JPWO2013161827A1 - 無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 181
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 title claims abstract description 152
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 125
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 120
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 114
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 95
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 95
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 31
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 31
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 28
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012702 metal oxide precursor Substances 0.000 description 5
- -1 triethylethoxy Chemical group 0.000 description 5
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N Tetraethylene glycol, Natural products OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- JXTHNDFMNIQAHM-UHFFFAOYSA-N dichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)Cl JXTHNDFMNIQAHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L zinc bromide Chemical compound Br[Zn]Br VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L zinc iodide Chemical compound I[Zn]I UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RYSXWUYLAWPLES-MTOQALJVSA-N (Z)-4-hydroxypent-3-en-2-one titanium Chemical compound [Ti].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O RYSXWUYLAWPLES-MTOQALJVSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- JAKMJRVRMANFEU-UHFFFAOYSA-J 2,11,12,17-tetraoxa-5,8-diaza-1-stannatricyclo[6.3.3.31,5]heptadecane-3,10,13,16-tetrone Chemical compound [Sn+4].[O-]C(=O)CN(CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O)CC([O-])=O JAKMJRVRMANFEU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- SOLAECMMXVUOBE-UHFFFAOYSA-J 2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(carboxylatomethyl)amino]acetate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].[O-]C(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O SOLAECMMXVUOBE-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- AIFLGMNWQFPTAJ-UHFFFAOYSA-J 2-hydroxypropanoate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O AIFLGMNWQFPTAJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L Zinc carbonate Chemical compound [Zn+2].[O-]C([O-])=O FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CANRESZKMUPMAE-UHFFFAOYSA-L Zinc lactate Chemical compound [Zn+2].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O CANRESZKMUPMAE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- INNSZZHSFSFSGS-UHFFFAOYSA-N acetic acid;titanium Chemical compound [Ti].CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O INNSZZHSFSFSGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N calcium sulfide Chemical compound [Ca]=S JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940023860 canarypox virus HIV vaccine Drugs 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N chloroacetic acid Chemical compound OC(=O)CCl FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229960005215 dichloroacetic acid Drugs 0.000 description 1
- ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)OCC ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZLIIKNXMLEWPA-UHFFFAOYSA-N diethoxy(dipropyl)silane Chemical compound CCC[Si](CCC)(OCC)OCC HZLIIKNXMLEWPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N diethyl(dimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)OC VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVUVKQDVTIIMOD-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dipropyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)CCC JVUVKQDVTIIMOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVJXKUWNRVOUTI-UHFFFAOYSA-N ethoxy(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZVJXKUWNRVOUTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STBFUFDKXHQVMJ-UHFFFAOYSA-N ethoxy(tripropyl)silane Chemical compound CCC[Si](CCC)(CCC)OCC STBFUFDKXHQVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHTRDKHQFUKSJZ-UHFFFAOYSA-N ethyl hexanoate;titanium Chemical compound [Ti].CCCCCC(=O)OCC YHTRDKHQFUKSJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQBWQAURZPGDOG-UHFFFAOYSA-N ethyl hexanoate;zinc Chemical compound [Zn].CCCCCC(=O)OCC QQBWQAURZPGDOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOAGFMQSDBWVNP-UHFFFAOYSA-N ethyl-dimethoxy-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-5-ylmethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OCC1CCCC2OC12 HOAGFMQSDBWVNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKXVGDZNDSIUAI-UHFFFAOYSA-N methoxy(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(OC)C1=CC=CC=C1 BKXVGDZNDSIUAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUMSHFZKHQOOIX-UHFFFAOYSA-N methoxy(tripropyl)silane Chemical compound CCC[Si](CCC)(CCC)OC FUMSHFZKHQOOIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- RCYJPSGNXVLIBO-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenetitanium Chemical compound [S].[Ti] RCYJPSGNXVLIBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- KSBAEPSJVUENNK-UHFFFAOYSA-L tin(ii) 2-ethylhexanoate Chemical compound [Sn+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O KSBAEPSJVUENNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N tin(ii) sulfide Chemical compound [Sn]=S AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTSUHJWLSNQKIP-UHFFFAOYSA-J tin(iv) bromide Chemical compound Br[Sn](Br)(Br)Br LTSUHJWLSNQKIP-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J tin(iv) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Sn+4] YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- QPBYLOWPSRZOFX-UHFFFAOYSA-J tin(iv) iodide Chemical compound I[Sn](I)(I)I QPBYLOWPSRZOFX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- UBZYKBZMAMTNKW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrabromide Chemical compound Br[Ti](Br)(Br)Br UBZYKBZMAMTNKW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J titanium tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- NLLZTRMHNHVXJJ-UHFFFAOYSA-J titanium tetraiodide Chemical compound I[Ti](I)(I)I NLLZTRMHNHVXJJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WYKQDEPZMVTTSJ-UHFFFAOYSA-J titanium(4+);tetrabenzoate Chemical compound [Ti+4].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 WYKQDEPZMVTTSJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- YJGJRYWNNHUESM-UHFFFAOYSA-J triacetyloxystannyl acetate Chemical compound [Sn+4].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O YJGJRYWNNHUESM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUZZQXYTKNNCOU-UHFFFAOYSA-N triethyl(methoxy)silane Chemical compound CC[Si](CC)(CC)OC HUZZQXYTKNNCOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N trioxido(oxo)vanadium;yttrium(3+) Chemical compound [Y+3].[O-][V]([O-])([O-])=O QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVPKQBWUNYZZFZ-UHFFFAOYSA-N tris(1,1,2,2,2-pentafluoroethoxy)-(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)O[Si](OC(F)(F)C(F)(F)F)(OC(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)F UVPKQBWUNYZZFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- 229940102001 zinc bromide Drugs 0.000 description 1
- 239000011667 zinc carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000004416 zinc carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000010 zinc carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L zinc fluoride Chemical compound F[Zn]F BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011576 zinc lactate Substances 0.000 description 1
- 229940050168 zinc lactate Drugs 0.000 description 1
- 235000000193 zinc lactate Nutrition 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YTSDVWYUJXKXCC-UHFFFAOYSA-L zinc;2-[2-[carboxylatomethyl(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxymethyl)amino]acetate Chemical compound [Zn+2].OC(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC(O)=O)CC([O-])=O YTSDVWYUJXKXCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JDLYKQWJXAQNNS-UHFFFAOYSA-L zinc;dibenzoate Chemical compound [Zn+2].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 JDLYKQWJXAQNNS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N zinc;pentane-2,4-dione Chemical compound [Zn+2].CC(=O)[CH-]C(C)=O.CC(=O)[CH-]C(C)=O NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
目的の光学特性に応じて所望の粒子径の無機微粒子を用いることができ、かつ無機微粒子の選択の幅が広い、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法を提供する。ガラス基板10上に、無機微粒子14と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含むコーティング液を塗布し、無機微粒子含有酸化ケイ素膜12を形成する;または、溶融ガラスをガラスリボンに成形し、ガラスリボンを徐冷し、ついで切断してガラス基板を製造する際に、ガラスリボン上に、無機微粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含むコーティング液を塗布し、無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する。
Description
本発明は、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法に関する。
表面に凹凸を有するガラス基板は、入射する光を散乱させることから、防眩効果を有する窓ガラス、光取り出し効果を有する有機EL素子用ガラス基板、光閉じ込め効果を有する太陽電池用カバーガラス等として用いられている。
表面に凹凸を有するガラス基板としては、ガラス基板上の酸化ケイ素膜に無機微粒子を含ませたものが知られている。該ガラス基板の製造方法としては、たとえば、下記の方法が提案されている。
(1)金属塩化物を原料に用いた熱分解法によってガラス基板上に金属酸化物粒子を形成した後、酸化ケイ素膜をさらに形成する方法(特許文献1参照)。
(2)400〜650℃の温度範囲にあるガラス基板上に、オルガノポリシロキサン、無機微粒子および液状媒体を含むコーティング液を塗布し、無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する方法(特許文献2参照)。
(1)金属塩化物を原料に用いた熱分解法によってガラス基板上に金属酸化物粒子を形成した後、酸化ケイ素膜をさらに形成する方法(特許文献1参照)。
(2)400〜650℃の温度範囲にあるガラス基板上に、オルガノポリシロキサン、無機微粒子および液状媒体を含むコーティング液を塗布し、無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する方法(特許文献2参照)。
しかし、(1)の方法では、金属酸化物粒子の粒子径を制御することが困難である。そのため、目的とする光学性能を有するガラス基板を得ることが困難である。
(2)の方法では、目的とする光学性能に合わせて所望の粒子径の無機微粒子を用いることができるものの、オルガノポリシロキサンが非極性であるため、コーティング液の液状媒体が非極性のものに限定される。そのため、無機微粒子も非極性の液状媒体中で凝集しないように、別途疎水化等の表面処理を施したものに限定されてしまう。
(2)の方法では、目的とする光学性能に合わせて所望の粒子径の無機微粒子を用いることができるものの、オルガノポリシロキサンが非極性であるため、コーティング液の液状媒体が非極性のものに限定される。そのため、無機微粒子も非極性の液状媒体中で凝集しないように、別途疎水化等の表面処理を施したものに限定されてしまう。
本発明は、目的とする光学特性に応じて所望の粒子径の無機微粒子を用いることができ、かつ無機微粒子の選択の幅が広い、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法を提供する。
本発明は、下記の[1]、[2]の発明である。
[1]ガラス基板上に、無機微粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含むコーティング液を塗布し、無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法。以下、この[1]の製造方法を、本発明の第1の実施態様に係る方法ともいう。
[1]ガラス基板上に、無機微粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含むコーティング液を塗布し、無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法。以下、この[1]の製造方法を、本発明の第1の実施態様に係る方法ともいう。
[1]の発明においては、前記コーティング液を塗布する際のガラス基板の温度は、200〜650℃であることが好ましい。
また、前記無機微粒子含有酸化ケイ素膜上に、前記無機微粒子とは屈折率の異なる金属酸化物膜をさらに形成することが好ましい。
また、前記無機微粒子含有酸化ケイ素膜上に、前記無機微粒子とは屈折率の異なる金属酸化物膜をさらに形成することが好ましい。
[2]溶融ガラスから成形されたガラスリボン上に、無機微粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含むコーティング液を塗布し、無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する工程と、その後ガラスリボンを切断する工程とを有する、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法。以下、この[2]の製造方法を、本発明の第2の実施態様に係る方法ともいう。
[2]の発明においては、前記コーティング液を塗布する際のガラスリボンの温度は、200〜650℃であることが好ましい。
また、フロートバス中で溶融ガラスをガラスリボンに成形し、フロートバスと徐冷工程との間または徐冷工程中で前記コーティング液を塗布することが好ましい。
また、ガラスリボン上の前記無機微粒子含有酸化ケイ素膜上に、前記無機微粒子とは屈折率の異なる金属酸化物膜をさらに形成することが好ましい。
また、フロートバス中で溶融ガラスをガラスリボンに成形し、フロートバスと徐冷工程との間または徐冷工程中で前記コーティング液を塗布することが好ましい。
また、ガラスリボン上の前記無機微粒子含有酸化ケイ素膜上に、前記無機微粒子とは屈折率の異なる金属酸化物膜をさらに形成することが好ましい。
本発明の無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法によれば、所望の粒子径の無機微粒子を用いることができ、かつ無機微粒子の選択の幅が比較的広い。
本明細書における(ポリ)エチレングリコールとは、エチレングリコールまたはポリエチレングリコールを意味する。
本明細書におけるガラス基板やガラスリボンの温度は、コーティング液を塗布する側の表面温度である。
本明細書における屈折率は、波長550nmの光の屈折率である。
本明細書における無機微粒子含有酸化ケイ素膜の膜厚は、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の断面を走査型電子顕微鏡にて観察して得られる像から計測され、ガラス基板上から無機微粒子の頂点までの距離の平均値である。本明細書における金属酸化物膜の膜厚は、金属酸化物膜を有する無機微粒子含有酸化ケイ素膜付きガラス基板の断面を走査型電子顕微鏡にて観察して得られる像から計測されたものである。
本明細書における分散液中の平均一次粒子径は、動的散乱法によって測定される平均一次粒子径(メジアン径:50%粒子径)である。
本明細書におけるガラス基板やガラスリボンの温度は、コーティング液を塗布する側の表面温度である。
本明細書における屈折率は、波長550nmの光の屈折率である。
本明細書における無機微粒子含有酸化ケイ素膜の膜厚は、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の断面を走査型電子顕微鏡にて観察して得られる像から計測され、ガラス基板上から無機微粒子の頂点までの距離の平均値である。本明細書における金属酸化物膜の膜厚は、金属酸化物膜を有する無機微粒子含有酸化ケイ素膜付きガラス基板の断面を走査型電子顕微鏡にて観察して得られる像から計測されたものである。
本明細書における分散液中の平均一次粒子径は、動的散乱法によって測定される平均一次粒子径(メジアン径:50%粒子径)である。
<無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板>
図1は、本発明の製造方法によって得られる無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の一例を示す概略断面図である。無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1は、ガラス基板10と、ガラス基板10の表面に形成された、表面に凹凸を有する無機微粒子含有酸化ケイ素膜12とを有する。
図1は、本発明の製造方法によって得られる無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の一例を示す概略断面図である。無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1は、ガラス基板10と、ガラス基板10の表面に形成された、表面に凹凸を有する無機微粒子含有酸化ケイ素膜12とを有する。
(ガラス基板)
ガラス基板10の材料としては、ソーダライムシリカガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス等が挙げられる。
無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1を有機EL素子用ガラス基板として用いる場合、ガラス基板10としては、無アルカリガラス、またはソーダライムシリカガラスにシリカコートしたものが好ましい。
ガラス基板10の材料としては、ソーダライムシリカガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス等が挙げられる。
無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1を有機EL素子用ガラス基板として用いる場合、ガラス基板10としては、無アルカリガラス、またはソーダライムシリカガラスにシリカコートしたものが好ましい。
ガラス基板10は、基板本体の表面に機能層を有するものであってもよい。機能層としては、アンダーコート層、密着改善層、保護層等が挙げられる。アンダーコート層は、アルカリバリア層やワイドバンドの低屈折率層としての機能を有する。アンダーコート層としては、アルコキシシランまたはその加水分解物(ゾルゲルシリカ)を含むアンダーコート用コーティング液を基板本体の表面に塗布することによって形成される層が好ましい。
また、本発明の第2の実施態様に係る方法において、ガラスリボン上に無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する前に、上記したようなアンダーコート層、密着改善層、保護層等の機能層を形成してもよい。
また、本発明の第2の実施態様に係る方法において、ガラスリボン上に無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する前に、上記したようなアンダーコート層、密着改善層、保護層等の機能層を形成してもよい。
(無機微粒子含有酸化ケイ素膜)
無機微粒子含有酸化ケイ素膜12は、後述するコーティング液(すなわち、第1のコーティング液)を塗布することによって形成される膜である。具体的には、無機微粒子含有酸化ケイ素膜12は、ガラス基板10の表面に配置された複数の無機微粒子14と、無機微粒子14およびガラス基板10の表面を薄く覆う酸化ケイ素膜16とから構成され、表面に無機微粒子14の形状に由来する凹凸を有する。無機微粒子含有酸化ケイ素膜12は、窓ガラスの防眩膜、有機EL素子用ガラス基板の光取り出し層、太陽電池用カバーガラスの光閉じ込め層として有用である。
無機微粒子含有酸化ケイ素膜12は、後述するコーティング液(すなわち、第1のコーティング液)を塗布することによって形成される膜である。具体的には、無機微粒子含有酸化ケイ素膜12は、ガラス基板10の表面に配置された複数の無機微粒子14と、無機微粒子14およびガラス基板10の表面を薄く覆う酸化ケイ素膜16とから構成され、表面に無機微粒子14の形状に由来する凹凸を有する。無機微粒子含有酸化ケイ素膜12は、窓ガラスの防眩膜、有機EL素子用ガラス基板の光取り出し層、太陽電池用カバーガラスの光閉じ込め層として有用である。
無機微粒子含有酸化ケイ素膜12の厚さは、100〜5000nmが好ましく、200〜1000nmがより好ましい。無機微粒子含有酸化ケイ素膜12の厚さが100nm以上であれば、光の散乱による防眩効果、光取り出し効果、光閉じ込め効果等が良好となる。無機微粒子含有酸化ケイ素膜12の厚さが5000nm以下であれば、製膜に過剰に時間がかからず、生産面で不都合が起きない。
ガラス基板10上における無機微粒子14の被覆率は、1〜100%が好ましく、5〜100%がより好ましい。無機微粒子14の被覆率は、無機微粒子14の着膜効率の目安となる。無機微粒子14の被覆率が1%以上であれば、光の散乱による防眩効果、光取り出し効果、光閉じ込め効果等が良好となる。
無機微粒子14の被覆率は、下記のようにして求める。
接触段差計を用い、測定長さ1mmにて無機微粒子含有酸化ケイ素膜12の表面の凹凸形状を測定し、測定結果から、無機微粒子14が存在している部分の長さを抜き出し、下式から被覆率を求める。
被覆率(%)=100×無機微粒子14が存在している部分の長さ(mm)/測定長さ(1mm)。
接触段差計を用い、測定長さ1mmにて無機微粒子含有酸化ケイ素膜12の表面の凹凸形状を測定し、測定結果から、無機微粒子14が存在している部分の長さを抜き出し、下式から被覆率を求める。
被覆率(%)=100×無機微粒子14が存在している部分の長さ(mm)/測定長さ(1mm)。
無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1のヘイズは、0.5〜100%が好ましく、2〜100%がより好ましい。無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1のヘイズは、光の散乱の目安となる。無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1のヘイズが0.5%以上であれば、光の散乱による防眩効果、光取り出し効果、光閉じ込め効果等が良好となる。
(無機微粒子)
無機微粒子14としては、金属酸化物粒子(複合金属酸化物粒子も含む)、金属粒子が挙げられる。無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1に要求される機能に応じて、適宜、無機微粒子14の種類を選択すればよい。
無機微粒子14としては、金属酸化物粒子(複合金属酸化物粒子も含む)、金属粒子が挙げられる。無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1に要求される機能に応じて、適宜、無機微粒子14の種類を選択すればよい。
光の散乱のみを考えた場合、無機微粒子14の材料としては、比較的安価である点から、酸化ケイ素が好ましい。
光の散乱に加え、他の機能を無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1に追加する場合、無機微粒子14の材料としては、機能別に下記のものが挙げられる。
紫外線遮蔽:酸化亜鉛、酸化セリウム等。
赤外線遮蔽:酸化インジウムスズ(ITO)、酸化アンチモンスズ(ATO)、酸化タングステン、エルビウム等。
帯電防止:ITO、ATO、銀等。
光触媒:酸化チタン等。
波長変換:酸化亜鉛、ユーロピウムドープ酸化亜鉛、硫化亜鉛、ユーロピウムドープ硫化亜鉛、リン化インジウム、ビスマスドープ硫化カルシウム、ユーロピウムドープフッ化カルシウム、ユーロピウムドープバナジン酸イットリウム等。
光の散乱に加え、他の機能を無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1に追加する場合、無機微粒子14の材料としては、機能別に下記のものが挙げられる。
紫外線遮蔽:酸化亜鉛、酸化セリウム等。
赤外線遮蔽:酸化インジウムスズ(ITO)、酸化アンチモンスズ(ATO)、酸化タングステン、エルビウム等。
帯電防止:ITO、ATO、銀等。
光触媒:酸化チタン等。
波長変換:酸化亜鉛、ユーロピウムドープ酸化亜鉛、硫化亜鉛、ユーロピウムドープ硫化亜鉛、リン化インジウム、ビスマスドープ硫化カルシウム、ユーロピウムドープフッ化カルシウム、ユーロピウムドープバナジン酸イットリウム等。
無機微粒子14の形状としては、球状、粒状、棒状、数珠状、繊維状、フレーク状、中空状、凝集体状、不定形状等が挙げられる。無機微粒子14は、一つの成分が別の成分によって被覆されたコア−シェル型粒子であってもよい。また、無機微粒子14は、界面活性剤、高分子分散剤、シランカップリング剤等によって表面処理されていてもよい。また、無機微粒子14は、400〜650℃の熱に対して不活性なもの、つまり無機微粒子14の分散液のみをコーティング液として用いた場合に膜を形成しない、または著しく着膜効率の低いものであってもよい。
(酸化ケイ素膜)
酸化ケイ素膜16は、後述するコーティング液に含まれるアルコキシシランの加水分解物の焼成物であり、無機微粒子14をガラス基板10の表面に固定するバインダとしての役割を果たす。
酸化ケイ素膜16は、後述するコーティング液に含まれるアルコキシシランの加水分解物の焼成物であり、無機微粒子14をガラス基板10の表面に固定するバインダとしての役割を果たす。
(金属酸化物膜)
無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1は、図2に示すように、無機微粒子含有酸化ケイ素膜12上に、無機微粒子14とは屈折率の異なる金属酸化物膜18をさらに有していてもよい。金属酸化物膜18は、表面に無機微粒子14に由来する凹凸を有する。
無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板1は、図2に示すように、無機微粒子含有酸化ケイ素膜12上に、無機微粒子14とは屈折率の異なる金属酸化物膜18をさらに有していてもよい。金属酸化物膜18は、表面に無機微粒子14に由来する凹凸を有する。
金属酸化物膜18としては、酸化チタン膜(屈折率:2.5)、酸化亜鉛膜(屈折率:2.0)、酸化スズ膜(屈折率:2.0)、酸化ケイ素膜(屈折率:1.5)、酸化アルミ(屈折率:1.8)等が挙げられ、無機微粒子14として酸化ケイ素粒子を用いた場合、光の散乱による防眩効果、光取り出し効果、光閉じ込め効果等が充分に発揮される点から、酸化チタン膜、酸化亜鉛膜、酸化スズ膜が好ましい。また、金属酸化物膜18を、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)、スズドープ酸化インジウム(ITO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)等の透明導電膜とすることにより、光閉じ込め効果を有する透明導電膜とすることが可能である。上記した効果は、無機微粒子14よりも屈折率が高い金属酸化物膜18を使用することにより、効果的に発揮される。外部媒質が空気(屈折率=1)であるとき、金属酸化物膜18の屈折率が無機微粒子14より高い場合は、散乱特性が増加する。一方金属酸化物膜18の屈折率が無機微粒子14よりも低い場合は、屈折率傾斜構造になるため、透過率が向上する。このように、金属酸化物膜の屈折率を変化させることで、用途により光学特性を調整することが可能である。
金属酸化物膜18の厚さは、100〜5000nmが好ましく、200〜1000nmがより好ましい。金属酸化物膜18の厚さが100nm以上であれば、光の散乱による防眩効果、光取り出し効果、光閉じ込め効果等が良好となる。金属酸化物膜18の厚さが5000nm以下であれば、製膜に過剰な時間がかからず、生産面で不都合が起きない。膜厚は、走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社製 S−4300)を用いて膜の断面観察を行い、面外方向に10μmの範囲で膜厚を3点測定し、その平均値として求められる。
<無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法>
本発明の無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法は、ガラス基板、またはガラス基板となるガラスリボンに、無機微粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含む第1のコーティング液を塗布し、アルコキシシランの加水分解物を焼成して、ガラス基板またはガラスリボン上に無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する方法である。
本発明の無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法は、ガラス基板、またはガラス基板となるガラスリボンに、無機微粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含む第1のコーティング液を塗布し、アルコキシシランの加水分解物を焼成して、ガラス基板またはガラスリボン上に無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する方法である。
ガラスリボン上に無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する場合、具体的には、下記の工程を有する方法が挙げられる。
溶融ガラスから成形されたガラスリボン上に、無機微粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含むコーティング液を塗布し、無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する工程と、その後ガラスリボンを切断する工程とを有する方法。
溶融ガラスから成形されたガラスリボン上に、無機微粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含むコーティング液を塗布し、無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する工程と、その後ガラスリボンを切断する工程とを有する方法。
本発明の無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法においては、ガラス基板またはガラスリボン上の無機微粒子含有酸化ケイ素膜上に、無機微粒子とは屈折率の異なる金属酸化物の前駆体を含む第2のコーティング液を塗布し、金属酸化物膜を形成してもよい。
(ガラス基板)
ガラス基板の材料としては、上述したものが挙げられる。また、ガラス基板としては、溶融ガラスをガラスリボンに成形し、ガラスリボンを徐冷し、ついで切断してガラス基板を製造するガラス基板の製造方法において、ガラスリボンにコーティング液を塗布してガラスリボン上に無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する方法に適用させるため、強化されていない生板ガラス基板が好ましい。
ガラス基板の材料としては、上述したものが挙げられる。また、ガラス基板としては、溶融ガラスをガラスリボンに成形し、ガラスリボンを徐冷し、ついで切断してガラス基板を製造するガラス基板の製造方法において、ガラスリボンにコーティング液を塗布してガラスリボン上に無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する方法に適用させるため、強化されていない生板ガラス基板が好ましい。
(第1のコーティング液)
第1のコーティング液は、無機微粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含むものである。
第1のコーティング液は、無機微粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含むものである。
(無機微粒子)
無機微粒子は、上述した無機微粒子をあらかじめ水または(ポリ)エチレングリコールに分散した分散液の状態で用いられる。
無機微粒子は、上述した無機微粒子をあらかじめ水または(ポリ)エチレングリコールに分散した分散液の状態で用いられる。
分散液中の無機微粒子の平均一次粒子径は、100〜1000nmが好ましく、300〜500nmがより好ましい。分散液中の無機微粒子の平均一次粒子径が100〜1000nmであれば、光の散乱による防眩効果、光取り出し効果、光閉じ込め効果等が発揮される。
(アルコキシシランの加水分解物)
アルコキシシランの加水分解物は、アルコキシシランを水および触媒によって加水分解することによって得られるものである。アルコキシシランの加水分解物は、未反応のアルコキシシランを含んでいてもよい。
アルコキシシランの加水分解物は、アルコキシシランを水および触媒によって加水分解することによって得られるものである。アルコキシシランの加水分解物は、未反応のアルコキシシランを含んでいてもよい。
アルコキシシランとしては、テトラアルコキシシラン(テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等)、モノアルキルトリアルコキシシラン(メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン等)、ジアルキルジアルコキシシラン(ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン等)、トリアルキルモノアルコキシシラン(トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリプロピルメトキシシラン、トリプロピルエトキシシラン等)、モノアリールトリアルコキシシラン(フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等)、ジアリールジアルコキシシラン(ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン等)、トリアリールモノアルコキシシラン(トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン等)、ペルフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン(ペルフルオロポリエーテルトリエトキシシラン等)、ペルフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン(ペルフルオロエチルトリエトキシシラン等)、ビニル基を有するアルコキシシラン(ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等)、エポキシ基を有するアルコキシシラン(2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等)、アクリロイルオキシ基を有するアルコキシシラン(3−アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン等)等が挙げられる。
アルコキシシランとしては、加水分解速度が速く生産性が高い等の点から、テトラアルコキシシランが好ましく、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシランがより好ましい。
アルコキシシランの加水分解は、水および触媒として酸またはアルカリを用いて行う。酸としては、無機酸(硝酸、硫酸、塩酸等)、有機酸(ギ酸、しゅう酸、酒石酸、クエン酸、モノクロル酢酸、ジクロルム酢酸、トリクロル酢酸等)が挙げられる。アルカリとしては、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。触媒としては、長期保存性の点から、酸が好ましい、また、触媒としては、無機微粒子の分散を妨げないものが好ましい。
(液状媒体)
第1のコーティング液の液状媒体としては、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方を用いる。水および(ポリ)エチレングリコール以外の液状媒体を用いた場合、無機微粒子含有酸化ケイ素膜がガラス基板上に着膜しない、または無機微粒子含有酸化ケイ素膜の着膜効率が著しく低下する。
第1のコーティング液の液状媒体としては、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方を用いる。水および(ポリ)エチレングリコール以外の液状媒体を用いた場合、無機微粒子含有酸化ケイ素膜がガラス基板上に着膜しない、または無機微粒子含有酸化ケイ素膜の着膜効率が著しく低下する。
第1のコーティング液の液状媒体としては、アルコキシシランの加水分解に水が必要である点から、水のみ、または水と(ポリ)エチレングリコールとの混合物が好ましい。また、無機微粒子含有酸化ケイ素膜の着膜効率がよい点から、(ポリ)エチレングリコールと必要最小限の水との混合物が特に好ましい。
(ポリ)エチレングリコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、分子量300以下のポリエチレングルコール等が挙げられ、無機微粒子含有酸化ケイ素膜の着膜効率がよい点から、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコールが好ましく、テトラエチレングリコールが特に好ましい。
第1のコーティング液は、本発明の効果を損なわない範囲内で、水および(ポリ)エチレングリコール以外の液状媒体を含んでいてもよい。
(第1のコーティング液の組成)
第1のコーティング液の固形分濃度(第1のコーティング液中の無機微粒子およびアルコキシシランの加水分解物の合計の濃度)は、無機微粒子含有酸化ケイ素膜の着膜効率および第1のコーティング液の粘度(取扱性)の点から、0.3〜70質量%が好ましく、3〜25質量%がより好ましい。
第1のコーティング液の固形分濃度(第1のコーティング液中の無機微粒子およびアルコキシシランの加水分解物の合計の濃度)は、無機微粒子含有酸化ケイ素膜の着膜効率および第1のコーティング液の粘度(取扱性)の点から、0.3〜70質量%が好ましく、3〜25質量%がより好ましい。
無機微粒子の割合は、第1のコーティング液の固形分(第1のコーティング液中の無機微粒子およびアルコキシシランの加水分解物の合計)の100質量%のうち、1〜60質量%が好ましく、3〜30質量%がより好ましい。無機微粒子の割合が1質量%以上であれば、無機微粒子に由来する機能が充分に発揮される。無機微粒子の割合が60質量%以下であれば、無機微粒子が凝集することが抑制され、無機微粒子が均一に分散した膜が得られる。
アルコキシシランの加水分解物(SiO2換算固形分)の割合は、第1のコーティング液の固形分(第1のコーティング液中の無機微粒子およびアルコキシシランの加水分解物の合計)の100質量%のうち、40〜99質量%が好ましく、70〜97質量%がより好ましい。アルコキシシランの加水分解物の割合が40質量%以上であれば、無機微粒子を高効率で着膜させることができる。アルコキシシランの加水分解物の割合が99質量%以下であれば、無機微粒子に由来する機能が充分に発揮される。
(第1のコーティング液の塗布)
第1のコーティング液の塗布方法としては、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板を生産効率よく製造できる点から、第1のコーティング液を、ノズル(たとえば、スプレーガン等)を用いて噴霧するスプレー法が好ましい。
スプレー法による具体的な塗布方法としては、下記の方法(i)、(ii)、(iii)等が挙げられ、工程数が少なく、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板をより生産効率よく製造できる点から、方法(ii)が好ましい。
第1のコーティング液の塗布方法としては、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板を生産効率よく製造できる点から、第1のコーティング液を、ノズル(たとえば、スプレーガン等)を用いて噴霧するスプレー法が好ましい。
スプレー法による具体的な塗布方法としては、下記の方法(i)、(ii)、(iii)等が挙げられ、工程数が少なく、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板をより生産効率よく製造できる点から、方法(ii)が好ましい。
(i)固定されたガラス基板の上方でノズルを移動させながら、ノズルからガラス基板に第1のコーティング液を噴霧する方法。
(ii)ノズルから一方向に移動しているガラスリボンに第1のコーティング液を噴霧する方法。
(iii)移動しているガラス基板の上方でノズルを移動させながら、あるいはノズルを固定して、ノズルからガラス基板に第1のコーティング液を噴霧する方法。
(ii)ノズルから一方向に移動しているガラスリボンに第1のコーティング液を噴霧する方法。
(iii)移動しているガラス基板の上方でノズルを移動させながら、あるいはノズルを固定して、ノズルからガラス基板に第1のコーティング液を噴霧する方法。
第1のコーティング液を塗布する際のガラス基板またはガラスリボンの温度は、200〜650℃が好ましく、300〜600℃がより好ましい。該温度範囲にあるガラス基板またはガラスリボン上でアルコキシシランの加水分解物が焼成されて酸化ケイ素となる。ガラス基板またはガラスリボンの温度が200℃以上であれば、ガラス基板またはガラスリボン上のアルコキシシランの加水分解物を短時間で焼成できるため、生産性がよい。本発明の第2の実施態様において、フロート法によるガラス基板の製造方法を利用する場合は、ガラスリボンの温度が650℃以下であれば、ガラスリボンがフロートバス内に存在しないため、スプレー中にバス内雰囲気を汚染するおそれが少ない。
本発明の第2の実施態様において、フロート法によるガラス基板の製造方法を利用する場合は、フロートバス中で溶融ガラスを成形して得られたガラスリボンに対し、フロートバスと徐冷工程との間または徐冷工程中、ガラスリボンが200〜650℃の温度範囲にある位置にて第1のコーティング液を噴霧することが好ましい。フロート法でガラス基板を製造する場合、フロートバス直後の位置のガラスリボンの温度は、ガラス基板のガラス組成にもよるが、通常650℃程度であるため、第1のコーティング液を塗布する位置のガラスリボンの温度が650℃を超えることは現実的でない。フロートバスを出たガラスリボンは徐冷工程で徐冷され、徐冷工程中で400℃以下に冷却される。
(第2のコーティング液)
第2のコーティング液は、金属酸化物の前駆体と、必要に応じて液状媒体とを含むものである。
第2のコーティング液は、金属酸化物の前駆体と、必要に応じて液状媒体とを含むものである。
(金属酸化物の前駆体)
金属酸化物の前駆体としては、下記のものが挙げられる。
酸化チタンの前駆体:チタニウムアルコシキド、チタニウムアルコキシド、酢酸チタン、チタニウムオキシアセチルアセトナート、チタニウムアセチルアセトナート、エチレンジアミン四酢酸チタン、エチルヘキサン酸チタン、安息香酸チタン、乳酸チタン、硫化チタン、フッ化チタン、塩化チタン、臭化チタン、ヨウ化チタン等。
酸化亜鉛の前駆体:酢酸亜鉛、亜鉛アセチルアセトナート、エチレンジアミン四酢酸亜鉛、エチルヘキサン酸亜鉛、オクタデカン酸亜鉛、安息香酸亜鉛、ナフテン酸亜鉛、乳酸亜鉛、硫化亜鉛、ほう酸亜鉛、炭酸亜鉛、フッ化亜鉛、塩化亜鉛、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛等。
酸化スズの前駆体:酢酸スズ、ジブチルスズジアセテート、スズアセチルアセトナート、エチレンジアミン四酢酸スズ、エチルヘキサン酸スズ、硫化スズ、フッ化スズ、塩化スズ、臭化スズ、ヨウ化スズ等。
酸化ケイ素の前駆体:アルコキシシランの加水分解物、オルガノポリシロキサン(シリコーンオイル等)等。
金属酸化物の前駆体としては、下記のものが挙げられる。
酸化チタンの前駆体:チタニウムアルコシキド、チタニウムアルコキシド、酢酸チタン、チタニウムオキシアセチルアセトナート、チタニウムアセチルアセトナート、エチレンジアミン四酢酸チタン、エチルヘキサン酸チタン、安息香酸チタン、乳酸チタン、硫化チタン、フッ化チタン、塩化チタン、臭化チタン、ヨウ化チタン等。
酸化亜鉛の前駆体:酢酸亜鉛、亜鉛アセチルアセトナート、エチレンジアミン四酢酸亜鉛、エチルヘキサン酸亜鉛、オクタデカン酸亜鉛、安息香酸亜鉛、ナフテン酸亜鉛、乳酸亜鉛、硫化亜鉛、ほう酸亜鉛、炭酸亜鉛、フッ化亜鉛、塩化亜鉛、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛等。
酸化スズの前駆体:酢酸スズ、ジブチルスズジアセテート、スズアセチルアセトナート、エチレンジアミン四酢酸スズ、エチルヘキサン酸スズ、硫化スズ、フッ化スズ、塩化スズ、臭化スズ、ヨウ化スズ等。
酸化ケイ素の前駆体:アルコキシシランの加水分解物、オルガノポリシロキサン(シリコーンオイル等)等。
(液状媒体)
第2のコーティング液の液状媒体は、金属酸化物の前駆体に応じて、適宜選択すればよい。
第2のコーティング液の液状媒体は、金属酸化物の前駆体に応じて、適宜選択すればよい。
(第2のコーティング液の組成)
第2のコーティング液の固形分濃度(第2のコーティング液中の金属酸化物の前駆体の濃度)は、金属酸化物の前駆体に応じて、適宜選択すればよい。
第2のコーティング液の固形分濃度(第2のコーティング液中の金属酸化物の前駆体の濃度)は、金属酸化物の前駆体に応じて、適宜選択すればよい。
(第2のコーティング液の塗布)
第2のコーティング液の塗布方法としては、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板を生産効率よく製造できる点から、第2のコーティング液を、ノズル(たとえば、スプレーガン等)を用いて噴霧するスプレー法が好ましい。
スプレー法による具体的な塗布方法としては、上述した方法(i)、(ii)、(iii)等が挙げられ、工程数が少なく、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板をより生産効率よく製造できる点から、方法(ii)が好ましい。
第2のコーティング液の塗布方法としては、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板を生産効率よく製造できる点から、第2のコーティング液を、ノズル(たとえば、スプレーガン等)を用いて噴霧するスプレー法が好ましい。
スプレー法による具体的な塗布方法としては、上述した方法(i)、(ii)、(iii)等が挙げられ、工程数が少なく、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板をより生産効率よく製造できる点から、方法(ii)が好ましい。
第2のコーティング液を塗布する際のガラス基板またはガラスリボンの温度は、200〜650℃が好ましく、300〜600℃がより好ましい。
本発明の第2の実施態様において、フロート法によるガラス基板の製造方法を利用する場合は、第2のコーティング液の塗布方法としては、フロートバス中で溶融ガラスを成形して得られたガラスリボンに対し、フロートバスと徐冷工程との間または徐冷工程中、ガラスリボンが200〜650℃の温度範囲にある位置にて第2のコーティング液を噴霧することが好ましい。
本発明の第2の実施態様において、フロート法によるガラス基板の製造方法を利用する場合は、第2のコーティング液の塗布方法としては、フロートバス中で溶融ガラスを成形して得られたガラスリボンに対し、フロートバスと徐冷工程との間または徐冷工程中、ガラスリボンが200〜650℃の温度範囲にある位置にて第2のコーティング液を噴霧することが好ましい。
(ガラス製造装置)
図3は、ガラス製造装置の一例を示す概略図である。
ガラス製造装置20は、ガラス原料を溶解し、溶融ガラス30とする溶解窯22と、溶解窯22から供給された溶融ガラス30を溶融スズ24の表面に浮かべることで溶融ガラス30をガラス基板となるガラスリボン32に成形するフロートバス26と、該ガラスリボン32を徐冷する徐冷窯28と、フロートバス26の出口と徐冷窯28の入り口との間で、かつガラスリボン32の上方に570mmの高さで設置された第1のコーティング液を塗布するエアー式の第1のスプレーガン34とを備える。また、第1のスプレーガン34の後段に第2のコーティング液を塗布する第2のスプレーガン36を設けることも好ましい。
図3は、ガラス製造装置の一例を示す概略図である。
ガラス製造装置20は、ガラス原料を溶解し、溶融ガラス30とする溶解窯22と、溶解窯22から供給された溶融ガラス30を溶融スズ24の表面に浮かべることで溶融ガラス30をガラス基板となるガラスリボン32に成形するフロートバス26と、該ガラスリボン32を徐冷する徐冷窯28と、フロートバス26の出口と徐冷窯28の入り口との間で、かつガラスリボン32の上方に570mmの高さで設置された第1のコーティング液を塗布するエアー式の第1のスプレーガン34とを備える。また、第1のスプレーガン34の後段に第2のコーティング液を塗布する第2のスプレーガン36を設けることも好ましい。
所定の搬送速度で移動するガラスリボン32に、フロートバス26と徐冷窯28の間でガラスリボン32の表面温度が200〜650℃にある位置にて、第1のスプレーガン34から第1のコーティング液を噴霧し、ガラスリボン32上に無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成し、次いで、無機微粒子含有酸化ケイ素膜の上に、第2のスプレーガン36から第2のコーティング液を噴霧し、無機微粒子含有酸化ケイ素膜の上に金属酸化物膜を形成する。
徐冷窯28を出たガラスリボン32は図示されていない切断装置により切断されてガラス基板とされる。
徐冷窯28を出たガラスリボン32は図示されていない切断装置により切断されてガラス基板とされる。
(作用効果)
以上説明した本発明の無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法にあっては、ガラス基板やガラスリボン上に、無機微粒子を含むコーティング液を塗布しているため、目的の光学特性に応じて所望の粒子径の無機微粒子を用いることができる。その結果、目的とする光学性能を有する無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板を得ることができる。
以上説明した本発明の無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法にあっては、ガラス基板やガラスリボン上に、無機微粒子を含むコーティング液を塗布しているため、目的の光学特性に応じて所望の粒子径の無機微粒子を用いることができる。その結果、目的とする光学性能を有する無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板を得ることができる。
また、以上説明した本発明の無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法にあっては、コーティング液に含まれる酸化ケイ素の前駆体として、従来のオルガノポリシロキサンの代わりに、アルコキシシランの加水分解物を用いているため、液状媒体として極性のものを用いることができる。非極性の液状媒体に分散できる無機微粒子よりも、極性の液状媒体に分散できる無機微粒子の方が、その種類が多く、疎水化等の表面処理が施されている必要もないため、無機微粒子の選択の幅が広くなる。
なお、酸化ケイ素の前駆体であるアルコキシシランの加水分解物は、従来のオルガノポリシロキサンに比べて高温で気化しやすく、ガラス基板またはガラスリボン上への着膜効率が悪い傾向があるが、本発明においては、液状媒体として、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方を用いているため、無機微粒子含有酸化ケイ素膜のガラス基板またはガラスリボン上への着膜効率がよい。
また、無機微粒子含有酸化ケイ素膜の上に金属酸化物膜を形成することにより、光の散乱による防眩効果、光取り出し効果、光閉じ込め効果等が高められた無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板を製造することができる。
また、無機微粒子含有酸化ケイ素膜の上に金属酸化物膜を形成することにより、光の散乱による防眩効果、光取り出し効果、光閉じ込め効果等が高められた無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板を製造することができる。
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
例8〜19は実施例であり、例1〜7は比較例である。
例8〜19は実施例であり、例1〜7は比較例である。
(被覆率)
着膜効率の目安として、ガラス基板上における無機微粒子の被覆率を以下のようにして求めた。
接触段差計(ALVAC社製、DEKTAK150)を用い、測定長さ1mmにて無機微粒子含有酸化ケイ素膜の表面の凹凸形状を測定した。測定結果から、無機微粒子が存在している部分の長さを抜き出し、下式から被覆率を求めた。
被覆率(%)=100×無機微粒子が存在している部分の長さ(mm)/測定長さ(1mm)。
着膜効率の目安として、ガラス基板上における無機微粒子の被覆率を以下のようにして求めた。
接触段差計(ALVAC社製、DEKTAK150)を用い、測定長さ1mmにて無機微粒子含有酸化ケイ素膜の表面の凹凸形状を測定した。測定結果から、無機微粒子が存在している部分の長さを抜き出し、下式から被覆率を求めた。
被覆率(%)=100×無機微粒子が存在している部分の長さ(mm)/測定長さ(1mm)。
(ヘイズ)
光の散乱の目安として、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板のヘイズを、ヘイズメータ(ビックガードナー社製、ヘイズガードプラスE−4725型)を用いて測定した。
光の散乱の目安として、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板のヘイズを、ヘイズメータ(ビックガードナー社製、ヘイズガードプラスE−4725型)を用いて測定した。
〔例1〜11〕
表1に示す液状媒体に、テトラエトキシシラン(関東化学社製、SiO2換算固形分:99.9質量%)を、第1のコーティング液中30質量%となるように加え、さらに硝酸(70質量%水溶液)を、第1のコーティング液中0.35質量%となるように加え、1時間撹拌した。次いで、シリカゾル(日産化学工業製、MP−4540M、平均一次粒子径:450nm、固形分:40.7質量%、媒体:水)を、第1のコーティング液中2.5質量%となるように加え、5〜10分撹拌し、SiO2換算固形分濃度が9.65質量%、固形分中の酸化ケイ素粒子の割合が10.4質量%、固形分中のアルコキシシランの加水分解物(SiO2換算固形分)の割合が89.6質量%の例1〜例11の第1のコーティング液を得た。
表1に示す液状媒体に、テトラエトキシシラン(関東化学社製、SiO2換算固形分:99.9質量%)を、第1のコーティング液中30質量%となるように加え、さらに硝酸(70質量%水溶液)を、第1のコーティング液中0.35質量%となるように加え、1時間撹拌した。次いで、シリカゾル(日産化学工業製、MP−4540M、平均一次粒子径:450nm、固形分:40.7質量%、媒体:水)を、第1のコーティング液中2.5質量%となるように加え、5〜10分撹拌し、SiO2換算固形分濃度が9.65質量%、固形分中の酸化ケイ素粒子の割合が10.4質量%、固形分中のアルコキシシランの加水分解物(SiO2換算固形分)の割合が89.6質量%の例1〜例11の第1のコーティング液を得た。
塗布装置としては、KM−100(SPD研究所社製)を用いた。ガラス基板としては、10cm×10cm×4mmの高透過ガラス(旭硝子社製)を用いた。
ガラス基板をステージ上に載置し、ステージ裏面側にステージと非接触でヒーターを設置した。ヒーターの放射熱により、ステージを介してガラス基板を600℃に加熱した。ガラス基板の温度は、ガラス基板の一側面に熱伝対を接触させることにより測定した。スプレーガンで第1のコーティング液を噴霧する前にガラス基板を充分な時間加熱したため、ここで測定された温度はガラス基板の表面温度とほぼ同じとみなしてよい。
ガラス基板を600℃まで昇温した後、ガラス基板の上方に配置したスプレーガンからガラス基板上に第1のコーティング液を噴霧した。スプレーガンから第1のコーティング液を噴霧する際、送液速度が0.3〜0.6mL/秒となるようにスプレーガンへの送液圧力を調節し、噴霧圧力は0.1MPaとした。塗布時間は15秒とした。なお、ステージ、ガラス基板、スプレーガンは防爆装置で囲われた状態で噴霧を行い、雰囲気温度は調整しなかった。
得られた例1〜11の酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の被覆率、ヘイズを表1に示す。
ガラス基板をステージ上に載置し、ステージ裏面側にステージと非接触でヒーターを設置した。ヒーターの放射熱により、ステージを介してガラス基板を600℃に加熱した。ガラス基板の温度は、ガラス基板の一側面に熱伝対を接触させることにより測定した。スプレーガンで第1のコーティング液を噴霧する前にガラス基板を充分な時間加熱したため、ここで測定された温度はガラス基板の表面温度とほぼ同じとみなしてよい。
ガラス基板を600℃まで昇温した後、ガラス基板の上方に配置したスプレーガンからガラス基板上に第1のコーティング液を噴霧した。スプレーガンから第1のコーティング液を噴霧する際、送液速度が0.3〜0.6mL/秒となるようにスプレーガンへの送液圧力を調節し、噴霧圧力は0.1MPaとした。塗布時間は15秒とした。なお、ステージ、ガラス基板、スプレーガンは防爆装置で囲われた状態で噴霧を行い、雰囲気温度は調整しなかった。
得られた例1〜11の酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の被覆率、ヘイズを表1に示す。
水、または(ポリ)エチレングリコールを主な液状媒体として用いた本発明の実施例に係る例8〜11では、他の液状媒体を用いた例1〜7に比べ、高い粒子被覆率を示した。また、それに伴いヘイズも上昇し、高い光散乱特性を示した。
〔例12〜14〕
ガラス基板の温度を表2のように、300℃、400℃、500℃に変更した以外は、例10の液状媒体を用い、例1〜11と同様にして酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板を得た。得られた酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の被覆率、ヘイズを表2に示す。
ガラス基板の温度を表2のように、300℃、400℃、500℃に変更した以外は、例10の液状媒体を用い、例1〜11と同様にして酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板を得た。得られた酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の被覆率、ヘイズを表2に示す。
〔例15〜19〕
トリエチレングリコールに、テトラエトキシシラン(関東化学社製、SiO2換算固形分:99.9質量%)を、第1のコーティング液中30質量%となるように加え、さらに硝酸(70質量%水溶液)を、第1のコーティング液中0.35質量%となるように加え、1時間撹拌した。次いで、シリカゾル(日産化学工業製、MP−2040、平均一次粒子径:190nm、固形分:40質量%、媒体:水)を、第1のコーティング液中2.5質量%となるように加え、5〜10分撹拌し、SiO2換算固形分濃度が9.65質量%、固形分中の酸化ケイ素粒子の割合が10.4質量%、固形分中のアルコキシシランの加水分解物(SiO2換算固形分)の割合が89.6質量%の例15〜例19の第1のコーティング液を得た。
トリエチレングリコールに、テトラエトキシシラン(関東化学社製、SiO2換算固形分:99.9質量%)を、第1のコーティング液中30質量%となるように加え、さらに硝酸(70質量%水溶液)を、第1のコーティング液中0.35質量%となるように加え、1時間撹拌した。次いで、シリカゾル(日産化学工業製、MP−2040、平均一次粒子径:190nm、固形分:40質量%、媒体:水)を、第1のコーティング液中2.5質量%となるように加え、5〜10分撹拌し、SiO2換算固形分濃度が9.65質量%、固形分中の酸化ケイ素粒子の割合が10.4質量%、固形分中のアルコキシシランの加水分解物(SiO2換算固形分)の割合が89.6質量%の例15〜例19の第1のコーティング液を得た。
ノルマルデカンに、シリコーンオイル(信越シリコーン社製、X−22−7322)を、第2のコーティング液中70質量%となるように加え、10分間撹拌し、例16の第2のコーティング液を得た。
アセチルアセトンに、チタニウムテトラブトキシドを、第2のコーティング液中20質量%となるように加え、1時間撹拌し、例17の第2のコーティング液を得た。
N,N−ジメチルホルムアミドに、ジンクアセテートジヒドライドを、第2のコーティング液中20質量%となるように加え、30分間撹拌し、例18の第2のコーティング液を得た。
N,N−ジメチルホルムアミドに、ジブチルスズジアセテート(酸化スズ前駆体)を、第2のコーティング液中20質量%となるように加え、10分間撹拌し、例19の第2のコーティング液を得た。
例1と同様に、ガラス基板を600℃まで昇温した後、ガラス基板の上方に配置したスプレーガンからガラス基板上に第1のコーティング液を噴霧した。スプレーガンから第1のコーティング液を噴霧する際、送液速度が0.3〜0.6mL/秒となるようにスプレーガンへの送液圧力を調節し、噴霧圧力は0.1MPaとした。塗布時間は15〜30秒とした。
例15については、酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜のみが形成されたガラス基板について評価を行った。ヘイズを表3に示す。
例16〜19については、酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜の形成に引き続き、上記したそれぞれの第2のコーティング液を用いて、以下のようにして金属酸化物膜をさらに形成した。
例16〜19については、酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜の形成に引き続き、上記したそれぞれの第2のコーティング液を用いて、以下のようにして金属酸化物膜をさらに形成した。
酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜を形成した直後のガラス基板を600℃に維持したまま、ガラス基板の上方に配置したスプレーガンから酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜上に第2のコーティング液を噴霧した。スプレーガンから第2のコーティング液を噴霧する際、送液速度が0.3〜0.6mL/秒となるようにスプレーガンへの送液圧力を調節し、噴霧圧力は0.1MPaとした。塗布時間は15〜30秒とした。
酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜上に金属酸化物膜が形成された例16〜例19のガラス基板について評価を行った。ヘイズを表3に示す。
酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜上に金属酸化物膜が形成された例16〜例19のガラス基板について評価を行った。ヘイズを表3に示す。
酸化ケイ素粒子含有酸化ケイ素膜のみが形成されたガラス基板(例15)に比べ、酸化ケイ素粒子とは屈折率の異なる金属酸化物膜をさらに形成したガラス基板(例17〜19)は、ヘイズが大幅に向上した。なお、酸化ケイ素粒子と屈折率の同じ酸化ケイ素膜をさらに形成したガラス基板(例16)では、ヘイズの向上は見られなかった。
本発明の製造方法で得られた無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板は、防眩効果を有する窓ガラス、光取り出し効果を有する有機EL素子用ガラス基板、光閉じ込め効果を有する太陽電池用カバーガラス等として有用である。
なお、2012年4月24日に出願された日本特許出願2012−099166号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。
なお、2012年4月24日に出願された日本特許出願2012−099166号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。
1 無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板
10 ガラス基板
12 無機微粒子含有酸化ケイ素膜
14 無機微粒子
16 酸化ケイ素膜
18 金属酸化物膜
20 ガラス製造装置
22 溶解窯
24 溶融スズ
26 フロートバス
28 徐冷窯
30 溶融ガラス
32 ガラスリボン
34 第1のスプレーガン
36 第2のスプレーガン
10 ガラス基板
12 無機微粒子含有酸化ケイ素膜
14 無機微粒子
16 酸化ケイ素膜
18 金属酸化物膜
20 ガラス製造装置
22 溶解窯
24 溶融スズ
26 フロートバス
28 徐冷窯
30 溶融ガラス
32 ガラスリボン
34 第1のスプレーガン
36 第2のスプレーガン
Claims (7)
- ガラス基板上に、無機微粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含むコーティング液を塗布し、無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法。
- 前記コーティング液を塗布する際のガラス基板の温度が、200〜650℃である、請求項1に記載の製造方法。
- 前記無機微粒子含有酸化ケイ素膜上に、前記無機微粒子とは屈折率の異なる金属酸化物膜をさらに形成する、請求項1または2に記載の製造方法。
- 溶融ガラスから成形されたガラスリボン上に、無機微粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、水および(ポリ)エチレングリコールのいずれか一方または両方とを含むコーティング液を塗布し、無機微粒子含有酸化ケイ素膜を形成する工程と、その後ガラスリボンを切断する工程とを有する、無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法。
- 前記コーティング液を塗布する際のガラスリボンの温度が、200〜650℃である、請求項4に記載の製造方法。
- フロートバス中で溶融ガラスをガラスリボンに成形し、フロートバスと徐冷工程との間または徐冷工程中で前記コーティング液を塗布する、請求項4または5に記載の製造方法。
- ガラスリボン上の前記無機微粒子含有酸化ケイ素膜上に、前記無機微粒子とは屈折率の異なる金属酸化物膜をさらに形成する、請求項4〜6のいずれか一項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014512618A JPWO2013161827A1 (ja) | 2012-04-24 | 2013-04-23 | 無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012099166 | 2012-04-24 | ||
JP2012099166 | 2012-04-24 | ||
JP2014512618A JPWO2013161827A1 (ja) | 2012-04-24 | 2013-04-23 | 無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013161827A1 true JPWO2013161827A1 (ja) | 2015-12-24 |
Family
ID=49483136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014512618A Pending JPWO2013161827A1 (ja) | 2012-04-24 | 2013-04-23 | 無機微粒子含有酸化ケイ素膜付ガラス基板の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150030778A1 (ja) |
EP (1) | EP2842920A4 (ja) |
JP (1) | JPWO2013161827A1 (ja) |
CN (1) | CN104245613A (ja) |
TW (1) | TW201402496A (ja) |
WO (1) | WO2013161827A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6237322B2 (ja) * | 2014-02-21 | 2017-11-29 | 旭硝子株式会社 | 防眩膜付き物品の製造方法 |
JP6773036B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2020-10-21 | 日産化学株式会社 | モバイルディスプレイ機器のカバーガラス等に好適なガラス基板 |
WO2017029735A1 (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 旭硝子株式会社 | 防眩膜付き物品、その製造方法および画像表示装置 |
US10550031B2 (en) | 2016-03-08 | 2020-02-04 | Central Glass Company, Limited | Glass window having a luminous capability |
CN108328936B (zh) * | 2017-09-15 | 2020-10-20 | 重庆市中光电显示技术有限公司 | 用于触摸屏的自清洁防指纹盖板玻璃及其制备方法 |
CN107793039B (zh) * | 2017-11-13 | 2021-03-23 | 东旭光电科技股份有限公司 | 抗冲击钢化玻璃及其制备方法和显示终端 |
CN112340966A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-02-09 | 安徽鸿程光电有限公司 | 防眩光玻璃及生产方法、装置、有该玻璃的电子显示设备 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01131088A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Seiko Epson Corp | 合成石英コーティング法 |
US20050144981A1 (en) * | 2002-01-31 | 2005-07-07 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Method of manufacturing glass sheet with thin film and the glass sheet |
EP1500634A4 (en) * | 2002-03-26 | 2008-01-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | GLASS SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
EP1524247A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | Asahi Glass Company, Limited | Infrared shielding film-coated glass and process for its production |
JP2005194169A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-07-21 | Asahi Glass Co Ltd | 赤外線遮蔽膜付きガラスおよびその製造方法 |
US7294405B2 (en) * | 2004-08-26 | 2007-11-13 | 3M Innovative Properties Company | Antiglare coating and articles |
JP5471441B2 (ja) * | 2007-05-08 | 2014-04-16 | セントラル硝子株式会社 | 手塗り可能なゾルゲル膜形成用塗布液 |
WO2011090035A1 (ja) * | 2010-01-19 | 2011-07-28 | 旭硝子株式会社 | 撥水性基体およびその製造方法 |
EP2581352A4 (en) * | 2010-06-11 | 2014-12-10 | Asahi Glass Co Ltd | METHOD FOR PRODUCING A GLASS SUBSTRATE WITH A SILICON OXIDE FILM WITH INORGANIC MICROPARTICLES |
JP5784528B2 (ja) * | 2011-11-28 | 2015-09-24 | 日本板硝子株式会社 | 防眩性ガラス基板およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-04-23 WO PCT/JP2013/061947 patent/WO2013161827A1/ja active Application Filing
- 2013-04-23 JP JP2014512618A patent/JPWO2013161827A1/ja active Pending
- 2013-04-23 CN CN201380021597.1A patent/CN104245613A/zh active Pending
- 2013-04-23 EP EP13781896.9A patent/EP2842920A4/en not_active Withdrawn
- 2013-04-24 TW TW102114588A patent/TW201402496A/zh unknown
-
2014
- 2014-10-15 US US14/515,270 patent/US20150030778A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013161827A1 (ja) | 2013-10-31 |
CN104245613A (zh) | 2014-12-24 |
EP2842920A1 (en) | 2015-03-04 |
EP2842920A4 (en) | 2016-03-30 |
TW201402496A (zh) | 2014-01-16 |
US20150030778A1 (en) | 2015-01-29 |
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