JPWO2015083366A1 - 発光ユニット、発光装置及び発光ユニットの製造方法 - Google Patents
発光ユニット、発光装置及び発光ユニットの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2015083366A1 JPWO2015083366A1 JP2015551389A JP2015551389A JPWO2015083366A1 JP WO2015083366 A1 JPWO2015083366 A1 JP WO2015083366A1 JP 2015551389 A JP2015551389 A JP 2015551389A JP 2015551389 A JP2015551389 A JP 2015551389A JP WO2015083366 A1 JPWO2015083366 A1 JP WO2015083366A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- conductor pattern
- insulating film
- emitting unit
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 362
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 114
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 39
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 26
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 15
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 8
- 235000019646 color tone Nutrition 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Description
以下、本発明の第1の実施形態を、図面を用いて説明する。説明には、相互に直交するX軸、Y軸、Z軸からなるXYZ座標系を用いる。
導体パターン23a,23bを構成する薄膜導体のピッチd2の2倍以下であり、この例では、ピッチd2と同等である。
次に、本発明の第2の実施形態について、図面を参照して説明する。第1の実施形態と同一又は同等の構成については、同等の符号を用いるとともに、その説明を省略又は簡略する。本実施形態に係る発光ユニット10は、発光パネル20を構成する発光素子30が、両面に電極を有している点で相違している。
以下、本発明の第3の実施形態を、図面を用いて説明する。上記各実施形態と同一又は同等の構成については、同等の符号を用いるとともに、その説明を省略又は簡略する。
次に、本発明の第4の実施形態について、図面を参照して説明する。上記各実施形態と同一又は同等の構成については、同等の符号を用いるとともに、その説明を省略又は簡略する。本実施形態に係る発光ユニット10は、導体パターンがメッシュパターンではなく、略透明な導体からなる点で、上記第2の実施形態に係る発光ユニットと相違している。
20 発光パネル
21,22 透明フィルム
21a 絶縁帯
23 導体層
23a〜23i,23m,23x,23y,25,26A,26B 導体パターン
24 樹脂層
25a 小片
30 発光素子
31 ベース基板
32 N型半導体層
33 活性層
34 P型半導体層
35 パッド
36 パッド
37 バンプ
38 バンプ
39 金属片
40 フレキシブルケーブル
41 基材
42 カバーレイ
42a 開口部
43 導体層
43a,43b 導体パターン
50 コネクタ
50a 端子
60 補強板
70 駆動装置
80 制御装置
91,92 導電性異物
100 発光装置
200 直流電源
240 熱可塑性樹脂
MP1〜MP15 導体パターン
接続P パッド
Claims (29)
- 光透過性を有する第1絶縁体と、
前記第1絶縁体に対向して配置される第2絶縁体と、
前記第1絶縁体と前記第2絶縁体のうちの少なくとも一方の表面に形成された光に対して透過性を有する複数の導体パターンと、
電極上にバンプを有し、前記複数の導体パターンのうちのいずれか2つの導体パターンに接続される複数の第1発光素子と、
前記第1絶縁体と前記第2絶縁体の間に配置され、前記第1発光素子を保持する樹脂層と、
を有する発光ユニット。 - 前記導体パターンは、開口部が光を透過するメッシュパターン、又は光透過性を有する導電性膜である請求項1に記載の発光ユニット。
- 光透過性を有する第1絶縁フィルムと、
前記第1絶縁フィルムに対向して配置される第2絶縁フィルムと、
前記第1絶縁フィルムと前記第2絶縁フィルムのうちの少なくとも一方の表面に形成される複数のメッシュパターンと、
前記複数のメッシュパターンのうちのいずれか2つのメッシュパターンに接続される複数の第1発光素子と、
前記第1絶縁フィルムと前記第2絶縁フィルムの間に配置され、前記第1発光素子を保持する樹脂層と、
を有する発光ユニット。 - 前記第1発光素子は、前記第1絶縁フィルムと前記第2絶縁フィルムのうちの一方の表面に形成される第1メッシュパターンに陽極が接続され、第2メッシュパターンに陰極が接続される請求項3に記載の発光ユニット。
- 前記第1発光素子は、前記第1絶縁フィルムの表面に形成される第1メッシュパターンに陽極が接続され、前記第2絶縁フィルムの表面に形成される第2メッシュパターンに陰極が接続される請求項3に記載の発光ユニット。
- 前記第1メッシュパターンと前記第2メッシュパターンの間には、2つ以上の前記第1発光素子が接続される請求項4又は5に記載の発光ユニット。
- 前記絶縁フィルムには3つ以上の前記メッシュパターンが形成され、前記第1発光素子は、直列に接続されている請求項3乃至6のいずれか一項に記載の発光ユニット。
- 前記メッシュパターンが接続パッドを有する請求項3乃至7のいずれか一項に記載の発光ユニット。
- 前記第1メッシュパターンと前記第2メッシュパターンの間に配置され、陰極が前記第1メッシュパターンに接続され、陽極が前記第2メッシュパターンに接続される、前記第1発光素子とは異なる第2発光素子を有する請求項4乃至6のいずれか一項に記載の発光ユニット。
- 前記第1発光素子と前記第2発光素子は、相互に異なるスペクトルの光を射出する請求項9に記載の発光ユニット。
- 前記メッシュパターンは、透過率が75%以上となるように線幅と配列ピッチが規定され、抵抗が100Ω以下であることを特徴とする請求項3乃至10のいずれか一項に記載の発光ユニット。
- 光透過性を有する第1絶縁フィルムと、
前記第1絶縁フィルムに対向して配置される第2絶縁フィルムと、
光透過性を有する導電性膜からなり、前記第1絶縁フィルムと前記第2絶縁フィルムのうちの少なくとも一方の表面に形成される複数の平面導体パターンと、
前記複数の平面導体パターンのうちのいずれか2つの平面導体パターンに接続される複数の第1発光素子と、
前記第1絶縁フィルムと前記第2絶縁フィルムの間に配置され、前記第1発光素子を保持する樹脂層と、
を有し、
前記平面導体パターンは、前記第1絶縁フィルムと前記第2絶縁フィルムのうちの少なくとも一方の表面に形成された前記導電性膜を区分することにより形成される発光ユニット。 - 前記第1発光素子は、前記第1絶縁フィルムと前記第2絶縁フィルムのうちの一方の表面に形成される第1平面導体パターンに陽極が接続され、第2平面導体パターンに陰極が接続される請求項12に記載の発光ユニット。
- 前記第1発光素子は、前記第1絶縁フィルムの表面に形成される第1平面導体パターンに陽極が接続され、前記第2絶縁フィルムの表面に形成される第2平面導体パターンに陰極が接続される請求項12に記載の発光ユニット。
- 前記第1平面導体パターンと前記第2平面導体パターンの間には、2つ以上の前記第1発光素子が接続される請求項13又は14に記載の発光ユニット。
- 前記絶縁フィルムには3つ以上の前記平面導体パターンが形成され、前記第1発光素子は、直列に接続されている請求項12乃至15のいずれか一項に記載の発光ユニット。
- 前記第1平面導体パターンと前記第2平面導体パターンの間に配置され、陰極が前記第1平面導体パターンに接続され、陽極が前記第2平面導体パターンに接続される、前記第1発光素子とは異なる第2発光素子を有する請求項13乃至16のいずれか一項に記載の発光ユニット。
- 前記第1発光素子と前記第2発光素子は、相互に異なるスペクトルの光を射出する請求項17に記載の発光ユニット。
- 前記平面導体パターンはITO膜である請求項12乃至18のいずれか一項に記載の発光ユニット。
- 前記複数の導体パターンは、L字状の折り返し部分を有する導体パターンを含む請求項1又は2に記載の発光ユニット。
- 前記導体パターンの周囲に、前記導体パターンの配列ピッチ以下の長さに切断された、細分化された導体パターンを有する請求項1、2及び20のいずれか一項に記載の発光ユニット。
- 前記導体パターンは、前記絶縁体の表面に形成された導体膜を、レーザを用いてパターニングすることにより形成される請求項1、2、20及び21のいずれか一項に記載の発光ユニット。
- 前記発光素子は、一方の面に陽極と陰極を有するLEDチップである請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光ユニット。
- 前記発光素子の陽極及び陰極には、前記一方の面から突出するバンプが形成されている請求項23に記載の発光ユニット。
- スリットで区分された前記導体パターンが、前記絶縁体の表面を覆っている請求項1、2、20乃至24のいずれか一項に記載の発光ユニット。
- 請求項1乃至25のいずれか一項に記載の発光ユニットと、
前記発光素子に電力を供給する電源と、
を備える発光装置。 - 前記発光ユニットを所定のプログラムに従って制御する制御装置を備える請求項26に記載の発光装置。
- 光透過性を有する絶縁フィルムの一方の面に、複数のメッシュパターンを形成する工程と、
前記複数のメッシュパターンのうちの第1メッシュパターンと第2メッシュパターンの間に発光素子を配置して、前記発光素子の陽極を前記第1メッシュパターンに接続し、前記発光素子の陰極を前記第2メッシュパターンに接続する工程と、
を含む発光ユニットの製造方法。 - 光透過性を有する絶縁フィルムに、光透過性を有する導電性膜を形成する工程と、
前記導電性膜をパターニングして、前記絶縁フィルムに、複数の平面導体パターンを形成する工程と、
前記複数の平面導体パターンのうちの第1平面導体パターンと第2平面導体パターンの間に発光素子を配置して、前記発光素子の陽極を前記第1平面導体パターンに接続し、前記発光素子の陰極を前記第2平面導体パターンに接続する工程と、
を含む発光ユニットの製造方法。
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013249454 | 2013-12-02 | ||
JP2013249454 | 2013-12-02 | ||
JP2013249453 | 2013-12-02 | ||
JP2013249456 | 2013-12-02 | ||
JP2013249457 | 2013-12-02 | ||
JP2013249457 | 2013-12-02 | ||
JP2013249453 | 2013-12-02 | ||
JP2013249456 | 2013-12-02 | ||
PCT/JP2014/006000 WO2015083366A1 (ja) | 2013-12-02 | 2014-12-01 | 発光ユニット、発光装置及び発光ユニットの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019082605A Division JP6774527B2 (ja) | 2013-12-02 | 2019-04-24 | 発光ユニット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015083366A1 true JPWO2015083366A1 (ja) | 2017-03-16 |
JP6523179B2 JP6523179B2 (ja) | 2019-05-29 |
Family
ID=53273150
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015551389A Active JP6523179B2 (ja) | 2013-12-02 | 2014-12-01 | 発光ユニット、発光装置及び発光ユニットの製造方法 |
JP2019082605A Active JP6774527B2 (ja) | 2013-12-02 | 2019-04-24 | 発光ユニット |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019082605A Active JP6774527B2 (ja) | 2013-12-02 | 2019-04-24 | 発光ユニット |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10553769B2 (ja) |
EP (1) | EP3079176B1 (ja) |
JP (2) | JP6523179B2 (ja) |
CN (1) | CN105518886A (ja) |
WO (1) | WO2015083366A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105518886A (zh) * | 2013-12-02 | 2016-04-20 | 东芝北斗电子株式会社 | 发光单元、发光装置及发光单元的制造方法 |
WO2015146115A1 (ja) | 2014-03-25 | 2015-10-01 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光装置 |
JP6913460B2 (ja) | 2014-09-26 | 2021-08-04 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光モジュール |
EP3128565A4 (en) | 2014-09-26 | 2017-12-13 | Toshiba Hokuto Electronics Corp. | Light-emission module |
JP2017044868A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 大日本印刷株式会社 | シースルー型のled表示装置 |
CN111682017B (zh) | 2015-12-28 | 2023-08-29 | 日亚化学工业株式会社 | 发光模块 |
KR101847100B1 (ko) * | 2017-01-02 | 2018-04-09 | 박승환 | Uv 임프린팅 기술을 이용한 투명 발광장치 제조 방법 및 그에 따라 제조되는 투명 발광장치 |
ES2683897B1 (es) * | 2017-03-28 | 2019-07-29 | Bsh Electrodomesticos Espana Sa | Dispositivo de aparato de cocción y procedimiento para la fabricación de un dispositivo de aparato de cocción |
JP7273280B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2023-05-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法 |
JP2021036575A (ja) * | 2018-12-17 | 2021-03-04 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光装置、接合部の保護方法、発光装置の製造方法、及び、車両用灯具 |
CN110246428A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-09-17 | 大连集思特科技有限公司 | 一种高密度透明led显示屏及其制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007081159A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置及び表示装置 |
JP2007157895A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2010525504A (ja) * | 2007-04-03 | 2010-07-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光出力装置 |
JP2011029634A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-02-10 | Sharp Corp | 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置 |
JP2012084855A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-04-26 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | 発光装置 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60262430A (ja) | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0727924B2 (ja) | 1984-06-20 | 1995-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 実装体の製造方法 |
JPH0638436B2 (ja) | 1985-02-22 | 1994-05-18 | カシオ計算機株式会社 | 半導体ペレツトと基板の接合方法 |
JP2981385B2 (ja) | 1993-09-06 | 1999-11-22 | シャープ株式会社 | チップ部品型ledの構造及びその製造方法 |
JPH10163258A (ja) | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Fujitsu Ten Ltd | バンプ及びバンプ形成方法及びバンプ形成装置 |
JPH11145381A (ja) | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Denso Corp | 半導体マルチチップモジュール |
JP3841130B2 (ja) | 1997-12-16 | 2006-11-01 | ローム株式会社 | 光半導体モジュール、およびその製造方法 |
JP3529657B2 (ja) | 1999-02-05 | 2004-05-24 | 松下電器産業株式会社 | 熱可塑性樹脂基板に半導体素子を取付ける方法、非接触icカードの製造方法及び半導体素子を取付けた熱可塑性樹脂基板 |
JP2000299411A (ja) | 1999-02-10 | 2000-10-24 | Hitachi Maxell Ltd | チップ実装体及びその製造方法 |
JP2001176908A (ja) | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3748779B2 (ja) | 2001-02-16 | 2006-02-22 | 松下電器産業株式会社 | 半導体素子の実装方法、及び熱可塑性若しくは熱硬化性のシート |
AU2001295987B2 (en) | 2001-10-19 | 2005-10-20 | Sphelar Power Corporation | Light emitting or light receiving semiconductor module and method for manufacturing the same |
CN100595937C (zh) * | 2002-08-01 | 2010-03-24 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光元件及发光装置 |
US7858994B2 (en) * | 2006-06-16 | 2010-12-28 | Articulated Technologies, Llc | Solid state light sheet and bare die semiconductor circuits with series connected bare die circuit elements |
US20070090387A1 (en) | 2004-03-29 | 2007-04-26 | Articulated Technologies, Llc | Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits |
US20050247944A1 (en) | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Haque Ashim S | Semiconductor light emitting device with flexible substrate |
US7838868B2 (en) | 2005-01-20 | 2010-11-23 | Nanosolar, Inc. | Optoelectronic architecture having compound conducting substrate |
GB0518612D0 (en) * | 2005-09-13 | 2005-10-19 | Eastman Kodak Co | A method of forming conductive tracks |
FR2892594B1 (fr) * | 2005-10-21 | 2007-12-07 | Saint Gobain | Structure lumineuse comportant au moins une diode electroluminescente, sa fabrication et ses applications |
JP2008034473A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 面状光源 |
WO2008041771A1 (en) | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Asahi Glass Co., Ltd. | Glass coated light emitting element, wiring board with light emitting element, method for producing wiring board with light emitting element, lighting device and projector |
WO2008065926A1 (fr) | 2006-11-28 | 2008-06-05 | Panasonic Corporation | Structure de montage de composant électronique et procédé de fabrication correspondant |
US9117944B2 (en) * | 2008-09-24 | 2015-08-25 | Koninklijke Philips N.V. | Semiconductor light emitting devices grown on composite substrates |
US8323744B2 (en) * | 2009-01-09 | 2012-12-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Systems, methods, devices and arrangements for nanowire meshes |
EP3151268B1 (en) | 2009-01-23 | 2020-04-01 | Nichia Corporation | Method of producing a semiconductor device by directly bonding silver oxide on a surface of a semiconductor element with silver or silver oxide on a surface of a base |
US8168998B2 (en) | 2009-06-09 | 2012-05-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with remote phosphor layer and reflective submount |
JP5670051B2 (ja) | 2009-12-25 | 2015-02-18 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP5533183B2 (ja) | 2010-04-20 | 2014-06-25 | 日亜化学工業株式会社 | Led光源装置及びその製造方法 |
JP5512888B2 (ja) | 2010-06-29 | 2014-06-04 | クーレッジ ライティング インコーポレイテッド | 柔軟な基板を有する電子素子 |
US8198109B2 (en) * | 2010-08-27 | 2012-06-12 | Quarkstar Llc | Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination |
JP2013033910A (ja) | 2011-06-29 | 2013-02-14 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子搭載用基板、ledパッケージ、及びledパッケージの製造方法 |
TW201320253A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-16 | Walsin Lihwa Corp | 封裝結構及其製造方法 |
JP2013102061A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2013153117A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Thermal Printer Institute Inc | インテリアled照明基板 |
JP6107117B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2017-04-05 | 豊田合成株式会社 | 固体装置及びその製造方法 |
JP2013232477A (ja) | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Toshiba Corp | 発光モジュール |
WO2014050876A1 (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | シャープ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
TWI626395B (zh) * | 2013-06-11 | 2018-06-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置 |
CN105518886A (zh) * | 2013-12-02 | 2016-04-20 | 东芝北斗电子株式会社 | 发光单元、发光装置及发光单元的制造方法 |
-
2014
- 2014-12-01 CN CN201480048559.XA patent/CN105518886A/zh active Pending
- 2014-12-01 JP JP2015551389A patent/JP6523179B2/ja active Active
- 2014-12-01 WO PCT/JP2014/006000 patent/WO2015083366A1/ja active Application Filing
- 2014-12-01 EP EP14868445.9A patent/EP3079176B1/en active Active
-
2016
- 2016-03-23 US US15/078,404 patent/US10553769B2/en active Active
-
2019
- 2019-04-24 JP JP2019082605A patent/JP6774527B2/ja active Active
- 2019-12-24 US US16/726,537 patent/US11538972B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007081159A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置及び表示装置 |
JP2007157895A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2010525504A (ja) * | 2007-04-03 | 2010-07-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光出力装置 |
JP2011029634A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-02-10 | Sharp Corp | 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置 |
JP2012084855A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-04-26 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015083366A1 (ja) | 2015-06-11 |
US11538972B2 (en) | 2022-12-27 |
CN105518886A (zh) | 2016-04-20 |
EP3079176A1 (en) | 2016-10-12 |
EP3079176B1 (en) | 2020-06-17 |
US10553769B2 (en) | 2020-02-04 |
JP6523179B2 (ja) | 2019-05-29 |
EP3079176A4 (en) | 2016-12-28 |
JP2019134184A (ja) | 2019-08-08 |
US20200136000A1 (en) | 2020-04-30 |
US20160276322A1 (en) | 2016-09-22 |
JP6774527B2 (ja) | 2020-10-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6774527B2 (ja) | 発光ユニット | |
CN110416394B (zh) | 发光模块 | |
CN108369980B (zh) | 发光模块 | |
JP6166863B2 (ja) | 発光装置 | |
US10629570B2 (en) | Light emitting module | |
TWI633363B (zh) | 背光系統及其製造方法 | |
JP2019216246A (ja) | 発光装置および移動用の表示装置 | |
TW200950147A (en) | Method of manufacturing addressable and static electronic displays, power generating or other electronic apparatus | |
WO2016047133A1 (ja) | 発光モジュール | |
US10707192B2 (en) | Light emitting panel comprising a plurality of light emitting modules | |
JP7165857B2 (ja) | 発光装置 | |
WO2015146115A1 (ja) | 発光装置 | |
JP2020038778A (ja) | 装飾装置、発光装置の使用方法、及び、車両 | |
CN111725374A (zh) | 一种显示装置的导电基板 | |
JP2009250998A (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190409 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6523179 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |