JPWO2016067154A1 - 表示素子、表示装置、または電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
マイクロマシン100の一例について、図1乃至図10を用いて説明する。なお、本明細書等では、マイクロマシン100として、平行平板型の静電アクチュエータの一例を示す。
図1(A)および図1(B)は、マイクロマシン100の一例を説明するための斜視図である。なお、図1(A)にX軸方向、Y軸方向、およびZ軸方向を示す矢印を付している。X軸方向、Y軸方向、およびZ軸方向は、それぞれが互いに直交する方向である。図2(A)は、マイクロマシン100の上面図である。図2(B)は、マイクロマシン100をX軸方向から見た側面図である。図2(C)は、マイクロマシン100をY軸方向から見た側面図である。
基板101としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板(例えば、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板など)、半導体基板(例えば、単結晶半導体基板、他結晶半導体基板、または化合物半導体基板など)SOI(SOI:Silicon on Insulator)基板、などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。
絶縁層102は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、ハフニウムシリケート、窒素が添加されたハフニウムシリケート、窒素が添加されたハフニウムアルミネートから選ばれた材料を、単層でまたは積層して形成することができる。また、酸化物材料、窒化物材料、酸化窒化物材料、窒化酸化物材料のうち、複数の材料を混合した材料を用いてもよい。絶縁層102は、スパッタリング法やCVD法、熱酸化法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能である。
電極103および電極104(これと同じ層で形成される他の電極または配線を含む)を形成するための導電性材料としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム等から選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金、または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体や、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。導電層の形成方法は特に限定されず、蒸着法、CVD法、スパッタリング法、スピンコート法などの各種形成方法を用いることができる。
CVD)法などに分類できる。
Beam Epitaxy)法、PLD(Pulsed Laser Deposition)法、IAD蒸着(IAD:Ion beam Assisted Deposition)法、ALD(ALD:Atomic Layer Deposition)法などに分類できる。
絶縁層105は、絶縁層102と同様の材料および方法で形成することができる。絶縁層105は、例えば、1層目を窒化シリコン層とし、2層目を酸化シリコン層とした多層膜としてもよい。この場合、酸化シリコン層は酸化窒化シリコン層でも構わない。また、窒化シリコン層は窒化酸化シリコン層でも構わない。酸化シリコン層は、欠陥密度の小さい酸化シリコン層を用いると好ましい。具体的には、電子スピン共鳴(ESR:Electron Spin Resonance)にてg値が2.001の信号に由来するスピンのスピン密度が3×1017spins/cm3以下、好ましくは5×1016spins/cm3以下である酸化シリコン層を用いる。また、酸化シリコン層は、過剰酸素を含む酸化シリコン層を用いると好ましい。窒化シリコン層は水素およびアンモニアの放出量が少ない窒化シリコン層を用いることが好ましい。水素、アンモニアの放出量は、TDS分析にて測定すればよい。
半導体層106は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体等を用いて形成することができる。例えば、非晶質シリコンや、微結晶ゲルマニウム等を用いることができる。また、炭化シリコン、ガリウム砒素、酸化物半導体、窒化物半導体などの化合物半導体や、有機半導体等を用いることができる。
電極107a、および電極107b(これらと同じ層で形成される他の電極または配線を含む)は、電極103および電極104と同様の材料および方法で作製することができる。すなわち、電極107aおよび電極107bを形成するための導電層を選択的にエッチングすることで、電極107aおよび電極107bを形成することができる。この時、露出した半導体層106の一部がエッチングされる場合がある。
絶縁層108は、絶縁層102と同様の材料および方法で形成することができる。絶縁層108は、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。なお、半導体層106に酸化物半導体を用いる場合は、少なくとも絶縁層108の半導体層106と接する領域に、酸化物材料または過剰酸素を含む絶縁材料を用いることが好ましい。特に、絶縁層108に過剰酸素を含む酸化物材料を用いることが好ましい。
絶縁層109は、絶縁層102と同様の材料および方法で形成することができる。また、絶縁層109は、絶縁層110側からのトランジスタへの不純物の拡散を防ぐ、または低減する機能を有する材料を用いて形成することが好ましい。なお、必要に応じて絶縁層109を省略することもできる。
絶縁層110は、絶縁層102と同様の材料および方法で形成することができる。また、絶縁層110としては、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、BPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass)、PSG(Phosphorus Silicate Glass)、炭素を添加した酸化シリコン(SiOC)、フッ素を添加した酸化シリコン(SiOF)、Si(OC2H5)4を原料とした酸化シリコンであるTEOS(Tetraethyl orthosilicate)、HSQ(Hydrogen Silsesquioxane)、MSQ(Methyl Silsesquioxane)、OSG(Organo Silicate Glass)、有機ポリマー系の材料などを用いることができる。
電極112は、開口111内に導電性材料を埋め込むことで形成できる。導電性材料としては、例えば、タングステン、ポリシリコン等の埋め込み性の高い導電性材料を用いることができる。また、図示しないが、当該材料の側面および底面を、チタン層、窒化チタン層又はこれらの積層等からなるバリア層(拡散防止層)で覆うことができる。この場合、バリア膜も含めて電極112という。なお、電極112を「コンタクトプラグ」という場合がある。
電極113(これらと同じ層で形成される他の電極または配線を含む)は、電極107a、および電極107bと同様の材料および方法で作製することができる。
絶縁層114は、絶縁層110と同様の材料および方法で作製することができる。また、絶縁層114表面にCMP処理を行ってもよい。また、絶縁層114上にレジストマスクなどを形成し、絶縁層114の一部を選択的にエッチングして、開口115を設けることができる。
電極116は、電極112と同様の材料および方法で作製することができる。なお、電極116を「コンタクトプラグ」という場合がある。
構造体180が有する電極121、電極122、電極123、および支柱125は、電極107a、電極107bと同様の材料を用いて作製することができる。また、構造体180は、犠牲層を用いた方法などで作製することができる。
図3(B)に、図3(A)を用いて説明したマイクロマシン100の変形例を示す。マイクロマシン100は、トランジスタの上方にさらにトランジスタを設けてもよい。図3(B)では、絶縁層110の上に、トランジスタ161およびトランジスタ162と同様の材料および方法で形成したトランジスタ164を設ける例を示している。
図4に、図3(A)および図3(B)と異なるマイクロマシン100の変形例を示す。例えば、基板101として半導体基板を用いる場合、基板101上に、基板101の一部にチャネルが形成されるトランジスタ261およびトランジスタ262などを設け、その上方にトランジスタ161乃至トランジスタ164などを設けてもよい。
また、図5に示すように、基板101上にpチャネル型のトランジスタとnチャネル型のトランジスタのうち、どちらか一方のトランジスタのみを設け、他方のチャネル型のトランジスタとして上層に設けられるトランジスタを用いてもよい。
図6(A)に、回路151を説明するための回路図を示す。図6(B)に、回路151の動作を説明するためのタイミングチャートを示す。
次に、本実施の形態に例示する回路151の動作例について、図6(B)を用いて説明する。配線152、配線153、配線154には、H電位またはL電位が供給される。また、配線155および電極121にはL電位が供給される。また、配線152と配線153には互いに異なる電位が供給される。
複数のマイクロマシン100をマトリクス状に配置して、文字や映像を表示する表示素子として機能させることができる。図10(A)は、表示素子200の斜視図である。図10(A)に例示する表示素子200は、3×3のマトリクス状に配置された9個のマイクロマシン100を有する。また、図10(B)は、表示素子200の動作の一例を示す斜視図である。
図11(A)および図11(B)を用いて、表示素子200を用いた表示装置300の構成例とその動作について説明する。表示装置300は、光源301、表示素子200、およびレンズ302を有する。なお、図11(A)および図11(B)では、表示素子200として、表示素子200に含まれるマイクロマシン100のうちの一つを例示している。
本実施の形態では、上記実施の形態に示したトランジスタに用いることができるトランジスタの構成例について、図13乃至図18を用いて説明する。
図13(A1)に例示するトランジスタ410は、ボトムゲート型のトランジスタの一種であるチャネル保護型のトランジスタである。トランジスタ410は、絶縁層102上にゲート電極として機能できる電極246を有する。また、電極246上に絶縁層216を介して半導体層242を有する。電極246は電極103と同様の材料及び方法で形成することができる。絶縁層216は絶縁層105と同様の材料及び方法で形成することができる。半導体層242は半導体層106と同様の材料及び方法で形成することができる。
図14(A1)に例示するトランジスタ430は、トップゲート型のトランジスタの一種である。トランジスタ430は、絶縁層102の上に半導体層242を有し、半導体層242および絶縁層102上に、半導体層242の一部に接する電極244aおよび半導体層242の一部に接する電極244bを有し、半導体層242、電極244a、および電極244b上に絶縁層216を有し、絶縁層216上に電極246を有する。
図15に、半導体層242として酸化物半導体を用いたトランジスタ構造の一例を示す。図15に例示するトランジスタ450は、半導体層242aの上に半導体層242bが形成され、半導体層242bの上面並びに、半導体層242b及び半導体層242aの側面が半導体層242cに覆われた構造を有する。図15(A)はトランジスタ450の上面図である。図15(B)は、図15(A)中のX1−X2の一点鎖線で示した部位の断面図(チャネル長方向の断面図)である。図15(C)は、図15(A)中のY1−Y2の一点鎖線で示した部位の断面図(チャネル幅方向の断面図)である。
ここで、半導体層242a、半導体層242b、および半導体層242cの積層により構成される半導体層242の機能およびその効果について、図19(A)および図19(B)に示すエネルギーバンド構造図を用いて説明する。図19(A)は、図15(B)にD1−D2の一点鎖線で示す部位のエネルギーバンド構造図である。図19(A)は、トランジスタ450のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造を示している。
VersaProbe)を用いて測定できる。
本実施の形態では、酸化物半導体の構造について説明する。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体とに分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、CAAC−OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor)、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、非晶質酸化物半導体などがある。
まずは、CAAC−OSについて説明する。なお、CAAC−OSを、CANC(C−Axis Aligned nanocrystals)を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
Corrector)機能を用いた。球面収差補正機能を用いた高分解能TEM像を、特にCs補正高分解能TEM像と呼ぶ。Cs補正高分解能TEM像の取得は、例えば、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡JEM−ARM200Fなどによって行うことができる。
次に、微結晶酸化物半導体について説明する。
Oxide Semiconductor)と呼ぶ。nc−OSは、例えば、高分解能TEM像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。なお、ナノ結晶は、CAAC−OSにおけるペレットと起源を同じくする可能性がある。そのため、以下ではnc−OSの結晶部をペレットと呼ぶ場合がある。
次に、非晶質酸化物半導体について説明する。
なお、酸化物半導体は、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体を、特に非晶質ライク酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like Oxide Semiconductor)と呼ぶ。
OSが、CAAC−OSおよびnc−OSと比べて不安定な構造であることを示すため、電子照射による構造の変化を示す。
以下では、CAAC−OSおよびnc−OSの成膜モデルの一例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係るマイクロマシンが適用された電子機器の例について、図面を参照して説明する。
101 基板
102 絶縁層
103 電極
104 電極
105 絶縁層
106 半導体層
107 絶縁層
108 絶縁層
109 絶縁層
110 絶縁層
111 開口
112 電極
113 電極
114 絶縁層
115 開口
116 電極
118 絶縁層
121 電極
122 電極
123 電極
124 ストッパ
125 支柱
126 支持部
131 絶縁層
133 電極
134 トランジスタ
135 開口
136 電極
151 回路
152 配線
153 配線
154 配線
155 配線
156 配線
158 ノード
159 ノード
161 トランジスタ
162 トランジスタ
163 トランジスタ
164 トランジスタ
171 抵抗素子
172 抵抗素子
173 容量素子
174 容量素子
180 構造体
200 表示素子
206 ゲート電極
209 絶縁層
213 電極
214 層
216 絶縁層
217 絶縁層
218 絶縁層
219 絶縁層
242 半導体層
246 電極
255 不純物元素
261 トランジスタ
262 トランジスタ
271 ウェル
281 絶縁層
282 絶縁層
283 絶縁層
300 表示装置
301 光源
302 レンズ
303 スクリーン
311 光
315 アクチュエータ
382 Ec
386 Ec
387 Ec
390 トラップ準位
410 トランジスタ
411 トランジスタ
420 トランジスタ
421 トランジスタ
422 トランジスタ
430 トランジスタ
431 トランジスタ
440 トランジスタ
441 トランジスタ
450 トランジスタ
451 トランジスタ
452 トランジスタ
1300 シャッター
1302 可動遮光層
1304 開口部
1311 アクチュエータ
1315 アクチュエータ
1317 スプリング
1319 構造体
1321 可動電極
1323 構造体
1325 可動電極
1327 構造体
5100 ペレット
5101 イオン
5102 酸化亜鉛層
5103 粒子
5120 基板
5130 ターゲット
5161 領域
7101 筐体
7102 筐体
7103 表示部
7104 表示部
7105 マイク
7106 スピーカ
7107 操作キー
7108 スタイラス
7302 筐体
7304 表示部
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め具
7401 本体
7402 光源
7403 表示装置
7405 リフレクタ
7406 リフレクタ
7407 スクリーン
7501 筐体
7502 表示部
7503 操作ボタン
7504 外部接続ポート
7505 スピーカ
7506 マイク
7601 本体
7602 光源
7603 表示装置
7604 光学系
7605 スクリーン
7701 筐体
7702 筐体
7703 表示部
7704 操作キー
7705 レンズ
7706 接続部
107a 電極
107b 電極
108a 絶縁層
108b 絶縁層
242a 半導体層
242b 半導体層
242c 半導体層
244a 電極
244b 電極
247a 開口
247b 開口
383a Ec
383b Ec
383c Ec
5100a ペレット
5100b ペレット
5105a ペレット
5105a1 領域
5105a2 ペレット
5105b ペレット
5105c ペレット
5105d ペレット
5105d1 領域
5105e ペレット
Claims (6)
- 第1乃至第4の配線と、第1乃至第4のトランジスタと、第1乃至第3の電極と、を有し、
前記第1乃至第4のトランジスタの少なくとも一つは、酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は第1のノードと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は第2のノードと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第1のノードと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの他方は第4の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは前記第2のノードと電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第2のノードと電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソースまたはドレインの他方は第4の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲートは前記第1のノードと電気的に接続され、
前記第1の電極は前記第1のノードと電気的に接続され、前記第2の電極は前記第2のノードと電気的に接続され、
前記第3の電極は、前記第1の電極および前記第2の電極に供給された信号に応じて傾く機能を有することを特徴とする表示素子。 - 請求項1において、
前記第1乃至第4のトランジスタの少なくとも一つは、バックゲート電極を有することを特徴とする表示素子。 - 請求項1において、
前記第1の電極および前記第2の電極は固定電極であることを特徴とする表示素子。 - 請求項1において、
前記第3の電極は可動電極であることを特徴とする表示素子。 - 請求項1に記載の表示素子と、
レンズ、またはリフレクタと、を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載の表示素子と、
マイク、スピーカ、またはセンサと、
を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
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