JPH11219982A - 導電粒子及びそれを用いた異方性導電接着剤 - Google Patents
導電粒子及びそれを用いた異方性導電接着剤Info
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- JPH11219982A JPH11219982A JP2300498A JP2300498A JPH11219982A JP H11219982 A JPH11219982 A JP H11219982A JP 2300498 A JP2300498 A JP 2300498A JP 2300498 A JP2300498 A JP 2300498A JP H11219982 A JPH11219982 A JP H11219982A
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異方性導電接着剤で端子間を接続する場合
に、端子と導電粒子とを金属接合により導通信頼性高
く、安価に接合できるようにする。 【解決手段】 内核２とそれを被覆する金属被膜３から
なる異方性導電接着剤用導電粒子１において、内核２の
融点または分解点を金属被膜３の融点よりも高くする。
好ましくは、内核２を高融点半田から形成し、金属被膜
３を共晶半田から形成する。
に、端子と導電粒子とを金属接合により導通信頼性高
く、安価に接合できるようにする。 【解決手段】 内核２とそれを被覆する金属被膜３から
なる異方性導電接着剤用導電粒子１において、内核２の
融点または分解点を金属被膜３の融点よりも高くする。
好ましくは、内核２を高融点半田から形成し、金属被膜
３を共晶半田から形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、異方性導電接着剤
用導電粒子及びそれを用いた異方性導電性接着剤に関す
る。
用導電粒子及びそれを用いた異方性導電性接着剤に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネルのガラス基板上のＩＴＯ端子
と、フレキシブル配線板の端子やＴＣＰ(Tape carrier
package)の端子とを接続する場合、あるいは半導体チッ
プをマザーボード上にフリップチップ接合する場合のよ
うに、２つの回路素子を接着すると共にその間の端子を
電気的に接続するための材料の一つとして、異方性導電
接着剤が広く用いられている。
と、フレキシブル配線板の端子やＴＣＰ(Tape carrier
package)の端子とを接続する場合、あるいは半導体チッ
プをマザーボード上にフリップチップ接合する場合のよ
うに、２つの回路素子を接着すると共にその間の端子を
電気的に接続するための材料の一つとして、異方性導電
接着剤が広く用いられている。
【０００３】異方性導電接着剤は、導電粒子を絶縁性接
着剤に分散させたものからなり、従来、この導電粒子と
しては、半田、ニッケル等の金属粒子や、ポリスチレン
やジビニルベンゼン等のプラスチック粒子を内核として
その上に無電解メッキ法で銅や金等の金属被膜の形成し
た粒子が使用されている。
着剤に分散させたものからなり、従来、この導電粒子と
しては、半田、ニッケル等の金属粒子や、ポリスチレン
やジビニルベンゼン等のプラスチック粒子を内核として
その上に無電解メッキ法で銅や金等の金属被膜の形成し
た粒子が使用されている。
【０００４】また、その使用方法としては、例えば、フ
ィルム状に成形した異方性導電接着剤を、接続すべき端
子に挟み、熱圧着する。より具体的には、まず、図２
（ａ）に示したように、フィルム状に成形した異方性導
電接着剤２３を、半導体チップ１１のバンプ１２とガラ
ス基板１３のＩＴＯ端子１４とに挟む。このフィルム状
に成形した異方性導電接着剤２３では、導電粒子２１が
絶縁性接着剤２２中に分散しているので、熱圧着により
同図（ｂ）に示したように、導電粒子２１がバンプ１２
とＩＴＯ端子１４とに接触し、これらが電気的に接続す
る。またそれと同時に、半導体チップ１１とガラス基板
１３とが絶縁性接着剤２２で接着固定される。
ィルム状に成形した異方性導電接着剤を、接続すべき端
子に挟み、熱圧着する。より具体的には、まず、図２
（ａ）に示したように、フィルム状に成形した異方性導
電接着剤２３を、半導体チップ１１のバンプ１２とガラ
ス基板１３のＩＴＯ端子１４とに挟む。このフィルム状
に成形した異方性導電接着剤２３では、導電粒子２１が
絶縁性接着剤２２中に分散しているので、熱圧着により
同図（ｂ）に示したように、導電粒子２１がバンプ１２
とＩＴＯ端子１４とに接触し、これらが電気的に接続す
る。またそれと同時に、半導体チップ１１とガラス基板
１３とが絶縁性接着剤２２で接着固定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
異方性導電接着剤においては、導電粒子が金属粒子であ
る場合でも、あるいはプラスチック粒子に金属被膜を形
成した粒子である場合も、基本的に端子と導電粒子とは
接触により電気的に接続されるので、導通信頼性が低い
という問題がある。
異方性導電接着剤においては、導電粒子が金属粒子であ
る場合でも、あるいはプラスチック粒子に金属被膜を形
成した粒子である場合も、基本的に端子と導電粒子とは
接触により電気的に接続されるので、導通信頼性が低い
という問題がある。
【０００６】これに対しては、導電粒子を共晶半田から
構成し、端子と導電粒子とを単に接触させるだけではな
く、端子と導電粒子とに金属接合を形成させる方法があ
る。
構成し、端子と導電粒子とを単に接触させるだけではな
く、端子と導電粒子とに金属接合を形成させる方法があ
る。
【０００７】しかしながら、導電粒子を共晶半田から構
成した場合でも、熱圧着温度が共晶半田の融点よりも低
いと、前述と同様に、端子と導電粒子とは金属接合せず
に単に接触するにとどまり、導通信頼性の問題がおこ
る。反対に、熱圧着温度が共晶半田の融点よりも高いと
図３に示したように、導電粒子２１を構成していた共晶
半田が溶融して流れてしまうため、導電粒子２１を構成
していた共晶半田とバンプ１２とを電気的に接続するこ
とができなくなる。そのため、最適な熱圧着温度の制御
が難しいという問題がある。
成した場合でも、熱圧着温度が共晶半田の融点よりも低
いと、前述と同様に、端子と導電粒子とは金属接合せず
に単に接触するにとどまり、導通信頼性の問題がおこ
る。反対に、熱圧着温度が共晶半田の融点よりも高いと
図３に示したように、導電粒子２１を構成していた共晶
半田が溶融して流れてしまうため、導電粒子２１を構成
していた共晶半田とバンプ１２とを電気的に接続するこ
とができなくなる。そのため、最適な熱圧着温度の制御
が難しいという問題がある。
【０００８】さらに、共晶半田から形成した導電粒子
は、プラスチック粒子に金属被膜を形成した粒子のよう
に弾性がないので、導電粒子が端子と接合している場合
でも、熱的あるいは機械的応力が加わることによって、
その応力が接合点に集中すると、接合点には亀裂が入り
やすい。したがって、これによっても導通信頼性が低下
するという問題がある。このような亀裂を防止するため
には、熱圧着により導電粒子と端子とを接合させた後、
アンダーフィル樹脂を注入する作業が必要となるが、製
造コストが上昇する。
は、プラスチック粒子に金属被膜を形成した粒子のよう
に弾性がないので、導電粒子が端子と接合している場合
でも、熱的あるいは機械的応力が加わることによって、
その応力が接合点に集中すると、接合点には亀裂が入り
やすい。したがって、これによっても導通信頼性が低下
するという問題がある。このような亀裂を防止するため
には、熱圧着により導電粒子と端子とを接合させた後、
アンダーフィル樹脂を注入する作業が必要となるが、製
造コストが上昇する。
【０００９】本発明は以上のような従来技術の課題を解
決しようとするものであり、端子と導電粒子とを金属接
合により導通信頼性高く、安価に接合できるようにする
導電粒子、及びそれを用いた異方性導電接着剤を提供す
ることを目的とする。
決しようとするものであり、端子と導電粒子とを金属接
合により導通信頼性高く、安価に接合できるようにする
導電粒子、及びそれを用いた異方性導電接着剤を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、内核とそれを被覆する金属被膜からなる
異方性導電接着剤用導電粒子において、内核の融点また
は分解点が金属被膜の融点よりも高いことを特徴とする
導電粒子を提供する。
達成するため、内核とそれを被覆する金属被膜からなる
異方性導電接着剤用導電粒子において、内核の融点また
は分解点が金属被膜の融点よりも高いことを特徴とする
導電粒子を提供する。
【００１１】特に、内核の融点又は分解点と金属被膜の
融点との差が２０℃以上である態様、金属被膜の融点が
２４０℃以下である態様、あるいは内核の融点又は分解
点が２２０℃以上である態様を提供し、より好ましい態
様として、内核が高融点半田からなり、金属被膜が共晶
半田からなる態様を提供する。
融点との差が２０℃以上である態様、金属被膜の融点が
２４０℃以下である態様、あるいは内核の融点又は分解
点が２２０℃以上である態様を提供し、より好ましい態
様として、内核が高融点半田からなり、金属被膜が共晶
半田からなる態様を提供する。
【００１２】さらに、このような導電粒子が絶縁性接着
剤に分散されていることを特徴とする異方性導電接着剤
を提供する。
剤に分散されていることを特徴とする異方性導電接着剤
を提供する。
【００１３】本発明の導電粒子によれば、内核とそれを
被覆する金属被膜からなり、内核の融点または分解点が
金属被膜の融点よりも高いので、熱圧着温度を内核の融
点または分解点と、金属被膜の融点との間に設定するこ
とにより、熱圧着により金属被膜は溶融するが、内核は
溶融しない。したがって、溶融した金属被膜が流れ落ち
てしまうことなく、内核に付着したままの状態で内核と
端子とに金属接合する。よって、導通信頼性の高い接合
を簡便に形成することができ、熱圧着後のアンダーフィ
ル樹脂の注入も不要となる。特に、内核が高融点半田か
らなり、金属被膜が共晶半田からなる導電粒子を使用す
ると、内核の高融点半田と金属被膜の共晶半田との濡れ
性がよいので、このような金属接合を安定的に形成する
ことが可能となる。
被覆する金属被膜からなり、内核の融点または分解点が
金属被膜の融点よりも高いので、熱圧着温度を内核の融
点または分解点と、金属被膜の融点との間に設定するこ
とにより、熱圧着により金属被膜は溶融するが、内核は
溶融しない。したがって、溶融した金属被膜が流れ落ち
てしまうことなく、内核に付着したままの状態で内核と
端子とに金属接合する。よって、導通信頼性の高い接合
を簡便に形成することができ、熱圧着後のアンダーフィ
ル樹脂の注入も不要となる。特に、内核が高融点半田か
らなり、金属被膜が共晶半田からなる導電粒子を使用す
ると、内核の高融点半田と金属被膜の共晶半田との濡れ
性がよいので、このような金属接合を安定的に形成する
ことが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明を
詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は同一又は同
等の構成要素を表している。
詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は同一又は同
等の構成要素を表している。
【００１５】図１（ａ）は、本発明の導電粒子１の断面
図である。このように、この導電粒子１は、内核２とそ
れを被覆する金属被膜３からなっている。
図である。このように、この導電粒子１は、内核２とそ
れを被覆する金属被膜３からなっている。
【００１６】ここで内核２は、その融点または分解点が
金属被膜３の融点よりも高いものとし、好ましくは内核
２の融点または分解点を金属被膜３の融点よりも２０℃
以上高くする。これにより、この導電粒子１と絶縁性接
着剤４からなる異方性導電接着剤５を、図１（ｂ）のよ
うに、例えば、ＩＣチップのバンプ１２とガラス基板１
３のＩＴＯ電極１４との間に挟み、内核２の融点または
分解点よりも低いが金属薄膜３の融点よりは高い温度で
熱圧着した場合に、同図（ｃ）のように内核２に粒子形
状を維持させ、金属被膜３を溶融状態とすることがで
き、したがって、溶融した金属被膜３が内核２、バンプ
１２あるいはＩＴＯ電極１４のそれぞれを十分に濡ら
し、これらと金属接合を形成することを可能とする。
金属被膜３の融点よりも高いものとし、好ましくは内核
２の融点または分解点を金属被膜３の融点よりも２０℃
以上高くする。これにより、この導電粒子１と絶縁性接
着剤４からなる異方性導電接着剤５を、図１（ｂ）のよ
うに、例えば、ＩＣチップのバンプ１２とガラス基板１
３のＩＴＯ電極１４との間に挟み、内核２の融点または
分解点よりも低いが金属薄膜３の融点よりは高い温度で
熱圧着した場合に、同図（ｃ）のように内核２に粒子形
状を維持させ、金属被膜３を溶融状態とすることがで
き、したがって、溶融した金属被膜３が内核２、バンプ
１２あるいはＩＴＯ電極１４のそれぞれを十分に濡ら
し、これらと金属接合を形成することを可能とする。
【００１７】ここで、内核２の融点又は分解点は、従来
より一般的な熱圧着温度とされている１８０〜２１０℃
で内核２が溶融又は分解して流れ落ち、粒子形状が失わ
れることを防止する点から、２２０℃以上とすることが
好ましい。
より一般的な熱圧着温度とされている１８０〜２１０℃
で内核２が溶融又は分解して流れ落ち、粒子形状が失わ
れることを防止する点から、２２０℃以上とすることが
好ましい。
【００１８】内核２の構成材料としては、上述の融点あ
るいは分解点を有する限り、特に制限はなく、半田、ニ
ッケル等の金属、ポリスチレンやジビニルベンゼン等の
プラスチック粒子、セラミック粒子等をあげることがで
き、特に高融点半田を使用することが好ましい。高融点
半田のより具体的組成としては、Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｌ（９
４％−２％−４％）等をあげることができる。
るいは分解点を有する限り、特に制限はなく、半田、ニ
ッケル等の金属、ポリスチレンやジビニルベンゼン等の
プラスチック粒子、セラミック粒子等をあげることがで
き、特に高融点半田を使用することが好ましい。高融点
半田のより具体的組成としては、Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｌ（９
４％−２％−４％）等をあげることができる。
【００１９】一方、金属被膜３は、その融点が内核２の
融点又は分解点よりも２０℃以上低くする。好ましく
は、上述の一般的な熱圧着温度１８０〜２１０℃で熱圧
着した場合に金属被膜３が溶融し、接続すべき端子に対
して十分に金属接合できるようにする点から、金属被膜
３の融点は２４０℃以下とすることが好ましい。
融点又は分解点よりも２０℃以上低くする。好ましく
は、上述の一般的な熱圧着温度１８０〜２１０℃で熱圧
着した場合に金属被膜３が溶融し、接続すべき端子に対
して十分に金属接合できるようにする点から、金属被膜
３の融点は２４０℃以下とすることが好ましい。
【００２０】金属被膜３の材料としては、金属結合形成
の点から共晶半田、高融点半田、低融点半田などの半田
材料が好ましく、特に、内核２を高融点半田から形成す
る場合、金属被膜３の溶融物が、内核２に良好に濡れる
ようにするため、また製造に際し、圧着温度が選択し易
いなどの点から共晶半田とすることが好ましい。共晶半
田のより具体的組成としては、Ｓｎ−Ｐｂ（６３％−３
７％）等をあげることができる。
の点から共晶半田、高融点半田、低融点半田などの半田
材料が好ましく、特に、内核２を高融点半田から形成す
る場合、金属被膜３の溶融物が、内核２に良好に濡れる
ようにするため、また製造に際し、圧着温度が選択し易
いなどの点から共晶半田とすることが好ましい。共晶半
田のより具体的組成としては、Ｓｎ−Ｐｂ（６３％−３
７％）等をあげることができる。
【００２１】また、導電粒子１を構成する内核２及び金
属被膜３には、鉛が含有されないようにすることが好ま
しい。鉛には微量であるが放射性元素が含まれている場
合があり、この放射性元素を含有する鉛を用いて導電粒
子１を構成し、ＩＣチップ等の端子の接合に用いると、
放射性元素がＩＣチップのメモリーに悪影響を及ぼし、
正常な動作を阻害する場合があるので好ましくない。
属被膜３には、鉛が含有されないようにすることが好ま
しい。鉛には微量であるが放射性元素が含まれている場
合があり、この放射性元素を含有する鉛を用いて導電粒
子１を構成し、ＩＣチップ等の端子の接合に用いると、
放射性元素がＩＣチップのメモリーに悪影響を及ぼし、
正常な動作を阻害する場合があるので好ましくない。
【００２２】導電粒子１の製造方法としては、特に制限
はないが、例えば内核２を高融点半田から構成し、金属
被膜３を共晶半田から構成する場合に、無電解メッキ等
を用いることができる。
はないが、例えば内核２を高融点半田から構成し、金属
被膜３を共晶半田から構成する場合に、無電解メッキ等
を用いることができる。
【００２３】導電粒子１の内核の直径と金属被膜の厚み
との関係に関しては、金属被膜３を溶融状態にした場合
に、溶融した金属被膜３と端子（バンプ１２，ＩＴＯ電
極１４）との接合が確実に行われるようにするため、両
者の比率を、１／１〜１／０．０４とすることが好まし
い。この比が１／１よりも小さく、内核の直径に対する
金属被膜の厚さが厚すぎても、また、この比が１／０．
０４よりも大きく、内核の直径に対する金属被膜の厚さ
が薄すぎても、金属接合が形成されにくくなる。
との関係に関しては、金属被膜３を溶融状態にした場合
に、溶融した金属被膜３と端子（バンプ１２，ＩＴＯ電
極１４）との接合が確実に行われるようにするため、両
者の比率を、１／１〜１／０．０４とすることが好まし
い。この比が１／１よりも小さく、内核の直径に対する
金属被膜の厚さが厚すぎても、また、この比が１／０．
０４よりも大きく、内核の直径に対する金属被膜の厚さ
が薄すぎても、金属接合が形成されにくくなる。
【００２４】本発明の異方性導電接着剤５は、以上の導
電粒子１と絶縁性接着剤４とからなる。ここで、絶縁性
接着剤４としては、公知の異方性導電性接着剤に使用さ
れている接着剤と同様のものを使用することができ、例
えば、固形もしくは液状のエポキシ樹脂等の重合成分と
イミダゾール系硬化剤や変性アミン系硬化剤等の硬化剤
成分とからなる絶縁性接着剤、アクリル、ＳＢＲ、ＳＩ
Ｓ、ポリウレタン等の熱可塑性樹脂、ゴム系樹脂等を使
用することができる。
電粒子１と絶縁性接着剤４とからなる。ここで、絶縁性
接着剤４としては、公知の異方性導電性接着剤に使用さ
れている接着剤と同様のものを使用することができ、例
えば、固形もしくは液状のエポキシ樹脂等の重合成分と
イミダゾール系硬化剤や変性アミン系硬化剤等の硬化剤
成分とからなる絶縁性接着剤、アクリル、ＳＢＲ、ＳＩ
Ｓ、ポリウレタン等の熱可塑性樹脂、ゴム系樹脂等を使
用することができる。
【００２５】また、異方性導電接着剤５には、導電粒子
１と絶縁性接着剤４の他、必要に応じて分散助剤、熱可
塑性エラストマー等の成膜成分や脂肪族系石油樹脂等の
粘着成分を配合することができる。
１と絶縁性接着剤４の他、必要に応じて分散助剤、熱可
塑性エラストマー等の成膜成分や脂肪族系石油樹脂等の
粘着成分を配合することができる。
【００２６】また、これらの成分から異方性導電接着剤
５を調製する方法は、常法にしたがい、各成分を均一に
混合し、分散させればよい。
５を調製する方法は、常法にしたがい、各成分を均一に
混合し、分散させればよい。
【００２７】異方性導電接着剤５の使用形態としては、
例えば、剥離処理したフィルム上に塗布して成膜するこ
とによりフィルム状としてもよく、また、液状のまま所
定の接着部位に塗布してもよい。
例えば、剥離処理したフィルム上に塗布して成膜するこ
とによりフィルム状としてもよく、また、液状のまま所
定の接着部位に塗布してもよい。
【００２８】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
【００２９】実施例１ 異方性導電性接着剤の導電粒子として、直径４μｍの内
核（Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｌ：９４％−２％−４％、ｍｐ．３
８２℃）上に、金属被膜として無電解メッキ法で共晶半
田（Ｓｎ−Ｐｂ：６３％−３７％、ｍｐ．１８３℃）を
厚さ０．５μｍ析出させたものを作製した。
核（Ｚｎ−Ｃｕ−Ａｌ：９４％−２％−４％、ｍｐ．３
８２℃）上に、金属被膜として無電解メッキ法で共晶半
田（Ｓｎ−Ｐｂ：６３％−３７％、ｍｐ．１８３℃）を
厚さ０．５μｍ析出させたものを作製した。
【００３０】一方、絶縁性接着剤を、固形エポキシ樹脂
（ビスフェノールＡ）、液状エポキシ樹脂（ビスフェノ
ールＡ）、イミダゾール系の潜在性硬化剤をそれぞれ６
０重量％、３０重量％、１０重量％の比率で混合し、溶
剤（トルエン）に溶解することにより調製した。
（ビスフェノールＡ）、液状エポキシ樹脂（ビスフェノ
ールＡ）、イミダゾール系の潜在性硬化剤をそれぞれ６
０重量％、３０重量％、１０重量％の比率で混合し、溶
剤（トルエン）に溶解することにより調製した。
【００３１】得られた絶縁性接着剤中に上述の導電粒子
を混合分散し、導電粒子１２重量％の異方性導電接着剤
を得た。この異方性導電接着剤を剥離フィルム上にコー
ティングし、厚さ４０μｍの異方性導電接着剤フィルム
を作製した。そしてこの異方性導電接着剤フィルムを用
いて、１００μｍ角、２０μｍ高のバンプを持つＩＣを
基板の端子（端子の導体厚１８μｍ）に、熱圧着条件１
８０℃、２５０ kgf/cm2、２０秒間で実装した。
を混合分散し、導電粒子１２重量％の異方性導電接着剤
を得た。この異方性導電接着剤を剥離フィルム上にコー
ティングし、厚さ４０μｍの異方性導電接着剤フィルム
を作製した。そしてこの異方性導電接着剤フィルムを用
いて、１００μｍ角、２０μｍ高のバンプを持つＩＣを
基板の端子（端子の導体厚１８μｍ）に、熱圧着条件１
８０℃、２５０ kgf/cm2、２０秒間で実装した。
【００３２】実施例２〜４及び比較例１，２ 導電粒子の内核の直径と金属被膜の厚さを表１のように
変える以外は実施例１と同様にして異方性導電接着剤を
調製し、それをフィルム状に成形したものを用いてＩＣ
のバンプを基板の端子に実装した。
変える以外は実施例１と同様にして異方性導電接着剤を
調製し、それをフィルム状に成形したものを用いてＩＣ
のバンプを基板の端子に実装した。
【００３３】評価 (i)金属結合の有無 実装後の金属結合の有無は接合部断面を顕微鏡観察する
ことにより調べ、○、△、×の３段階で評価した。結果
を表１に示す。
ことにより調べ、○、△、×の３段階で評価した。結果
を表１に示す。
【００３４】(ii)信頼性評価 基板にＩＣを実装したものを、−５５℃３０分、１２５
℃３０分のヒートショックを１サイクルとして繰り返す
ヒートショックテストを行い、接続抵抗が１Ω上昇した
ときのヒートショックサイクル数を求めた。結果を表１
に示す。
℃３０分のヒートショックを１サイクルとして繰り返す
ヒートショックテストを行い、接続抵抗が１Ω上昇した
ときのヒートショックサイクル数を求めた。結果を表１
に示す。
【００３５】
【表１】 導電粒子 評価 内核の直径 金属被膜の厚さ 金属結合の有無 信頼性評価 （μｍ） （μｍ） （ヒートショックサイクル数) 実施例１ ４ ０．５ ○ ＞１０００ 実施例２ ３ １ ○ ＞１０００ 実施例３ ２ １．５ ○〜△ ８００ 実施例４ ４．６ ０．２ ○ ＞１０００ 比較例１ ５ ０ × ２００ 比較例２ ０ ５ × ×
【００３６】表１の結果から、内核を融点３８２℃の高
融点半田で形成し、その上に融点１８３℃の共晶半田か
らなる金属被膜を形成した導電粒子を用いた場合（実施
例１〜４）、端子間が金属接合で接続されており、高融
点半田のみあるいは共晶半田のみからなる導電粒子を用
いた場合（比較例１，比較例２）に比して導通信頼性の
高いことがわかる。
融点半田で形成し、その上に融点１８３℃の共晶半田か
らなる金属被膜を形成した導電粒子を用いた場合（実施
例１〜４）、端子間が金属接合で接続されており、高融
点半田のみあるいは共晶半田のみからなる導電粒子を用
いた場合（比較例１，比較例２）に比して導通信頼性の
高いことがわかる。
【００３７】また、内核の直径と金属被膜の厚みとの比
率が、１／１〜１／０．０４である場合（実施例１〜実
施例４）に、導通信頼性の高いことがわかる。
率が、１／１〜１／０．０４である場合（実施例１〜実
施例４）に、導通信頼性の高いことがわかる。
【００３８】
【発明の効果】異方性導電接着剤の導電粒子として本発
明の導電粒子を用いることにより、異方性導電接着剤で
端子間を接続する場合に、端子と導電粒子とを金属接合
により導通信頼性高く、安価に接合することが可能とな
る。
明の導電粒子を用いることにより、異方性導電接着剤で
端子間を接続する場合に、端子と導電粒子とを金属接合
により導通信頼性高く、安価に接合することが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の導電粒子及びそれを用いた異方性導電
接着剤の作用の説明図である。
接着剤の作用の説明図である。
【図２】従来の異方性導電接着剤の作用の説明図であ
る。
る。
【図３】従来の異方性導電接着剤で端子間を接続した状
態の説明図である。
態の説明図である。
１ 導電粒子 ２ 内核 ３ 金属被膜 ４ 絶縁性接着剤 ５ 異方性導電接着剤 １１ ＩＣチップ １２ バンプ １３ ガラス基板 １４ ＩＴＯ端子 ２１ 従来の導電粒子 ２２ 従来の絶縁性接着剤 ２３ 従来の異方性導電接着剤
Claims (8)
- 【請求項１】 内核とそれを被覆する金属被膜からなる
異方性導電接着剤用導電粒子において、内核の融点また
は分解点が金属被膜の融点よりも高いことを特徴とする
導電粒子。 - 【請求項２】 内核の融点又は分解点と金属被膜の融点
との差が２０℃以上である請求項１の導電粒子。 - 【請求項３】 金属被膜の融点が２４０℃以下である請
求項１記載の導電粒子。 - 【請求項４】 内核の融点又は分解点が２２０℃以上で
ある請求項１の導電粒子。 - 【請求項５】 内核が高融点半田からなり、金属被膜が
共晶半田からなる請求項１〜４のいずれかに記載の導電
粒子。 - 【請求項６】 鉛を含有しない請求項１〜５のいずれか
に記載の導電粒子。 - 【請求項７】 内核の直径と金属被膜の厚みとの比率
が、１／１〜１／０．０４である請求項１〜６のいずれ
かに記載の導電粒子。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載の導電粒
子が絶縁性接着剤に分散されていることを特徴とする異
方性導電接着剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2300498A JPH11219982A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 導電粒子及びそれを用いた異方性導電接着剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2300498A JPH11219982A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 導電粒子及びそれを用いた異方性導電接着剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219982A true JPH11219982A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12098366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2300498A Pending JPH11219982A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 導電粒子及びそれを用いた異方性導電接着剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219982A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335832A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Korea Electronics Telecommun | フリップチップパッケージ及びその製造方法 |
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| JP2009191185A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Seiko Epson Corp | 導電性接着フィルム、導電性接着フィルムの製造方法、導電性接着フィルムを用いた電子機器、導電性接着フィルムを用いた電子機器の製造方法 |
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| JP2015196724A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | デクセリアルズ株式会社 | 異方導電性接着剤及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-02-04 JP JP2300498A patent/JPH11219982A/ja active Pending
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