JPWO2014091941A1 - 有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物、及び有機エレクトロニクスデバイス - Google Patents

Abstract

ブロック共重合体の全不飽和結合の９０％以上を水素化して得られるブロック共重合体水素化物を含有する有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物であって、前記ブロック共重合体は、芳香族ビニル化合物単位を主成分とする、共重合体１分子あたり２個以上の重合体ブロック［Ａ］と、鎖状共役ジエン化合物単位を主成分とする、共重合体１分子あたり１個以上の重合体ブロック［Ｂ］とを有し、前記ブロック共重合体全体に占める、全重合体ブロック［Ａ］の重量分率ｗＡと全重合体ブロック［Ｂ］の重量分率ｗＢとの比（ｗＡ：ｗＢ）が２０：８０〜６０：４０である、有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物；ならびにそれを含むデバイス。

Description

本発明は、有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物、及び有機エレクトロニクスデバイスに関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、適宜「有機ＥＬ素子」ということがある。）、及び有機半導体素子等の素子を備える有機エレクトロニクスデバイスには、封止用の部材が設けられることがある。かかる封止用の部材を、デバイスの内部の有機材料を封止するような態様で設けることにより、有機材料が水蒸気及び酸素により劣化することを防ぐことができ、ひいてはデバイスの性能の低下を防ぐことができる。

かかる封止用の部材としては、スチレン系エラストマーを含む柔軟な材料（特許文献１）、エポキシ系材料（特許文献２）等の材料が知られている。かかる柔軟な樹脂の部材を封止用の部材として用いることにより、素子の封止を達成し、且つ、デバイスの凹凸をカバーし、デバイスの強度を高めることができる。

特開２００５−１２９５２０号公報（対応公報：欧州特許出願公開第１６７０２９２号明細書、米国特許出願公開第２００８／２２０２４５号明細書） 特開２００６−１８３００２号公報

しかしながら、従来の封止用の部材には、封止部材の層を形成した後の脱ガスが多いという問題点がある。係る脱ガスの現象は、封止部材層形成後の、デバイス製造の操作において障害となり得る。また、脱ガスにより封止部材外に出たガスが素子内部へ入ると、有機材料の劣化をもたらし得る。

従って、本発明の目的は、脱ガスが少なく、良好な封止を達成することができる、有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物を提供することにある。
本発明のさらなる目的は、有機材料が良好に封止され、経時的耐久性等において優れた性能を有する有機エレクトロニクスデバイスを提供することにある。

本発明者は、上述の課題を解決するべく検討した結果、封止用の組成物として、特定のブロック共重合体水素化物を含むものを採用することにより、上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明によれば、以下のものが提供される。

〔１〕 ブロック共重合体の全不飽和結合の９０％以上を水素化して得られるブロック共重合体水素化物を含有する有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物であって、
前記ブロック共重合体は、
芳香族ビニル化合物単位を主成分とする、共重合体１分子あたり２個以上の重合体ブロック［Ａ］と、
鎖状共役ジエン化合物単位を主成分とする、共重合体１分子あたり１個以上の重合体ブロック［Ｂ］と
を有し、
前記ブロック共重合体全体に占める、全重合体ブロック［Ａ］の重量分率ｗＡと全重合体ブロック［Ｂ］の重量分率ｗＢとの比（ｗＡ：ｗＢ）が２０：８０〜６０：４０である、
有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
〔２〕 前記ブロック共重合体水素化物の重量平均分子量が、３０，０００〜２００，０００である、〔１〕に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
〔３〕 前記ブロック共重合体が、前記重合体ブロック［Ｂ］の両端に、前記重合体ブロック［Ａ］が結合したトリブロック共重合体である、〔１〕又は〔２〕に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
〔４〕 前記ブロック共重合体水素化物がアルコキシシリル基を有する、〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
〔５〕 前記重合体ブロック［Ａ］が、前記芳香族ビニル化合物単位を９０重量％以上含み、前記重合体ブロック［Ｂ］が、前記鎖状共役ジエン化合物単位を９０重量％以上含む、〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
〔６〕 さらに、可塑剤を、前記ブロック共重合体水素化物１００重量部に対して１〜５０重量部含有する、〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
〔７〕前記可塑剤が、数平均分子量２００〜５０００の炭化水素重合体である〔６〕に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
〔８〕 有機材料を含む素子と、〔１〕〜〔７〕のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物の層とを有する有機エレクトロニクスデバイス。
〔９〕 前記素子と、前記封止用樹脂組成物の層との間に介在する吸着剤の層をさらに含む、〔８〕に記載の有機エレクトロニクスデバイス。
〔１０〕 前記素子と、前記封止用樹脂組成物の層との間に介在する仮封止層をさらに含む、〔８〕又は〔９〕に記載の有機エレクトロニクスデバイス。

本発明の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物によれば、脱ガスが少なく、良好な、有機エレクトロニクスデバイス封止を達成することができる。
本発明の有機エレクトロニクスデバイスは、デバイスを構成する有機材料が良好に封止され、劣化が少なく、経時的耐久性等において優れた性能を有する。

図１は、有機ＥＬ素子等の構成要素を含む、有機エレクトロニクスデバイスを構成する組立体を概略的に示す斜視図である。 図２は、図１に示す組立体及び封止用樹脂組成物の層からなる有機エレクトロニクスデバイスの例を概略的に示す縦断面図である。 図３は、本発明の有機エレクトロニクスデバイスの別の例を概略的に示す縦断面図である。 図４は、本発明の有機エレクトロニクスデバイスのさらに別の例を概略的に示す縦断面図である。 図５は、有機半導体等の構成要素を含む、本発明の有機エレクトロニクスデバイスのさらに別の例を概略的に示す縦断面図である。

以下、実施形態及び例示物等を示して本発明について詳細に説明するが、本発明は以下に示す実施形態及び例示物等に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

［１．ブロック共重合体］
本発明に用いられるブロック共重合体は、芳香族ビニル化合物単位を主成分とする、共重合体１分子あたり２個以上の重合体ブロック［Ａ］と、鎖状共役ジエン化合物単位を主成分とする、共重合体１分子あたり１個以上の重合体ブロック［Ｂ］とを有する。

重合体ブロック［Ａ］が有する芳香族ビニル化合物単位は、芳香族ビニル化合物の重合により得られる単位である。芳香族ビニル化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２，４−ジイソプロピルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、４−ｔ−ブチルスチレン、５−ｔ−ブチル−２−メチルスチレン、４−モノクロロスチレン、ジクロロスチレン、４−モノフルオロスチレン、４−フェニルスチレンなどが挙げられる。これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。中でも、吸湿性の面で極性基を含有しないものが好ましい。更に、工業的入手のし易さ、耐衝撃性の観点から、スチレンが特に好ましい。

重合体ブロック［Ａ］における芳香族ビニル化合物単位の含有率は、通常９０重量％以上、好ましくは９５重量％以上、より好ましくは９９重量％以上である。重合体ブロック［Ａ］において芳香族ビニル化合物単位の量を前記のように多くすることにより、封止用樹脂組成物の層の耐熱性を高めることができる。重合体ブロック［Ａ］における芳香族ビニル化合物単位の含有率の上限は、１００重量％以下としうる。

重合体ブロック［Ａ］は、芳香族ビニル化合物単位以外の成分を含んでいてもよい。芳香族ビニル化合物単位以外の成分としては、例えば、鎖状共役ジエン化合物単位、芳香族ビニル化合物以外のビニル化合物を重合して形成される構造を有する構造単位、などが挙げられる。

鎖状共役ジエン化合物単位に対応する鎖状共役ジエン化合物としては、例えば、１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエンなどが挙げられる。これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。中でも、吸湿性の面で極性基を含有しないものが好ましく、具体的には１，３−ブタジエン、イソプレンが特に好ましい。

芳香族ビニル化合物以外のビニル化合物としては、例えば、鎖状ビニル化合物；環状ビニル化合物；ニトリル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシカルボニル基、又はハロゲン基を有するビニル化合物；不飽和の環状酸無水物；不飽和イミド化合物などが挙げられる。好ましい例を挙げると、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、１−ドデセン、１−エイコセン、４−メチル−１−ペンテン、４，６−ジメチル−１−ヘプテン等の鎖状オレフィン；ビニルシクロヘキサン等の環状オレフィン；などの、極性基を含有しないものが吸湿性の面で好ましい。中でも、鎖状オレフィンがより好ましく、エチレン、プロピレンが特に好ましい。また、これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

重合体ブロック［Ａ］における芳香族ビニル化合物単位以外の成分の含有率は、通常１０重量％以下、好ましくは５重量％以下、より好ましくは１重量％以下である。重合体ブロック［Ａ］における芳香族ビニル化合物単位以外の成分の含有率の下限は、０重量％以上としうる。

ブロック共重合体１分子における重合体ブロック［Ａ］の数は、通常２個以上であり、通常５個以下、好ましくは４個以下、より好ましくは３個以下である。１分子中に複数個ある重合体ブロック［Ａ］は、互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。

重合体ブロック［Ｂ］が有する鎖状共役ジエン化合物単位は、鎖状共役ジエン化合物の重合により得られる単位である。鎖状共役ジエン化合物としては、例えば、重合体ブロック［Ａ］に含まれていてもよいものとして例示したものと同様のものを挙げられる。

重合体ブロック［Ｂ］における鎖状共役ジエン化合物単位の含有率は、通常９０重量％以上、好ましくは９５重量％以上、より好ましくは９９重量％以上である。重合体ブロック［Ｂ］において鎖状共役ジエン化合物単位の量を前記のように多くすることにより、封止用樹脂組成物の層の低温での耐衝撃性を向上させることができる。重合体ブロック［Ｂ］における鎖状共役ジエン化合物単位の含有率の上限は、１００重量％以下としうる。

また、重合体ブロック［Ｂ］は、鎖状共役ジエン化合物単位以外の成分を含んでいてもよい。鎖状共役ジエン化合物単位以外の成分としては、例えば、芳香族ビニル化合物単位、並びに、芳香族ビニル化合物以外のビニル化合物を重合して形成される構造を有する構造単位などが挙げられる。これらの芳香族ビニル化合物単位、並びに、芳香族ビニル化合物以外のビニル化合物を重合して形成される構造を有する構造単位は、例えば、重合体ブロック［Ａ］に含まれていてもよいものとして例示したものが、同様に挙げられる。

重合体ブロック［Ｂ］における鎖状共役ジエン化合物単位以外の成分の含有率は、通常１０重量％以下、好ましくは５重量％以下、より好ましくは１重量％以下である。特に、重合体ブロック［Ｂ］における芳香族ビニル化合物単位の含有率を低くすることにより、封止用樹脂組成物の層の低温での柔軟性を向上させて、封止用樹脂組成物の層の低温での耐衝撃性を向上させることができる。重合体ブロック［Ｂ］における鎖状共役ジエン化合物単位以外の成分の含有率の下限は、０重量％以上としうる。

ブロック共重合体１分子における重合体ブロック［Ｂ］の数は、通常１個以上であるが、２個以上であってもよい。ブロック共重合体における重合体ブロック［Ｂ］の数が２個以上である場合、重合体ブロック［Ｂ］は、互いに同じでもよく、異なっていてもよい。

ブロック共重合体のブロックの形態は、鎖状型ブロックでもよく、ラジアル型ブロックでもよい。中でも、鎖状型ブロックが、機械的強度に優れ、好ましい。
鎖状型ブロックの形態である場合、その両端がブロック［Ａ］であることが、封止用樹脂組成物のベタツキを所望の低い値に抑え、封止用樹脂組成物としての機能を発現させる上で特に好ましい。
ブロック共重合体の特に好ましい形態は、重合体ブロック［Ｂ］の両端に重合体ブロック［Ａ］が結合したトリブロック共重合体；重合体ブロック［Ａ］の両端に重合体ブロック［Ｂ］が結合し、更に、該両重合体ブロック［Ｂ］の他端にそれぞれ重合体ブロック［Ａ］が結合したペンタブロック共重合体である。特に、［Ａ］−［Ｂ］−［Ａ］のトリブロック共重合体であることが、製造が容易であり且つ粘度等の物性を所望の範囲とすることができるため、特に好ましい。

ブロック共重合体において、全重合体ブロック［Ａ］がブロック共重合体全体に占める重量分率ｗＡと、全重合体ブロック［Ｂ］がブロック共重合体全体に占める重量分率をｗＢとの比（ｗＡ：ｗＢ）は、２０：８０〜６０：４０であり、好ましくは３０：７０〜５５：４５である。ｗＡの割合を前記範囲の下限値以上とすることにより、封止用樹脂組成物の層の耐熱性を向上させることができる。また、上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物の層の柔軟性を高めて、封止用樹脂組成物の層のガスバリア性を安定して良好に維持することができると共に、Ｔｇを下げることで封止温度をも下げ、有機ＥＬ素子等の損傷を減少させることができる。

１分子のブロック共重合体に、異なる重合体ブロック［Ａ］又は重合体ブロック［Ｂ］が複数存在する場合、重合体ブロック［Ａ］の中で重量平均分子量が最大の重合体ブロック及び最少の重合体ブロックの重量平均分子量をそれぞれＭｗ（Ａ１）及びＭｗ（Ａ２）とし、重合体ブロック［Ｂ］の中で重量平均分子量が最大の重合体ブロック及び最少の重合体ブロックの重量平均分子量をそれぞれＭｗ（Ｂ１）及びＭｗ（Ｂ２）とする。このとき、Ｍｗ（Ａ１）とＭｗ（Ａ２）との比「Ｍｗ（Ａ１）／Ｍｗ（Ａ２）」、及び、Ｍｗ（Ｂ１）とＭｗ（Ｂ２）との比「Ｍｗ（Ｂ１）／Ｍｗ（Ｂ２）」は、それぞれ、好ましくは２．０以下、より好ましくは１．５以下、特に好ましくは１．２以下である。これにより、各種物性値のばらつきを小さく抑えることができる。これらの比の下限は、１．０以上としうる。

ブロック共重合体の分子量は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするＧＰＣにより測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）で、通常３０，０００以上、好ましくは４０，０００以上、より好ましくは５０，０００以上であり、通常２００，０００以下、好ましくは１５０，０００以下、より好ましくは１００，０００以下である。また、ブロック共重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは３以下、より好ましくは２以下、特に好ましくは１．５以下である。これらの比の下限は、１．０以上としうる。

ブロック共重合体の製造方法の例としては、例えば３つの重合体ブロックを有するブロック共重合体を製造する場合、下記の方法が挙げられる。

（製造方法１）芳香族ビニル化合物を含有するモノマー混合物（ａ１）を重合させて重合体ブロック［Ａ］を形成する第１工程と、
かかる重合体ブロック［Ａ］の一端において、鎖状共役ジエン化合物を含有するモノマー混合物（ｂ１）を重合させて重合体ブロック［Ｂ］を形成し、［Ａ］−［Ｂ］のジブロックの重合体を形成する第２工程と、
かかるジブロックの、ブロック［Ｂ］側の末端において、芳香族ビニル化合物を含有するモノマー混合物（ａ２）（ただし、モノマー混合物（ａ１）とモノマー混合物（ａ２）は同一でも異なっていてもよい。）を重合させて、ブロック共重合体を得る第３工程とを有する方法。

（製造方法２）芳香族ビニル化合物を含有するモノマー混合物（ａ１）を重合させて重合体ブロック［Ａ］を形成する第１工程と、
かかる重合体ブロック［Ａ］の一端において、鎖状共役ジエン化合物を含有するモノマー混合物（ｂ１）を重合させて重合体ブロック［Ｂ］を形成し、［Ａ］−［Ｂ］のジブロックの重合体を形成する第２工程と、
かかるジブロックの重合体の、重合体ブロック［Ｂ］側の末端同士を、カップリング剤によりカップリングさせて、ブロック共重合体を得る第３工程とを有する方法。

上記モノマー混合物を重合してそれぞれの重合体ブロックを得る方法としては、例えば、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合、配位アニオン重合、配位カチオン重合などを用いうる。重合操作及び後工程での水素化反応を容易にする観点では、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合などを、リビング重合により行う方法が好ましく、リビングアニオン重合により行う方法が特に好ましい。

前記のモノマー混合物の重合は、重合開始剤の存在下で、通常０℃以上、好ましくは１０℃以上、より好ましくは２０℃以上、また、通常１００℃以下、好ましくは８０℃以下、より好ましくは７０℃以下の温度範囲において行う。
リビングアニオン重合を行う場合は、重合開始剤として、例えば、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、ヘキシルリチウム等のモノ有機リチウム；ジリチオメタン、１，４−ジリチオブタン、１，４−ジリチオ−２−エチルシクロヘキサン等の多官能性有機リチウム化合物；などを用いうる。これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

重合反応の形態は、溶液重合、スラリー重合などのいずれでもよい。中でも、溶液重合を用いると、反応熱の除去が容易である。
溶液重合を行う場合、溶媒としては、各工程で得られる重合体が溶解しうる不活性溶媒を用いる。不活性溶媒としては、例えば、ｎ−ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、イソオクタン等の脂肪族炭化水素類；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタン、メチルシクロヘキサン、デカリン等の脂環式炭化水素類；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類；などが挙げられる。これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。中でも、溶媒として脂環式炭化水素類を用いると、水素化反応にも不活性な溶媒としてそのまま使用でき、ブロック共重合体の溶解性も良好であるため、好ましい。溶媒の使用量は、全使用モノマー１００重量部に対して、通常２００重量部〜２０００重量部である。

それぞれのモノマー混合物が２種以上のモノマーを含む場合、ある１成分の連鎖だけが長くなるのを防止するために、例えばランダマイザーを使用しうる。特に重合反応をアニオン重合により行う場合には、例えばルイス塩基化合物等をランダマイザーとして使用することが好ましい。ルイス塩基化合物としては、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジフェニルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルフェニルエーテル等のエーテル化合物；テトラメチルエチレンジアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等の第３級アミン化合物；カリウム−ｔ−アミルオキシド、カリウム−ｔ−ブチルオキシド等のアルカリ金属アルコキシド化合物；トリフェニルホスフィン等のホスフィン化合物；などが挙げられる。これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

［２．ブロック共重合体水素化物］
本発明の封止用樹脂組成物は、ブロック共重合体水素化物を含有する。かかるブロック共重合体水素化物は、上に述べた特定のブロック共重合体の全不飽和結合の９０％以上を水素化して得られるものである。

ブロック共重合体の全不飽和結合とは、ブロック共重合体の主鎖及び側鎖の、芳香族性及び非芳香族性の炭素−炭素不飽和結合の合計である。水素化率は、９０％以上、好ましくは９７％以上、より好ましくは９９％以上である。水素化率が高いほど、封止用樹脂組成物の耐熱性及び耐光性を良好にできる。ここで、水素化物の水素化率は、^１Ｈ−ＮＭＲによる測定により求めることができる。水素化率の上限は、１００重量％以下としうる。

特に、非芳香族性の不飽和結合の水素化率は、好ましくは９５％以上、より好ましくは９９％以上である。非芳香族性の炭素−炭素不飽和結合の水素化率を高めることにより、封止用樹脂組成物の耐光性及び耐酸化性を更に高くできる。水素化率の上限は、１００重量％以下としうる。
また、芳香族性の炭素−炭素不飽和結合の水素化率は、好ましくは９０％以上、より好ましくは９３％以上、特に好ましくは９５％以上である。芳香環の炭素−炭素不飽和結合の水素化率を高めることにより、重合体ブロック［Ａ］を水素化して得られる重合体ブロックのガラス転移温度が高くなるので、封止用樹脂組成物の層の耐熱性を効果的に高めることができる。水素化率の上限は、１００重量％以下としうる。

ブロック共重合体水素化物は、アルコキシシリル基を有するものとしうる。かかるアルコキシシリル基を有するブロック共重合体水素化物は、ブロック共重合体の水素化反応の後、反応生成物に対し、必要に応じてアルコキシシランによる変性の操作を行ない、アルコキシシリル基を導入することにより製造することができる。
アルコキシシリル基は、上記ブロック共重合体水素化物に直接結合していても、アルキレン基などの２価の有機基を介して結合していても良い。アルコキシシリル基の導入方法としては、通常、上記のブロック共重合体水素化物とエチレン性不飽和シラン化合物とを過酸化物の存在下で反応させる方法を採用しうる。アルコキシシリル基の導入量が多すぎると、微量の水分等で分解されたアルコキシシリル基同士の架橋度が高くなり、封止対象との接着性が低下し易くなるという問題を生じる。この観点から、アルコキシシリル基を有するブロック共重合体水素化物をブロック共重合体水素化物として用いる場合、アルコキシシリル基の導入量は、かかる基の導入前のブロック共重合体水素化物の重量に対し、通常０．１〜１０ｇ／１００ｇ、好ましくは０．２〜５ｇ／１００ｇ、より好ましくは０．３〜３ｇ／１００ｇである。アルコキシシリル基の導入量は、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（導入量が少ない場合は積算回数を増やす）にて算出される。

エチレン性不飽和シラン化合物としては、特に限定されず、上記のブロック共重合体水素化物とグラフト重合し、ブロック共重合体水素化物にアルコキシシリル基を導入しうるものを適宜選択しうる。エチレン性不飽和シラン化合物の例としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、ｐ−スチリルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、及び２−ノルボルネン−５−イルトリメトキシシランなどのエチレン性不飽和シラン化合物から選択される少なくとも１種類を挙げることができる。本発明においては、中でも、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシランが好適に用いられる。

これらのエチレン性不飽和シラン化合物は、１種類を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。エチレン性不飽和シラン化合物の使用量は、ブロック共重合体水素化物１００重量部に対して、通常０．１〜１０重量部、好ましくは０．２〜５重量部、より好ましくは０．３〜３重量部である。

過酸化物としては、例えば、ジベンゾイルパーオキシド、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、２，２−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルクミルパーオキシド、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ヘキシルパーオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシヘキサン）、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン−３、ｔ−ブチルヒドロパーオキシド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ラウロイルパーオキシド、ジプロピオニルパーオキシド、ｐ−メンタンハイドロパーオキサイドなどの有機過酸化物から選択される１種類以上を用いることができる。本発明においては、中でも、１分間半減期温度が１７０〜１９０℃のものが好ましく使用され、例えば、ｔ−ブチルクミルパーオキシド、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ヘキシルパーオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシヘキサン）、ジ−ｔ−ブチルパーオキシドなどが好適に用いられる。

これらの過酸化物は、１種類を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。過酸化物の使用量は、ブロック共重合体水素化物１００重量部に対して、通常０．０１〜５重量部、好ましくは０．２〜３重量部、より好ましくは０．３〜２重量部である。

上記のブロック共重合体水素化物とエチレン性不飽和シラン化合物とを過酸化物の存在下で反応させる方法は、過熱混練機や反応器を用いて行うことができる。例えば、ブロック共重合体水素化物とエチレン性不飽和シラン化合物と過酸化物との混合物を、二軸混練機にてブロック共重合体の溶融温度以上で加熱溶融させて、所望の時間混練することにより変性することができる。本発明のブロック共重合体では、その温度は、通常１８０〜２４０℃、好ましくは１９０〜２３０℃、より好ましくは２００〜２２０℃である。加熱混練時間は、通常０．１〜１５分、好ましくは０．２〜１０分、より好ましくは０．３〜５分程度である。二軸混練機、短軸押出し機などの連続混練設備を使用する場合は、滞留時間が上記範囲になるようにして、連続的に混練、押出しを行いうる。

アルコキシシリル基を有するブロック共重合体水素化物の分子量は、導入されるアルコキシシリル基の量が少ないため、アルコキシシリル基導入前のブロック共重合体水素化物の分子量から大きく変化しない。但し、過酸化物の存在下で変性反応させるため、重合体の架橋反応、切断反応も併発し、分子量分布は大きくなる。アルコキシシリル基を有するブロック共重合体水素化物の分子量は、テトラヒドロフランを溶媒としたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）で、通常（３０，０００〜２００，０００）、好ましくは（４０，０００〜１５０，０００）、より好ましくは（５０，０００〜１２０，０００）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常３．５以下、好ましくは２．５以下、特に好ましくは２．０以下である。Ｍｗ／Ｍｎの下限は、１．０以上としうる。ＭｗおよびＭｗ／Ｍｎがこの範囲であると、本発明の封止用樹脂組成物の良好な機械強度や引張り伸びが維持される。上記のようにして得られた変性重合体は、ガラス、無機物、金属などの材料との接着性が改善され、有機エレクトロニクスデバイスの封止層に使用した場合、仮封止層などの他の層との接着性が高くなる。それゆえ、有機エレクトロニクスデバイスの信頼性評価で通常行われる高温高湿環境に長時間暴露された後も、十分な接着力を維持することができ、好ましく適用される。

具体的な水素化方法は、所望の水素化物が得られる限り制限は無いが、水素化率を高くでき、ブロック共重合体の鎖切断反応の少ない水素化方法が好ましい。このような好ましい水素化方法としては、例えば、ニッケル、コバルト、鉄、チタン、ロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、レニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含む水素化触媒を用いて行う方法が挙げられる。水素化触媒は、不均一系触媒、均一系触媒のいずれも使用可能である。また、水素化反応は、有機溶媒中で行うのが好ましい。

不均一系触媒は、例えば、金属又は金属化合物のままで用いてもよく、適切な担体に担持して用いてもよい。担体としては、例えば、活性炭、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、チタニア、マグネシア、ジルコニア、ケイソウ土、炭化珪素、フッ化カルシウムなどが挙げられる。触媒の担持量は、触媒及び担体の合計量に対して、通常０．１重量％以上、好ましくは１重量％以上であり、通常６０重量％以下、好ましくは５０重量％以下である。また、担持型触媒の比表面積は、好ましくは１００ｍ^２／ｇ〜５００ｍ^２／ｇである。さらに、担持型触媒の平均細孔径は、好ましくは１００Å以上、より好ましくは２００Å以上であり、好ましくは１０００Å以下、好ましくは５００Å以下である。ここで、比表面積は、窒素吸着量を測定しＢＥＴ式を用いて求められる。また、平均細孔径は、水銀圧入法により測定しうる。

均一系触媒としては、例えば、ニッケル、コバルト、チタン又は鉄の化合物と有機金属化合物とを組み合わせた触媒；ロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、レニウム等の有機金属錯体触媒；などを用いることができる。
ニッケル、コバルト、チタン又は鉄の化合物としては、例えば、各金属のアセチルアセトナト化合物、カルボン酸塩、シクロペンタジエニル化合物等が挙げられる。
また、有機金属化合物としては、例えば、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム等のアルキルアルミニウム、ジエチルアルミニウムクロリド、エチルアルミニウムジクロリド等のハロゲン化アルミニウム、ジイソブチルアルミニウムハイドライド等の水素化アルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物；並びに有機リチウム化合物などが挙げられる。
有機金属錯体触媒としては、例えば、ジヒドリド−テトラキス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジヒドリド−テトラキス（トリフェニルホスフィン）鉄、ビス（シクロオクタジエン）ニッケル、ビス（シクロペンタジエニル）ニッケル等の遷移金属錯体が挙げられる。

これらの水素化触媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
水素化触媒の使用量は、ブロック共重合体１００重量部に対して、通常０．０１重量部以上、好ましくは０．０５重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上であり、通常１００重量部以下、好ましくは５０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下である。

水素化反応の温度は、通常１０℃以上、好ましくは５０℃以上、より好ましくは８０℃以上であり、通常２５０℃以下、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下であるときに、水素化率が高くなり、分子切断も減少する。また、水素化反応時の水素圧力は、通常０．１ＭＰａ以上、好ましくは１ＭＰａ以上、より好ましくは２ＭＰａ以上であり、通常３０ＭＰａ以下、好ましくは２０ＭＰａ以下、より好ましくは１０ＭＰａ以下であるときに、水素化率が高くなり、分子鎖切断も減少し、操作性にも優れる。

水素化反応後の生成物は、そのまま、本発明に用いるブロック共重合体水素化物としうる。又は、水素化反応後の生成物に対し、必要に応じてさらに任意の操作を行い、本発明に用いるブロック共重合体水素化物としうる。例えば、水素化反応後の生成物に対し、必要に応じてアルコキシシランによる変性の操作を行うことができる。

上記した方法で得られるブロック共重合体水素化物は、水素化触媒及び重合触媒を、水素化物を含む反応溶液から例えば濾過、遠心分離などの方法により除去した後、反応溶液から回収されうる。反応溶液から水素化物を回収する方法としては、例えば、水素化物が溶解した溶液からスチームストリッピングにより溶媒を除去するスチーム凝固法；減圧加熱下で溶媒を除去する直接脱溶媒法；水素化物の貧溶媒中に溶液を注いで析出及び凝固させる凝固法などが挙げられる。

回収されたブロック共重合体水素化物の形態は限定されるものではないが、その後の成形加工又は変性反応に供し易いように、ペレット形状とするのが通常である。直接脱溶媒法により反応溶液から水素化物を回収した場合、例えば、溶融状態の水素化物をダイスからストランド状に押し出し、冷却後、ペレタイザーでカッティングしてペレット状にして、各種の成形に供してもよい。また、凝固法を用いる場合は、例えば、得られた凝固物を乾燥した後、押出機により溶融状態で押し出し、上記と同様にペレット状にして各種の成形に供してもよい。

ブロック共重合体水素化物の分子量は、テトラヒドロフランを溶媒としたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）で、通常３０，０００以上、好ましくは４０，０００以上、より好ましくは４５，０００以上であり、通常２００，０００以下、好ましくは１５０，０００以下、より好ましくは１００，０００以下である。また、ブロック共重合体水素化物の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは３以下、より好ましくは２以下、特に好ましくは１．５以下である。水素化物の分子量及び分子量分布を前記の範囲に収めることにより、封止用樹脂組成物の層の機械強度及び耐熱性を向上させることができる。

ブロック共重合体水素化物における、全重合体ブロック［Ａ］がブロック共重合体全体に占める重量分率ｗＡと、全重合体ブロック［Ｂ］がブロック共重合体全体に占める重量分率をｗＢとの比（ｗＡ：ｗＢ）は、特に限定されないが、通常、ブロック共重合体におけるｗＡ：ｗＢと同様の値となる。

［３．その他の成分］
本発明の封止用樹脂組成物は、上に述べた特定のブロック共重合体水素化物に加えて、任意の成分を含んでいてもよい。

封止用樹脂組成物が含有しうる任意の成分としては、例えば、接着性や耐候性や耐熱性などを向上させるための可塑剤、光安定剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、滑剤、無機フィラーなどが挙げられる。また、これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

可塑剤としては、ブロック共重合体水素化物以外のオリゴマー；一塩基性有機酸エステル、多塩基性有機酸エステルなどの有機酸エステル系可塑剤；有機リン酸エステル系、有機亜リン酸エステル系などのリン酸エステル系可塑剤などが好適に用いられる。これらの可塑剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

オリゴマーは、ブロック共重合体水素化物に均一に溶解ないし分散できるものが好ましく、炭化水素重合体（特に、好ましくは数平均分子量２００〜５，０００、より好ましくは特に、数平均分子量３００〜３，０００の炭化水素重合体）が、耐熱性を大きく損なうことがないため、好ましい。炭化水素重合体の具体例としては、ポリイソブチレン、ポリブテン、ポリ−４−メチルペンテン、ポリ−１−オクテン、エチレン・α−オレフィン共重合体、ポリイソプレン、脂環族炭化水素樹脂、及びその他の脂肪族系炭化水素樹脂、前記の化合物の水素化物、インデン・スチレン共重合体水素化物などが挙げられる。これらの中でも、ポリイソブチレン、ポリブテン、水素化ポリイソブチレン、水素化ポリブテンが好ましい。

有機酸エステル系可塑剤としては、例えば、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール又はトリプロピレングリコールなどのグリコールと、酪酸、イソ酪酸、カプロン酸、２−エチル酪酸、ヘプタン酸、ヘプチル酸、ｎ−オクチル酸、２−エチルヘキシル酸、ペラルゴン酸（ｎ−ノニル酸）又はデシル酸などの一塩基機酸との反応によって得られるグリコール系エステル；アジピン酸、セバシン酸、アゼライン酸、フタル酸などの多塩基酸と、一分子当りの炭素数４〜８の直鎖状又は分枝状アルコールとの反応によって得られる多塩基酸エステル；などが挙げられる。これらの中でも、ブチルベンジルフタレート、ジベンジルフタレートなどが好ましい。

リン酸エステル系可塑剤としては、例えば、トリブトキシエチルホスフェート、トリ（２−エチルヘキシル）ホスフェート、トリクレジルホスフェート、イソデシルジフェニルホスフェートなどが挙げられる。これらの中でも、接着性樹脂組成物層の屈折率をフロートガラスの屈折率に近づけ、優れた透光性の合わせガラス板が得られる点で、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェートなどが好ましい。

可塑剤の配合量は特に限定されないが、ブロック共重合体水素化物１００重量部に対して、好ましくは１〜５０重量部、より好ましくは５〜４０重量部である。１重量部未満の場合は、可塑化効果が小さく、ブロック共重合体水素化物を含有する封止用樹脂組成物層を介在させて貼り合せたガラス板に気泡が残り易く、より高温で貼り合せるなどの条件を要する場合がある。また、５０重量部を超える場合は、可塑剤のブリードアウトにより、ガラスとの接着性が低下し易い。

光安定剤としては、ヒンダードアミン系光安定剤が好ましく、構造中に例えば３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル基、２，２，６，６−テトラメチルピペリジル基、又は、１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル基などを有している化合物が特に好ましい。

光安定剤の具体例としては、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸と１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジノールと３，９−ビス（２−ヒドロキシ−１，１−ジメチルエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカンとの混合エステル化物、１，６−ヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）とモルフォリン−２，４，６−トリクロロ−１，３，５−トリアジンとの重縮合物、１−［２−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］−４−〔３−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロン酸−ビス−（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロン酸−ビス−（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）、４−（３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ）−１−（２−（３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ）エチル）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−（１−ベンジル−２−フェニルエチル）−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−（２−（１−ピロリジル）エチル）−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−（２−（４−モルホリニル）エチル）−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルピペリジン、４−（Ｎ−（２−（４−モルホリニル）エチル）−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−（２−（ジイソプロピルアミノ）エチル）−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−（２，４，６−トリメチルベンジル）−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−（３−（２−エチルヘキソキシ）プロピル）−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−（３，４−（メチレンジオキシ）ベンジル）−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−（ビシクロ〔２．２．１〕ヘプチル）−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−１，２，２−トリメチルプロピル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−１、３−ジメチルブチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−１−ベンジルエチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−２，２−ジメチルプロピル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−２−エチルヘキシル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−３−メチルブチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−４−ヒドロキシブチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、

４−（Ｎ−４−ヒドロキシブチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−ｉ−プロピル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−ｉ−プロピル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−ｔ−ブチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−イソプロピルベンジル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−エトキシエチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−エトキシプロピル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−オクタデシル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−オクチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルピペリジン、４−（Ｎ−オクチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−クロロベンジル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−ジエチルアミノエチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−シクロドデシル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルカルボニルピペリジン、４−（Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルピリジン、４−（Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、４−（Ｎ−シクロペンチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルピペリジン、４−（Ｎ−シクロペンチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−ジメチルアミノプロピル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−デシル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルピペリジン、４−（Ｎ−デシル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−ドデシル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−ピリジニルメチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−フェニルエチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルピリジン、４−（Ｎ−フェニルエチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、４−（Ｎ−ブチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルピペリジン、４−（Ｎ−ブチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルピペリジン、４−（Ｎ−フルオロベンジル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−ヘキシル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルピペリジン、４−（Ｎ−ヘキシル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−ペンチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルピペリジン、４−（Ｎ−ペンチル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−メチルシクロヘキシル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、４−（Ｎ−メチルベンジル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（Ｎ−メトキシベンジル−Ｎ−ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルピペリジン、４−（ホルミルアミノ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−〔Ｎ−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ−ホルミルアミノ〕−２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ−メチルピリジン、４−〔Ｎ−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ−ホルミルアミノ〕−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’−テトラキス−（４，６−ビス（ブチル−（Ｎ−メチル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）アミノ）−トリアジン−２−イル）−４，７−ジアザデカン−１，１０−アミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４ーＮ−メチルピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ジホルミル−１，４−キシリレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−Ｎ−メチルピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ジホルミル−トリメチレンジアミン、

Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４ーＮ−メチルピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ジホルミル−ヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−Ｎ−メチルピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ジホルミル−エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ジホルミル−１，４−キシリレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ジホルミルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ジホルミル−トリメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ジホルミルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンアクリル酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンアラキン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンアンゲリカ酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンウンデシル酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンウンデシレン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンオレイン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンガドレイン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンカプリル酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンカプリン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンカプロン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンクロトン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンシトロネル酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンステアリン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンゾマーリン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレントリデシル酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンノナデシル酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンパルチミン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンブレンツテレビン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンプロピオン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンヘプタン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンベヘン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンペラルゴン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンペンタデシル酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンマルガリン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンミリスチン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンラウリン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレンリンデル酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレン吉草酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレン酢酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレン抹香酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスヘキサメチレン酪酸アミド、

コハク酸ジメチルと４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジンエタノールとの重合物、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジンとＮ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）−２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロネート、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ポリ〔（６−モルフォリノ−ｓ−トリアジン−２，４−ジイル）〔（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ〕−ヘキサメチレン〔（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ〕、ポリ〔｛（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝〕、ポリ〔｛６−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝〕、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジニル）−１，６−ヘキサンジアミンと２，４，６−トリクロロ−１，３，５−トリアジンとの重合体とＮ−ブチル−１−ブタンアミンとＮ−ブチル−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジンアミンとの反応生成物などが挙げられる。

これらの中でも、耐候性に優れる点で、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−Ｎ−メチルピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ジホルミル−アルキレンジアミン類、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ジホルミルアルキレンジアミン類、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ビスアルキレン脂肪酸アミド類、ポリ〔｛６−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝〕が好ましく、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−Ｎ，Ｎ’−ジホルミルアルキレンジアミン類、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジニル）−１，６−ヘキサンジアミンと２，４，６−トリクロロ−１，３，５−トリアジンとの重合体とＮ−ブチル−１−ブタンアミンとＮ−ブチル−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジンアミンとの反応生成物が特に好ましい。

光安定剤の量は、ブロック共重合体水素化物１００重量部に対して、通常０．０１重量部以上、好ましくは０．０２重量部以上、より好ましくは０．０３重量部以上であり、通常５重量部以下、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。光安定剤の量を前記範囲の下限値以上とすることにより耐候性を高くできる。また、上限値以下とすることにより、封止用樹脂組成物をフィルム状に成形する溶融成形加工時に、押出し機のＴダイや冷却ロールの汚れを防止でき、加工性を高めることができる。

紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリチル酸系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤などが挙げられる。
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、例えば、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン−５−スルホン酸３水和物、２−ヒドロキシ−４−オクチロキシベンゾフェノン、４−ドデカロキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ベンジルオキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノンなどが挙げられる。

また、サリチル酸系紫外線吸収剤としては、例えば、フェニルサルチレート、４−ｔ−ブチルフェニル−２−ヒドロキシベンゾエート、フェニル−２−ヒドロキシベンゾエート、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、ヘキサデシル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートなどが挙げられる。

また、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、例えば、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）−５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−クロロ−２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ−アミル−２−ヒドロキシフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−オクチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−４−オクチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−メチル−６−（３，４，５，６−テトラヒドロフタリミジルメチル）フェノール、２，２’−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−［（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］］などが挙げられる。

紫外線吸収剤の量は、ブロック共重合体水素化物１００重量部に対して、通常０．０１重量部以上、好ましくは０．０２重量部以上、より好ましくは０．０４重量部以上であり、通常１重量部以下、好ましくは０．５重量部以下、より好ましくは０．３重量部以下である。紫外線吸収剤を前記範囲の下限値以上用いることにより耐光性を改善することができるが、上限を超えて過剰に用いても、更なる改善は得られ難い。

酸化防止剤としては、例えば、リン系酸化防止剤、フェノ−ル系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤などが挙げられ、着色がより少ないリン系酸化防止剤が好ましい。
リン系酸化防止剤としては、例えば、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、１０−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイドなどのモノホスファイト系化合物；４，４’−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェニル−ジ−トリデシルホスファイト）、４，４’−イソプロピリデン−ビス（フェニル−ジ−アルキル（Ｃ１２〜Ｃ１５）ホスファイト）などのジホスファイト系化合物；６−〔３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロポキシ〕−２，４，８，１０−テトラキス−ｔ−ブチルジベンゾ〔ｄ，ｆ〕〔１．３．２〕ジオキサフォスフェピン、６−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロポキシ〕−２，４，８，１０−テトラキス−ｔ−ブチルジベンゾ〔ｄ，ｆ〕〔１．３．２〕ジオキサフォスフェピンなどの化合物を挙げることができる。

フェノ−ル系酸化防止剤としては、例えば、ペンタエリスリチル・テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、３，９−ビス｛２−［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロオニルオキシ］−１，１−ジメチルエチル｝−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼンなどの化合物を挙げることができる。

硫黄系酸化防止剤としては、例えば、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル３，３’−チオジプロピピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ラウリルステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−（β−ラウリル−チオ−プロピオネート）、３，９−ビス（２−ドデシルチオエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカンなどの化合物を挙げることができる。

酸化防止剤の量は、ブロック共重合体水素化物１００重量部に対して、通常０．０１重量部以上、好ましくは０．０５重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上であり、通常１重量部以下、好ましくは０．５重量部以下、より好ましくは０．３重量部以下である。酸化防止剤を前記範囲の下限値以上用いることにより熱安定性を改善することができるが、上限を超えて過剰に用いても、更なる改善は得られ難い。

ブロック共重合体水素化物と前記任意の成分とを混合する方法は、例えば、任意の成分を適切な溶媒に溶解してブロック共重合体水素化物の溶液と混合した後、溶媒を除去して任意の成分を含む封止用樹脂組成物を回収する方法；例えば二軸混錬機、ロール、ブラベンダー、押出機などでブロック共重合体水素化物を溶融状態にして任意の成分を混練する方法；などが挙げられる。

封止用樹脂組成物は、高い透明性を有するものに必ずしも限られない。ただし、封止用樹脂組成物を光学的な部材の材料として用いる場合は、封止用樹脂組成物は、高い透明性を有するものが好ましい。例えば、封止用樹脂組成物を厚み１ｍｍの試験片として測定した全光線透過率が、通常７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上であるものが好ましい。全光線透過率の上限は、１００％以下としうる。

［４．封止用樹脂組成物のフィルム］
本発明の封止用樹脂組成物は、使用に先立ち、フィルムの形状に成形することができる。かかるフィルムの厚みは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、特に好ましくは４０μｍ以上であり、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、特に好ましくは１００μｍ以下である。フィルムの厚みを前記範囲の下限値以上とするとことにより、押出成形法によるフィルムの製造が可能となる。また、この程度の厚みがあれば、十分な封止機能を持ち、さらに仮にフィルムに小さい異物が混入しても、その異物によりフィルムの厚みが不均一となることを防止できる。また、上限値以下とすることにより、貼り合せ後の撓みが抑えられて均一なフィルムが形成でき、また、得られるデバイスの厚みを薄くできる。

封止用樹脂組成物のフィルムは、通常は長尺のフィルムとして用意され、このフィルムを用いて、有機エレクトロニクスデバイスの製造が行われる。フィルムの製造方法に特に制限は無く、例えば、溶融成形法、溶液流延法のいずれを用いてもよい。溶融成形法は、さらに詳細に、押出成形法、例えばプレス成形法、インフレーション成形法、射出成形法、ブロー成形法、延伸成形法などに分類できる。これらの方法の中でも、機械強度、表面精度等に優れたフィルムを得るために、押出成形法、インフレーション成形法又はプレス成形法が好ましく、中でも効率よく簡単にフィルムを製造できる観点から、押出成形法が特に好ましい。

［５．有機エレクトロニクスデバイス］
本発明の有機エレクトロニクスデバイスは、前記本発明の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物の層を有する。
本発明の有機エレクトロニクスデバイスは、デバイスの機能を発現する素子として、有機ＥＬ素子、有機半導体素子等の素子を有しうる。本発明の有機エレクトロニクスデバイスはまた、封止能を有する基板を有し、かかる基板と、封止用樹脂組成物の層とで、素子を封止した形態を有するものとしうる。

素子として有機ＥＬ素子を有する有機エレクトロニクスデバイスの具体的な例を、図面を参照して説明する。
図１は、有機ＥＬ素子等の構成要素を含む、有機エレクトロニクスデバイスを構成する組立体を概略的に示す斜視図であり、図２は、当該組立体及び封止用樹脂組成物の層からなる有機エレクトロニクスデバイスの例を概略的に示す縦断面図である。

図１において、組立体１００は、基板１０１、基板１０１の上面１０１Ｕに細長い帯状に多数形成された第１の電極層１０２、第１の電極層１０２の周辺に形成されたエッジカバー層１０３、第１の電極層１０２上に設けられた発光層１０４、及び発光層１０４上に設けられた第２の電極層１０５を有する。
第１の電極層１０２、発光層１０４、及び第２の電極層１０５は、発光素子を構成し、第１及び第２の電極層に通電することにより発光層を発光させることができる。
組立体１００を構成する要素の材料、厚み、及び製造方法については、特に限定されず既知のものを採用することができる。例えば、基板の材料の例としては、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、脂環式オレフィンポリマーなどの柔軟性のある透明プラスチックからなるフレキシブル基板、並びに、石英、ソーダガラス、無機アルカリガラスなどのガラス基板を挙げることができる。

例えば、発光層としては、特に限定されず既知のものを適宜選択することができるが、光源としての用途に適合すべく、一種の層単独又は複数種類の層の組み合わせにより、所望のピーク波長を含む光を発光するものとすることができる。
第１及び第２の電極層を構成する材料は、特に限定されず有機ＥＬ素子の電極として用いられる既知の材料を適宜選択することができ、どちらか一方を陽極とし、他方を陰極とすることができる。第１の電極層及び第２の電極層の一方を透明電極、他方を反射電極とすることにより、透明電極側からの出光を達成することができる。または、第１の電極層及び第２の電極層の両方を透明電極とすることもできる。透明電極の材料の例としては、金属薄膜、ＩＴＯ、ＩＺＯ、及びＳｎＯ_２を挙げることができる。反射電極層の材料の例としては、アルミニウム及びＭｇＡｇを挙げることができる。
第１の電極層及び第２の電極層の間には、発光層に加えてホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層及びガスバリア層等の任意の層をさらに有することもでき、これらも発光素子の構成要素となりうる。

発光素子の具体的な層構成の例としては、陽極／正孔輸送層／発光層／陰極の構成、陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極の構成、陽極／正孔注入層／発光層／陰極の構成、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極の構成、陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／等電位面形成層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極の構成、及び陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／電荷発生層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極の構成が挙げられる。本発明のデバイスにおける発光素子は、一層以上の発光層を陽極と陰極との間に有するものとすることができるが、発光層として、複数の発光色が異なる層の積層体、あるいはある色素の層に異なる色素がドーピングされた混合層を有していてもよい。発光層を構成する材料の例としては、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリフルオレン系、およびポリビニルカルバゾール系の材料を挙げることができる。また正孔注入層及び正孔輸送層の材料の例としては、フタロシアニン系、アリールアミン系、およびポリチオフェン系の材料を挙げることができる。電子注入層及び電子輸送層の材料の例としては、アルミ錯体およびフッ化リチウムを挙げることができる。等電位面形成層及び電荷発生層の材料の例としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、及びＳｎＯ_２などの透明電極、並びにＡｇ及びＡｌなどの金属薄膜を挙げることができる。

第１の電極層、発光層、第２の電極層及びそれ以外の発光素子を構成する任意の層は、基板上にこれらを順次積層することにより設けることができる。これら各層の厚さは、１０〜１０００ｎｍとすることができる。

組立体１００はさらに、電極層へ通電するための配線等の任意の構成要素を有しうる。

図２において、有機エレクトロニクスデバイス１０は、組立体１００の上面１０１Ｕ側に設けられた封止用樹脂組成物の層１５１とを含む。かかる構造を有することにより、発光層１０３が、基板１０１及び封止用樹脂組成物の層１５１により封止される。さらに、封止用樹脂組成物の層１５１が前記本発明の封止用樹脂組成物からなるものであるため、脱ガスが少ない。その結果、良好な封止が達成され、デバイスの寿命などの性能が高まる。さらに、封止用樹脂組成物の変形能により、組立体１００の凹凸がカバーされ、その結果デバイスの強度を高めることができる。

組立体１００上に封止用樹脂組成物の層１５１を設ける方法の例としては、上に述べた封止用樹脂組成物のフィルムを圧着する方法を挙げることができる。圧着の方法は、例えば、フィルムを１００〜１５０℃程度に温度を上げ、真空ラミネート装置で貼り付ける方法が挙げられる。

図３は、本発明の有機エレクトロニクスデバイスの別の例を概略的に示す縦断面図である。
図３において、有機エレクトロニクスデバイス２０は、組立体１００と、組立体１００の上面１０１Ｕ側に設けられた仮封止層１５２と、仮封止層１５２上に設けられた封止用樹脂組成物の層１５１とを含む。

仮封止層１５２の材料の例としては、ＳｉＮ、ＳｉＯなどの珪素を含む材料を挙げることができる。仮封止層１５２の厚みは、０．２〜１μｍ程度としうる。
仮封止層１５２は、発光層１０４及び第２の電極層１０５と同様の減圧環境下の条件において、蒸着などの成膜方法により形成することができる。従って、発光層１０４、第２の電極層１０５、及び仮封止層１５２を減圧環境下において連続的に設けることにより、発光層の劣化を効果的に抑制することができる。さらに、これらを減圧環境下から取り出した後に封止用樹脂組成物の層１５１で封止することにより、デバイスの使用環境下に耐えうる強固な封止を形成することができる。これにより、製造時における素子の劣化が少なく、且つその状態が使用環境下においても長期間維持されるデバイスを得ることができる。

図４は、本発明の有機エレクトロニクスデバイスのさらに別の例を概略的に示す縦断面図である。
図４において、有機エレクトロニクスデバイス３０は、組立体１００と、組立体１００の上面１０１Ｕ側に設けられた仮封止層１５２と、仮封止層１５２上に設けられた吸着剤層１５３と、吸着剤層１５３上に設けられた封止用樹脂組成物の層１５１とを含む。

吸着剤層１５３の材料の例としては、有機アルミニウム錯体を挙げることができる。吸着剤層１５３の厚みは、０．１〜１μｍ程度としうる。吸着剤層１５３を設けることにより、封止をさらに強固なものとすることができる。例えば、封止用樹脂組成物の層１５１から僅かに放出されうるガス成分を吸着し、発光層１０４等の層の劣化をさらに防止することができる。

素子として有機半導体を有する有機エレクトロニクスデバイスの具体的な例を、図面を参照して説明する。図５は、有機半導体等の構成要素を含む、本発明の有機エレクトロニクスデバイスのさらに別の例を概略的に示す縦断面図である。

図５において、有機エレクトロニクスデバイス５０は、組立体５００、及び当該組立体５００の上面に設けられた封止用樹脂組成物の層５０７を有する。組立体５００は、基板５０１、基板５０１の上面に設けられたゲート電極５０２、基板５０１及びゲート電極５０２の上面に設けられたゲート電極絶縁層５０３、並びにゲート電極絶縁層５０３の上面に設けられた半導体層５０６、ソース電極５０４、およびドレイン電極５０５を有する。
有機エレクトロニクスデバイス５０を構成する要素の材料、厚み、及び製造方法については、特に限定されず既知のものを採用することができる。

例えば、基板５０１の材料としては、特に限定されず、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、脂環式オレフィンポリマーなどの柔軟性のあるプラスチックからなるフレキシブル基板、石英、ソーダガラス、無機アルカリガラスなどのガラス基板、シリコンウェハなどのシリコン基板などを挙げることができる。

ゲート電極５０２は、導電性材料で形成しうる。導電性材料としては、例えば、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が挙げられる。またドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン（ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体など）が挙げられる。これらのなかでも、クロムおよびモリブデンが好ましく、クロムがより好ましい。ゲート電極５０２は、たとえば、上述した導電性材料を、スパッタリング法などにより基板５０１上に形成し、次いで、エッチング処理を行なうことにより、基板５０１上に所定パターンで形成される。

ゲート絶縁膜５０３の材料は、密封性、耐湿性、絶縁性、及び耐薬品性を持ったものが好ましい。具体的にはポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルフォンなどの熱可塑性樹脂が例示できるが、封止用樹脂組成物の層５０７と同じ樹脂を使用することもできる。

半導体層５０６は、有機半導体で形成しうる。有機半導体としては、ｐチャネル型として、ペンタセン、ナフタセン、チフェンオリゴマー、ペリレン、α−セキシフェニル及びその誘導体、ナフタレン、アントラセン、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、金属含有／非含有フタロシアニン及びその誘導体などの低分子半導体、あるいはチオフェンやフルオレンをベースとしたポリアルキルチオフェン、ポリアルキルフルオレンやその誘導体などの高分子半導体などが挙げられる。半導体層５０６は、たとえば、上述した有機半導体を、塗布法やＣＶＤ法などにより、ゲート絶縁膜５０３上に形成し、次いで、所定のパターン形状となるようにパターンニングすることにより、形成される。

ソース電極５０４およびドレイン電極５０５は、導電性材料で形成しうる。導電性材料としては、上述のゲート電極５０２と同様のものを用いることができる。ソース電極５０４およびドレイン電極５０５は、たとえば、上述した導電性材料を、スパッタリング法などにより半導体層５０６上に形成し、次いで、エッチング処理を行なうことにより、半導体層５０６上に所定パターンで形成される。

図５において、有機半導体としての有機エレクトロニクスデバイスは、組立体５００の上面５０１Ｕ側に設けられた封止用樹脂組成物の層５０７を含む。かかる構造を有することにより、半導体層５０６、ソース電極５０４、およびドレイン電極５０５が、ゲート電極絶縁層５０３及び封止用樹脂組成物の層５０７により封止される。さらに、封止用樹脂組成物の層５０７が前記本発明の封止用樹脂組成物からなるものであるため、脱ガスが少ない。その結果、良好な封止が達成され、デバイスの寿命などの性能が高まる。さらに、封止用樹脂組成物の変形能により、組立体５００の凹凸がカバーされ、その結果デバイスの強度を高めることができる。

以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り重量基準である。

〔製造例１：白色有機ＥＬ素子を備える組立体〕
白色有機ＥＬ素子を備える、仮封止層付き組立体を作製した。仮封止層付き組立体の構造は、概略的には、図３に示す、組立体１００と仮封止層１５２の通りとした。但し、第１の電極及び第２の電極の間に、発光層１層のみではなく、正孔輸送層と、複数の発光層と、電子輸送層と、バッファー層とを設けた。

光透過性を有するガラス製の基板１０１の上に、蒸着（１０^−４Ｐａ減圧下）により、ＩＴＯの層を形成した。このＩＴＯの層を、フォトリソグラフィーにより成形し、厚さ０．２５μｍ、幅５００μｍ、長さ１０ｍｍの短冊状の形状とし、第１の電極層１０２としての透明の陽極を形成した。

次に、フォトレジスト（日本ゼオン製ＺＷＤ６２１６）の塗布及びフォトリソグラフィーを行い、陽極の周囲に、厚み１．０μｍのエッジカバー層１０３を形成した。
次に、陽極の上にＮＰＢ（４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）を蒸着して、厚さ４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次に、正孔輸送層の上に青色発光材料であるＡＤＳ０８２（４，４−ビス（ジフェニルビニレン）−ビフェニル）を蒸着して、厚さ０．０５μｍの青色発光層を形成した。
次に、青色発光層の上に赤色発光材料であるＤＣＪＴＢ（４−（ジシアノメチレン）−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン）を蒸着して、厚さ０．０５μｍの赤色発光層を形成した。
次に、赤色発光層の上にＡｌｑ_３（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）を蒸着して、厚さ０．０５μｍの緑色発光層、および電子輸送層を形成した。
次に、電子輸送層の上にＬｉＦを蒸着して、厚さ０．５ｎｍのバッファー層を形成した。
次に、バッファー層の上にアルミニウムを蒸着して、第２の電極層１０５としての、厚さ５０ｎｍの陰極（反射電極）を形成した。
そして、形成した層及び基板全体を覆うようにＳｉＮを蒸着し、厚さ０．３μｍの仮封止層１５２を形成した。
正孔輸送層から仮封止層までの蒸着は、圧力１０^−４〜１０^−６Ｐａの条件を維持したまま続けて行った。
以上の操作により、仮封止層付き組立体を作製した。

〔製造例２：封止用樹脂組成物のフィルム１〕
芳香族ビニル化合物としてスチレンを用い、鎖状共役ジエン化合物としてイソプレンを用いて、重合体ブロック［Ｂ］の両端に重合体ブロック［Ａ］が結合したトリブロック構造を有するブロック共重合体を、以下の手順により製造した。

内部が充分に窒素置換された、攪拌装置を備えた反応器に、脱水シクロヘキサン２５６部、脱水スチレン２５．０部、及びｎ−ジブチルエーテル０．６１５部を入れ、６０℃で攪拌しながらｎ−ブチルリチウム（１５％シクロヘキサン溶液）１．３５部を加えて重合を開始させ、さらに、攪拌しながら６０℃で６０分反応させた。この時点での重合転化率は９９．５％であった（ガスクロマトグラフィーにより測定、以下にて同じ。）。
次に、脱水イソプレン５０．０部を加え、同温度で３０分攪拌を続けた。この時点での重合転化率は９９％であった。
その後、更に、脱水スチレンを２５．０部加え、同温度で６０分攪拌した。この時点での重合転化率はほぼ１００％であった。次いで、反応液にイソプロピルアルコール０．５部を加えて反応を停止させて、ブロック共重合体を含む溶液（ｉ）を得た。
得られた溶液（ｉ）中のブロック共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は４４，９００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０３であった。

次に、溶液（ｉ）を攪拌装置を備えた耐圧反応器に移送し、水素化触媒としてシリカ−アルミナ担持型ニッケル触媒（Ｅ２２Ｕ、ニッケル担持量６０％；日揮化学工業社製）４．０部及び脱水シクロヘキサン３５０部を添加して混合した。反応器内部を水素ガスで置換し、さらに溶液を攪拌しながら水素を供給し、温度１７０℃、圧力４．５ＭＰａにて６時間水素化反応を行ない、ブロック共重合体を水素化し、ブロック共重合体水素化物（ｉｉ）を含む溶液（ｉｉ）とした。溶液（ｉｉ）中のブロック共重合体水素化物（ｉｉｉ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は４５，１００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０４であった。

水素化反応終了後、溶液（ｉｉ）をろ過して水素化触媒を除去した後、リン系酸化防止剤である６−〔３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロポキシ〕−２，４，８，１０−テトラキス−ｔ−ブチルジベンゾ〔ｄ，ｆ〕〔１．３．２〕ジオキサフォスフェピン（スミライザー（登録商標）ＧＰ、住友化学社製、以下、「酸化防止剤Ａ」という。））０．１部を溶解したキシレン溶液１．０部を添加して溶解させ、溶液（ｉｉｉ）を得た。

次いで、溶液（ｉｉｉ）を、ゼータプラス（登録商標）フィルター３０Ｈ（キュノー社製、孔径０．５〜１μｍ）にて濾過し、更に別の金属ファイバー製フィルター（孔径０．４μｍ、ニチダイ社製）にて順次濾過して微小な固形分を除去した後、円筒型濃縮乾燥器（製品名「コントロ」、日立製作所社製）を用いて、温度２６０℃、圧力０．００１ＭＰａ以下で、溶液から、溶媒であるシクロヘキサン、キシレン及びその他の揮発成分を除去し、濃縮乾燥器に直結したダイから溶融状態でストランド状に押出し、冷却後、ペレタイザーでカットして、ブロック共重合体水素化物及び酸化防止剤Ａを含有する、封止用樹脂組成物のペレット（ｉｖ）８５部を得た。得られたペレット（ｉｖ）中のブロック共重合体水素化物の重量平均分子量（Ｍｗ）は４５，０００分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０８であった。水素化率は９９．９％であった。

このペレット（ｉｖ）を、バレル温度２００℃で一軸押出し成形することにより、厚み５０μｍの、封止用樹脂組成物のフィルム１を得た。

〔製造例３：封止用樹脂組成物のフィルム２〕
製造例２で得られたペレット（ｉｖ）１００部に対して、ビニルトリメトキシシラン２．０部及びジ-ｔ−ブチルパーオキサイド０．２部を添加し、混合物を得た。この混合物を、二軸押出し機を用いてバレル温度２１０℃滞留時間８０〜９０秒で混練、押し出しした後、ペレタイザーによってペレット（ｖ）を得た。このペレット（ｖ）を、バレル温度２００℃で一軸押出し成形することにより、厚み５０μｍの、封止用樹脂組成物のフィルム２を得た。

〔製造例４：封止用樹脂組成物のフィルム３〕
内部が充分に窒素置換された、攪拌装置を備えた反応器に、脱水シクロヘキサン５５０部、脱水スチレン２５．０部、及びｎ−ジブチルエーテル０．５９部を入れ、６０℃で攪拌しながらｎ−ブチルリチウム（１５％シクロヘキサン溶液）１．１４部を加えて重合を開始した。攪拌しながら６０℃で６０分反応させた。得られた反応混合物を、ガスクロマトグラフィーにより分析した。この時点で重合転化率は９９．５％であった（ガスクロマトグラフィー分析により測定、以下にて同じ。）。
次に、脱水イソプレン５０．０部を加えそのまま３０分攪拌を続けた。この時点で重合転化率は９９．５％であった。
その後、更に、脱水スチレンを２５．０部加え、６０分攪拌した。この時点での重合転化率はほぼ１００％であった。ここでイソプロピルアルコール０．５部を加えて反応を停止させて、ブロック共重合体を含む溶液（ｖｉ）を得た。得られたブロック共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は４７，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０３、ｗＡ：ｗＢ＝５０：５０であった。

次に、溶液（ｖｉ）を、攪拌装置を備えた耐圧反応器に移送し、水素化触媒として珪藻土担持型ニッケル触媒（製品名「Ｔ−８４００ＲＬ」、ズードケミー触媒社製）３．０部及び脱水シクロヘキサン１００部を添加して混合した。反応器内部を水素ガスで置換し、さらに溶液を攪拌しながら水素を供給し、温度１９０℃、圧力４．５ＭＰａにて６時間水素化反応を行ない、それによりブロック共重合体を水素化し、ブロック共重合体水素化物（ｖｉｉ）を含む溶液（ｖｉｉ）とした。溶液（ｖｉｉ）中のブロック共重合体水素化物（ｖｉｉ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は４８，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０４であった。

水素化反応終了後、溶液（ｖｉｉ）をろ過して水素化触媒を除去した後、フェノール系酸化防止剤であるペンタエリスリチル・テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（製品名「Ｓｏｎｇｎｏｘ１０１０」、ＳＯＮＧＷＯＮ社製）０．１部を溶解したキシレン溶液１．０部を添加して溶解させ、溶液（ｖｉｉｉ）を得た。
次いで、溶液（ｖｉｉｉ）を、金属ファイバー製フィルター（孔径０．４μｍ、ニチダイ社製）にてろ過して微小な固形分を除去した後、円筒型濃縮乾燥器（製品名「コントロ」、日立製作所社製）を用いて、温度２６０℃、圧力０．００１ＭＰａ以下で、溶液から、溶媒であるシクロヘキサン、キシレン及びその他の揮発成分を除去し、溶融ポリマーとした。これを、連続して濃縮乾燥器に連結した孔径５μｍのステンレス製焼結フィルターを備えたポリマーフィルター（富士フィルター製）により、温度２６０℃でろ過した後、ダイから溶融ポリマーをストランド状に押出し、冷却後、ペレタイザーによりカットして、ブロック共重合体水素化物（ｉｘ）のペレット９６部を作成した。得られたブロック共重合体水素化物（ｉｘ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は４８，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０４であった。水素化率はほぼ１００％であった。

得られたブロック共重合体水素化物（ｉｘ）のペレット１００部に対してビニルトリメトキシシラン２．０部及び２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン（製品名「パーヘキサ（登録商標） ２５Ｂ」、日油社製）０．２部を添加して、混合物とした。この混合物を、二軸押出機（製品名「ＴＥＭ３７Ｂ」、東芝機械社製）を用いて、樹脂温度２００℃、滞留時間６０〜７０秒で混練し、ストランド状に押出し、空冷した後、ペレタイザーによりカットし、アルコキシシリル基を有する変性ブロック共重合体水素化物（ｘ）のペレット９７部を得た。

得られた変性ブロック共重合体水素化物（ｘ）のペレット１０部をシクロヘキサン１００部に溶解した後、脱水したメタノール４００部中に注いで変性ブロック共重合体水素化物（ｘ）を凝固させ、濾別した後、２５℃で真空乾燥して変性ブロック共重合体水素化物（ｘ）のクラム９．５部を単離した。これについてＦＴ−ＩＲスペクトル及び^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを観察した。ＦＴ−ＩＲスペクトルでは、１０９０ｃｍ^−１にＳｉ−ＯＣＨ_３基に由来する新たな吸収帯が観察され、８２５ｃｍ^−１と７３９ｃｍ^−１にＳｉ−ＣＨ_２基に由来する新たな吸収帯が観察された。これらの吸収帯の位置は、ビニルトリメトキシシランの吸収帯の位置である１０７５ｃｍ^−１、８０８ｃｍ^−１、及び７６６ｃｍ^−１と異なる位置である。また、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（重クロロホルム中）では３．６ｐｐｍにメトキシ基のプロトンに基づく吸収帯が観察された。これらのスペクトルにおけるピーク面積比から、ブロック共重合体水素化物（ｉｘ）の１００部に対してビニルトリメトキシシラン１．７部が結合したことが確認された。

変性ブロック共重合体水素化物（ｘ）のペレット１００重量部に、紫外線吸収剤である２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン０．５部を添加し、混合物とした。この混合物を、液状物を添加できるサイドフィーダーを備えた二軸押出機（製品名「ＴＥＭ３７ＢＳ」、東芝機械社製）を用いて、樹脂温度１９０℃で押し出した。
一方、サイドフィーダーから可塑剤としてポリイソブテン（製品名「日石ポリブテンＬＶ−１００」、数平均分子量５００、ＪＸ日鉱日石エネルギー社製）を、変性ブロック共重合体水素化物（ｘ）の１００重量部に対して１０重量部の割合となるように連続的に添加して、ストランド状に押出し、空冷した後、ペレタイザーによりカットして、変性ブロック共重合体水素化物（ｘ）及びポリイソブテンを含むペレット（ｘｉ）１０２部を得た。

このペレット（ｘｉ）を、バレル温度２００℃で一軸押出し成形することにより、厚み１００μｍの、封止用樹脂組成物のフィルム３を得た。

〔実施例１〕
製造例１で得られた仮封止層付き組立体の仮封止層側の表面に、製造例３で得た厚さ５０μｍの封止用樹脂組成物のフィルム２を、１５０℃で圧着することにより、発光素子を熱封止した。これにより、図３に概略的に示す構造を有し、組立体１００、仮封止層１５２及び封止用樹脂組成物の層１５１を有する有機ＥＬデバイスを得た。
得られた有機ＥＬデバイスに通電し、問題なく点灯することを確認した。その後、有機ＥＬデバイスを非点灯状態で８５℃で所定時間（３００時間又は１０００時間）熱処理し、その後室温に戻し、再び通電して点灯させ、出光面のダークスポットを観察し、下記の評価基準に従って評価した。結果を表１に示す。

Ａ：ダークスポットが無いか、あっても径が５０μｍ未満のものしかない。
Ｂ：径５０μｍ以上２００μｍ未満のダークスポットが少数（１０個／ｃｍ^２未満）ある。
Ｃ：径５０μｍ以上２００μｍ未満のダークスポットが多数（１０個／ｃｍ^２以上）ある。
Ｄ：径２００μｍ以上のダークスポットがある。

〔実施例２〕
製造例１で得られた仮封止層付き組立体の仮封止層側の表面に、吸着剤化合物（双葉電子工業製ＯｌｅＤｒｙ−Ｆ）を塗布し、１００℃でベークして、厚さ０．５μｍの吸着剤層を形成した。その上に、製造例３で得た厚さ５０μｍの封止用樹脂組成物フィルム２を、１５０℃で圧着することにより、発光素子を熱封止し、図４に示す構造を有する有機ＥＬデバイスを得た。

得られた有機ＥＬデバイスに通電し、問題なく点灯することを確認した。その後、有機ＥＬデバイスを非点灯状態で８５℃で所定時間（３００時間又は１０００時間）熱処理し、その後室温に戻し、再び通電して点灯させ、実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。

〔実施例３〕
実施例２の、製造例３で得た厚さ５０μｍの封止用樹脂組成物フィルム２の代わりに、製造例２で得た厚さ５０μｍの封止用樹脂組成物フィルム１を使用すること以外は、実施例２と同様に有機ＥＬデバイスを得て、評価した。結果を表１に示す。

〔実施例４〕
実施例２の、製造例３で得た厚さ５０μｍの封止用樹脂組成物フィルム２の代わりに、製造例４で得た厚さ１００μｍの封止用樹脂組成物フィルム３を使用し、圧着温度を１００℃に変更した以外は、実施２と同様に有機ＥＬデバイスを得て、評価した。結果を表１に示す。得られた有機ＥＬデバイスは、ホットメルト方式の封止用樹脂組成物フィルムの使用に起因する大きなダークスポットを有さず、したがって高品質なデバイスであった。

〔比較例１〕
製造例１で得られた仮封止層付き組立体の仮封止層側の表面に、ＳＥＢＳ（旭化成ケミカルズ社製タフテックＨ１０５１、水素化率６０．５％）を、バレル温度２１０℃で一軸押出しして得た厚さ５０μｍのフィルムを、１５０℃で圧着することにより、発光素子を熱封止した。これにより、図３に示す構造を有し、組立体１００、仮封止層１５２及び封止用樹脂組成物の層１５１を有する有機ＥＬデバイスを得た。
得られた有機ＥＬデバイスに通電し、問題なく点灯することを確認した。その後、有機ＥＬデバイスを非点灯状態で８５℃で所定時間（３００時間又は１０００時間）熱処理し、その後室温に戻し、再び通電して点灯させ、実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。

〔比較例２〕
製造例１で得られた仮封止層付き組立体の仮封止層側の表面に、実施例２で用いたものと同一の吸着剤化合物の溶液を塗布し、ベークして、その後溶媒を揮発させ、厚さ０．５μｍの吸着剤層を形成した。その上に、比較例１で用いたものと同一のＳＥＢＳフィルムを、１５０℃で圧着することにより、発光素子を熱封止し、図４に示す層構成を有する有機ＥＬデバイスを得た。
得られた有機ＥＬデバイスに通電し、問題なく点灯することを確認した。その後、有機ＥＬデバイスを非点灯状態で８５℃で所定時間（３００時間又は１０００時間）熱処理し、その後室温に戻し、再び通電して点灯させ、実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。

表１の結果から明らかな通り、本願に規定する要件を満たす封止用樹脂組成物のフィルムを用いた実施例では、比較例よりも良好な封止性能を得ることができた。
また、実施例４においては、可塑剤を多く含み、ホットメルト方式で用いうる封止用樹脂組成物フィルム（製造例４で製造したもの）を用いた。通常、このようなホットメルト方式の封止用樹脂組成物フィルムを、有機ＥＬデバイスの構成要素として用いた場合、有機ＥＬデバイスにおいて、有機発光層材料と電極材料層との界面、及び電極材料層と基板層との界面において剥離を起こしうる。このような剥離は、大きなダークスポットの発生原因となる。しかしながら、実施例４においては、そのようなダークスポットを有しない有機ＥＬデバイスを作成することができた。

１０：有機エレクトロニクスデバイス
２０：有機エレクトロニクスデバイス
３０：有機エレクトロニクスデバイス
５０：有機エレクトロニクスデバイス
１００：組立体
１０１：基板
１０１Ｕ：基板の上面
１０２：第１の電極層
１０３：エッジカバー層
１０４：発光層
１０５：第２の電極層
１５１：封止用樹脂組成物の層
１５２：仮封止層
１５３：吸着剤層
５００：組立体
５０１：基板
５０１Ｕ：組立体の上面
５０２：ゲート電極
５０３：ゲート電極絶縁層
５０４：ソース電極
５０５：ドレイン電極
５０６：半導体層
５０７：封止用樹脂組成物の層

Claims (10)

1. ブロック共重合体の全不飽和結合の９０％以上を水素化して得られるブロック共重合体水素化物を含有する有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物であって、
   前記ブロック共重合体は、
   芳香族ビニル化合物単位を主成分とする、共重合体１分子あたり２個以上の重合体ブロック［Ａ］と、
   鎖状共役ジエン化合物単位を主成分とする、共重合体１分子あたり１個以上の重合体ブロック［Ｂ］と
   を有し、
   前記ブロック共重合体全体に占める、全重合体ブロック［Ａ］の重量分率ｗＡと全重合体ブロック［Ｂ］の重量分率ｗＢとの比（ｗＡ：ｗＢ）が２０：８０〜６０：４０である、
   有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
2. 前記ブロック共重合体水素化物の重量平均分子量が、３０，０００〜２００，０００である、請求項１に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
3. 前記ブロック共重合体が、前記重合体ブロック［Ｂ］の両端に、前記重合体ブロック［Ａ］が結合したトリブロック共重合体である、請求項１又は２に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
4. 前記ブロック共重合体水素化物がアルコキシシリル基を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
5. 前記重合体ブロック［Ａ］が、前記芳香族ビニル化合物単位を９０重量％以上含み、前記重合体ブロック［Ｂ］が、前記鎖状共役ジエン化合物単位を９０重量％以上含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
6. さらに、可塑剤を、前記ブロック共重合体水素化物１００重量部に対して１〜５０重量部含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
7. 前記可塑剤が、数平均分子量２００〜５０００の炭化水素重合体である請求項６に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物。
8. 有機材料を含む素子と、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物の層とを有する有機エレクトロニクスデバイス。
9. 前記素子と、前記封止用樹脂組成物の層との間に介在する吸着剤の層をさらに含む、請求項８に記載の有機エレクトロニクスデバイス。
10. 前記素子と、前記封止用樹脂組成物の層との間に介在する仮封止層をさらに含む、請求項８又は９に記載の有機エレクトロニクスデバイス。

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