JPWO2013153668A1 - ダイオード - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係るダイオードを示す断面図である。チップ中央に活性領域が設けられ、活性領域の外側に主に耐圧保持を目的として終端領域が設けられている。活性領域においてn−型ドリフト層1上にp型アノード層2が設けられている。終端領域においてn−型ドリフト層1上にp型拡散層3が設けられている。p型アノード層2やp型拡散層3は、所望の厚みと比抵抗を持つSi基板の表面側にアクセプタ不純物を注入することで形成される。
図14は、本発明の実施の形態2に係るダイオードを示す断面図である。p型アノード層2は、第1の領域2aと、第1の領域2aの外周に設けられ第1の領域2aよりも深く不純物濃度が高い第2の領域2bとを有する。
図18は、本発明の実施の形態3に係るダイオードを示す断面図である。終端領域においてn−型ドリフト層1及びn型バッファ層10の下にp型カソード層11が設けられ、活性領域においてn+型カソード層7が設けられている。ただし、p型カソード層11は終端領域から酸化膜4よりもチップ内側の活性領域まで延在する。p型アノード層2の外端を基点としてp型カソード層11が活性領域にはみ出した幅をW3と定義する。
図22は、本発明の実施の形態4に係るダイオードを示す断面図である。n+型カソード層7とカソード電極8の間に酸化膜15が設けられている。酸化膜15は、終端領域から酸化膜4よりもチップ内側まで延在する。この酸化膜15によりデバイス動作しない領域を設けることで、破壊耐量が向上する。
図23は、本発明の実施の形態5に係るダイオードを示す断面図である。p型アノード層2の酸化膜4で覆われた部分と酸化膜4で覆われていない部分の外周部において、キャリアのライフタイムが局所的に低下した低ライフタイム領域16を設けている。これにより、p型アノード層2端に集中するキャリアを積極的に消滅させ、キャリアの集中による電界強度の上昇を抑えることができる。この結果、アバランシェが発生し難くなり、破壊耐量が向上する。
図24は、本発明の実施の形態6に係るダイオードを示す断面図である。キャリアのライフタイムが局所的に低下した低ライフタイム領域17が活性領域の一部と終端領域に設けられている。低ライフタイム領域17は、終端領域から酸化膜4よりもチップ内側まで延在する。このように低ライフタイム領域17を終端領域に形成し、実質的に終端領域をデバイス動作させないようにすることで、耐量が向上する。
2 p型アノード層
2a 第1の領域
2b 第2の領域
3 p型拡散層
4 酸化膜(第1の絶縁膜)
5 アノード電極
7 n+型カソード層
8 カソード電極
11 p型カソード層
15 酸化膜(第2の絶縁膜)
16,17 低ライフタイム領域
Claims (8)
- n型ドリフト層と、
活性領域において前記n型ドリフト層上に設けられたp型アノード層と、
前記活性領域の外側の終端領域において前記n型ドリフト層上に設けられたp型拡散層と、
前記p型アノード層の外周部を覆う第1の絶縁膜と、
前記p型アノード層の前記第1の絶縁膜で覆われていない部分に接続されたアノード電極と、
前記n型ドリフト層の下に設けられたn型カソード層と、
前記n型カソード層に接続されたカソード電極とを備え、
前記p型アノード層の前記第1の絶縁膜で覆われた部分の面積は、前記p型アノード層の全体の面積の5〜30%であることを特徴するダイオード。 - 前記p型アノード層は、第1の領域と、前記第1の領域の外周に設けられ前記第1の領域よりも深く不純物濃度が高い第2の領域とを有し、
前記第2の領域の幅は、前記p型アノード層の前記第1の絶縁膜で覆われた部分の幅より大きいことを特徴とする請求項1に記載のダイオード。 - 前記第2の領域の不純物濃度はチップ外側に向かって薄くなることを特徴とする請求項2に記載のダイオード。
- 前記活性領域の一部と前記終端領域において前記n型ドリフト層の下に設けられたp型カソード層を更に備え、
前記p型カソード層は、前記終端領域から前記第1の絶縁膜よりもチップ内側まで延在することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のダイオード。 - 前記n型カソード層と前記カソード電極の間に設けられた第2の絶縁膜を更に備え、
前記第2の絶縁膜は、前記終端領域から前記第1の絶縁膜よりもチップ内側まで延在することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のダイオード。 - 前記p型アノード層の前記第1の絶縁膜で覆われた部分と前記第1の絶縁膜で覆われていない部分の外周部においてキャリアのライフタイムが局所的に低下していることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のダイオード。
- キャリアのライフタイムが局所的に低下した低ライフタイム領域が前記活性領域の一部と前記終端領域に設けられ、
前記低ライフタイム領域は、前記終端領域から前記第1の絶縁膜よりもチップ内側まで延在することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のダイオード。 - 前記p型アノード層の不純物濃度は所定の深さにピークを持つことを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載のダイオード。
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WO2016102549A1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-06-30 | Abb Technology Ag | Reverse-conducting semiconductor device |
US10510904B2 (en) * | 2015-02-09 | 2019-12-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device with backside N-type layer at active region/termination region boundary and extending into action region |
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JP6637012B2 (ja) * | 2016-11-10 | 2020-01-29 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2019054170A (ja) | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP6615291B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2019-12-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP6618591B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2019-12-11 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP6615292B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2019-12-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP7150539B2 (ja) * | 2018-09-15 | 2022-10-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232597A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-05 | Hitachi Ltd | ダイオード及び電力変換装置 |
JP2008263217A (ja) * | 2008-06-05 | 2008-10-30 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009038213A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2009283781A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2010098189A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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---|---|---|---|---|
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JP4653273B2 (ja) | 1999-11-05 | 2011-03-16 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置、および、その製造方法 |
JP2001168351A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP4782923B2 (ja) | 2000-12-28 | 2011-09-28 | 日本インター株式会社 | 半導体装置 |
JP4010848B2 (ja) * | 2002-04-02 | 2007-11-21 | 日本インター株式会社 | 半導体装置 |
US7955943B2 (en) * | 2005-01-25 | 2011-06-07 | Semiconductor Components Industries, Llc | High voltage sensor device and method therefor |
US8648419B2 (en) * | 2010-01-20 | 2014-02-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | ESD protection device and method |
JP5515922B2 (ja) | 2010-03-24 | 2014-06-11 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5925991B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2016-05-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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JP2009038213A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2009283781A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2008263217A (ja) * | 2008-06-05 | 2008-10-30 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010098189A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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