施例1〜4では、ESRおよび漏れ電流ともに低い数値となった。これは、第1溶媒の一部を除去する際の条件が穏やかであったため、導電性高分子の配置の均一性が高まった結果であると考えられる。また、第1溶媒を完全に除去した比較例4では、ESRが非常に大きかった。
また、参考として、温度25℃、相対湿度0%の条件下で放置して、第1溶媒の一部を蒸発させ、実施例1と同様にして電解コンデンサの特性を評価した。結果を表2に示す。
Figure 0006604497
表2の結果から、第1溶媒の蒸発率を10〜50質量%することによっても、ESRが低減されることがわかった。この理由は定かではないが、以下のように考えられる。
第2溶媒を含浸させる際に、巻回体には第1溶媒が残存している。そのため、導電性高分子はまだ十分に固化していない。そこへ、第1溶媒と混和する第2溶媒が付与されると、巻回体の第1溶媒が存在する部分に第2溶媒が入り込み、導電性高分子と第2溶媒とが接触することになる。これにより、導電性高分子の配置がより均一化される。その結果、導電性が向上し、ESR値が低減する。
つまり、ESR値の低減には、導電性高分子と第2溶媒とが接触することがポイントの一つであると考えられ、導電性高分子と第2溶媒との接触が多いほど、ESR値の低減効果が高くなる。そして、この導電性高分子と第2溶媒との接触には、第1溶媒の残存量が大きく影響する。
すなわち、誘電体層を有する陽極体を準備する工程と、前記陽極体に、第1溶媒に前記導電性高分子が溶解または分散した第1処理液を含浸させる工程と、前記陽極体に含浸された第1処理液に含まれる前記第1溶媒の10〜50質量%を蒸発させる工程と、前記第1溶媒を蒸発させる工程の後に、前記陽極体に、前記第1溶媒と混和する第2溶媒を含浸させてコンデンサ素子を得る工程と、を有する製造方法で得られる電解コンデンサは、低ESR特性を有する。
なお、第1溶媒を蒸発させる方法および条件は特に限定されず、加熱乾燥や減圧乾燥などが例示される。第1溶媒の蒸発量は、15〜25質量%であることが好ましい。蒸発量がこの範囲であれば、ESR値の低減効果がより大きくなる。
本発明は、陰極材料として固体電解質層を具備する電解コンデンサに利用することができる。
10:コンデンサ素子、11:有底ケース、12:封止部材、13:座板、14A,14B:リード線、15A,15B:リードタブ、21:陽極体、22:陰極体、23:セパレータ、24:巻止めテープ

Claims (6)

  1. 誘電体層を有する陽極体を準備する第1工程と、
    前記陽極体に、導電性高分子が第1溶媒に溶解または分散した第1処理液を含浸する第2工程と、
    前記第2工程の後、前記陽極体に含浸された前記第1溶媒の一部を除去する第3工程と、
    前記第3工程の後、前記陽極体に、前記第1溶媒と混和する第2溶媒を含む第2処理液を含浸させてコンデンサ素子を得る第4工程と、を含み、
    前記第4工程の直前において、前記誘電体層の表面には前記第1溶媒が残存しており、
    前記第1溶媒は水であり、前記第2溶媒は前記第1溶媒と異なり、
    前記第3工程では、前記陽極体を、温度15℃以上85℃以下かつ相対湿度60%以上の雰囲気に曝露する、電解コンデンサの製造方法。
  2. 前記第2処理液には、導電性高分子が分散または溶解していない、請求項1に記載の電解コンデンサの製造方法。
  3. 前記第3工程において、前記含浸された前記第1処理液に含まれる前記第1溶媒の10〜50質量%を除去する、請求項1または2に記載の電解コンデンサの製造方法。
  4. 前記第2溶媒は、前記第1溶媒よりも沸点が高い、請求項1〜のいずれか一項に記載の電解コンデンサの製造方法。
  5. 前記第2溶媒は、ジメチルスルホキシドである、請求項1〜のいずれか一項に記載の電解コンデンサの製造方法。
  6. 前記第4工程の後、前記第2溶媒の少なくとも一部を除去する第5工程と、
    前記第5工程の後、前記コンデンサ素子に電解液を含浸させる第6工程と、をさらに含み、
    前記第6工程の直前において、前記コンデンサ素子には前記第2溶媒が残存している、請求項1〜のいずれか一項に記載の電解コンデンサの製造方法。
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JP2008172277A (ja) * 2008-03-31 2008-07-24 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサ
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JP5371710B2 (ja) * 2009-11-20 2013-12-18 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JP6180010B2 (ja) * 2012-10-18 2017-08-16 テイカ株式会社 電解コンデンサの製造方法
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