JPWO2015141490A1 - 撮像素子、制御方法、並びに、撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
1.第1の実施の形態(イメージセンサ)
2.第2の実施の形態(イメージセンサ)
3.第3の実施の形態(イメージセンサ)
4.第4の実施の形態(撮像装置)
<処理速度・処理レート>
従来のイメージセンサには、フレーム格納が可能なメモリ(DRAM(Dynamic Random Access Memory)など)や十分な量のライン格納が可能なメモリ(SRAM(Static Random Access Memory)など)がなかった。そのため、イメージセンサにおいて行われる、画素信号の読み出し、アナログ処理、デジタル処理、出力処理等の各処理は、互いに同一の処理速度および処理レート(フレームレート)で実行されていた。
そこで、イメージセンサに、フレームや十分な量のラインを格納することができる大容量の記憶部を設け、その記憶部を用いてデジタル処理を、読み出し処理およびアナログ処理、出力処理とは独立に制御(フロー制御)するようにする。そして、読み出し処理およびアナログ処理と、デジタル処理と、出力処理とを互いに独立した処理速度で実行させるように、各処理の動作を制御する。
このような本技術を適用した撮像素子の一実施の形態であるイメージセンサの構成例を、図2に示す。図2に示されるイメージセンサ100は、被写体からの光を光電変換して画像データとして出力するデバイスである。例えば、イメージセンサ100は、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)を用いたCMOSイメージセンサ、CCD(Charge Coupled Device)を用いたCCDイメージセンサ等として構成される。
ここで、画素アレイ部111に形成される各単位画素の主な構成の例を図3に示す。画素アレイ部111に形成される各単位画素は、図3に示される例のような、基本的に互いに同一の構成を有する。図3に示される例の場合、単位画素131は、フォトダイオード141、読み出しトランジスタ142、リセットトランジスタ143、増幅トランジスタ144、およびセレクトトランジスタ145を有する。
従来のイメージセンサでは、図4のAに示されるように、信号処理部122におけるデジタルの画像データに対する信号処理であるデジタル処理、画素アレイ部111における画素信号を読み出す読み出し処理、アナログ処理部112におけるアナログの画素信号に対する信号処理であるアナログ処理、並びに、出力部116におけるデジタルの画像データを出力する出力処理の各処理は、共通の処理速度・処理レートで動作していた。
以下に、タイミング制御部121による各処理の制御の具体例について説明する。例えば、タイミング制御部121は、図5に示される例のように、読み出し処理およびアナログ処理を、デジタル処理や出力処理よりも高速化する(高速に実行させる)ようにしてもよい。
次に、図6のフローチャートを参照して、以上のような、各処理の動作の制御を行うためにタイミング制御部121が実行する制御処理の流れの例を説明する。
また、例えば、図5の例のように読み出し処理およびアナログ処理を高速化し、さらに、デジタル処理を出力処理よりも低速化する(低速に実行させる)ようにしてもよい。
次に、図8のフローチャートを参照して、以上のような、各処理の動作の制御を行うためにタイミング制御部121が実行する制御処理の流れの例を説明する。
また、例えば、図9の例のようにデジタル処理を読み出し処理、アナログ処理、および出力処理よりも高速化し(高速に実行し)、さらにそのデジタル処理を複数回繰り返す(複数回デジタル処理を実行する)ようにしてもよい。
次に、図10のフローチャートを参照して、以上のような、各処理の動作の制御を行うためにタイミング制御部121が実行する制御処理の流れの例を説明する。
また、各処理の処理レートを変更するようにしてもよい。例えば、図11の例のように、読み出し処理およびアナログ処理を、デジタル処理および出力処理よりも高速化し(高速に実行し)、さらに、高速レート化(フレームレートを上げる)ようにしてもよい。
次に、図12のフローチャートを参照して、以上のような、各処理の動作の制御を行うためにタイミング制御部121が実行する制御処理の流れの例を説明する。
<タイムシフト>
なお、フレームメモリ115を利用することにより、上述したように、各処理の処理速度や処理レートを変更するだけでなく、各処理の処理対象のフレームを時間方向に変更することができる(つまり、各処理の処理対象のフレームを互いに独立に設定することができる)ようにしてもよい。
その場合の制御処理の流れの例を、図15のフローチャートを参照して説明する。
なお、リングバッファは用いずに、過去にさかのぼったデータを出力するようにしてもよい。例えば、フレームメモリ115が複数フレーム分画像データを格納することができる容量を有していればよい。例えば、フレームメモリ115に格納されているデータがFIFO(First In First Out)方式で読み出されるようにしてもよい。図16にその場合の例を示す。図16の例の場合、フレームメモリ115がFIFOとして動作するので、信号処理部122は、現在フレームメモリ115に格納中である最新のフレームより時間的に前のフレーム(過去のフレーム)の画像データを読み出すことになる。
その場合の制御処理の流れの例を、図17のフローチャートを参照して説明する。
<イメージセンサの物理構成>
なお、本技術を適用する撮像素子は、例えば、封止されたパッケージやパッケージが回路基板に設置されたモジュール等として実現することができる。例えば、パッケージとして実現する場合、そのパッケージにおいて撮像素子が、単一の半導体基板により構成されるようにしてもよいし、互いに重畳される複数の半導体基板により構成されるようにしてもよい。
<撮像装置>
なお、本技術は、撮像素子以外にも適用することができる。例えば、撮像装置のような、撮像素子を有する装置(電子機器等)に本技術を適用するようにしてもよい。図19は、本技術を適用した電子機器の一例としての撮像装置の主な構成例を示すブロック図である。図19に示される撮像装置600は、被写体を撮像し、その被写体の画像を電気信号として出力する装置である。
(1) 画素アレイの複数の画素のそれぞれから、入射光を光電変換して得られる画素信号を読み出す画素アレイと、
アナログの前記画素信号に対して信号処理を行い、デジタルの画像データを得るアナログ処理部と、
前記画像データを格納する記憶部と、
前記記憶部に格納される前記画像データを信号処理する信号処理部と、
前記記憶部に格納される前記画像データを出力する出力部と、
前記画素アレイによる前記画素信号を読み出す読み出し処理、および、前記アナログ処理部による前記アナログの画素信号に対する信号処理であるアナログ処理と、前記信号処理部による前記デジタルの画像データに対する信号処理であるデジタル処理と、前記出力部による前記画像データを出力する出力処理とを、互いに独立した処理速度で実行させる制御部と
を備える撮像素子。
(2) 前記制御部は、前記読み出し処理および前記アナログ処理を、前記デジタル処理および前記出力処理よりも高速で実行させる
(1)、(3)乃至(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(3) 前記制御部は、さらに、前記デジタル処理を、前記出力処理よりも低速で実行させる
(1)、(2)、(4)乃至(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(4) 前記制御部は、前記デジタル処理を、前記読み出し処理および前記アナログ処理、並びに、前記出力処理よりも高速で実行させる
(1)乃至(3)、(5)乃至(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(5) 前記制御部は、1フレーム処理期間中に、前記デジタル処理を複数回実行させる
(1)乃至(4)、(6)乃至(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(6) 前記制御部は、前記読み出し処理および前記アナログ処理を、前記デジタル処理および前記出力処理よりも高速かつ高速レートで実行させる
(1)乃至(5)、(7)乃至(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(7) 前記記憶部は、フレームメモリである
(1)乃至(6)、(8)乃至(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(8) 前記フレームメモリは、最新の所定数のフレームを記憶するリングバッファを有する
(1)乃至(7)、(9)乃至(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(9) 前記制御部は、前記リングバッファに格納される過去のフレームの画像データに対して前記デジタル処理を実行させる
(1)乃至(8)、(10)乃至(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(10) 前記フレームメモリは、複数フレーム分の画像データを格納可能な記憶容量を有し、
前記制御部は、前記フレームメモリに格納される過去のフレームの画像データに対して前記デジタル処理を実行させる
(1)乃至(9)、(11)、(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(11) 単一の半導体基板を有し、
前記画素アレイ、前記アナログ処理部、前記記憶部、前記信号処理部、前記出力部、および前記制御部は、前記半導体基板に形成される
(1)乃至(10)、(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(12) 互いに重畳される複数の半導体基板を有し、
前記画素アレイ、前記アナログ処理部、前記記憶部、前記信号処理部、前記出力部、および前記制御部は、それぞれ、前記複数の半導体基板のいずれかに形成される
(1)乃至(11)のいずれかに記載の撮像素子。
(13) 画素アレイの複数の画素のそれぞれから、入射光を光電変換して得られる画素信号を読み出す読み出し処理、および、前記画素アレイの各画素から読み出されたアナログの前記画素信号に対して信号処理を行い、デジタルの画像データを得るアナログ処理と、記憶部に格納された前記デジタルの画像データに対する信号処理であるデジタル処理と、前記記憶部に格納された前記デジタルの画像データを出力する出力処理とを、互いに独立した処理速度で実行させる
制御方法。
(14) 被写体を撮像する撮像部と、
前記撮像部による撮像により得られた画像データを画像処理する画像処理部と
を備え、
前記撮像部は、
画素アレイの複数の画素のそれぞれから、入射光を光電変換して得られる画素信号を読み出す画素アレイと、
アナログの前記画素信号に対して信号処理を行い、デジタルの画像データを得るアナログ処理部と、
前記画像データを格納する記憶部と、
前記記憶部に格納される前記画像データを信号処理する信号処理部と、
前記記憶部に格納される前記画像データを出力する出力部と、
前記画素アレイによる前記画素信号を読み出す読み出し処理、および、前記アナログ処理部による前記アナログの画素信号に対する信号処理であるアナログ処理と、前記信号処理部による前記デジタルの画像データに対する信号処理であるデジタル処理と、前記出力部による前記画像データを出力する出力処理とを、互いに独立した処理速度で実行させる制御部と
を備える撮像装置。
Claims (14)
- 画素アレイの複数の画素のそれぞれから、入射光を光電変換して得られる画素信号を読み出す画素アレイと、
アナログの前記画素信号に対して信号処理を行い、デジタルの画像データを得るアナログ処理部と、
前記画像データを格納する記憶部と、
前記記憶部に格納される前記画像データを信号処理する信号処理部と、
前記記憶部に格納される前記画像データを出力する出力部と、
前記画素アレイによる前記画素信号を読み出す読み出し処理、および、前記アナログ処理部による前記アナログの画素信号に対する信号処理であるアナログ処理と、前記信号処理部による前記デジタルの画像データに対する信号処理であるデジタル処理と、前記出力部による前記画像データを出力する出力処理とを、互いに独立した処理速度で実行させる制御部と
を備える撮像素子。 - 前記制御部は、前記読み出し処理および前記アナログ処理を、前記デジタル処理および前記出力処理よりも高速で実行させる
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記制御部は、さらに、前記デジタル処理を、前記出力処理よりも低速で実行させる
請求項2に記載の撮像素子。 - 前記制御部は、前記デジタル処理を、前記読み出し処理および前記アナログ処理、並びに、前記出力処理よりも高速で実行させる
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記制御部は、1フレーム処理期間中に、前記デジタル処理を複数回実行させる
請求項4に記載の撮像素子。 - 前記制御部は、前記読み出し処理および前記アナログ処理を、前記デジタル処理および前記出力処理よりも高速かつ高速レートで実行させる
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記記憶部は、フレームメモリである
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記フレームメモリは、最新の所定数のフレームを記憶するリングバッファを有する
請求項7に記載の撮像素子。 - 前記制御部は、前記リングバッファに格納される過去のフレームの画像データに対して前記デジタル処理を実行させる
請求項8に記載の撮像素子。 - 前記フレームメモリは、複数フレーム分の画像データを格納可能な記憶容量を有し、
前記制御部は、前記フレームメモリに格納される過去のフレームの画像データに対して前記デジタル処理を実行させる
請求項1に記載の撮像素子。 - 単一の半導体基板を有し、
前記画素アレイ、前記アナログ処理部、前記記憶部、前記信号処理部、前記出力部、および前記制御部は、前記半導体基板に形成される
請求項1に記載の撮像素子。 - 互いに重畳される複数の半導体基板を有し、
前記画素アレイ、前記アナログ処理部、前記記憶部、前記信号処理部、前記出力部、および前記制御部は、それぞれ、前記複数の半導体基板のいずれかに形成される
請求項1に記載の撮像素子。 - 画素アレイの複数の画素のそれぞれから、入射光を光電変換して得られる画素信号を読み出す読み出し処理、および、前記画素アレイの各画素から読み出されたアナログの前記画素信号に対して信号処理を行い、デジタルの画像データを得るアナログ処理と、記憶部に格納された前記デジタルの画像データに対する信号処理であるデジタル処理と、前記記憶部に格納された前記デジタルの画像データを出力する出力処理とを、互いに独立した処理速度で実行させる
制御方法。 - 被写体を撮像する撮像部と、
前記撮像部による撮像により得られた画像データを画像処理する画像処理部と
を備え、
前記撮像部は、
画素アレイの複数の画素のそれぞれから、入射光を光電変換して得られる画素信号を読み出す画素アレイと、
アナログの前記画素信号に対して信号処理を行い、デジタルの画像データを得るアナログ処理部と、
前記画像データを格納する記憶部と、
前記記憶部に格納される前記画像データを信号処理する信号処理部と、
前記記憶部に格納される前記画像データを出力する出力部と、
前記画素アレイによる前記画素信号を読み出す読み出し処理、および、前記アナログ処理部による前記アナログの画素信号に対する信号処理であるアナログ処理と、前記信号処理部による前記デジタルの画像データに対する信号処理であるデジタル処理と、前記出力部による前記画像データを出力する出力処理とを、互いに独立した処理速度で実行させる制御部と
を備える撮像装置。
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US11032507B2 (en) * | 2018-12-06 | 2021-06-08 | Flir Commercial Systems, Inc. | Frame rate and associated device manufacturing techniques for imaging systems and methods |
US10931874B2 (en) * | 2018-12-06 | 2021-02-23 | Flir Commercial Systems, Inc. | Burst mode calibration sensing and image mode sensing for imaging systems and methods |
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KR20210152618A (ko) | 2020-06-08 | 2021-12-16 | 삼성전자주식회사 | 카메라 모듈, 카메라 모듈의 동작 방법, 그리고 카메라 모듈을 포함하는 전자 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000165820A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 画像記録再生方法及び装置 |
JP2005341278A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Photron Ltd | アナログ・デジタル混載型システムの動作タイミング制御回路 |
JP2006140642A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Olympus Corp | 撮像装置 |
JP2009105852A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Sharp Corp | 映像信号処理装置、固体撮像装置および電子情報機器 |
JP2012054495A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Sony Corp | 半導体集積回路、電子機器、固体撮像装置、撮像装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7023031B2 (en) * | 2002-08-19 | 2006-04-04 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager having on-chip ROM |
EP2451147A4 (en) * | 2010-03-10 | 2012-12-05 | Smk Kk | CAMERA MODULE |
US8446484B2 (en) * | 2010-04-21 | 2013-05-21 | Nokia Corporation | Image processing architecture with pre-scaler |
KR101752411B1 (ko) | 2010-06-30 | 2017-06-29 | 엘지전자 주식회사 | 이동 단말기 및 그 제어 방법 |
JP2014057268A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Toshiba Corp | 撮像装置 |
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2015
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000165820A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 画像記録再生方法及び装置 |
JP2005341278A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Photron Ltd | アナログ・デジタル混載型システムの動作タイミング制御回路 |
JP2006140642A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Olympus Corp | 撮像装置 |
JP2009105852A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Sharp Corp | 映像信号処理装置、固体撮像装置および電子情報機器 |
JP2012054495A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Sony Corp | 半導体集積回路、電子機器、固体撮像装置、撮像装置 |
Also Published As
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