JPWO2015002139A1 - 蛍光体及び発光装置 - Google Patents

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雄介 武田
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亮治 稲葉
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学 小林
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Abstract

本発明は、高輝度の赤色発光を実現することが可能な(Sr,Ca)AlSiN3系窒化物蛍光体、並びに、当該蛍光体を用いることにより演色性と発光効率に優れた発光装置に関する。本発明の蛍光体は、一般式:M1aM2bM3cM4dNeOfで表され、M1はEu及びCeから選ばれる1種以上の元素、M2はCa及びSrを必須とするMg、Ca、Sr、Ba及びZnから選ばれる2種以上の元素、M3はAl、Ga、In及びScから選ばれる1種以上の元素、M4はSiを必須とするSi、Ge、Sn、Ti、Zr及びHfから選ばれる1種以上の元素、Nは窒素、Oは酸素、a〜fは、0.00001≦a≦0.15、a+b=1、0.5≦c≦1.5、0.5≦d≦1.5、c+d=2、2.5≦e≦3.0、0≦f≦0.5であり、455nmの波長の光で励起した際の発光スペクトルの半値幅が72nm以上86nm以下であることを特徴とする。

Description

本発明は、LED(Light Emitting Diode)又はLD(Laser Diode)用の蛍光体、及びこの蛍光体を用いた発光装置に関する。より詳しくは、高輝度の赤色発光を実現することが可能な(Sr,Ca)AlSiN系窒化物蛍光体、並びに、当該蛍光体を用いることにより演色性と発光効率に優れた発光装置に関する。
照明用白色LEDとして、青色LEDチップと黄色蛍光体とを組み合わせて疑似白色光を得る方式のものが広く普及している。しかし、この方式の白色LEDは、その色度座標値としては白色領域に入るものの、赤色領域等の発光成分が少ないため、この白色LEDで照射される物体の見え方が、自然光で照射される物体の見え方と大きく異なる。すなわち、この白色LEDは、物体の見え方の自然さの指標である演色性に劣る。
そこで、黄色蛍光体の他に赤色蛍光体又は橙色蛍光体等を組み合わせて、不足している赤色成分を補うことにより、演色性を向上させた白色LEDが実用化されている。例えば、特許文献1には、白色LEDの赤色成分を補うために、黄色発光するYAG蛍光体と、赤色発光する窒化物及び酸窒化物蛍光体とを併用した発光装置が開示されている。
ところが、演色性を高めようとすると必然的に発光効率が低下する傾向があるため、演色性と発光効率のバランスをとるためには、より高輝度の赤色蛍光体を用いる必要がある。このような高輝度の赤色蛍光体として、特許文献2には、Eu2+付活したCaAlSiNが開示されている。また、当該文献には、Caの一部をSrで置換することにより、発光ピーク波長が短波長側にシフトした蛍光体が得られることが記載されている。このEu2+付活した(Sr,Ca)AlSiN系窒化物蛍光体は、CaAlSiN系窒化物蛍光体よりも発光波長が短く、視感度が高い領域のスペクトル成分が増えることから、高輝度白色LED用の赤色蛍光体として有効である。
特開2004−071726号公報 国際公開第2005/052087号
しかし、(Sr,Ca)AlSiN系窒化物蛍光体であっても、発光スペクトルがブロードで人間の可視範囲を超えた波長帯域にスペクトル成分を多く含むものは、発光効率が低く、高輝度を実現することができない。
このため、半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせて白色光を発光する白色LEDにおいて、演色性と発光効率のバランスに優れ、高輝度の白色LEDを実現するために、視感度の高い赤色を高輝度で発光する赤色蛍光体が求められている。
本発明者らは、上記課題を解決すべく、Eu2+付活した(Sr,Ca)AlSiN近傍の組成範囲及び合成条件を鋭意検討した結果、(Sr,Ca)AlSiN結晶相の結晶格子が特定の範囲にある場合に、発光スペクトルの半値幅を望ましい範囲まで狭くすることができ、その結果、人間の可視範囲を超えた波長帯域における発光スペクトルが減り、視感度の高い赤色を高輝度で発光する赤色蛍光体が得られることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明は、一般式:M1M2M3M4で表され、M1はEu及びCeから選ばれる1種以上の元素、M2はCa及びSrを必須とするMg、Ca、Sr、Ba及びZnから選ばれる2種以上の元素、M3はAl、Ga、In及びScから選ばれる1種以上の元素、M4はSiを必須とするSi、Ge、Sn、Ti、Zr及びHfから選ばれる1種以上の元素、Nは窒素、Oは酸素、a〜fは、0.00001≦a≦0.15、a+b=1、0.5≦c≦1.5、0.5≦d≦1.5、c+d=2、2.5≦e≦3.0、0≦f≦0.5であり、455nmの波長の光で励起した際の発光スペクトルの半値幅が72nm以上86nm以下である蛍光体を要旨とする。
本発明の蛍光体は、波長250nm以上550nm以下の範囲にピークを有する光、特に455nmの青色光で励起した際、発光スペクトルのピーク波長(λp)が600nm以上635nm以下となる赤色発光蛍光体であり、半値幅が72nm以上86nm以下に制限されている。このため、視感度の低い領域での発光スペクトル量が少なく、高輝度の赤色発光を実現することができる。
また、本発明の発光装置は、この蛍光体を用いることにより、演色性と発光効率のバランスに優れた、高輝度の白色を発光することができる。
実施例1の蛍光体の製造方法を示すフロー図
本発明に係る蛍光体は、一般式:M1M2M3M4で表される。当該一般式は、蛍光体の組成式を表しており、a〜fはa+b=1となるように算出した場合の各元素の原子数の比である。
M1は、母体結晶に添加される付活剤、すなわち蛍光体の発光中心イオンを構成する元素であり、Eu又はCeのいずれか一方又は双方である。M1は、求められる発光波長によって選択することができ、好ましくはEuである。
M1の添加量があまりに少ないと十分な発光ピーク強度が得られず、あまりに多いと濃度消光が大きくなって発光ピーク強度が低くなる傾向にあるため、結果として高輝度の蛍光体を得ることができない。このため、M1の添加量aは0.00001以上0.15以下である。
M2は、Ca及びSrを必須とするMg、Ca、Sr、Ba及びZnから選ばれる2種以上の元素である。
M2の含有量bは、M1の含有量aとの合計が1、すなわちa+b=1を満たす値である。
M3は、Al、Ga、In及びScから選ばれる1種以上の元素であり、Alが好ましい。M3の含有量があまりに少ないと目的の蛍光体結晶が得られなくなり、あまりに多いと異相が生じ収率が低下してしまう傾向にある。このため、M3の含有量cは、0.5以上1.5以下である。
M4は、Si、Ge、Sn、Ti、Zr及びHfから選ばれる1種以上の元素であると共にSiを必須としたものであり、Si単体が好ましい。M4の含有量があまりに少ないと目的の蛍光体結晶が得られなくなり、あまりに多いと異相が生じ収率が低下してしまう傾向にある。このため、M4の含有量dは、0.5以上1.5以下である。また、M3の含有量cとM4の含有量dの合計は2、すなわちc+d=2である。
上記一般式において、Nは窒素であり、Oは酸素である。Nの含有量eは2.5以上3.0以下であり、好ましくは2.7以上3.0以下である。また、Oの含有量fは0以上0.5以下であり、好ましくは0.3以下である。
本発明に係る蛍光体の発光ピークの半値幅(FWHM(full width at half maximum))は、あまりに狭すぎると演色性が低下し、あまりに広すぎると視感度が低下する傾向にある。そのため、455nmの波長の光で励起した際の発光スペクトルの半値幅は72nm以上86nm以下である。より好ましい半値幅の下限は75nmであり、より好ましい半値幅の上限は82nmである。
本発明の蛍光体にあっては、主結晶相が(Sr,Ca)AlSiN結晶相と同一の構造であることが好ましい。蛍光体の主結晶相が(Sr,Ca)AlSiN結晶と同一の構造か否かは、粉末X線回折により確認できる。蛍光体中に存在する結晶相は、前記結晶単相が好ましいが、蛍光体特性に大きな影響がない限り、異相を含んでいても構わない。蛍光特性への影響が低い異相としては、(Ca,Sr)Si、αサイアロン、AlNがある。(Ca,Sr)Siには、Siサイトに少量のAlが、Nサイトに少量のOが固溶したものも含まれ、一般式では(Ca,Sr)(Si,Al)(N,O)と表される。
異相の量は、粉末X線回折法で評価した際の前記結晶相の最強回折線強度に対する他の結晶相の回折線強度で10%以下が好ましい。
(Sr,Ca)AlSiN結晶の骨格構造は、(Si,Al)−N正四面体が結合することにより構成され、その間隙にCa原子及びSr原子が位置するものである。Ca2+又はSr2+の一部が発光中心として作用するEu2+で置換された場合に、赤色蛍光体となる。蛍光体の組成は、Ca及びSrの占有率、Si/Al比、N/O比のパラメータの全体により電気的中性が保たれる。
(Sr,Ca)AlSiN結晶を主結晶相とする蛍光体の発光スペクトル形状、つまり発光ピークの半値幅(FWHM)は、発光中心として作用するEu2+の周囲の結晶格子が影響する。
本発明の蛍光体にあっては、上記半値幅を達成するのに好ましい(Sr,Ca)AlSiN結晶の格子定数aは9.795以上9.812以下であり、格子定数bは5.745以上5.755以下であり、格子定数cは5.150以上5.165以下である。これらの格子定数が上記範囲外であると、発光スペクトルがブロード化し視感度の低い赤色蛍光体となったり、結晶格子の歪み、結晶欠陥が生じ発光特性が低下したりする傾向がある。
結晶格子の格子定数は、上記組成のCa及びSrの占有率、Si/Al比、N/O比のパラメータ、及び焼成温度等により変化する。
なかでも、Ca及びSrの合計原子数に占めるSrの原子数の比率(Sr/(Sr+Ca))は、結晶格子の格子定数に大きく影響する。
(Sr,Ca)AlSiN結晶は、Srの占有率(Sr/(Sr+Ca))が大きくなると結晶格子のa、b、c軸が増大する傾向にあり、特にb、c軸はSrの占有率(Sr/(Sr+Ca))の増加に伴って線形的に増大する。イオン半径の大きいSr2+の占有率が大きくなることでb、c軸方向に結晶格子が伸長し、このとき生じる結晶格子の歪みをa軸方向で調整し緩和していると考えられる。
Srの占有率(Sr/(Sr+Ca))があまりに大きいと(Sr,Ca)AlSiN結晶を維持することが困難となり、目的とする結晶以外の異相が多量に生成するため、発光特性が著しく低下する。一方、Srの占有率があまり小さいと発光スペクトルがブロード化し、視感度が低くなる傾向にある。そのため、例えばM2元素がCa及びSrからなる場合には、Srの占有率(Sr/(Sr+Ca))は0.85以上0.95以下が好ましく、より好ましくは0.88以上0.94以下である。
また、本発明者らがさらに詳しく(Sr,Ca)AlSiN結晶の格子定数と発光ピークの半値幅(FWHM)との関係を調べたところ、Srの占有率(Sr/(Sr+Ca))が一定であっても、焼成温度等の違いにより結晶格子のa軸が増加すると半値幅(FWHM)が広くなる傾向があることを見出した。これは、結晶欠陥などがある場合、結晶格子のa軸が増大し、これにより格子振動による長波長側の発光が増加し、発光スペクトルがブロード化して半値幅が広くなるからであると推定される。
本発明の蛍光体にあっては、発光スペクトルのピーク波長(λp)があまり短すぎると黄色みを帯びた発光となり、十分な赤色発光が得られず、また、発光スペクトルのピーク波長(λp)があまり長すぎると暗赤色を帯び視感度が低い赤色を発光する傾向にある。このため、455nmの波長の光で励起した際の発光スペクトルのピーク波長が600nm以上635nm以下であることが好ましい。ピーク波長は、例えばSrの占有率(Sr/(Sr+Ca))等を変更することによって調整でき、一般的に、Srの含有量が増えるとピーク波長が短くなる傾向がある。
本発明の蛍光体は、原料を混合する混合工程、混合工程後の原料を焼成する焼成工程、焼成工程後の焼結体を粉砕する粉砕工程によって製造することが好ましい。他に酸処理工程、アニール工程を追加することが好ましい。製造された蛍光体に対して、酸処理工程で表面に残存した不純物を気化除去することができ、アニール工程で蛍光体の表面層をより緻密化することができる。
以上説明したように、本発明の蛍光体は、半値幅が特定の範囲に制限されているため、視感度の高い赤色を高輝度で発光することができる。
本発明に係る発光装置は、前述の本発明の蛍光体と発光素子とを有する。
発光素子としては、紫外LED、青色LED、蛍光体ランプの単体又はこれらの組み合わせを用いることができる。発光素子は、250nm以上550nm以下の波長の光を発するものが望ましく、なかでも420nm以上500nm以下の青色LED発光素子が好ましい。
発光装置に使用する蛍光体としては、本発明の蛍光体の他に、他の発光色を持つ蛍光体を併用することができる。他の発光色の蛍光体としては、青色発光蛍光体、緑色発光蛍光体、黄色発光蛍光体、橙色発光蛍光体があり、例えば、CaScSi12:Ce、CaSc:Ce、YAl12:Ce、TbAl12:Ce、(Sr、Ca、Ba)SiO:Eu、LaSi11:Ce、SrSi:Eu等が挙げられる。本発明の蛍光体と併用できる蛍光体は、特に限定されるものではなく、発光装置に要求される輝度や演色性等に応じて適宜選択可能である。本発明の蛍光体と他の発光色の蛍光体とを混在させることにより、昼白色〜電球色の様々な色温度の白色を実現することができる。
発光装置としては、照明装置、バックライト装置、画像表示装置及び信号装置がある。
本発明の発光装置は、本発明の蛍光体を採用することにより、発光効率と演色性のバランスに優れ、高輝度の白色光を実現することができる。
以下、本発明を以下に示す実施例によってさらに詳しく説明する。表1は、実施例及び比較例の蛍光体の組成比、焼成温度、発光特性及び格子定数を示したものである。
〔実施例1〕
実施例1の蛍光体を、図1に示すように、原料を混合する混合工程、混合工程後の原料を焼成する焼成工程、焼成工程後の焼結体を粉砕する粉砕工程、酸処理工程、及び、アニール工程を経て製造した。
<混合工程>
α型窒化ケイ素粉末(電気化学工業株式会社製NP−400グレード、酸素含有量1.0質量%)25.84質量%、窒化アルミニウム粉末(株式会社トクヤマ製Fグレード、酸素含有量0.6質量%)22.65質量%、及び酸化ユーロピウム粉末(信越化学工業株式会社製RUグレード)0.78質量%となるように秤量し、当該原料粉末をV型混合機で10分間乾式混合した。原料の大きさを揃えるため、混合後の原料のうち、目開き250μmのナイロン製篩を通過したものを以下の工程に用いた。
水分1ppm以下、酸素1ppm以下の窒素雰囲気のグローブボックス内で、窒化カルシウム粉末(株式会社高純度化学研究所製:純度2N)2.51質量%、及び、窒化ストロンチウム粉末(株式会社高純度化学研究所製;純度2N)48.22質量%となるように秤量し、篩を通過した前記原料と乾式にて混合した。これを、再度、目開き250μmのナイロン製篩で分級し、篩を通過したものを蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器(電気化学工業株式会社製N−1グレード)に300g充填した。
<焼成工程>
原料を容器ごと電気炉にセットし焼成を行った。焼成はカーボンヒーターの電気炉を用い、真空まで脱ガスしたのち、5℃/分で昇温し、500℃から窒素ガス流量を5リットル/分でガスを導入して、0.9MPa・Gの加圧窒素雰囲気中、1800℃で4時間加熱処理して行った。焼成終了後、容器を取り出し、室温になるまで放置した。得られた焼成体は、緩く凝集した塊状であった。
<粉砕工程>
塊状の焼結体をロールクラッシャーで解砕した。解砕後の合成粉末のうち、目開き150μmの篩を通過したものだけに分級した。
<酸処理工程>
篩を通過した合成粉末に対し、2.0Mの塩酸にスラリー濃度が25質量%となるように投入して1時間浸す酸処理を行った。酸処理後、塩酸スラリーを攪拌しながら1時間煮沸処理を行った。
煮沸処理後の合成粉末を室温まで冷却し濾過し、合成粉末から酸処理液を分離した。酸処理液分離後の合成粉末を100℃〜120℃の範囲の温度設定をした乾燥機に12時間放置した、乾燥後の合成粉末のうち、目開き150umの篩を通過したものだけに分級した。
<アニール工程>
酸処理工程後の合成粉末をアルミナ製坩堝に充填し、大気中、昇温速度10℃/分で昇温し、400℃で3時間加熱処理した。加熱処理後、室温になるまで放置し、実施例1の蛍光体を得た。
実施例1の蛍光体は、一般式:M1M2M3M4で表され、M1はEu、M2はSr及びCa、M3はAl、M4はSi、Nは窒素、Oは酸素であり、各元素の含有量a〜f、Srの占有率(Sr/(Sr+Ca))は表1に示す値であった。具体的には、Eu0.008(Sr,Ca)0.992Al1.0Si1.03.0で表される蛍光体であって、a〜fは、0.00001≦a≦0.15、a+b=1、0.5≦c≦1.5、0.5≦d≦1.5、c+d=2、2.5≦e≦3.0、0≦f≦0.5を満たし、Sr/(Sr+Ca)は0.90であった。
この蛍光体を455nmの波長の光で励起した際の発光スペクトルの半値幅は78nmであり、ピーク波長は620nmであった。半値幅とピーク波長は、ローダミンBと副標準光源により補正を行った分光蛍光光度計(日立ハイテクノロジーズ社製、F−7000)を用いて測定した。測定には、光度計に付属の固体試料ホルダーを使用し、励起波長455nmでの蛍光スペクトルを求めた。
実施例1の蛍光体について、X線回折装置(ブルカー・エイエックスエス株式会社製D8 ADVANCE)を用い、CuKα線を用いた粉末X線回折を行った。得られたX線回折パターンは、(Sr,Ca)AlSiN結晶相と、異相として微量のAlNの回折パターンが認められた。(Sr,Ca)AlSiN結晶の各格子定数は、格子定数a=9.806Å、格子定数b=5.747Å、格子定数c=5.157Åであった。
相対輝度(%)は、蛍光スペクトルと標準視感度の積から算出した。以下に記載する他の実施例、比較例についても実施例1と全く同じ条件で測定し、実施例1を100%とする相対値として表した。相対輝度の合格値を90%以上とした。
〔実施例2〜4〕
実施例1の蛍光体と比べて、実施例2ではSrの占有率(Sr/(Sr+Ca))を変更し、実施例3及び4ではSrの占有率(Sr/(Sr+Ca))と焼成温度を変更した。
〔実施例5〜8〕
実施例1の蛍光体と比べて、実施例5ではM1〜M4元素の含有量a〜dの値を変更し、実施例6ではM1〜M4元素の含有量a〜dの値とSrの占有率(Sr/(Sr+Ca))を変更し、実施例7ではNの含有量eの値を変更し、実施例8ではM1、M2及びOの含有量a、b及びfの値を変更した。
〔比較例1〜3〕
比較例1〜3では、表1に示すように、実施例1の蛍光体と比べて、各元素の含有量a〜fの値は同じであるが、Srの占有率(Sr/(Sr+Ca))又は焼成温度を変更した。
実施例1〜8から明らかなように、元素の含有量、Srの占有率、焼成温度を変更しても、発光スペクトルの半値幅を72nm以上86nm以下に制限することにより、高輝度の赤色発光が得られた。一方、比較例1〜3の蛍光体は、半値幅が上記範囲を超えており、相対輝度が著しく低かった。また、上記半値幅は、格子定数aが9.795以上9.812以下の範囲であり、格子定数bが5.745以上5.755以下の範囲であり、かつ、格子定数cが5.150以上5.165以下の範囲である場合に達成されることが確認された。なお、表には記載していないが、格子定数aが9.795未満の場合には半値幅が上記範囲外であった。
〔実施例9〕
実施例1の蛍光体と、緑色発光の蛍光体と、青色発光の蛍光体とからなる蛍光体群と、発光素子として青色発光のLEDチップを用いて、一般的な砲弾型の白色発光装置を製造した。この発光装置は、実施例1の蛍光体の代わりに比較例1の蛍光体を用いた比較用の発光装置と比べて、高輝度であった。
この発光装置を用いることにより、高輝度のバックライト装置、画像表示装置及び信号装置を実現することができた。

Claims (5)

  1. 一般式:M1M2M3M4で表され、M1はEu及びCeから選ばれる1種以上の元素、M2はCa及びSrを必須とするMg、Ca、Sr、Ba及びZnから選ばれる2種以上の元素、M3はAl、Ga、In及びScから選ばれる1種以上の元素、M4はSiを必須とするSi、Ge、Sn、Ti、Zr及びHfから選ばれる1種以上の元素、Nは窒素、Oは酸素、a〜fは、0.00001≦a≦0.15、a+b=1、0.5≦c≦1.5、0.5≦d≦1.5、c+d=2、2.5≦e≦3.0、0≦f≦0.5であり、455nmの波長の光で励起した際の発光スペクトルの半値幅が72nm以上86nm以下である蛍光体。
  2. 結晶格子の格子定数aが9.795以上9.812以下、格子定数bが5.745以上5.755以下、格子定数cが5.150以上5.165以下である請求項1記載の蛍光体。
  3. M1がEuであり、M2がCa及びSrであり、M3がAlであり、M4がSiであり、主結晶相が(Sr,Ca)AlSiN結晶相と同一の構造であり、M2元素におけるSrの比率(Sr/(Sr+Ca))が0.85以上0.95以下である請求項1又は2に記載の蛍光体。
  4. 455nmの波長の光で励起した際の発光スペクトルがピーク波長が600nm以上635nm以下である請求項1から3のいずれか一項に記載の蛍光体。
  5. 請求項1から4のいずれか一項に記載の蛍光体と、発光素子を有する発光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6528418B2 (ja) * 2014-01-29 2019-06-12 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP6287268B2 (ja) * 2014-01-29 2018-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016204616A (ja) * 2015-04-28 2016-12-08 デンカ株式会社 赤色蛍光体及び発光装置
JP6622002B2 (ja) * 2015-04-28 2019-12-18 デンカ株式会社 赤色蛍光体及び発光装置
JP6526603B2 (ja) * 2015-06-30 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9735323B2 (en) 2015-06-30 2017-08-15 Nichia Corporation Light emitting device having a triple phosphor fluorescent member
CN105623657B (zh) 2016-01-29 2017-04-26 江苏博睿光电有限公司 一种含氮发光颗粒及其制备方法、含氮发光体和发光器件
CN105623658B (zh) * 2016-01-29 2017-04-12 江苏博睿光电有限公司 一种氮氧化物荧光粉及其制备方法、氮氧化物发光体和发光器件
JP2017179187A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 デンカ株式会社 赤色蛍光体及び発光装置
WO2018003605A1 (ja) * 2016-07-01 2018-01-04 デンカ株式会社 赤色蛍光体の製造方法
JP7428465B2 (ja) * 2017-07-20 2024-02-06 デンカ株式会社 赤色蛍光体及び発光装置
JP6940764B2 (ja) 2017-09-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2019073864A1 (ja) * 2017-10-10 2019-04-18 デンカ株式会社 赤色蛍光体及び発光装置
CN111902518A (zh) 2018-03-29 2020-11-06 电化株式会社 红色荧光体及发光装置
KR102642425B1 (ko) * 2018-05-18 2024-03-04 덴카 주식회사 적색 형광체 및 발광 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007291352A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを使用した発光装置
JP2012077288A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Chi Mei Corp 蛍光体及び発光装置
JP2012512307A (ja) * 2008-12-15 2012-05-31 インテマティックス・コーポレーション Rgb(赤−緑−青)ライティングシステムにおける窒化物系赤色発光蛍光体
JP2012178574A (ja) * 2010-10-15 2012-09-13 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置及び照明器具
WO2013056570A1 (zh) * 2011-10-17 2013-04-25 北京有色金属研究总院 一种led红色荧光物质及含有该荧光物质的发光器件
WO2013118333A1 (ja) * 2012-02-09 2013-08-15 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
JP2014227454A (ja) * 2013-05-21 2014-12-08 三菱化学株式会社 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた照明装置及び画像表示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4362625B2 (ja) * 2004-02-18 2009-11-11 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体の製造方法
JP5594924B2 (ja) * 2006-11-22 2014-09-24 三菱化学株式会社 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、照明装置、及び蛍光体の製造方法
JP5568839B2 (ja) * 2008-04-01 2014-08-13 三菱化学株式会社 蓄光性蛍光体、蛍光ランプ、蓄光性表示体、及び蓄光性成型品
WO2011095915A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor converted led
KR101717668B1 (ko) * 2010-03-26 2017-03-17 삼성전자주식회사 복합 결정 형광체, 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
JP2011225696A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Sharp Corp 赤色系発光蛍光体、その製造方法および赤色系発光蛍光体を用いた発光装置
US20140167601A1 (en) * 2012-12-19 2014-06-19 Cree, Inc. Enhanced Luminous Flux Semiconductor Light Emitting Devices Including Red Phosphors that Exhibit Good Color Rendering Properties and Related Red Phosphors

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007291352A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを使用した発光装置
JP2012512307A (ja) * 2008-12-15 2012-05-31 インテマティックス・コーポレーション Rgb(赤−緑−青)ライティングシステムにおける窒化物系赤色発光蛍光体
JP2012077288A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Chi Mei Corp 蛍光体及び発光装置
JP2012178574A (ja) * 2010-10-15 2012-09-13 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置及び照明器具
WO2013056570A1 (zh) * 2011-10-17 2013-04-25 北京有色金属研究总院 一种led红色荧光物质及含有该荧光物质的发光器件
WO2013118333A1 (ja) * 2012-02-09 2013-08-15 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
JP2014227454A (ja) * 2013-05-21 2014-12-08 三菱化学株式会社 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた照明装置及び画像表示装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HIROMU WATANABE, ET AL.: ""Crystal structure and luminescence properties of SrxCa1-xAlSiN3:Eu2+ mixed nitride phosphors"", JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, vol. Vol.475,No.1-2, JPN6014040788, 5 May 2009 (2009-05-05), pages 434 - 439, ISSN: 0004117403 *

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