JPWO2016052613A1 - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

シート状の被読取媒体（１）がそのシート面の方向に沿って搬送される搬送面（Ｐ）の一方の側に設けられ、搬送面（Ｐ）に直交する方向に異なる磁極を有する磁石（１１）および磁石（１１）の搬送面（Ｐ）の側の磁極に設けられたヨーク（１２）を具備し、搬送面（Ｐ）に直交する方向に磁界を発生する磁気回路と、磁気回路と搬送面（Ｐ）の間に設けられ、被読取媒体（１）が搬送面（Ｐ）を搬送される際に、磁気読み取り領域（２０２）で磁界の搬送方向成分の強度変化を検出する磁気抵抗効果素子チップ（１４）と、搬送面（Ｐ）を挟んで磁気回路と対向する側に設けられ、搬送面（Ｐ）の磁気読み取り領域（２０２）に光を照射する導光体（４）と、搬送面（Ｐ）を挟んで磁気回路と対向する側に設けられた、結像光学系（５）および受光部（７）と、を備える。

Description

この発明は、磁気読取を含む画像読取に関する。より詳しくは、シート状の被読取媒体の画像情報および磁気パターン情報（磁気情報）を検出する画像読取装置に関する。

従来、シート状の被読取媒体、例えば紙幣、小切手または金券等の有価証券を取り扱う装置、例えば自動取引装置、通帳記帳機または自動券売機等において、画像読取および磁気読取などのセンサが設けられて、被読取媒体の印刷模様の光学画像および磁気パターンなど様々な情報を取得している。例えば、特許文献１の紙葉類取扱装置では、画像読取および磁気読取のセンサが、自動取引装置内に独立して配置されており、各センサで読み取った情報を位置が相互に無関係な情報として扱っている。

光学センサと磁気センサを備えるものではないが、例えば特許文献２には、主走査方向に複数個配置されそれぞれが独立した結像光学系を備える画像読取装置が記載されている。特許文献２の画像読取装置では、結像光学系をそれぞれ備えた複数のセルが、セル間で結像画像が補完可能なように各列の各セルを主走査方向にて千鳥状に配置されている。そして、各セルで撮像した画像情報を合成して原稿画像を作成する。

特開２０１２−８４０５９号公報 特開２０１２−１４３００３号公報

特許文献１に記載の紙葉類取扱装置の構成においては、画像読取装置と磁気読取装置が設けられているものの、それぞれが個別に配置されているため、それぞれの読み取り位置および読み取り範囲が異なり、取得した情報を関連づけた１つの情報として処理することができない。また、光学画像と磁気パターンは画像としての関係がないので、特許文献２の画像読取装置における画像情報の合成のように、それらを合成することはできない。

この発明は、上述のような事情に鑑みてなされたもので、読み取った光学画像および磁気パターンと、光学画像および磁気パターンの位置関係とを関連づけることが可能な画像読取装置を得ることを目的とする。

上述の目的を達成するため、本発明に係る画像読取装置は、磁気成分を含むシート状の被読取媒体がそのシート面の方向に沿って搬送される搬送面の一方の側に設けられ、搬送面に直交する方向に異なる磁極を有する磁石および磁石の搬送面の側の磁極に設けられたヨークを具備し、搬送面の第１の磁気読み取り領域で搬送面に直交する方向に磁界を発生する磁気回路と、磁気回路と搬送面の間に設けられ、被読取媒体が搬送面を搬送される際に、第１の磁気読み取り領域で磁界の搬送方向成分の強度変化を検出する磁気抵抗効果素子と、搬送面を挟んで磁気回路と対向する側に設けられ、搬送面の第１の磁気読み取り領域に光を照射する第１の光源と、搬送面を挟んで磁気回路と対向する側に設けられた、第１の結像光学系および第１の受光部と、を備え、第１の結像光学系は、搬送面の第１の磁気読み取り領域における搬送方向の少なくとも一部を含む光学読み取り領域を第１の受光部に結像するものである。

この発明によれば、光学画像の読み取り位置と磁気読み取り位置とで、読み取り範囲が重複しているので、光学画像と磁気パターンの情報が同時に取得され、読み取った光学画像および磁気パターンと、光学画像および磁気パターンの位置関係とを関連づけることができる。その結果、被読取媒体の識別精度を向上できる。

この発明の実施の形態１に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。 実施の形態１に係る画像読取装置の斜視図である。 実施の形態１に係る光学読取部の主走査方向に直交する断面図である。 実施の形態１に係る磁気読取部の主走査方向に直交する断面図である。 実施の形態１に係る磁気読取部の主走査方向に直交する断面における磁力線図である。 実施の形態１に係る磁気抵抗効果素子における磁界ベクトル図である。 被読取媒体が磁気抵抗効果素子に近づくときの磁界ベクトル図である。 被読取媒体が磁気抵抗効果素子から離れるときの磁界ベクトル図である。 光学読み取り領域と磁気読み取り領域を示す図である。 光学読み取り領域と磁気読み取り領域の変形例を示す図である。 この発明の実施の形態２に係る光学読み取り領域と磁気読み取り領域を示す図である。 この発明の実施の形態３に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。 実施の形態３に係る磁気読取部の主走査方向に直交する断面図である。 実施の形態３に係る磁気読取部の主走査方向に直交する断面における磁力線図である。 実施の形態３に係る磁気読取部の検出動作を示す図である。 実施の形態３に係る磁気抵抗効果素子における磁界ベクトル図である。 被読取媒体が磁気抵抗効果素子に近づくときの磁界ベクトル図である。 被読取媒体が磁気抵抗効果素子の位置に来たときの磁界ベクトル図である。 被読取媒体が磁気抵抗効果素子から離れるときの磁界ベクトル図である。 この発明の実施の形態４に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。 実施の形態４に係る磁気読取部の主走査方向に直交する断面図である。 実施の形態４に係る磁気読取部の検出動作を示す図である。 実施の形態４に係る磁気抵抗効果素子における磁界ベクトル図である。 被読取媒体が磁気抵抗効果素子に近づくときの磁界ベクトル図である。 被読取媒体が磁気抵抗効果素子の位置に来たときの磁界ベクトル図である。 被読取媒体が磁気抵抗効果素子から離れるときの磁界ベクトル図である。 この発明の実施の形態５に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。 実施の形態５に係る磁気読取部の主走査方向に直交する断面図である。 この発明の実施の形態６に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。 この発明の実施の形態７に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。 この発明の実施の形態８に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお図中、同等または相当する部分には、同じ符号を付す。図中のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、被読取媒体がそのシート面の方向に沿って搬送される搬送面に原点が設定された直交座標系を示す。Ｘ軸方向（Ｘ軸正方向）は、被読取媒体の搬送方向である。Ｚ軸方向（Ｚ軸正方向、Ｚ軸負方向）は、シート面に直交する方向である。Ｙ軸方向は、シート面内の搬送方向に直交する方向である。Ｙ軸方向は、画像読取装置の主走査方向である。シート面の搬送方向は、画像読取装置の副走査方向である。

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。図２は、実施の形態１に係る画像読取装置の斜視図である。本実施の形態の画像読取装置は、光学画像だけではなく磁気パターンをも読み取るが、ここでは画像読取装置という。ただし、光学読み取りが主で、磁気読み取りが従というわけではない。

この発明の実施の形態１における画像読取装置は、紙幣、有価証券または小切手など、磁気成分を含むシート状の被読取媒体１が、そのシート面の方向に沿って搬送される搬送面Ｐの一方の側（図１では上側、すなわちＺ軸正方向側）に光学読取部２が配置される。搬送面Ｐの他方の側（図１では下側、すなわちＺ軸負方向側）に、磁気読取部３が配置される。

光学読取部２と磁気読取部３の間に被読取媒体１を通過させることで、光学読取部２では被読取媒体１の先頭位置情報および模様情報等の光学画像を取得し、磁気読取部３では被読取媒体１内にある磁性体を検知して磁気パターンを取得する。なお、被読取媒体１内にある磁性体は、磁気インクによって印刷されたものを含む。つまり、被読取媒体１内にある磁性体とは、被読取媒体１の表面に存在するものも含む。被読取媒体１が搬送される面を搬送面Ｐ、搬送される方向（図１では左から右、すなわちＸ軸正方向）を搬送方向または副走査方向という。搬送面Ｐに平行でかつ搬送方向（副走査方向）に直交する方向（図１の紙面に直交する方向）を主走査方向という。光学読取部２は、主走査方向（搬送方向（副走査方向）に直交する方向、すなわちＹ軸方向）における光学画像を被読取媒体１から取得するものである。磁気読取部３は、主走査方向における磁気パターンを被読取媒体１から取得するものである。

光学読取部２は、密着イメージセンサ（以下ＣＩＳとも称す）、カメラまたは縮小光学系などで構成される。光学読取部２の構成を、ＣＩＳを例として説明する。光学読取部２において筐体８に、導光体４、結像光学系５および受光部７が収納され、それぞれ決まった位置に保持されている。導光体４は、主走査方向の端部にＬＥＤ等の発光素子（図示せず）を備え、主走査方向側面の光出射部から光を搬送面Ｐの光学読み取り領域２０１に照射する光源である。結像光学系５は、導光体４から出射されて被読取媒体１によって反射された光を集光し、受光部７に結像する。受光部７は、センサ基板６に載置され、結像光学系５で結像された光学読み取り領域２０１の像を電気信号に変換する。筐体８の搬送面Ｐ側は、導光体４から出射される光および被読取媒体１で反射された光を透過する、ガラスまたはアクリル板等で形成された透過体９で覆われている。透過体９は、導光体４、結像光学系５および受光部７を保護する。

磁気読取部３は、Ｎ極とＳ極が搬送面Ｐに直交する方向に、＋Ｚ方向にＮ極が−Ｚ方向にＳ極が並んだ磁石１１、ヨーク（磁性キャリア）１２、ヨーク２０、非磁性キャリア１３、磁気抵抗効果素子チップ（ＭＲチップ）１４、およびＭＲチップ１４の出力端子が接続された基板１５を備える。ヨーク（磁性キャリア）１２は、磁石１１の搬送面Ｐ側の搬送面Ｐに対向する端面に配置されており、ＭＲチップ１４が実装されている。非磁性キャリア１３には、基板１５、およびＭＲチップ１４の出力を増幅するアンプＩＣ（図示せず）等が実装されている。ヨーク２０は、磁石１１の搬送面Ｐから遠い側の端面に接するように配置されている。ヨーク１２とヨーク２０は、磁界均一性を向上させるために配置されている。なお、磁気回路は、磁石１１、ヨーク１２およびヨーク２０を備えている。もちろん、磁石１１のみを磁気回路としてもよい。また、磁気読取部３から磁気回路を除いた構成を磁気読取部３と称してもよいし、ＭＲチップ１４だけを磁気読取部３と称してもよい。

ＭＲチップ１４は、ヨーク１２の搬送面Ｐ側に載置され、搬送面Ｐの磁気読み取り領域２０２で磁界の搬送方向成分の強度変化を検出する。ＭＲチップ１４は、磁気読み取り領域２０２の磁気情報（磁気パターン情報）を検知し抵抗値の変化として電気的に出力する。ＭＲチップ１４から出力された電気信号は、出力を増幅するアンプＩＣ（図示せず）および基板１５を経由して信号線１７で信号処理基板１６に伝送される。信号処理基板１６は、ＭＲチップ１４から出力された電気信号を処理して、磁気パターンの情報を出力する。磁石１１、ヨーク１２、ヨーク２０、非磁性キャリア１３、ＭＲチップ１４、基板１５および信号線１７は、筐体１９に収納され、決まった位置に保持される。信号処理基板１６は、筐体１９の搬送面Ｐと反対側に取り付けられる。筐体１９の搬送面Ｐ側は、ＭＲチップ１４を保護する非磁性体のカバー１８で覆われている。

図３は、実施の形態１に係る光学読取部の主走査方向に直交する断面図である。図３は、図１の光学読取部２を拡大した図である。導光体４の主走査方向の端部に設けられたＬＥＤ（図示せず）から発した光が導光体４に入射し、導光体４内を主走査方向に伝播する。導光体４は、断面が真円形状または略円形であり、主走査方向に沿って光を散乱または反射させる光散乱層（光散乱領域）が形成されている。光散乱層は、導光体４表面に白色のシルク印刷パターンまたは蒸着パターンで構成される。別の方法として導光体４に切溝を設ける方法、または導光体４の表面を粗くする方法で光散乱層を構成してもよい。主走査方向に亘って均一な光の放射が得られるように、光散乱層を、そのパターン形状およびパターンピッチを適宜調整して形成する。

導光体４の内部導光路を通過する光は光散乱層で散乱され、導光体４の光の伝播方向中心軸に対して光散乱層と対向する部分の出射部（光出射部）から被読取媒体１側に放射される。導光体４から出射した光は、搬送面Ｐ（被読取媒体１）の光学読み取り領域２０１を照明する。

光学読み取り領域２０１を照明した光は、被読取媒体１で反射され、散乱光として結像光学系である結像光学系５に入射し、結像光学系５で集光されて、光学読み取り領域２０１が受光部７に結像される。受光部７では、結像された光学読み取り領域２０１の像をフォトダイオード等で受光して電気信号に変換する。受光部７から出力される電気信号は、センサ基板６で信号処理され、光学読み取り領域２０１の光学画像が得られる。

図４は、実施の形態１に係る磁気読取部の主走査方向に直交する断面図である。図４は、図１の磁気読取部３を拡大した図である。図５は、実施の形態１に係る磁気読取部の主走査方向に直交する断面における磁力線図である。

磁石１１から発せられた磁力線１００は、磁石１１のＮ極からヨーク１２を通り空間に出射される。磁石１１のＮ極部に配置されたヨーク１２では磁力線１００が集中し、ヨーク１２上面近傍（磁石１１の搬送路側端部近傍）の磁束密度が大きくなる。ヨーク１２から空間に出射された磁力線１００は、ヨーク２０へ入射し、磁石１１のＳ極へと戻る。このような形状のヨーク１２、ヨーク２０を使用することにより、磁力線１００が空間を通過する部分が小さくなるので、大きな磁束密度が得られる。

磁気読取部３の検出原理について図６Ａ〜図６Ｃを用いて説明する。磁界ベクトル（磁束密度）２３はＭＲチップ１４の位置における磁力線１００の方向を示す。垂直方向成分２３ａは、磁界ベクトル２３の搬送面Ｐに垂直な成分を示す。搬送方向成分２３ｂは、磁界ベクトル２３の、搬送方向の成分（Ｈｘ）を示す。

空間に出射された磁力線１００は、主走査方向に直交する断面で磁石１１の中心線１１ａの左右に広がる形で分布する。図５のＭＲチップ１４上のＭＲ素子１４ａ（図示せず）は、中心線１１ａより少し搬送方向にずれた位置に配置されており、ＭＲ素子１４ａにおいては、磁束密度の大きな垂直方向成分２３ａと同時に、搬送方向成分２３ｂもわずかに存在する。以下、磁気読取部３の作用を説明する。

実施の形態１では、ＭＲ素子１４ａが設置された位置において、大きな磁束密度の垂直方向成分２３ａが存在するのと同時に小さい搬送方向成分２３ｂも存在している。これはＭＲ素子１４ａを磁石１１の中心線１１ａから少し離れた位置に設置することを考えているからである。このように配置することで、ＭＲ素子１４ａが適切に作動するために必要な搬送方向のバイアス磁界をＭＲ素子１４ａに与えることができる。

このような状態のところへ磁性体を含む被読取媒体１が通過すると、磁界分布が変化する。この時、ＭＲ素子１４ａに印加されている磁界ベクトル２３の方向がわずかに変化する。磁界ベクトル２３の方向の変化はわずかでも、搬送方向成分２３ｂの割合としては大きな変化が発生するので、ＭＲ素子１４ａでこの変化を十分検知できる。

図６Ａは、実施の形態１に係る磁気抵抗効果素子における磁界ベクトル図である。磁力線１００は、ＭＲ素子１４ａが配置されている付近では、搬送面Ｐに交差する交差磁界である垂直方向成分２３ａがベクトルの主成分である。ＭＲ素子１４ａが磁石１１の中心線１１ａより少し搬送方向にずれているため、図６Ａに示すように、磁界ベクトル２３は、垂直方向から少しだけ搬送方向に傾いている。この磁界の搬送方向成分２３ｂがＭＲ素子１４ａのバイアス磁界として作用している。

図６Ｂは、被読取媒体が磁気抵抗効果素子に近づくときの磁界ベクトル図である。磁性体を含む被読取媒体１が磁気読み取り領域２０２に近づいてくると、図６Ｂに示すように、磁界ベクトル２３が被読取媒体１に吸い寄せられるように被読取媒体１側に傾く。そのため磁界ベクトル２３の搬送方向成分２３ｂが小さくなる。図６Ｂでは、被読取媒体１がない場合の磁界ベクトル２３を二点鎖線で示す。

図６Ｃは、被読取媒体が磁気抵抗効果素子から離れるときの磁界ベクトル図である。図６Ｃでも、被読取媒体１がない場合の磁界ベクトル２３を二点鎖線で示す。磁性体を含む被読取媒体１が離れていくと、図６Ｃに示すように、磁界ベクトル２３が被読取媒体１に引っ張られるように被読取媒体１側に傾くため、搬送方向成分２３ｂが大きくなる。被読取媒体１の磁性体が搬送方向に移動することにより、搬送方向成分２３ｂを感磁するＭＲ素子１４ａの抵抗値が変化する。したがって、被読取媒体１の通過により、搬送方向の搬送方向成分２３ｂが変化するので、搬送成分を感磁するＭＲ素子１４ａの抵抗値が変化し、被読取媒体１の磁気成分を検知することができる。

この磁界ベクトル２３の変化は被読取媒体１の磁性体が通過することによりもたらされるものであるから、このような構成にすることにより、被読取媒体１の通過を検知できる。その結果、被読取媒体１によるわずかな磁界の変化を読み取ることができる。

図７は、光学読み取り領域と磁気読み取り領域を示す図である。受光部７と、ＭＲチップ１４は、主走査方向に延在し、光学読み取り領域（被照射領域）２０１と磁気読み取り領域２０２は、主走査方向に長い形状をしている。図１および図７において光学読取部２の光学読み取り領域（被照射領域）２０１と磁気読取部３の磁気読み取り領域２０２は一致するように配置されている。したがって、導光体４は、搬送面Ｐの磁気読み取り領域２０２に光を照射している。このように読み取り領域が一致することにより、同時に同一場所の画像情報と磁気情報が得られるので、読み取った光学画像および磁気パターンと、光学画像および磁気パターンの位置関係とを関連づけることができる。その結果、精度の高い情報を得ることができる。

図８は、光学読み取り領域と磁気読み取り領域の変形例を示す図である。図８では、光学読取部２の光学読み取り領域（被照射領域）２０１と磁気読取部３の磁気読み取り領域２０２が、主走査方向には一致しているものの、搬送方向にはずれて一部が重複している。光学読取部２の光学読み取り領域（被照射領域）２０１と磁気読取部３の磁気読み取り領域２０２が全て一致しているわけではないが、搬送方向に重複する領域があるので、重複領域については、同時に同一場所の画像情報と磁気情報が得られる。そのため、光学画像と磁気パターンの誤差のない精度の良いデータが得られ、紙幣または有価証券等の被読取媒体１の適合性判定が精度良く実施できる。なお、光学読取部２の光学読み取り領域（被照射領域）２０１と磁気読取部３の磁気読み取り領域２０２が、主走査方向に重複してずれている場合も、同様の作用効果を奏する。

なお、本実施の形態１では、光学読取部２としてＣＩＳを用いる例を説明した。実施の形態１の光学読取部２はＣＩＳには限らない。光学読取部２として、光学読み取り領域２０１をＣＣＤ（電荷結合素子）イメージセンサまたはＣＭＯＳイメージセンサなどの撮像素子に縮小結像する光学系を用いてもよい。

実施の形態２．
図９は、この発明の実施の形態２に係る光学読み取り領域と磁気読み取り領域を示す図である。図９において、磁気読取部３の磁気読み取り領域２０２は、光学読み取り領域２０１の主走査方向の一部である。紙幣または有価証券の磁気情報部が被読取媒体１の一部に限られる、あるいは、磁気情報部の判定すべき部分が限られるなど、被読取媒体１の主走査方向全体を読み取る必要がない場合には、図９の構成とすることにより、磁気読取部３の磁気読み取り領域２０２を磁性体が通過すると想定される領域に限定することができる。磁気読み取り領域２０２を限定することにより、磁気読取部３が小型化され、部品点数の削減にも繋がる。なお、光学読取部２の光学読み取り領域２０１と磁気読取部３の磁気読み取り領域２０２は、副走査方向に重複しているので、実施の形態１と同様の作用効果が得られる。

実施の形態３．
図１０は、この発明の実施の形態３に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。図１１は、実施の形態３に係る磁気読取部の主走査方向に直交する断面図である。図１１は、図１０の磁気読取部３を拡大した図である。実施の形態３は実施の形態１において磁気読取部３の構成を変更したものであり、光学読取部２の構成は実施の形態１と同様である。

実施の形態３における磁気読取部３は、硬磁性体を含むインクで印刷された、あるいは、硬磁性体の物質を含んで形成された、紙幣または小切手等の、硬磁性体を有する被読取媒体１の硬磁性体のみを検知する場合の構成である。磁石１１は、搬送方向（Ｘ方向）に並んだＮ極とＳ極の磁極を有し、＋Ｘ方向にＳ極を、−Ｘ方向にＮ極を有する。磁石１１を主走査方向に直交する面（ＸＺ面）で見て、磁石１１の搬送面Ｐに対向する面以外を覆うようにヨーク２１が設けられる。磁石１１の搬送面Ｐに対向する面に非磁性キャリア１３が設けられる。磁気抵抗効果素子チップ（ＭＲチップ）１４は、磁石１１のＮ極とＳ極の間で、非磁性キャリア１３と被読取媒体１との間に配置される。ＭＲチップ１４の出力端子は基板１５に接続される。図１０および図１１では、磁石１１のＮ極とＳ極間の中央部にＭＲチップ１４が配置されている。

図１２は、実施の形態３に係る磁気読取部の主走査方向に直交する断面における磁力線図である。実施の形態３の磁気読取部３の構成によると、図１２に示すように磁力線１００は磁石１１のＮ極端のヨークから磁石１１のＳ極端のヨークへ発生している漏れ磁界であり、ほぼ、搬送方向（Ｘ方向）に沿っている。図１２において、磁石１１のＮ極から発せられた磁界は、ヨーク２１の内部を通り磁石１１のＳ極へ入射している。このように、磁石１１の周囲をヨーク２１で覆うと、磁界はヨーク２１に集中する。ところで、図１２に示すように、磁石１１の上側にはヨークが無いため、微小ではあるが、磁力線の一部は空間すなわちヨーク２１の外部に放出されて、磁石１１のＮ極側のヨークから磁石１１のＳ極側のヨークへと発生する漏れ磁界が存在する。ＭＲチップ１４は、磁石１１のＮ極とＳ極間の中央部に配置されているので、磁気読み取り領域２０２では、磁界は搬送方向に平行と見なすことができる。この発明の実施の形態３では、この微小な漏れ磁界をバイアス磁界として用いる。

図１３は、実施の形態３に係る磁気読取部の検出動作を示す図である。図１３において、ＭＲチップ１４上のＭＲ素子１４ａ（図示せず）が配置された位置のバイアス磁界１００は、予め磁化された硬磁性体１ａの硬磁性体磁界１ｂがＭＲ素子１４ａに接近し、その後、遠ざかるに伴って変化する。ＭＲ素子１４ａは、前述のように磁石１１およびヨーク２１により動作に適切なバイアス磁界１００を与えられているので、高感度で硬磁性体１ａによるバイアス磁界１００の変化を検知することができる。以下、図１４Ａ〜図１４Ｄを用いて、詳しく説明する。

図１４Ａは、実施の形態３に係る磁気抵抗効果素子における磁界ベクトル図である。図１４Ｂは、被読取媒体が磁気抵抗効果素子に近づくときの磁界ベクトル図である。図１４Ｃは、被読取媒体が磁気抵抗効果素子の位置に来たときの磁界ベクトル図である。図１４Ｄは、被読取媒体が磁気抵抗効果素子から離れるときの磁界ベクトル図である。図１４Ａ〜図１４Ｄは、実施の形態３に係る磁気読取部の検出原理を説明する磁界変化を示す。図１３において、磁力線１００で形成されるバイアス磁界１００は、ＭＲチップ１４が配置されている付近では、搬送経路に平行な成分が主成分となっている。このバイアス磁界１００のＸ方向成分がＭＲチップ１４のバイアス磁界１００として作用している。これをバイアス磁界のＸ方向成分１００ｘとする。

図１４Ａは、予め磁化された硬磁性体１ａが無いときのバイアス磁界１００のＸ方向成分Ｈｘの大きさと方向を示している。図１４Ｂ〜図１４Ｄにおいてバイアス磁界１００に平行している点線矢印は、図１４Ａにおけるバイアス磁界１００の大きさを示す。例えば、図１４Ａに示すように、＋Ｘ方向にＮ極が生じ−Ｘ方向にＳ極が生じる方向に予め磁化された硬磁性体１ａがＭＲ素子１４ａに近づいてくると、図１４Ｂに示すように、ＭＲ素子１４ａの位置において、バイアス磁界１００のＸ方向成分Ｈｘの方向と硬磁性体１ａの硬磁性体磁界１ｂのＸ方向成分の方向とが同じ方向となる。そのため、ＭＲ素子１４ａに印加されるバイアス磁界１００ｘ（Ｈｘ）が大きくなる。

硬磁性体１ａがＭＲ素子１４ａの位置に来ると、図１４Ｃに示すように、ＭＲ素子１４ａの位置において、バイアス磁界１００のＸ方向成分Ｈｘの方向と硬磁性体１ａの硬磁性体磁界１ｂのＸ方向成分の方向とが反対方向となる。そのため、ＭＲ素子１４ａに印加されるバイアス磁界１００ｘ（Ｈｘ）が小さくなる。硬磁性体１ａがＭＲ素子１４ａから離れていくと、図１４Ｄに示すように、ＭＲ素子１４ａの位置において、バイアス磁界１００のＸ方向成分Ｈｘの方向と硬磁性体１ａの硬磁性体磁界１ｂのＸ方向成分の方向とが同じ方向となる。そのため、ＭＲ素子１４ａに印加されるバイアス磁界１００ｘ（Ｈｘ）が大きくなる。これにより、Ｘ方向成分を感磁するＭＲ素子１４ａの抵抗値が変化し、硬磁性体１ａを検知することができる。すなわち、硬磁性体１ａ（被読取媒体１）が通過するに従って、搬送方向（Ｘ方向）のバイアス磁界１００ｘ（Ｈｘ）の大きさが変化するので、Ｘ方向成分を感磁するＭＲ素子１４ａの抵抗値が変化し、硬磁性体１ａを検知することができる。

バイアス磁界１００の変化は、硬磁性体１ａの通過によりもたらされるものであるから、実施の形態３のような構成にすることにより、硬磁性体１ａの通過を検知できることになる。その結果、硬磁性体１ａによる僅かな磁界の変化を読み取ることが可能な磁気読取部３を提供できる。このように磁気読取部３を構成すれば、ＭＲチップ１４付近では、磁石１１、ヨーク２１により、紙幣などの被読取媒体１（硬磁性体１ａ）には、ほとんど磁界が印加されない。被読取媒体１に自らは磁界を発生しない軟磁性体が含まれている場合でも、軟磁性体は検知しないので、硬磁性体と軟磁性体とを区別することが可能となる。

上記のように磁気読取部３を構成することにより、硬磁性体１ａを高感度で検知し、さらに軟磁性体に対しては感度がほぼ無いため、硬磁性体と軟磁性体を区別することが可能な磁気センサを提供することができる。

本構成によれば、被読取媒体１にほとんど磁界が印加されない。そのため自ら磁界を発生しない軟磁性体は検知されないため、自ら磁界を発生する硬磁性体のみ検出することが可能となる。

実施の形態３でも図１０に示すように、光学読み取り領域２０１と磁気読み取り領域２０２が一致しており、同時に同一場所の画像情報と硬磁性体の磁気情報が得られるので、読み取った光学画像および磁気パターンと、光学画像および磁気パターンの位置関係とを関連づけることができる。その結果、精度の高い情報を得ることができる。

実施の形態４．
図１５は、この発明の実施の形態４に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。図１６は、実施の形態４に係る磁気読取部の主走査方向に直交する断面図である。図１６は、図１５の磁気読取部３を拡大した図である。実施の形態４は実施の形態１において磁気読取部３の構成を変更したものであり、光学読取部２の構成は実施の形態１と同様である。

実施の形態４における磁気読取部３は実施の形態３と同様、硬磁性体を含むインクで印刷された、あるいは、硬磁性体の物質を含んで形成された、紙幣または小切手等の、硬磁性体を有する被読取媒体１の硬磁性体のみを検知する場合の構成である。図１５において、磁石１１は、搬送面Ｐに直交する方向（Ｚ方向）に並んだＮ極とＳ極の互いに異なる磁極を有し、＋Ｚ方向にＮ極を、−Ｚ方向にＳ極を有している。ヨーク２２は、磁石１１の搬送面Ｐに対向する面に配置され、ヨーク２０は、磁石１１のヨーク２２が配置された面以外を覆うように配置されている。ＭＲチップ１４は、図１５においては、磁石１１のＮ極側のヨーク２２および磁石１１の搬送方向の長さの中央部で、ヨーク２２と被読取媒体１の搬送経路との間に配置されている。

実施の形態４に係る磁気読取部３の構成では、磁石１１の搬送面Ｐ側にヨーク２２が配置され、磁石１１のヨーク２２が配置された面以外を覆うようにヨーク２０が配置されている。そのため、実施の形態１に比べて、磁極からヨーク２２を超えてＺ方向へ向かう磁界が小さくなり、Ｘ方向へ向かう磁界が大きくなる。

このように磁気センサ装置を構成すれば、磁石１１、ヨーク２２およびヨーク２０により紙幣（硬磁性体）に印加される磁界を小さく抑えることが可能である。その結果、自らは磁界を発生しない軟磁性体の検知レベルが下がるため、硬磁性体と軟磁性体を区別することが可能となる。

図１７は、実施の形態４に係る磁気読取部の検出動作を示す図である。実施の形態４に係る磁気読取部３では、図１７に示すように磁極からヨーク２２を超えてＺ方向にヨーク２０へ向かう微小磁界をバイアス磁界１００として用いる。磁石１１の搬送面Ｐにおける漏れ磁界は極めて小さく、軟磁性体は磁界を発生しないため、軟磁性体が磁気読み取り領域２０２に近づいてきても、バイアス磁界１００は変化しない。従って、軟磁性体は、磁気読取部３では検知されない。

例えば、図１７に示すように、＋Ｘ方向にＮ極が生じ−Ｘ方向にＳ極が生じる方向に予め磁化された硬磁性体１ａは、自ら硬磁性体磁界１ｂを発するため、硬磁性体１ａがＭＲ素子１４ａに近づいて通過すると、バイアス磁界は、図１８Ａ〜図１８Ｄに示すように変化する。磁気読取部３における硬磁性体１ａの検出原理について、図１８Ａ〜図１８Ｄを参照して説明する。

図１８Ａは、実施の形態４に係る磁気抵抗効果素子における磁界ベクトル図である。図１７のＭＲチップ１４上のＭＲ素子１４ａ（図１７不図示）は、磁石１１の搬送方向の中心線１１ａより少し搬送方向にずれた位置に配置されており、ＭＲ素子１４ａにおいては、磁束密度の垂直方向成分２３ａと同時に、搬送方向成分２３ｂが存在する。なお、図１８Ａでは、磁界ベクトル２３は、搬送方向側すなわち＋Ｘ方向側に若干傾いている。

実施の形態４では、ＭＲ素子１４ａが設置された位置において、磁束密度の垂直方向成分２３ａが存在するのと同時に搬送方向成分２３ｂも存在している。これはＭＲ素子１４ａを磁石１１の中心線１１ａから少し離れた位置に設置されているからである。このように配置することで、ＭＲ素子１４ａが適切に作動するために必要な搬送方向のバイアス磁界をＭＲ素子１４ａに与えることができる。

このような状態のところへ磁性体を含む被読取媒体１（硬磁性体１ａ）が通過すると、磁界分布が変化する。この時、ＭＲ素子１４ａに印加されている磁界ベクトル２３の方向がわずかに変化する。磁界ベクトル２３の方向の変化はわずかでも、搬送方向成分２３ｂの割合としては大きな変化が発生するので、ＭＲ素子１４ａでこの変化を十分検知できる。

図１８Ａにおいて、磁界ベクトル２３は、ＭＲ素子１４ａが配置されている付近では、搬送面Ｐに交差する交差磁界である垂直方向成分２３ａと搬送方向成分２３ｂは同程度の大きさである。ＭＲ素子１４ａが磁石１１の中心線１１ａより少し搬送方向にずれているため、図１８Ａに示すように、磁界ベクトル２３は、垂直方向から搬送方向に傾いている。この磁界の搬送方向成分２３ｂがＭＲ素子１４ａのバイアス磁界として作用している。

図１８Ｂは、被読取媒体が磁気抵抗効果素子に近づくときの磁界ベクトル図である。例えば、図１８Ｂに示すように、＋Ｘ方向にＮ極が生じ−Ｘ方向にＳ極が生じる方向に予め磁化された磁性体（硬磁性体１ａ）を含む被読取媒体１がＭＲ素子１４ａに近づいてくると、図１８Ｂに示すように、ＭＲ素子１４ａの位置において、磁界ベクトル２３のＸ方向成分Ｈｘの方向と硬磁性体１ａの硬磁性体磁界１ｂのＸ方向成分の方向とが同じ方向となる。したがって、磁界ベクトル２３は、被読取媒体１（硬磁性体１ａ）が持つ硬磁性体磁界１ｂと合成され、被読取媒体１（硬磁性体１ａ）から離れるように搬送方向側（＋Ｘ方向）に傾く。そのため磁界ベクトル２３の搬送方向成分２３ｂが大きくなる。図１８Ｂでは、被読取媒体１（硬磁性体１ａ）がない場合の磁界ベクトル２３を点線矢印で示す。

図１８Ｃは、被読取媒体が磁気抵抗効果素子の位置に来たときの磁界ベクトル図である。図１８Ｃでも、被読取媒体１（硬磁性体１ａ）がない場合の磁界ベクトル２３を点線矢印で示す。磁性体を含む被読取媒体１（硬磁性体１ａ）がＭＲ素子１４ａの位置に来ると、図１８Ｃに示すように、ＭＲ素子１４ａの位置において、磁界ベクトル２３のＸ方向成分Ｈｘの方向と硬磁性体１ａの硬磁性体磁界１ｂのＸ方向成分の方向とが反対方向となる。したがって、磁界ベクトル２３は、被読取媒体１（硬磁性体１ａ）が持つ硬磁性体磁界１ｂと合成され、搬送方向と反対側（−Ｘ方向）に傾くため、搬送方向成分２３ｂが小さくなる。

図１８Ｄは、被読取媒体が磁気抵抗効果素子から離れるときの磁界ベクトル図である。図１８Ｄでも、被読取媒体１（硬磁性体１ａ）がない場合の磁界ベクトル２３を点線矢印で示す。磁性体を含む被読取媒体１（硬磁性体１ａ）がＭＲ素子１４ａから離れていくと、図１８Ｄに示すように、ＭＲ素子１４ａの位置において、磁界ベクトル２３のＸ方向成分Ｈｘの方向と硬磁性体１ａの硬磁性体磁界１ｂのＸ方向成分の方向とが同じ方向となる。したがって、磁界ベクトル２３は、被読取媒体１（硬磁性体１ａ）が持つ硬磁性体磁界１ｂと合成され、被読取媒体１（硬磁性体１ａ）に吸い寄せられるように搬送方向側（＋Ｘ方向）に傾く。そのため磁界ベクトル２３の搬送方向成分２３ｂが大きくなる。被読取媒体１（硬磁性体１ａ）の磁性体が搬送方向に移動することにより、搬送方向成分２３ｂを感磁するＭＲ素子１４ａの抵抗値が変化する。したがって、被読取媒体１（硬磁性体１ａ）の通過により、磁界ベクトル２３の搬送方向の搬送方向成分２３ｂが変化するので、搬送方向成分を感磁するＭＲ素子１４ａの抵抗値が変化し、被読取媒体１（硬磁性体１ａ）の磁気成分を検知することができる。

図１５に示すように、光学読み取り領域２０１と磁気読み取り領域２０２が一致しており、同時に同一場所の画像情報と硬磁性体の磁気情報が得られるので、読み取った光学画像および磁気パターンと、光学画像および磁気パターンの位置関係とを関連づけることができる。その結果、精度の高い情報を得ることができる。

実施の形態５．
図１９は、この発明の実施の形態５に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。図２０は、実施の形態５に係る磁気読取部の主走査方向に直交する断面図である。図２０は、図１９の磁気読取部３を拡大した図である。実施の形態５は実施の形態１において磁気読取部３の構成を変更したものであり、光学読取部２の構成は実施の形態１と同様である。

実施の形態５における磁気読取部３は、実施の形態３および実施の形態４と同様、硬磁性体を含むインクで印刷された、あるいは、硬磁性体の物質を含んで形成された、紙幣または小切手等の、硬磁性体を有する被読取媒体１の硬磁性体のみを検知する場合の構成である。図１９において、磁石１１は、搬送面Ｐに直交する方向（Ｚ方向）に並んだＮ極とＳ極の互いに異なる磁極を有し、＋Ｚ方向にＮ極を、−Ｚ方向にＳ極を有する。ヨーク２２は、磁石１１の搬送面Ｐに対向する面に配置され、ヨーク２０は磁石１１のヨーク２２が配置された面以外を覆い、さらに搬送面Ｐ側に突出するように配置されている。ＭＲチップ１４は、図１９において、磁石１１の搬送面Ｐ側のヨーク２２および磁石１１の搬送方向の長さの中央部で、ヨーク２２と被読取媒体１の搬送面Ｐとの間に配置されている。

実施の形態５の磁気読取部３の構成では、磁石１１のＮ極側端部の搬送方向側面にヨーク２２、磁石１１のヨーク２２に面した部位以外を覆い搬送経路側に突出するようにヨーク２０が配置されている。そのため、実施の形態４に比べてさらに、磁極からヨーク２２を超えてＺ方向へ向かう磁界が小さくなり、Ｘ方向へ向かう磁界がより大きくなる。

このように磁気センサ装置を構成すれば、実施の形態４に比べて、ＭＲチップ１４付近において、磁石１１、ヨーク２２およびヨーク２０により紙幣（硬磁性体）に印加される磁界をさらに小さくすることが可能である。その結果、自らは磁界を発生しない軟磁性体の検知レベルがさらに小さくなるので、硬磁性体と軟磁性体とをより区別すること可能となる。

図１９に示すように、光学読み取り領域２０１と磁気読み取り領域２０２が一致しており、同時に同一場所の画像情報と硬磁性体の磁気情報が得られるので、読み取った光学画像および磁気パターンと、光学画像および磁気パターンの位置関係とを関連づけることができる。その結果、精度の高い情報を得ることができる。

実施の形態６．
図２１は、この発明の実施の形態６に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。実施の形態６は、磁気読取部３の搬送方向に並んで、光学読取部（第２の光学読取部）２００を備える。実施の形態６の画像読取装置は、実施の形態１の構成に光学読取部２００を追加したものである。光学読取部２００は、搬送面Ｐの磁気読取部３の側に配置される。光学読取部２００は、導光体（第２の導光体）２４、結像光学系（第２の結像光学系）２５および受光部（第２の受光部）２７から構成される。導光体２４、結像光学系２５および受光部２７は、実施の形態１の導光体４、結像光学系５および受光部７とそれぞれ同等である。受光部２７は、信号処理基板１６に載置される。結像光学系２５は、搬送面Ｐの磁気回路側の光学読み取り領域（第２の光学読み取り領域）１０１を、受光部２７に結像する。信号処理基板１６は、受光部２７から出力される電気信号を処理して、光学読み取り領域１０１の光学画像を得る。

実施の形態６では、実施の形態１に加えて、光学読取部２００が搬送面Ｐの磁気読取部３の側に配置される。そのため、被読取媒体１の磁気読取部３側にある光学読み取り領域（１０１）の画像情報も得られる。よって、実施の形態６の画像読取装置では、被読取媒体１の両面の画像情報が得られる。その結果、被読取媒体１の識別精度がさらに向上する。

なお、磁気読取部３の磁気回路については、実施の形態１、３から５のどの構成を選んでもよい。すなわち、実施の形態３、実施の形態４または実施の形態５の画像読取装置に、光学読取部２００を組み合わせる構成を採ることができる。

実施の形態７．
図２２は、この発明の実施の形態７に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。実施の形態７は、実施の形態６の構成に加えて、光学読取部２の搬送方向に並んで、磁気読取部（第２の磁気読取部（硬磁性体読取部））３００を備える。磁気読取部３００は、搬送面Ｐの光学読取部２の側に配置される。磁気読取部３００は、Ｎ極とＳ極が搬送方向に並んだ磁石３１、ヨーク４１、非磁性キャリア３３、磁気抵抗効果素子チップ（ＭＲチップ）３４、およびＭＲチップ３４の出力端子が接続された基板３５を備える。ＭＲチップ３４から出力された電気信号は、出力を増幅するアンプＩＣ（図示せず）および基板３５を経由して信号線３７でセンサ基板６に伝送される。センサ基板６は、ＭＲチップ３４から出力された電気信号を処理して、磁気パターンの情報を出力する。

実施の形態７では、実施の形態６に加えて、硬磁性体を検出する磁気読取部３００が搬送面Ｐの光学読取部２の側に配置される。そのため、被読取媒体１の磁気読取部３側で磁気画像の軟磁性体の情報が得られ、さらに光学読取部２の側では硬磁性体の情報を得られる。よって、実施の形態７の画像読取装置では、被読取媒体１の両面の画像情報が得られるばかりでなく、軟磁性体、硬磁性体両方の磁気情報が得られる。その結果、被読取媒体１の識別精度がさらに向上する。

図２２に示すように、光学読み取り領域１０１と磁気読み取り領域１０２が一致しており、同時に同一場所の画像情報と硬磁性体の磁気情報が得られるので、読み取った光学画像および磁気パターンと、光学画像および磁気パターンの位置関係とを関連づけることができる。その結果、精度の高い情報を得ることができる。

なお、磁気読取部３００（第２の磁気読取部）については、実施の形態３〜５のどの構成を選んでもよい。実施の形態７の磁気読取部３００は、実施の形態３の磁気読取部３と同様の構成である。磁気読取部３００として、実施の形態４または実施の形態５の磁気読取部３と同様の構成を採ることができる。また、図２２で、画像読取装置を１８０°回転させた構成にしてもよい。それは、図２２で搬送方向を逆にするのと同じである。

実施の形態７で、被読取媒体１の磁気読取部３側の面の画像情報を読み取る必要がなければ、光学読取部２００を備えなくてもよい。その場合、磁気読取部３００を搬送面Ｐの磁気読取部３と同じ側に配置することもできる。

実施の形態８．
図２３は、この発明の実施の形態８に係る画像読取装置の主走査方向に直交する断面図である。実施の形態８は、実施の形態６の構成に加えて、光学読取部２に導光体（第３の導光体）４４を備える。導光体４４は、搬送面Ｐの光学読取部２の側、すなわち、光学読取部２００に対向する側に配置される。導光体４４の光は搬送面Ｐの光学読み取り部１０１と反対側に照射される。導光体４４の光軸（破線矢印）は、結像光学系２５の光軸（実線矢印）と同一である。すなわち、結像光学系２５において、導光体４４の光は被読取媒体１の反対側から照射され、導光体４４の光軸（破線矢印）と、導光体２４からの光が被読取媒体１で反射し結像光学系２５に入射する光（実線矢印）の光軸は同一である。よって、受光部２７は、導光体２４からの光が被読取媒体１で反射した反射光と、導光体４４からの光が被読取媒体１を透過した透過光とを受光する。

実施の形態８では、実施の形態６の構成に加えて、透過光を照射する導光体４４が搬送面Ｐの光学読取部２００に対向する側に配置される。そのため、被読取媒体１が紙幣のすかし部のように、透光性の模様を有する場合は、導光体４４からの透過光により被読取媒体１のすかし画像情報が得られる。よって、実施の形態８では、被読取媒体１の両面の反射画像情報および軟磁性体の磁気情報が得られるばかりでなく、すかし画像情報が得られる。その結果、被読取媒体１の識別精度がさらに向上する。

光学読取部２００で、透過光の画像のみを得るのでよければ、導光体２４を備えなくてもよい。その場合、結像光学系２５および受光部２７を、搬送面Ｐの結像光学系５と同じ側に配置し、導光体４４を、搬送面Ｐの磁気読取部３側に配置してもよい。

実施の形態１から実施の形態８の構成は、例示であって、本発明はそれらの構成に限定されるものではない。例えば、磁石１１または磁石３１の磁極の配列は、図示の場合に限られず、それぞれ、Ｎ極とＳ極が逆に配列されていても構わない。また、それぞれの実施の形態で、被読取媒体１の搬送方向は、図示と逆であっても構わない。

本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態および変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。本発明の範囲は、実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。そして、特許請求の範囲内およびそれと同等の発明の意義の範囲内で施される様々な変形が、本発明の範囲内とみなされる。

本出願は、２０１４年１０月３日に出願された、明細書、特許請求の範囲、図、および要約書を含む、日本国特許出願２０１４−２０４３７６号に基づく優先権を主張するものである。日本国特許出願２０１４−２０４３７６号の開示内容は参照により全体として本出願に含まれる。

１ 被読取媒体、１ａ 硬磁性体、１ｂ 硬磁性体磁界、２ 光学読取部、３ 磁気読取部、４ 導光体、５ 結像光学系、６ センサ基板、７ 受光部、８ 筐体、９ 透過体、１１ 磁石、１１ａ 中心線、１２ ヨーク、１３ 非磁性キャリア、１４ 磁気抵抗効果素子チップ（ＭＲチップ）、１４ａ ＭＲ素子、１５ 基板、１６ 信号処理基板、１７ 信号線、１８ カバー、１９ 筐体、２０ ヨーク、２１ ヨーク、２２ ヨーク、２３ 磁界ベクトル、２３ａ 垂直方向成分、２３ｂ 搬送方向成分、２４ 導光体（第２の導光体）、２５ 結像光学系（第２の結像光学系）、２７ 受光部（第２の受光部）、３１ 磁石、３３ 非磁性キャリア、３４ 磁気抵抗効果素子チップ（ＭＲチップ）、３５ 基板、３７ 信号線、４１ ヨーク、４４ 導光体（第３の導光体）、１００ 磁力線（バイアス磁界）、１０１ 光学読み取り領域（第２の光学読み取り領域）、１０２ 磁気読み取り領域（第２の磁気読み取り領域）、２００ 光学読取部（第２の光学読取部）、２０１ 光学読み取り領域、２０２ 磁気読み取り領域、３００ 磁気読取部（第２の磁気読取部）、Ｐ 搬送面。

Claims (7)

1. 磁気成分を含むシート状の被読取媒体がそのシート面の方向に沿って搬送される搬送面の一方の側に設けられ、該搬送面に直交する方向に異なる磁極を有する磁石および前記磁石の前記搬送面の側の磁極に設けられたヨークを具備し、前記搬送面の第１の磁気読み取り領域で前記搬送面に直交する方向に磁界を発生する磁気回路と、
   前記磁気回路と前記搬送面の間に設けられ、前記被読取媒体が前記搬送面を搬送される際に、前記第１の磁気読み取り領域で前記磁界の搬送方向成分の強度変化を検出する磁気抵抗効果素子と、
   前記搬送面を挟んで前記磁気回路と対向する側に設けられ、前記搬送面の前記第１の磁気読み取り領域に光を照射する第１の光源と、
   前記搬送面を挟んで前記磁気回路と対向する側に設けられた、第１の結像光学系および第１の受光部と、
   を備え、
   前記第１の結像光学系は、前記搬送面の前記第１の磁気読み取り領域における搬送方向の少なくとも一部を含む第１の光学読み取り領域を前記第１の受光部に結像する、画像読取装置。
2. 磁気成分を含むシート状の被読取媒体がそのシート面の方向に沿って搬送される搬送面の一方の側に設けられ、前記搬送面の磁気読み取り領域で搬送方向に平行な方向に磁界を発生する磁気回路と、
   前記磁気回路と前記搬送面の間に設けられ、前記被読取媒体が前記搬送面を搬送される際に、前記磁気読み取り領域で前記磁界の搬送方向成分の強度変化を検出する磁気抵抗効果素子と、
   前記搬送面を挟んで前記磁気回路と対向する側に設けられ、前記搬送面の前記磁気読み取り領域に光を照射する第１の光源と、
   前記搬送面を挟んで前記磁気回路と対向する側に設けられた、第１の結像光学系および第１の受光部と、
   を備え、
   前記第１の結像光学系は、前記搬送面の前記磁気読み取り領域における搬送方向の少なくとも一部を含む第１の光学読み取り領域を前記第１の受光部に結像する、画像読取装置。
3. 磁気成分を含むシート状の被読取媒体がそのシート面の方向に沿って搬送される搬送面の一方の側に設けられ、搬送方向に平行な方向に異なる磁極を有する磁石および前記磁石の両方の磁極に設けられたヨークを具備し、前記搬送面の磁気読み取り領域で前記搬送方向に平行な方向に磁界を発生する磁気回路と、
   前記磁気回路と前記搬送面の間に設けられ、前記被読取媒体が前記搬送面を搬送される際に、前記磁気読み取り領域で前記磁界の搬送方向成分の強度変化を検出する磁気抵抗効果素子と、
   前記搬送面を挟んで前記磁気回路と対向する側に設けられ、前記搬送面の前記磁気読み取り領域に光を照射する第１の光源と、
   前記搬送面を挟んで前記磁気回路と対向する側に設けられた、第１の結像光学系および第１の受光部と、
   を備え、
   前記第１の結像光学系は、前記搬送面の前記磁気読み取り領域における搬送方向の少なくとも一部を含む第１の光学読み取り領域を前記第１の受光部に結像する、画像読取装置。
4. 前記搬送面の前記磁気回路の側に設けられ、前記磁気回路の側から前記搬送面の第２の光学読み取り領域に、光を照射する第２の光源と、
   前記搬送面の前記磁気回路の側に設けられた、第２の結像光学系および第２の受光部と、
   を備え、
   前記第２の結像光学系は、前記第２の光学読み取り領域を前記第２の受光部に結像する、請求項１から３のいずれか１項に記載の画像読取装置。
5. 前記搬送面を挟んで前記第２の結像光学系と対向する側に設けられ、前記搬送面の前記第２の光学読み取り領域の反対側から、前記第２の結像光学系の光軸と同じ光軸の光を照射する、第３の光源を備える請求項４に記載の画像読取装置。
6. 前記搬送面の前記第１の磁気読み取り領域とは異なる第２の磁気読み取り領域に、前記被読取媒体の搬送方向に平行な方向に磁界を発生する第２の磁気回路と、
   前記第２の磁気回路と前記搬送面の間に設けられ、前記被読取媒体が前記搬送面を搬送される際に、前記第２の磁気読み取り領域で前記磁界の搬送方向成分の強度変化を検出する第２の磁気抵抗効果素子と、
   を備える請求項１に記載の画像読取装置。
7. 前記第２の磁気回路および前記第２の磁気抵抗効果素子は、前記搬送面の前記第１の受光部側に設けられ、
   前記搬送面を挟んで前記第２の磁気回路と対向する側に設けられ、前記搬送面の第２の光学読み取り領域に、光を照射する第２の光源と、
   前記搬送面を挟んで前記第２の磁気回路と対向する側に設けられた、第２の結像光学系および第２の受光部と、
   を備え、
   前記第２の結像光学系は、前記搬送面の前記第２の磁気読み取り領域における前記搬送方向の少なくとも一部を含む前記第２の光学読み取り領域を前記第２の受光部に結像する、請求項６に記載の画像読取装置。

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