JPWO2013153673A1 - 電子部品搭載用配線基材、電子部品搭載用配線基材の製造方法及び電子回路モジュール - Google Patents
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Abstract
一方の表面にランド22を有する導電性部材20を備える電子部品搭載用配線基材であって、導電性部材20は、ランド22と、当該ランド22を囲む領域に形成され、ランド22におけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域24とを有することを特徴とする電子部品搭載用配線基材10。本発明の電子部品搭載用配線基材10によれば、導電性部材20が、ランド22を囲む領域にランド22におけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域24を有するため、ソルダーレジストを設ける必要がなくなり、電子部品をランド22に接続する際に、電子部品をランド22に正確に搭載することが可能な電子部品搭載用配線基材とすることが可能となる。
Description
本発明は、電子部品搭載用配線基材、電子部品搭載用配線基材の製造方法、電子回路モジュール及びランド形成装置に関する。
従来、一方の表面にランドを有する導電性部材を備える電子部品搭載用配線基材900が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
図10は、従来の電子部品搭載用配線基材910を説明するために示す図である。
電子部品搭載用配線基材910は、図10に示すように、ランド922を有する導電性部材920と、絶縁性基材930とを備え、導電性部材920は、絶縁性基材930の表面に配設されている。電子部品搭載用配線基材910における導電性部材920が配設されている側の面には、ランド922におけるよりもはんだとの親和性が低いソルダーレジスト940がランド922を囲む領域に設けられている。
従来の電子部品搭載用配線基材910によれば、ランド922を囲む領域に形成されたソルダーレジスト940を備えるため、はんだを介して電子部品をランド922に接続する際に、はんだがランド922から流れ出すことを防ぐことが可能となり、電子回路が短絡することを防ぐことが可能となる。
なお、本明細書中で「電子部品」とは、電気製品に使用される部品を示す。「電子部品」には、半導体チップ、コンデンサ、抵抗器などのいわゆる一般的に電子部品と称されている電子部品だけでなく、接続子などの機構部品も含まれる。
しかしながら、従来の電子部品搭載用配線基材910においては、ソルダーレジストが設けられているため、ソルダーレジスト940の上面と導電性部材920の上面との間に高低差が生じることに起因してはんだをランド922に正確に印刷できなくなるおそれがある。その結果、電子部品を搭載する位置が所望の位置からずれるおそれがあり、はんだを介して電子部品をランド922に接続する際に、電子部品をランド922に正確に搭載することが困難となるおそれがあるという問題がある。
そこで、本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、はんだを介して電子部品をランドに接続する際に、電子部品をランドに正確に搭載することが可能な電子部品搭載用配線基材を提供することを目的とする。また、そのような電子部品搭載用配線基材を製造する電子部品搭載用配線基材の製造方法を提供することを目的とする。また、そのような電子部品搭載用配線基材を用いて製造された電子回路モジュールを提供することを目的とする。さらにまた、そのような電子部品搭載用配線基材にランドを形成するためのランド形成装置を提供することを目的とする。
[1]本発明の電子部品搭載用配線基材は、一方の表面にランドを有する導電性部材を備える電子部品搭載用配線基材であって、前記導電性部材は、前記ランドと、当該ランドを囲む領域に形成され、前記ランドにおけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域とを有することを特徴とする。
[2]本発明の電子部品搭載用配線基材によれば、前記改質層形成領域は、レーザー光を照射することによって形成されたものであることが好ましい。
[3]本発明の電子部品搭載用配線基材によれば、前記導電性部材は、リードフレームからなることが好ましい。
[4]本発明の電子部品搭載用配線基材によれば、前記電子部品搭載用配線基材は、コイルを内包した状態で絶縁磁性材料を圧縮成形することにより、前記導電性部材の他方の表面側に形成された磁性体部をさらに備えることが好ましい。
[5]本発明の電子部品搭載用配線基材によれば、前記電子部品搭載用配線基材は、絶縁性基材をさらに備え、前記導電性部材は、前記絶縁性基材の表面に配設されていることが好ましい。
[6]本発明の電子部品搭載用配線基材によれば、前記導電性部材の一方の表面は、金属めっきされており、前記改質層形成領域は、前記金属めっきを構成する金属を酸化することによって形成されたものであることが好ましい。
[7]本発明の電子部品搭載用配線基材によれば、前記導電性部材の一方の表面は、金属めっきされており、前記改質層形成領域は、前記金属めっきを構成する金属を窒化することによって形成されたものであることが好ましい。
[8]本発明の電子部品搭載用配線基材によれば、前記金属は、ニッケルであることが好ましい。
[9]本発明の電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、導電性部材を備える電子部品搭載用配線基材を準備する電子部品搭載用配線基材準備工程と、前記導電性部材の一方の面において、ランド形成予定領域を囲む領域に前記ランド形成予定領域におけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域を形成することにより、前記ランド形成予定領域に前記ランドを形成するランド形成工程とを含むことを特徴とする。
[10]本発明の電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、前記ランド形成工程においては、レーザー光を照射することによって前記改質層形成領域を形成することが好ましい。
[11]本発明の電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、前記電子部品搭載用配線基材準備工程においては、前記電子部品搭載用配線基材として、リードフレームからなる導電性部材を備える電子部品搭載用配線基材を準備することが好ましい。
[12]本発明の電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、コイルを内包した状態で絶縁磁性材料を圧縮成形することにより、前記導電性部材の他方の表面側に磁性体部を形成する磁性体部形成工程をさらに含むことが好ましい。
[13]本発明の電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、前記電子部品搭載用配線基材準備工程においては、前記電子部品搭載用配線基材として、前記導電性部材に加えて絶縁性基材をさらに備え、前記絶縁性基材の表面に前記導電性部材が配設されている電子部品搭載用配線基材を準備することが好ましい。
[14]本発明の電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、前記電子部品搭載用配線基材準備工程においては、電子部品搭載用配線基材として、前記導電性部材の一方の表面が金属めっきされた電子部品搭載用配線基材を準備し、前記ランド形成工程においては、前記金属めっきを構成する金属を酸化することによって前記改質層形成領域を形成することにより、前記ランド形成予定領域に前記ランドを形成することが好ましい。
[15]本発明の電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、前記電子部品搭載用配線基材準備工程においては、電子部品搭載用配線基材として、前記導電性部材の一方の表面が金属めっきされた電子部品搭載用配線基材を準備し、前記ランド形成工程においては、前記金属めっきを構成する金属を窒化することによって前記改質層形成領域を形成することにより、前記ランド形成予定領域に前記ランドを形成することが好ましい。
[16]本発明の電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、前記金属は、ニッケルであることが好ましい。
[17]本発明の電子部品搭載用配線基材と、前記ランドに搭載された電子部品とを備えることを特徴とする電子回路モジュール。
[18]上記した[2]の電子部品搭載用配線基材を製造する際に用いるランド形成装置であって、前記導電性部材の一方の面において、前記ランド形成予定領域におけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域をランド形成予定領域を囲む領域にレーザー光を照射して形成することにより、ランドを形成することを特徴とする。
本発明の電子部品搭載用配線基材によれば、導電性部材が、ランドを囲む領域にランドにおけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域を有するため、ランドを形成するためにソルダーレジストを設ける必要がなくなり、ソルダーレジストの上面と導電性部材の上面との間に高低差が生じることに起因してはんだをランドに正確に印刷できなくなるおそれがなくなる。その結果、電子部品を搭載する位置が所望の位置からずれることを防ぐことが可能となり、はんだを介して電子部品をランドに接続する際に、電子部品をランドに正確に搭載することが可能な電子部品搭載用配線基材とすることが可能となる。
本発明の電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、ランド形成工程において、ランド形成予定領域を囲む領域にランド形成予定領域におけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域を形成しているため、ランドを形成するためにソルダーレジストを設ける必要がなくなり、ソルダーレジストの上面と導電性部材の上面との間に高低差が生じることに起因してはんだをランドに正確に印刷できなくなるおそれがなくなる。その結果、電子部品を搭載する位置が所望の位置からずれることを防ぐことが可能となり、はんだを介して電子部品をランドに接続する際に、電子部品をランドに正確に搭載することが可能となる。
本発明の電子回路モジュールによれば、本発明の電子部品搭載用配線基材を備えるため、電子回路モジュールを製造する過程においてソルダーレジストを設ける必要がなくなり、ソルダーレジストの上面と導電性部材の上面との間に高低差が生じることに起因してはんだをランドに正確に印刷できなくなるおそれがなくなる。その結果、電子部品を搭載する位置が所望の位置からずれることを防ぐことが可能で、電子回路モジュールを製造する過程においてはんだを介して電子部品をランドに接続する際に、電子部品をランドに正確に搭載することが可能な電子回路モジュールとすることが可能となる。
本発明のランド形成装置によれば、電子部品搭載用配線基材を製造する際に、ランド形成予定領域を囲む領域にランド形成予定領域におけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域をレーザー光を照射して形成することによって、ランドを形成することができる。そのため、ランドを形成するためにソルダーレジストを設ける必要がなく、ソルダーレジストの上面と導電性部材の上面との間に高低差が生じることに起因してはんだをランドに正確に印刷できなくなるおそれがない電子部品搭載用配線基材を製造することが可能となる。その結果、電子部品搭載用配線基材に電子部品を搭載する際に、電子部品を搭載する位置が所望の位置からずれることを防ぐことが可能で、さらに、はんだを介して電子部品をランドに接続する際に、電子部品をランドに正確に搭載することが可能な電子部品搭載用配線基材を製造することが可能となる。
以下、本発明の電子部品搭載用配線基材、電子部品搭載用配線基材の製造方法、電子回路モジュール及びランド形成装置について、図に示す実施形態に基づいて説明する。
[実施形態1]
まず、実施形態1に係る電子回路モジュール1の構成及び実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10の構成を説明する。
まず、実施形態1に係る電子回路モジュール1の構成及び実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10の構成を説明する。
図1は、実施形態1に係る電子回路モジュール1を説明するために示す図である。図1(a)は電子回路モジュール1の上面図であり、図1(b)は図1(a)に示すA−A断面図である。
図2は、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10を説明するために示す図である。図2(a)は電子部品搭載用配線基材10の上面図であり、図2(b)は図2(a)に示すA−A断面図である。
図2は、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10を説明するために示す図である。図2(a)は電子部品搭載用配線基材10の上面図であり、図2(b)は図2(a)に示すA−A断面図である。
実施形態1に係る電子回路モジュール1は、図1に示すように、電子部品搭載用配線基材10と、はんだ40と、電子部品50とを備える。
実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10は、図2に示すように、一方の表面にランド22を有する導電性部材20と、磁性体部30とを備える。
導電性部材20は、ランド22と、当該ランド22を囲む領域に形成され、ランド22におけるよりもはんだ40との親和性が低い改質層形成領域24とを有する。導電性部材20は、配線パターンを構成しているリードフレームからなる。導電性部材20を構成する材料は銅であり、導電性部材20の一方の表面は、金属めっきされている。金属めっきを構成する金属は、ニッケルである。めっきの厚さは1〜10μmの範囲内にある。ニッケルめっきの表面にはAuめっきやパラジウムめっきがされていてもよい。
ランド22は、電子部品50の接続のために使用される配線パターンの一部の領域であり、はんだ40を介して電子部品50が搭載される領域である。ランド22は、後述する改質層形成領域24に囲まれている。
改質層形成領域24は、当該ランド22を囲む領域に形成され、ランド22におけるよりもはんだとの親和性が低い領域である。改質層形成領域24は、レーザー光を照射することにより金属めっきを構成する金属(ニッケル)を酸化することによって表面が改質された(改質層が形成された)領域である。このため、改質層形成領域24の表面は絶縁性を有する。
当該レーザー光は、実施形態1に係るランド形成装置であるレーザー光照射装置によって照射されたものである。改質層形成領域24の幅は、例えば、10μm〜500μmの範囲内にあることが好ましく、40μm〜100μmの範囲内にあることがより好ましい。
当該レーザー光は、実施形態1に係るランド形成装置であるレーザー光照射装置によって照射されたものである。改質層形成領域24の幅は、例えば、10μm〜500μmの範囲内にあることが好ましく、40μm〜100μmの範囲内にあることがより好ましい。
なお、本明細書において、「ランド22を囲む領域に形成され」とは、「ランド22を囲む領域」のすべてに改質層形成領域24が形成されている場合のみならず、「ランド22を囲む領域」の一部に改質層形成領域24が形成されている場合も含む(後述する図9参照。)。
磁性体部30は、図1に示すように、コイル(図示せず)を内包した状態で絶縁磁性材料を圧縮成形することにより、導電性部材20の他方の表面側(ランド22を形成する表面とは反対側の表面)に形成されている。具体的には、磁性体部30は、コイルを接続した導電性部材20を成形金型に設置して、絶縁磁性材料でコイルを埋めた後にプレスをすることによって形成されている。
はんだ40は、電子部品50と導電性部材20とを接続している。はんだ40は、はんだ印刷によってランド22にペースト状のはんだが塗布されたものである。
電子部品50は、半導体素子からなる。電子部品50は、ランド22において、はんだ40を介して導電性部材20と接続されている。実施形態1においては、電子部品50が2つ接続されている。
次に、実施形態1における電子回路モジュールの製造方法及び実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法を説明する。
図3は、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法を説明するために示すフローチャートである。
図4は、実施形態1における電子回路モジュールの製造方法及び実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法を説明するために示す図である。図4(a)〜図4(e)は各工程図である。なお、図4(b)において、破線はレーザー光を照射後に改質層形成領域24となる領域を示す。
図4は、実施形態1における電子回路モジュールの製造方法及び実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法を説明するために示す図である。図4(a)〜図4(e)は各工程図である。なお、図4(b)において、破線はレーザー光を照射後に改質層形成領域24となる領域を示す。
実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法は、図3に示すように、「電子部品搭載用配線基材準備工程S10」、「ランド形成工程S20」及び「磁性体部形成工程S30」をこの順序で含む。
(1)電子部品搭載用配線基材準備工程S10
まず、図4(a)に示すように、導電性部材20を備える電子部品搭載用配線基材を準備する。具体的には、電子部品搭載用配線基材として、導電性部材20の一方の表面が金属めっきされた電子部品搭載用配線基材を準備する。導電性部材20は、配線パターンを構成するとともにランド形成予定領域22’を有するリードフレームからなる。導電性部材20を構成する金属は銅であり、金属めっきを構成する金属はニッケルである。
まず、図4(a)に示すように、導電性部材20を備える電子部品搭載用配線基材を準備する。具体的には、電子部品搭載用配線基材として、導電性部材20の一方の表面が金属めっきされた電子部品搭載用配線基材を準備する。導電性部材20は、配線パターンを構成するとともにランド形成予定領域22’を有するリードフレームからなる。導電性部材20を構成する金属は銅であり、金属めっきを構成する金属はニッケルである。
(2)ランド形成工程S20
次に、図4(b)及び図4(c)に示すように、ランド形成予定領域22’を囲む領域にランド形成予定領域22’におけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域24を形成することにより、ランド形成予定領域22’にランド22を形成する。具体的には、導電性部材20の一方の表面側(上側)にレーザー光を照射して、金属めっきを構成する金属を酸化して改質層形成領域24を形成することにより、ランド形成予定領域にランド22を形成することができる。
次に、図4(b)及び図4(c)に示すように、ランド形成予定領域22’を囲む領域にランド形成予定領域22’におけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域24を形成することにより、ランド形成予定領域22’にランド22を形成する。具体的には、導電性部材20の一方の表面側(上側)にレーザー光を照射して、金属めっきを構成する金属を酸化して改質層形成領域24を形成することにより、ランド形成予定領域にランド22を形成することができる。
(3)磁性体部形成工程S30
次に、図4(d)に示すように、コイル(図示せず)を内包した状態で絶縁磁性材料を圧縮成形することにより、導電性部材20の他方の表面側(下側)に磁性体部30を形成する。具体的には、コイルと導電性部材20を接続した後に成形金型に設置して、コイルを内包した状態で絶縁磁性材料で埋めプレスすることによって磁性体部30を形成する。
このようにして実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10が製造される。
次に、図4(d)に示すように、コイル(図示せず)を内包した状態で絶縁磁性材料を圧縮成形することにより、導電性部材20の他方の表面側(下側)に磁性体部30を形成する。具体的には、コイルと導電性部材20を接続した後に成形金型に設置して、コイルを内包した状態で絶縁磁性材料で埋めプレスすることによって磁性体部30を形成する。
このようにして実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10が製造される。
その後、導電性部材20におけるランド22にはんだ40を印刷し、ランド22に電子部品50を搭載する。そして、はんだ40を溶融することではんだ40を介して導電性部材20と電子部品50とを接続する。このようにして、実施形態1に係る電子回路モジュール1が製造される(図4(e)参照。)。
次に、実施形態1に係るランド形成装置を説明する。
ランド形成装置は、電子部品搭載用配線基材を製造する際に用いるランド形成装置であって、ランド形成予定領域におけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域24をランド形成予定領域を囲む領域にレーザー光を照射して形成することにより、ランド22を形成することができる。すなわち、ランド形成装置は、レーザー光照射装置である。ランド形成装置においては、改質層形成領域24の幅が、例えば、10μm〜500μmの範囲内、好ましくは40μm〜100μmの範囲内となるように形成することができる。ランド形成装置は、レーザー光として、例えば、1064nmのYVO4レーザー光を照射することができる。
次に、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10、電子部品搭載用配線基材の製造方法、電子回路モジュール1及びランド形成装置の効果を説明する。
実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10によれば、導電性部材20が、ランド22を囲む領域にランド22におけるよりもはんだ40との親和性が低い改質層形成領域24を有するため、ランド22を形成するためにソルダーレジストを設ける必要がなくなり、ソルダーレジストの上面と導電性部材20の上面との間に高低差が生じることに起因してはんだ40をランド22に正確に印刷できなくなるおそれがなくなる。その結果、電子部品50を搭載する位置が所望の位置からずれることを防ぐことが可能となり、はんだ40を介して電子部品50をランド22に接続する際に、電子部品50をランド22に正確に搭載することが可能な電子部品搭載用配線基材とすることが可能となる。
また、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10によれば、改質層形成領域24は、レーザー光を照射することによって形成されたものであるため、改質層形成領域24を微細化することが可能となる。
また、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10によれば、導電性部材20は、リードフレームからなるため、配線パターンの精度が高い電子部品搭載用配線基材とすることが可能となる。
また、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10によれば、電子部品搭載用配線基材10は、磁性体部30を備えるため、磁性体部30を備える電子回路モジュールに用いる電子部品搭載用配線基材とすることが可能となる。
なお、磁性体部を有する電子回路モジュールを製造する場合にランドを形成する方法としては、ランドを囲む領域にソルダーレジストを設ける方法も考えられる。しかし、ソルダーレジストを設ける方法においては、薬品を用いたエッチングを行うため、当該薬液が磁性体部を溶解したり、磁性体部におけるポーラス構造に薬液が残ったりするおそれがある。しかし、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10によれば、上記したおそれを考慮することなくランド22を形成することが可能となる。
また、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10によれば、改質層形成領域24は、金属めっきを構成する金属を酸化することによって形成されたものであるため、改質層形成領域24の表面にはんだ40との親和性が低い金属酸化物の層が形成され、ランド22におけるよりもはんだ40との親和性が低い改質層形成領域24を形成することが可能となる。
また、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10によれば、金属めっきを構成する金属はニッケルであるため、改質層形成領域24に絶縁性を有する酸化ニッケルが形成され、絶縁性を有する改質層形成領域24を形成することが可能となる。
実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、ランド形成工程S20において、ランド形成予定領域22‘を囲む領域にランド形成予定領域22’におけるよりもはんだ40との親和性が低い改質層形成領域24を形成しているため、ランド22を形成するためにソルダーレジストを設ける必要がなくなり、ソルダーレジストの上面と導電性部材20の上面との間に高低差が生じることに起因してはんだ40をランド22に正確に印刷できなくなるおそれがなくなる。その結果、電子部品50を搭載する位置が所望の位置からずれることを防ぐことが可能となり、はんだ40を介して電子部品50をランド22に接続する際に、電子部品50をランド22に正確に搭載することが可能となる。
また、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、ランド形成工程S20においては、レーザー光を照射することによって改質層形成領域24を形成するため、微細な構造を有する改質層形成領域24を正確に製造することが可能となる。
また、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、電子部品搭載用配線基材準備工程S10においては、電子部品搭載用配線基材として、リードフレームからなる導電性部材20を備える電子部品搭載用配線基材10を準備するため、配線パターンの精度が高い電子部品搭載用配線基材を形成することが可能となる。
また、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、コイルを内包した状態で絶縁磁性材料を圧縮成形することにより、導電性部材20の他方の表面側に磁性体部30を形成する磁性体部形成工程S30を含むため、磁性体部30を有する電子回路モジュールに用いる電子部品搭載用配線基材を製造することが可能となる。
また、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、電子部品搭載用配線基材準備工程S10においては、電子部品搭載用配線基材として、導電性部材20の一方の表面が金属めっきされた電子部品搭載用配線基材を準備し、ランド形成工程S20においては、金属めっきを構成する金属(ニッケル)を酸化することによって改質層形成領域24を形成することにより、ランド形成予定領域にランド22を形成するため、改質層形成領域24の表面にはんだ40との親和性が低い金属酸化物の層が形成され、ランド22におけるよりもはんだ40との親和性が低い改質層形成領域24を形成することが可能となる
また、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、金属はニッケルであるため、改質層形成領域24に絶縁性を有する酸化ニッケルが形成され、絶縁性を有する改質層形成領域24を形成することが可能となる。
実施形態1に係る電子回路モジュール1によれば、実施形態1の電子部品搭載用配線基材10を備えるため、電子回路モジュール1を製造する過程においてソルダーレジストを設ける必要がなくなり、ソルダーレジストの上面と導電性部材20の上面との間に高低差が生じることに起因してはんだ40をランド22に正確に印刷できなくなるおそれがなくなる。その結果、電子部品50を搭載する位置が所望の位置からずれることを防ぐことが可能で、電子回路モジュール1を製造する過程においてはんだ40を介して電子部品50をランド22に接続する際に、電子部品50をランド22に正確に搭載することが可能な電子回路モジュールとすることが可能となる。
実施形態1に係るランド形成装置によれば、電子部品搭載用配線基材10を製造する際に、ランド形成予定領域22‘を囲む領域にランド形成予定領域22’におけるよりもはんだ40との親和性が低い改質層形成領域24をレーザー光を照射して形成することによって、ランド22を形成することができる。そのため、ランド22を形成するためにソルダーレジストを設ける必要がなく、ソルダーレジストの上面と導電性部材20の上面との間に高低差が生じることに起因してはんだ40をランド22に正確に印刷できなくなるおそれがない電子部品搭載用配線基材を製造することが可能となる。その結果、電子部品搭載用配線基材10に電子部品50を搭載する際に、電子部品50を搭載する位置が所望の位置からずれることを防ぐことが可能で、さらに、はんだ40を介して電子部品50をランド22に接続する際に、電子部品50をランド22に正確に搭載することが可能な電子部品搭載用配線基材10を製造することが可能となる。
[実施形態2]
図5は、実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10a及び実施形態2に係る電子回路モジュール1aを説明するために示す図である。図5(a)は電子部品搭載用配線基材10aの断面図であり、図5(b)は電子回路モジュール1aの断面図である。
図6は、実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法を説明するために示すフローチャートである。
図5は、実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10a及び実施形態2に係る電子回路モジュール1aを説明するために示す図である。図5(a)は電子部品搭載用配線基材10aの断面図であり、図5(b)は電子回路モジュール1aの断面図である。
図6は、実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法を説明するために示すフローチャートである。
実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10aは、基本的には実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10と同様の構成を有するが、磁性体部に代えて絶縁性基材を備える点が実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10の場合とは異なる。すなわち、実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10aは、図5に示すように、導電性部材20と、絶縁性基材30aとを備える。
電子部品搭載用配線基材10aにおいては、図5(a)に示すように、導電性部材20は、絶縁性基材30aの表面に配設されている。
絶縁性基材30aは、絶縁性の材料からなる平板である。絶縁性の材料としては、例えば、ガラス繊維製の布(クロス)を重ねたものに、エポキシ樹脂を含浸したガラスエポキシ基板を用いることができる。
電子部品搭載用配線基材10aのランド22に、はんだ40を介して電子部品50を搭載することにより実施形態2に係る電子回路モジュール1aとなる(図5(b)参照。)。
実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法は、図6に示すように、「電子部品搭載用配線基材準備工程S10a」及び「ランド形成工程S20a」をこの順序で実施する。このうち、電子部品搭載用配線基材準備工程S10aにおいては、導電性部材20と絶縁性基材30aとを備え、導電性部材20は絶縁性基材30aの表面に配設されている電子部品搭載用配線基材を準備する。なお、ランド形成工程S20aは、実施形態1におけるランド形成工程S20と同様の工程であるため、説明を省略する。
このように、実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10aは、電子部品搭載用配線基材の構成が実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10の場合とは異なるが、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10の場合と同様に、導電性部材20が、ランド22を囲む領域にランド22におけるよりもはんだ40との親和性が低い改質層形成領域24を有するため、ランド22を形成するためにソルダーレジストを設ける必要がなくなり、ソルダーレジストの上面と導電性部材20の上面との間に高低差が生じることに起因してはんだ40をランド22に正確に印刷できなくなるおそれがなくなる。その結果、電子部品50を搭載する位置が所望の位置からずれることを防ぐことが可能となり、はんだ40を介して電子部品50をランド22に接続する際に、電子部品50をランド22に正確に搭載することが可能な電子部品搭載用配線基材とすることが可能となる。
また、実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10aによれば、絶縁性基材30aを備え、導電性部材20は、絶縁性基材30aの表面に配設されているため、絶縁性基材30aを有する電子回路モジュール1aに用いる電子部品搭載用配線基材を製造することが可能となる。
また、実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材の製造方法によれば、電子部品搭載用配線基材準備工程S10aにおいては、電子部品搭載用配線基材10aとして、導電性部材20に加えて絶縁性基材30aを備える電子部品搭載用配線基材10aを準備するため、絶縁性基材30aを備える電子回路モジュールに用いる電子部品搭載用配線基材を製造することが可能となる。
なお、実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10aは、磁性体部に代えて絶縁性基材を備える点以外の点においては実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10と同様の構成を有するため、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10が有する効果のうち該当する効果を有する。
[実施形態3]
図7は、実施形態3に係る電子部品搭載用配線基材10b及び実施形態3に係る電子回路モジュール1bを説明するために示す図である。図7(a)は電子部品搭載用配線基材10bの断面図であり、図7(b)は電子回路モジュール1bの断面図である。
図7は、実施形態3に係る電子部品搭載用配線基材10b及び実施形態3に係る電子回路モジュール1bを説明するために示す図である。図7(a)は電子部品搭載用配線基材10bの断面図であり、図7(b)は電子回路モジュール1bの断面図である。
実施形態3に係る電子部品搭載用配線基材10bは、基本的には実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10aと同様の構成を有するが、導電性部材として金属箔を備える点が実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10aの場合とは異なる。すなわち、実施形態3に係る電子部品搭載用配線基材10bは、図7に示すように、導電性部材としての金属箔20aと、絶縁性基材30aとを備える。
金属箔20aは、銅箔からなる。金属箔20aは、絶縁性基材30aの一方の表面に金属箔を付着させた後、エッチングによって配線パターンが形成されたものである。
電子部品搭載用配線基材10bのランド22に、はんだ40を介して電子部品50を搭載することで実施形態3に係る電子回路モジュール1bとなる。
このように、実施形態3に係る電子部品搭載用配線基材10bは、導電性部材として金属箔を備える点が実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10aの場合とは異なるが、実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10aの場合と同様に、導電性部材20aが、ランド22を囲む領域にランド22におけるよりもはんだ40との親和性が低い改質層形成領域24を有するため、ランド22を形成するためにソルダーレジストを設ける必要がなくなり、ソルダーレジストの上面と導電性部材20aの上面との間に高低差が生じることに起因してはんだ40をランド22に正確に印刷できなくなるおそれがなくなる。その結果、電子部品50を搭載する位置が所望の位置からずれることを防ぐことが可能となり、はんだ40を介して電子部品50をランド22に接続する際に、電子部品50をランド22に正確に搭載することが可能な電子部品搭載用配線基材とすることが可能となる。
なお、実施形態3に係る電子部品搭載用配線基材10bは、導電性部材として金属箔を備える点以外の点においては実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10aと同様の構成を有するため、実施形態2に係る電子部品搭載用配線基材10aが有する効果のうち該当する効果を有する。
[実施形態4]
図8は、実施形態4に係る電子部品搭載用配線基材10c及び実施形態4に係る電子回路モジュール1cを説明するために示す図である。図8(a)は電子部品搭載用配線基材10cの断面図であり、図8(b)は電子回路モジュール1cの平面図であり、図8(c)は電子回路モジュール1cの断面図である。
図8は、実施形態4に係る電子部品搭載用配線基材10c及び実施形態4に係る電子回路モジュール1cを説明するために示す図である。図8(a)は電子部品搭載用配線基材10cの断面図であり、図8(b)は電子回路モジュール1cの平面図であり、図8(c)は電子回路モジュール1cの断面図である。
実施形態4に係る電子部品搭載用配線基材10cは、図8(a)に示すように、基本的には実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10と同様の構成を備えるが、磁性体部を備えない点が実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10の場合とは異なる。すなわち、実施形態4に係る電子部品搭載用配線基材10cは、導電性部材としてのリードフレーム20bのみを備え、磁性体部を備えない。
リードフレーム20bは、電子部品50(チップ)を搭載するためのランド22を有するダイパッド26と、ダイパッド26とは離間した位置に位置するインナーリード28とを有する。ダイパッド26は、ランド22と、当該ランド22を囲む領域に形成され、ランド22におけるよりもはんだ40との親和性が低い改質層形成領域24とを有する。
実施形態4に係る電子回路モジュール1cは、ダイパッド26とインナーリード28とを有するリードフレーム20bのみからなる電子部品搭載用配線基材10cと、ダイパッド26におけるランド22に搭載された電子部品50(チップ)とを備える(図8(b)及び図8(c)参照。)。なお、実施形態4に係る電子回路モジュール1cは、電子部品50(チップ)とインナーリード28とを接続する接合部材としての接続子60をさらに備える。
このように、実施形態4に係る電子部品搭載用配線基材10cは、磁性体部を備えない点が実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10の場合とは異なるが、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10の場合と同様に、導電性部材20bが、ランド22を囲む領域にランド22におけるよりもはんだ40との親和性が低い改質層形成領域24を有するため、ランド22を形成するためにソルダーレジストを設ける必要がなくなり、ソルダーレジストの上面と導電性部材20bの上面との間に高低差が生じることに起因してはんだ40をランド22に正確に印刷できなくなるおそれがなくなる。その結果、電子部品50を搭載する位置が所望の位置からずれることを防ぐことが可能となり、はんだ40を介して電子部品50をランド22に接続する際に、電子部品50をランド22に正確に搭載することが可能な電子部品搭載用配線基材とすることが可能となる。
なお、実施形態4に係る電子部品搭載用配線基材10cは、磁性体部を備えない点以外の点においては実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10と同様の構成を有するため、実施形態1に係る電子部品搭載用配線基材10が有する効果のうち該当する効果を有する。
以上、本発明を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
(1)上記各実施形態においては、改質層形成領域として、1つの連続した領域からなる改質層形成領域の場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。図9は変形例における改質層形成領域の様子を説明するために示す図である。図9(a)は複数の多角形形状を有する領域からなる改質層形成領域24aの様子であり、図9(b)は複数の円形形状を有する領域からなる改質層形成領域24bの様子である。図9(a)及び図9(b)に示すように、改質層形成領域として、複数の領域からなる改質層形成領域24a、24bの場合であっても本発明を適用可能である。複数の領域からなる改質層形成領域においては、当該複数の領域同士の間隔が調整されているため、はんだ40の表面張力が働き、当該複数の領域同士の間からはんだが流れ出すことがない。
(2)上記各実施形態においては、改質層形成領域24は、金属めっきを構成する金属を酸化することによって形成されたものである場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、改質層形成領域24は、金属めっきを構成する金属を窒化することによって形成されたものである場合であっても本発明を適用可能である。
(3)上記各実施形態においては、金属めっきを構成する金属がニッケルである場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。金属めっきを構成する金属が、酸化することによってはんだ40との親和性が低くなる金属であれば本発明を適用可能である。
(4)上記各実施形態においては、導電性部材の一方の表面が金属めっきされている場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。導電性部材の一方の表面が金属めっきされていない場合にも本発明を適用可能である。
(5)上記各実施形態においては、改質層形成領域24が絶縁性を有する場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。改質層形成領域24が絶縁性を有さない場合であっても本発明を適用可能である。
(6)上記各実施形態においては、導電性部材20を構成する材料が銅である場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、導電性部材20を構成する材料が他の金属(例えば、アルミニウム)の場合であっても本発明を適用可能である。
(7)上記実施形態1においては、ランド形成工程S20の後に磁性体部形成工程S30を実施する場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ランド形成工程S20の前に磁性体部形成工程S30を実施する場合や、電子部品搭載用配線基材準備工程S10が磁性体部形成工程S30を含む場合であっても本発明を適用可能である。
(8)上記実施形態4においては、ダイパッド26がランド22を有する場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、インナーリード28がランドを有する場合であっても本発明を適用可能である。当該ランドにおいては、はんだ40を介して接続子60とインナーリード28とが接続される。このような構成とすることにより、はんだ40がインナーリード28に沿って流れ出すことに起因してはんだ40と樹脂封止のための樹脂との密着性が低下することを防ぐことが可能となる。
1,1a,1b,1c…電子回路モジュール、10,10a,10b,10c…電子部品搭載用配線基材、20,20b…導電性部材(リードフレーム)、20a…導電性部材(金属箔)、22…ランド、24、24a、24b…改質層形成領域、26…ダイパッド、28…インナーリード、30…磁性体部、30a…絶縁性基材、40…はんだ、50…電子部品、60…接続子
Claims (18)
- 一方の表面にランドを有する導電性部材を備える電子部品搭載用配線基材であって、
前記導電性部材は、
前記ランドと、
当該ランドを囲む領域に形成され、前記ランドにおけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域とを有することを特徴とする電子部品搭載用配線基材。 - 請求項1に記載の電子部品搭載用配線基材において、
前記改質層形成領域は、レーザー光を照射することによって形成されたものであることを特徴とする電子部品搭載用配線基材。 - 請求項1又は2に記載の電子部品搭載用配線基材において、
前記導電性部材は、リードフレームからなることを特徴とする電子部品搭載用配線基材。 - 請求項3に記載の電子部品搭載用配線基材において、
前記電子部品搭載用配線基材は、コイルを内包した状態で絶縁磁性材料を圧縮成形することにより、前記導電性部材の他方の表面側に形成された磁性体部をさらに備えることを特徴とする電子部品搭載用配線基材。 - 請求項1又は2に記載の電子部品搭載用配線基材において、
前記電子部品搭載用配線基材は、絶縁性基材をさらに備え、
前記導電性部材は、前記絶縁性基材の表面に配設されていることを特徴とする電子部品搭載用配線基材。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の電子部品搭載用配線基材において、
前記導電性部材の一方の表面は、金属めっきされており、
前記改質層形成領域は、前記金属めっきを構成する金属を酸化することによって形成されたものであることを特徴とする電子部品搭載用配線基材。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の電子部品搭載用配線基材において、
前記導電性部材の一方の表面は、金属めっきされており、
前記改質層形成領域は、前記金属めっきを構成する金属を窒化することによって形成されたものであることを特徴とする電子部品搭載用配線基材。 - 請求項6又は7に記載の電子部品搭載用配線基材において、
前記金属は、ニッケルであることを特徴とする電子部品搭載用配線基材。 - 請求項1〜8のいずれかに記載の電子部品搭載用配線基材の製造方法であって、
導電性部材を備える電子部品搭載用配線基材を準備する電子部品搭載用配線基材準備工程と、
前記導電性部材の一方の面において、ランド形成予定領域を囲む領域に前記ランド形成予定領域におけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域を形成することにより、前記ランド形成予定領域に前記ランドを形成するランド形成工程とを含むことを特徴とする電子部品搭載用配線基材の製造方法。 - 請求項9に記載の電子部品搭載用配線基材の製造方法において、
前記ランド形成工程においては、レーザー光を照射することによって前記改質層形成領域を形成することを特徴とする電子部品搭載用配線基材の製造方法。 - 請求項9又は10に記載の電子部品搭載用配線基材の製造方法において、
前記電子部品搭載用配線基材準備工程においては、前記電子部品搭載用配線基材として、リードフレームからなる導電性部材を備える電子部品搭載用配線基材を準備することを特徴とする電子部品搭載用配線基材の製造方法。 - 請求項11に記載の電子部品搭載用配線基材の製造方法において、
コイルを内包した状態で絶縁磁性材料を圧縮成形することにより、前記導電性部材の他方の表面側に磁性体部を形成する磁性体部形成工程をさらに含むことを特徴とする電子部品搭載用配線基材の製造方法。 - 請求項9又は10に記載の電子部品搭載用配線基材の製造方法において、
前記電子部品搭載用配線基材準備工程においては、前記電子部品搭載用配線基材として、前記導電性部材に加えて絶縁性基材をさらに備え、前記絶縁性基材の表面に前記導電性部材が配設されている電子部品搭載用配線基材を準備することを特徴とする電子部品搭載用配線基材の製造方法。 - 請求項9〜13のいずれかに記載の電子部品搭載用配線基材の製造方法において、
前記電子部品搭載用配線基材準備工程においては、電子部品搭載用配線基材として、前記導電性部材の一方の表面が金属めっきされた電子部品搭載用配線基材を準備し、
前記ランド形成工程においては、前記金属めっきを構成する金属を酸化することによって前記改質層形成領域を形成することにより、前記ランド形成予定領域に前記ランドを形成することを特徴とする電子部品搭載用配線基材の製造方法。 - 請求項9〜13のいずれかに記載の電子部品搭載用配線基材の製造方法において、
前記電子部品搭載用配線基材準備工程においては、電子部品搭載用配線基材として、前記導電性部材の一方の表面が金属めっきされた電子部品搭載用配線基材を準備し、
前記ランド形成工程においては、前記金属めっきを構成する金属を窒化することによって前記改質層形成領域を形成することにより、前記ランド形成予定領域に前記ランドを形成することを特徴とする電子部品搭載用配線基材の製造方法。 - 請求項14又は15に記載の電子部品搭載用配線基材の製造方法において、
前記金属は、ニッケルであることを特徴とする電子部品搭載用配線基材の製造方法。 - 請求項1〜8のいずれかに記載の電子部品搭載用配線基材と、前記ランドに搭載された電子部品とを備えることを特徴とする電子回路モジュール。
- 請求項2に記載の電子部品搭載用配線基材を製造する際に用いるランド形成装置であって、
前記導電性部材の一方の面において、前記ランド形成予定領域におけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域をランド形成予定領域を囲む領域にレーザー光を照射して形成することにより、ランドを形成することを特徴とするランド形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPWO2013153673A1 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131203 |