JPWO2015119102A1

JPWO2015119102A1 - カーボンナノファイバーの製造方法およびカーボンナノファイバー

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Publication number: JPWO2015119102A1
Application number: JP2015560981A
Authority: JP
Inventors: 金子　仁; 仁金子; 荒井　亨; 亨荒井; 雅也梅山; 田村　蓉子; 蓉子田村; 歩塚本
Original assignee: Denka Co Ltd; Denki Kagaku Kogyo KK
Current assignee: Denka Co Ltd
Priority date: 2014-02-05
Filing date: 2015-02-03
Publication date: 2017-03-23
Anticipated expiration: 2035-02-03
Also published as: JP6604854B2; EP3103767A1; EP3103767A4; EP3103767B1; CN105980301A; KR20160117480A; US9738993B2; WO2015119102A1; US20160348282A1; CN105980301B; KR102291933B1

Abstract

カーボンナノファイバーを高活性で製造する方法を提供する。さらにこの製造方法により得られる、導電性、結晶性および分散性に優れるカーボンナノファイバーを提供する。コバルトを主成分とする活性種を触媒とし、一酸化炭素を炭素源としたカーボンナノファイバーの製造方法であって、前記触媒が、前記活性種を比表面積が０．０１〜５ｍ２／ｇであるマグネシウムを含有する酸化物からなる担体に３〜１５０質量％担持した触媒であり、かつ反応温度、一酸化炭素分圧および原料ガス流速を制御することにより、より高活性に、導電性、結晶性および分散性に優れるＣＮＦを製造出来き、導電性、結晶性および分散性に優れるカーボンナノファイバーが得られる。

Description

本発明は、コバルトを主成分とする活性種を、特定比表面積のマグネシウムを含有する酸化物からなる担体に、特定量担持した触媒を用いた、一酸化炭素を炭素源とするカーボンナノファイバーの製造方法、並びにこの製造方法により得られるカーボンナノファイバーに関する。

樹脂に導電性を付与するためのフィラーとして、あるいは各種電池、特にリチウムイオン電池の電極の導電性付与材として、導電性炭素材であるアセチレンブラックやカーボンナノファイバー（以下ＣＮＦと記載）、およびこれらの混合物が用いられる。特にＣＮＦを用いるあるいは添加する場合、比較的低い導電性炭素材含量で高い導電率が得られる特徴があり、期待が集まっている。ここでＣＮＦは一般的に５〜１００ｎｍの外径、ファイバー長の外径に対する比を示すアスペクト比は１０以上という繊維状の形状を有する。

従来、ＣＮＦの製造には、電極放電法、触媒気相成長法、レーザ法等が用いられており、このうち、触媒気相成長法が工業的な製造方法として、最も適していると考えられている。触媒気相成長法では、遷移金属粒子を触媒とし、炭素源である原料ガス、たとえばアセチレンやベンゼンと接触させることにより、一般的には９００℃以上の高温で触媒粒子よりＣＮＦを成長させる。なかでも、コバルト等の遷移金属成分を触媒とし、原料として一酸化炭素を主体とするガスからＣＮＦを製造する方法が、高純度、高品位のＣＮＦを、比較的低温で得る方法として着目されている（特許文献１〜５）。

特開２００４−２９９９８６号公報特開２００４−３００６３１号公報特開２００６−１５２４９０号公報再公表ＷＯ２００９／１１０５７０号公報再公表ＷＯ２０１２／０５３３３４号公報

しかしながら、上記文献記載の従来技術は、以下の点で改善の余地を有していた。
いずれの文献の技術においても、ＣＮＦの収量や活性は十分ではなく、さらなる触媒の高活性が必要である。また、得られるＣＮＦを導電材、導電助剤として使用する場合、より高い導電率（低い体積抵抗率）のＣＮＦが必要である。
さらに、ＣＮＦを、樹脂などのマトリックスに導電性を付与するためのフィラーとして使用する場合や、リチウムイオン電池の導電付与剤として使用する場合には、ＣＮＦの分散性が重要となるが、従来のＣＮＦ等の微細な炭素繊維は、繊維が互いに複雑に絡み合って二次構造を形成しており分散性が悪い。

本発明は、上記問題と実情に鑑み、結晶性、導電性および分散性に優れたＣＮＦを高活性で得ることのできる製造方法を提供することを目的とする。さらに、結晶性、導電性および分散性に優れたＣＮＦを提供することを目的とする。

本発明よれば、下記のカーボンナノファイバーの製造方法が提供される。
（１）コバルトを主成分とする活性種を触媒とし、一酸化炭素を炭素源としたカーボンナノファイバーの製造方法であって、前記触媒が、前記活性種を比表面積が０．０１〜５ｍ^２／ｇであるマグネシウムを含有する酸化物からなる担体に３〜１５０質量％担持した触媒であり、反応温度が６７０〜７８０℃であり、一酸化炭素分圧が０．０４〜０．９８ＭＰａであり、かつ一酸化炭素ガス流速が２ＮＬ／ｇ−活性種・分以上の条件下で製造する、カーボンナノファイバーの製造方法。
（２）好ましくは、上記触媒の担持率が３〜９０質量％であり、かつ水素分圧が一酸化炭素分圧に対し１〜１００％である、（１）記載の製造方法。
本発明よれば、下記のカーボンナノファイバーが提供される。
（３）（１）または(２)記載の製造方法で得られる、９．８ＭＰａの荷重下で測定した体積抵抗率が０．０３０Ωｃｍ以下で、Ｄ／Ｇが０．５〜１．３であり、トルエン中の１μｍ以下の分散粒子が４０体積％以上またはメジアン径Ｄ５０が５μｍ以下である、カーボンナノファイバー。
（４）（２）記載の製造方法で得られる、９．８ＭＰａの荷重下で測定した体積抵抗率が０．０３０Ωｃｍ以下で、Ｄ／Ｇが０．５〜１．３であり、トルエン中の１μｍ以下の分散粒子が７０体積％以上またはメジアン径Ｄ５０が０．７μｍ以下である、カーボンナノファイバー。
（５）９．８ＭＰａの荷重下で測定した体積抵抗率が０．０３０Ωｃｍ以下で、Ｄ／Ｇが０．５〜１．３で、トルエン中の１μｍ以下の分散粒子が４０体積％以上またはメジアン径Ｄ５０が５μｍ以下である、カーボンナノファイバー。
（６）好ましくは、トルエン中の１μｍ以下の分散粒子が７０体積％以上またはメジアン径Ｄ５０が０．７μｍ以下である、（５）記載のカーボンナノファイバー。

本発明によれば、一酸化炭素を炭素源としＣＮＦを製造する際、活性種としてコバルトを主成分とする金属を、比表面積が０．０１〜５ｍ^２／ｇのマグネシウムを含有する酸化物からなる担体に担持した触媒を用いることで、より高活性に、ＣＮＦを製造出来き、結晶性が高く、導電性に優れ、さらに高い分散性を有するＣＮＦの製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、結晶性が高く、導電性に優れ、さらに高い分散性を有するＣＮＦを提供することができる。

実施例１０で合成したＣＮＦのＴＥＭ写真である。実施例３で合成したＣＮＦのＳＥＭ写真である。実施例３で合成したＣＮＦの粒度分布図である。比較例７で合成したＣＮＦのＳＥＭ写真である。比較例７で合成したＣＮＦの粒度分布図である。

＜用語の説明＞
本明細書におけるＣＮＦの定義は、平均外径５〜１００ｎｍ、ファイバー長の外径に対する比を示すアスペクト比が１０以上であり、多層カーボンナノチューブ（ＭＷＣＮＴ）をも包含する概念である。本実施形態におけるＣＮＦは、特に限定しないが、好ましくは、多層カーボンナノチューブを主成分とするものであり、多層カーボンナノチューブがより好ましい。
なお、本明細書におけるＣＮＦの定義には、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）は含まれない。単層カーボンナノチューブは高導電性を示す特徴が有るが、カイラリティによる異性体が存在し、またバンドル構造をとる等、実用上の課題が有り、本願の目的とするものではない。なお、本実施形態におけるＣＮＦの一例として図１に実施例１０で合成したＣＮＦのＴＥＭ写真を示す。この図１から実施例１０で合成したＣＮＦは、多層カーボンナノチューブであることが示される。
本明細書における合成活性とは、単位活性種質量あたり、単位時間あたり得られたＣＮＦの質量である。また本明細書における触媒活性とは単位触媒質量あたり、単位時間あたり、得られたＣＮＦの質量である。ここでいう活性種とはコバルトを主成分とする金属である。
さらに担体とは、該活性種を担持するための、酸化物を意味する。
本願明細書において、「〜」という記号は両端の値「以上」および「以下」の範囲を意味する。例えば、「Ａ〜Ｂ」というのは、Ａ以上でありＢ以下であるという意味である。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
本実施形態におけるカーボンナノファイバーの製造方法は、コバルトを主成分とする活性種を触媒とし、一酸化炭素を炭素源としたＣＮＦの製造方法であって、前記触媒が、前記活性種を比表面積が０．０１〜５ｍ^２／ｇであるマグネシウムを含有する酸化物からなる担体に３〜１５０質量％担持した触媒であり、反応温度が６７０〜７８０℃であり、一酸化炭素分圧が０．０４〜０．９８ＭＰａであり、かつ一酸化炭素流速が２ＮＬ／ｇ−活性種・分以上の条件下で製造する、ＣＮＦの製造方法である。

＜触媒＞
本実施形態におけるカーボンナノファイバーの製造方法は、コバルトを主成分とする活性種を、マグネシウムを含有する酸化物に担持した触媒を用いる。コバルトは、金属コバルトのみならず、酸化物、水酸化物、含水酸化物、硝酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩および炭酸塩等の化合物の形態で含むこともできる。
活性種にはコバルト以外の成分として、第４〜１２族の元素を含んでもよい。これらとしては、鉄、ニッケルの鉄族やマンガン、モリブデンが挙げられる。ただし、触媒の活性種として含まれる第４〜１２族元素の成分中、特に限定しないが、少なくとも６０モル％以上、好ましくは８０モル％以上、最も好ましくは９０モル％以上がコバルト成分である。第４〜１２族の元素以外の活性種の成分としては、第１〜第３族、または第１４族の成分が含まれてもよい。以下コバルトを主成分とする活性種は単にコバルト活性種と記載する。

＜担体＞
活性種が担持される担体としては、比表面積が０．０１〜５ｍ^２／ｇのマグネシウムを含有する酸化物が使用される。マグネシウムを含有する酸化物とは、たとえば、酸化マグネシウムやマグネシウムを含むスピネル型酸化物およびペロブスカイト型酸化物等が挙げられる。これらのうち、担体としては、酸化マグネシウムが最も好ましい。
マグネシウムを含有する酸化物の比表面積は０．０１〜４ｍ^２／ｇが好ましく、０．０１〜３ｍ^２／ｇがより好ましい。比表面積が０．０１ｍ^２／ｇ未満であると、得られるＣＮＦの結晶性および導電率が低下する場合がある。比表面積が５ｍ^２／ｇを超えると得られるＣＮＦの分散性が低下する場合がある。担体には、第１〜第３族、および第１４族から選ばれるマグネシウム以外の金属の酸化物が含まれてもよい。担体を１００質量％とした場合、担体中のマグネシウムを含有する酸化物の含有量は少なくとも５０質量％以上が好ましく、より好ましくは９０質量％以上であり、最も好ましくは９８質量％以上である。マグネシウムを含有する酸化物が５０質量％以上になると、合成活性の低下をより抑制することができる。

担体へのコバルト活性種の担持率は、３〜１５０質量％、好ましくは３〜９０質量％である。担持率が、３質量％未満であると得られるＣＮＦの結晶性が低下し導電率が低くなる場合がある。また、１５０質量％を超えると、コバルト粒子の粒子径が増加し、合成活性が大きく低下してしまう場合がある。担持率が９０質量％以下であることで、きわめて分散性が高いＣＮＦをより高活性で製造することができる。
なお、担持率は以下の式に基づいて計算した。
担持率＝コバルト活性種の質量／担体の質量×１００（％）

コバルト活性種を担体に担持する場合、担持方法は、特に限定されない。例えば、コバルトの塩を溶解させた非水溶液中（例えばエタノール溶液）又は水溶液中に、担体を含浸し、充分に分散混合した後、乾燥させ、空気中、高温（３００〜６００℃）で加熱することにより、担体にコバルト活性種を担持させることができる。また、単純にコバルトの塩を溶解させた非水溶液中（例えばエタノール）又は水溶液中に、担体を含浸し、充分に分散混合した後、水分除去乾燥させただけでも良い。

＜ＣＮＦ製造方法及び条件＞
・炭素源
本実施形態におけるＣＮＦの製造方法は、一酸化炭素を炭素源とするカーボンナノファイバーの製造方法である。ここでいう、炭素源とする原料として使用する一酸化炭素は、二酸化炭素との混合ガスであってもよく、窒素等の不活性ガスを含んでいてもよい。なお、原料として使用する一酸化炭素が、二酸化炭素との混合ガスである場合は、特に限定しないが、少なくとも８０モル％以上、好ましくは９０モル％以上、最も好ましくは１００モル％が一酸化炭素成分である。
・原料ガス
本実施形態におけるＣＮＦの製造方法において、一酸化炭素は水素の共存下で用いることが好ましい。つまり、本実施形態におけるＣＮＦの製造方法において、原料ガスは、一酸化炭素を含有しており、原料ガスは、一酸化炭素と水素を含むことが好ましい。また、窒素等の不活性ガスを含んでいてもよいし、その他の物質を含んでいても良い。一酸化炭素の分圧は０．０４〜０．９８ＭＰａである。好ましくは０．０５〜０．３ＭＰａであり、より好ましくは０．０５〜０．１１ＭＰａである。
一酸化炭素分圧が０．０４ＭＰａ未満であると、合成活性が低下したり、また得られるＣＮＦの結晶性や導電性が低下する場合がある。また一酸化炭素分圧が０．９８ＭＰａより高いと、得られるＣＮＦの分散性が低下したり、触媒の失活が激しくなり合成活性が低下してしまう場合がある。
なお、原料ガスが一酸化炭素のみの場合、上記一酸化炭素分圧の値は、原料ガスの全圧を示すことになる。

水素分圧は、一酸化炭素分圧に対し１〜１００％であることが好ましく、１０〜１００％がより好ましい。一酸化炭素分圧に対する水素分圧が１００％を超えると、合成活性が低下したり、得られるＣＮＦの結晶性や導電性が低下する場合がある。水素分圧が１％未満の場合、早期に触媒の失活が起こり、合成活性が低下する場合がある。またＣＮＦの分散性も低下してしまう場合がある。
なお、一酸化炭素分圧に対する水素分圧は以下の式によって計算できる。
一酸化炭素分圧に対する水素分圧＝水素のモル比／一酸化炭素のモル比×１００（％）
例えば、表１に示した、原料組成がＣＯ/Ｈ_２/Ｎ_２＝８５/１５/０の場合であれば、一酸化炭素分圧に対する水素分圧は
一酸化炭素分圧に対する水素分圧＝１５/８５×１００＝１８（％）
と計算できる。

本実施形態におけるＣＮＦの製造方法は、原料ガスにおけるガス全圧は任意であるが、０．９８ＭＰａ以下が好ましい。ガス全圧が０．９８ＭＰａを超えると、製造に当たり高圧対応設備費用やユーティリティが嵩んでしまう可能性がある。また０．１ＭＰａ（大気圧）と比較し大きく低い値である場合、例えばガス全圧が０．０８ＭＰａ未満の場合には、高温の反応器に対し大気（酸素）の混入を防ぐためのシールをすることが難しくなる場合がある。

本実施形態におけるＣＮＦの製造方法は、さらに一酸化炭素ガス流速が２ＮＬ／ｇ−活性種・分以上である。一酸化炭素ガス流速をこの範囲に設定することで、ＣＮＦを高い合成活性で製造することができる。ここでいう高い合成活性とは、具体的には１０ｇ−ＣＮＦ／ｇ−活性種・ｈ（時間）以上であることを意味する。一酸化炭素ガス流速の上限は特にないが、２００ＮＬ／ｇ−活性種・分を超えると、流量が多すぎて、余熱のためのユーティリティコストが嵩み、好ましくない。また、合成活性が低下する場合がある。
尚、「ＮＬ」とは標準状態（０℃、１気圧）に換算したガス量Ｌ（リットル）を示し、「ＮＬ／ｇ−活性種・分」とは、単位活性種存在下（活性種１ｇあたり）での１分間のガス流量を示す。

本実施形態におけるＣＮＦの製造方法の反応温度は６７０〜７８０℃であり、７００〜７５０℃であることがより好ましい。反応温度が６７０℃未満になると、ＣＮＦの結晶性、導電性および分散性が低下する場合がある。また、７８０℃を超えると合成活性が低下する場合がある。

本実施形態におけるＣＮＦの製造方法では、公知の製造方法や公知の製造装置を用いることが出来る。例えば固定床反応装置や流動床反応装置、バッチ式あるいは回分式反応装置や連続式反応装置を用いることができる。

本実施形態におけるＣＮＦの製造方法により製造されたＣＮＦは、純度を高めるために活性種および担体を除去することが好ましい。活性種および担体の除去は、具体的には特開２００６−６９８５０号公報等に記載された、ＣＮＦを塩酸、硝酸、硫酸等の酸に分散させた後、ろ過や遠心分離等の手段によってＣＮＦを回収する方法により行うことができる。

＜ＣＮＦ＞
本実施形態における触媒および製造条件下でＣＮＦを製造することで、高い結晶性のＣＮＦを得ることができる。具体的にはＣＮＦのラマン分光測定で求められるＤ／Ｇ値が０．５以上１．３以下のＣＮＦを得ることができる。ここでＤ／Ｇ値とは、ＣＮＦ粉体のラマン分光測定を行った際の、Ｄバンドピークに由来する面積の総和と、Ｇバンドピークに由来する面積の総和の比より求めることができる。Ｄ／Ｇ値が低いほどＣＮＦの結晶性が高いことを示し、ＣＮＦの導電性が高くなることを意味する。

本実施形態における触媒および製造条件下でＣＮＦを製造することで、高い導電性、言い換えると低い体積抵抗率のＣＮＦを得ることができる。具体的には体積抵抗率０．０３０Ω・ｃｍ以下のＣＮＦを得ることができる。すなわち、本実施形態の製造方法で得られるＣＮＦはラマン分光測定で求められるＤ／Ｇ値が０．５以上１．３以下、かつ体積抵抗率０．０３０Ω・ｃｍ以下という特徴を有する。

本実施形態における触媒および製造条件下でＣＮＦを製造することで、分散処理を行わない状態で、トルエン中の１μｍ以下の分散粒子の存在割合が４０体積％以上である分散性が良好なＣＮＦを得ることができる。また、本実施形態におけるＣＮＦは、分散性の改善により導電性ネットワークが向上するため、導電性フィラー等の導電性付与材として使用する場合、導電性を良好にすることができるＣＮＦである。また本実施形態におけるＣＮＦの粒度分布におけるメジアン径（Ｄ５０）は５．０μｍ以下が好ましい。
ここで、分散処理とは、機械的な分散、粉砕処理、例えば機械式ホモジナイザーやビーズミル、乳化分散機での処理を意味する。また超音波ホモジナイザー、超音波分散機のような強力な超音波照射もこの範疇に入る。
しかし、本明細書において、分散処理は、超音波出力が１００Ｗ以下の市販のバス式の超音波洗浄機を使用した１０分間以下程度の測定液の懸濁化、均一化処理はこの範疇には入らない。つまり、本願実施例において光散乱法による分散性測定の前処理として市販のバス式超音波洗浄機を用いて５分間超音波照射を行っているが、この処理は、ここで言う分散処理に含まれない。
また、本明細書において、分散処理とは、例えば、マグネチックスターラーを使用し、回転数５００ｒｐｍ以下および６０分以下の程度の懸濁化、均一化処理はこの範疇には入らない。つまり、本願実施例において触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ未満の合成されたＣＮＦにおける酸化マグネシウムと活性種の除去処理として、マグネチックスターラーを使用し、回転数３００ｒｐｍで３０分間懸濁化・均一化処理を行っているがこの処理は、ここで言う分散処理に含まれない。
また、分散性に関する測定、つまり本明細書における１μｍ以下の分散粒子の割合およびメジアン径を測定する際に、測定装置に付属の装置を用い、例えば、１００Ｗ、５分間超音波処理程度であって、測定に必要な均一化、分散前処理（以下測定前処理）はここで言う分散処理に含まれない。本実施形態のＣＮＦは、同じ測定前処理を施しても従来のＣＮＦと比較し高い分散性を示し、かつ本明細書の分散性に関する基準を満たすことができる。

さらに、ＣＮＦのより高い分散性という観点から、本発明者らは鋭意検討した結果、本実施形態におけるＣＮＦの製造方法において、担体へのコバルト活性種の担持率が好ましい３〜９０質量％であり、かつ水素ガス分圧は一酸化炭素ガス分圧に対し１〜１００％の範囲である合成条件を満足することで、分散処理を行わない状態で、トルエン中の１μｍ以下の分散粒子の存在割合が７０体積％以上である、分散性が極めて良好なＣＮＦを得ることができる。またこの場合、得られるＣＮＦの粒度分布におけるメジアン径（Ｄ５０）は０．７μｍ以下である。

＜本発明の別な観点における本実施形態のＣＮＦ＞
本発明の別な観点では本実施形態のＣＮＦは、ラマン分光測定で求められるＤ／Ｇ値が０．５以上１．３以下、かつ体積抵抗率０．０３０Ω・ｃｍ以下、かつ分散処理を行わない状態で、トルエン中で得られた粒度分布における１μｍ以下の分散粒子の存在割合が４０体積％以上、ＣＮＦの粒度分布におけるメジアン径（Ｄ５０）は５．０μｍ以下であるという特徴を有する。またトルエン中で得られた粒度分布における１μｍ以下の分散粒子の存在割合が好ましくは７０体積％以上である。また、ＣＮＦの粒度分布におけるメジアン径（Ｄ５０）は、好ましくは０．７μｍ以下である。また、ＣＮＦの比表面積は特に限定されないが、５０〜３００ｍ^２／ｇが好ましく、より好ましくは７０〜２００ｍ^２／ｇである。
ラマン分光測定で求められるＤ／Ｇ値が、０．５未満の場合、高活性にＣＮＦを製造することが難しく、１．３以上の場合、ＣＮＦの結晶性が悪い。
ＣＮＦの粒度分布におけるメジアン径（Ｄ５０）が５．０μｍより大きい場合、ＣＮＦの分散性が悪いといえる。

以下、実施例により、本発明を説明するが、これらの実施例は本発明を限定するものではない。

＜コバルト−酸化マグネシウム担持触媒＞
（触媒調製例１）
硝酸コバルト六水和物（３Ｎ５、関東化学社製）０．６２ｇを量り取り、質量比２：１の蒸留水とエタノール混合溶媒３０ｇに溶解した。この硝酸コバルト水溶液に比表面積０．６１ｍ^２／ｇの酸化マグネシウム（ＤＥＮＭＡＧ（登録商標）ＫＭＡＯＨ−Ｆ、タテホ化学社製）を２．５ｇ加え、湯浴で５０℃に保持した状態で１時間撹拌した。撹拌後、エバポレータで水を蒸発させた。得られた固体成分を６０℃で２４時間真空乾燥し、その後４００℃で５時間焼成処理を行った。焼成処理後、得られた固体成分をメノウ乳鉢で粉砕し、コバルト金属が５質量％担持したコバルト−酸化マグネシウム担持触媒を得た。

（触媒調製例２）
硝酸コバルト六水和物を２．４７ｇに変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法で、コバルト担持率２０質量％のコバルト−酸化マグネシウム担持触媒を調製した。

（触媒調製例３）
硝酸コバルト六水和物を６．１７ｇに変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法で、コバルト担持率５０質量％のコバルト−酸化マグネシウム担持触媒を調製した。

（触媒調製例４）
硝酸コバルト六水和物を４．７４ｇへ変更し、溶媒を質量比２：１の蒸留水とエタノール混合溶媒１５ｇに変更し、酸化マグネシウムを１．２ｇに変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法で、コバルト担持率８０質量％のコバルト−酸化マグネシウム担持触媒を調製した。

（触媒調製例５）
硝酸コバルト六水和物を１２．３５ｇに変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法で、コバルト担持率１００質量％のコバルト−酸化マグネシウム担持触媒を調製した。

（触媒調製例６）
硝酸コバルト六水和物を１８．５２ｇに変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法で、コバルト担持率１５０質量％のコバルト−酸化マグネシウム担持触媒を調製した。

（触媒調製例７）
硝酸コバルト六水和物を２．４７ｇに変更し、酸化マグネシウムを比表面積０．０５ｍ^２／ｇのもの（ＤＥＮＭＡＧ（登録商標）ＫＭＡＯ−Ｈ、タテホ化学社製）２．５ｇへ変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法でコバルト担持率２０質量％のコバルト−酸化マグネシウム担持触媒を調製した。

（触媒調製例８）
硝酸コバルト六水和物を２．４７ｇに変更し、酸化マグネシウムを比表面積０．１１ｍ^２／ｇのもの（ＤＥＮＭＡＧ（登録商標）ＳＳＰ＃３、タテホ化学社製）２．５ｇへ変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法でコバルト担持率２０質量％のコバルト−酸化マグネシウム担持触媒を調製した。

（触媒調製例９）
硝酸コバルト六水和物を２．４７ｇに変更し、酸化マグネシウムを比表面積比表面積０．３９ｍ^２／ｇの酸化マグネシウム（ＳＭＯ−５、堺化学社製）２．５ｇへ変更し、溶媒を３０ｇの質量比５：１の蒸留水とエタノール混合溶媒に変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法でコバルト担持率２０質量％のコバルト−酸化マグネシウム担持触媒を調製した。

（触媒調製例１０）
硝酸コバルト六水和物を２．４７ｇに変更し、酸化マグネシウムを比表面積２．０３ｍ^２／ｇのもの（ＳＭＯ−１、堺化学社製）２．５ｇへ変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法でコバルト担持率２０質量％のコバルト−酸化マグネシウム担持触媒を調製した。

（触媒調製例１１）
硝酸コバルト六水和物を６．１７ｇに変更し、酸化マグネシウムを、比表面積９．３８ｍ^２／ｇのもの（ＳＭＯ−０．１、堺化学社製）２．５ｇへ変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法でコバルト担持率５０質量％のコバルト−酸化マグネシウム担持触媒を調製した。

＜コバルト−酸化亜鉛担持触媒＞
（触媒調製例１２）
硝酸コバルト六水和物を６．１７ｇ、酸化マグネシウムを、比表面積０．２４ｍ^２／ｇの酸化亜鉛（ＬＰＺＩＮＣ−５、堺化学社製）２．５ｇへ変更したとともに、溶媒を、蒸留水３０ｇへ変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法でコバルト担持率５０質量％のコバルト−酸化亜鉛担持触媒を調製した。

＜コバルト−酸化アルミニウム担持触媒＞
（触媒調製例１３）
硝酸コバルト六水和物を６．１７ｇ、酸化マグネシウムを、比表面積０．１８ｍ^２／ｇの酸化アルミニウム（アルミナＤＡＷ７０、電気化学工業社製）２．５ｇへ変更したとともに、溶媒を、蒸留水３０ｇへ変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法でコバルト担持率５０質量％のコバルト−酸化アルミニウム担持触媒を調製した。

＜鉄−酸化マグネシウム担持触媒＞
（触媒調製例１４）
硝酸コバルト六水和物を、硝酸鉄九水和物（関東化学社製、特級試薬）９．０ｇへ変更した以外は、触媒調製例１と同様な方法で鉄担持率５０質量％の鉄−酸化マグネシウム担持触媒を調製した。

＜コバルト−酸化マグネシウム共沈触媒＞
（触媒調製例１５）
担持触媒とは異なる触媒として、酸化コバルトと酸化マグネシウムからなる共沈触媒を以下の方法により調製した。特許５００３０２３号に準じ、以下のようにして触媒を調製した。イオン交換水２５ｍＬに硝酸コバルト〔Ｃｏ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ：分子量２９１．０３〕５．７５ｇ（０．０２モル）、硝酸マグネシウム〔Ｍｇ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ：分子量２５６．４１〕５．１０ｇ（０．０２モル）を溶解させ、原料溶液（１）を調製した。また、重炭酸アンモニウム〔（ＮＨ_４）ＨＣＯ_３：分子量７９．０６〕粉末１１ｇ（０．１３９モル）をイオン交換水５５ｍＬに溶解させ、原料溶液（２）を調製した。次に、反応温度４０℃で原料溶液（１）と（２）を混合し、その後４時間攪拌した。生成した沈殿物のろ過、洗浄を行い、乾燥した。これを焼成した後、乳鉢で粉砕し、２．４８ｇの触媒を取得した。

＜酸化コバルト−酸化マグネシウム混合物触媒＞
（触媒調製例１６）
コバルトナノ粒子（ｃｏｂａｌｔｎａｎｏｐｏｗｄｅｒＡＰＳ５−１５ｎｍＡｌｆａＡｅｓａｒ社製）５ｍｇと、酸化マグネシウム（ＳＭＯ−５、堺化学社製、比表面積０．３５ｍ^２／ｇ）１００ｍｇを乳鉢で混合することで、混合触媒を調製した。

＜合成したＣＮＦにおける担体除去処理＞
合成したＣＮＦには担体として使用した酸化マグネシウムおよび活性種が含まれている。なお、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ未満の場合には、合成により得られたＣＮＦ中の、酸化マグネシウムおよび活性種量が多くなり、導電性や分散性に影響を与える場合がある。従って触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ未満のＣＮＦに対して酸化マグネシウムと活性種の除去処理を行った。
まず、１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１５０ｍＬに、合成したＣＮＦ３００ｍｇを入れ、マグネチックスターラーを使用し、回転数３００ｒｐｍで３０分間懸濁化・均一化処理を行った。その後、トルエンとＣＮＦ含有塩酸を分液漏斗に入れ、ＣＮＦをトルエン層へ分離し、ＣＮＦを含んだトルエン層を蒸留水で３回洗浄した。
酸化マグネシウムおよび活性種の除去処理を行った後、得られたＣＮＦの体積抵抗率、比表面積および粒子径が１μｍ以下の分散粒子の存在割合を求めた。

＜比表面積測定＞
ＣＮＦ粉体の比表面積は、Ｍｏｕｎｔｅｃｈ社製ＭａｃｓｏｒｂＨＭｍｏｄｅｌ−１２０１を用い、ＪＩＳＫ６２１７−２に従いＢＥＴ一点法で求めた。

＜体積抵抗率測定＞
ＣＮＦ粉体の体積抵抗率は、三菱化学アナリティック社製ロレスタＧＰを用い、２３℃、相対湿度５０％の雰囲気にて、荷重９．８ＭＰａの条件下、四探針法にて求めた。補正測定は１０ｇ−ＣＮＦ／ｇ−活性種・ｈ以上の合成活性であった試料を用いて行った。測定には１００ｍｇのＣＮＦを用いた。

＜ラマン分光測定＞
ＣＮＦ粉体のラマン分光測定は、顕微レーザーラマン分光分析装置(ＮｉｏｌｅｔＡｌｍｅｇａ−ＸＲ型、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、レーザー５３２ｎｍ)を用い行った。Ｄバンド（Ｄ１：ピーク位置１３３０ｃｍ^−１、Ｄ３：１５００ｃｍ^−１、Ｄ４：１１５０ｃｍ^−１）とＧバンド（Ｇ＋：１６００ｃｍ^−１、Ｇ−：１５７０ｃｍ^−１）の波形分離を行った後、Ｄバンドピークに由来する面積の総和とＧバンドピークに由来する面積の総和の比（Ｄ／Ｇ値）を求めた。本Ｄ／Ｇ値が低いほどＣＮＦの結晶性が高いことを示している。なお、Ｄ／Ｇ値が０．５より小さい場合は、高活性にＣＮＦを製造することが難しい。
（参考）
Ｄ１：グラファイト結晶構造内の点欠陥、結晶端由来の欠陥に由来
Ｄ３：アモルファスカーボンに由来
Ｄ４：ポリエンやイオン性不純物に由来
Ｇ＋：グラファイトの結晶性ピーク：縦光学モード
Ｇ−：グラファイトの結晶性ピーク：横光学モード

＜１μｍ以下の分散粒子の割合およびメジアン径＞
ＣＮＦ０．１質量％のトルエン溶液を調製し、市販のバス式超音波洗浄機（ＵＳＣＬＥＡＮＥＲＵＳ−２Ａアズワン社製、超音波出力８０Ｗ）を用い５分間超音波処理を行い、液を懸濁化、均一化させた。
分散粒子の割合及びメジアン径の測定は、粒度分布計(ＬＳ１３３２０ユニバーサルリキッドモジュールＢＥＣＫＭＡＮＣＯＵＬＴＥＲ社製)を用いた。光学モデルをトルエンの屈折率に設定し、トルエンを充填し、ポンプスピード５０％の条件でオフセット測定、光軸調整、バックグラウンド測定を行った後、粒度分布計に調製したトルエン溶液を、粒子によってビームの外側に散乱する光のパーセントを示す相対濃度は８〜１２％、もしくはＰＩＤＳが４０％〜５５％になるように加え、粒度分布計付属装置により１００Ｗ、２分間超音波照射を行い（測定前処理）、３０秒循環し気泡を除いた後に粒度分布測定を行った。粒度（粒子径）に対する体積％のグラフを得て、１μｍ以下の分散粒子の存在割合及びメジアン径Ｄ５０値を求めた。
測定は、ＣＮＦ１試料につき、採取場所を変え３回測定用サンプルを採取し、１サンプル毎に３回上記粒度分布測定を行い、１μｍ以下の分散粒子の存在割合及びメジアン径Ｄ５０値のそれぞれ計９個のデータのうち、最大値と最小値を除いた７個の平均値を求めた。

＜ＣＮＦの合成＞
（実施例１）
原料の一酸化炭素は、(株)鈴木商館から購入した、Ｇ１グレード（純度９９．９５％）を使用した。
石英製の反応管内に、触媒調製例１で得られた担持率５％のコバルト−酸化マグネシウム担持触媒を活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ触媒ホルダーを設置し、窒素を十分流して窒素置換した。さらに、窒素８０％、水素２０％の還元ガスを大気圧（１０１ｋＰａ）下、表１に示す反応温度に昇温し、反応温度に達してから３０分間保持して触媒の還元を行った。引き続き原料ガスを原料ガス全圧１０１ｋＰａで、表１に示す原料ガス組成、一酸化炭素ガス流速にて触媒層を通過させ、１時間反応を行った。その後、原料ガスを窒素ガスに切り替え、直ちに冷却した。得られたＣＮＦの質量と用いた活性種質量、反応時間から、合成活性を計算した。また、得られたＣＮＦの質量と用いた触媒量、反応時間から、触媒活性を計算した。その後ラマン分光測定を行いＤ／Ｇ値を求め、さらに体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ未満となったため、担体除去処理を行い、その後、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。

（実施例２）
触媒調製例２で調製した担持率２０質量％の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例３）
触媒調製例３で調製した担持率５０質量％の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例４）
触媒調製例４で調製した担持率８０質量％の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例５）
触媒調製例１０で調製した担持率２０質量％の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例６）
触媒調製例９で調製した担持率２０質量％の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例７）
触媒調製例８で調製した担持率２０質量％の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例８）
触媒調製例７で調製した担持率２０質量％の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例９）
触媒調製例３で調製した担持率５０質量％の触媒を、活性種の含有量が１０ｍｇとなるように仕込み、一酸化炭素ガス流速を２６ＮＬ／ｇ−活性種・分とした以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例１０）
触媒調製例３で調製した担持率５０質量％の触媒を、活性種の含有量が２０ｍｇとなるように仕込み、還元ガス組成を、窒素６７％水素３３％とし、一酸化炭素ガス流速を１４ＮＬ／ｇ−活性種・分とした以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例１１）
触媒調製例３で調製した担持率５０質量％の触媒を、活性種の含有量が２０ｍｇとなるように仕込み、還元ガス組成を、窒素６７％水素３３％とし、一酸化炭素ガス流速を７ＮＬ／ｇ−活性種・分とした以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例１２）
触媒調製例３で調製した担持率５０質量％の触媒を、活性種の含有量が４０ｍｇとなるように仕込み、還元ガス組成を、窒素６７％水素３３％とし、一酸化炭素ガス流速を３ＮＬ／ｇ−活性種・分とした以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例１３）
触媒調製例３で調製した担持率５０質量％の触媒を、活性種の含有量が３．２ｍｇとなるように仕込み、ガス組成をＣＯ／Ｈ_２／Ｎ_２＝５０／５０／０とし、一酸化炭素ガス流速を３１ＮＬ／ｇ−活性種・分とした以外は実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例１４）
触媒調製例３で調製した担持率５０質量％の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込み、ガス組成をＣＯ／Ｈ_２／Ｎ_２＝７０／３０／０とし、一酸化炭素ガス流速を４３ＮＬ／ｇ−活性種・分とした以外は実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例１５）
触媒調製例３で調製した担持率５０質量％の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込み、ガス組成をＣＯ／Ｈ_２／Ｎ_２＝９０／１０／０とし、一酸化炭素ガス流速を５６ＮＬ／ｇ−活性種・分とした以外は実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例１６）
触媒調製例３で調製した担持率５０質量％の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込み、反応温度を７５０℃とした以外は実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例１７）
触媒調製例５で調製した担持率１００質量％の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例１８）
触媒調製例６で調製した担持率１５０質量％の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（実施例１９）
ガス組成ＣＯ／Ｈ_２／Ｎ_２＝１００／０／０の原料ガスを用い、触媒調製例３の触媒を使用し、一酸化炭素ガス流速を６２ＮＬ／ｇ−活性種・分とした以外は実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表１に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（比較例１）
本実施形態の製造方法において比表面積の範囲外である、触媒調製例１１の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表２に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（比較例２）
担体が酸化亜鉛である、触媒調製例１２の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成した。合成活性は低く所定の値に達しなかったので体積抵抗率等の測定を行わなかった。

（比較例３）
担体がアルミナである、触媒調製例１３の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成した。合成活性は低く所定の値に達しなかったので体積抵抗率等の測定を行わなかった。

（比較例４）
活性種が鉄である、触媒調製例１４の触媒を、活性種の含有量が５ｍｇとなるように仕込んだ以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成した。合成活性は低く所定の値に達しなかったので体積抵抗率等の測定を行わなかった。

（比較例５）
本実施形態の製造方法における反応温度の範囲外である、６５０℃で合成を行い、触媒調製例３の触媒を使用した以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、実施例１と同様に合成活性および触媒活性を計算し、Ｄ／Ｇ値、体積抵抗率、比表面積、分散粒子の割合およびメジアン径を測定した。結果を表２に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（比較例６）
本実施形態の製造方法における反応温度の範囲外である、８００℃で合成を行い、触媒調製例３の触媒を使用した以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成した。合成活性は低く所定の値に達しなかったので体積抵抗率等の測定を行わなかった。結果を表２に示す。

（比較例７）
石英製の反応管内に、触媒調製例１５で得られた触媒を５ｍｇ仕込んだ触媒ホルダーを設置し、一酸化炭素ガス流速を１０３ＮＬ／ｇ−活性種・分とした以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成し、各種評価を実施した。結果を表２に示す。尚、合成の結果、触媒活性が３ｇ−ＣＮＦ／ｇ−触媒・ｈ以上となったため、担体除去処理を行っていない。

（比較例８）
本実施例のコバルト−酸化マグネシウム担持触媒ではなく、触媒調製例１６の触媒を使用した以外は、実施例１と同様の方法でＣＮＦを合成した。合成活性は低く所定の値に達しなかったので体積抵抗率等の測定を行わなかった。結果を表２に示す。

（比較例９）
市販のＣＮＦ（ＣＮａｎｏ社、Ｆｌｏｔｕｂｅ９０００）の体積抵抗率、Ｄ／Ｇ値、比表面積および粒度分布を測定した。結果を表２に示す。

＜結果の考察＞
実施例各例で得られたＣＮＦは、ＴＥＭ観察の結果、多層カーボンナノチューブであった（代表として実施例１０のＣＮＦのＴＥＭ写真を図1に示す）。実施例１〜１９のＣＮＦは、高い結晶性、導電性および分散性を有していた。
また、実施例１〜１９で示されるように高い結晶性、導電性および分散性を満たすＣＮＦを高い活性で製造することができた。特に異なる構成の触媒（比較例２〜４、６、８）では高い活性を得ることはできない。また合成温度条件より高い場合（比較例６）も活性は低下してしまった。

実施例１〜１９で示される反応温度で合成を行った場合、比較例９に比べて、Ｄ／Ｇ値が低い、つまり、結晶性の高いＣＮＦを合成することができた。

実施例１〜１９で示される触媒を使用および反応条件で合成した場合、比較例１、５、７および９に比べて、分散性の高いＣＮＦを合成することができた。

実施例１〜１６では、実施例１７−１９と比べてさらに高い分散性のＣＮＦを合成することができた。

Claims

コバルトを主成分とする活性種を触媒とし、一酸化炭素を炭素源としたカーボンナノファイバーの製造方法であって、
前記触媒が、前記活性種を比表面積が０．０１〜５ｍ^２／ｇであるマグネシウムを含有する酸化物からなる担体に３〜１５０質量％担持した触媒であり、
反応温度が６７０〜７８０℃であり、
一酸化炭素分圧が０．０４〜０．９８ＭＰａであり、かつ
一酸化炭素ガス流速が２ＮＬ／ｇ−活性種・分以上の条件下で製造する、
カーボンナノファイバーの製造方法。
前記触媒の担持率が３〜９０質量％であり、かつ水素分圧が一酸化炭素分圧に対し１〜１００％である、請求項１記載のカーボンナノファイバーの製造方法。
請求項１又は２に記載のカーボンナノファイバーの製造方法で得られる、９．８ＭＰａの荷重下で測定した体積抵抗率が０．０３０Ωｃｍ以下で、Ｄ／Ｇが０．５〜１．３であり、
トルエン中の１μｍ以下の分散粒子が４０体積％以上またはメジアン径Ｄ５０が５μｍ以下である、カーボンナノファイバー。
請求項２記載のカーボンナノファイバーの製造方法で得られる、９．８ＭＰａの荷重下で測定した体積抵抗率が０．０３０Ωｃｍ以下で、Ｄ／Ｇが０．５〜１．３であり、
トルエン中の１μｍ以下の分散粒子が７０体積％以上またはメジアン径Ｄ５０が０．７μｍ以下である、
カーボンナノファイバー。
９．８ＭＰａの荷重下で測定した体積抵抗率が０．０３０Ωｃｍ以下で、Ｄ／Ｇが０．５〜１．３であり、トルエン中の１μｍ以下の分散粒子が４０体積％以上またはメジアン径Ｄ５０が５μｍ以下である、カーボンナノファイバー。
前記トルエン中の１μｍ以下の分散粒子が７０体積％以上または前記メジアン径Ｄ５０が０．７μｍ以下である、請求項５に記載のカーボンナノファイバー。