JPWO2014162934A1 - 光学装置 - Google Patents

Abstract

光学装置（１０）は、第１導電膜（１１０）と第２導電膜（１３０）と、が互いに接合してなる接合構造を有している。接合構造を構成する第１導電膜（１１０）は、導電材料により構成される。接合構造を構成する第２導電膜（１３０）は、金属材料により構成される。第２導電膜（１３０）の一部は、第１導電膜（１１０）と接触している。第２導電膜（１３０）のうち第１導電膜（１１０）と接触する接触面には、複数の凹部が設けられている。接触面は、第２導電膜（１３０）のうちの第１導電膜（１１０）に接触しない非接触面よりも表面粗さが粗い。

Description

本発明は、液晶素子や有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子の光学素子を利用する光学装置に関する。

光学装置は、各種照明装置やディスプレイとして利用されている。一般的に、光学装置には、光学素子を駆動するための電気信号を送信するため、端子や配線などの異なる材料同士を接合させる接合構造が必要となる。光学素子の一例である有機ＥＬ素子は、たとえば透明電極と、これに対向して配置される他の電極と、これらの電極に狭持される有機層と、により構成される。有機ＥＬ素子に関する技術としては、たとえば特許文献１および特許文献２に記載のものが挙げられる。

特許文献１に記載の技術は、発光機能層上に形成された電極と、当該電極に対して表示信号を供給するための引き出し電極と、を溶融接合するというものである。具体的には、金属電極層からなる陰極と、金属引き出し電極層と、が接続部分においてレーザ光による局部的な加熱により溶融接合されることが記載されている。

特許文献２には、ライン状に形成された金属ラインと、当該金属ラインの上面および側面を覆うポリマーラインと、からなる電極を有する発光素子が記載されている。

特開２００３−２６４０６４号公報 特開２００６−９３１２３号公報

第１導電膜と第２導電膜と、を互いに接合させてなる接合構造においては、第１導電膜と第２導電膜との間に高い接触抵抗が生じうる。この場合、第１導電膜と第２導電膜との間の接続信頼性が低下し、光学装置の消費電力が増加するおそれがあった。

本発明が解決しようとする課題としては、互いに接合された二つの導電膜の間における接続信頼性を向上させ、光学装置の消費電力を低減することが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、導電材料により構成される第１導電膜と、金属材料により構成される第２導電膜と、が互いに接合した接合構造を有し、
前記接合構造において、
前記第２導電膜の一部は、前記第１導電膜と接触しており、
前記第２導電膜のうち前記第１導電膜と接触する接触面には、複数の凹部が設けられている光学装置である。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

第１の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ断面を示す断面図である。 図１のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。 図１に示す発光装置の一部を示す図である。 図１に示す発光装置の一部を示す図である。 第１の実施形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の一例を示す図である。 第１の実施形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の一例を示す図である。 第１の実施形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の一例を示す図である。 第２の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 図９のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。 図９のＤ−Ｄ断面を示す断面図である。 図９に示す発光装置の一部を示す図である。 第３の実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 第４の実施形態に係る光学装置の構成を示す断面図である。 光学装置の平面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る光学装置１０を示す平面図である。図２は図１のＡ−Ａ断面を示す断面図であり、図３は図１のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
また、図４および５は、図１に示す光学装置１０の一部を示す図である。図４では、とくに第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０との位置関係が示されている。図５では、とくに絶縁層１２０の構成が示されている。図６〜８は、本実施形態における第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、により構成される接合構造２００の一例を示す図である。本実施形態において、光学装置１０は、例えば照明装置やディスプレイなどの発光装置である。以下、光学装置１０を発光装置１０として説明を行う。

接合構造２００は、導電材料により構成される第１導電膜１１０と、金属材料により構成される第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる。第２導電膜１３０の一部は、第１導電膜１１０と接触している。第２導電膜１３０のうち第１導電膜１１０と接触する接触面２０６には、複数の凹部２０４が設けられている。

また、本実施形態に係る発光装置１０は、接合構造２００を有している。発光装置１０は、有機ＥＬ素子２０と、第１配線１１４と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。第１配線１１４は、第１電極１１２と電気的に接続し、かつ第１導電膜１１０により構成されている。引出配線１３４は、第１配線１１４と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。

以下、本実施形態に係る接合構造２００の構成の一例、発光装置１０の構成の一例、および発光装置１０の製造方法の一例につき、詳細に説明する。

まず、本実施形態に係る接合構造２００の構成の一例について説明する。
接合構造２００は、第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる接合構造である。本実施形態において、接合構造２００は、たとえば基板１００上に形成される。この場合、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０は、基板１００上に形成されることとなる。

接合構造２００は、たとえば有機ＥＬ素子を含む発光装置を構成する。発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する第１配線と、第１配線に電気的に接続する引出配線と、を備える。このとき、引出配線および第１配線を介して有機ＥＬ素子を構成する電極に外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
本実施形態において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、第１配線と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。

第１導電膜１１０は、実質的に導電材料を含んで構成される。第１導電膜１１０を構成する導電材料としては、たとえば透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料が挙げられる。この中でも、透明導電材料がとくに好ましい。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、第１導電膜１１０は透明性を有する導電膜となる。
本実施形態において、第１導電膜１１０は、たとえば基板１００平面に平行な一方向に延在する形状を有する。

透明導電材料は、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、または導電性高分子を含んでなる。
透明導電材料が導電性高分子を含む場合、第１導電膜１１０は塗布法を用いて形成することができる。この場合、第１導電膜１１０を形成する工程において、基板１００等の他の構成へ熱負荷がかかってしまうことを抑制することが可能となる。
また、透明導電材料として無機材料を含む場合には、第１導電膜１１０は、この無機材料を有機溶剤中に分散させた溶液を塗布することにより形成される塗布型導電膜であることが好ましい。このような場合においても、第１導電膜１１０を、塗布法を用いて形成することができる。

本実施形態において、第１導電膜１１０を構成する透明導電材料に含まれる導電性高分子は、たとえばπ共役系導電性高分子とポリアニオンを含んでなる導電性高分子である。この場合、とくに導電性や耐熱性、フレキシブル性に優れた第１導電膜１１０を形成することが可能となる。
π共役系導電性高分子としては、特に限定されないが、たとえばポリチオフェン類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、またはポリチアジル類の鎖状導電性ポリマーを用いることができる。導電性、透明性、安定性等の観点からは、ポリチオフェン類またはポリアニリン類であることが好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンであることがとくに好ましい。
ポリアニオンとしては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、またはポリアクリル酸を用いることができる。本実施形態において用いられるポリアニオンは、これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。

第１導電膜１１０を構成する透明導電材料として導電性高分子を含む場合、透明導電材料は、架橋剤、レベリング剤、または消泡剤等をさらに含んでいてもよい。

第２導電膜１３０は、金属材料を含んで構成される。ここで、第２導電膜１３０に含まれる金属材料としては、たとえば第１導電膜１１０を構成する導電材料よりも電気抵抗率が低い金属材料が使用される。この場合、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０は、互いに異なる材料により構成されることとなる。
第２導電膜１３０に含まれる金属材料としては、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄが挙げられる。第２導電膜１３０は、たとえば金属粒子が焼結されてなる焼結体である。なお、第２導電膜１３０は、たとえばスパッタリング法や蒸着法により形成されていてもよい。

本実施形態において、第１導電膜１１０は、第１導電膜１１０の一端が平面視で第２導電膜１３０の一部上に重なるように形成される。また、第１導電膜１１０は、たとえば第２導電膜１３０のうちの上面と、側面と、のそれぞれの一部を覆うように形成される。
第２導電膜１３０のうちの一部は、第１導電膜１１０と接触している。第２導電膜１３０は、たとえば第１導電膜１１０と接触する接触面２０６と、第１導電膜１１０と接触しない非接触面２０８を有する。第２導電膜１３０は、接触面２０６において第１導電膜１１０と接合されることとなる。本実施形態においては、第１導電膜１１０は、たとえば第２導電膜１３０のうちの上面と、側面と、のそれぞれの一部を覆う。この場合、第２導電膜１３０は、上面と、側面と、のそれぞれの一部において接触面２０６を有し、他の部分において非接触面２０８を有することとなる。

第２導電膜１３０のうち第１導電膜１１０と接触する接触面２０６には、複数の凹部２０４が設けられている。接触面２０６は、たとえば凹部２０４および凸部２０２が設けられた凹凸面となる。このとき、接触面２０６に設けられた凹部２０４内には、たとえば第１導電膜１１０の一部が入り込んでいる。
なお、引出配線１３４の接触面および非接触面における表面形状は、触針式段差計、ＳＥＭ、またはＡＦＭ等を用いて観察することができる。

本実施形態においては、第２導電膜１３０のうち第１導電膜１１０と接触する接触面２０６には、複数の凹部２０４が設けられている。このため、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との接触面積を増大させることができる。これにより、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間における密着強度を増加させることができる。この場合、ヒートサイクルに対する耐熱性や電気的信頼性についても向上させることもできる。このように、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性の向上を図ることが可能となる。

第２導電膜１３０のうち凹凸形状に形成された凹凸面における算術平均粗さＲａは、たとえば０．１μｍ以上である。当該凹凸面は、第２導電膜１３０のうちの第１導電膜１１０と接触する接触面２０６を含む。凹凸面におけるＲａを０．１μｍ以上とすることにより、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との密着強度を十分に増大させることが可能となる。第２導電膜１３０の厚みは、たとえば０．５μｍ以上５μｍ以下である。このとき、第２導電膜１３０のうちの上記凹凸面における算術平均粗さＲａは、第２導電膜１３０の厚みに対して１０％以上８０％以下であることが好ましい。凹凸面のＲａを第２導電膜１３０の厚みの１０％以上とすることにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における密着強度を十分に増加させることができる。また、凹凸面のＲａを第２導電膜１３０の厚みの８０％以下とすることにより、第２導電膜１３０における配線抵抗が増大することを抑制することが可能となる。

ここで、算術平均粗さＲａとは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１により規定された、基準長さにおける輪郭曲線の高さの絶対値の平均をさす。以下、本明細書において同様である。また、接触面２０６および非接触面２０８における算術平均粗さＲａは、触針式段差計、ＳＥＭ、またはＡＦＭ等を用いて計測することができる。

本実施形態において、接触面２０６は、たとえば第２導電膜１３０のうちの第１導電膜１１０に接触しない非接触面２０８よりも表面粗さが粗い。この場合、非接触面２０８における表面粗さを抑えることができる。これにより、第２導電膜１３０表面の凹凸に起因した、第２導電膜１３０における抵抗値の増大を抑えることが可能となる。なお、接触面２０６と非接触面２０８の表面粗さは、たとえば算術平均粗さＲａを用いて比較することができる。ここでは、接触面２０６における算術平均粗さをＲａ_１とし、非接触面２０８における算術平均粗さをＲａ_２とする。このとき、Ｒａ_１は、たとえばＲａ_２よりも大きい。これにより、第２導電膜１３０の抵抗値の増大を抑えつつ、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との密着強度を顕著に向上させることが可能となる。
なお、ここでは、たとえば接触面２０６と非接触面２０８との境界から、接触面２０６側へ１００μｍの走査範囲における算術平均粗さをＲａ_１とし、非接触面２０８側へ１００μｍの走査範囲における算術平均粗さをＲａ_２として求めることができる。
また、接触面２０６の表面粗さは、非接触面２０８の表面粗さと等しくてもよい。また、非接触面２０８の表面粗さが、接触面２０６より粗くてもよい。

第２導電膜１３０は、第１導電膜１１０と重なる部分において、内部に空隙２１０が形成された多孔質構造を有していてもよい。この場合、第２導電膜１３０に対し熱応力が生じた後の残留応力を、空隙２１０の形状が変形することにより吸収することができる。このため、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との界面において残留応力に起因した剥離が発生してしまうことを抑制することができる。
第２導電膜１３０の内部には、たとえば複数の空隙２１０が設けられる。また、第２導電膜１３０は、たとえば全域において多孔質構造を有するポーラス膜である。なお、第２導電膜１３０は、平面視で第１導電膜１１０と重なる部分のみが多孔質構造となるように形成されていてもよい。

本実施形態において、接触面２０６に設けられた複数の凹部２０４のうち少なくとも一部の断面形状は、たとえば凹部２０４の開口端から底部までの間の少なくとも一部が、当該開口端の断面幅よりも大きい断面幅を有する形状である。この場合、凹部２０４内における第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との接触面積を増大させることができる。このため、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間の密着強度を増加させることができる。また、凹部２０４内に入り込んだ第１導電膜１１０の一部が、凹部２０４外へ抜けてしまうことが抑制される。このため、第１導電膜１１０が、第２導電膜１３０から剥離してしまうことを抑制することもできる。
なお、凹部２０４の断面形状は、ＳＥＭ等を用いて観察することができる。

図６では、第２導電膜１３０のうちの第１導電膜１１０と接触する接触面２０６に加えて、第２導電膜１３０のうちの第１導電膜１１０と接触しない非接触面２０８においても、凹部２０４が形成される例が示されている。ここでは、たとえば非接触面２０８のうちの接触面２０６に連続した一部に、複数の凹部２０４が設けられる。この場合、接触面２０６と、非接触面２０８のうちの接触面２０６に連続した一部と、が凹凸形状に形成される。
図６に示す例においては、第２導電膜１３０の表面のうち少なくとも下面以外が、凹凸形状に形成されている。この場合、たとえば第２導電膜１３０のうち、上面および側面それぞれの全域において凹凸が設けられることとなる。なお、第２導電膜１３０の下面は、平坦であってもよく、凹凸形状に形成されていてもよい。

図７においても、第２導電膜１３０のうち接触面２０６および非接触面２０８において、凹部２０４が形成されている例が示されている。ここでは、第２導電膜１３０のうちの第１導電膜１１０と重なる部分において、内部に空隙２１０が形成されている例が示される。
図７に示す例において、第２導電膜１３０は、第２導電膜１３０の全域に亘って複数の空隙２１０が設けられた多孔質構造を有するポーラス膜である。また、第２導電膜１３０の表面のうち下面以外は、凹凸形状に形成される。なお、第２導電膜１３０の下面は、平坦であってもよく、凹凸形状に形成されていてもよい。

図８では、第２導電膜１３０のうちの第１導電膜１１０と接触しない非接触面２０８において、凹部２０４が形成されていない例が示されている。この場合、接触面２０６のみが、凹凸形状に形成されることとなる。また、非接触面２０８は、平坦面となる。
図８に示す例においては、第２導電膜１３０のうちの上面と、側面と、のそれぞれの一部が、凹凸形状に形成されている。このとき、たとえば第２導電膜１３０の上面のうち、第１導電膜１１０に対向する側面に連続する一部が、凹凸形状に形成される。

本実施形態においては、たとえば次のようにして第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成される。
まず、基板１００上に第２導電膜１３０を形成する。第２導電膜１３０は、たとえば塗布法、スパッタリング法または蒸着法を用いて形成される。当該工程において使用される塗布法としては、特に限定されないが、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷法、スプレー塗布法、またはディスペンサー塗布法が挙げられる。

塗布法により第２導電膜１３０を形成する場合、第２導電膜１３０は、たとえば金属粒子を含有した塗布液を基板１００上に塗布して形成された塗布膜を乾燥することにより形成される。塗布液としては、たとえばバインダ樹脂および有機溶剤を含むものが使用される。バインダ樹脂としては、たとえばセルロース系樹脂、エポキシ系樹脂、またはアクリル系樹脂を用いることができる。有機溶剤としては、たとえば炭化水素系溶剤、またはアルコール系溶剤を用いることができる。また、塗布液中に含有される金属粒子は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、ＣｕまたはＰｄである。
なお、塗布法により第２導電膜１３０を形成する場合には、金属粒子を含有した塗布液を基板１００上へ塗布して塗布膜を形成した後、この塗布膜に対し熱処理を施すことにより塗布膜中の金属粒子を焼結させることが好ましい。

次に、第２導電膜１３０表面に対し粗面化処理を施す。本実施形態において、粗面化処理は、第２導電膜１３０のうちの少なくとも接触面２０６となる部分に対し施される。これにより、第２導電膜１３０のうち接触面２０６となる部分に、複数の凹部２０４が形成される。

本実施形態においては、たとえば第２導電膜１３０表面に対し、エッチング処理を施すことにより上記粗面化処理が行われる。エッチング処理は、たとえば過酸化水素−硫酸系のエッチング液を使用して、第２導電膜１３０表面に対し１０秒から１０分間スプレー噴霧することにより行われる。また、たとえばＩＪＰ（Ｉｎｋｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｅｒ）等の印刷法や真空蒸着法等を用いて第２導電膜１３０表面に突起物を形成し、第２導電膜１３０表面を粗面化することにより、上記粗面化処理を行ってもよい。
このとき、エッチング処理時におけるエッチャントやエッチング時間等の処理条件や、第２導電膜１３０表面に形成される突起物を構成する材料を適切に選択することにより凹部２０４の断面形状や表面粗さを制御することができる。このため、第２導電膜１３０の接触面２０６となる部分に設けられた複数の凹部２０４のうち少なくとも一部の断面形状を、凹部２０４の開口端から底部までの間の少なくとも一部が当該開口端の断面幅よりも大きい断面幅を有する形状とすることができる。また、接触面２０６と非接触面２０８の表面粗さを、それぞれ制御することもできる。

なお、塗布法により第２導電膜１３０が形成される場合、第２導電膜１３０表面形状は、乾燥工程において溶剤が蒸発する過程において変形するものであると推察される。このため、塗布液中における有機溶剤やバインダ樹脂、塗布液中における固形分含有量、温度や時間等の乾燥条件等をそれぞれ適切に選択することにより、第２導電膜１３０表面に所望の断面形状を有する凹部２０４を形成することができる。また、塗布液中における金属粒子の粒径や、塗布液中に含まれる有機溶剤やバインダ樹脂、焼結温度等をそれぞれ適切に選択することにより、形成される第２導電膜１３０をポーラス配線とすることもできる。
このため、塗布法により第２導電膜１３０が形成される場合には、上述の第２導電膜１３０表面に対する粗面化処理は行われなくともよい。

次に、基板１００上に、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。第１導電膜１１０は、たとえば第２導電膜１３０の一部を覆うように形成される。ここでは、第２導電膜１３０のうち凹部２０４が形成されている部分に接触するように、第１導電膜１１０が形成されることとなる。透明導電材料含有塗布液は、特に限定されないが、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、ダイコート、スピンコート、またはスプレーを用いて基板１００上に塗布される。第１導電膜１１０を形成する当該工程において用いられる透明導電材料含有塗布液は、たとえば上述した透明導電材料に加え、有機溶剤や水等を含む。有機溶剤としては、たとえばアルコール系溶剤を用いることができる。なお、第１導電膜１１０は、銀等のペースト状の導電材料を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成されてもよい。

次に、発光装置１０の構成の一例について説明する。
図１においては、発光装置１０がディスプレイである場合が例示される。
なお、発光装置１０は、照明装置であってもよい。発光装置１０が照明装置である場合、発光装置１０は、たとえば互いに発光色が異なるライン状の有機層１４０を複数繰り返し並べた構成を有する。これにより、演色性に優れた照明装置が実現される。また、照明装置である発光装置１０は、面状の有機層１４０を有していてもよい。

基板１００は、たとえば透明基板である。本実施形態において、基板１００は、ガラス基板とすることができる。これにより、耐熱性等に優れた発光装置１０を安価に製造することが可能となる。

基板１００は、樹脂材料により構成されるフィルム状の基板であってもよい。この場合、特にフレキシブル性の高いディスプレイを実現することが可能となる。フィルム状の基板を構成する樹脂材料としては、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびポリカーボネートが挙げられる。また、基板１００は、ガラスと樹脂材料を組み合わせたものでもよい。本実施形態によれば、光学装置（発光装置１０）が可撓性を有していても、第１導電膜１１０及び第２導電膜１３０により構成される接合構造２００における接続信頼性は高いため、消費電力低減の効果は高い。

ディスプレイである発光装置１０は、たとえばアレイ状に配列された複数の有機ＥＬ素子２０を基板１００上に有する。有機ＥＬ素子２０は、基板１００上に設けられた第１電極１１２と、第１電極１１２上に設けられた有機層１４０と、有機層１４０上に設けられた第２電極１５２と、を有している。このとき、有機層１４０は、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置されることとなる。

本実施形態では、たとえば図中Ｙ方向に延びる複数の第１電極１１２と、図中Ｘ方向に延びる複数の第２電極１５２と、が基板１００上に設けられる。そして、第１電極１１２と第２電極１５２が平面視で互いに重なる各部分において、有機ＥＬ素子２０が形成される。これにより、基板１００上には、アレイ状に配列された複数の有機ＥＬ素子２０が形成されることとなる。

第１電極１１２は、たとえば有機ＥＬ素子の陽極となる。この場合、第１電極１１２は、たとえば後述する有機層１４０のうちの発光層１４４から発光される光の波長に対して透明または半透明である透明電極となる。また、第１電極１１２は、たとえば基板１００上であって、かつ画素領域３００内において、図中Ｙ方向に直線状に延在するように設けられる。また、基板１００上には、たとえば互いに離間する複数の第１電極１１２が、第１電極１１２の延在方向と垂直な方向（図中Ｘ方向）に配列される。このとき、複数の第１電極１１２は、たとえば互いに離間する。なお、画素領域３００は、複数の有機ＥＬ素子２０を含む領域である。図４に示す例では、一点鎖線により囲まれた領域が画素領域３００に該当する。

本実施形態において、第１電極１１２は、たとえば透明導電材料により構成される。第１電極１１２を構成する透明導電材料としては、たとえば第１導電膜１１０を構成する透明導電材料と同様のものを用いることができる。このため、第１電極１１２は透明性を有することができる。

基板１００上には、たとえば第１配線１１４が設けられている。本実施形態では、第１配線１１４が、第１電極１１２と電気的に接続する場合が例示される。このとき、基板１００上には、それぞれ異なる第１電極１１２へ接続する複数の第１配線１１４が設けられる。このため、本実施形態における複数の第１電極１１２は、それぞれ第１配線１１４を介して引出配線１３４へ接続されることとなる。

本実施形態において、第１配線１１４は、導電材料により構成される第１導電膜１１０により構成される。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４は透明性を有することができる。

本実施形態において、第１電極１１２および第１配線１１４は、たとえば基板１００上に一体として設けられる。この場合、第１配線１１４および第１電極１１２は、たとえば第１導電膜１１０により構成されることとなる。このとき、第１導電膜１１０のうち、複数の有機ＥＬ素子２０を含む画素領域３００内に位置する部分が、第１電極１１２となる。また、第１導電膜１１０のうち、画素領域３００外に位置する部分が、第１配線１１４となる。第１電極１１２は、第１配線１１４を介して引出配線１３４に接続する。
図４に示す例において、基板１００上には、図中Ｙ方向に延在する第１導電膜１１０が複数設けられている。これら複数の第１導電膜１１０は、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列されている。そして、第１導電膜１１０のうち、一点鎖線で示される画素領域３００よりも引出配線１３４と接続する端部側に位置する部分が、第１配線１１４となる。

基板１００上には、引出配線１３４が設けられている。
本実施形態では、引出配線１３４が第１配線１１４に接続する場合が例示される。基板１００上には、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列された複数の引出配線１３４が設けられている。各引出配線１３４は、それぞれ第１配線１１４に接続される。このため、複数の第１配線１１４は、それぞれ引出配線１３４を介して外部へ接続されることとなる。有機ＥＬ素子２０には、第１配線１１４および引出配線１３４を介して発光／非発光の信号が供給される。

本実施形態において、引出配線１３４は、金属材料により構成される第２導電膜１３０により構成される。このため、引出配線１３４が第１配線１１４に接続される場合、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、が互いに接合して接合構造２００が形成されることとなる。図４に示す例では、破線により囲まれた部分において接合構造２００が形成される。

第１配線１１４は、一の端部において引出配線１３４と接続している。このとき、第１配線１１４は、たとえば上記一の端部において引出配線１３４と接合し、接合構造２００を形成することとなる。第１配線１１４は、引出配線１３４からみて第１方向に延びている。なお、本実施形態において第１方向とは、たとえば図中Ｙ方向をさす。

本実施形態において、第１配線１１４の一端が引出配線１３４の一部上に重なるように第１配線１１４が形成される。また、第１配線１１４は、たとえば引出配線１３４のうちの上面と、側面と、のそれぞれの一部を覆うように形成される。
図４では、引出配線１３４のうち画素領域３００側に位置する端部のみが、平面視で第１配線１１４と重なる場合が例示される。この場合、引出配線１３４のうち画素領域３００側に位置する端部は第１配線１１４により覆われ、他の部分は第１配線１１４により覆われずに露出することとなる。本実施形態においては、引出配線１３４は、たとえば上面の一部、画素領域３００に面する端面、および当該端面に隣接する二つの側面の一部において第１配線１１４により覆われる。

引出配線１３４のうちの一部は、第１配線１１４と接触している。このため、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４は、たとえば第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と接触する接触面２０６と、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と接触しない非接触面２０８と、を有する。本実施形態においては、第１配線１１４は、たとえば引出配線１３４のうちの上面と、側面と、のそれぞれの一部を覆う。この場合、引出配線１３４は、上面と、側面と、のそれぞれの一部において接触面２０６を有し、他の部分において非接触面２０８を有することとなる。

第１配線１１４は、第１導電膜１１０により構成される。引出配線１３４は、第２導電膜１３０により構成される。このため、引出配線１３４のうち第１配線１１４と接触する接触面２０６には、複数の凹部２０４が設けられることとなる。
本実施形態においては、引出配線１３４は、上面と、側面と、のそれぞれの一部において接触面２０６を有する。このため、引出配線１３４のうちの上面と、側面と、のそれぞれの一部において複数の凹部２０４が設けられる。このとき、引出配線１３４の上面および側面それぞれの全域に、凹部２０４が設けられていてもよい。

基板１００上には、たとえば第１電極１１２を覆うように絶縁層１２０が設けられている。本実施形態においては、たとえば第１電極１１２と、第１配線１１４および後述する引出配線１６４それぞれの一部と、を覆うように絶縁層１２０が設けられる。
絶縁層１２０は、ポリイミド系樹脂等の感光性の樹脂であり、露光および現像されることによって所望のパターンに形成される。絶縁層１２０は、ポリイミド系樹脂以外の樹脂材料により構成されてもよく、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であってもよい。

絶縁層１２０には、たとえば複数の第１開口１２２が設けられている。図５に示すように、第１開口１２２は、たとえばマトリクスを構成するように形成される。
本実施形態においては、複数の第１開口１２２は、第１電極１１２上に位置するように形成される。図中Ｙ方向に延在する各第１電極１１２の上には、たとえば複数の第１開口１２２が所定の間隔を空けて図中Ｙ方向に配列される。また、これらの複数の第１開口１２２は、たとえば第１電極１１２と直交する方向（図中Ｘ方向）に延在する第２電極１５２と重なる位置に設けられる。このため、複数の第１開口１２２は、マトリクスを構成するように配置されることとなる。

絶縁層１２０には、たとえば複数の第２開口１２４が設けられている。
図５に示すように、第２開口１２４は、たとえば引出配線１６４上に位置するように設けられる。複数の第２開口１２４は、第１開口１２２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。この一辺に沿う方向（たとえば図中Ｙ方向）でみた場合、第２開口１２４は、第１開口１２２と同じ間隔で配置されている。

絶縁層１２０上には、たとえば隔壁１７０が設けられている。
図１に示すように、隔壁１７０は、図中Ｘ方向に延在するように設けられる。すなわち、隔壁１７０は、第２電極１５２の延在方向に沿って形成されることとなる。また、隔壁１７０は、図中Ｙ方向に配列されるよう複数設けられる。
隔壁１７０は、たとえばポリイミド系樹脂等の感光性の樹脂であり、露光および現像されることによって所望のパターンに形成される。なお、隔壁１７０は、ポリイミド系樹脂以外の樹脂材料により構成されてもよく、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であってもよい。

隔壁１７０は、たとえば断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）を有している。すなわち、隔壁１７０の上面の幅は、たとえば隔壁１７０の底面の幅よりも大きい。この場合、複数の第２電極１５２をスパッタリング法や蒸着法等により一括して形成する場合であっても、隣接する隔壁１７０間にそれぞれ位置する複数の第２電極１５２を互いに分断させることが可能となる。したがって、第２電極１５２を容易に形成することができる。
なお、隔壁１７０の平面形状は、図１に示すものに限られない。このため、隔壁１７０の平面形状を変更することにより、隔壁１７０により互いに分断される複数の第２電極１５２の平面パターンを自由に変更することが可能となる。

図２に示すように、第１開口１２２の中には、たとえば有機層１４０が形成されている。
本実施形態において、有機層１４０は、たとえば正孔注入層１４２、発光層１４４および電子注入層１４６を順に積層した積層体により構成される。このとき、正孔注入層１４２は第１電極１１２に接し、電子注入層１４６は第２電極１５２に接する。このため、有機層１４０は、第１電極１１２と第２電極１５２との間に狭持されることとなる。
なお、正孔注入層１４２と発光層１４４の間には正孔輸送層が形成されてもよいし、発光層１４４と電子注入層１４６の間には電子輸送層が形成されてもよい。また、有機層１４０は、正孔注入層１４２を有していなくともよい。

本実施形態において、絶縁層１２０上には、たとえば隔壁１７０が設けられている。この場合、図２に示すように、隣接する隔壁１７０間に挟まれる複数の領域それぞれに設けられた有機層１４０は、図中Ｙ方向において互いに分断される。なお、隔壁１７０上には、たとえば有機層１４０と同一材料からなる積層膜が形成される。
一方で、図３に示すように、有機層１４０を構成する各層は、隔壁１７０が延在する図中Ｘ方向において、隣り合う第１開口１２２の間において連続するように設けられる。

有機層１４０上には、第２電極１５２が設けられている。これにより、有機層１４０の少なくとも一部は、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置されることとなる。
本実施形態において、第２電極１５２は、たとえば有機ＥＬ素子の陰極となる。第２電極１５２は、たとえば図中Ｘ方向に直線状に延在するように設けられる。また、基板１００上には、たとえば互いに離間する複数の第２電極１５２が、第２電極１５２の延在方向と垂直な方向（図中Ｙ方向）に配列される。

第２電極１５２は、たとえば錫、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、もしくは銀、またはこれらの合金等の金属材料により構成される。これらの材料は、一種を単独で用いてもよく、二種以上の任意の組み合わせを用いてもよい。なお、第２電極１５２が陰極である場合、第２電極１５２は、陽極である第１電極１１２よりも仕事関数が小さい導電性材料により構成されることが好ましい。

基板１００上には、第２配線１５４が設けられている。
第２配線１５４は、第１電極１１２または第２電極１５２のうち第１配線１１４と接続していない一方に接続している。これにより、第１電極１１２および第２電極１５２のうち第２配線１５４と接続されるいずれか一方は、第２配線１５４を介して外部へ接続されることとなる。
本実施形態においては、第２配線１５４が有機層１４０上に設けられ、第２電極１５２に接続される場合が例示される。このとき、有機層１４０上には、それぞれ異なる第２電極１５２へ接続する複数の第２配線１５４が設けられる。このため、本実施形態における複数の第２電極１５２は、それぞれ第２配線１５４を介して外部へ接続されることとなる。なお、第２配線１５４は、たとえば一部が第２開口１２４内に埋め込まれ、当該一部において後述する引出配線１６４に接続される。

第２配線１５４は、たとえば金属材料により構成される。第２配線１５４を構成する金属材料としては、たとえば第２電極１５２と同様のものを用いることができる。

本実施形態において、第２電極１５２および第２配線１５４は、たとえば有機層１４０上に一体として設けられ、導電膜１５０を構成する。この場合、導電膜１５０のうち、複数の有機ＥＬ素子２０を含む画素領域３００内に位置する部分が、第２電極１５２となる。また、導電膜１５０のうち、画素領域３００外に位置する部分が、第２配線１５４となる。第２電極１５２は、たとえば第２配線１５４を介して引出配線１６４に接続する。なお、図１に示す例では、一点鎖線で囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
図１に示す例において、有機層１４０上には、図中Ｘ方向に延在する導電膜１５０が複数設けられている。また、これらの複数の導電膜１５０は、互いに離間するよう図中Ｙ方向に配列されている。そして、導電膜１５０のうち、画素領域３００よりも引出配線１６４と接続する端部側に位置する部分が、第２配線１５４となる。

複数の導電膜１５０は、たとえばスパッタリング法または蒸着法等を用いて有機層１４０上に一括で形成される。このような場合であっても、本実施形態においては絶縁層１２０上に隔壁１７０が形成されているため、隣接する隔壁１７０間に挟まれる複数の領域それぞれに設けられた導電膜１５０は図中Ｙ方向において互いに分断されることとなる。
これにより、互いに離間するよう図中Ｙ方向に配列され、かつ図中Ｘ方向に延在する複数の導電膜１５０を形成することが可能となる。このとき、隔壁１７０上には、導電膜１５０と同一材料からなる膜が形成されることとなる。

基板１００上には、たとえば引出配線１６４が設けられている。第２配線１５４は、引出配線１６４を介して外部に接続する。このため、第２電極１５２は、第２配線１５４および引出配線１６４を介して外部に接続され、信号が供給されることとなる。

引出配線１６４は、たとえば金属材料により構成される。引出配線１６４を構成する金属材料としては、たとえば引出配線１３４と同様のものを用いることができる。この場合、引出配線１６４は、引出配線１３４と同時に形成することが可能となる。このため、発光装置１０の製造工程数が増大することを抑制することができる。一般的に、引出配線（１３４、１６４）の端部は発光装置１０の端子部を形成することになる。この端子部が外部回路と電気的に接続する。この端子部と外部との接続では、ＡＣＦ（異方性導電膜）やボンディングワイヤを利用する。特に、ボンディングワイヤを利用した光学装置（発光装置１０）では、光学装置を長方形の装置形状だけではなく、異形や円形などの装置形状のものにおいても、第１導電膜１１０及び第２導電膜１３０により構成される接合構造２００における接続信頼性は高いため、消費電力低減の効果は高い。

次に、発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
まず、基板１００上に引出配線１３４を形成する。引出配線１３４は、たとえば塗布法、スパッタリング法または蒸着法を用いて基板１００上に形成される。なお、本実施形態において、引出配線１３４は、第２導電膜１３０により構成される。このため、引出配線１３４は、たとえば上述した第２導電膜１３０を形成する方法および第２導電膜１３０を構成する材料を用いて形成される。また、引出配線１３４表面には、上述した第２導電膜１３０表面に対する粗面化処理と同様に、粗面化処理が施されてもよい。

また、本実施形態においては、たとえば引出配線１３４を形成する工程と同時に、基板１００上に引出配線１６４が形成される。この場合、引出配線１６４は、たとえば引出配線１３４と同様の方法および材料により形成される。

次に、基板１００上に、第１配線１１４を形成する。第１配線１１４は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。なお、本実施形態において、第１配線１１４は、第１導電膜１１０である。このため、第１配線１１４は、たとえば上述した第１導電膜１１０を形成する方法および第１導電膜１１０を構成する材料を用いて形成される。
第１配線１１４を形成する上記工程においては、たとえば第１配線１１４とともに、第１配線１１４に接続する第１電極１１２が形成される。この場合、第１電極１１２は、たとえば第１配線１１４と一体として第１導電膜１１０により形成される。

次に、第１配線１１４に対し熱処理を施す。これにより、第１配線１１４を乾燥させる。透明導電材料が導電性高分子を含む場合には、第１配線１１４を乾燥させることにより導電性高分子の凝集力が高まり、第１配線１１４を強固な膜とすることができる。また、第１配線１１４に対し熱処理を施すことにより、第１配線１１４の硬化が行われる。また、第１配線１１４を構成する透明導電材料が感光性材料を含む場合には、ＵＶ照射により第１配線１１４を硬化してもよい。
この段階において得られる構造が、図４に示されるものである。

次に、基板１００上、第１電極１１２上、第１配線１１４上および引出配線１６４上に絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０は、ドライエッチングまたはウェットエッチング等を用いて所定の形状にパターニングされる。これにより、絶縁層１２０に、複数の第１開口１２２および複数の第２開口１２４が形成される。このとき、複数の第１開口１２２は、たとえば各第１開口１２２から第１電極１１２の一部が露出するように形成される。

次に、絶縁層１２０上に隔壁１７０を形成する。隔壁１７０は、絶縁層１２０上に設けられた絶縁膜をドライエッチングまたはウェットエッチング等を用いて所定の形状にパターニングすることにより得られる。隔壁１７０が感光性樹脂により形成される場合、露光および現像時の条件を調節することにより、隔壁１７０の断面形状を逆台形にすることができる。この段階において得られる構造が、図５に示されるものである。

次に、第１開口１２２内に、正孔注入層１４２、発光層１４４および電子注入層１４６を順に形成する。これらは、たとえば塗布法または蒸着法を用いて形成される。
これにより、有機層１４０が形成される。

次に、有機層１４０上に、第２電極１５２および第２配線１５４を構成する導電膜１５０を形成する。このとき、たとえば導電膜１５０の一部が第２開口１２４内に位置するように、導電膜１５０が形成される。導電膜１５０は、たとえば蒸着法またはスパッタリング法を用いて形成される。
これにより、第１電極１１２と、第２電極１５２と、これらに狭持された有機層１４０と、により構成される有機ＥＬ素子２０が、基板１００上に形成されることとなる。
本実施形態においては、たとえばこのようにして発光装置１０が形成される。

以上、本実施形態によれば、第２導電膜１３０のうち第１導電膜１１０と接触する接触面２０６には、複数の凹部２０４が設けられている。このため、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との接触面積を増大させることができる。これにより、第２導電膜１３０と第１導電膜１１０との間における密着強度を増加させることができる。したがって、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性の向上を図ることができる。
また、有機ＥＬ素子２０を構成する第１電極１１２に接続され、かつ第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１０を実現することができる。これにより、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。また、発光装置１０の動作信頼性を向上させることも可能となる。

（第２の実施形態）
図９は、第２の実施形態に係る発光装置１２を示す平面図であり、第１の実施形態に係る図１に対応している。図１０は図９のＣ−Ｃ断面を示す断面図であり、図１１は図９のＤ−Ｄ断面を示す断面図である。図１２は、図９に示す発光装置１２の一部を示す図である。図１２では、とくに第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との位置関係が示されている。

本実施形態において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極を構成する。接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極と電気的に接続する引出配線を構成する。この場合、有機ＥＬ素子を構成する電極と、引出配線と、の間において、接合構造２００が形成される。この場合、引出配線のうちの、有機ＥＬ素子を構成する電極と接触する接触面には、複数の凹部２０４が形成されることとなる。

本実施形態に係る発光装置１２は、第１電極１１２、および引出配線１３４の構成を除いて第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構成を有する。
発光装置１２は、接合構造２００を有している。発光装置１２は、有機ＥＬ素子２０と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。引出配線１３４は、第１電極１１２と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。

以下、発光装置１２の構成の一例について説明する。

本実施形態において、第１電極１１２は、たとえば基板１００上であって、画素領域３００内にマトリクス状に配置される。マトリクス状に配置された複数の第１電極１１２は、互いに離間する。なお、画素領域３００は、複数の有機ＥＬ素子２０を含む領域である。図９に示す例では、一点鎖線により囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
第１電極１１２は、導電材料により構成される第１導電膜１１０により構成される。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２は透明性を有することができる。

本実施形態に係る発光装置１２においては、第１の実施形態に係る発光装置１０を構成する第１配線１１４が設けられていない。

本実施形態では、引出配線１３４が第１電極１１２に接続される場合が例示される。引出配線１３４は、図中Ｙ方向に延在している。また、基板１００上には、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列された複数の引出配線１３４が設けられている。各引出配線１３４は、それぞれＹ方向に配列された複数の第１電極１１２に接続される。このため、複数の第１電極１１２は、それぞれ引出配線１３４を介して外部へ接続されることとなる。有機ＥＬ素子２０には、引出配線１３４を介して発光／非発光の信号が供給される。
本実施形態において、引出配線１３４は、金属材料により構成される第２導電膜１３０により構成される。このため、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、が互いに接合して接合構造２００が形成されることとなる。図１２に示す例では、破線により囲まれた部分において接合構造２００が形成される。

第１電極１１２は、一の端部において引出配線１３４と接続している。このとき、第１電極１１２は、たとえば上記一の端部において引出配線１３４と接合し、接合構造２００を形成することとなる。図１１に示すように、引出配線１３４のうち第１電極１１２と接合する部分は、たとえば平面視で有機ＥＬ素子２０を形成する領域内に位置する。
第１電極１１２は、引出配線１３４からみて第２方向に延びている。なお、本実施形態において第２方向とは、たとえば図中Ｘ方向をさす。第１電極１１２の形状は、特に限定されず有機ＥＬ素子２０の設計に併せて適宜選択可能であるが、たとえば矩形である。

引出配線１３４は、少なくとも一部が第１電極１１２と重なるように設けられている。
図１２に示す例においては、第１電極１１２の一端が引出配線１３４の一部上に重なるように第１電極１１２が形成される。この場合、第１電極１１２は、たとえば引出配線１３４のうちの、上面と、側面と、のそれぞれの一部を覆うように形成されることとなる。このとき、引出配線１３４は、上面と側面それぞれの一部において、第１電極１１２と接触する接触面２０６を有する。接触面２０６には、複数の凹部２０４が形成される。

絶縁層１２０は、たとえば引出配線１３４を覆うように形成される。本実施形態においては、たとえば引出配線１３４と引出配線１６４のそれぞれの一部を覆うように絶縁層１２０が設けられる。また、図１２に示すように、絶縁層１２０には、複数の第１開口１２２が、たとえばマトリクスを構成するように形成される。
本実施形態においては、第１電極１１２は、第１開口１２２内に形成される。これにより、基板１００上にマトリクス状に配置された複数の第１電極１１２が形成される。また、図１０および１１に示すように、複数の第１電極１１２は、絶縁層１２０によって互いに離間されることとなる。第１開口１２２は、たとえば引出配線１３４の一部と平面視で重なるように形成される。この場合、引出配線１３４のうちの第１開口１２２と平面視で重なる一部が、第１開口１２２に形成された第１電極１１２と接続することとなる。
絶縁層１２０は、たとえば第１の実施形態と同様の材料により構成される。

本実施形態における隔壁１７０、有機層１４０、第２電極１５２、第２配線１５４、および引出配線１６４は、たとえば第１の実施形態と同様の構成を有する。

以上、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態によれば、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１０を実現することができる。これにより、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。また、発光装置１２の動作信頼性を向上させることも可能となる。

（第３の実施形態）
図１３は、第３の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。本実施形態において、発光装置１０は例えば照明装置などの光源として使用される。このため、発光装置１０は、第１電極１１２に接続する端子（引出配線１３４の端部）及び第２電極１５２に接続する端子（引出配線１６６の端部）を、一つずつ有している。そして、発光装置１０が有する有機ＥＬ素子２０は一つの場合もあれば、複数の場合もある。後者の場合、複数の有機ＥＬ素子２０は、同時に電流が流されるため、同時に制御される。なお、いずれの場合においても、絶縁層１２０（本図においては図示せず）は、有機ＥＬ素子２０を囲むことにより、有機ＥＬ素子２０となる領域を画定している。

引出配線１３４と第１配線１１４との接続部は、第１の実施形態に示した接合構造２００となっている。また、引出配線１６６は引出配線１３４と同様の構成を有している。引出配線１３４，１６６は、複数の導電層を積層した構成を有している。この場合、引出配線１３４，１６６は、例えば、Ｍｏ又はＭｏ合金で形成された第１層、Ａｌ又はＡｌ合金で形成された第２層、及びＭｏ又はＭｏ合金で形成された第３層を、この順に積層した構成を有している。

次に、本実施形態に係る発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００に、引出配線１３４，１６６を形成する。引出配線１３４，１６６は、スパッタリング法または蒸着法を用いて形成される。次いで、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０の形成方法は、第１の実施形態と同様である。このとき、接合構造２００も形成される。次いで、絶縁層１２０、有機層１４０、及び導電膜１５０を形成する。

なお、導電膜１５０は、第１の実施形態と同様の方法で形成されていても良いし、第１導電膜１１０と同様の方法によって形成されていても良い。後者の場合、導電膜１５０と引出配線１６６との接続部も、接合構造２００となる。この場合、導電膜１５０が第１導電膜に相当し、引出配線１６６が第２導電膜に相当する。

本実施形態によっても、引出配線１３４と第１配線１１４の間には接合構造２００が形成されているため、これらの間の接続信頼性は向上する。また、導電膜１５０を第１導電膜１１０と同様の方法で形成した場合、導電膜１５０と引出配線１６６との接続部も接合構造２００となるため、これらの間の接続信頼性も向上する。

（第４の実施形態）
図１４は、第４の実施形態に係る光学装置１１の構成を示す断面図である。本実施形態に係る光学装置１１は液晶装置であり、基板４０２と基板４０４の間に液晶材料４２０を挟んだ構成を有している。

詳細には、基板４０２のうち基板４０４に対向する面には第１電極４１２が形成されており、基板４０４のうち基板４０２に対向する面には第２電極４１４が形成されている。第１電極４１２及び第２電極４１４は、何れも透明導電材料によって形成されている。そして、基板４０２と基板４０４の間には、液晶材料４２０が充填される空間を取り囲むように、シール部材４０６が設けられている。言い換えると、基板４０２と基板４０４はシール部材４０６によって互いに固定されている。そして、基板４０２，４０４、及びシール部材４０６によって囲まれた空間内に、液晶材料４２０が充填されている。

図１５は、光学装置１１の平面図である。図１５において、説明のため基板４０４及び第２電極４１４の図示を省略している。

図１５に示すように、基板４０２の上には複数の第１電極４１２が互いに平行に延在している。複数の第１電極４１２の端部は、いずれもシール部材４０６の外側に位置しており、互いに異なる端子４３２に接続している。第１電極４１２と端子４３２の接続部は、接合構造２００となっている。

なお、基板４０４には、複数の第２電極４１４が第１電極４１２と交わる方向（例えば直交する方向）に延在している。そして基板４０４には、第２電極４１４に接続する端子が形成されている。この端子と第２電極４１４との接続部も、接合構造２００となっている。

本実施形態によっても、第１電極４１２と端子４３２の間、及び第２電極４１４とこれに接続する端子の間には接合構造２００が形成されているため、これらの間の接続信頼性は向上する。

以下、本実施形態を、実施例を参照して詳細に説明する。なお、本実施形態は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

（実施例１）
まず、ガラス基板上に、銀粒子含有インキをインクジェット法によりライン状に塗布し、これを１５０℃、１０分の条件下で乾燥して第２導電膜を形成した。ここでは、バインダ成分であるアクリル樹脂と、有機溶剤と、バインダ成分１００重量部に対して７０重量部であり、かつ平均粒径１００μｍである銀粒子と、を含む銀粒子含有インキを使用した。次いで、４００℃、１０〜３０分の条件で第２導電膜に対し熱処理を施し、第２導電膜を焼結した。次いで、透明導電材料含有塗布液をライン状に塗布し、乾燥させて、第１導電膜を形成した。このとき、第１導電膜が第２導電膜のうちの粗面化された一部を覆うように透明導電材料含有塗布液を塗布した。また、透明導電材料含有塗布液としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ、ＣＬＥＶＩＯＳ ＰＨ５１０（Ｈｅｒａｅｕｓ社製））を溶剤中へ分散して得られる溶液を使用した。次いで、１２０℃、２分の条件で、第１導電膜に対し熱処理を施し、第１導電膜を乾燥させた。これにより、第１導電膜と第２導電膜と、からなる構造体を作製した。
このようにして得られた構造体を、第１の実施形態に係る発光装置に適用した。

実施例１においては、第２導電膜のうち第１導電膜と接触する接触面において複数の凹部が観察された。また、一部の凹部について、開口端から底部までの間の一部が開口端の断面幅よりも大きい断面幅を有する、断面形状が観察された。また、第２導電膜は、第１導電膜と重なる部分において空隙が形成された多孔質構造を有していた。
実施例１においては、第１導電膜と第２導電膜との間に長時間電流を流した際における、第１導電膜と第２導電膜との間の接続信頼性に優れていた。

（比較例１）
まず、ガラス基板上に、ＩＴＯからなる透明導電膜を、スパッタリング法により形成した。次いで、この透明導電膜をドライエッチングによりライン状にパターニングし、第１導電膜を形成した。次いで、銀からなる金属膜を、スパッタリング法を用いて第１導電膜上に形成した。次いで、この金属膜をドライエッチングによりライン状にパターニングし、第１導電膜上に第２導電膜を形成した。これにより、第１導電膜と第２導電膜と、からなる構造体を作製した。

比較例１では、第２導電膜のうち第１導電膜と接触する接触面において、凹部は観察されなかった。比較例１においては、実施例１と比較して、第１導電膜と第２導電膜との間に長時間電流を流した際における、第１導電膜と第２導電膜との間の接続信頼性に劣っていた。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

この出願は、２０１３年４月１日に出願された日本出願特願２０１３−０７６００８を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (9)

1. 導電材料により構成される第１導電膜と、金属材料により構成される第２導電膜と、が互いに接合した接合構造を有し、
   前記接合構造において、
   前記第２導電膜の一部は、前記第１導電膜と接触しており、
   前記第２導電膜のうち前記第１導電膜と接触する接触面には、複数の凹部が設けられている光学装置。
2. 請求項１に記載の光学装置において、
   前記接触面は、前記第２導電膜のうちの前記第１導電膜に接触しない非接触面よりも表面粗さが粗い光学装置。
3. 請求項１または２に記載の光学装置において、
   前記第２導電膜の一部は、前記第１導電膜と重なっており、
   前記第２導電膜は、前記第１導電膜と重なる部分において、内部に空隙が形成された多孔質構造を有する光学装置。
4. 請求項１または２に記載の光学装置において、
   前記接触面に設けられた前記複数の凹部のうち少なくとも一部の断面形状は、前記凹部の開口端から底部までの間の少なくとも一部が前記開口端の断面幅よりも大きい断面幅を有する形状である光学装置。
5. 請求項１〜４いずれか一項に記載の光学装置において、
   前記導電材料は、導電性高分子を含む透明導電材料である光学装置。
6. 請求項１〜５いずれか一項に記載の光学装置において、
   前記第１導電膜は、有機ＥＬ素子を構成する電極であり、
   前記第２導電膜は、前記電極と電気的に接続する配線である光学装置。
7. 請求項１〜５いずれか一項に記載の光学装置において、
   前記第１導電膜は、有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線であり、
   前記第２導電膜は、前記第１配線と電気的に接続する引出配線である光学装置。
8. 請求項１〜５いずれか一項に記載の光学装置において、
   前記第１導電膜により構成される第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機層と、を有する有機ＥＬ素子と、
   前記第１電極に接合し、かつ前記第２導電膜により構成される引出配線と、
   を備える光学装置。
9. 請求項１〜５いずれか一項に記載の光学装置において、
   第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機層と、を有する有機ＥＬ素子と、
   前記第１電極と電気的に接続し、かつ前記第１導電膜により構成される第１配線と、
   前記第１配線と接合し、かつ前記第２導電膜により構成される引出配線と、
   を備える光学装置。

Images