WO2014162451A1 - 接合構造および発光装置 - Google Patents

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WO2014162451A1
WO2014162451A1 PCT/JP2013/059930 JP2013059930W WO2014162451A1 WO 2014162451 A1 WO2014162451 A1 WO 2014162451A1 JP 2013059930 W JP2013059930 W JP 2013059930W WO 2014162451 A1 WO2014162451 A1 WO 2014162451A1
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WO
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conductive film
electrode
wiring
conductive
organic
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Application number
PCT/JP2013/059930
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English (en)
French (fr)
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賢一 奥山
正宣 赤木
博樹 丹
雄司 齋藤
邦彦 白幡
Original Assignee
パイオニア株式会社
東北パイオニア株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes

Definitions

  • the present invention relates to a junction structure and a light emitting device.
  • organic EL Organic Electroluminescence
  • An organic EL element is comprised by the transparent electrode, the other electrode arrange
  • Examples of the technology related to the organic EL element include those described in Patent Document 1 and Patent Document 2.
  • Patent Document 1 describes that an electrode and a wiring that supplies current to the electrode are connected by a fuse-type wiring that is fused or electrically insulated by overcurrent.
  • Patent Document 2 describes a light-emitting element having an electrode composed of a metal line formed in a line shape and a polymer line covering the upper surface and side surfaces of the metal line.
  • connection failure may occur at the joint and its peripheral part. In this case, the connection reliability between the two conductive films joined to each other may be reduced.
  • An example of a problem to be solved by the present invention is to improve connection reliability between two conductive films joined to each other.
  • a first conductive film made of a conductive material and a second conductive film made of a metal material are bonded to each other;
  • the first conductive film extends in the first direction as viewed from the second conductive film,
  • the ratio of the metal material to the total of the conductive material and the metal material in the transition region is a junction structure that decreases from the second conductive film side toward the first conductive film side.
  • the invention according to claim 8 provides: A light emitting device having the joint structure according to any one of claims 1 to 5, An organic EL element having a first electrode, a second electrode, and an organic layer disposed between the first electrode and the second electrode; A first wiring electrically connected to the first electrode and configured by the first conductive film; A lead wire joined to the first wire and made of the second conductive film; It is a light-emitting device provided with.
  • the invention according to claim 9 is: A light emitting device having the joint structure according to any one of claims 1 to 5, An organic EL element having a first electrode constituted by the first conductive film, a second electrode, and an organic layer disposed between the first electrode and the second electrode; A lead wire bonded to the first electrode and configured by the second conductive film; It is a light-emitting device provided with.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an AA cross section of FIG. 1.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a BB cross section of FIG. 1.
  • It is a figure which shows a part of light-emitting device shown in FIG. It is a figure which shows a part of light-emitting device shown in FIG.
  • FIG. 1 is a plan view showing a light emitting device 10 according to the first embodiment.
  • 2 is a cross-sectional view showing the AA cross section of FIG. 1
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the BB cross section of FIG. 4 and 5 are views showing a part of the light emitting device 10 shown in FIG.
  • FIG. 4 shows the positional relationship between the first conductive film 110 and the second conductive film 130.
  • FIG. 5 shows the configuration of the insulating layer 120.
  • FIGS. 6 to 9 are views showing an example of the bonding structure 200 constituted by the first conductive film 110 and the second conductive film 130 in the present embodiment.
  • a first conductive film 110 made of a conductive material and a second conductive film 130 made of a metal material are bonded to each other.
  • the first conductive film 110 extends in the first direction as viewed from the second conductive film 130.
  • the ratio of the metal material to the total of the conductive material and the metal material in the transition region 202 decreases from the second conductive film 130 side toward the first conductive film 110 side.
  • the light emitting device 10 has a joint structure 200.
  • the light emitting device 10 includes an organic EL element 20, a first wiring 114, and a lead wiring 134.
  • the organic EL element 20 includes a first electrode 112, a second electrode 152, and an organic layer 140 disposed between the first electrode 112 and the second electrode 152.
  • the first wiring 114 is electrically connected to the first electrode 112 and is configured by the first conductive film 110.
  • the lead wiring 134 is joined to the first wiring 114 and is configured by the second conductive film 130.
  • the bonding structure 200 is a bonding structure in which the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are bonded to each other.
  • the bonding between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 includes a case where another structure is interposed between the first conductive film 110 and the second conductive film 130.
  • the bonding structure 200 is formed on the substrate 100, for example. In this case, the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are formed on the substrate 100.
  • the junction structure 200 constitutes a light emitting device including, for example, an organic EL element.
  • the light emitting device includes, for example, an organic EL element, a first wiring that is electrically connected to an electrode that constitutes the organic EL element, and a lead wiring that is electrically connected to the first wiring.
  • an electrical signal for controlling light emission / non-light emission from the outside is supplied to the electrodes constituting the organic EL element via the lead wiring and the first wiring.
  • the 1st electrically conductive film 110 among the joining structures 200 comprises the 1st wiring connected to the electrode which comprises an organic EL element, for example.
  • the second conductive film 130 of the bonding structure 200 constitutes, for example, a lead wiring. In this case, the junction structure 200 is formed between the first wiring and the lead-out wiring.
  • the first conductive film 110 substantially includes a conductive material.
  • the conductive material constituting the first conductive film 110 include a transparent conductive material or a paste-like conductive material such as silver. Among these, a transparent conductive material is particularly preferable.
  • the first conductive film 110 is made of a transparent conductive material, the first conductive film 110 is a transparent conductive film.
  • the first conductive film 110 has a shape extending in one direction parallel to the plane of the substrate 100, for example.
  • the transparent conductive material includes, for example, an inorganic material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), or a conductive polymer.
  • the transparent conductive material includes a conductive polymer
  • the first conductive film 110 can be formed using a coating method. In this case, in the step of forming the first conductive film 110, it is possible to suppress a thermal load from being applied to other components such as the substrate 100.
  • the first conductive film 110 is preferably a coating-type conductive film formed by applying a solution in which this inorganic material is dispersed in an organic solvent. . Even in such a case, the first conductive film 110 can be formed by a coating method.
  • the conductive polymer included in the transparent conductive material constituting the first conductive film 110 is a conductive polymer including, for example, a ⁇ -conjugated conductive polymer and a polyanion.
  • the ⁇ -conjugated conductive polymer is not particularly limited.
  • a chain conductive polymer of phenylenes, polyparaphenylene sulfides, polyisothianaphthenes, or polythiazyl compounds can be used. From the viewpoint of conductivity, transparency, stability, etc., polythiophenes or polyanilines are preferable, and polyethylene dioxythiophene is particularly preferable.
  • Polyanions include polyvinyl sulfonic acid, polystyrene sulfonic acid, polyallyl sulfonic acid, polyacrylic acid ethyl sulfonic acid, polyacrylic acid butyl sulfonic acid, poly-2-acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid, polyisoprene sulfonic acid, polyvinyl Carboxylic acid, polystyrene carboxylic acid, polyallyl carboxylic acid, polyacryl carboxylic acid, polymethacryl carboxylic acid, poly-2-acrylamido-2-methylpropane carboxylic acid, polyisoprene carboxylic acid, or polyacrylic acid can be used.
  • the polyanion used in the present embodiment may be a homopolymer of these or two or more kinds of copolymers.
  • the transparent conductive material may further include a crosslinking agent, a leveling agent, an antifoaming agent, or the like.
  • the second conductive film 130 includes a metal material.
  • the metal material contained in the second conductive film 130 for example, a metal material having a lower electrical resistivity than the conductive material constituting the first conductive film 110 is used.
  • the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are made of different materials.
  • the metal material included in the second conductive film 130 include Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, and Pd.
  • the second conductive film 130 includes one or more of these metal materials.
  • the second conductive film 130 is a sintered body formed by sintering metal particles, for example.
  • the second conductive film 130 may be formed by, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first conductive film 110 extends in the first direction when viewed from the second conductive film 130.
  • the first direction indicates one direction parallel to the plane of the substrate 100.
  • the shape of the first conductive film 110 is not particularly limited, and may be a linear shape extending in the first direction or a rectangular shape. In the case where the first conductive film 110 forms a wiring, for example, it is formed in a straight line extending in the first direction.
  • the junction structure 200 includes a transition region 202 where both the first conductive film 110 and the second conductive film 130 exist in a cross section having a normal line extending in the first direction.
  • both the first conductive film 110 and the second conductive film 130 exist in any cross section having a normal extending in the first direction among the cross sections constituting the transition region 202.
  • the first conductive film 110 is provided, for example, such that one end of the first conductive film 110 overlaps part of the second conductive film 130.
  • the transition region 202 includes a space including the one end of the first conductive film 110 and a part of the second conductive film 130 covered with the one end of the first conductive film 110. Become.
  • the ratio of the metal material to the total of the transparent conductive material and the metal material in the transition region 202 decreases from the second conductive film 130 side toward the first conductive film 110 side.
  • the first conductive film 110 side is one side where the first conductive film 110 extends as viewed from the transition region 202
  • the second conductive film 130 side is the other side opposite to the one side.
  • the ratio of the metal material to the total of the transparent conductive material and the metal material is located on the second conductive film 130 side in the transition region 202 rather than the first region located on the first conductive film 110 side in the transition region 202.
  • the second region is higher.
  • the transition region 202 has a gradient in which, for example, the proportion of the metal material continuously decreases at least partially.
  • the transition region 202 may have a gradient in which the proportion of the metal material decreases in the entire region, or may have a gradient in which the proportion of the metal material decreases in only a part.
  • the ratio of the metal material to the total of the transparent conductive material and the metal material in the transition region 202 decreases from the second conductive film 130 side toward the first conductive film 110 side.
  • the change in electrical resistance value at the junction between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be reduced.
  • current concentration at the junction due to the difference in electrical resistance value between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be alleviated, and the occurrence of poor connection at the junction and its periphery can be suppressed. Therefore, the connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 bonded to each other can be improved.
  • the area occupation ratio of the metal material with respect to the total area of the transparent conductive material and the metal material in at least one of the top view and the cross-sectional view is from the second conductive film 130 side to the first conductive film. It decreases as it goes to 110 side. That is, when viewed from the upper surface side of the second conductive film 130 or when viewed from a cross section parallel to the first direction, the area occupancy ratio of the metal material in the transition region 202 is the first from the second conductive film 130 side. It decreases as it goes to the conductive film 110 side. As a result, it is possible to mitigate changes in the electrical resistance value at the junction between the first conductive film 110 and the second conductive film 130.
  • the transition region 202 can have a configuration in which, for example, the area occupancy of the metal material decreases as it moves toward the first conductive film 110 in both a top view and a cross-sectional view. Note that the transition region 202 may have a configuration in which, for example, the area occupancy of the metal material decreases as it goes toward the first conductive film 110 only in one of the top view and the cross-sectional view.
  • the volume occupancy of the metal material with respect to the total volume of the transparent conductive material and the metal material in the transition region 202 decreases from the second conductive film 130 side toward the first conductive film 110 side. It is particularly preferable to go. Thereby, the change in the electrical resistance value at the joint between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be more effectively mitigated.
  • FIG. 6 to 9 are diagrams illustrating an example of the bonding structure 200.
  • FIG. The ratio of the metal material to the total of the transparent conductive material and the metal material in the transition region 202 can be appropriately controlled by, for example, a part of the shape of the second conductive film 130 located in the transition region 202.
  • the proportion of the metal material in the transition region 202 is adjusted by changing the shape of at least one of a part of the second conductive film 130 located in the transition region 202 in plan view or cross-sectional view. Is done.
  • FIG. 6 to 8 are plan views showing an example of the joint structure 200.
  • the outline in the top view of at least a part of the side surface located in the transition region 202 of the second conductive film 130 can be a wave shape or a sawtooth shape.
  • the transition region 202 in which the ratio of the metal material to the total of the transparent conductive material and the metal material decreases as going to the first conductive film 110 side.
  • a plurality of side surfaces of the second conductive film 130 are located in the transition region 202, it is possible to make the outline in a top view of the side surface having a normal line extending in the first direction a wave shape or a sawtooth shape. This is particularly preferable from the viewpoint of reducing concentration.
  • FIG. 1 the outline in the top view of at least a part of the side surface located in the transition region 202 of the second conductive film 130 can be a wave shape or a sawtooth shape.
  • region 202 among the 2nd electrically conductive films 130 is sawtooth-shaped is illustrated.
  • FIG. 7 the case where the outline in the top view of the side surface located in the transition region 202 in the second conductive film 130 is wavy is illustrated.
  • 6 and 7 illustrate the case where the second conductive film 130 has a linear shape extending in the first direction.
  • the shape of the second conductive film 130 is not limited to this, and may be, for example, a straight line extending in the second direction.
  • the second direction is a direction orthogonal to the first direction on the substrate 100 plane.
  • the second conductive film 130 has a plurality of holes 204 that increase in number, for example, at least in the transition region 202 from the second conductive film 130 side toward the first conductive film 110 side.
  • the hole 204 is a through hole that penetrates the second conductive film 130 from the upper surface to the lower surface, for example.
  • the inside of the hole 204 may be filled with a transparent conductive material or other insulating material, or may be a cavity.
  • FIG. 8 illustrates a case where the second conductive film 130 has a linear shape extending in the first direction.
  • the shape of the second conductive film 130 is not limited to this, and may be, for example, a straight line extending in the second direction.
  • the plurality of holes 204 are arranged in the second direction so as to form a plurality of rows extending in the second direction. At this time, the number of holes 204 present in each row increases, for example, from the second conductive film 130 side toward the first conductive film 110 side.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of the bonding structure 200.
  • the upper surface of the second conductive film 130 may have an inclined surface that becomes lower in the transition region 202 toward the first conductive film 110 side. In this case, it is possible to realize the transition region 202 in which the ratio of the metal material to the total of the transparent conductive material and the metal material decreases as going to the first conductive film 110 side.
  • the inclined surface may be a smooth surface that does not have a stepped portion where the film thickness of the second conductive film 130 changes discontinuously, or may be provided in a stepped manner.
  • FIG. 9 illustrates the case where the upper surface of the second conductive film 130 has an inclined surface that decreases in the transition region 202 toward the first conductive film 110 side.
  • the inclined surface constituting the upper surface of the second conductive film 130 is a smooth surface having no stepped portion.
  • the case where the first conductive film 110 is stacked on the second conductive film 130 is illustrated, but the second conductive film 130 may be stacked on the first conductive film 110.
  • the bonding structure 200 in which the first conductive film 110 and the second conductive film 130 are bonded to each other is formed as follows.
  • the second conductive film 130 is formed over the substrate 100.
  • the second conductive film 130 is formed using, for example, a coating method, a sputtering method, or a vapor deposition method.
  • a coating method used in the said process For example, the inkjet method, the screen printing method, the spray coating method, or the dispenser coating method is mentioned.
  • coating method contains binder resin and an organic solvent, for example.
  • the binder resin for example, a cellulose resin, an epoxy resin, or an acrylic resin can be used.
  • the organic solvent for example, a hydrocarbon solvent or an alcohol solvent can be used.
  • the metal particles contained in the coating liquid are, for example, Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, or Pd.
  • the coating liquid contains one or more of these metal particles.
  • a part of the second conductive film 130 is processed to process the shape so that the area in at least one of the top view and the cross-sectional view decreases toward the outside of the second conductive film 130.
  • Examples of such processing include coating and etching.
  • the coating process is performed, for example, by applying a coating solution to a part of the second conductive film 130 formed on the substrate 100 and drying the coating solution.
  • a coating solution for example, a coating solution containing metal particles made of Ag, Al, Cr, Mo, Ni, Nb, Ti, W, Au, Pt, Cu, or Pd is used.
  • the coating liquid contains one or more of these metal particles. Further, the coating liquid contains, for example, a binder resin or an organic solvent.
  • a coating method used in the coating process for example, an ink jet method or a similar technique can be used.
  • the second conductive film 130 is adjusted.
  • the shape in a partial cross-sectional view can be controlled.
  • a coating liquid is applied onto the substrate 100 and dried to form the second conductive film 130, and then the coating liquid is applied to the second conductive film 130.
  • the said processing is performed by further apply
  • the etching process is performed, for example, by performing wet etching on a part of the second conductive film 130.
  • the shape of the second conductive film 130 in a top view can be controlled by adjusting the type of etchant, the etching process time, the shape of the photoresist, and the like.
  • a part of the second conductive film 130 in a top view may be processed by using a lift-off method. In this case, for example, after forming the second conductive film 130 so that a part thereof is located on the resist, the second conductive film 130 is removed together with the resist to remove the second conductive film 130. The shape of 130 will be processed.
  • the volume of a part of the metal material of the second conductive film 130 is directed to the outside of the second conductive film 130. It is also possible to realize a decreasing configuration. As a result, the second conductive film 130 according to the present embodiment is formed.
  • a first conductive film 110 is formed over the substrate 100.
  • the first conductive film 110 is formed, for example, by applying a transparent conductive material-containing coating solution on the substrate 100 and drying it.
  • the first conductive film 110 is formed so as to cover at least a part of the second conductive film 130 that has been subjected to the processing.
  • the transition region 202 is configured by a space including a part of the second conductive film 130 that has been subjected to the above-described processing and a part of the first conductive film 110 that covers the part.
  • the transparent conductive material-containing coating solution is not particularly limited, but is applied onto the substrate 100 using, for example, an ink jet method, a screen printing method, a relief printing method, a gravure printing method, a die coat, a spin coat, or a spray.
  • the transparent conductive material-containing coating solution used in the step of forming the first conductive film 110 includes, for example, an organic solvent and water in addition to the above-described transparent conductive material.
  • the organic solvent for example, an alcohol solvent can be used.
  • the first conductive film 110 may be formed by applying a paste-like conductive material such as silver on the substrate 100 and drying it. In this embodiment, the joint structure 200 is formed in this way.
  • the light emitting device 10 may be a light source such as a lighting device.
  • the light-emitting device 10 is an illumination device
  • the light-emitting device 10 has a configuration in which, for example, a plurality of linear organic layers 140 having different emission colors are arranged repeatedly. Thereby, the illuminating device excellent in color rendering properties is realized.
  • the light-emitting device 10 that is a lighting device may have a planar organic layer 140.
  • the substrate 100 is, for example, a transparent substrate.
  • the substrate 100 can be a glass substrate. Thereby, the light emitting device 10 having excellent heat resistance and the like can be manufactured at low cost.
  • the substrate 100 may be a film-like substrate made of a resin material.
  • a display with particularly high flexibility can be realized.
  • the resin material constituting the film substrate include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polycarbonate.
  • the light emitting device 10 that is a display has a plurality of organic EL elements 20 arranged in an array on the substrate 100, for example.
  • the organic EL element 20 includes a first electrode 112 provided on the substrate 100, an organic layer 140 provided on the first electrode 112, and a second electrode 152 provided on the organic layer 140. ing. At this time, the organic layer 140 is disposed between the first electrode 112 and the second electrode 152.
  • a plurality of first electrodes 112 extending in the Y direction in the drawing and a plurality of second electrodes 152 extending in the X direction in the drawing are provided on the substrate.
  • the organic EL element 20 is formed in each portion where the first electrode 112 and the second electrode 152 overlap each other in plan view. As a result, a plurality of organic EL elements 20 arranged in an array are formed on the substrate 100.
  • the first electrode 112 serves as an anode of an organic EL element, for example.
  • the first electrode 112 is, for example, a transparent electrode that is transparent or translucent to the wavelength of light emitted from the light emitting layer 144 of the organic layer 140 described later.
  • the first electrode 112 is provided, for example, on the substrate 100 and in the pixel region 300 so as to extend linearly in the Y direction in the drawing.
  • On the substrate 100 for example, a plurality of first electrodes 112 that are separated from each other are arranged in a direction (X direction in the drawing) perpendicular to the extending direction of the first electrodes 112. At this time, the plurality of first electrodes 112 are separated from each other, for example.
  • the pixel region 300 is a region including a plurality of organic EL elements 20. In the example illustrated in FIG. 4, a region surrounded by a one-dot chain line corresponds to the pixel region 300.
  • the first electrode 112 is made of, for example, a transparent conductive material.
  • the transparent conductive material constituting the first electrode 112 for example, the same transparent conductive material as that constituting the first conductive film 110 can be used. For this reason, the 1st electrode 112 can have transparency.
  • the first wiring 114 is provided on the substrate 100.
  • the case where the 1st wiring 114 is electrically connected with the 1st electrode 112 is illustrated.
  • a plurality of first wirings 114 connected to different first electrodes 112 are provided on the substrate 100.
  • the plurality of first electrodes 112 in the present embodiment are connected to the lead-out wiring 134 via the first wiring 114, respectively.
  • the first wiring 114 is constituted by the first conductive film 110 made of a conductive material.
  • the first wiring 114 formed of the first conductive film 110 can have transparency.
  • the first electrode 112 and the first wiring 114 are provided integrally on the substrate 100, for example.
  • the first wiring 114 and the first electrode 112 are constituted by the first conductive film 110, for example.
  • a portion of the first conductive film 110 located in the pixel region 300 including the plurality of organic EL elements 20 becomes the first electrode 112.
  • a portion of the first conductive film 110 located outside the pixel region 300 becomes the first wiring 114.
  • the first electrode 112 is connected to the lead wiring 134 through the first wiring 114.
  • a plurality of first conductive films 110 extending in the Y direction in the drawing are provided on the substrate 100.
  • the plurality of first conductive films 110 are arranged in the X direction in the drawing so as to be separated from each other. A portion of the first conductive film 110 located on the end side connected to the extraction wiring 134 from the pixel region 300 indicated by the alternate long and short dash line is the first wiring 114.
  • a lead wiring 134 is provided on the substrate 100 .
  • the lead wiring 134 is connected to the first wiring 114 .
  • a plurality of lead wires 134 arranged in the X direction in the figure are provided on the substrate 100 so as to be separated from each other.
  • Each lead-out wiring 134 is connected to the first wiring 114.
  • the plurality of first wires 114 are connected to the outside via the lead wires 134, respectively.
  • a light emission / non-light emission signal is supplied to the organic EL element 20 via the first wiring 114 and the lead-out wiring 134.
  • the lead-out wiring 134 is constituted by the second conductive film 130 made of a metal material. Therefore, when the lead wiring 134 is connected to the first wiring 114, the first wiring 114 configured by the first conductive film 110 and the lead wiring 134 configured by the second conductive film 130 are bonded to each other. Thus, the joint structure 200 is formed. In the example illustrated in FIG. 4, the joint structure 200 is formed in a portion surrounded by a broken line.
  • the first wiring 114 is connected to the lead wiring 134 at one end. At this time, the first wiring 114 is bonded to, for example, the lead wiring 134 at the one end portion to form the bonding structure 200. In the present embodiment, the first wiring 114 extends in the first direction when viewed from the lead wiring 134. At this time, the first direction in which the first wiring 114 extends coincides with the Y direction in the drawing.
  • the junction structure 200 includes a transition region 202 in which both the first wiring 114 and the extraction wiring 134 exist in a cross section having a normal extending in the first direction. The ratio of the metal material to the total of the transparent conductive material and the metal material in the transition region 202 decreases from the lead-out wiring 134 side toward the first wiring 114 side.
  • An insulating layer 120 is provided on the substrate 100 so as to cover the first electrode 112, for example.
  • the insulating layer 120 is provided so as to cover the first electrode 112 and the first wiring 114 and a part of each of the extraction wiring 164 described later.
  • the insulating layer 120 is a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by exposure and development.
  • the insulating layer 120 may be made of a resin material other than polyimide resin, and may be epoxy resin or acrylic resin.
  • the insulating layer 120 is provided with a plurality of first openings 122, for example.
  • the first openings 122 are formed so as to form a matrix, for example.
  • the plurality of first openings 122 are formed so as to be located on the first electrode 112.
  • the plurality of first openings 122 are provided at positions overlapping the second electrode 152 extending in a direction orthogonal to the first electrode 112 (X direction in the figure), for example. For this reason, the plurality of first openings 122 are arranged to form a matrix.
  • the insulating layer 120 is provided with a plurality of second openings 124, for example. As shown in FIG. 5, the second opening 124 is provided, for example, so as to be located on the lead wiring 164.
  • the plurality of second openings 124 are arranged along one side of the matrix formed by the first openings 122. When viewed in a direction along this one side (for example, Y direction in the figure), the second openings 124 are arranged at the same interval as the first openings 122.
  • a partition wall 170 is provided on the insulating layer 120. As shown in FIG. 1, the partition 170 is provided so as to extend in the X direction in the drawing. That is, the partition 170 is formed along the extending direction of the second electrode 152. A plurality of partition walls 170 are provided so as to be arranged in the Y direction in the drawing.
  • the partition wall 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed.
  • the partition wall 170 may be made of a resin material other than a polyimide resin, or may be an epoxy resin or an acrylic resin.
  • the partition wall 170 has, for example, a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoidal shape). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the bottom surface of the partition wall 170, for example. In this case, even when the plurality of second electrodes 152 are collectively formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or the like, the plurality of second electrodes 152 positioned between the adjacent partition walls 170 can be separated from each other. It becomes. Therefore, the second electrode 152 can be easily formed.
  • the planar shape of the partition wall 170 is not limited to that shown in FIG. Therefore, by changing the planar shape of the partition 170, the planar pattern of the plurality of second electrodes 152 that are separated from each other by the partition 170 can be freely changed.
  • an organic layer 140 is formed in the first opening 122.
  • the organic layer 140 is configured by a stacked body in which, for example, a hole injection layer 142, a light emitting layer 144, and an electron injection layer 146 are sequentially stacked.
  • the hole injection layer 142 is in contact with the first electrode 112
  • the electron injection layer 146 is in contact with the second electrode 152.
  • the organic layer 140 is sandwiched between the first electrode 112 and the second electrode 152.
  • a hole transport layer may be formed between the hole injection layer 142 and the light emitting layer 144, or an electron transport layer may be formed between the light emitting layer 144 and the electron injection layer 146.
  • the organic layer 140 may not include the hole injection layer 142.
  • a partition 170 is provided on the insulating layer 120.
  • the organic layers 140 provided in each of a plurality of regions sandwiched between adjacent partition walls 170 are separated from each other in the Y direction in the drawing.
  • a laminated film made of the same material as the organic layer 140 is formed on the partition wall 170, for example.
  • each layer constituting the organic layer 140 is provided so as to be continuous between adjacent first openings 122 in the X direction in the drawing in which the partition 170 extends.
  • a second electrode 152 is provided on the organic layer 140. At this time, at least a part of the organic layer 140 is disposed between the first electrode 112 and the second electrode 152.
  • the 2nd electrode 152 becomes a cathode of an organic EL element, for example.
  • the second electrode 152 is provided, for example, so as to extend linearly in the X direction in the drawing.
  • On the substrate 100 for example, a plurality of second electrodes 152 spaced apart from each other are arranged in a direction (Y direction in the drawing) perpendicular to the extending direction of the second electrodes 152.
  • the second electrode 152 is made of a metal material such as tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof. One of these materials may be used alone, or two or more arbitrary combinations may be used. Note that in the case where the second electrode 152 is a cathode, the second electrode 152 is preferably made of a conductive material having a work function smaller than that of the first electrode 112 that is an anode.
  • a second wiring 154 is provided on the substrate 100.
  • the second wiring 154 is connected to one of the first electrode 112 and the second electrode 152 that is not connected to the first wiring 114.
  • one of the first electrode 112 and the second electrode 152 that is connected to the second wiring 154 is connected to the outside via the second wiring 154.
  • a case where the second wiring 154 is provided on the organic layer 140 and connected to the second electrode 152 is exemplified.
  • a plurality of second wirings 154 connected to the different second electrodes 152 are provided on the organic layer 140.
  • the plurality of second electrodes 152 in the present embodiment are connected to the outside via the second wirings 154, respectively.
  • part of the second wiring 154 is embedded in the second opening 124, and part of the second wiring 154 is connected to an extraction wiring 164 described later.
  • the second wiring 154 is made of, for example, a metal material.
  • a metal material constituting the second wiring 154 for example, the same material as the second electrode 152 can be used.
  • the second electrode 152 and the second wiring 154 are provided integrally on the organic layer 140, for example, and constitute the conductive film 150.
  • a part of the conductive film 150 located in the pixel region 300 including the plurality of organic EL elements 20 becomes the second electrode 152.
  • a portion of the conductive film 150 located outside the pixel region 300 serves as the second wiring 154.
  • the second electrode 152 is connected to the lead wiring 164 via the second wiring 154, for example.
  • a region surrounded by a one-dot chain line corresponds to the pixel region 300.
  • a plurality of conductive films 150 extending in the X direction in the drawing are provided on the organic layer 140.
  • the plurality of conductive films 150 are arranged in the Y direction in the drawing so as to be separated from each other.
  • a portion located on the end side connected to the extraction wiring 164 with respect to the pixel region 300 becomes the second wiring 154.
  • the plurality of conductive films 150 are collectively formed on the organic layer 140 using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. Even in such a case, since the partition 170 is formed on the insulating layer 120 in this embodiment, the conductive film 150 provided in each of a plurality of regions sandwiched between adjacent partitions 170 is illustrated in the drawing. They are separated from each other in the Y direction. As a result, it is possible to form a plurality of conductive films 150 arranged in the Y direction in the drawing and extending in the X direction in the drawing so as to be separated from each other. At this time, a film made of the same material as the conductive film 150 is formed over the partition wall 170.
  • a lead wiring 164 is provided on the substrate 100.
  • the second wiring 154 is connected to the outside through the lead wiring 164. Therefore, the second electrode 152 is connected to the outside via the second wiring 154 and the lead wiring 164, and a signal is supplied.
  • the lead wiring 164 is made of, for example, a metal material.
  • the metal material constituting the lead wiring 164 for example, the same material as the lead wiring 134 can be used. In this case, the lead wiring 164 can be formed simultaneously with the lead wiring 134. For this reason, it can suppress that the manufacturing process number of the light-emitting device 10 increases.
  • the lead wiring 134 is formed on the substrate 100.
  • the lead wiring 134 is formed on the substrate 100 using, for example, a coating method, a sputtering method, or a vapor deposition method.
  • the lead wiring 134 is configured by the second conductive film 130.
  • the lead wiring 134 is formed using, for example, the above-described method for forming the second conductive film 130 and the material forming the second conductive film 130.
  • the lead wiring 164 is formed on the substrate 100 simultaneously with the step of forming the lead wiring 134.
  • the lead wiring 164 is formed by the same method and material as the lead wiring 134, for example.
  • the first wiring 114 is formed on the substrate 100.
  • the first wiring 114 is formed by, for example, applying a transparent conductive material-containing coating solution on the substrate 100 and drying it.
  • the first wiring 114 is the first conductive film 110.
  • the first wiring 114 is formed using, for example, the above-described method for forming the first conductive film 110 and the material constituting the first conductive film 110.
  • the first wiring 114 constituted by the first conductive film 110 and the lead wiring 134 constituted by the second conductive film 130 are bonded to each other to form the bonded structure 200.
  • the first electrode 112 connected to the first wiring 114 is formed together with the first wiring 114.
  • the first electrode 112 is formed by the first conductive film 110 integrally with the first wiring 114, for example.
  • the first wiring 114 is dried.
  • the transparent conductive material includes a conductive polymer
  • the first wiring 114 is dried to increase the cohesive force of the conductive polymer, so that the first wiring 114 can be a strong film.
  • the first wiring 114 is cured by performing a heat treatment on the first wiring 114.
  • the transparent conductive material constituting the first wiring 114 includes a photosensitive material
  • the first wiring 114 may be cured by UV irradiation. The structure obtained at this stage is shown in FIG.
  • the insulating layer 120 is formed on the substrate 100, the first electrode 112, the first wiring 114, and the lead wiring 164.
  • the insulating layer 120 is patterned into a predetermined shape using dry etching or wet etching. As a result, a plurality of first openings 122 and a plurality of second openings 124 are formed in the insulating layer 120. At this time, the plurality of first openings 122 are formed, for example, such that a part of the first electrode 112 is exposed from each first opening 122.
  • a partition wall 170 is formed on the insulating layer 120.
  • the partition wall 170 is obtained by patterning an insulating film provided over the insulating layer 120 into a predetermined shape using dry etching or wet etching.
  • the cross-sectional shape of the partition wall 170 can be changed to an inverted trapezoid by adjusting the conditions during exposure and development. The structure obtained at this stage is shown in FIG.
  • a hole injection layer 142, a light emitting layer 144, and an electron injection layer 146 are sequentially formed in the first opening 122. These are formed using, for example, a coating method or a vapor deposition method. Thereby, the organic layer 140 is formed.
  • the conductive film 150 constituting the second electrode 152 and the second wiring 154 is formed on the organic layer 140.
  • the conductive film 150 is formed so that, for example, a part of the conductive film 150 is located in the second opening 124.
  • the conductive film 150 is formed using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method.
  • the organic EL element 20 composed of the first electrode 112, the second electrode 152, and the organic layer 140 sandwiched therebetween is formed on the substrate 100.
  • the light emitting device 10 is formed in this way.
  • the ratio of the metal material to the total of the transparent conductive material and the metal material in the transition region 202 decreases from the second conductive film 130 side toward the first conductive film 110 side.
  • the change of the electrical resistance value in the junction part of the 1st electrically conductive film 110 and the 2nd electrically conductive film 130 can be relieved.
  • current concentration at the junction due to the difference in electrical resistance value between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be alleviated, and the occurrence of poor connection at the junction and its periphery can be suppressed. Therefore, the connection reliability between the first conductive film and the second conductive film joined to each other can be improved.
  • a light emission including a first wiring 114 connected to the first electrode 112 configuring the organic EL element 20 and configured by the first conductive film 110 and an extraction wiring 134 configured by the second conductive film 130.
  • the device 10 can be realized. Thereby, the connection reliability between the 1st electrode 112 and the extraction wiring 134 can be improved. In addition, the operational reliability of the light emitting device 10 can be improved.
  • FIG. 10 is a plan view showing the light emitting device 12 according to the second embodiment, and corresponds to FIG. 1 according to the first embodiment.
  • 11 is a cross-sectional view showing a CC cross section of FIG. 10
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a DD cross section of FIG.
  • FIG. 13 is a diagram showing a part of the light emitting device 12 shown in FIG. FIG. 13 particularly shows the positional relationship between the first conductive film 110 and the second conductive film 130.
  • the first conductive film 110 in the bonding structure 200 constitutes an electrode constituting, for example, an organic EL element.
  • the second conductive film 130 forms, for example, a lead wiring that is electrically connected to an electrode that forms the organic EL element.
  • the junction structure 200 is formed between the electrode constituting the organic EL element and the lead wiring.
  • the junction structure 200 includes a transition region 202 in which both the electrode constituting the organic EL element and the lead-out wiring exist in the cross section having the normal extending in the first direction.
  • the light emitting device 12 has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the first embodiment, except for the configuration of the first electrode 112 and the lead wiring 134.
  • the light emitting device 12 has a joint structure 200.
  • the light emitting device 12 includes the organic EL element 20 and a lead wiring 134.
  • the organic EL element 20 includes a first electrode 112 configured by the first conductive film 110, a second electrode 152, and an organic layer 140 disposed between the first electrode 112 and the second electrode 152. is doing.
  • the lead wiring 134 is joined to the first electrode 112 and is constituted by the second conductive film 130.
  • the first electrodes 112 are arranged on the substrate 100 in the pixel region 300 in a matrix, for example.
  • the plurality of first electrodes 112 arranged in a matrix are separated from each other.
  • the pixel region 300 is a region including a plurality of organic EL elements 20. In the example illustrated in FIG. 10, a region surrounded by a one-dot chain line corresponds to the pixel region 300.
  • the first electrode 112 is composed of a first conductive film 110 composed of a conductive material. When the first conductive film 110 is made of a transparent conductive material, the first electrode 112 made of the first conductive film 110 can have transparency.
  • the first wiring 114 constituting the light emitting device 10 according to the first embodiment is not provided.
  • the lead-out wiring 134 extends in the Y direction in the figure.
  • a plurality of lead wires 134 arranged in the X direction in the figure are provided on the substrate 100 so as to be separated from each other.
  • Each lead-out wiring 134 is connected to a plurality of first electrodes 112 arranged in the Y direction. For this reason, the plurality of first electrodes 112 are each connected to the outside via the lead wiring 134.
  • a light emission / non-light emission signal is supplied to the organic EL element 20 through the lead wiring 134.
  • the lead-out wiring 134 is constituted by the second conductive film 130 made of a metal material.
  • the first electrode 112 configured by the first conductive film 110 and the lead-out wiring 134 configured by the second conductive film 130 are bonded to each other to form the bonded structure 200.
  • the joint structure 200 is formed in a portion surrounded by a broken line.
  • the first electrode 112 is connected to the lead wiring 134 at one end. At this time, the first electrode 112 is bonded to, for example, the lead wiring 134 at the one end portion to form the bonded structure 200. As shown in FIG. 12, a portion of the lead-out wiring 134 that is joined to the first electrode 112 is located, for example, in a region where the organic EL element 20 is formed in a plan view.
  • the shape of the first electrode 112 is not particularly limited and can be selected as appropriate in accordance with the design of the organic EL element 20. For example, it is rectangular. In the present embodiment, the first electrode 112 extends in the first direction when viewed from the lead wiring 134.
  • the junction structure 200 includes a transition region 202 in which both the first electrode 112 and the lead-out wiring 134 exist in a cross section having a normal line extending in the first direction.
  • the ratio of the metal material to the total of the transparent conductive material and the metal material in the transition region 202 decreases from the lead-out wiring 134 side toward the first electrode 112 side.
  • the insulating layer 120 is formed so as to cover the lead wiring 134, for example.
  • the insulating layer 120 is provided so as to cover a part of each of the lead wiring 134 and the lead wiring 164.
  • a plurality of first openings 122 are formed in the insulating layer 120 so as to form, for example, a matrix.
  • the first electrode 112 is formed in the first opening 122.
  • a plurality of first electrodes 112 arranged in a matrix on the substrate 100 are formed.
  • the plurality of first electrodes 112 are separated from each other by the insulating layer 120.
  • the first opening 122 is formed, for example, so as to overlap a part of the lead wiring 134 in a plan view. In this case, a part of the lead wiring 134 that overlaps the first opening 122 in plan view is connected to the first electrode 112 formed in the first opening 122.
  • the insulating layer 120 is made of the same material as that of the first embodiment, for example.
  • the partition 170, the organic layer 140, the second electrode 152, the second wiring 154, and the extraction wiring 164 in the present embodiment have the same configuration as that of the first embodiment, for example.
  • the connection reliability between the first conductive film 110 and the second conductive film 130 can be improved as in the first embodiment.
  • the light emitting device 12 including the first electrode 112 configured by the first conductive film 110 and the lead-out wiring 134 configured by the second conductive film 130 can be realized. Thereby, the connection reliability between the 1st electrode 112 and the extraction wiring 134 can be improved. In addition, the operational reliability of the light emitting device can be improved.
  • the light-emitting device 12 is a display is illustrated in this embodiment, the light-emitting device 12 is applicable also to light sources, such as an illuminating device.
  • Example 1 a metal film made of silver was formed on a glass substrate by a sputtering method. Next, this metal film was patterned into a line shape by dry etching to form a second conductive film. Subsequently, after applying silver particle containing ink to a part of 2nd electrically conductive film by the inkjet method, this was dried on 150 degreeC and the conditions for 10 minutes. Here, the silver particle containing ink containing the acrylic resin which is a binder component, the organic solvent, and the silver particle was used. Thus, the first processing treatment was performed on a part of the second conductive film so that the area in cross-sectional view decreased toward the outside of the second conductive film.
  • a second processing process by dry etching was performed on a part of the second conductive film that had been subjected to the first processing process.
  • the etching mask was selected so that the part of the second conductive film had a shape in which the area in a top view decreased toward the outside of the second conductive film.
  • a transparent conductive material-containing coating solution was applied in a line shape on a glass substrate and dried to form a first conductive film.
  • the said coating liquid was apply
  • the coating solution a solution obtained by dispersing poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonate (PEDOT-PSS, CLEVIOS PH510 (manufactured by Heraeus)) in a solvent was used. Thereby, the structure which consists of a 1st electrically conductive film and a 2nd electrically conductive film was produced. The structure thus obtained was applied to the light emitting device according to the first embodiment.
  • PEDOT-PSS polystyrene sulfonate
  • CLEVIOS PH510 manufactured by Heraeus
  • the junction structure between the first conductive film and the second conductive film has a transition region in which both the first conductive film and the second conductive film exist in a cross section having a normal extending in the first direction.
  • the ratio of the metal material to the total of the transparent conductive material and the metal material in the transition region decreased from the second conductive film side toward the first conductive film side.
  • the upper surface of the second conductive film had an inclined surface that became lower toward the first conductive film side in the transition region.
  • the portion of the second conductive film located in the transition region was processed to have a shape in a top view so that the outline of the side surface in a top view has a sawtooth shape and a plurality of holes.
  • Example 1 the connection reliability between the first conductive film and the second conductive film was excellent when a current was passed between the first conductive film and the second conductive film for a long time.

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

　接合構造は、第１導電膜（１１０）と第２導電膜（１３０）と、が互いに接合してなる。接合構造を構成する第１導電膜（１１０）は、透明導電材料により構成される。接合構造を構成する第２導電膜（１３０）は、金属材料により構成される。接合構造には、第１導電膜（１１０）および第２導電膜（１３０）のいずれもが存在する遷移領域が存在している。遷移領域における透明導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合は、第１導電膜（１１０）側へ向かうにつれて減少していく。

Description

接合構造および発光装置
　本発明は、接合構造および発光装置に関する。
　照明装置やディスプレイの光源の一つに、有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子がある。有機ＥＬ素子は、たとえば透明電極と、これに対向して配置される他の電極と、これらの電極の間に配置される有機層と、により構成される。有機ＥＬ素子に関する技術としては、たとえば特許文献１および特許文献２に記載のものが挙げられる。
　特許文献１には、電極と、該電極に電流を供給する配線と、の間を、過電流により溶断もしくは破壊され電気的に絶縁化するヒューズ型配線によって接続することが記載されている。特許文献２には、ライン状に形成された金属ラインと、当該金属ラインの上面および側面を覆うポリマーラインと、からなる電極を有する発光素子が記載されている。
特開２００４－２９６１５４号公報 特開２００６－９３１２３号公報
　二つの導電膜を互いに接合させてなる接合構造では、接合部およびその周辺部において接続不良が生じる場合がある。この場合、互いに接合された二つの導電膜の間における接続信頼性が低下してしまうおそれがあった。
　本発明が解決しようとする課題としては、互いに接合された二つの導電膜の間における接続信頼性を向上させることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、
　導電材料により構成される第１導電膜と、金属材料により構成される第２導電膜と、が互いに接合してなる接合構造であって、
　前記第１導電膜は、前記第２導電膜からみて第１方向に延在しており、
　前記第１方向に延びる法線を有する断面において前記第１導電膜および前記第２導電膜のいずれもが存在する遷移領域が存在しており、
　前記遷移領域における前記導電材料および前記金属材料の合計に対する前記金属材料の占める割合は、前記第２導電膜側から前記第１導電膜側へ向かうにつれて減少していく接合構造である。
　請求項８に記載の発明は、
　請求項１～５いずれか一項に記載の接合構造を有する発光装置であって、
　第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間に配置された有機層と、を有する有機ＥＬ素子と、
　前記第１電極と電気的に接続し、かつ前記第１導電膜により構成される第１配線と、
　前記第１配線と接合し、かつ前記第２導電膜により構成される引出配線と、
　を備える発光装置である。
　請求項９に記載の発明は、
　請求項１～５いずれか一項に記載の接合構造を有する発光装置であって、
　前記第１導電膜により構成される第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間に配置された有機層と、を有する有機ＥＬ素子と、
　前記第１電極に接合し、かつ前記第２導電膜により構成される引出配線と、
　を備える発光装置である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
第１の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 図１のＡ－Ａ断面を示す断面図である。 図１のＢ－Ｂ断面を示す断面図である。 図１に示す発光装置の一部を示す図である。 図１に示す発光装置の一部を示す図である。 第１の実施形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の一例を示す図である。 第１の実施形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の一例を示す図である。 第１の実施形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の一例を示す図である。 第１の実施形態における第１導電膜と、第２導電膜と、により構成される接合構造の一例を示す図である。 第２の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 図１０のＣ－Ｃ断面を示す断面図である。 図１０のＤ－Ｄ断面を示す断面図である。 図１０に示す発光装置の一部を示す図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（第１の実施形態）
　図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は図１のＡ－Ａ断面を示す断面図であり、図３は図１のＢ－Ｂ断面を示す断面図である。また、図４および図５は、図１に示す発光装置１０の一部を示す図である。図４では、とくに第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０との位置関係が示されている。また、図５では、絶縁層１２０の構成が示されている。図６～９は、本実施形態における第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、により構成される接合構造２００の一例を示す図である。
　本実施形態に係る接合構造２００は、導電材料により構成される第１導電膜１１０と、金属材料により構成される第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる。第１導電膜１１０は、第２導電膜１３０からみて第１方向に延在している。第１方向に延びる法線を有する断面において第１導電膜１１０および第２導電膜１３０のいずれもが存在する遷移領域２０２が存在している。遷移領域２０２における導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合は、第２導電膜１３０側から第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少していく。
　また、本実施形態に係る発光装置１０は、接合構造２００を有している。
　発光装置１０は、有機ＥＬ素子２０と、第１配線１１４と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有する。第１配線１１４は、第１電極１１２と電気的に接続し、かつ第１導電膜１１０により構成される。引出配線１３４は、第１配線１１４と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成される。
　以下、本実施形態に係る接合構造２００の構成の一例、発光装置１０の構成の一例、および発光装置１０の製造方法の一例につき、詳細に説明する。
　まず、本実施形態に係る接合構造２００の構成の一例について説明する。
　接合構造２００は、第１導電膜１１０と、第２導電膜１３０と、が互いに接合してなる接合構造である。なお、本明細書において、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０が接合するとは、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間に他の構成が介在する場合を含む。
　本実施形態において、接合構造２００は、たとえば基板１００上に形成される。この場合、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０は、基板１００上に形成されることとなる。
　接合構造２００は、たとえば有機ＥＬ素子を含む発光装置を構成する。発光装置は、たとえば有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を構成する電極に電気的に接続する第１配線と、第１配線と電気的に接続する引出配線と、を備える。このとき、引出配線および第１配線を介して、有機ＥＬ素子を構成する電極に外部から発光／非発光を制御するための電気信号が供給される。
　本実施形態において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線を構成する。また、接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば引出配線を構成する。この場合、第１配線と引出配線との間において、接合構造２００が形成されることとなる。
　第１導電膜１１０は、実質的に導電材料を含んで構成される。第１導電膜１１０を構成する導電材料としては、たとえば透明導電材料、または銀等のペースト状の導電材料が挙げられる。この中でも、透明導電材料がとくに好ましい。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、透明性を有する導電膜となる。本実施形態において、第１導電膜１１０は、たとえば基板１００平面に平行な一方向に延在する形状を有する。
　透明導電材料は、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、または導電性高分子を含んでなる。
　透明導電材料が導電性高分子を含む場合、第１導電膜１１０は塗布法を用いて形成することができる。この場合、第１導電膜１１０を形成する工程において、基板１００等の他の構成へ熱負荷がかかってしまうことを抑制することが可能となる。
　また、透明導電材料として無機材料を含む場合には、第１導電膜１１０は、この無機材料を有機溶剤中に分散させた溶液を塗布することにより形成される塗布型導電膜であることが好ましい。このような場合においても、第１導電膜１１０を、塗布法を用いて形成することができる。
　本実施形態において、第１導電膜１１０を構成する透明導電材料に含まれる導電性高分子は、たとえばπ共役系導電性高分子とポリアニオンを含んでなる導電性高分子である。この場合、とくに導電性や耐熱性、フレキシブル性に優れた第１導電膜１１０を形成することが可能となる。
　π共役系導電性高分子としては、特に限定されないが、たとえばポリチオフェン類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、またはポリチアジル類の鎖状導電性ポリマーを用いることができる。導電性、透明性、安定性等の観点からは、ポリチオフェン類またはポリアニリン類であることが好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンであることがとくに好ましい。
　ポリアニオンとしては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ－２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ－２－アクリルアミド－２－メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、またはポリアクリル酸を用いることができる。本実施形態において用いられるポリアニオンは、これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。
　第１導電膜１１０を構成する透明導電材料として導電性高分子を含む場合、透明導電材料は、架橋剤、レベリング剤、または消泡剤等をさらに含んでいてもよい。
　第２導電膜１３０は、金属材料を含んで構成される。ここで、第２導電膜１３０に含まれる金属材料としては、たとえば第１導電膜１１０を構成する導電材料よりも電気抵抗率が低い金属材料が使用される。この場合、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０は、互いに異なる材料により構成されることとなる。第２導電膜１３０に含まれる金属材料は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、およびＰｄが挙げられる。第２導電膜１３０は、これらの金属材料のうち１種または２種以上を含む。
　また、第２導電膜１３０は、たとえば金属粒子が焼結されてなる焼結体である。なお、第２導電膜１３０は、たとえばスパッタリング法や蒸着法により形成されていてもよい。
　第１導電膜１１０は、第２導電膜１３０からみて第１方向に延在している。ここで、第１方向とは、基板１００平面に平行な一方向を示す。本実施形態において、第１導電膜１１０の形状は、特に限定されず、第１方向に延在する直線状であってもよく、矩形状であってもよい。第１導電膜１１０が配線を構成する場合には、たとえば第１方向に延在する直線状に形成される。
　接合構造２００には、第１方向に延びる法線を有する断面において第１導電膜１１０および第２導電膜１３０のいずれもが存在する遷移領域２０２が存在している。ここでは、遷移領域２０２を構成する断面のうち第１方向に延びる法線を有する任意の断面において、第１導電膜１１０および第２導電膜１３０のいずれもが存在するものとなっている。
　本実施形態において、第１導電膜１１０は、たとえば第１導電膜１１０の一端が第２導電膜１３０の一部上に重なるように設けられる。このとき、遷移領域２０２は、第１導電膜１１０の上記一端と、第１導電膜１１０の上記一端に覆われた第２導電膜１３０の一部と、を含む一空間により構成されることとなる。
　遷移領域２０２における透明導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合は、第２導電膜１３０側から第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少していく。ここで、第１導電膜１１０側とは遷移領域２０２からみて第１導電膜１１０が延在していく一方側であり、第２導電膜１３０側とは当該一方側と反対の他方側である。
　透明導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合は、遷移領域２０２のうち第１導電膜１１０側に位置する第１領域よりも、遷移領域２０２のうち第２導電膜１３０側に位置する第２領域の方が高くなる。これにより、遷移領域２０２における金属材料の占める割合が第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少する構成を実現できる。
　また、遷移領域２０２は、たとえば少なくとも一部において金属材料の占める割合が連続的に減少する勾配を有する。このとき、遷移領域２０２は、全域において金属材料の占める割合が減少する勾配を有していてもよく、一部のみにおいて金属材料の占める割合が減少する勾配を有していてもよい。
　本実施形態によれば、遷移領域２０２における透明導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合は、第２導電膜１３０側から第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少していく。これにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との接合部における、電気抵抗値の変化を緩和させることができる。この場合、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０の電気抵抗値の差違に起因した接合部分における電流集中を緩和し、接合部分およびその周辺における接続不良の発生を抑制できる。したがって、互いに接合された第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上することができる。
　本実施形態に係る遷移領域２０２は、たとえば上面視または断面視の少なくとも一方における透明導電材料および金属材料の面積の合計に対する金属材料の面積占有率が、第２導電膜１３０側から第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少していく。すなわち、第２導電膜１３０の上面側からみた場合または第１方向に平行な断面でみた場合の少なくとも一方において、遷移領域２０２における金属材料の面積占有率が、第２導電膜１３０側から第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少していくこととなる。これにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との接合部における電気抵抗値の変化を緩和させることが可能となる。遷移領域２０２は、たとえば上面視および断面視の双方において金属材料の面積占有率が第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少していく構成を有することができる。なお、遷移領域２０２は、たとえば上面視または断面視のいずれか一方のみにおいて金属材料の面積占有率が第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少していく構成を有するものであってもよい。
　また、本実施形態においては、遷移領域２０２における透明導電材料および金属材料の体積の合計に対する金属材料の体積占有率が、第２導電膜１３０側から第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少していくことがとくに好ましい。これにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との接合部における電気抵抗値の変化を、より効果的に緩和させることが可能となる。
　図６～９は、接合構造２００の一例を示す図である。
　遷移領域２０２における透明導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合は、たとえば第２導電膜１３０のうちの遷移領域２０２に位置する一部の形状により適宜制御することが可能である。本実施形態においては、第２導電膜１３０のうちの遷移領域２０２に位置する一部の平面視または断面視の少なくとも一方における形状を変化させることにより、遷移領域２０２における金属材料の占める割合が調節される。
　図６～８は、接合構造２００の一例を示す平面図である。
　本実施形態では、第２導電膜１３０のうち遷移領域２０２に位置する側面の少なくとも一部の上面視における外形線を、波状または鋸歯状とすることができる。この場合、透明導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合が第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少する遷移領域２０２を実現することができる。第２導電膜１３０の複数の側面が遷移領域２０２に位置する場合には、第１方向に延びる法線を有する側面について上面視における外形線を波状または鋸歯状とすることが、接合部分における電流集中を緩和する観点から、とくに好ましい。
　図６では、第２導電膜１３０のうち遷移領域２０２に位置する側面の上面視における外形線が鋸歯状である場合が例示される。図７では、第２導電膜１３０のうち遷移領域２０２に位置する側面の上面視における外形線が波状である場合が例示される。図６および図７では、第２導電膜１３０が第１方向に延在する直線状の形状を有する場合が例示されている。しかしながら、第２導電膜１３０の形状はこれに限られず、たとえば第２方向に延在する直線状であってもよい。ここで、第２方向とは、基板１００平面において第１方向に直交する方向である。
　また、第２導電膜１３０は、たとえば少なくとも遷移領域２０２において、第２導電膜１３０側から第１導電膜１１０側へ向かうにつれて数が増大していく複数の孔２０４を有している。この場合、透明導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合が第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少する遷移領域２０２を実現することができる。本実施形態において、孔２０４とは、たとえば第２導電膜１３０を上面から下面まで貫通する貫通孔である。また、孔２０４の内部は、透明導電材料や他の絶縁材料により充填されていてもよく、空洞であってもよい。
　図８では、第２導電膜１３０のうち遷移領域２０２に位置する部分に、複数の孔２０４が設けられる場合が例示されている。また、複数の孔２０４の数は、第２導電膜１３０側から第１導電膜１１０側へ向かうにつれて増大している。図８では、第２導電膜１３０が第１方向に延在する直線状の形状を有する場合が例示されている。しかしながら、第２導電膜１３０の形状はこれに限られず、たとえば第２方向に延在する直線状であってもよい。
　図８に示す例においては、複数の孔２０４は、第２方向に延びる複数の列を形成するようそれぞれ第２方向に配列される。このとき、各列中に存在する孔２０４の個数は、たとえば第２導電膜１３０側から第１導電膜１１０側へ向かうにつれて増大する。
　図９は、接合構造２００の一例を示す断面図である。
　第２導電膜１３０の上面は、遷移領域２０２において第１導電膜１１０側に向かうにつれて低くなる傾斜面を有していてもよい。この場合、透明導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合が第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少する遷移領域２０２を実現することができる。上記傾斜面は、第２導電膜１３０の膜厚が不連続に変化する段差部分を有しない滑らかな面であってもよく、階段状に設けられていてもよい。
　図９では、第２導電膜１３０の上面が、遷移領域２０２において１導電膜１１０側に向かうにつれて低くなる傾斜面を有する場合が例示されている。このとき、第２導電膜１３０の上面を構成する上記傾斜面は、段差部分を有しない滑らかな面である。
　本実施形態においては、第２導電膜１３０上に第１導電膜１１０を積層する場合が例示されているが、第１導電膜１１０上に第２導電膜１３０を積層してもよい。
　本実施形態においては、たとえば次のようにして第１導電膜１１０および第２導電膜１３０が互いに接合してなる接合構造２００が形成される。
　まず、基板１００上に第２導電膜１３０を形成する。第２導電膜１３０は、たとえば塗布法、スパッタリング法または蒸着法を用いて形成される。当該工程において使用される塗布法としては、特に限定されないが、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷法、スプレー塗布法、またはディスペンサー塗布法が挙げられる。
　塗布法により第２導電膜１３０を形成する際に用いられる塗布液は、たとえばバインダ樹脂および有機溶剤を含む。バインダ樹脂としては、たとえばセルロース系樹脂、エポキシ系樹脂、またはアクリル系樹脂を用いることができる。有機溶剤としては、たとえば炭化水素系溶剤、またはアルコール系溶剤を用いることができる。また、塗布液中に含有される金属粒子は、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、またはＰｄである。当該塗布液は、これらの金属粒子のうち１種または２種以上を含んでいる。
　第２導電膜１３０の一部に対しては、上面視または断面視の少なくとも一方における面積が第２導電膜１３０の外側へ向けて減少していくように形状を加工する加工処理が施される。このような加工処理としては、たとえば塗布処理やエッチング処理が挙げられる。
　上記塗布処理は、たとえば基板１００上に形成された第２導電膜１３０の一部に、さらに塗布液を塗布し、これを乾燥することにより行われる。塗布液としては、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、またはＰｄからなる金属粒子を含有するものが使用される。当該塗布液は、これらの金属粒子のうち１種または２種以上を含んでいる。また、塗布液は、たとえばバインダ樹脂や有機溶剤を含む。塗布処理において用いられる塗布法としては、たとえばインクジェット法やこれに類する技術を使用することができる。当該塗布処理においては、塗布液を塗布する回数や、塗布液中における金属粒子の含有量、有機溶剤の種類、塗布液を乾燥する条件等、をそれぞれ調節することにより、第２導電膜１３０の一部の断面視における形状を制御することができる。
　なお、第２導電膜１３０が塗布法により形成される場合には、たとえば基板１００上に塗布液を塗布、乾燥して第２導電膜１３０を形成した後、当該塗布液を第２導電膜１３０の一部にさらに塗布することにより、当該加工処理が行われる。
　上記エッチング処理は、たとえば第２導電膜１３０の一部に対しウェットエッチングを施すことにより行われる。当該エッチング処理においては、エッチャントの種類やエッチング処理時間、フォトレジストの形状等をそれぞれ調節することにより、第２導電膜１３０の一部の上面視における形状を制御することができる。
　また、リフトオフ法を用いることにより、第２導電膜１３０の一部の上面視における形状を加工してもよい。この場合、たとえば一部がレジスト上に位置するように第２導電膜１３０を形成した後、レジストとともにレジスト上に設けられた第２導電膜１３０の一部を除去することで、第２導電膜１３０の形状を加工することとなる。
　本実施形態においては、第２導電膜１３０の一部に対する上記加工処理の条件を制御することにより、第２導電膜１３０の一部の金属材料の体積が第２導電膜１３０の外側へ向けて減少していく構成を実現することも可能である。これにより、本実施形態に係る第２導電膜１３０が形成されることとなる。
　次に、基板１００上に、第１導電膜１１０を形成する。第１導電膜１１０は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。第１導電膜１１０は、少なくとも第２導電膜１３０のうちの上記加工処理が施された一部を覆うように形成される。遷移領域２０２は、第２導電膜１３０のうち上記加工処理が施された一部と、これを覆う第１導電膜１１０の一部と、を含む一空間により構成される。
　透明導電材料含有塗布液は、特に限定されないが、たとえばインクジェット法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、ダイコート、スピンコート、またはスプレーを用いて基板１００上に塗布される。第１導電膜１１０を形成する当該工程において用いられる透明導電材料含有塗布液は、たとえば上述した透明導電材料に加え、有機溶剤や水等を含む。有機溶剤としては、たとえばアルコール系溶剤を用いることができる。なお、第１導電膜１１０は、銀等のペースト状の導電材料を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成されてもよい。
　本形態では、このようにして接合構造２００が形成される。
　次に、発光装置１０の構成の一例について説明する。
　図１においては、発光装置１０がディスプレイである場合が例示される。
　なお、発光装置１０は、照明装置等の光源であってもよい。発光装置１０が照明装置である場合、発光装置１０は、たとえば互いに発光色が異なるライン状の有機層１４０を複数繰り返し並べた構成を有する。これにより、演色性に優れた照明装置が実現される。また、照明装置である発光装置１０は、面状の有機層１４０を有していてもよい。
　基板１００は、たとえば透明基板である。本実施形態において、基板１００は、ガラス基板とすることができる。これにより、耐熱性等に優れた発光装置１０を安価に製造することが可能となる。
　基板１００は、樹脂材料により構成されるフィルム状の基板であってもよい。この場合、特にフレキシブル性の高いディスプレイを実現することが可能となる。フィルム状の基板を構成する樹脂材料としては、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびポリカーボネートが挙げられる。
　ディスプレイである発光装置１０は、たとえばアレイ状に配列された複数の有機ＥＬ素子２０を基板１００上に有する。有機ＥＬ素子２０は、基板１００上に設けられた第１電極１１２と、第１電極１１２上に設けられた有機層１４０と、有機層１４０上に設けられた第２電極１５２と、を有している。このとき、有機層１４０は、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置されることとなる。
　本実施形態では、たとえば図中Ｙ方向に延びる複数の第１電極１１２と、図中Ｘ方向に延びる複数の第２電極１５２と、が基板上に設けられる。そして、第１電極１１２と第２電極１５２が平面視で互いに重なる各部分において、有機ＥＬ素子２０が形成される。これにより、基板１００上には、アレイ状に配列された複数の有機ＥＬ素子２０が形成されることとなる。
　第１電極１１２は、たとえば有機ＥＬ素子の陽極となる。この場合、第１電極１１２は、たとえば後述する有機層１４０のうちの発光層１４４から発光される光の波長に対して透明または半透明である透明電極となる。また、第１電極１１２は、たとえば基板１００上であって、かつ画素領域３００内において、図中Ｙ方向に直線状に延在するように設けられる。また、基板１００上には、たとえば互いに離間する複数の第１電極１１２が、第１電極１１２の延在方向と垂直な方向（図中Ｘ方向）に配列される。このとき、複数の第１電極１１２は、たとえば互いに離間する。なお、画素領域３００は、複数の有機ＥＬ素子２０を含む領域である。図４に示す例では、一点鎖線により囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
　本実施形態において、第１電極１１２は、たとえば透明導電材料により構成される。第１電極１１２を構成する透明導電材料としては、たとえば第１導電膜１１０を構成する透明導電材料と同様のものを用いることができる。このため、第１電極１１２は透明性を有することができる。
　基板１００上には、たとえば第１配線１１４が設けられている。本実施形態では、第１配線１１４が、第１電極１１２と電気的に接続する場合が例示される。このとき、基板１００上には、それぞれ異なる第１電極１１２へ接続する複数の第１配線１１４が設けられる。このため、本実施形態における複数の第１電極１１２は、それぞれ第１配線１１４を介して引出配線１３４へ接続されることとなる。
　本実施形態において、第１配線１１４は、導電材料により構成される第１導電膜１１０により構成される。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４は透明性を有することができる。
　本実施形態において、第１電極１１２および第１配線１１４は、たとえば基板１００上に一体として設けられる。この場合、第１配線１１４および第１電極１１２は、たとえば第１導電膜１１０により構成されることとなる。このとき、第１導電膜１１０のうち、複数の有機ＥＬ素子２０を含む画素領域３００内に位置する部分が、第１電極１１２となる。また、第１導電膜１１０のうち、画素領域３００外に位置する部分が、第１配線１１４となる。第１電極１１２は、第１配線１１４を介して引出配線１３４に接続する。
　図４に示す例において、基板１００上には、図中Ｙ方向に延在する第１導電膜１１０が複数設けられている。これら複数の第１導電膜１１０は、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列されている。そして、第１導電膜１１０のうち、一点鎖線で示される画素領域３００よりも引出配線１３４と接続する端部側に位置する部分が、第１配線１１４となる。
　基板１００上には、引出配線１３４が設けられている。
　本実施形態では、引出配線１３４が第１配線１１４に接続する場合が例示される。基板１００上には、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列された複数の引出配線１３４が設けられている。各引出配線１３４は、それぞれ第１配線１１４に接続される。このため、複数の第１配線１１４は、それぞれ引出配線１３４を介して外部へ接続されることとなる。有機ＥＬ素子２０には、第１配線１１４および引出配線１３４を介して発光／非発光の信号が供給される。
　本実施形態において、引出配線１３４は、金属材料により構成される第２導電膜１３０により構成される。このため、引出配線１３４が第１配線１１４に接続される場合、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、が互いに接合して接合構造２００が形成されることとなる。図４に示す例では、破線により囲まれた部分において接合構造２００が形成される。
　第１配線１１４は、一の端部において引出配線１３４と接続している。このとき、第１配線１１４は、たとえば上記一の端部において引出配線１３４と接合し、接合構造２００を形成することとなる。
　本実施形態において、第１配線１１４は、引出配線１３４からみて第１方向に延在している。このとき、第１配線１１４が延在する第１方向は、図中Ｙ方向に一致する。また、接合構造２００には、第１方向に延びる法線を有する断面において第１配線１１４および引出配線１３４のいずれもが存在する遷移領域２０２が存在している。遷移領域２０２における透明導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合は、引出配線１３４側から第１配線１１４側へ向かうにつれて減少していく。
　基板１００上には、たとえば第１電極１１２を覆うように絶縁層１２０が設けられている。本実施形態においては、たとえば第１電極１１２と、第１配線１１４および後述する引出配線１６４それぞれの一部と、を覆うように絶縁層１２０が設けられる。
　絶縁層１２０は、ポリイミド系樹脂等の感光性の樹脂であり、露光および現像されることによって所望のパターンに形成される。絶縁層１２０は、ポリイミド系樹脂以外の樹脂材料により構成されてもよく、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であってもよい。
　絶縁層１２０には、たとえば複数の第１開口１２２が設けられている。図５に示すように、第１開口１２２は、たとえばマトリクスを構成するように形成される。
　本実施形態においては、複数の第１開口１２２は、第１電極１１２上に位置するように形成される。図中Ｙ方向に延在する各第１電極１１２の上には、たとえば複数の第１開口１２２が所定の間隔を空けて図中Ｙ方向に配列される。また、これらの複数の第１開口１２２は、たとえば第１電極１１２と直交する方向（図中Ｘ方向）に延在する第２電極１５２と重なる位置に設けられる。このため、複数の第１開口１２２は、マトリクスを構成するように配置されることとなる。
　絶縁層１２０には、たとえば複数の第２開口１２４が設けられている。
　図５に示すように、第２開口１２４は、たとえば引出配線１６４上に位置するように設けられる。複数の第２開口１２４は、第１開口１２２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。この一辺に沿う方向（たとえば図中Ｙ方向）でみた場合、第２開口１２４は、第１開口１２２と同じ間隔で配置されている。
　絶縁層１２０上には、たとえば隔壁１７０が設けられている。
　図１に示すように、隔壁１７０は、図中Ｘ方向に延在するように設けられる。すなわち、隔壁１７０は、第２電極１５２の延在方向に沿って形成されることとなる。また、隔壁１７０は、図中Ｙ方向に配列されるよう複数設けられる。
　隔壁１７０は、たとえばポリイミド系樹脂等の感光性の樹脂であり、露光および現像されることによって所望のパターンに形成される。なお、隔壁１７０は、ポリイミド系樹脂以外の樹脂材料により構成されてもよく、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であってもよい。
　隔壁１７０は、たとえば断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）を有している。すなわち、隔壁１７０の上面の幅は、たとえば隔壁１７０の底面の幅よりも大きい。この場合、複数の第２電極１５２をスパッタリング法や蒸着法等により一括して形成する場合であっても、隣接する隔壁１７０間にそれぞれ位置する複数の第２電極１５２を互いに分断させることが可能となる。したがって、第２電極１５２を容易に形成することができる。
　なお、隔壁１７０の平面形状は、図１に示すものに限られない。このため、隔壁１７０の平面形状を変更することにより、隔壁１７０により互いに分断される複数の第２電極１５２の平面パターンを自由に変更することが可能となる。
　図２に示すように、第１開口１２２の中には、たとえば有機層１４０が形成されている。
　本実施形態において、有機層１４０は、たとえば正孔注入層１４２、発光層１４４および電子注入層１４６を順に積層した積層体により構成される。このとき、正孔注入層１４２は第１電極１１２に接し、電子注入層１４６は第２電極１５２に接する。このため、有機層１４０は、第１電極１１２と第２電極１５２との間に狭持されることとなる。
　なお、正孔注入層１４２と発光層１４４の間には正孔輸送層が形成されてもよいし、発光層１４４と電子注入層１４６の間には電子輸送層が形成されてもよい。また、有機層１４０は、正孔注入層１４２を有していなくともよい。
　本実施形態において、絶縁層１２０上には、たとえば隔壁１７０が設けられている。この場合、図２に示すように、隣接する隔壁１７０間に挟まれる複数の領域それぞれに設けられた有機層１４０は、図中Ｙ方向において互いに分断される。なお、隔壁１７０上には、たとえば有機層１４０と同一材料からなる積層膜が形成される。
　一方で、図３に示すように、有機層１４０を構成する各層は、隔壁１７０が延在する図中Ｘ方向において、隣り合う第１開口１２２の間において連続するように設けられる。
　有機層１４０上には、第２電極１５２が設けられている。このとき、有機層１４０の少なくとも一部は、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置されることとなる。
　本実施形態において、第２電極１５２は、たとえば有機ＥＬ素子の陰極となる。第２電極１５２は、たとえば図中Ｘ方向に直線状に延在するように設けられる。また、基板１００上には、たとえば互いに離間する複数の第２電極１５２が、第２電極１５２の延在方向と垂直な方向（図中Ｙ方向）に配列される。
　第２電極１５２は、たとえば錫、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、もしくは銀、またはこれらの合金等の金属材料により構成される。これらの材料は、一種を単独で用いてもよく、二種以上の任意の組み合わせを用いてもよい。なお、第２電極１５２が陰極である場合、第２電極１５２は、陽極である第１電極１１２よりも仕事関数が小さい導電性材料により構成されることが好ましい。
　基板１００上には、第２配線１５４が設けられている。
　第２配線１５４は、第１電極１１２または第２電極１５２のうち第１配線１１４と接続していない一方に接続している。これにより、第１電極１１２および第２電極１５２のうち第２配線１５４と接続されるいずれか一方は、第２配線１５４を介して外部へ接続されることとなる。
　本実施形態においては、第２配線１５４が有機層１４０上に設けられ、第２電極１５２に接続される場合が例示される。このとき、有機層１４０上には、それぞれ異なる第２電極１５２へ接続する複数の第２配線１５４が設けられる。このため、本実施形態における複数の第２電極１５２は、それぞれ第２配線１５４を介して外部へ接続されることとなる。なお、第２配線１５４は、たとえば一部が第２開口１２４内に埋め込まれ、当該一部において後述する引出配線１６４に接続される。
　第２配線１５４は、たとえば金属材料により構成される。第２配線１５４を構成する金属材料としては、たとえば第２電極１５２と同様のものを用いることができる。
　本実施形態において、第２電極１５２および第２配線１５４は、たとえば有機層１４０上に一体として設けられ、導電膜１５０を構成する。この場合、導電膜１５０のうち、複数の有機ＥＬ素子２０を含む画素領域３００内に位置する部分が、第２電極１５２となる。また、導電膜１５０のうち、画素領域３００外に位置する部分が、第２配線１５４となる。第２電極１５２は、たとえば第２配線１５４を介して引出配線１６４に接続する。なお、図１に示す例では、一点鎖線で囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
　図１に示す例において、有機層１４０上には、図中Ｘ方向に延在する導電膜１５０が複数設けられている。また、これらの複数の導電膜１５０は、互いに離間するよう図中Ｙ方向に配列されている。そして、導電膜１５０のうち、画素領域３００よりも引出配線１６４と接続する端部側に位置する部分が、第２配線１５４となる。
　複数の導電膜１５０は、たとえばスパッタリング法または蒸着法等を用いて有機層１４０上に一括で形成される。このような場合であっても、本実施形態においては絶縁層１２０上に隔壁１７０が形成されているため、隣接する隔壁１７０間に挟まれる複数の領域それぞれに設けられた導電膜１５０は図中Ｙ方向において互いに分断されることとなる。
　これにより、互いに離間するよう図中Ｙ方向に配列され、かつ図中Ｘ方向に延在する複数の導電膜１５０を形成することが可能となる。このとき、隔壁１７０上には、導電膜１５０と同一材料からなる膜が形成されることとなる。
　基板１００上には、たとえば引出配線１６４が設けられている。第２配線１５４は、引出配線１６４を介して外部に接続する。このため、第２電極１５２は、第２配線１５４および引出配線１６４を介して外部に接続され、信号が供給されることとなる。
　引出配線１６４は、たとえば金属材料により構成される。引出配線１６４を構成する金属材料としては、たとえば引出配線１３４と同様のものを用いることができる。この場合、引出配線１６４は、引出配線１３４と同時に形成することが可能となる。このため、発光装置１０の製造工程数が増大することを抑制することができる。
　次に、発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
　まず、基板１００上に引出配線１３４を形成する。引出配線１３４は、たとえば塗布法、スパッタリング法または蒸着法を用いて基板１００上に形成される。なお、本実施形態において、引出配線１３４は、第２導電膜１３０により構成される。このため、引出配線１３４は、たとえば上述した第２導電膜１３０を形成する方法および第２導電膜１３０を構成する材料を用いて形成される。
　また、本実施形態においては、たとえば引出配線１３４を形成する工程と同時に、基板１００上に引出配線１６４が形成される。この場合、引出配線１６４は、たとえば引出配線１３４と同様の方法および材料により形成される。
　次に、基板１００上に、第１配線１１４を形成する。第１配線１１４は、たとえば透明導電材料含有塗布液を基板１００上に塗布し、これを乾燥することにより形成される。なお、本実施形態において、第１配線１１４は、第１導電膜１１０である。このため、第１配線１１４は、たとえば上述した第１導電膜１１０を形成する方法および第１導電膜１１０を構成する材料を用いて形成される。また、第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４および第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４は、互いに接合して接合構造２００を形成する。
　第１配線１１４を形成する上記工程においては、たとえば第１配線１１４とともに、第１配線１１４に接続する第１電極１１２が形成される。この場合、第１電極１１２は、たとえば第１配線１１４と一体として第１導電膜１１０により形成される。
　次に、第１配線１１４に対し熱処理を施す。これにより、第１配線１１４を乾燥させる。透明導電材料が導電性高分子を含む場合には、第１配線１１４を乾燥させることにより導電性高分子の凝集力が高まり、第１配線１１４を強固な膜とすることができる。また、第１配線１１４に対し熱処理を施すことにより、第１配線１１４の硬化が行われる。また、第１配線１１４を構成する透明導電材料が感光性材料を含む場合には、ＵＶ照射により第１配線１１４を硬化してもよい。
　この段階において得られる構造が、図４に示されるものである。
　次に、基板１００上、第１電極１１２上、第１配線１１４上および引出配線１６４上に絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０は、ドライエッチングまたはウェットエッチング等を用いて所定の形状にパターニングされる。これにより、絶縁層１２０に、複数の第１開口１２２および複数の第２開口１２４が形成される。このとき、複数の第１開口１２２は、たとえば各第１開口１２２から第１電極１１２の一部が露出するように形成される。
　次に、絶縁層１２０上に隔壁１７０を形成する。隔壁１７０は、絶縁層１２０上に設けられた絶縁膜をドライエッチングまたはウェットエッチング等を用いて所定の形状にパターニングすることにより得られる。隔壁１７０が感光性樹脂により形成される場合、露光および現像時の条件を調節することにより、隔壁１７０の断面形状を逆台形にすることができる。この段階において得られる構造が、図５に示されるものである。
　次に、第１開口１２２内に、正孔注入層１４２、発光層１４４および電子注入層１４６を順に形成する。これらは、たとえば塗布法または蒸着法を用いて形成される。
　これにより、有機層１４０が形成される。
　次に、有機層１４０上に、第２電極１５２および第２配線１５４を構成する導電膜１５０を形成する。このとき、たとえば導電膜１５０の一部が第２開口１２４内に位置するように、導電膜１５０が形成される。導電膜１５０は、たとえば蒸着法またはスパッタリング法を用いて形成される。
　これにより、第１電極１１２と、第２電極１５２と、これらに狭持された有機層１４０と、により構成される有機ＥＬ素子２０が、基板１００上に形成されることとなる。
　本実施形態においては、たとえばこのようにして発光装置１０が形成される。
　以上、本実施形態によれば、遷移領域２０２における透明導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合は、第２導電膜１３０側から第１導電膜１１０側へ向かうにつれて減少していく。これにより、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との接合部における、電気抵抗値の変化を緩和させることができる。この場合、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０の電気抵抗値の差違に起因した接合部分における電流集中を緩和し、接合部分およびその周辺における接続不良の発生を抑制できる。したがって、互いに接合された第１導電膜と第２導電膜との間における接続信頼性を向上することができる。
　また、有機ＥＬ素子２０を構成する第１電極１１２に接続され、かつ第１導電膜１１０により構成される第１配線１１４と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１０を実現することができる。これにより、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。また、発光装置１０の動作信頼性を向上させることも可能となる。
（第２の実施形態）
　図１０は、第２の実施形態に係る発光装置１２を示す平面図であり、第１の実施形態に係る図１に対応している。図１１は、図１０のＣ－Ｃ断面を示す断面図であり、図１２は図１０のＤ－Ｄ断面を示す断面図である。図１３は、図１０に示す発光装置１２の一部を示す図である。図１３では、とくに第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との位置関係が示されている。
　本実施形態において、接合構造２００のうち第１導電膜１１０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極を構成する。接合構造２００のうち第２導電膜１３０は、たとえば有機ＥＬ素子を構成する電極と電気的に接続する引出配線を構成する。この場合、有機ＥＬ素子を構成する電極と、引出配線と、の間において、接合構造２００が形成される。このとき、接合構造２００には、第１方向に延びる法線を有する断面において有機ＥＬ素子を構成する電極と、引出配線と、のいずれもが存在する遷移領域２０２が存在する。
　本実施形態に係る発光装置１２は、第１電極１１２、および引出配線１３４の構成を除いて第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構成を有する。
　発光装置１２は、接合構造２００を有している。発光装置１２は、有機ＥＬ素子２０と、引出配線１３４と、を備えている。有機ＥＬ素子２０は、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２電極１５２と、第１電極１１２と第２電極１５２との間に配置された有機層１４０と、を有している。引出配線１３４は、第１電極１１２と接合し、かつ第２導電膜１３０により構成されている。
　以下、発光装置１２の構成の一例について説明する。
　本実施形態において、第１電極１１２は、たとえば基板１００上であって、画素領域３００内にマトリクス状に配置される。マトリクス状に配置された複数の第１電極１１２は、互いに離間する。なお、画素領域３００は、複数の有機ＥＬ素子２０を含む領域である。図１０に示す例では、一点鎖線により囲まれた領域が画素領域３００に該当する。
　第１電極１１２は、導電材料により構成される第１導電膜１１０により構成される。第１導電膜１１０が透明導電材料により構成される場合、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２は透明性を有することができる。
　本実施形態に係る発光装置１２においては、第１の実施形態に係る発光装置１０を構成する第１配線１１４が設けられていない。
　本実施形態では、引出配線１３４が第１電極１１２に接続される場合が例示される。引出配線１３４は、図中Ｙ方向に延在している。また、基板１００上には、互いに離間するよう図中Ｘ方向に配列された複数の引出配線１３４が設けられている。各引出配線１３４は、それぞれＹ方向に配列された複数の第１電極１１２に接続される。このため、複数の第１電極１１２は、それぞれ引出配線１３４を介して外部へ接続されることとなる。有機ＥＬ素子２０には、引出配線１３４を介して発光／非発光の信号が供給される。
　本実施形態において、引出配線１３４は、金属材料により構成される第２導電膜１３０により構成される。このため、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、が互いに接合して接合構造２００が形成されることとなる。図１３に示す例では、破線により囲まれた部分において接合構造２００が形成される。
　第１電極１１２は、一の端部において引出配線１３４と接続している。このとき、第１電極１１２は、たとえば上記一の端部において引出配線１３４と接合し、接合構造２００を形成することとなる。図１２に示すように、引出配線１３４のうち第１電極１１２と接合する部分は、たとえば平面視で有機ＥＬ素子２０を形成する領域内に位置する。第１電極１１２の形状は、特に限定されず有機ＥＬ素子２０の設計に併せて適宜選択可能であるが、たとえば矩形である。
　本実施形態において、第１電極１１２は、引出配線１３４からみて第１方向に延在している。このとき、第１電極１１２が延在する第１方向は、図中Ｘ方向に一致する。また、接合構造２００には、第１方向に延びる法線を有する断面において第１電極１１２および引出配線１３４のいずれもが存在する遷移領域２０２が存在している。遷移領域２０２における透明導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合は、引出配線１３４側から第１電極１１２側へ向かうにつれて減少していく。
　絶縁層１２０は、たとえば引出配線１３４を覆うように形成される。本実施形態においては、たとえば引出配線１３４と引出配線１６４のそれぞれの一部を覆うように絶縁層１２０が設けられる。また、図１３に示すように、絶縁層１２０には、複数の第１開口１２２が、たとえばマトリクスを構成するように形成される。
　本実施形態においては、第１電極１１２は、第１開口１２２内に形成される。これにより、基板１００上にマトリクス状に配置された複数の第１電極１１２が形成される。また、図１１および１２に示すように、複数の第１電極１１２は、絶縁層１２０によって互いに離間されることとなる。第１開口１２２は、たとえば引出配線１３４の一部と平面視で重なるように形成される。この場合、引出配線１３４のうちの第１開口１２２と平面視で重なる一部が、第１開口１２２に形成された第１電極１１２と接続することとなる。
　絶縁層１２０は、たとえば第１の実施形態と同様の材料により構成される。
　本実施形態における隔壁１７０、有機層１４０、第２電極１５２、第２配線１５４、および引出配線１６４は、たとえば第１の実施形態と同様の構成を有する。
　以上、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１導電膜１１０と第２導電膜１３０との間における接続信頼性を向上させることができる。
　また、本実施形態によれば、第１導電膜１１０により構成される第１電極１１２と、第２導電膜１３０により構成される引出配線１３４と、を備える発光装置１２を実現することができる。これにより、第１電極１１２と引出配線１３４との間における接続信頼性を向上させることができる。また、発光装置の動作信頼性を向上させることも可能となる。
　また、本実施形態においては発光装置１２がディスプレイである場合が例示されるが、発光装置１２は照明装置等の光源にも適用することが可能である。
　以下、実施形態を、実施例を参照して詳細に説明する。なお、本実施形態は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
（実施例１）
　まず、ガラス基板上に、銀からなる金属膜を、スパッタリング法を用いて形成した。次いで、この金属膜をドライエッチングによりライン状にパターニングし、第２導電膜を形成した。次いで、第２導電膜の一部に銀粒子含有インキをインクジェット法により塗布した後、これを１５０℃、１０分の条件下で乾燥した。ここでは、バインダ成分であるアクリル樹脂と、有機溶剤と、銀粒子と、を含む銀粒子含有インキを使用した。これにより、第２導電膜の一部に対し、断面視における面積が第２導電膜の外側へ向けて減少していく形状を有するように第１加工処理を施した。次いで、第２導電膜の第１加工処理が施された一部に対し、ドライエッチングによる第２加工処理を施した。このとき、第２導電膜の当該一部が、上面視における面積が第２導電膜の外側へ向けて減少していく形状を有するよう、エッチングマスクを選択した。次いで、透明導電材料含有塗布液をガラス基板上にライン状に塗布し、これを乾燥して第１導電膜を形成した。このとき、第１導電膜が、第２導電膜のうちの第１および第２加工処理が施された一部を覆うように、上記塗布液を塗布した。ここで、上記塗布液としては、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ、ＣＬＥＶＩＯＳ　ＰＨ５１０（Ｈｅｒａｅｕｓ社製））を溶剤中へ分散して得られる溶液を使用した。これにより、第１導電膜と、第２導電膜と、からなる構造体を作製した。
　このようにして得られた構造体を、第１の実施形態に係る発光装置に適用した。
　実施例１では、第１導電膜と第２導電膜との接合構造には、第１方向に延びる法線を有する断面において第１導電膜および第２導電膜のいずれもが存在する遷移領域が存在していた。遷移領域における透明導電材料および金属材料の合計に対する金属材料の占める割合は、第２導電膜側から第１導電膜側へ向かうにつれて減少していた。第２導電膜の上面は、遷移領域において第１導電膜側に向かうにつれて低くなる傾斜面を有していた。第２導電膜のうち遷移領域に位置する部分は、側面の上面視における外形線が鋸歯状であり、かつ複数の孔を有するように、上面視における形状が加工された。このとき、複数の孔は、第１導電膜側へ向かうにつれて数が増大するように設けられた。
　実施例１においては、第１導電膜と第２導電膜との間に長時間電流を流した際における、第１導電膜と第２導電膜との間の接続信頼性に優れていた。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (9)

  1. 　導電材料により構成される第１導電膜と、金属材料により構成される第２導電膜と、が互いに接合してなる接合構造であって、
    　前記第１導電膜は、前記第２導電膜からみて第１方向に延在しており、
    　前記第１方向に延びる法線を有する断面において前記第１導電膜および前記第２導電膜のいずれもが存在する遷移領域が存在しており、
    　前記遷移領域における前記導電材料および前記金属材料の合計に対する前記金属材料の占める割合は、前記第２導電膜側から前記第１導電膜側へ向かうにつれて減少していく接合構造。
  2. 　請求項１に記載の接合構造において、
    　前記第２導電膜の上面は、前記遷移領域において前記第１導電膜側に向かうにつれて低くなる傾斜面を有している接合構造。
  3. 　請求項１または２に記載の接合構造において、
    　前記第２導電膜は、少なくとも前記遷移領域において、前記第２導電膜側から前記第１導電膜側へ向かうにつれて数が増大していく複数の孔を有している接合構造。
  4. 　請求項１～３いずれか一項に記載の接合構造において、
    　前記第２導電膜のうち前記遷移領域に位置する側面の少なくとも一部の上面視における外形線は、波状または鋸歯状である接合構造。
  5. 　請求項１～４いずれか一項に記載の接合構造において、
    　前記導電材料は、導電性高分子を含む接合構造。
  6. 　請求項１～５いずれか一項に記載の接合構造において、
    　前記第１導電膜は、有機ＥＬ素子を構成する電極に接続する第１配線であり、
    　前記第２導電膜は、前記第１配線と電気的に接続する引出配線である接合構造。
  7. 　請求項１～５いずれか一項に記載の接合構造において、
    　前記第１導電膜は、有機ＥＬ素子を構成する電極であり、
    　前記第２導電膜は、前記電極と電気的に接続する配線である接合構造。
  8. 　請求項１～５いずれか一項に記載の接合構造を有する発光装置であって、
    　第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間に配置された有機層と、を有する有機ＥＬ素子と、
    　前記第１電極と電気的に接続し、かつ前記第１導電膜により構成される第１配線と、
    　前記第１配線と接合し、かつ前記第２導電膜により構成される引出配線と、
    　を備える発光装置。
  9. 　請求項１～５いずれか一項に記載の接合構造を有する発光装置であって、
    　前記第１導電膜により構成される第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間に配置された有機層と、を有する有機ＥＬ素子と、
    　前記第１電極に接合し、かつ前記第２導電膜により構成される引出配線と、
    　を備える発光装置。
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