JPWO2016031547A1 - 電磁波吸収及び輻射材料及びその製造方法並びに赤外線源 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2014年8月29日に、日本に出願された特願2014−176247号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
ここで、前記導電体ディスクは前記導電体表面に設けられた誘電体層の表面に配列されてよい。
第二側面に係る電磁波吸収及び輻射材料において、前記孔付き導電体層は前記導電体表面に設けられた誘電体層の表面に配置されてよい。
また、前記複数の導電体ディスクまたは前記複数の孔は互いに同じサイズであってよい。
また、前記複数の導電体ディスクまたは前記複数の孔は円形であってよい。
また、前記導電体ディスクまたは前記孔付き導電体層、並びに前記導電体表面の少なくとも一はAl、Ti等の軽金属であってよい。
また、導電体ディスクまたは前記孔付き導電体層、並びに前記導電体表面の少なくとも一はMo、W、Nb、Ta,Re,MoSi2、TiN、ZrN、HfN、TiC、TaC、LaB6、AlB2等の高耐熱材料であってよい。
ここで、前記第二の導電体の層のエッチングに先立って、前記複数の球のサイズを一様に縮小するステップを含んでよい。
ここで、前記第二の導電体の層の堆積に先立って、前記複数の球のサイズを一様に縮小するステップを含んでよい。
また、前記第二の導電体の層または前記誘電体層の表面への複数の球の単層配列は、液体表面に複数の球を浮かせ、これを前記第二の導電体の層または前記誘電体層の表面に転写することによって行ってよい。
また、前記複数の球はポリスチレン球であってよい。
また、前記複数の球は互いに同じサイズであってよい。
また、導電体ディスクまたは前記孔付き導電体層、並びに前記導電体表面の少なくとも一つはAl、Ti等の軽金属からなってよい。
あるいは、導電体ディスクまたは前記孔付き導電体層、並びに前記導電体表面の少なくとも一つはMo、W、Nb、Ta,Re,MoSi2、TiN、ZrN、HfN、TiC、TaC、LaB6、AlB2等の高耐熱材料であってよい。
図3を参照して説明したところの、PS球Bによる湿式マスクを用いた製造方法でディスクアレイ構造の電磁波吸収及び輻射材料を作製した。この電磁波吸収及び輻射材料に関する計測結果及びシミュレーション結果を以下に示す。図7(a)では、第一及び第二金属層12、16の材料(原料)として安価な軽金属のアルミニウムを用いたが、ほぼ100%に近い吸収率を実現できた。
という一般に成立する関係式に透過率=0を代入すると、
[反射率]=1−[吸収率]
となり、実際、後述する電磁シミュレーションの結果は、反射率と吸収率が上下反転した形状になっている。キルヒホッフの法則によると、吸収率と輻射率は等しいため、吸収率が高いと言うことは輻射率も高いと言うことである。このため100%近い吸収率を持つと言うことは1.0に非常に近い輻射率を持つ非常に高効率な電磁波輻射材料に成りうることを示している。このため、構造を制御することで所望の波長の電磁波を高効率に輻射できるパネル型の材料が可能となる。
FDTD法(Finite-difference time-domain method; FDTD method)による実空間電磁場分布シミュレーションとRCWA法(Rigorous coupled-wave analysis(RCWA))を用いた電磁シミュレーションの結果を図8Aと図8Bに示す。また、図8Aには、反射率の実測値と300℃での輻射強度の測定結果も示す。シミュレーション及び測定には、第一金属層12、第一誘電体層14、及び第二金属層16の厚さがそれぞれ100nm、200nm、100nmである電磁波吸収及び輻射材料を用いた。また、ディスクの直径を2.3μm、周期(ディスクの中心間距離)を4.4μmとし、第一、第二導電体層12、16をアルミニウム、第一誘電体層14をアルミナで形成した。また、シミュレーションはRCWA法で行った。反射率の測定は赤外分光法で行った。輻射強度の測定は後述する図10の計測装置を用いた。図8Aに示すように、反射スペクトルの計算結果及び実測値は、7.3μm付近の波長に鋭い反射の減少を示し、波長7.3μmでほぼゼロとなった。この電磁波吸収及び輻射材料が、図7に示すように電磁波を透過させないことを考慮すると、これは、この波長ではほぼ100%の電磁波の吸収が生じていることを示している(吸収=1−反射)。
高い温度まで機能できるように、第一金属層12と第二金属層16共に耐熱性の高い材料(原料)であるMoを用い、また誘電体層14にアルミナを用いたディスクアレイ構造の電磁波吸収及び輻射材料を作製し、これを試料としてその特性を測定した。測定対象の電磁波吸収及び輻射材料の下地10はSiを使用し、Mo第一金属層12、アルミナ誘電体層14、及びMo第二金属層16の厚さはそれぞれ1μm、150nm、100nmであった。ディスク16aの直径は1.7μmであった。また、ここでの輻射測定に当たっては、図10に構成を概念的に示す計測装置を使用した。なお、図10の計測装置構成で真空窓が二つ用意されているのは、窓毎に種類の違う放射温度計を設置しておくことで、使用する放射温度計の切替を試料(赤外発光体)の角度の変更だけで実現できるようにするためである。実験は圧力10−7Torr台の真空環境で行い、ZnSe真空窓(可視光から赤外光までの広い範囲を透過)を通してパワーメーター(0.19〜25μmの計測が可能)で可視波長・赤外光のパワーを計測し、また石英真空窓(4μmより短い波長の可視光・赤外光を透過)を通してパワーメーター(0.19〜25μmの計測が可能)を用いてパワーを計測した。測定はあらかじめ、窓の透過率スペクトルを測定し、それを用いて窓での透過率の減少を考慮した輻射パワーの補正を施した。
図2に構造を概念的に示すホールアレイ構造の電磁波吸収及び輻射材料を作製した。具体的には、下地10としてのシリコンウエハ表面に、第一導電体層12としてMoを0.2μm、更に第一誘電体層14としてアルミナを0.47μm厚で成膜した。その上に、既に説明したように、直径3μmのポリスチレン(PS)球Bの単層を転写し、反応性エッチングによってこれらPS球のサイズを一様に縮小して直径1.1μm、1.2μm及び1.3μmとすることでマスクを形成した。このマスクの上からMoを0.1μm厚で製膜することで、それぞれ直径1.1μm、1.2μm及び1.3μmの複数の孔26aを有する3種類の孔付き導電体層26を形成し、図2に概念的に示したホールアレイ構造を作製した。このようにして作製されたホールアレイ構造を有する電磁波吸収及び輻射材料の一を、その孔26aのあいたMo層26側から走査電子顕微鏡で観察した結果を図12A及び図12Bに示す。図12Bは図12Aと同じ表面を更に高倍率で観察した結果である。
(1)高温環境下で熱線を吸収し、そのエネルギーを近赤外光へと変換することのできる、熱光起電力用の熱エネルギー吸収・近赤外光輻射材料。
(2)赤外線検出素子に搭載され、その素子の高感度化と同時に、波長選択性を持たせることが可能であり、特定の波長を検出する赤外検出器。また、この赤外線検出素子を多数波長を変えて並べた、回折格子や干渉計を必要としない小型な高感度分光器。
(3)中赤外から近赤外の特定波長の電磁波を放出できるパネルヒーター。
(4)紫外‐中赤外の特定の波長の電磁波を輻射する無偏光タイプの狭帯域光源。
(5)紫外‐中赤外の特定の波長の電磁波を吸収する無偏光タイプの検出器。
(6)上記(4)を光源とし(5)を検出器とする、或いはその一方を用いるリモコン装置。
(7)表面増強赤外吸収や表面増強ラマン散乱などの高感度分光の為の下地。
(8)高価なLEDやレーザーの代わりとして使用する安価な赤外光源。
(9)小型赤外カメラのための広角な赤外光源。
(10)特定の分子の振動や吸収波長に合わせて輻射波長が設計された近赤外および中赤外輻射光源。
(11)上記(2)の波長選択赤外検出素子と(10)の赤外光源とを組み合わせた装置。光源と波長選択赤外検出素子との間に、計測する対象物を配置し、その対象物の状態や特定の物質の有無を計測する装置。
(12)対象物の特性に合わせた波長の赤外線を輻射することで効率よく加熱を行う赤外線源。
12 第一金属層(第一導電体層)
12a 導電体面
14 第一誘電体層
16 第二金属ディスク層
16a 導電体ディスク
26 第二金属層(孔付き導電体層)
26a 孔
B ポリスチレン球
ここで、前記導電体の堆積に先立って、前記複数の球のサイズを一様に縮小するステップを含んでよい。
また、前記第二の導電体の層または前記誘電体層の表面への複数の球の単層配列は、液体表面に複数の球を浮かせ、これを前記第二の導電体の層または前記誘電体層の表面に転写することによって行ってよい。
また、前記複数の球はポリスチレン球であってよい。
また、前記複数の球は互いに同じサイズであってよい。
また、導電体ディスクまたは前記孔付き導電体層、並びに前記第一の導電体表面の少なくとも一つはAl、Ti等の軽金属からなってよい。
あるいは、導電体ディスクまたは前記孔付き導電体層、並びに前記第一の導電体表面の少なくとも一つはMo、W、Nb、Ta,Re,MoSi2、TiN、ZrN、HfN、TiC、TaC、LaB6、AlB2等の高耐熱材料であってよい。
Claims (20)
- 導電体表面から離間して複数の導電体ディスクを配列した、電磁波吸収及び輻射材料。
- 前記導電体ディスクは前記導電体表面に設けられた誘電体層の表面に配列される、請求項1に記載の電磁波吸収及び輻射材料。
- 導電体表面から離間して複数の孔を配列した孔付き導電体層を配置した、電磁波吸収及び輻射材料。
- 前記孔付き導電体層は前記導電体表面に設けられた誘電体層の表面に配置される、請求項3に記載の電磁波吸収及び輻射材料。
- 前記導電体表面は導電体箔または下地の上に形成された導電体膜である導電体層の表面である、請求項1から4の何れかに記載の電磁波吸収及び輻射材料。
- 前記複数の導電体ディスクまたは前記複数の孔は互いに同じサイズである、請求項1から5の何れかに記載の電磁波吸収及び輻射材料。
- 前記複数の導電体ディスクまたは前記複数の孔は円形である、請求項1から6の何れかに記載の電磁波吸収及び輻射材料。
- 前記導電体ディスクまたは前記孔付き導電体層、並びに前記導電体表面の少なくとも一はAl、Ti等の軽金属である、請求項1から7の何れかに記載の電磁波吸収及び輻射材料。
- 導電体ディスクまたは前記孔付き導電体層、並びに前記導電体表面の少なくとも一はMo、W、Nb、Ta,Re,MoSi2、TiN、ZrN、HfN、TiC、TaC、LaB6、AlB2等の高耐熱材料である、請求項1から7の何れかに記載の電磁波吸収及び輻射材料。
- 第一の導電体表面に誘電体層を形成し、
前記誘電体層の上に第二の導電体の層を形成し、
前記第二の導電体の層の表面に複数の球を単層配列し、
前記複数の球をマスクとして前記第二の導電体の層をエッチングして、前記複数の球直下の前記第二の導電体の層を複数の導電体ディスクとして残し、
前記複数の球を除去する
ステップを有する、電磁波吸収及び輻射材料の製造方法。 - 前記第二の導電体の層のエッチングに先立って、前記複数の球のサイズを一様に縮小するステップを含む、請求項10に記載の電磁波吸収及び輻射材料の製造方法。
- 第一の導電体表面に誘電体層を形成し、
前記誘電体層の表面に複数の球を単層配列し、
前記複数の球をマスクとして前記誘電体層の表面に導電体を堆積して、前記複数の球直下に孔を有する孔付き導電体層を形成し、
前記複数の球を除去する
ステップを有する、電磁波吸収及び輻射材料の製造方法。 - 前記第二の導電体の層の堆積に先立って、前記複数の球のサイズを一様に縮小するステップを含む、請求項12に記載の電磁波吸収及び輻射材料の製造方法。
- 前記複数の球のサイズの一様な縮小は反応性エッチングによって行う、請求項11または13に記載の電磁波吸収及び輻射材料の製造方法。
- 前記第二の導電体の層または前記誘電体層の表面への複数の球の単層配列は、液体表面に複数の球を浮かせ、これを前記第二の導電体の層または前記誘電体層の表面に転写することによって行う、請求項10から14の何れかに記載の電磁波吸収及び輻射材料の製造方法。
- 前記複数の球はポリスチレン球である、請求項10から15の何れかに記載の電磁波吸収及び輻射材料の製造方法。
- 前記複数の球は互いに同じサイズである、請求項10から16の何れかに記載の電磁波吸収及び輻射材料の製造方法。
- 導電体ディスクまたは前記孔付き導電体層、並びに前記導電体表面の少なくとも一つはAl、Ti等の軽金属からなる、請求項10から17の何れかに記載の電磁波吸収及び輻射材料の製造方法。
- 導電体ディスクまたは前記孔付き導電体層、並びに前記導電体表面の少なくとも一つはMo、W、Nb、Ta,Re,MoSi2、TiN、ZrN、HfN、TiC、TaC、LaB6、AlB2等の高耐熱材料である、請求項10から17の何れかに記載の電磁波吸収及び輻射材料の製造方法。
- 請求項1から9の何れかに記載の電磁波吸収及び輻射材料を使用した赤外線源。
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