JPWO2014033983A1 - 部品実装構造体 - Google Patents

Abstract

部品実装構造体は、複数の第１電極を有する第１対象物と、複数の第２電極を有する、電子部品としての第２対象物と、複数の第１電極と、対応する複数の第２電極とをそれぞれ接合する接合部と樹脂補強部とを含む。接合部が、第１金属および樹脂粒子の少なくとも一方を含むコア、並びに、第１金属と、低融点の第２金属との金属間化合物層を有する。樹脂補強部は、第１電極と第２電極との間の空間以外の部分で、コアと、金属間化合物と、を含む粒状物、を含む。その部分における粒状物の含有量は０．１〜１０体積％である。

Description

本発明は、第１対象物と、電子部品としての第２対象物と、を含む部品実装構造体に関する。

従来、半導体チップ等の電子部品を回路基板等の基板と接続して構成される部品実装構造体においては、それぞれの電極同士を半田接合することで、電子部品と回路基板とを電気的および機械的に接続している。しかしながら、半田接合は、電極同士の電気的な接続を主な目的としており、機械的な接合強度は、例えば溶接等に比べて小さい。このため、電子部品と回路基板との間に熱硬化性樹脂を含む接着剤を供与して樹脂補強部を形成し、これにより半田接合部を補強することが行われている。

そして、このような場合には、半田の粉末を接着剤に混入して得られるペースト（以下、半田−樹脂混合物という）を、電子部品と回路基板の対応する電極間に供給することも行われている（例えば、特許文献１参照）。これにより、電極同士の半田接合と、接着剤による半田接合部の樹脂補強とを同時に行うことが可能となる。ここで、特許文献１においては、半田粉末の溶融温度を、熱硬化性樹脂のガラス転移温度よりも低い温度に設定することで、樹脂補強部と、電子部品または回路基板の接合面との間に働く熱応力を抑えている。

ところが、特許文献１のように、電極端子の接合に比較的融点の低い半田を使用すると、電子部品を回路基板に接合した後、さらにリフロー工程等の再加熱工程を行うような場合には、半田接合部が再溶融しやすくなる。これにより、電子部品と回路基板との間の接続信頼性が低下することがある。

これを避けるために、特許文献２では、上述した半田−樹脂混合物にＣｕ粒子等の高融点の金属粒子を混入させることで、半田とＣｕとの金属間化合物を生成し、これにより、半田接合部の再溶融温度を高くすることを提案している。

特開２００８−６９３１６号公報 特開２００２−２６１１０５号公報

しかしながら、上述したような半田とＣｕとの金属間化合物の生成により半田接合部の再溶融温度を十分に高めるためには、Ｃｕ粒子と半田との接触面積を大きくする必要があり、このため、比較的多量のＣｕ粒子を半田−樹脂混合物に含ませる必要がある。

図１７に示すように、熱圧着により電子部品１２Ａの電極１６Ａと、対応する回路基板１４Ａの電極１８Ａとを接合するような場合には、対応電極同士を接触させるように電子部品と回路基板とが所定の圧力で互いに押し付けられる。したがって、熱圧着による半田接合では、半田４８が溶融した溶融半田４９を電極間で収容するスペースは小さくなる。このため、Ｃｕ粒子４６を半田−樹脂混合物に含ませると、電極間のスペースから溢れ出た溶融半田４９がＣｕ粒子４６を伝わって、隣接する電極まで濡れ拡がってしまうことがある。その結果、隣接する電極同士の距離が小さい場合には、それらの電極の間で短絡が発生し、電子部品と回路基板との接続信頼性が低下する。

そこで、本発明は、熱圧着により、比較的低融点の半田を使用して、電子部品と回路基板の電極同士を接合した場合にも、再溶融温度が十分に高い接合部を形成することができるとともに、隣接する電極同士の短絡を防止することができ、電子部品と回路基板との接続信頼性を向上させることができる、部品実装構造体を提供することを目的としている。

本発明の部品実装構造体は、複数の第１電極を有する第１対象物と、
前記複数の第１電極の各々と対応する、第２電極を有する、電子部品としての第２対象物と、
前記第１電極と、対応する前記第２電極とを接合する接合部と、
前記接合部の少なくとも一部を覆う樹脂補強部と、
を含み、
前記接合部が、第１金属および樹脂粒子の少なくとも一方を含む第１コア、並びに、前記第１コアの表面を覆うとともに、前記第１金属と、前記第１金属よりも融点の低い第２金属との金属間化合物を含む第１金属間化合物層を有し、
前記樹脂補強部が、前記第１電極と前記第２電極との間の空間に存在する第１部分と、それ以外の第２部分とを有し、
前記第２部分は、前記第１金属および前記樹脂粒子の少なくとも一方を含む第２コアと、前記第１金属と前記第２金属との金属間化合物を含む第２金属間化合物層と、を含む粒状物、を含み、
前記第２部分における前記粒状物の含有量が０．１〜１０体積％である。

本発明によれば、熱圧着により、比較的低融点の半田を使用して、電子部品と回路基板の電極同士を接合することで部品実装構造体を形成した場合にも、再溶融温度が十分に高い接合部を形成することができるとともに、隣接する電極同士の短絡を防止することができ、電子部品と回路基板との接続信頼性を向上させることができる。

本発明の新規な特徴を添付の請求の範囲に記述するが、本発明は、構成及び内容の両方に関し、本発明の他の目的及び特徴と併せ、図面を照合した以下の詳細な説明によりさらによく理解されるであろう。

本発明の一実施形態に係る部品実装システムの概略構成を示すブロック図である。 本発明の部品実装システムおよび部品実装方法により製造される部品実装構造体の一例を示す断面図である。 熱圧着・加熱ユニットまたは熱圧着ユニットにて、熱圧着処理を実行する直前の状態を示す、一部断面図である。 半田−樹脂混合物に含ませる粒状物の構造を示す断面図である。 混合物供給ユニットにて、基板電極に半田−樹脂混合物が供給された状態を示す、一部断面図である。 熱圧着・加熱ユニットまたは熱圧着ユニットにて、熱圧着処理を開始した状態を示す、一部断面図である。 図６の要部を拡大した、一部断面図である。

図７の状態の後、半田層が溶融した状態を示す、一部断面図である。 図８の状態の後、金属間化合物が生成された状態を示す、一部断面図である。 図９の状態の後、溶融半田が固化して接合部の形成が完了した状態を示す、一部断面図である。 図１０Ａの状態における樹脂補強部の他の部分の状態を示す、一部断面図である。 本発明の他の実施形態に係る部品実装構造体の要部の一部断面図である。 図１１Ａの部品実装構造体の製造に使用される半田−樹脂混合物に含ませる粒状物の構造を示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る部品実装構造体の要部を拡大した一部断面図である。 図１２の部品実装構造体に対応する従来例の部品実装構造体の製造途中の一部分を拡大した一部断面図である。 本発明の部品実装構造体の製造に使用する部品実装システムの他の一例の概略構成を示すブロック図である。

図１４の部品実装システムの後加熱ユニットの一例を示す一部断面図である。 図１４の部品実装システムの後加熱ユニットの他の一例を示す一部断面図である。 従来の部品実装システムおよび部品実装方法により製造される従来の部品実装構造体の問題点を説明するための、従来の部品実装構造体の一部分を拡大して示す、一部断面図である。 従来の部品実装システムおよび部品実装方法により製造される従来の部品実装構造体の他の問題点を説明するための、従来の部品実装構造体の一部分を拡大して示す、一部断面図である。

本発明は、複数の第１電極を有する第１対象物と、複数の第１電極の各々と対応する、第２電極を有する、電子部品としての第２対象物と、第１電極と、対応する第２電極とを接合する接合部と、接合部の少なくとも一部を覆う樹脂補強部と、を含む部品実装構造体に関する。

接合部は、第１金属および樹脂粒子の少なくとも一方を含む第１コア、並びに、第１コアの表面を覆うとともに、第１金属と、第１金属よりも融点の低い第２金属との金属間化合物を含む第１金属間化合物層を有する。樹脂補強部は、第１電極と第２電極との間の空間に存在する第１部分と、それ以外の第２部分とを有する。第２部分は、第１金属および樹脂粒子の少なくとも一方を含む第２コアと、第１金属と第２金属との金属間化合物を含む第２金属間化合物層と、を含む粒状物、を含む。そして、第２部分における粒状物の含有量は、０．１〜１０体積％である。より好ましくは、０．１〜５体積％である。電子部品は、例えば、ＩＣチップ（ベアチップ）、パッケージ、電子部品モジュール、およびチップ部品等の各種電子部品を含む。

上述のような構成を有する本発明の部品実装構造体は、以下のような部品実装方法により製造することができる。

例えば、（ａ）複数の第１電極を有する第１対象物を準備する工程、（ｂ）複数の第１電極の各々と対応する、第２電極を有する、電子部品としての第２対象物を準備する工程、（ｃ）粒状物前駆体と、熱硬化性樹脂と、を含み、粒状物前駆体が、第１金属、または、第１金属および樹脂粒子を含むコア（第３コア）と、そのコアの表面を覆うとともに、第１金属より融点の低い第２金属を含む半田層（第３半田層）とを含み、第１金属が、半田層と接触しており、第１金属と第２金属とが金属間化合物を形成するように構成された半田−樹脂混合物を、第１電極に供給する工程、（ｄ）第２対象物を、複数の第２電極がそれぞれ対応する第１電極に半田−樹脂混合物を介して着地するように、第１対象物に搭載する工程、（ｅ）複数の第２電極と、対応する第１電極とを熱圧着して、第１金属および第２金属を含む接合部を形成する工程、および（ｆ）接合部を加熱することにより、接合部で第１金属と第２金属との相互拡散により金属間化合物の生成を促進するとともに、熱硬化性樹脂を硬化させる工程、を含む部品実装方法である。

ここで、半田−樹脂混合物は、ペースト状や、半硬化状（Ｂステージ）およびフィルム状でもよい。また、第１金属間化合物層および第２金属間化合物層は、第１電極と第２電極とを熱圧着するときの加熱や、接合部における金属間化合物の生成を促進するための加熱により生成される。そして、半田−樹脂混合物に含まれる粒状物前駆体の含有量を０．１〜１０体積％とすることで、樹脂補強部の第２部分における粒状物の含有量も０．１〜１０体積％とすることができる。半田−樹脂混合物の体積は、第１対象物と第２対象物との接合の前後でほとんど変わらないからである。

または、上述のような構成を有する本発明の部品実装構造体は、以下のような部品実装システムにより製造することができる。

その一例は、複数の第１電極を有する第１対象物を保持する保持ユニットと、粒状物前駆体および熱硬化性樹脂を含み、粒状物前駆体が、第１金属、または、第１金属および樹脂粒子を含むコア（第３コア）と、コアの表面を覆うとともに、第１金属より融点の低い第２金属を含む半田層（第３半田層）とを含み、第１金属が、半田層と接触しており、第１金属と第２金属とが金属間化合物を形成するように構成された半田−樹脂混合物を、第１電極に供給する混合物供給ユニットと、複数の第１電極の各々と対応する、第２電極を有する、電子部品としての第２対象物を保持し、複数の第２電極の各々が対応する第１電極に半田−樹脂混合物を介して着地するように、第２対象物を第１対象物に搭載する搭載ユニットと、を含み、搭載ユニットが、第２対象物を第１対象物に向かって押圧するとともに、第２対象物を加熱することにより、第２電極と、対応する第１電極とを熱圧着して、第１金属および第２金属を含む接合部を形成し、接合部をさらに加熱することにより、接合部で第１金属と第２金属との相互拡散により金属間化合物の生成を促進し、かつ熱硬化性樹脂を硬化させる、部品実装システムである。

他の一例は、複数の第１電極を有する第１対象物を保持する保持ユニットと、粒状物前駆体および熱硬化性樹脂を含み、粒状物前駆体が、第１金属、または、第１金属および樹脂粒子を含むコア（第３コア）と、コアの表面を覆うとともに、第１金属より融点の低い第２金属を含む半田層（第３半田層）とを含み、第１金属が、半田層と接触しており、第１金属と第２金属とが金属間化合物を形成するように構成された半田−樹脂混合物を、第１電極に供給する混合物供給ユニットと、複数の第１電極の各々と対応する、第２電極を有する、電子部品としての第２対象物を保持し、複数の第２電極の各々が対応する第１電極に半田−樹脂混合物を介して着地するように、第２対象物を第１対象物に搭載し、第２対象物を第１対象物に向かって押圧するとともに、第２対象物を加熱することにより、複数の第２電極と、対応する第１電極とを熱圧着して、第１金属および第２金属を含む接合部を形成する搭載ユニットと、第１対象物に搭載された第２対象物を収納または保持した状態で、接合部をさらに加熱することにより、接合部で第１金属と第２金属との相互拡散により金属間化合物の生成を促進するとともに、熱硬化性樹脂を硬化させる後加熱ユニットと、を含む部品実装システムである。

以上のような部品実装方法および部品実装システムにおいては、半田−樹脂混合物に含まれる粒状物前駆体が、第１金属を含むコア（第３コア）と、第１金属と接触した状態でコアの表面を覆う、第２金属（半田、あるいは半田合金）を含む半田層（第３半田層）とを含んでいる（図４および図１１Ｂ参照）。その結果、例えばコアの表面に第１金属を配することで、第１金属と第２金属との接触面積を大きくすることができ、接合部における、比較的高融点の第１金属と、第２金属との金属間化合物の生成量を多くすることができる。これにより、接合部の再溶融温度を、元の第２金属の融点よりも容易に高くすることができ、電子部品と基板との接続信頼性を向上させることができる。

以上の結果、例えば図１７に示すように、単に第１金属の粒子（４６）を半田−樹脂混合物に含ませた場合と比較すると、十分な量の金属間化合物を生成することで接合部の再溶融温度を所望の温度まで高めるために必要とされる第１金属の粒子の含有量を小さくすることができる。その結果、対応する電極間のスペースから溢れ出た溶融半田（４９）が、多量に存在する第１金属の粒子（４６）を伝わって、隣接する電極の間で濡れ拡がるのを防止することができる。したがって、隣接する電極間で短絡が発生するのを防止することができ、電子部品と基板との接続信頼性を向上させることができる。

さらに、半田も、粒状物前駆体の表面にある半田層に含まれた状態で供給されるために、その供給量を必要十分な量に抑えることが容易となる。そして、粒状物前駆体のコアが比較的融点の高い第１金属を含んでいるので、対応電極は、間に挟まれた粒状物前駆体のコアの原形をほぼ保ったままで、互いに熱圧着される。その結果、一定のギャップを確保した状態で対応電極が互いに熱圧着されるので、対応電極間のスペースから溢れ出る溶融半田の量を抑えることができる。したがって、隣接する電極間で短絡が発生するのをより効果的に防止することができる。

さらに、樹脂補強部の第２部分における粒状物の含有量が０．１〜１０体積％であり、その下限を０．１体積％に設定することで、半田−樹脂混合物における粒状物の含有量の下限も０．１体積％に設定される。これにより、導通不良の発生を抑えることができる。一方、粒状物前駆体の含有量の上限を１０体積％に設定することで、隣接する電極間の短絡を効果的に抑えることができる。

以上説明したように、本発明の部品実装構造体においては、接合部が、再溶融温度が元の半田である第２金属の融点よりも高い金属間化合物の層を含むので、部品実装構造体がさらに加熱されたときにも、接合部が破壊されてしまうのを防止することができ、電子部品と基板との接続信頼性を向上させることができる。さらに、粒状物の含有量が０．１〜１０体積％の範囲に設定されることから、導通不良の発生と、隣接する電極間で短絡が発生するのとを防止することができ、電子部品と基板との接続信頼性を向上させることができる。

以上の説明から明らかなように、本発明においては、粒状物のコア（第２コア）は、第１金属だけを主に含む第１形態、樹脂粒子と第１金属との両方を含む第２形態、および樹脂粒子だけを含む第３形態があり得る。第１形態の粒状物のコアは、代表的には、粒状物前駆体のコアが第１金属だけを主に含む場合に形成される。第２形態および第３形態の粒状物のコアは、代表的には、粒状物前駆体のコアが樹脂粒子とその表面を覆う第１金属の層を含む場合に形成される。なお、第３形態の粒状物のコアにおいては、粒状物前駆体のコアに含まれている第１金属が全て金属間化合物に変化したために、粒状物のコアには、第１金属が残っていない。

つまり、接合部は、第１金属間化合物層の表面を覆う、第２金属を含む第１半田層を有する場合がある。粒状物は、第２金属間化合物層の表面を覆う、第２金属を含む第２半田層を有する場合がある。第１金属が、樹脂粒子と第１半田層との間に介在している場合がある。並びに、第１金属が、樹脂粒子と第２半田層との間に介在している場合がある。

そして、粒状物前駆体のコア（第３コア）に樹脂粒子を含ませることで、対応電極を互いに熱圧着するときに、コアを潰れにくくすることができる。これにより、対応電極間に所望のギャップを確保することが容易となり、例えば、設計通りの信号の電送線路長を確保することが容易となる。さらに、樹脂粒子に安価な材料を使用することでコストを低減することができる。このとき、粒状物前駆体のコアは、コアの中心に樹脂粒子があり、その樹脂粒子の表面の全てを第１金属の層が覆っていることが好ましい。これにより、第１金属の含有量を少なくしても、第１金属と半田層との接触面積を最大限に大きくすることができるので、接合部の再溶融温度を十分に高めることが容易となる。なお、粒状物前駆体のコアで、樹脂粒子の表面の全てが第１金属の層で覆われることは必須では無く、樹脂粒子の表面の一部分が直接半田層と接触していてもよい。

粒状物の平均粒子径（体積粒度分布における累積体積５０％における粒子径、以下同様である）および粒状物前駆体の平均粒子径は、２〜１００μｍであるのが好ましく、粒状物前駆体の半田層（第３半田層）の厚みは、０．１〜１０μｍであるのが好ましい。粒状物前駆体の平均粒子径、および半田層の厚みがこのような範囲であれば、半田層の厚みが比較的薄いために、接合部に含まれる半田のほとんどすべてを金属間化合物にすることも容易となる。その結果、接合部の再溶融温度を十分に上げることが容易となる。また、対応電極間に一定以上のギャップを確保することが容易となるとともに、半田の供給量が抑えられるので、隣接する電極間で短絡が発生するのをより効果的に防止することができる。

ここで、第１金属は、Ｃｕを含むのが好ましい。つまり、第１金属は、Ｃｕ合金であってもよく、その融点は、１０００℃以上であるのが好ましい。一方、第２金属は、半田を形成する合金であり、Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｂｉ，Ｉｎ，ＣｕおよびＳｂよりなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。第２金属の融点は、１１０〜２４０℃であるのが好ましい。熱圧着のときの加熱温度は、６０〜２５０℃であるのが好ましい。熱圧着のときのより好ましい加熱温度は、１２０〜２５０℃である。

本発明の他の形態においては、樹脂補強部が、さらに、粒状物よりも平均粒子径の小さい、シリカ（ＳｉＯ₂）およびアルミナ等の無機フィラーを含む。例えば半田−樹脂混合物に無機フィラーを含ませることによって、無機フィラーを含んだ樹脂補強部を形成することができる。これにより、樹脂補強部の熱膨張係数を小さくすることができる一方で、弾性率を大きくすることができる。したがって、部品実装構造体を加熱した後冷却するようなヒートサイクルが部品実装構造体に印加された場合や、電子部品の落下による衝撃が樹脂補強部に印加された場合にも、樹脂補強部にクラックが生じるなどの樹脂補強部の劣化を抑えることができる。その結果、接合部のヒートサイクルに対する耐性および耐衝撃性を向上させることができる。また、樹脂補強部の吸湿率を下げることができるので、電極や配線が腐食するのを防止することができる。

本発明の部品実装構造体は、第１対象物および第２対象物が、いずれもフレキシブル基板を含んでいてもよく、第２対象物が、フレキシブル基板を含み、第１対象物が、リジッド基板を含んでいてもよく、第２対象物が、半導体チップを含み、第１対象物が、フレキシブル基板またはリジッド基板を含んでいてもよく、第１対象物および第２対象物が、いずれも半導体チップを含んでいてもよい。

（実施形態１）
図１に、本発明の一実施形態に係る部品実装構造体を製造するための、電子部品実装システムの一例である実装ラインをブロック図により示す。図２に、本発明の一実施形態に係る部品実装構造体を断面図により示す。

図１のライン１０は、電子部品（第２対象物）を、電子機器の回路基板等の基板（第１対象物の一例）に実装するためのシステムである。基板は、リジッドな基板であってもよく、フレキシブルな基板であってもよい。基板が、リジッドな基板である場合にも、フレキシブルな基板である場合にも、基板は、１つ１つを独立に、または、複数の基板を一体化した状態で、ライン１０の各ユニットの間を搬送することができる。例えば基板がフレキシブルな基板である場合には、１つ１つを独立に例えばキャリアボードに載せて、または、複数の基板を含むテープ状の素材のままで、ライン１０の各ユニットの間を搬送することができる。複数の基板を含むテープ状の素材は、例えばスプロケットを使用することで、ライン１０の各ユニットの間で搬送することができる。

一方、電子部品は、半導体チップ（ベアチップ）であってもよく、フレキシブルまたはリジッドな基板に半導体チップ等を搭載したパッケージや、モジュールであってもよい。また、電子部品は、受動素子等のチップ部品であってもよい。

図示例のライン１０は、フレキシブル基板に半導体チップ等を搭載したモジュールである電子部品１２を、電子機器の回路基板であるリジッドまたはフレキシブルな基板１４に実装するための実装ラインである。より具体的には、ライン１０は、基板供給ユニット１、混合物供給ユニット２、電子部品供給装置６を含む熱圧着・加熱ユニット３、および構造体回収ユニット４を備えている。

基板供給ユニット１は、基板１４をラインに供給する。混合物供給ユニット２は、半田−樹脂混合物を基板１４の電極であるランド電極１８に供給する。熱圧着・加熱ユニット３は、熱圧着により、電子部品供給装置６により供給される電子部品１２の複数の部品電極１６と、基板１４の対応する複数のランド電極１８とを接合するように接合部１７を形成する（熱圧着処理）。また、熱圧着・加熱ユニット３は、接合部１７の再溶融温度の上昇を促進することを目的として、接合部１７を加熱する（融点シフト促進処理）。このとき、同時に、熱圧着・加熱ユニット３は、半田−樹脂混合物を加熱することで、接合部１７を補強するように樹脂補強部２９を形成する（樹脂硬化処理）。構造体回収ユニット４は、基板１４に電子部品１２が実装された部品実装構造体を回収する。

混合物供給ユニット２、および熱圧着・加熱ユニット３は、具体的な装置では、デバイスボンダ（ダイボンダやフリップチップボンダ）５として一体化することができる。また、ライン１０には、各ユニットの間で基板１４を搬送するためのコンベア８が配設されている。

ライン１０は、基板１４をキャリアボードに載せ、それを、コンベア８により各ユニットの間で搬送するキャリア搬送方式の表面実装ラインであり得る。キャリアボードには、耐熱テープで基板１４を固定することができる。あるいは、微粘着タイプの粘着材をキャリアボードの基板１４との対向面に塗布することで、基板１４を固定できる。この場合には、基板１４の裏面全体がキャリアボードに固定されるために、基板１４がフレキシブルな基板である場合にも、基板１４のうねりなどによる高さのばらつきを低減することができる。なお、リジッドな基板であれば、キャリアボードを使用せずに、基板１４を直接にコンベア８に搭載することもできる。

基板供給ユニット１には、例えば、マガジン式の基板ローダを使用することができ、構造体回収ユニット４には、例えば、マガジン式の基板アンローダを使用することができる。複数の基板１４がテープ状の素材に含まれている場合には、基板供給ユニット１には、巻き出しロールを含ませることができ、構造体回収ユニット４には、巻き取りロールを含ませることができる。

混合物供給ユニット２には、例えば半田−樹脂混合物がペースト状であれば、半田−樹脂混合物を、ノズル等を介して基板１４の複数のランド電極１８に塗布して供給するための図示しない塗布ヘッドと、半田−樹脂混合物を塗布ヘッドに供給するディスペンサと、基板認識カメラと、制御装置とを含ませることができる。制御装置は、塗布ヘッドの移動および動作、並びに、ディスペンサの動作を制御する。また、制御装置には、基板認識カメラの撮像画像を処理する画像処理装置を含ませることができる。あるいは、混合物供給ユニット２には、塗布ヘッドに代えて、スクリーン印刷装置、およびインクジェット塗布装置等を含ませることができる。これらの印刷装置により、半田−樹脂混合物を基板１４の複数のランド電極１８に供給することができる。

半田−樹脂混合物がフィルム状に形成されている場合には、吸着ノズル等で半田−樹脂混合物をセパレーター（剥離紙）からピックアップするか、または熱圧着により半田−樹脂混合物をセパレータから基板上の搭載領域ＡＲ１（図５参照）に転写して、半田−樹脂混合物を基板１４の複数のランド電極１８に供給することができる。半田−樹脂混合物が後述のＢステージである場合には、半田−樹脂混合物を溶剤に溶かしたものを、予め搭載領域ＡＲ１に印刷または塗布した後、加熱処理することにより、半田−樹脂混合物を基板１４の複数のランド電極１８に供給することができる。

電子部品供給装置６には、テープフィーダ、バルクフィーダ、及びトレイフィーダ等を含ませることができる。このとき、電子部品１２がモジュールやＬＧＡパッケージであれば、電子部品１２をトレイフィーダにより供給することができる。あるいは、電子部品がチップ部品であれば、テープフィーダまたはバルクフィーダにより供給することができる。

図３に示すように、熱圧着・加熱ユニット３には、例えば吸着により電子部品１２を保持する熱圧着ヘッド２０と、基板１４が載置されるプレス台２４と、部品電極１６を認識する図示しない部品認識カメラと、熱圧着ヘッド２０の移動および動作を制御する図示しない制御装置とを含ませることができる。熱圧着ヘッド２０には、部品電極１６を加熱するためのヒータ２２を含ませることができる。また、プレス台２４にもランド電極１８を加熱するためのヒータ２７を含ませることができる。

次に、上述の図３を参照して、半田−樹脂混合物を説明する。図３に示すように、半田−樹脂混合物２６は、熱硬化性樹脂を含む接着剤２８に、半田を含む粒状物前駆体３０を所定の割合で混合し、分散させたものである。半田−樹脂混合物２６はペースト状であってもよいし、フィルム状に成形されていてもよい。あるいは、半田−樹脂混合物２６はＢステージであってもよい。Ｂステージは、熱硬化性樹脂の反応の中間的な段階をいう。

接着剤２８は、熱硬化性樹脂に、硬化剤、チキソ剤、顔料、カップリング剤、および、活性剤を混合して調製することができる。熱硬化性樹脂の硬化物のガラス転移点は、特に限定されないが、粒状物前駆体３０に含ませた半田の融点以上とする（例えば、１２０〜１６０℃）のが好ましい。活性剤には、半田接合の際に電極表面およびバンプ表面に存在する酸化物などを除去する活性作用を有する有機酸やハロゲン化物などの材料を使用することができる。

接着剤２８に含ませる熱硬化性樹脂は、特に限定されないが、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ビスマレイミド、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂など、様々な樹脂を含むことができる。これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうちでは、耐熱性に優れる点などから、特にエポキシ樹脂が好適である。

エポキシ樹脂には、ビスフェノール型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、高分子型エポキシ樹脂の群から選ばれるエポキシ樹脂も用いることができる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などが好適に用いられる。これらを変性させたエポキシ樹脂も用いられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記のような熱硬化性樹脂と組み合わせて用いる硬化剤としては、チオール系化合物、変性アミン系化合物、多官能フェノール系化合物、イミダゾール系化合物、および酸無水物系化合物の群から選ばれる化合物を用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

粒状物前駆体３０に含ませる半田（第２金属）の具体例としては、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金などが挙げられるが、特に限定されるものではない。上記のＳｎをベース材料とする半田以外では、例えば金半田を用いてもよい。しかしながら、粒状物前駆体３０に含ませる半田の融点は、１１０〜２４０℃であるのが好ましい。

図４に粒状物前駆体の一例を断面図により示す。図示例の粒状物前駆体３０は、比較的高融点（例えば、１０００℃以上）の第１金属（例えば、Ｃｕ、またはＣｕ合金）から形成された球状のコア３２と、コア３２の表面を覆うように形成された、第２金属（半田ないしは半田合金）を含む半田層３４とを含む。

次に、図２に示した部品実装構造体の製造方法を説明する。
先ず、図５に示すように、基板供給ユニット１により供給された基板１４に対し、混合物供給ユニット２により、半田−樹脂混合物２６を、基板１４の電子部品１２が搭載される領域である搭載領域ＡＲ１に供給する。搭載領域ＡＲ１には、電子部品１２の部品電極１６と接合されるランド電極１８が全て形成されている。

次に、図３に示したように、熱圧着・加熱ユニット３において、電子部品供給装置６により供給される電子部品１２を熱圧着ヘッド２０により保持する。熱圧着ヘッド２０には、電子部品１２と接触する部分に複数の吸着ノズルないしは部品吸着用の通気孔を設けることができる。

そして、図６に示すように、電子部品１２の複数の部品電極１６の各々が対応するランド電極１８に着地するように、部品認識カメラの撮像画像により位置合わせをする。そして、熱圧着ヘッド２０に設けたヒータ２２により電子部品１２を所定温度Ｔａ（６０℃≦Ｔａ≦２５０℃）まで加熱しながら、電子部品１２を熱圧着ヘッド２０により基板１４に向かって所定の圧力で押し付ける。

これにより、図７に示すように、複数の部品電極１６の各々と、対応するランド電極１８との間に粒状物前駆体３０が挟み込まれる。なお、図では、粒状物前駆体３０が１つずつ、一組の部品電極１６とランド電極１８との間に挟まれているが、これに限らず、複数の粒状物前駆体３０を一組の部品電極１６とランド電極１８との間に挟ませることができる。

そして、図７に示した状態を所定時間Ｍａ（例えば５秒間）保持することにより、図８に示すように、半田層３４に含まれた第２金属（半田）が溶融して、溶融半田３６となる。その溶融半田３６が、接着剤２８に含ませた活性剤の酸化被膜除去作用により、部品電極１６およびランド電極１８の表面に濡れ拡がって、溶融半田３６は、楕円形状となる。

図８の状態から、そのまま、熱圧着・加熱ユニット３にて、所定温度Ｔｂ（３００℃≧Ｔｂ≧１００℃）で加熱することを所定時間Ｍｂ（６００秒≧Ｍｂ≧１秒）継続することにより、図９に示すように、コア３２に含まれる第１金属（Ｃｕ）が溶融半田３６に拡散し、元の半田よりも高融点の固相の金属間化合物を含む金属間化合物層３８がコア３２の周囲に生成される（融点シフト促進処理）。

同時に、接着剤２８に含まれる熱硬化性樹脂が加熱により硬化して、樹脂補強部２９が形成される。なお、部品電極１６およびランド電極１８がＣｕまたはＣｕ合金を含む場合には、それらの電極に含まれているＣｕも溶融半田３６に拡散する。このため、図９に示すように、部品電極１６およびランド電極１８に近い部分は、遠い部分よりも、金属間化合物層３８の厚みが大きくなる。

その後、放冷することにより、図１０Ａに示すように、溶融半田３６が固化して、固化半田４０となり、接合部１７が完成される。なお、溶融半田３６の全てをＣｕとの金属間化合物とすることで、部品実装構造体が再加熱されたときに、接合部１７から半田が溶け出すのをより有効に抑えることができる。この場合には、コア３２の周りには金属間化合物層３８だけが存在し、固化半田４０の層は存在しない。

また、図１０Ｂに示すように、樹脂補強部２９の対応電極間に挟まれていない部分（第２部分２９ａ）においては、粒状物前駆体３０が加熱されることで金属間化合物層３８を含む粒状物３１が形成されている。一方、樹脂補強部２９の、対応電極間のスペースに存在する第１部分２９ｂにおいては、上述したとおり、接合部１７が形成される。粒状物３１は、第１金属を含むコア３２と、第１金属と第２金属との金属間化合物層３８と、固化半田４０からなる半田層とを含んでいる。なお、粒状物３１においても、溶融半田３６が全て金属間化合物となり、固化半田４０を有していない場合がある。

以上のように、実施形態１においては、大部分がＣｕから形成された球状のコア３２の表面に半田層３４を設けた粒状物前駆体３０と、接着剤２８とを含む半田−樹脂混合物２６を基板１４のランド電極１８に供給して、熱圧着により、部品電極１６とランド電極１８とを接合する。その結果、半田とＣｕとの接触面積が大きくなるので、半田とＣｕとの金属間化合物が生成しやすくなる。したがって、半田−樹脂混合物２６のＣｕの含有量を小さくしても、十分な量の金属間化合物を生成することが可能となり、接合部１７の再溶融温度を所望の温度まで高めることが容易となる。これにより、半田−樹脂混合物２６に多量に含ませたＣｕ粒子等を伝わって、溶融半田が隣接する電極まで濡れ拡がるのを防止することができ、電極間の短絡を防止することができる。

さらに、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、固化半田４０が存在する場合には、接合部１７が多層構造となるために、電子機器の落下による衝撃等の外部からの応力が各層の間で分散されやすい。その結果、接合部１７が破壊され難くなる。また、外部からの応力は、最外層である固化半田４０の内部だけで分散されやすく、その層に例えばひびが入ったとしても、そのひびは固化半田４０の中だけに留まり、金属間化合物層３８までは達しにくい。よって、接合部１７の電気的および機械的接続性を確保することが容易となる。一方、接合部１７に固化半田４０が存在しない場合には、接合部１７は、第１金属のコア３２と、金属間化合物層３８とだけを含む。その結果、接合部１７全体の再溶融温度を高めることができる。

これに対して、図１８に示すように、半田だけの単一の組成である従来の半田接合部７２では、例えば外部からの応力により半田接合部７２の一箇所が破壊されると、その箇所が起点となって、図に矢印で示すように、同質である半田接合部７２の全体にひびが入り、半田接合部７２の破断に至る。これに対して、実施形態１の部品実装構造体においては、上述したとおり、高い耐衝撃性を得ることができ、高い接続信頼性を確保することができる。さらに、半田−樹脂混合物２６における粒状物前駆体３０の含有量を０．１〜１０体積％の範囲内の所定量にすることで、隣接する電極間で短絡が発生するのを防止することができる。

次に、本発明の実施形態２を説明する。
（実施形態２）
図１１Ａに、本実施形態に係る部品実装構造体を一部断面図により示す。図１１Ｂに、本実施形態に係る部品実装構造体を製造するのに使用される粒状物前駆体を断面図により示す。

図示例の粒状物前駆体３０Ａは、コア３２Ａと、そのコア３２Ａの表面を被覆する半田層３４Ａとを有する点は、実施形態１の粒状物前駆体３０と同様である。ただし、粒状物前駆体３０Ａにおいては、コア３２Ａは、球状の樹脂粒子４２と、樹脂粒子４２の表面を覆う金属層４４とを含む。樹脂粒子４２の材料は特に限定されないが、耐熱性が高くかつ弾性率が大きい樹脂（例えば、ジビニルベンゼン架橋重合体、各種熱硬化性樹脂の硬化物、架橋ポリエステル）を使用するのが好ましい。また、金属層４４には、実施形態１と同様の第１金属（Ｃｕ、または、融点が１０００℃以上であるＣｕ合金）を含ませることができる。実施形態２の半田−樹脂混合物に含ませる接着剤には、実施形態１の接着剤２８を使用することができる。粒状物前駆体３０Ａの含有量についても、実施形態１と同様である。

粒状物前駆体３０Ａの径は、粒状物前駆体３０と同様に２〜１００μｍであるのが好ましく、半田層３４Ａの厚みは、半田層３４と同様に０．１〜１０μｍであるのが好ましい。半田層３４Ａの組成についても、半田層３４と同様である。樹脂粒子４２の径は１〜９０μｍとすることができる。金属層４４の平均厚みは、０．１〜５μｍとすることができる。以上のような粒状物前駆体３０Ａを含む半田−樹脂混合物を使用して、電子部品１２を基板１４に実装する部品実装方法および部品実装システムは、実施形態１と同様である。

上記のような粒状物前駆体３０Ａを使用して製造された部品実装構造体においては、樹脂補強部２９の第１部分２９ｂにおいては、対応電極間に接合部１７Ａが形成されている。接合部１７Ａは、球状の樹脂粒子４２の表面を覆う金属層４４と、金属層４４の表面を覆う金属間化合物層３８Ａと、その外側の固化半田４０Ａとを有している。金属層４４の厚みは、粒状物前駆体３０Ａの元の金属層４４の厚みよりも小さくなっている。あるいは、粒状物前駆体３０Ａの金属層４４に含まれている全ての第１金属が金属間化合物に変化することで、接合部１７Ａは金属層４４を有していないことがある。この場合には、樹脂粒子４２と金属間化合物層３８Ａとが直接的に接触している。また、粒状物前駆体３０Ａの半田層３４Ａに含まれている第２金属が全て金属間化合物層に変化することで、接合部１７Ａは固化半田４０Ａを有していない場合がある。

樹脂補強部２９の第２部分においては、粒状物前駆体３０Ａが加熱されることで粒状物３１Ａが形成されている。粒状物３１Ａは、樹脂粒子４２と、第１金属を含む金属層４４と、第１金属と第２金属との金属間化合物層３８Ａと、固化半田４０Ａからなる半田層とを含んでいる。なお、第１金属の溶融半田への拡散が十分になされた場合には、粒状物３１Ａから金属層４４は消失していることがある。同様に、粒状物前駆体３０Ａの半田層３４Ａに含まれている第２金属が全て金属間化合物に変化することで、粒状物３１Ａは固化半田４０Ａを有していないことがある。

以上のように、コア３２Ａに樹脂粒子４２を含ませることによって、第１金属の使用量を抑えることができ、コストを低減することが容易となる。また、樹脂粒子４２にある程度以上の剛性を有する材料を使用することで、熱圧着により電極同士を接合する場合にも、対応する電極間に挟まれた樹脂粒子４２が潰れるのを防止することができる。これにより、対応する電極間のギャップを所望のギャップとすることが容易となり、電送線路長が設計通りとなるように電子部品１２と基板１４とを接続することが容易となる。

次に、本発明の実施形態３を説明する。
（実施形態３）
図１２に、本実施形態の部品実装構造体の要部を拡大して示す。実施形態３の部品実装体においては、樹脂補強部２９がシリカ（ＳｉＯ₂）、およびアルミナ等の無機フィラーを含んでいる。本実施形態の部品実装構造体は、上記のような無機フィラーを含ませた半田−樹脂混合物を使用して製造することができる。それ以外は、実施形態１および実施形態２の部品実装方法および部品実装システムと同様の方法およびシステムにより、本実施形態の部品実装構造体を製造することができる。

これにより、図１２に示すように、樹脂補強部２９に、シリカ（ＳｉＯ₂）、およびアルミナ等の無機フィラー４５を含ませることができる。その結果、樹脂補強部２９の熱膨張係数を小さくする一方で、弾性率を大きくすることができる。これにより、部品実装構造体が加熱された後冷却されるようなヒートサイクルが部品実装構造体に印加されたときにも、樹脂補強部２９にクラックが生じるなどの樹脂補強部２９の劣化を抑えることが可能となる。また、樹脂補強部２９の耐衝撃性が向上される。さらに、樹脂補強部２９の吸湿率を下げることができるので、電極や配線が腐食するのを防止することができる。なお、無機フィラー４５を含めた半田−樹脂混合物全体に対する無機フィラー４５の含有量は、１０〜５０体積％とするのが好ましい。

無機フィラー４５の径Ｄｋは、粒状物前駆体３０の径Ｄｒよりも小さくされる（Ｄｋ＜Ｄｒ）。例えば、２μｍ≧Ｄｋ≧０．１μｍ程度とすることができる。なお、図１３に示す従来例のように、粒状物前駆体３０または３０Ａの代わりに単なる半田粒子４８を使用すると、半田粒子４８にはコアがないので、溶融すると際限なく潰れてしまう。その結果、無機フィラー４５が部品電極１６とランド電極１８とにより挟まれてしまい、溶融半田４９の各電極への濡れが妨げられることも考えられる。これにより、接続信頼性が低下する。実施形態３の部品実装方法では、無機フィラー４５の径Ｄｋが粒状物前駆体３０の径Ｄｒよりも小さく、かつコア３２またコア３２Ａを含む粒状物前駆体を使用するために、無機フィラー４５が部品電極１６とランド電極１８とにより挟まれることがない。よって、上述した不都合を防止できる。

（実施形態４）
図１４に、本発明の部品実装構造体を製造するための部品実装システムの他の一例である実装ラインをブロック図により示す。図示例のライン１０Ａは、実施形態１のライン１０と同様に、フレキシブル基板に半導体チップ等を搭載したモジュールである電子部品１２を、電子機器の回路基板であるリジッドまたはフレキシブルな基板１４に実装するための実装ラインである。ライン１０Ａは、基板１４をラインに供給する基板供給ユニット１、半田−樹脂混合物を基板１４の電極であるランド電極１８に供給するための混合物供給ユニット２、および構造体回収ユニット４を含む点で、実施形態１のライン１０と同様である。

ライン１０Ａがライン１０と異なるのは、熱圧着・加熱ユニット３の代わりに熱圧着ユニット３Ａを設けるとともに、熱圧着ユニット３Ａと構造体回収ユニット４との間に、後加熱ユニット３Ｂが配置されている点である。以下、その異なる点を主に説明する。

熱圧着ユニット３Ａにおいては、図７および図８により示した熱圧着処理だけが行われ、図９により示した融点シフト促進処理は行われない。融点シフト促進処理のための加熱は、後加熱ユニット３Ｂにて実行される。

図１５および図１６に後加熱ユニットの具体例を示す。図１５の例では、後加熱ユニット３Ｂがオーブン５０を有している。オーブン５０は、熱圧着処理がなされて、互いに接合された電子部品１２および基板１４（以下、構造体前駆体、または、単に前駆体という）を収容する収容部５２を含む。さらに、オーブン５０は、コア３２または３２Ａに含まれた第１金属と溶融半田３６の相互拡散を促進するように、収容部５２に収容された前駆体５３の接合部を加熱するヒータ５４を含んでいる。収容部５２は、複数の前駆体５３に対して同時に融点シフト促進処理を実行し得るように、複数の前駆体５３を収容し得るものであるのが好ましい。これにより、融点シフト促進処理が熱圧着処理よりも処理時間が長い場合には、そのことに起因して、ラインのタクトタイムが長くなるのを防止することが可能となる。よって、生産効率を向上させることができる。オーブン５０における接合部１７の加熱温度および加熱時間は実施形態１〜３と同様である。

以上のように、後加熱ユニット３Ｂを熱圧着ユニット３Ａとは独立に設けることで、熱圧着ユニット３Ａで熱圧着処理を実行している間に、後加熱ユニット３Ｂで融点シフト促進処理を実行することができる。これにより、ラインのタクトタイムを短くすることが可能であり、生産効率を高めることができる。

図１６の例では、後加熱ユニット３Ｂがプレス機５６を含んでいる。プレス機５６は、プレス板５８と、プレス台６０とを含んでいる。プレス板５８およびプレス台６０の少なくとも一方には、ヒータ６２および６４を設けることができる。プレス台６０の形状および面積は、複数の前駆体５３に対して同時に融点シフト促進処理を実行し得るように、複数の前駆体５３を載せることができる形状および面積とされるのが好ましい。同様に、プレス板５８の形状および面積も、複数の電子部品１２を同時に基板１４に向かって押圧することができる形状および面積とされるのが好ましい。これにより、融点シフト促進処理が熱圧着処理よりも処理時間が長い場合には、そのことに起因して、ラインのタクトタイムが長くなるのを防止することが可能となる。

本発明によれば、第１対象物の複数の第１電極と、第２対象物の複数の第２電極とを、熱圧着により、半田接合し、かつ接合部を樹脂補強する場合に、接合部の再溶融温度を十分に上昇させることができるとともに、隣接する電極間の短絡を防止することができる。よって、本発明は、小型化が求められる携帯電子機器の製造に適用するのに有用である。

本発明を現時点での好ましい実施態様に関して説明したが、そのような開示を限定的に解釈してはならない。種々の変形及び改変は、上記開示を読むことによって本発明に属する技術分野における当業者には間違いなく明らかになるであろう。したがって、添付の請求の範囲は、本発明の真の精神及び範囲から逸脱することなく、すべての変形及び改変を包含する、と解釈されるべきものである。

１…基板供給ユニット、２…混合物供給ユニット、３Ａ…熱圧着ユニット、３Ｂ…後加熱ユニット、４…構造体回収ユニット、６…電子部品供給装置、８…コンベア、１０、１０Ａ…ライン、１２…電子部品、１４…基板、１６…部品電極、１７…接合部、１８…ランド電極、２０…熱圧着ヘッド、２２、２７、５４、６２、６４…ヒータ、２４、６０…プレス台、２６…樹脂混合物、２８…接着剤、２９…樹脂補強部、３…熱圧着・加熱ユニット、３０、３０Ａ…粒状物前駆体、３１、３１Ａ…粒状物、３２、３２Ａ…コア、３４、３４Ａ…半田層、３６…溶融半田、３８、３８Ａ…金属間化合物、４０、４０Ａ…固化半田、４２…樹脂粒子、４４…金属層、４５…無機フィラー、５０…オーブン、５２…収容部、５３…前駆体、５６…プレス機、５８…プレス板、…プレス台

Claims (12)

1. 複数の第１電極を有する第１対象物と、
   前記複数の第１電極の各々と対応する、第２電極を有する、電子部品としての第２対象物と、
   前記第１電極と、対応する前記第２電極とを接合する接合部と、
   前記接合部の少なくとも一部を覆う樹脂補強部と、
   を含み、
   前記接合部が、第１金属および樹脂粒子の少なくとも一方を含む第１コア、並びに、前記第１コアの表面を覆うとともに、前記第１金属と、前記第１金属よりも融点の低い第２金属との金属間化合物を含む第１金属間化合物層を有し、
   前記樹脂補強部が、前記第１電極と前記第２電極との間の空間に存在する第１部分と、それ以外の第２部分とを有し、
   前記第２部分は、前記第１金属および前記樹脂粒子の少なくとも一方を含む第２コアと、前記第１金属と前記第２金属との金属間化合物を含む第２金属間化合物層と、を含む粒状物、を含み、
   前記第２部分における前記粒状物の含有量が０．１〜１０体積％である、部品実装構造体。
2. 前記接合部が、前記第１金属間化合物層の表面を覆う、前記第２金属を含む第１半田層を有する、請求項１記載の部品実装構造体。
3. 前記粒状物が、前記第２金属間化合物層の表面を覆う、前記第２金属を含む第２半田層を有する、請求項１または２記載の部品実装構造体。
4. 前記第１金属が、前記樹脂粒子と前記第１半田層との間に介在している、請求項２記載の部品実装構造体。
5. 前記第１金属が、前記樹脂粒子と前記第２半田層との間に介在している、請求項３記載の部品実装構造体。
6. 前記第１金属が、Ｃｕを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の部品実装構造体。
7. 前記第２金属が、Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｂｉ，Ｉｎ，ＣｕおよびＳｂよりなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の部品実装構造体。
8. 前記樹脂補強部が、さらに、前記粒状物よりも平均粒子径の小さい無機フィラーを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の部品実装構造体。
9. 前記第１対象物および前記第２対象物が、いずれもフレキシブル基板を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の部品実装構造体。
10. 前記第２対象物が、フレキシブル基板を含み、前記第１対象物が、リジッド基板を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の部品実装構造体。
11. 前記第２対象物が、半導体チップを含み、前記第１対象物が、フレキシブル基板またはリジッド基板を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の部品実装構造体。
12. 前記第１対象物および前記第２対象物が、いずれも半導体チップを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の部品実装構造体。

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