JPWO2014038600A1 - 部分還元グラフェン階層体−連結体、部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法、部分還元グラフェン階層体−連結体含有粉末、部分還元グラフェン階層体−連結体含有フィルム、グラフェン電極フィルム、グラフェン電極フィルムの製造方法及びグラフェンキャパシター - Google Patents
部分還元グラフェン階層体−連結体、部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法、部分還元グラフェン階層体−連結体含有粉末、部分還元グラフェン階層体−連結体含有フィルム、グラフェン電極フィルム、グラフェン電極フィルムの製造方法及びグラフェンキャパシター Download PDFInfo
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Abstract
Description
特に、ナノ物質をスペーサーかつ接合剤として部分還元グラフェンを多層化してなる部分還元グラフェン階層体を、グラフェン外縁部の化学機能化分子を互いにエステル結合させて、3次元的に連結した部分還元グラフェン階層体−連結体、その製造方法、その含有粉末及びフィルムに関する。また、単層カーボンナノチューブをスペーサー及び連結剤としてグラフェンを積層化し、さらにこの積層化したグラフェンをグラフェンエッジ部の化学機能化分子により化学的に結合させ、グラフェンとカーボンナノチューブとの特性を活かし、高性能としたグラフェン電極フィルム、その製造方法及びグラフェンキャパシターに関する。
まず、グラファイトを混酸の液中で酸化して、酸化グラフェンを作成する。酸化に伴う膨張により、酸化グラフェンは1枚ごとにそれぞれ剥離される。
酸化グラフェンは、表面にカルボニル基、水酸基及びカルボキシル基を有する。これらの化学機能化分子は水等の溶媒と親和性が高いので、剥離された酸化グラフェンは水等の溶媒中に一様に分散される。
しかし、グラフェンは、これらの化学機能化分子を有しないために、水等の溶媒との親和性が低く、すなわち、疎水性であり、水等の溶媒中に一様に分散させることができず、凝集する。グラフェンは炭素原子1個の厚さのため不安定であり、作成したグラフェンは凝集すると容易にファンデルワールス力により再結合して、グラファイトを再生成する。
非特許文献1では、オートクレーブ中で180℃の熱水で還元している。非特許文献2ではヒドラジンを用いており、150℃加熱で還元している。非特許文献3ではヒドラジンとエチレングリコールの2段階で還元している。これらの強い還元条件では、酸化グラフェンの外縁部のカルボキシル基や水酸基は全て除去されて、グラフェンが生成される。先に記載したように、グラフェンは炭素原子1個の厚さのため不安定であり、グラファイトを再生成する。
様々な蓄電デバイスのうち、キャパシター、特に電気2重層キャパシターは、出力密度が大きく、高速の充放電が可能である。しかし、エネルギー密度が小さいため、電気自動車用等の大容量のニーズには応えられないと、これまでは考えられてきた。
しかし、グラフェンの出現により、状況は大きく変わりつつある。
ここで、カーボンナノチューブは、グラフェンが再結合して、元のグラファイトを再生成することを防ぐスペーサーとしての役割を有する。更に、π−π結合によりグラフェン間を連結する連結剤としての役割を有する。カーボンナノチューブと、グラフェンは複合化され、グラフェン積層構造体を形成する。なお、非特許文献1、3には、階層構造等の用語が用いられてはいるが、具体的な階層構造については何も記述されていない。
カーボンナノチューブは高導電性を有するため、カーボンナノチューブをグラフェン間に有するグラフェン積層構造体も高導電性となる。これにより、グラフェンの大比表面積と導電性を活かしたグラフェン階層構造ができる。しかし、グラフェンシートの間に分子間力があるため、直接結びつきやく、層間が狭くなり、電解液の吸着量が低くなる。キャパシター電極として実用化するために十分な性能を発揮させることができない。カーボンナノチューブの添加により、電導性も向上し、粘着剤の役割も担う。
特に、グラフェンの特性を保持させたまま重ね合わせ、しかも実用規模の大きさとする課題がある。
本発明は、以下の構成を有する。
(2)ナノ物質が、導電性材料からなり、径が0.3nm以上100nm以下の粒子、棒状体、筒状体又は繊維状体であることを特徴とする(1)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
(3)前記径が、1〜10nmであることを特徴とする(2)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
(4)前記ナノ物質がカーボンナノチューブであることを特徴とする(2)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
(5)複数の部分還元グラフェン階層体が還元グラフェンのシート面に平行な方向及び垂直な方向のいずれか一方又は両方で連結されていることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
(6)複数の部分還元グラフェン階層体が3次元的に連結されていることを特徴とする(5)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
(7)カルボキシル基、水酸基及びカルボニル基を有する酸化グラフェンを、導電性材料からなり、径が0.3nm以上100nm以下の粒子、棒状体、筒状体又は繊維状体であるナノ物質とともに、溶媒に分散して、分散溶液を調整する工程と、不活性ガス雰囲気下、前記分散溶液に還元剤を添加して、前記酸化グラフェンを、カルボニル基のみを還元し、カルボキシル基及び水酸基を残存させた部分還元グラフェンに変換するとともに、一の部分還元グラフェンのカルボキシル基と、他の部分還元グラフェンの水酸基を脱水縮合反応させてエステル結合を形成することにより、複数の部分還元グラフェンを連結して、部分還元グラフェン階層体−連結体を作成する工程と、を有することを特徴とする部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
(8)前記溶媒に界面活性剤を添加することを特徴とする(7)に記載のVグラフェン階層体−連結体の製造方法。
(9)還元剤がヒドラジン水和物であることを特徴とする(7)又は(8)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
(10)分散溶液を「水の沸点(100℃)−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度に加熱してから還元剤を添加することを特徴とする(7)〜(9)のいずれかに記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
(11)還元剤を添加後、不活性ガス雰囲気下、「水の沸点(100℃)−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度で加熱した状態を20時間以上維持することを特徴とする(11)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
(12)グラファイトを、硝酸ナトリウムとともに水に混合してから、硫酸、過マンガン酸カリウム及び過酸化水素を分散し、グラファイトからグラフェンを酸化グラフェンにして剥離した後、それをろ過して酸化グラフェンを作成することを特徴とする(7)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
(13)(1)〜(6)のいずれかに記載の部分還元グラフェン階層体−連結体を含有することを特徴とする還元グラフェン階層体−連結体含有粉末。
(14)(1)〜(6)のいずれかに記載の部分還元グラフェン階層体−連結体を含有することを特徴とする部分還元グラフェン階層体−連結体含有フィルム。
本発明は、以下の構成を有する。
(17) 前記径が1〜10nmであることを特徴とする(16)に記載のグラフェン電極フィルム。
(18) 前記ナノ物質がカーボンナノチューブであることを特徴とする(16)又は(17)に記載のグラフェン電極フィルム。
(21) 膜厚が0.1mm以上であることを特徴とする(15)に記載のグラフェン電極フィルム。
(24) 前記溶媒に界面活性剤を更に添加して、分散溶液を調整することを特徴とする(22)又は(23)に記載のグラフェン電極フィルムの製造方法。
(25) 前記界面活性剤としてドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを用い、0.5〜1.5wt%添加して、分散溶液を調整することを特徴とする特徴とする(24)に記載のグラフェン電極フィルムの製造方法。
(27) 前記分散溶液を「水の沸点(100℃)−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度範囲に加熱してから還元剤を添加することを特徴とする(22)に記載のグラフェン電極フィルムの製造方法。
(28) 前記還元剤を添加後、不活性ガス雰囲気下、「水の沸点(100℃)−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度範囲で加熱した状態を20時間以上維持することを特徴とする(27)に記載のグラフェン電極フィルムの製造方法。
また、多層の部分還元グラフェンを高導電性のナノ物質で連結した部分還元グラフェン階層体間を化学的結合(エステル結合)により隙間なく、電気的、機械的に3次元的に連結させた階層構造にでき、電気的、機械的に安定で、膜厚が厚く、高寿命な電極フィルムを提供でき、出力密度及びエネルギー密度が大きく、高速の充放電が可能な電極フィルムを提供でき、キャパシター電極に適用でき、キャパシター性能を飛躍的に増大させることができる。
また、カーボンナノチューブをグラフェン間のスペーサーとし、炭素原子1個の厚さの不安定なシートを安定化させ、それをセルフアセンブルによりグラフェン積層とし、さらに、この積層を3次元的な階層構造にでき、グラフェンの高導電性特性を保持したまま、実用可能な厚さに増大させることが容易にできる。
また、所定の長さにカッティングした単層カーボンナノチューブを用いることにより、部分還元グラフェン階層体の間からはみ出す単層カーボンナノチューブを無くすことによって余分な隙間を無くし、部分還元グラフェン階層体−連結体をより高密度にできる。
また、単層カーボンナノチューブの約1/200の価格の廉価なグラファイトを用いることができ、極めて低コストにできる。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態である部分還元グラフェン階層体−連結体、その製造方法、その含有粉末及び含有フィルムについて説明する。
まず、本発明の実施形態である部分還元グラフェン階層体−連結体について説明する。
図4は、本発明の実施形態である部分還元グラフェン階層体−連結体の一例を示す模式図である。図4に示すように、本発明の実施形態である部分還元グラフェン階層体−連結体11は、4つの部分還元グラフェン階層体21〜24が互いにエステル結合34により連結されて概略構成されている。なお、連結される部分還元グラフェン階層体の数は2以上であればよく、4つに限られるものではない。
しかし、これに限られるものではなく、平行な方向でのみ連結したものであってもよく、垂直な方向でのみ連結したものであってもよい。
部分還元グラフェン階層体21は、3枚の部分還元グラフェン31と、部分還元グラフェン31間に挟持されたナノ物質32と、を有する。
なお、部分還元グラフェンの枚数は2以上であればよく、3枚に限られるものではない。通常、部分還元グラフェン31は10〜20枚程度の微小なものに過ぎない。
また、ナノ物質の数も限られるものではない。
図5に示すように、部分還元グラフェン31は、部分還元グラフェン本体部31cと、カルボキシル基31a及び水酸基31bを有する。カルボキシル基31a及び水酸基31bは、部分還元グラフェン本体部31cの外縁部に存する。部分還元グラフェン31は、カルボニル基を有していない。
図6(a)は部分還元グラフィン階層体を部分還元グラフェンのシート面に平行な方向(x方向)で連結した例を示す図であり、図6(b)は部分還元グラフィン階層体を部分還元グラフェンのシート面に垂直な方向(z方向)で連結した例を示す図である。
2つの部分還元グラフェン本体部31cがそれぞれエステル結合34により連結されている。すなわち、複数の部分還元グラフェン階層体が還元グラフェンのシート面に平行な方向のエステル結合34x及び垂直な方向のエステル結合34zの両方で連結されており、複数の部分還元グラフェン階層体は3次元的に連結されている。
しかし、この構成に限られるものではなく、複数の部分還元グラフェン階層体が部分還元グラフェンのシート面に平行な方向及び垂直な方向のいずれか一方で連結されていてもよい。
図7に示すように、エステル結合は、カルボキシル基と水酸基の脱水縮合反応により形成される。一の部分還元グラフェンのカルボキシル基と、他の部分還元グラフェンの水酸基が脱水縮合反応されエステル結合を形成することにより、部分還元グラフィン階層体は連結される。
なお、表面に水酸基を有する材料を用いることにより、ナノ物質を部分還元グラフェンのシート面と強く接合させることができ、ナノ物質を介して2つの部分還元グラフェンのシート面を強く接合して、部分還元グラフィン階層体を形成することができる。
本発明の実施形態である部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法は、分散溶液調整工程S1と、部分還元グラフェン階層体−連結体作成工程S2と、を有する。
図8は、本発明の実施形態である部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法の一例を示すフローチャート図である。
なお、酸化グラフェン作成工程は、下記工程が低コスト・量産可能なプロセスである点で好ましい。
まず、グラファイトを、硝酸ナトリウムとともに水に混合する。
次に、硫酸、過マンガン酸カリウム及び過酸化水素をそれぞれ所定量添加し、分散させる。これにより、一様に分散させることができる。なお、この順番で添加し、添加するごとに攪拌することが好ましい。
次に、これらをよく分散させることにより、グラファイトを構成するグラフェンを酸化できる。酸化グラフェンは、カルボキシル基、水酸基及びカルボニル基を有し、膨張するので、1枚ごとに容易に剥離することができる。
次に、グラファイトからグラフェンを酸化グラフェンにして剥離した後、酸化グラフェンを含む溶液をろ過する。これにより、酸化グラフェンからなる粉末が得られる。粉末は水等で良く洗浄することが好ましい。
次に、カルボキシル基、水酸基及びカルボニル基を有する酸化グラフェンを、導電性材料からなり、径が0.3nm以上100nm以下の粒子、棒状体、筒状体又は繊維状体であるナノ物質とともに、溶媒に分散して、分散溶液を調整する。
親水性のグラフェン酸化物とナノ物質の一様分散した溶液を混合することにより、分散溶液中に、ナノ物質をスペーサーかつ接合体として酸化グラフェンを積層した酸化グラフェン階層体をセルフアセンブルにより自律的に作成できる。
例えば、ナノ物質としてカーボンナノチューブを用いた場合には、界面活性剤として、ドデシルベンジンスルホン酸ナトリウムを用いることが好ましい。これにより、ナノ物質をより一様に分散させることができる。
セルフアセンブルは、一のグラフェン表面に付着したナノ物質に、別のグラフェン表面が付着されることが繰り返されることにより、ナノ物質をスペーサーとして間に挟み込んだグラフェン積層が自律的に形成されることである。
酸化グラフェン階層体は、ナノ物質をスペーサーとして介在させた構造であり、グラフェンの表面の高導電性、高強度等の他にない優れた特性を活かしている。
次に、不活性ガス雰囲気下、前記分散溶液に還元剤を添加して、前記酸化グラフェンを、カルボニル基のみを還元し、カルボキシル基及び水酸基をグラフェン外縁部に残存させた部分還元グラフェンに変換するとともに、一の部分還元グラフェンのカルボキシル基と、他の部分還元グラフェンの水酸基を脱水縮合反応させてエステル結合を形成することにより、複数の部分還元グラフェンを機械的、電気的に連結して、自律的に3次元の部分還元グラフェン階層体−連結体を作成する。
図9、10は、酸化グラフェン階層体の還元反応の一例を示す図である。
図9は、酸化グラフェン階層体の還元反応の一例を示す図であって、酸化グラフェンが部分還元グラフェンに変換される反応を示す図である。このように、酸化グラフェンを、カルボニル基のみを還元し、カルボキシル基及び水酸基をグラフェン外縁部に残存させた部分還元グラフェンに変換する。
以上の工程により、酸化グラフェン階層体は還元され、また、部分還元グラフェン階層体は連結され、部分還元グラフェン階層体−連結体が作成される。
なお、部分還元グラフェンは表面に水酸基を持ち、CNT等のナノ物質も表面に水酸基を持つので、還元工程の段階でも、酸化グラフェン階層体とセルフアセンブルされなかったナノ物質が部分還元グラフェン表面に付着され、還元グラフェンとセルフアセンブルされる場合がある。
また、分散溶液を「水の沸点(100℃)−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度に加熱してから還元剤を添加することが好ましい。
更にまた、還元剤を添加後、不活性ガス雰囲気下、「水の沸点(100℃)−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度で加熱した状態を20時間以上維持することが好ましい。例えば、加熱はオイルバスを用い、還元時のオイルバスの温度は水の沸点以下の98℃とする。
これらのマイルドな還元条件とすることにより、酸化グラフェンを、そのカルボニル基のみを還元し、外縁部のカルボキシル基と水酸基は残存させた部分還元グラフェンに変換することができ、一の部分還元グラフェンのカルボキシル基と、他の部分還元グラフェンの水酸基を脱水縮合反応させてエステル結合を形成することにより、複数の部分還元グラフェンを連結して、複数の部分還元グラフェン階層体を連結することができる。
このように、外縁部のカルボキシル基と水酸基を残す還元方法とすることが好ましい。強い還元であると、外縁部のカルボキシル基や水酸基も除去してしまい、好ましくない。
これらを用いて、グラフェンペーパーや様々形状のグラフェン部材に容易に加工できる。部分還元グラフェン階層体−連結体のみからなるフィルムは、例えば、濾過工程で、ろ紙上に材料を凝集させて形成できる。架橋剤で架橋することにより、架橋特性を付加したフィルムにすることができる。
また、グラフェンを再結合してグラファイトを再生成するグラフェンの製造方法を含むグラフェンの集積体の製造方法より、収率を高めることができる。また、個々で用いた化学的方法は低コストであり、かつ、部分還元グラフェン階層体−連結体を量産可能な方法である。
まず、本発明の実施形態であるグラフェンキャパシターについて説明する。
図11は、本発明の実施形態であるグラフェンキャパシターの一例を示す図であって、図11(a)は平面図であり、図11(b)は図11(a)のA−A’線における断面図である。
図11(a)に示すように、グラフェンキャパシター41は、平面視円状で、皿状のコインセルケース本体51と、ガスケット58と、コインセルキャップ52と、からなる。
コインセルケース本体51の内周にガスケット58を配置し、コインセルキャップ52を配置し、周縁を固く密着させて、コインセル型の容器50とする。
キャパシター本体部は、グラフェン電極フィルム63、基板53、電解液含浸層55、電解液含浸層56、基板54、グラフェン電極フィルム64、スチールスペーサー60、スプリング57がこの順序で積層され、構成されている。
基板53、54は、ろ紙、テフロン(登録商標)膜、多孔基板等であり、例えば、PTFE membraneである。電解液含浸層55、56は、例えば、グラスファイバー膜に電解液としてイオン性液体を含浸させたものを用いる。これらはセパレーター59を兼ねる。
本構成とすることにより、グラフェン電極フィルム63、64を電極とし、高性能の電気二重層キャパシターとすることができる。
グラフェン電極フィルム63、64はいずれも、部分還元グラフェン階層体−連結体11からなる。
基板53とコインセルケース本体51との間に、グラフェン電極フィルム63が配置されてなる。グラフェン電極フィルム63は、部分還元グラフェン階層体−連結体11からなる。
部分還元グラフェン階層体−連結体11は、4つの部分還元グラフェン階層体21〜24がエステル結合34で連結されてなる。xy面(図示略)内で連結されたグラフェンがxz面内で重ね合わされ、3次元的な階層構造を形成している。
なお、図面では省略しているが、基板53上では、4以上の数の部分還元グラフェン階層体が連結されている。
部分還元グラフェン階層体の構成はこれに限られるものではなく、2枚以上の部分還元グラフェンと前記部分還元グラフェン間に挟持されたナノ物質とを有していればよい。
図13は、本発明の実施形態であるグラフェン電極フィルムの製造方法の一例を示すフローチャート図である。
本発明の実施形態であるグラフェン電極フィルムの製造方法は、分散溶液調整工程S1と、還元溶液作成工程S2と、部分還元グラフェン階層体−連結体膜形成工程S3と、を有する。
酸化グラフェンは、下記に示すように作成することが好ましい。下記工程は、Hummers法をベースとして改良したものであり、酸化グラフェンを、低コストで量産できる。また、この工程から電極フィルム作製までの工程を一貫した工程とすることができる。
次に、硫酸、過マンガン酸カリウム及び過酸化水素をそれぞれ所定量添加し、均一に分散させる。なお、この順番で添加し、添加ごとに攪拌することが好ましい。
次に、これらをよく分散させることにより、グラファイトを構成するグラフェンを酸化する。酸化グラフェンは、カルボキシル基、水酸基及びカルボニル基を有し、膨張して、グラファイトから1枚ごとに容易に剥離できる。
次に、酸化グラフェンを含む溶液をろ過する。これにより、酸化グラフェンからなる粉末が得られる。粉末は水等で良く洗浄することが好ましい。
次に、カルボキシル基、水酸基及びカルボニル基を有する酸化グラフェンを、導電性材料からなり、径が0.3nm以上100nm以下の粉粒体、棒状体、筒状体又は繊維状体であるナノ物質とともに、溶媒に分散して、分散溶液を調整する。
分散溶液中では、酸化グラフェンを一枚ずつ分離した状態となる。これを、ナノ物質が均一に分散した溶液と混合して、酸化グラフェンとナノ物質をそれぞれ一つの溶液中に均一に分散させる。これにより、酸化グラフェン表面にナノ物質がπ−π結合により結合される。酸化グラフェン表面のナノ物質は、他の浮遊している酸化グラフェン表面にも結合し、サンドイッチ状となる。これを繰り返し、ナノ物質がスペーサーとなる酸化グラフェン階層体を形成する。このように、一の酸化グラフェン表面に付着したナノ物質に、別酸化グラフェン表面が付着されることが繰り返されることにより、ナノ物質をスペーサーとして間に挟み込んだグラフェン積層が自律的に形成され(以下、セルフアセンブルとも称する)、分散溶液中に、ナノ物質をスペーサーかつ接合体として酸化グラフェンを積層した酸化グラフェン階層体が形成される。酸化グラフェン階層体は、ナノ物質をスペーサーとして介在させた構造であり、グラフェンの表面の高導電性、高強度等の他にない優れた特性を活かした構造となる。
例えば、ナノ物質として単層カーボンナノチューブを用いた場合には、界面活性剤として、ドデシルベンジンスルホン酸ナトリウムを用いることが好ましい。
ナノ物質として単層カーボンナノチューブを用いた場合には、単層カーボンナノチューブは疎水性のため、水溶液中に均一分散させることは困難である。そのため、親水性のグラフェン酸化物とナノ物質の均一分散した溶液を形成することが困難となり、単層カーボンナノチューブをスペーサーとして、積層させるグラフェン間に介在させて、酸化グラフェン階層体を自律的に作成することが困難となる。
しかし、カーボンナノチューブ溶液に、界面活性剤のドデシルベンジンスルホン酸ナトリウムを添加することにより、図14に示すように、単層カーボンナノチューブの表面に界面活性剤イオンであるドデシルベンジンスルホン酸イオンを吸着させて、単層カーボンナノチューブをイオン化させることができる。これにより、単層カーボンナノチューブを相互にクーロン反発させて、水溶液中に容易に均一分散させることができる。
次に、不活性ガス雰囲気下、前記分散溶液に還元剤を添加して、前記酸化グラフェンを、カルボニル基のみを還元し、カルボキシル基及び水酸基をグラフェンエッジ部に残存させた部分還元グラフェンに変換するとともに、一の部分還元グラフェンのカルボキシル基と、他の部分還元グラフェンの水酸基を脱水縮合反応させてエステル結合を形成することにより、複数の部分還元グラフェンを機械的、電気的に連結して、自律的に3次元の部分還元グラフェン階層体−連結体を有する還元溶液を作成する。
図15は、酸化グラフェン階層体の還元反応の一例を示す図であって、酸化グラフェンが部分還元グラフェンに変換される反応を示す図である。このように、酸化グラフェンを、カルボニル基のみを還元し、カルボキシル基及び水酸基をグラフェンエッジ部に残存させた部分還元グラフェンに変換する。
以上の工程により、酸化グラフェン階層体は還元され、また、部分還元グラフェン階層体は連結され、部分還元グラフェン階層体−連結体が作成される。
なお、部分還元グラフェンは表面に水酸基を持ち、カーボンナノチューブ等のナノ物質も表面に水酸基を持つので、還元工程の段階でも、酸化グラフェン階層体とセルフアセンブルされなかったナノ物質が部分還元グラフェン表面に付着され、部分還元グラフェンとセルフアセンブルされる場合がある。
また、分散溶液を「水の沸点(100℃)」−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度に加熱してから還元剤を添加することが好ましい。
更にまた、還元剤を添加後、不活性ガス雰囲気下、「水の沸点(100℃)」−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度で加熱した状態を20時間以上維持することが好ましい。
例えば、加熱はオイルバスを用い、還元時のオイルバスの温度は98℃とする。
このように、エッジ部のカルボキシル基(COOH)と水酸基(OH)を残す還元方法とすることが好ましい。強い還元であると、エッジ部のカルボキシル基(COOH)や水酸基(OH)も除去してしまい、好ましくない。
次に、湿式成膜法又は濾過法により成膜する。
湿式成膜法は、スピンコーティング法、ディッピング法、キャスト法等を挙げることができる。また、濾過法では、例えば、濾紙、メンブラン、多孔基板等で、還元溶液を濾過する方法を挙げることができる。真空濾過が好ましい。
これらの方法により、部分還元グラフェン階層体−連結体11からなるグラフェン電極フィルムを容易に作製できる。
成膜後、洗浄・乾燥を複数回繰り返すことが好ましい。これにより、不純物濃度を低下させることができる。
還元溶液作成工程S2で、酸化グラフェンの表面の化学機能化分子であるカルボニル基のみを除去し、エッジ部にカルボキシル基と水酸基が残存するように部分還元するとともに、エッジ部のカルボキシル基と水酸基を脱水縮合反応させて部分還元グラフェン同士をエステル結合させ、グラフェンを連結して、容易に、部分還元グラフェン階層体を3次元化させた部分還元グラフェン階層体−連結体を形成することができ、実用レベルの大きさの凝集体とすることができる。
まず、改良Hummers法を用いて、市販のグラファイトから酸化グラフェンを以下のように作成した。図17は、酸化グラフェンの製造方法の一例を示すフローチャート図である。
(1)グラファイト(3g、大きさ20μm以下、純度99%、Nacalai Tesque社製)と硝酸ナトリウム(NaNo3)3gを水とともにビーカー内で混合した。
(2)この混合液に硫酸(H2SO4、138ml、純度98%)を加え、氷水浴の中で15分間かき混ぜた。
(3)過マンガン酸カリウム(KMnO4)18gを加熱しないように、この溶液にゆっくり添加し、室温で12h、強く撹拌した。12h後、溶液の色は茶色となり、ペースト状を呈した。
(4)この溶液に240mlの水を加え、30min間撹拌した。溶液の温度は90℃に上昇した。更に、600mlの温水を加え、2h撹拌した。
(6)洗浄は、5%の塩酸(HCl)水溶液と脱イオン水500mlを加え、3回繰り返した。
(7)超遠心分離装置により、脱水を繰り返し、得られた酸化グラフェン沈殿物を真空乾燥して、黒色の粉末(酸化グラフェン)を得た。
図18(a)は低倍率の酸化グラフェンの写真である。平面視略楕円形状のCuグリッド上に炭素薄膜が形成された基板上にグラフェンがグラファイトから一枚ずつ剥離されて載せられている。図18(b)は、図18(a)のマーク部(□部)付近を高倍率にした酸化グラフェンの写真である。皺状を呈した部分が、酸化グラフェン表面である。
次に、試験例1で得られた酸化グラフェン粉末を用いて、部分還元グラフェン階層体−連結体を以下のように作成した。図19は、部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法の一例を示すフローチャート図である。
(1)試験例1で作成した酸化グラフェン100mgを蒸留水100mlに加え、30min間の超音波処理により分散させ、酸化グラフェン水溶液を調整した。
(2)単層カーボンナノチューブ(Cheap Tube社製、純度90%、アモルファスカーボンを3%以下含有し、長さは15〜30mm、直径1〜2nm)25mgをドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム1%の水溶液100mlに加え、超音波処理を2h行った。これにより、単層カーボンナノチューブを分散させ、単層カーボンナノチューブ水溶液を調整した。
(3)酸化グラフェン水溶液と単層カーボンナノチューブ水溶液を混合し、1hの超音波処理を行った。これにより、スペーサーとして単層カーボンナノチューブを有する酸化グラフェン積層体を含有する水溶液を得た。
なお、この酸化グラフェンの還元において、還元時の温度を水の沸点以下にして弱く還元させることにより、酸化グラフェン表面のカルボニル基は除去するが、酸化グラフェン外縁部のカルボキシル基と水酸基は残存させた。
(6)黒色粉末を蒸留水で洗浄した。これにより、余分のヒドラジンおよびドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを除去した。
(7)黒色粉末を真空乾燥した。これにより、黒色粉末(実施例1の部分還元グラフェン階層体−連結体の粉末)を得た。
図21は、実施例1の部分還元グラフェン階層体−連結体の透過型電子顕微鏡写真(TEM写真)である。
図20、21では、グラフェン表面に付着した単層CNTが観測された。
基板上に膜状のグラフェンが層状に成膜されていた。膜は部分的にまくれあがっていた。また、糸状のCNTが複数観測されていた。CNTは相互に分離していたが、部分的にバンドル状になっていた。CNTはグラフェンの膜間に存在していた。CNTは全体がグラフェン間に挟み込まれたものや、部分的に挟み込まれたものが存在した。
図22(a)、(b)に示すように、基板上に、グラフェン第1層、グラフェン第2層、グラフェン第3層、グラフェン第4層、グラフェン第5層が積層されている。複数の繊維状のCNTがグラフェンの表面に接合され、表面上、層間に配置されている。
部分還元グラフェン階層体−連結体111は、5枚の部分還元グラフェンが積層された部分還元グラフェン階層体121と、これにエステル結合134xで連結された部分還元グラフェン階層体122と、エステル結合134zで連結された部分還元グラフェン階層体123と、からなる。部分還元グラフェン階層体121は部分還元グラフェン本体部131cと、カルボキシル基131aと、水酸基131bと、を有する。
ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム1%の水溶液100mlの代わりに蒸留水100mlを用いた他は実施例1と同様にして、黒色粉末(実施例2の部分還元グラフェン階層体−連結体の粉末)を得た。これは、実施例1と異なり、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを含む。
濾過工程で、黒色粉末を凝集させて、フィルム状とした他は実施例1と同様にして、黒色フィルム(実施例3の部分還元グラフェン階層体−連結体のフィルム)を得た。
濾過工程で、黒色粉末を凝集させて、フィルム状とした他は実施例2と同様にして、黒色フィルム(実施例4の部分還元グラフェン階層体−連結体のフィルム)を得た。これは、実施例2と異なり、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを含む。
<電極材料作成>
まず、図17に示す酸化グラフェン溶液作成フローに従い、酸化グラフェン溶液を作成してから、酸化グラフェン溶液から溶媒を揮発させて、酸化グラフェン粉末を作成した。
同時に、単層カーボンナノチューブに、ドデシルベンジンスルホン酸ナトリウムを1wt%添加し、100mlの蒸留水に溶かしてから、超音波処理2hして、単層カーボンナノチューブ溶液を調整した。なお、単層カーボンナノチューブはCheap Tube社製で、純度90%以上、アモルファスカーボン3wt%以下、長さ5〜30mm、直径1〜2nmのものを用いた。
次に、上記還元溶液を真空濾過し、黒色の塊を得、これを蒸留水で洗浄した。この濾過及び洗浄を数回繰り返した。これにより、残留しているヒドラジンと界面活性剤のドデシルベンジンスルホン酸ナトリウムを除去した。
次に、黒色の塊を真空乾燥(25℃、48h)した。これにより、黒色の凝集体の乾燥粉末(実施例5材料)を得た。
実施例5材料を0.2mg/mlのエタノールに分散させてから、マイクロポーラスのフィルターで濾過して、電極フィルム<4>を作成した。
まず、電極フィルムを1.5cm径に切り取った。電極の重量は0.8mgであった。
次に、この電極フィルムをテフロン(登録商標)膜上に貼り付けて、サンプル電極とした。
次に、このサンプル電極を用いて、図24に示すコインセル型実験用キャパシターの分解図に従い、2つのコインセルキャップ、ガスケット、スプリング、スチールスペーサー、2枚のサンプル電極(1.5cm径の電極フィルム+テフロン(登録商標)膜)、2つの電解液含浸層(電解液を染み込ませたグラスファイバー膜)を組み合わせて、図11に示した2電極方式のコインセル型実験用キャパシターを試作した。電解液含浸層はセパレーターを兼ねた。2電極方式の構成とすることにより、正確な電気化学的キャパシター特性を計測できる。
界面活性剤を添加しなかった他は実施例5と同様にして、凝集体の乾燥粉末(実施例6材料)を作成した。
次に、電極材料として実施例6材料を用いた他は実施例5と同様にして、電極フィルム<5>を作製し、コインセル型実験用キャパシターを作製した。
単層カーボンナノチューブの代わりに多層カーボンナノチューブを用いた他は実施例5と同様にして凝集体の乾燥粉末(実施例7材料)を作成した。
単層カーボンナノチューブを高温フッ素化処理によりカッティングして、長さを2〜5μmにした他は実施例1と同様にして、凝集体の乾燥粉末(実施例8材料)を作成した。
次に、電極材料として実施例8材料を用いた他は実施例5と同様にして、電極フィルム<8>を作製し、コインセル型実験用キャパシターを作製した。
酸化グラフェンを完全に還元して、グラフェンとして、凝集体の乾燥粉末(比較例1材料)を得た。
次に、電極材料として比較例1材料を用いた他は実施例5と同様にして、電極フィルム<2>を作製し、コインセル型実験用キャパシターを作製した。
単層カーボンナノチューブのみを比較例2材料とした。
次に、電極材料として比較例2材料を用いた他は実施例5と同様にして、電極フィルム<1>を作製し、コインセル型実験用キャパシターを作製した。
界面活性剤を含み、酸化グラフェンを完全に還元して、グラフェンとして、凝集体の乾燥粉末(比較例3材料)を得た。
次に、電極材料として比較例3材料を用いた他は実施例5と同様にして、電極フィルム<3>を作製し、コインセル型実験用キャパシターを作製した。
グラフェンとカーボンナノチューブを混合して、比較例4材料とした。
次に、電極材料として比較例4材料を用いた他は実施例5と同様にして、電極フィルム<6>を作製し、コインセル型実験用キャパシターを作製した。
実施例5材料及び実施例6材料を電子顕微鏡で観察した。
図25は実施例5材料の電子顕微鏡写真であって、(a)はTEM写真であり、(b)はSEM写真である。界面活性剤を添加したものである。
図26は実施例6材料の電子顕微鏡写真であって、(a)はTEM写真であり、(b)はSEM写真である。界面活性剤を添加しなかったものである。
実施例5材料、実施例7材料、及び比較例1材料のX線回折パターンを測定した。
図27は、実施例5材料、実施例7材料、及び比較例1材料のX線回折パターンを測定結果である。
実施例5材料(グラフェン/単層カーボンナノチューブ)の回折強度が、実施例7材料(グラフェン/多層カーボンナノチューブ)、及び比較例1材料(グラフェン)よりも最も高く、また、ピークが極めてシャープであり、最も結晶性が良かった。
この結果は、単層カーボンナノチューブがスペーサーとして、グラフェン間に均一に介在し、グラフェン積層を高密度とするとともに、グラフェン間隔を一定としていることを示している。
実施例5,6及び比較例1−4で作製したコインセル型実験用キャパシターに電源を接続し、電圧を印加して、各サンプル電極のキャパシター性能を計測した。
図28中、「グラフェン」は「電極フィルム<2>」を指し、「グラフェン(界面活性剤)還元」は「電極フィルム<3>」を指し、「SWNT」は「電極フィルム<1>」を指し、「グラフェン/SWNT(界面活性剤)同時還元」は「電極フィルム<4>」を指し、「グラフェン/SWNT(界面活性剤)同時還元」は「電極フィルム<4>」を指し、「グラフェン/SWNT同時還元」は「電極フィルム<5>」を指し、「グラフェン/SWNT混合」は「電極フィルム<6>」を指す。表1の材料名と対応させている。
図28(c)、(d)は電極フィルム<4>の材料についての電位を3.0Vから3.5V、4.0Vに増加させた時の充放電曲線と電流変化である。
図28(c)は電気化学特性に及ぼす電圧の影響を示し、図28(d)は電圧と電流との関係を示す。電位を3.0Vから3.5V、4.0Vと上昇させると充放電曲線及び電流変化が大きく変化した。この変化からからエネルギー密度が増大することが分かる。
これらの結果から得られたキャパシター特性を表1にまとめた。
電極フィルム<1>〜電極フィルム<6>の各電極材料を用いた各キャパシターでは、同一電圧・電流条件で計測した。なお、表1中、電極材料としての電極フィルム<7>は電極フィルム<4>と同一の電極フィルムである。
本発明のキャパシターの高性能なキャパシター特性は、グラフェンとカーボンナノチューブとを3次元的な階層構造とし、さらには高密度、高配列とした、電極材料を用いたことによると推察した。
カーボンナノチューブの長さが必要以上に長いと、余分の隙間を形成させ、また、重なって厚すぎるスペーサーとなることが懸念される。そこで、実施例8で、単層カーボンナノチューブを2〜5μmの長さにカットしたサンプルを作成して電極フィルム<8>を作成し、キャパシターを作成した。
この電極フィルム<8>を用いたキャパシターのキャパシター性能を測定した。
最も性能がよかった電極フィルム<4>を用いたキャパシターのキャパシター性能と比較した。その結果を表2に示す。表2中、上側が電極フィルム<8>を用いたキャパシターの計測結果であり、下側が電極フィルム<4>を用いたキャパシターの計測結果である。
なお、表2の比較は、同時に同じプロセスで作製したサンプルで行った。そのため、表1の結果とは数値が少し異なったものとなった。しかし、カット単層カーボンナノチューブの効果を調べるには適切である。
41…グラフェンキャパシター、50…コインセル型の容器、51…コインセルケース本体、52…コインセルキャップ、53、54…基板、55、56…電解液含浸層、57…スプリング、58…ガスケット、59…セパレーター、60…スチールスペーサー、63、64…グラフェン電極フィルム、111…還元グラフェン階層体−連結体、121、122、123…部分還元グラフェン階層体、131…部分還元グラフェン、131a…カルボキシル基、131b…水酸基、131c…部分還元グラフェン本体部、132…ナノ物質、134x、134z…エステル結合。
(2)ナノ物質が、導電性材料からなり、径が0.3nm以上100nm以下の粒子、棒状体、筒状体又は繊維状体であることを特徴とする(1)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
(3)前記径が、1〜10nmであることを特徴とする(2)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
(4)前記ナノ物質がカーボンナノチューブであることを特徴とする(2)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
(5)複数の部分還元グラフェン階層体が還元グラフェンのシート面に平行な方向及び垂直な方向のいずれか一方又は両方で連結されていることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
(6)複数の部分還元グラフェン階層体が3次元的に連結されていることを特徴とする(5)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
(7)カルボキシル基、水酸基及びカルボニル基を有する酸化グラフェンを、導電性材料からなり、径が0.3nm以上100nm以下の粒子、棒状体、筒状体又は繊維状体であるナノ物質とともに、溶媒に分散して、分散溶液を調整する工程と、不活性ガス雰囲気下、前記分散溶液に還元剤を添加して、前記酸化グラフェンを、カルボニル基のみを還元し、カルボキシル基及び水酸基を残存させた部分還元グラフェンに変換するとともに、一の部分還元グラフェンのカルボキシル基と、他の部分還元グラフェンの水酸基を脱水縮合反応させてエステル結合を形成することにより、複数の部分還元グラフェンを連結して、部分還元グラフェン階層体−連結体を作成する工程と、を有することを特徴とする部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
(8)前記溶媒に界面活性剤を添加することを特徴とする(7)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
(9)還元剤がヒドラジン水和物であることを特徴とする(7)又は(8)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
(10)分散溶液を「水の沸点(100℃)−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度に加熱してから還元剤を添加することを特徴とする(7)〜(9)のいずれかに記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
(11)還元剤を添加後、不活性ガス雰囲気下、「水の沸点(100℃)−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度で加熱した状態を20時間以上維持することを特徴とする(10)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
(12)グラファイトを、硝酸ナトリウムとともに水に混合してから、硫酸、過マンガン酸カリウム及び過酸化水素を分散し、グラファイトからグラフェンを酸化グラフェンにして剥離した後、それをろ過して酸化グラフェンを作成することを特徴とする(7)に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
(13)(1)〜(6)のいずれかに記載の部分還元グラフェン階層体−連結体を含有することを特徴とする還元グラフェン階層体−連結体含有粉末。
(14)(1)〜(6)のいずれかに記載の部分還元グラフェン階層体−連結体を含有することを特徴とする部分還元グラフェン階層体−連結体含有フィルム。
ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム1%の水溶液100mlの代わりに蒸留水100mlを用いた他は実施例1と同様にして、黒色粉末(実施例2の部分還元グラフェン階層体−連結体の粉末)を得た。これは、実施例1と異なり、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを含まない。
濾過工程で、黒色粉末を凝集させて、フィルム状とした他は実施例2と同様にして、黒色フィルム(実施例4の部分還元グラフェン階層体−連結体のフィルム)を得た。これは、実施例2と同様に、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを含まない。
単層カーボンナノチューブを高温フッ素化処理によりカッティングして、長さを2〜5μmにした他は実施例5と同様にして、凝集体の乾燥粉末(実施例8材料)を作成した。
次に、電極材料として実施例8材料を用いた他は実施例5と同様にして、電極フィルム<8>を作製し、コインセル型実験用キャパシターを作製した。
Claims (30)
- 2以上の部分還元グラフェン階層体が連結されてなる部分還元グラフェン階層体−連結体であって、
前記部分還元グラフェン階層体が、2枚以上の部分還元グラフェンと、前記部分還元グラフェン間に挟持されたナノ物質と、を有しており、
前記部分還元グラフェンが、カルボニル基を有さず、カルボキシル基及び水酸基を有しており、
異なる部分還元グラフェン階層体が互いにエステル結合により連結されていることを特徴とする部分還元グラフェン階層体−連結体。 - ナノ物質が、導電性材料からなり、径が0.3nm以上100nm以下の粒子、棒状体、筒状体又は繊維状体であることを特徴とする請求項1に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
- 前記径が、1〜10nmであることを特徴とする請求項2に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
- 前記ナノ物質がカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項2に記載の還元グラフェン階層体−連結体。
- 複数のグラフェン階層体が還元グラフェンのシート面に平行な方向及び垂直な方向のいずれか一方又は両方で連結されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
- 複数の部分還元グラフェン階層体が3次元的に連結されていることを特徴とする請求項5に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体。
- カルボキシル基、水酸基及びカルボニル基を有する酸化グラフェンを、導電性材料からなり、径が0.3nm以上100nm以下の粒子、棒状体、筒状体又は繊維状体であるナノ物質とともに、溶媒に分散して、分散溶液を調整する工程と、
不活性ガス雰囲気下、前記分散溶液に還元剤を添加して、前記酸化グラフェンを、カルボニル基のみを還元し、カルボキシル基及び水酸基を残存させた部分還元グラフェンに変換するとともに、一の部分還元グラフェンのカルボキシル基と、他の部分還元グラフェンの水酸基を脱水縮合反応させてエステル結合を形成することにより、複数の部分還元グラフェンを連結して、部分還元グラフェン階層体−連結体を作成する工程と、を有することを特徴とする部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。 - 前記溶媒に界面活性剤を添加することを特徴とする請求項7に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
- 還元剤がヒドラジン水和物であることを特徴とする請求項7又は8に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
- 分散溶液を「水の沸点(100℃)−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度に加熱してから還元剤を添加することを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
- 還元剤を添加後、不活性ガス雰囲気下、「水の沸点(100℃)−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度で加熱した状態を20時間以上維持することを特徴とする請求項10に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
- グラファイトを、硝酸ナトリウムとともに水に混合してから、硫酸、過マンガン酸カリウム及び過酸化水素を分散し、グラファイトからグラフェンを酸化グラフェンにして剥離した後、それをろ過して酸化グラフェンを作成することを特徴とする請求項7に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体を含有することを特徴とする部分還元グラフェン階層体−連結体含有粉末。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の部分還元グラフェン階層体−連結体を含有することを特徴とする部分還元グラフェン階層体−連結体含有フィルム。
- 2以上の部分還元グラフェン階層体をエステル結合で連結させた部分還元グラフェン階層体−連結体からなる電極フィルムであって、
前記部分還元グラフェン階層体が、2枚以上の部分還元グラフェンが積層され、その層間にナノ物質が挟持された階層体であり、
前記部分還元グラフェンが、エッジ部にカルボキシル基及び水酸基を有するグラフェンであることを特徴とするグラフェン電極フィルム。 - 前記ナノ物質が、導電性材料からなり、径が0.3nm以上100nm以下の粉粒体、棒状体、筒状体又は繊維状体であることを特徴とする請求項15に記載のグラフェン電極フィルム。
- 前記径が1〜10nmであることを特徴とする請求項16に記載のグラフェン電極フィルム。
- 前記ナノ物質がカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項16又は17に記載のグラフェン電極フィルム。
- 前記カーボンナノチューブの長さが2〜5μmであることを特徴とする請求項18に記載のグラフェン電極フィルム。
- 前記部分還元グラフェン階層体が3次元的に連結されていることを特徴とする請求項15に記載のグラフェン電極フィルム。
- 膜厚が0.1mm以上であることを特徴とする請求項15に記載のグラフェン電極フィルム。
- 酸化グラフェンからなる粉末を、導電性材料からなり、径が0.3nm以上100nm以下の粉粒体、棒状体、筒状体又は繊維状体であるナノ物質とともに、溶媒に分散して、分散溶液を調整する工程と、
不活性ガス雰囲気下、前記分散溶液に還元剤を添加して、部分還元グラフェン階層体−連結体を有する還元溶液を作成する工程と、
湿式成膜法又は濾過法により、前記還元溶液からグラフェン電極フィルムを作製する工程と、を有することを特徴とするグラフェン電極フィルムの製造方法。 - ナノ物質がカーボンナノチューブであることを特徴とする特徴とする請求項22に記載のグラフェン電極フィルムの製造方法。
- 前記溶媒に界面活性剤を更に添加して、分散溶液を調整することを特徴とする請求項22又は23に記載のグラフェン電極フィルムの製造方法。
- 前記界面活性剤としてドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを用い、0.5〜1.5wt%添加して、分散溶液を調整することを特徴とする特徴とする請求項24に記載のグラフェン電極フィルムの製造方法。
- 前記還元剤がヒドラジン水和物であることを特徴とする請求項22に記載のグラフェン電極フィルムの製造方法。
- 前記分散溶液を「水の沸点(100℃)−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度範囲に加熱してから還元剤を添加することを特徴とする請求項22に記載のグラフェン電極フィルムの製造方法。
- 前記還元剤を添加後、不活性ガス雰囲気下、「水の沸点(100℃)−10℃」以上「水の沸点(100℃)」未満の温度範囲で加熱した状態を20時間以上維持することを特徴とする請求項27に記載のグラフェン電極フィルムの製造方法。
- グラファイトを、硝酸ナトリウムとともに水に混合してから、硫酸、過マンガン酸カリウム及び過酸化水素を分散し、グラファイトからグラフェンを酸化グラフェンにして剥離した後、それをろ過して酸化グラフェンを作成することを特徴とする請求項22に記載のグラフェン電極フィルムの製造方法。
- 密封可能な容器と、前記容器内に配置され、2枚の電極フィルムの間に電解液含浸層が設けられたキャパシター本体部とからなるキャパシターであって、
前記電極フィルムがいずれも、請求項15〜23のいずれか1項に記載のグラフェン電極フィルムであることを特徴とするグラフェンキャパシター。
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