JPWO2016056480A1 - ポリイミド溶液、耐熱性不織布およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献2には、ポリイミド溶液をノズルから吐出させ、これと交差する高速の気流をあてることでポリイミド繊維を得て、それを用いた耐熱バグフィルター、断熱吸音材、耐熱服などへの適用が開示されている。
特許文献3には、ポリアミド酸とエポキシ基を含有するアルコキシシラン部分縮合物を反応させた樹脂溶液を用いたリチウムイオン二次電池用のセパレーターが開示されている。
特許文献4には、高分枝ポリマーを不織布などの多孔質構造材料に塗布したセパレーターが開示されている。
特許文献5には、特定の構造のポリイミドを用いた発泡体を叩解することで、ポリイミド短繊維からなる不織布が開示されている。
特許文献6には、リチウムイオン二次電池に多孔質フィルムと不織布を積層したセパレーターを用いることで、電解液の吸液速度が高まるとともに、高い絶縁性を有したセパレーターが開示されている。
特許文献7には、脂肪族ポリケトン不織布を用いた高エネルギー密度で内部抵抗の低いコンデンサーの生産に適した薄く強靱で、耐熱性、寸法安定性、電気絶縁性、耐薬品性、低吸水性に優れ、均一で多孔性のコンデンサー用電極セパレーターが開示されている。
特許文献8には、10nm〜50μmの直径を有するポリイミド繊維を電気紡績して、複数のポリイミド繊維よりなる不織布を形成し、この不織布をパーフルオロポリマーで処理した高性能疎油性ポリイミド膜が開示されている。
特許文献9には、ナノサイズの微細繊維を特定の構造を有するポリイミド溶液を用いることで、電界紡糸法が得られることが開示されている。
特許文献10には、ポリイミド繊維を含む集合体をリチウムイオン電池セパレーター、バグフィルター、燃料排ガスフィルターに用いることで、耐熱性と可溶性の両立を図ることが開示されている。
特許文献11には電界紡糸法(ESP法)で作製した有機繊維の層を含むセパレーターにポリアミドイミド、ポリアミド、ポリイミドを使用することで、リチウムイオン電池の容量低下を抑制できることが開示されている。
(a)一般式(1)で表される構造単位を樹脂全体の50%モル以上含む樹脂、および(b)溶剤を含むポリイミド溶液である。
ポリイミド構造については、溶剤に可溶な構造であることが必須であり、安定な形状の糸を形成させる観点から好ましくは比誘電率が3.2以上であることが好ましい。
また、本発明の不織布は、ポリイミド溶液を電界紡糸法で紡糸することによって得ることを特徴とする。
得られるポリイミド溶液の吸湿を押さえ、さらに安定な微細形状の糸を形成させる観点から、R3およびR4は、炭素数1〜4のアルキル基、フルオロアルキル基が好ましく、イソプロピル基、6フッ化イソプロピル基がより好ましい。
R5〜R11は、炭素数1〜4のアルキル基、フルオロアルキル基、またはフェニル基を表し、全てが同一でも異なっていても良い。tは0〜3の整数である。
r、sは0〜4の整数である。得られるポリイミド不織布の強度の点からr=s=0であることが好ましい。
Xの構造としてより好ましいのは、5〜50モル%が下記に示すいずれかの構造であることである。この範囲より小さいと、吸湿抑制による安定な微細形状の糸を形成させる効果がなく、この範囲より大きいと吸湿抑制よりも極性低下による糸の不安定化の寄与が大きくなる。
特に反応を容易に進行させるためには、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させるのが良い。また、テトラカルボン酸のジクロリドやジエステルとジアミンを反応させて得ることもできる。
一般式(1)で表される構造のうち、テトラカルボン酸の残基は、Yで示された部分に該当し、Yは炭素数4〜30の4価の有機基を表す。また、Yで示されるテトラカルボン酸の残基は、ベンゼン、シクロブタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、ナフタレン、ビフェニル、ターフェニル、ジフェニルエーテル、トリフェニルエーテル、ジフェニルメタン、またはジフェニルヘキサフルオロプロパン、ジフェニルスルホン、ジフェニルケトンを含む有機基を含むことが好ましい。
このような構造を含むテトラカルボン酸の例として、ピロメリット酸、ナフタレンテトラカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ターフェニルテトラカルボン酸、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、トリフェニルエーテルテトラカルボン酸、ジフェニルメタンテトラカルボン酸、ジフェニルヘキサフルオロプロパンテトラカルボン酸、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、ジフェニルケトンテトラカルボン酸などの芳香族系のテトラカルボン酸、シクロブタンテトラカルボン酸、シクロヘキサンテトラカルボン酸、シクロヘプタンテトラカルボン酸などの単環状のテトラカルボン酸などが挙げられる。
この他にも、パーフルオロペンタンテトラカルボン酸、ビス(トリフルオロメチル)ピロメリット酸、ビス(パーフルオロエチル)ピロメリット酸、シクロプロパンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、シクロオクタンテトラカルボン酸、シクロノナンテトラカルボン酸、シクロデカンテトラカルボン酸、シクロウンデカンテトラカルボン酸、シクドデカンテトラカルボン酸などの単環状のテトラカルボン酸、芳香族系のベンゾフェノンテトラカルボン酸、縮合環構造を有する、ビシクロ[2.2.2]オクタ−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸、ペンタシクロ[8.2.1.14,702,9.03,8]テトラデカン−5,6,11,12−テトラカルボン酸、ビシクロ[2.2.2]オクタ−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸、ペンタシクロ[8.2.1.14,702,9.03,8]テトラデカン−5,6,11,12−テトラカルボン酸、ペンタシクロ[8.2.1.14,7.02,9.03,8]テトラデカン−5,6,11,12−テトラカルボン酸、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸、ペンタシクロ[8.2.1.14,7.02,9.03,8]テトラデカン−5,6,11,12−テトラカルボン酸、1,2,4,5−ビシクロヘキセンテトラカルボン酸などのテトラカルボン酸、これらのエステル化合物、酸クロリド化合物、アミド化合物などを組み合わせて用いることができる。
R13は酸二無水物の残基を表す。R13は少なくとも2個以上の炭素原子を有する4価の有機基であり、なかでも芳香族環または環状脂肪族基を含有する炭素原子数5〜40の有機基が好ましい。
酸二無水物の具体的な例としては、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、9,9−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物、9,9−ビス{4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}フルオレン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物および下記に示した構造の酸二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物や、ブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族のテトラカルボン酸二無水物などを挙げることができる。これらを2種以上用いてもよい。
安定な形状の糸を形成させる観点から、好ましい具体例としては高誘電率化に寄与する極性基の割合の多いピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物などが挙げられる。
また、シクロヘキサノンなどの高沸点のケトン系溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテルなどのグリコール系溶媒、およびこれらにトルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチル−メトキシブタノールアセテートなどのエステル系溶媒などを加えることもできる。
<吸水率の測定>
ポリイミド溶液を6インチのシリコンウェハーに、120℃で4分乾燥後の膜厚が約15μmになるようにスピン塗布した。スピン塗布後に120℃で4分、大日本スクリーン製造製の塗布現像装置SCW−636に付随しているホットプレートで乾燥後、光陽サーモシステム社製イナートオーブン INH−9CDを用いて300℃で1時間加熱処理を行い、ポリイミドフィルムを得た。このフィルムを形成したウェハーを45%のフッ化水素酸水溶液に室温で3分浸漬し、脱イオン水で10分間水洗し、ウェハーから剥がした。このフィルムの重量を測定し、その後、200℃で1時間乾燥させて、絶乾重量を求めた。吸水時の重量と絶乾重量から下記式を用いて吸水率を求めた。
吸水率=(吸水重量−絶乾重量)/絶乾重量×100(%)。
<比誘電率の測定>
アルミ基板にポリイミド溶液をスピン塗布した。スピン塗布後に120℃で4分、大日本スクリーン製造製の塗布現像装置SCW−636に付随しているホットプレートで乾燥後、光陽サーモシステム社製イナートオーブン INH−9CDを用いて300℃で1時間加熱処理を行い、厚み5μmのポリイミドフィルムを得た。この膜の上に上部アルミ電極を日本真空技術(株)製真空蒸着機EBH−6を用いて蒸着し測定サンプルとした。
次いで1MHzにおける静電容量を横川ヒューレットパッカード製のLCRメーター4284Aを用いて測定し、下記式により比誘電率(ε)を求めた。
ε=C・d/ε0・S(但し、Cは静電容量(単位:F)、dは試料膜厚(単位:m)、
ε0は真空中の誘電率、Sは上部電極面積(単位:m2)である。)
<ガラス転移点の測定>
シリコン基板にポリイミド溶液をスピン塗布した。スピン塗布後に120℃で4分、大日本スクリーン製造製の塗布現像装置SCW−636に付随しているホットプレートで乾燥後、光陽サーモシステム社製イナートオーブン INH−9CDを用いて300℃で1時間加熱処理を行い、厚み10μmのポリイミドフィルムを得た。このフィルムを形成したウェハーを45%のフッ化水素酸水溶液に室温で3分浸漬し、脱イオン水で10分間水洗し、ウェハーから剥がした。この膜を120℃で2時間乾燥して脱水し、5mgの重さになるよう切り出しサンプルとした。このサンプルについて島津製作所製DSC−50を用いて、昇温速度10℃/minで室温から400℃まで加熱し、ガラス転移点の測定を行った。
窒素導入管、撹拌棒、温度計を取り付けた500mLの3つ口フラスコに乾燥窒素気流下、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン 3.66g(0.01モル、AZマテリアルズ製)、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル 3.20g(0.01モル、和歌山精化製)をN−メチル−2−ピロリドン(NMP、三菱化学製)30g、トルエン(東京化成製)10gに40℃以下で溶解させた。ここにピロメリット酸二無水物4.36g(0.02モル、ダイセル化学工業製)を添加し、40℃で2時間撹拌を行い、その後、液温を180℃に昇温し、さらに4時間撹拌を行ない、留出するトルエンと水を除去しながら反応を行った。
また、吸水率は1.9%、比誘電率は2.9、ガラス転移点は170℃であった。
窒素導入管、撹拌棒、温度計を取り付けた500mLの3つ口フラスコに乾燥窒素気流下、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン22.8g(0.06モル、AZマテリアルズ製)と、2,4−ジアミノトルエン4.88g(0.04モル、東京化成製)NMP235g、トルエン(東京化成製)10gに40℃以下で溶解させた。ここに3,3‘,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物31.0g(0.1モル、マナック製)、を添加し、40℃で1時間、その後溶液の温度を180℃にして6時間撹拌を行った。
また、吸水率は1.5%、比誘電率は3.2、ガラス転移点は200℃であった。
窒素導入管、撹拌棒、温度計を取り付けた500mLの3つ口フラスコに乾燥窒素気流下、2,2−ビス(3−カルボキシル−4−アミノフェニル)メタン11.5g(和歌山精化製、0.05モル)、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル12.8g (和歌山精化製、0.04モル)、1,3−ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン2.48g(信越化学製、0.01モル)をNMP、240gに40℃以下で溶解させた。ここにピロメリット酸二無水物10.9(ダイセル化学工業製0.05モル)、2,2−ビス(ヘキサフルオロプロパン)フタル酸無水物22.2g(0.05モル、ダイキン工業製)を添加し、40℃で2時間撹拌を行い、その後、液温を180℃に昇温し、さらに4時間撹拌を行ない、留出するトルエンと水を除去しながら反応を行った。
また、吸水率は2.5%、比誘電率は3.0、ガラス転移点は180℃であった。
窒素導入管、撹拌棒、温度計を取り付けた500mLの3つ口フラスコに乾燥窒素気流下、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン28.0g(0.1モル、AZマテリアルズ製)をNMP230gトルエン10gに40℃で溶解させた。ここにピロメリット酸二無水物 10.9g(0.05モル、ダイセル化学工業製)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物17.9g (0.05モル、新日本理化製)を添加し、40℃で2時間撹拌を行い、その後、液温を180℃に昇温し、さらに4時間撹拌を行ない、留出するトルエンと水を除去しながら反応を行った。
このようにして得られた樹脂溶液を2μmのポリテトラフルオロエチレン製のメンブレンフィルターでろ過を行い、ポリイミド溶液を得た。このポリイミド溶液を室温、湿度50%の雰囲気で4インチシリコンウェハー上にスピンコートしたところ、コート後、120秒放置しても溶液が白化することはなかったが、吸水率は9.0%、比誘電率は3.6、ガラス転移点は220℃であった。
窒素導入管、撹拌棒、温度計を取り付けた500mLの3つ口フラスコに乾燥窒素気流下、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン14.9g(0.05モル、東京化成製)、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル 12.8g (0.04モル、和歌山精化製)、1,3−ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン2.48g(0.01モル、、信越化学製)をNMP205gに40℃以下で溶解させた。ここにピロメリット酸二無水物10.9(0.05モル、ダイセル化学工業製)、シクロブタン酸二無水物9.8g(0.05モル、東京化成製)を添加し、40℃で2時間撹拌を行い、その後、液温を180℃に昇温し、さらに4時間撹拌を行ない、留出するトルエンと水を除去しながら反応を行った。
また、吸水率は1.4%、比誘電率は2.9、ガラス転移点は190℃であった。
窒素導入管、撹拌棒、温度計を取り付けた500mLの3つ口フラスコに乾燥窒素気流下、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン1.04g(0.05モル、東京化成製)、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル (0.05モル、和歌山精化製)をN−メチル−2−ピロリドン(NMP、三菱化学(株)製)40gに40℃以下で溶解させた。ここにピロメリット酸二無水物10.9(0.05モル、ダイセル化学工業製)、シクロブタン酸二無水物22.2g(0.05モル、東京化成製)を添加し、40℃で2時間撹拌を行い、その後、液温を180℃に昇温し、さらに4時間撹拌を行ない、留出するトルエンと水を除去しながら反応を行った。
窒素導入管、撹拌棒、温度計を取り付けた500mLの3つ口フラスコに乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル 2.8g(0.05モル、和歌山精化製)、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル1.60g(0.05モル、和歌山精化製)をNMP40gトルエン(東京化成(株)製)10gに40℃で溶解させた。ここに2,2−ビス(ヘキサフルオロイソプロピリデン)フタル酸無水物 22.2g(0.05モル、ダイキン工業製)を添加し、40℃で2時間撹拌を行い、その後、液温を180℃に昇温し、さらに4時間撹拌を行ない、留出するトルエンと水を除去しながら反応を行った。
実施例1で得たポリイミド溶液を濃度12%に希釈して、エレクトロスプレーコーターを用いて、アースしたアルミ箔上に、温度24℃、湿度50%の環境下、ノズルの内径が0.84mm(G18)のニードルを用いて、ノズルとアルミ箔の距離を250mmとして、溶液を20μL/minの総液量で送り、電圧15kVで塗布した。この結果、ポリイミドの不織布がアルミ箔上に得られた。
比較例1で得られたポリイミド溶液を実施例7と同じようにしてポリイミドの不織布を作成したが、吸湿が起こり、白色のもろい膜が形成され、強靱な不織布にならなかった。
実施例8〜25、比較例3
2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン 3.66g(0.01モル、AZマテリアルズ製)、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル 3.20g(0.01モル、和歌山精化製)をN−メチル−2−ピロリドン(NMP、三菱化学製)30g、および、ピロメリット酸二無水物4.36g(0.02モル、ダイセル化学工業製)の代わりに表1および表2に示したジアミン、NMP量、酸二無水物を使用する以外は実施例1と同様にしてポリイミド溶液を得た。このポリイミド溶液を室温、湿度50%の雰囲気で4インチシリコンウェハー上にスピンコートし塗膜全体の白化の有無、吸水率、比誘電率、ガラス転移点を測定した。
実施例26〜48、比較例4
実施例2〜6、実施例8〜25、比較例3で得られたポリイミド溶液を実施例7と同様の方法で不織布形成テストを実施し、不織布形成状態、不織布を形成している繊維直径の平均値を測定した。
実施例および比較例の結果を表1、表2および表3に示す。
Claims (17)
- (a)一般式(1)で表される構造単位を樹脂全体の50モル%以上含む樹脂、および(b)溶剤を含むポリイミド溶液。
- 前記樹脂の比誘電率が3.2以上である、請求項1に記載のポリイミド溶液。
- 前記一般式(1)において、Yがジフェニルスルホンまたはジフェニルケトンを含む有機基を表す請求項1または2に記載のポリイミド溶液。
- 前記一般式(1)において、Yはベンゼン、シクロブタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、ナフタレン、ビフェニル、ターフェニル、ジフェニルエーテル、トリフェニルエーテル、ジフェニルメタン、またはジフェニルヘキサフルオロプロパンを含む有機基を表す請求項1または2に記載のポリイミド溶液。
- 前記一般式(1)に記載のXがスルホン基、またはケトン基のいずれかであって、p=q=0である、請求項1〜4のいずれかに記載のポリイミド溶液。
- Yの40モル%以上がジフェニルスルホンまたはジフェニルケトンである、請求項3に記載のポリイミド溶液。
- Yの5〜50モル%がベンゼンである、請求項4に記載のポリイミド溶液。
- 請求項1〜9のいずれかに記載のポリイミド溶液を用いて形成される不織布。
- 請求項11に記載の不織布を製造する方法であって、電界紡糸法により前記不織布を形成する、不織布の製造方法。
- 電界紡糸法により形成される請求項11に記載の不織布。
- ガラス転移点が200℃以上である請求項11に記載の不織布。
- 請求項11、13、14のいずれかに記載の不織布を用いる高次加工品。
- 電池用セパレーター、吸音材、電磁波シールド材、分離フィルター、または耐熱バグフィルターに用いられる請求項15に記載の高次加工品。
- 請求項11、13、14のいずれかに記載の不織布を用いる電気二重層キャパシター用セパレーター。
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