JPWO2013081095A1 - 基板処理装置、及び、搬送装置 - Google Patents

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Abstract

銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数のガラス基板を収納する処理室と、処理室を構成するように形成される反応管と、処理室内に搬入自在に構成され、複数のガラス基板を互いの主面が所定の間隔を保ってそれぞれ対向するよう配列させると共に、配列させた複数のガラス基板のうち両端のガラス基板の外側の主面をそれぞれ覆う一対の側壁が設けられるカセットと、処理室内にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、処理室内の雰囲気を排気する排気管と、反応管を囲うように設けられた加熱部と、複数のガラス基板の各主面において、複数のガラス基板の短辺方向に処理室内の雰囲気を強制対流させるファンと、を具備する。

Description

本発明は、基板処理装置、及び、搬送装置に係り、特に、セレン化物系ＣＩＳ太陽電池の光吸収層を形成するための基板処理装置、及び、搬送装置に関する。
セレン化物系ＣＩＳ太陽電池は、ガラス基板、金属裏面電極層、ＣＩＳ系光吸収層、高抵抗バッファ層、窓層が順に積層される構造を有する。ここでＣＩＳ系光吸収層は、銅（Ｃｕ）／ガリウム（Ｇａ）、Ｃｕ／インジウム（Ｉｎ）、若しくは、Ｃｕ−Ｇａ／Ｉｎのいずれか一つの積層構造をセレン化することにより形成される。このように、セレン化物系ＣＩＳ太陽電池は、シリコン（Ｓｉ）を用いずに形成できるため、基板を薄くできると共に製造コストを下げることができるという特徴を有する。また、ＣＩＳ系光吸収層は、Ｓｉと比較して吸収係数が大きく、効率がよいという特徴を有する。
ここで、セレン化を行う装置の一例として、特許文献１がある。特許文献１に記載されるセレン化装置は、ホルダーにより複数の平板状の対象物を一定の間隔を設けて、円筒状の石英チャンバーの長軸方向に平行にかつその板面を垂直に配置し、セレン源を導入することにより、複数の対象物のセレン化を同時に行っている。また、ファンを円筒状の石英チャンバーの軸方向の端部に取り付けることにより、石英チャンバー内のセレン化源を強制的に対流させ、ガラス基板上の温度分布の均一化を行うことが記載されている。
特開２００６−１８６１１４号公報
特許文献１に記載されるようにファンを円筒状の石英チャンバーの軸方向の端部に配置した場合、石英チャンバー内の雰囲気の対流は、石英チャンバー内を横方向、即ち、ガラス基板の長辺方向に流れることになる。ここで、ＣＩＳ系太陽電池の製造コストを下げるためガラス基板を大型化すると、ガラス基板の長辺も長くなる。従って、昇降温時のガラス基板の面内の温度の均一性を保つためには、対流するガスの流速を大きくするか、若しくは、昇降温の速度を緩やかにする必要がある。前者の場合、ファンの能力を高くする必要があるが、ファンの能力にも限界があり、実現が困難になってしまう可能性がある。更には、複数のガラス基板間の狭い空間を速い速度のガスが流れると、ガラス基板を引きつけようとする力が大きくなり、ガラス基板が揺らぐ可能性がある。その結果、ガラス基板とホルダーとが擦れて、パーティクルの発生等の問題を引き起こすことになる。一方、昇降温の速度を小さくすると、処理時間が長くなるため、スループットが低下し、製造コストが増加する。従って、ガラス基板の大型化が困難である。
また、特許文献１に示すように、石英チャンバー内に複数のガラス基板を配列させ、ファンによって発生させた雰囲気の対流をガラス基板の各主面にそれぞれ流すようにした場合、対流の流量等の諸条件が、ガラス基板間で不均一になってしまうことがある。例えば、両端のガラス基板と石英チャンバーとの間の空間が、内側のガラス基板間の空間よりも広く構成されている場合、両端のガラス基板周辺のコンダクタンスが相対的に大きくなってしまう。そして、ファンによって発生させた対流が、内側のガラス基板間の空間に流れずに、両端のガラス基板の外側の空間へと逃げてしまう。このように、ガラス基板間での対流の条件が異なると、ガラス基板間の温度均一性の低下を引き起こしてしまう。また、少なくとも一部のガラス基板では、基板面内の温度均一性が低下してしまうことになる。例えば、両端のガラス基板の面内温度均一性が保たれるようにファンの能力を調節すると、他のガラス基板では対流の流量が不足等して、基板面内の温度均一性が悪化してしまうこととなる。
また、特許文献１に示す装置では、ガラス基板が大型化すると重量も重くなり、複数のガラス基板を石英チャンバー内に搬入することが難しくなる。
本発明は、上述の課題に鑑み、ガラス基板を大型化した場合であっても、複数のガラス基板を同時に処理する際の基板間の温度均一性、及び、基板面内の温度均一性を向上させ、また、基板処理のコストを低減させることが可能な基板処理装置、及び、搬送装置を提供することを目的とする。
本発明の好ましい一態様によれば、
銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数のガラス基板を収納する処理室と、
前記処理室を構成するように形成される反応管と、
前記処理室内に搬入自在に構成され、前記複数のガラス基板を互いの主面が所定の間隔を保ってそれぞれ対向するよう配列させると共に、配列させた前記複数のガラス基板のうち両端のガラス基板の外側の主面をそれぞれ覆う一対の側壁が設けられるカセットと、
前記処理室内にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気管と、
前記反応管を囲うように設けられた加熱部と、
前記複数のガラス基板の各主面において、前記複数のガラス基板の短辺方向に前記処理室内の雰囲気を強制対流させるファンと、を具備する基板処理装置が提供される。
本発明の好ましい他の態様によれば、
複数のガラス基板を保持するカセットを処理室内に搬送する搬送装置であって、
前記カセットを支持する支持部と、
前記支持部に固定される車輪部と、
前記支持部及び前記車輪部を一体的に動作させるアームと、を具備する搬送装置が提供される。
本発明によれば、ガラス基板が大型化した場合であっても、複数のガラス基板を同時に処理する際のガラス基板間の温度均一性、及び、基板面内の温度均一性を向上させることが可能となる。また、基板処理のコストを低減させることが可能となる。
本発明の第１の実施形態に係る処理炉の側面断面図である。 図１の紙面左方向から見た処理炉の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るカセットの斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係るコーティング膜を説明する図である。 本発明の第１の実施形態に係るカセットを搬送する際の状態を説明する図である。 本発明の第１の実施形態に係る搬送装置を説明する図である。 本発明の第１の実施形態に係る効果を説明するシミュレーションの結果を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る効果を説明する他のシミュレーションのモデルの構成を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る効果を説明する他のシミュレーションの結果を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る効果を説明する他のシミュレーションの結果を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る処理炉の側面断面図である。
＜第１の実施形態＞
以下、図面を参照しつつ本発明の第１の実施形態を説明する。図１は、本実施形態に係るセレン化処理を行う基板処理装置に組み込まれる処理炉１０の側面断面図を示している。また、図２は、図１の紙面左側から見た処理炉１０の断面図を示している。
処理炉１０は、ステンレス等の金属材料で形成される炉体としての反応管１００を有する。ステンレス等の金属材料を用いることで、石英製とするよりも加工が容易となり、反応管１００を大型化しやすくなる。反応管１００は、中空の円筒形状をしており、その一端が閉塞し、他端が開口する構造を有する。反応管１００の中空部分により、処理室３０が形成される。反応管１００の開口側には、反応管１００と同心円上に、その両端が開口した円筒形状のマニホールド１２０が設けられる。反応管１００とマニホールド１２０との間には、シール部材としてのＯリング（図示せず）が設けられている。
マニホールド１２０の反応管１００が設けられない開口部には、可動性のシールキャップ１１０が設けられる。シールキャップ１１０は、ステンレス等の金属材料で形成され、マニホールド１２０の開口部に、その一部が挿入される凸型形状をしている。可動性のシールキャップ１１０とマニホールド１２０との間には、シール部材としてのＯリング（図示せず）が設けられ、処理を行う際には、シールキャップ１１０が反応管１００の開口側を気密に閉塞する。
反応管１００の内部には、後述するカセット４１０を載置するインナーウォール４００が設けられる。インナーウォール４００は、図２に示されるように、その一端が反応管１００の内周面に固定されると共に、反応管１００の中心部にカセット４１０を設置台４２０を介して載置させるように構成される。インナーウォール４００は、カセット４１０を挟むように設けられた一対の部材が、その両端で繋がるように構成されることで、強度が高められている。
カセット４１０は、図１〜図３に示されるように、複数枚のガラス基板２０を保持する複数本の保持部材４１１と、ガラス基板２０群の四方を覆うように設けられる４枚の側壁４３ａ，４３ｂ（一対の側壁４１３ａ及び一対の側壁４１３ｂ）と、一対の側壁４１３ａの外側面にそれぞれ設けられる一対のつば部４１２と、を備えている。このように、４枚の側壁４３ａ，４３ｂがガラス基板２０群の四方を覆うように設けられることで、カセット４１０は、少なくとも上下方向が開放され、上下方向にガスの流通が可能な直方体として形成されている。
保持部材４１１は、それぞれ棒状に構成されており、複数（例えば３０〜４０枚）のガラス基板２０を下方から支持するように、カセット４１０の下部に梯子状に複数設けられている。保持部材４１１は、複数のガラス基板２０を、それぞれの短辺が鉛直方向を向き、それぞれの長辺が水平方向を向き、それぞれが立設された状態で並んで配列させるように構成されている。なお、複数のガラス基板２０は、互いの主面が所定の間隔を保って対向するように、すなわち、互いの主面が非接触な状態で平行に対向するようにそれぞれ保持される。これにより、ガラス基板２０間の空間には、少なくとも短辺方向（上下方向）に雰囲気の流通が可能なように構成されている。なお、ガラス基板２０の表面には、例えば銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、及び、ガリウム（Ｇａ）を含有する積層膜が予め形成されている。
カセット４１０の長手方向側壁を形成する一対の側壁４１３ａは、ガラス基板２０と同等以上の大きさを有する長方形状の平板としてそれぞれ構成されており、短辺が鉛直方向を向き、長辺が水平方向を向き、互いの主面が対向するように設けられている。一対の側壁４１３ａは、保持部材４１１により保持される複数のガラス基板２０のうち、両端（最も外側）のガラス基板２０の外側の主面をそれぞれ覆うように設けられている。また、カセット４１０の前後端部を形成する一対の側壁４１３ｂは、ガラス基板２０群の短辺（前後端部）を覆う平板として構成されており、側壁４１３ａと同様に、互いの主面が対向するように設けられている。
なお、両端のガラス基板２０の外側の主面と、一対の側壁４１３ａの内側面との間の距離は、複数のガラス基板２０の主面間の距離とそれぞれ等しくなるよう構成されている。すなわち、両端のガラス基板２０周辺のコンダクタンス（両端のガラス基板２０と側壁４１３ａとの間の空間のコンダクタンス）は、それよりも内側のガラス基板２０周辺のコンダクタンス（内側のガラス基板２０間の空間のコンダクタンス）と同等になるよう構成されている。これにより、ガラス基板２０の周囲に逃げるガスの流れを抑制することができ、各ガラス基板２０の主面に対して均一かつ効率的にガスを供給することが可能となる。
一対のつば部４１２は、それぞれ短冊状に構成されており、直方体として形成されたカセット４１０の側部から外側に突出するように、一対の側壁４１３ａの外側面にそれぞれ水平姿勢で設けられている。後述するが、つば部４１２は、カセット４１０を処理室３０内外に搬入出する際に用いられる。なお、インナーウォール４００は、つば部４１２を格納できるように中央部が凸状に形成されている。
また、反応管１００を囲うように、一端が閉塞し、他端が開口する中空の円筒形状をした炉体加熱部２００が設けられる。また、シールキャップ１１０の反応管１００と反対側の側面には、キャップ加熱部２１０が設けられる。この炉体加熱部２００とキャップ加熱部２１０とにより処理室３０内が加熱される。なお、炉体加熱部２００は、図示しない固定部材により反応管１００に固定され、キャップ加熱部２１０は、図示しない固定部材によりシールキャップ１１０に固定される。また、シールキャップ１１０やマニホールド１２０には、耐熱性の低いＯリングを保護する図示しない水冷部等の冷却手段が設けられる。
マニホールド１２０には、セレン元素含有ガス（セレン化源）としての例えば水素化セレン（以下、「Ｈ２Ｓｅ」）を供給するガス供給管３００が設けられる。ガス供給管３００から供給されたＨ２Ｓｅは、ガス供給管３００からマニホールド１２０とシールキャップ１１０との間の間隙を介して処理室３０内へ供給される。また、マニホールド１２０のガス供給管３００と異なる位置には、排気管３１０が設けられる。処理室３０内の雰囲気は、マニホールド１２０とシールキャップ１１０との間の間隙を介して排気管３１０より排気される。なお、上述の冷却手段により冷却される箇所は、１５０℃以下まで冷却すると、その部分に未反応のセレンが凝縮してしまうため、例えば１５０℃から１７０℃程度に温度制御すると良い。
反応管１００は、ステンレス等の金属材料で形成されている。ステンレス等の金属材料は、石英と比較して加工が容易である。そのため、ＣＩＳ系太陽電池のセレン化処理を行う基板処理装置に用いられるような大型の反応管１００を容易に製造することが可能となる。反応管１００を大型化することで、反応管１００内に収納できるガラス基板２０の数を増やすことができ、ＣＩＳ系太陽電池の製造コストを下げることができる。
処理炉１０の上部側には、ガラス基板２０の長辺方向に沿って、例えば多翼式ファン（シロッコファン）として構成された複数の電動ファン５００が設けられる。複数の電動ファン５００の夫々は、回転することにより処理室３０内の対流を形成する羽部５１０と、円筒状の反応管１００の側壁、及び、炉体加熱部２００の側壁を貫通するように設けられた回転軸部５２０と、炉体加熱部２００の外部に設けられ、回転軸部５２０を回転させる動力部５３０と、を有する。更に、回転軸部５２０と反応管１００及び炉体加熱部２００との間には、保護部材５４０が設けられている。保護部材５４０と回転軸部５２０との間の狭い間隙に窒素パージを行うことにより、回転軸部５２０から動力部５３０側に反応ガスが漏洩するのを極力抑えるようにしている。
複数の電動ファン５００により、処理室３０内には、複数のガラス基板２０の夫々の短辺方向に向かうガスの流れが形成される。複数のガラス基板２０の夫々に対し、強制対流を流すことで、ガラス基板２０の面内温度均一性を向上させることが可能となる。なお、電動ファン５００により形成される強制対流は、図１，２の矢印で示すように、ガラス基板２０間を下から上へと流れる。このとき、ガラス基板２０間のコンダクタンスは小さいため、電動ファン５００の吸気側では圧力が小さくなり、排気側では圧力が大きくなり易い。これに対し本実施形態では、電動ファン５００として、雰囲気を送り出す力の強い多翼式ファン（シロッコファン）を採用しているため、吸気側と排気側との間に大きな圧力差が生じたとしても、上述の強制対流を安定して形成することが可能となる。
ここで、上述したように、本実施形態では、保持部材４１１により保持される複数のガラス基板２０のうち、両端（最も外側）のガラス基板２０の外側の主面をそれぞれ覆うように、一対の側壁４１３ａを設けている。これにより、複数のガラス基板２０の夫々に対し、強制対流を均一に流すことが可能となる。また、ガラス基板２０群の短辺（前後端部）を覆うように、一対の側壁４１３ｂを設けている。これにより、周辺に逃げるガスを抑制することができ、効率よく加熱することが可能となる。
仮に、一対の側壁４１３ａを設けないこととすると、両端のガラス基板２０とインナーウォール４００との間の空間は、それよりも内側のガラス基板２０間の空間よりも広くなってしまう。すなわち、一対の側壁４１３ａを設けないこととすると、両端のガラス基板２０周辺のコンダクタンスが、それよりも内側のガラス基板２０周辺のコンダクタンスに比べて、相対的に大きくなってしまう。その結果、両端のガラス基板２０と、それよりも内側のガラス基板２０とで加熱効率が変化してしまい、均一な加熱が困難となる。言い換えれば、一対の側壁４１３ａを設けることにより、両端のガラス基板２０周辺と、それよりも内側のガラス基板２０間とのガスのコンダクタンスをあわせることができるため、複数のガラス基板２０間の均一な加熱が可能となる。
また、本実施形態では、一対の側壁４１３ｂを設けている。その結果、電動ファン５００によって発生させた強制対流が、内側のガラス基板２０間の空間に制限されるため、より効率的にガラス基板を加熱することが可能となる。
ガラス基板２０間での対流の条件が上述のように異なると、ガラス基板２０間の温度均一性が低下してしまう。例えば、外側のガラス基板２０の温度が、内側のガラス基板２０の温度よりも低くなってしまう。また、少なくとも一部のガラス基板２０では、基板面内の温度均一性が低下してしまうことになる。例えば、両端のガラス基板２０の面内温度均一性が保たれるように電動ファン５００の能力を調節すると、他のガラス基板２０では強制対流の流量が不足して、基板面内の温度均一性が悪化してしまうこととなる。これに対し、本実施形態では、両端のガラス基板２０の主面を覆うような一対の側壁４１３ａを有することで上述の課題を解決している。
また、ガラス基板２０群の短辺（前後端部）の周辺に強制対流が逃げてしまうと、周辺に流れた分ガラス中央の流速が低下し、中央での昇温が遅くなり、短辺近辺の温度が中央領域の温度よりも高くなってしまい易くなる。これに対し、本実施形態では、複数のガラス基板２０の短辺（前後端部）を覆うように側壁４１３ｂを設けることで、上述の課題を解決可能である。
そして、本実施形態のように複数のガラス基板２０の四方を覆うように側壁４１３ａ、４１３ｂの両方を設けることにより、更に、複数のガラス基板２０を同時に処理する際のガラス基板２０間の温度均一性、及び、ガラス基板２０面内の温度均一性をそれぞれ向上させることが可能となる。
特に、本実施形態では、両端のガラス基板２０の外側の主面と、一対の側壁４１３ａの内側面との間の距離を、複数のガラス基板２０の主面間の距離とそれぞれ等しくなるようにしている。これにより、ガラス基板２０周辺のコンダクタンスと、内側のガラス基板２０周辺のコンダクタンスとを揃えることが可能となり、複数のガラス基板２０の夫々に対し、強制対流をより均一に流すことが可能となる。そして、ガラス基板２０間の温度均一性、及び、ガラス基板２０面内の温度均一性をさらに向上させることが可能となる。
なお、本実施形態では、カセット４１０に、ガラス基板２０の周囲に逃げるガスの流れを抑制するために一対の側壁４１３ａと一対の側壁４１３ｂを設けているがこれに限らない。例えば、一対の側壁４１３ａと一対の側壁４１３ｂをカセット４１０に設けるのではなく、反応管１００に設けてもよい。但し、一対の側壁４１３ａは、両端のガラス基板２０の外側の主面と、一対の側壁４１３ａの内側面との間の距離が複数のガラス基板２０の主面間の距離とそれぞれ等しくなるよう構成することが望ましいため、カセット４１０に設けるほうが望ましい。一方、一対の側壁４１３ｂの図１の紙面左側の側壁は、カセット４１０が図１の紙面左右方向に移動することを考えると、反応管１００に設けておき、カセット４１０を押し当てることにより代替することが可能となる。また、一対の側壁４１３ｂの図１の紙面右側の側壁についても、シールキャップ１１０等に設けておき、シールキャップ１１０が反応管１００を閉塞する際にカセット４１０に押し当てることにより代替することが可能である。
また、本実施形態では、電動ファン５００を動作させ、強制対流を、ガラス基板２０の長辺方向ではなく、短辺方向に向かうようにする。これにより、ガラス基板２０の面内の温度を均一化するために必要なガスの流速を下げることができる。
図７は、電動ファンの位置以外は、同じ構造をした処理炉において、５℃／分の速度で昇温した場合のガラス基板間の流速を変化させ、ガラス基板の面内の温度差を約３０℃に抑えるために必要な流速をシュミレーションした結果である。（ａ）は、電動ファンを処理炉の側面に配置し、ガラス基板の表面のガスの流れをガラス基板の長辺方向とした場合の結果であり、ガラス基板の面内の温度差を約３０℃に抑えるために必要なガスの流速は１０ｍ／秒であった。（ｂ）は、本実施形態のように電動ファンを処理炉の上面に配置し、ガラス基板の表面のガスの流れをガラス基板の短辺方向にした場合の結果であり、ガラス基板の面内の温度差を約３０℃に抑えるために必要なガスの流速は２ｍ／秒であった。なお、（ａ）及び（ｂ）の左側は、加熱２０分後（４００Ｋ＝１２３℃）の状態を示し、右側は、加熱６０分後（６００Ｋ＝３２３℃）の状態を示している。図７の結果からもわかるように、本実施形態のようにガスの流れをガラス基板の短辺方向とすることにより、ガスの流速を抑えることが可能となり、ガラス基板を大型化することが可能となる。
図２に示されるように、ガラス基板２０の表面を通過したガスは、反応管１００の内壁に沿って下部に戻る。従って、処理室３０内の雰囲気は循環するようになっている。また、インナーウォール４００を電動ファン５００の側部を挟むように構成することで、電動ファン５００により強制対流されるガス流をガラス基板２０に向かうようすることができる。更には、ガラス基板２０の長辺方向に複数の電動ファン５００を設けたことにより、長辺方向のガスの均一性を向上させることができる。
処理炉１０は、ガラス基板２０のガスの上流側に、インナーウォール４００に固定された複数の開口部４３１を有する板状部材の第１整流板４３０を有している。この第１整流板４３０の開口部４３１の開口率を調整し、ガスのコンダクタンスを調整することにより、更に均一に複数のガラス基板２０の表面にガスを流すことができる。特に、本実施形態では、電動ファン５００を長辺方向に複数並べる構成をしているため、電動ファン５００の直下の空間と、電動ファン５００の間の空間とでは、ガスの流れが異なってしまう可能性もある。この場合、電動ファン５００の直下の空間と、電動ファン５００の間の空間とで第１整流板４３０の開口率を異ならせ、ガスのコンダクタンスを調整することにより、均一にガスを流すことが可能となる。なお、図２において、開口部４３１は、複数のガラス基板２０に対して一つの開口部４３１を持つように記載してあるが、これに限らず、ガラス基板２０の間の一つの空間に対応して一つの開口部４３１を設けても良い。
図８は、開口率の異なる領域を有する第１整流板４３０の効果をシミュレーションした際の構成図を示している。今回のシミュレーションでは、４０枚のガラス基板を対称面で４分割した２０枚分の半分の長さのモデル（１／４対称モデル）を用いている。また、電動ファン５００に対応して第１流入口ＩＮ１及び第２流入口ＩＮ２があり、第１流入口ＩＮ１からは１２ｍ３／分の、第２流入口ＩＮ２からは６ｍ３／分の流量でガスが供給され、流出口ＯＵＴから流出するようにしている。また、第１整流板４３０に対応して、ガス流の抵抗体を領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に設けている。具体的には、開口率の異なる領域を有する第１整流板４３０に対応させるため、電動ファンの直下に該当する領域Ｒ１の開口率は４０％に、電動ファンの間に該当する領域Ｒ２の開口率は３０％に設定してある。また、複数のガラス基板が並ぶ方向の端の領域Ｒ３は、図示されていないが、ガスが外側に流出しないように設定してある。
このように複数のガラス基板が並ぶ方向の端に流れるガスの流量を絞り、また、電動ファン直下のガス流速を抑え、複数の電動ファンの合流による流速低下を抑えることにより、総循環ガス流量を７２ｍ３／分とした際のガラス基板間の平均ガス流速が２ｍ／秒以上、ガラス基板間の最低ガス流速が１．２ｍ／秒以上となる結果を得ることができた。
図９は、図８と同様の構成において、同様のガス流速条件下でガラス基板を加熱した場合に発生するガラス基板面内の温度偏差（ΔＴ）についてシミュレーションした結果である。なお、本シミュレーションでは、図８の１／４対称モデルではなく、ガラス基板の長辺方向に電動ファンが２つ分並んだ長さでシミュレーションを行っている。図９（ａ）は、５℃／分で昇温し、室温（２５℃）から加熱を開始して、温度偏差（ΔＴ）が最大となる１時間４５分後の５５０℃（８２３Ｋ）での温度分布を示している。また、（ａ−１）は、端から１枚目付近、（ａ−２）は、端から１１枚目付近、（ａ−３）は、端から２０枚目付近（中央部）を示しており、その上部に記載されている数字は、その面内の最大温度と最小温度である。４０枚のガラス基板のうち両端と中央との間にある、端から１１枚目付近の２つの電動ファンの間の下流部分で、最も温度低下していることが分かったが、ガラス基板全体が約５５０℃に加熱された状態で、２８℃の偏差（ΔＴ）となっており、十分許容できる範囲に収まっていることが分かる。また、図９（ｂ）は、図９（ａ）から炉体温度を５５２℃（８２５Ｋ）に固定し、約１０分経過した後の温度偏差（ΔＴ）を示している。（ａ）と同様に、（ｂ−１）は端から１枚目付近、（ｂ−２）は端から１１枚目付近、（ｂ−３）は端から２０枚目付近（中央部）を示しており、その上部に面内の最大温度と最小温度が示されている。（ｂ）からも、プロセス時（温度が安定した時）は、十分な温度均一性が保てていることが分かる。
図９は、端から１枚目付近、１１枚目付近、中央部付近にあるガラス基板の面内温度分布を示したが、図１０は、炉体において加熱中に発生するガラス基板面内の最大温度差を、４０枚全てについてプロットしたものである。Ａは、５５０℃に加熱時の温度偏差（図９（ａ）に対応）、Ｂは、５５２℃に到達した後、ガスの温度を５５２℃に保持したままガス循環させ、１０分経過した後の温度偏差（図９（ｂ）に対応）を示している。２つの電動ファンの影響により、端から６〜８枚目の間で比較的大きな温度偏差が発生するものの、整流板などによるコンダクタンス調整を行うことにより、加熱時に３０℃以内、プロセス時に１０℃以内という極めて良好な均一性が実現できていることが分かる。
なお、本シミュレーションは、電動ファンの直下の領域の開口率を電動ファンの間の領域の開口率より高くした場合について行ったが、これに限らず、反応炉の構成により反対の関係にしたほうが望ましい場合もある。但し、電動ファンの直下の領域と電動ファンの間の領域とでは、ガス流の条件が異なるため、本実施形態のように、電動ファンの直下の領域と電動ファンの間の領域とで開口率を異ならせることで、ガス流のコンダクタンスを調整でき、均一性を向上させることができる。
更に、処理炉１０は、ガラス基板２０の下部側に、インナーウォール４００に固定された複数の開口部４４１を有する板状部材の第２整流板４４０を有する。上部側の第１整流板４３０に加えて、下部側にも第２整流板４４０を有することにより、ガスの均一化の調整できる要因を増やすことができ、ガスの流れをより均一化しやすくなる。なお、図２において、開口部４４１は、複数のガラス基板２０に対して一つの開口部４４１を持つように記載してあるが、これに限らず、ガラス基板２０の間の一つの空間に対応して一つの開口部４４１を設けても良い。
更に、本実施形態では、反応管１００の少なくとも処理室３０内の雰囲気に曝される表面、及び、電動ファン５００の少なくとも羽部５１０および回転軸部５２０の表面は、図４で示されるように、基材１０１となるステンレス等の金属材料の上に、ステンレス等の金属材料と比較してセレン化耐性の高いコーティング膜１０２が形成されて構成されている。広く用いられるステンレス等の金属材料は、Ｈ２Ｓｅ等のガスが２００℃以上に加熱されて供給されると、非常に高い反応性により腐食してしまうが、本実施形態のようにセレン化耐性の高いコーティング膜１０２を表面に形成することにより、Ｈ２Ｓｅ等のガスによる腐食を抑制できるようになる。そのため、ステンレス等の金属材料を用いることができ、基板処理装置の製造コストを下げることが可能となる。なお、このセレン化耐性の高いコーティング膜としては、セラミックを主成分とするコーティング膜がよく、例えば、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ：ｘ，ｙは１以上の任意数）、アルミナ（ＡｌｘＯｙ：ｘ，ｙは１以上の任意数）、シリカ（ＳｉｘＯｙ：ｘ，ｙは１以上の任意数）の夫々単独あるいは混合物が挙げられる。
また、本実施形態のコーティング膜１０２は、ポーラス状の膜で形成している。これにより、ステンレス等の金属材料で形成される基材１０１とコーティング膜１０２との線膨張係数の違いによる熱膨張・収縮に、柔軟に追従することが可能となる。その結果、熱処理を繰り返し行ったとしても、コーティング膜１０２への亀裂の発生を最小限に抑えることができる。なお、コーティング膜１０２は、２〜２００μｍ、望ましくは５０〜１２０μｍの厚さで形成するのが望ましい。また、基材１０１とコーティング膜１０２との線膨張係数の偏差が２０％以下、望ましくは、５％以下とするのが望ましい。
また、シールキャップ１１０、マニホールド１２０、ガス供給管３００、及び、排気管３１０も同様に、セレン化源に曝される部分に上述のコーティング膜１０２を形成しても良い。但し、Ｏリング等を保護するために冷却手段により２００℃以下に冷却されている部分は、ステンレス等の金属材料がセレン化源と接触しても反応しないため、コーティング膜１０２を形成しなくとも良い。
次に、カセット４１０の処理室３０内外への搬入出について説明する。図５は、カセット４１０の搬入時、又は、搬出時の状態を示しており、（ａ）は、図２に対応する断面図、（ｂ）は、処理炉１０を側面から見た場合の図で、説明に必要な部分のみを記載している。また、図６は、本実施形態の搬送装置６００を抜き出した図であり、（ａ）が側面図、（ｂ）が上面図、（ｃ）が搬送装置６００の後方から見た図を示している。
ガラス基板２０を大型化するとカセット４１０が重くなる。そのため、カセット４１０の下部に板状部材を挿入して持ち上げることが困難になる。そこで、本実施形態では、カセット４１０につば部４１２を設け、つば部４１２を持ち上げることが可能な車輪付きの搬送装置６００により、カセット４１０を持ち上げて搬送する。搬送装置６００は、つば部４１２を支持する支持部６０１と、支持部６０１を昇降させる複数の昇降部６０２と、昇降部の下部に設けられた複数の車輪部６０３と、複数の昇降部６０２及び複数の車輪部６０３を一体的に動作可能とする固定部材６０４と、固定部に設けられたアーム６０５と、を有する。搬送装置６００全体は、図６に示すように、支持部６０１及び固定部材６０４で左右の昇降部６０２及び車輪部６０３が一体的に動作するように構成され、アーム６０５を前後に動かすことにより、搬送装置６００全体が一体的に動作可能になっている。
カセット４１０を搬送する際には、昇降部６０２が支持部６０１を上昇させ、カセット４１０のつば部４１２を持ち上げることにより、カセット４１０全体を持ち上げる。その結果、カセット４１０は、設置台４２０と接触することなく移動可能となる。また、カセット４１０は、複数の車輪部６０３により支持されているため、カセット４１０が重くなったとしても荷重を分散することができ、より重いカセット４１０を搬送することが可能となる。また、インナーウォール４００には、複数の車輪部６０３が移動可能なように外側に突出した凸部（搬送路）が設けられている。従って、アーム６０５を前後させることにより、車輪部６０３がインナーウォール４００の搬送路を移動し、スムーズにカセット４１０を搬送させることが可能となる。
また、カセット４１０を所定位置まで搬入した後、昇降部６０２により支持部６０１を下降させる。カセット４１０は、支持部６０１の下降に従って下降するが、カセット４１０の下面が設置台４２０と接触すると、それ以上は下降しない。ここで、更に昇降部６０２により支持部６０１を下降させると、カセット４１０はこれ以上は下降しないため、支持部６０１とつば部４１２とが離れる。その結果、アーム６０５を後退させることにより、カセット４１０を処理室３０内に載置した状態で、搬送装置６００を処理室３０内から取り出すことができる。カセット４１０を搬出したい場合は、この逆の手順を踏めばよい。
このように、支持部６０１と複数の車輪部６０３とを有する搬送装置６００により、カセット４１０を持ち上げて移動させることにより、ガラス基板２０の大型化に対応することができる。また、支持部６０１を昇降可能な昇降部６０２を設けることで、カセット４１０と搬送装置６００とを分離することが可能となり、搬送装置６００のみを処理室３０内外に搬入出することが可能となる。
次に、本実施形態の処理炉を用いて行う、ＣＩＳ系太陽電池の製造方法の一部である基板の製造方法について説明する。
まず、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、及び、ガリウム（Ｇａ）を含有する積層膜が形成された３０枚から４０枚のガラス基板２０をカセット４１０内に準備する。次に、カセット４１０のつば部４１２を、搬送装置６００の支持部６０１により持ち上げる。これにより、カセット４１０の移動が可能となる。その後、搬送装置６００の車輪部６０３をインナーウォール４００の搬送路に乗せ、アーム６０５を前進させることにより、カセット４１０及び搬送装置６００を処理室３０内の所定の位置まで移動する。次に、搬送装置６００の昇降部６０２により支持部６０１及びカセット４１０を下降させる。カセット４１０が設置台４２０に載置された後、昇降部６０２により支持部６０１を更に下降させ、搬送装置６００とカセット４１０とを分離させる。その後、アーム６０５を後退させることにより、搬送装置６００を処理室３０の外に搬出する。次に、可動性のシールキャップ１１０により、処理室３０を密閉する（搬入工程）。
その後、処理室３０内の雰囲気を窒素ガス等の不活性ガスで置換する（置換工程）。ここで、真空ポンプで処理室３０内の雰囲気を一旦排気することで、より速く置換することが可能となる。不活性ガスで処理室３０内の雰囲気を置換した後、常温の状態で、不活性ガスにて例えば１〜２０％（望ましくは、２〜１０％）に希釈したＨ２Ｓｅガス等のセレン化源をガス供給管３００から導入する。次に、上記セレン化源を封じ込めた状態、若しくは、排気管３１０から一定量排気することにより上記セレン化源が一定量フローした状態で、例えば４００〜５５０℃、望ましくは４５０℃〜５５０℃まで、毎分３〜５０℃の昇温速度で昇温する。この際に、電動ファン５００を動作させ、処理室３０内の雰囲気をガラス基板２０の短辺方向にガス流が向くように強制対流させる。所定温度まで昇温した後、例えば１０〜１８０分間、望ましくは、２０〜１２０分間保持することにより、ガラス基板２０に形成された積層膜にセレン化処理が行われ、ＣＩＳ系太陽電池の光吸収層が形成される（形成工程）。
その後、ガス供給管３００から不活性ガスを導入し、処理室３０内の雰囲気を置換し、また、所定温度まで降温させる（降温工程）。ここで、真空ポンプで処理室３０内の雰囲気を一旦排気することで、より速く置換することが可能となる。所定温度まで降温させた後、シールキャップ１１０を移動させることにより、処理室３０を開口する。処理室３０が開口したら、搬送装置６００の昇降部６０２により支持部６０１を下降させた状態で、車輪部６０３をインナーウォール４００の搬送路に乗せる。次に、アーム６０５を前進させ、搬送装置６００を所定位置まで移動させた後、昇降部６０２により支持部６０１を上昇させ、カセット４１０を持ち上げる。そして、アーム６０５を後退させることにより、カセット４１０を搬出する（搬出工程）ことにより一連の処理が終了する。
以上の本発明の第１の実施形態によれば、以下に記載する効果の少なくとも一つを奏する。
（１）両端（最も外側）のガラス基板の外側の主面をそれぞれ覆うように一対の側壁を設けることにより、複数のガラス基板の夫々に対し、強制対流を均一かつ効率的に流すことが可能となる。その結果、複数のガラス基板を同時に処理する際の基板間の温度均一性、及び、基板面内の温度均一性を向上させることが可能となる。また、ガラス基板群の短辺（前後端部）をそれぞれ覆うように一対の側壁を更に設けることにより、複数のガラス基板の夫々に対し、強制対流を均一かつ効率的に流すことが可能となる。また、処理室内のガスの流れをガラス基板の短辺方向にすることにより、ガスの流れをガラス基板の長辺方向とした場合と比較して、対流させるガスの流速を高くしなくてもガラス基板の温度均一性を保つことが可能となり、ガラス基板を大型化することができる。
（２）上記（１）において、両端のガラス基板の外側の主面と、一対の側壁の内側面と、の間の距離を、複数のガラス基板の主面間の距離とそれぞれ等しくなるようにしたことで、複数のガラス基板の夫々に対し、強制対流をより均一かつ効率的に流すことが可能となる。その結果、複数のガラス基板を同時に処理する際の基板間の温度均一性、及び、基板面内の温度均一性を向上させることが可能となる。
（３）上記（１）又は（２）において、複数の電動ファンをガラス基板の長辺方向に複数配置したことにより、ガラス基板の長辺方向のガス流の均一化を実現できる。また、電動ファンを多翼式ファン（シロッコファン）としたことで、吸気側と排気側との圧力差が大きくなっても、ガラス基板間に安定して強制対流を形成することができる。
（４）（１）乃至（３）において、ガラス基板を挟むように一対のインナーウォールを設けたことにより、対流させたガス流をガラス基板に効率的に向かわせることができる。
（５）（４）において、電動ファンの側面まで一対のインナーウォールを延在させることにより、ガス流をガラス基板により効率的に向かわせることができる。
（６）（３）乃至（５）の何れか一つにおいて、電動ファンの少なくとも羽部および回転軸を、羽部の基材よりもセレン化耐性が高い物質でコーティングすることにより、ステンレス等の金属材料で複雑な加工が必要な羽部の基材を構成できる。
（７）（１）乃至（６）の何れか一つにおいて、反応管をステンレス等の金属材料で形成することにより、反応管を大きくすることができ、ガラス基板を大型化することができる。
（８）（７）において、反応管の少なくとも処理室の雰囲気に曝される部分を、反応管の基材よりもセレン化耐性の高い物質でコーティングすることにより、基板処理装置のコストを小さくすることができる。
（９）（１）乃至（８）の何れか一つにおいて、複数のガラス基板の表面の上部側に複数の開口部を有する整流板を配置したことにより、ガス流のコンダクタンスを調整することができる。その結果、電動ファンによる強制対流のガス流れの調整を行うことができ、ガス流の均一化を実現できる。
（１０）（９）において、整流板の開口部の開口率を電動ファンの直下の領域と電動ファンの間の領域とで異ならせることにより、電動ファンの配置によるガス流の乱れを調整することが可能となる。
（１１）（９）又は（１０）において、ガラス基板の下部側にも整流板を設けることにより、より細やかにガスのコンダクタンスを調整することが可能となる。
（１２）複数のガラス基板を保持するカセットを処理室内外に搬入出する搬送装置を、複数の車輪部を有する構成としたことにより、複数のガラス基板を大型化した場合も容易に搬送できる。言い換えれば、ガラス基板の大型化を実現できる。
（１３）（１２）において、カセットを持ち上げる昇降部を搬送装置に設けたことにより、カセットを搬送後、処理室から搬送装置を取り出すことが可能となる。
＜第２の実施形態＞
次に、図１及び図２に示される処理炉１０の他の実施形態を図１１を用いて説明する。図１１では、図１及び図２と同一の機能を有する部材には同一番号を付してある。また、ここでは、第１の実施形態と相違する点について主に説明する。
図１１に示す第２の実施形態では、複数のガラス基板２０を保持するカセット４１０を一つのみ載置した第１の実施形態と異なり、複数のカセット４１０（ここでは、３つ）を複数のガラス基板２０の表面と平行な方向に並べて配置している点が異なる。
本実施形態では、両端（最も外側）のガラス基板２０の外側の主面をそれぞれ覆うように一対の側壁４１３ａを設けたことにより、第１の実施形態と同様に、複数のガラス基板２０の夫々に対し、強制対流を均一に流すことが可能となる。また、同様に、ガラス基板２０群の短辺（前後端部）をそれぞれ覆うように一対の側壁４１３ｂを設けたことにより、複数のガラス基板２０の夫々に対し、強制対流を均一かつ効率的に流すことが可能となる。その結果、複数のガラス基板２０を同時に処理する際の基板間の温度均一性、及び、基板面内の温度均一性を向上させることが可能となる。
更に、本実施形態では、両端のガラス基板２０の外側の主面と、一対の側壁４１３ａの内側面と、の間の距離を、複数のガラス基板２０の主面間の距離とそれぞれ等しくなるようにしたことで、第１の実施形態と同様に、複数のガラス基板の夫々に対し、強制対流をより均一に流すことが可能となり、基板間の温度均一性、及び、基板面内の温度均一性をより向上させることが可能となる。
また、本実施形態では、電動ファン５００による処理室３０内の雰囲気の強制対流をガラス基板２０の短辺方向としているため、ガラス基板２０の長辺方向に複数カセット４１０を配置しても、夫々のガラス基板２０の表面を流れるガスの流れは、第１の実施形態と同様になる。従って、複数のガラス基板２０を長辺方向に複数並べることが可能となり、一度に処理できるガラス基板２０の数を増やすことができる。
なお、第１の実施形態で説明したように、一対の側壁４１３ａ、４１３ｂをカセット４１０に設けずに、反応管１００側に設けても良い。特に第２の実施形態では、複数のカセット４１０を並べて配置することにより一度の処理できるガラス基板２０の数を増やしている。この際、例えば、３個並べたカセット４１０の中央のカセット４１０は、その紙面左右方向に別のカセット４１０が配置される。この場合、中央に配置されるカセット４１０と他のカセット４１０とを接触するように配置することにより、一対の側壁４１３ｂを設けなくとも、ガスの流れをカセット４１０内に制限することが可能となる。従って、このような場合は、一対の側壁４１３ｂを設けなくともよい。
また、第１の実施形態で説明したように、本発明では、車輪部６０３を有する搬送装置６００によりカセット４１０を処理室３０内に搬送する。従って、本実施形態のようにカセット４１０を搬入口から順に並べて配置したとしても、アーム６０５の長さを調整することにより、遠くまでカセット４１０搬送することが可能となる。
更に、従来の石英製の反応管を用いるのではなく、ステンレス等の金属材料を反応管１００の基材として用いている。従って、反応管１００を大型化したとしても、石英製と比較してその成型が容易であり、また、そのコストの増加も石英製と比較して小さい。そのため、一度に処理できるガラス基板２０の数を増やすことができ、ＣＩＳ系太陽電池の製造コストを下げることができる。また、ステンレス等の金属材料を反応管の基材として使用することにより、石英製の反応管と比較して、その取り扱いも容易であり、反応管を大型化をすることができる。
また、本実施形態では、第１の実施形態の効果に加えて、以下に記す効果を実現できる。すなわち、反応管１００内に、複数のガラス基板２０を保持するカセット４１０をガラス基板２０の表面と平行な方向に並んで複数配置することにより、一度に処理できるガラス基板２０の数を増やすことができ、ＣＩＳ系太陽電池の製造コストを小さくすることができる。
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を図面を用いて説明してきたが、本発明の趣旨を逸脱しない限り、様々な変更が可能である。
例えば、上述の実施形態では、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）が形成された複数のガラス基板をセレン化処理することで説明したが、これに限らず、銅（Ｃｕ）／インジウム（Ｉｎ）や銅（Ｃｕ）／ガリウム（Ｇａ）等が形成された複数のガラス基板をセレン化処理するようにしてもよい。また、上述の実施形態では、金属材料との反応性の高いセレン化について言及したが、ＣＩＳ系太陽電池では、セレン化処理に変えて、若しくは、セレン化処理の後に硫黄元素含有ガスを供給し硫化処理を行う場合もある。その際も、本実施形態の大型反応炉を用いることにより、一度に硫化処理をできる枚数を増やすことができるため、製造コストの低下を実現できる。
また、上述の実施形態では、インナーウォール４００を反応管１００の下部から上部に渡って連続的に設けているが、これに限らない。即ち、カセット４１０に一対の側壁４１３ａを設けている部分については、一対の側壁４１３ａにより、ガスが整流されることになるため、この部分については、インナーウォール４００を設ける必要はなく、少なくとも一対の整流板４１３ａの上部を超えた部分から電動ファン５１０までの間に設け、ガスの流れを制限できればよい。このようにインナーウォール４００を構成する部材を少なくすることでコスト低減を図ることができる。
＜本発明の好ましい態様＞
最後に、本発明の好ましい主な態様を以下に付記する。
（１）銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数のガラス基板を収納する処理室と、
前記処理室を構成するように形成される反応管と、
前記処理室内に搬入自在に構成され、前記複数のガラス基板を互いの主面が所定の間隔を保ってそれぞれ対向するよう配列させると共に、配列させた前記複数のガラス基板のうち両端のガラス基板の外側の主面をそれぞれ覆う一対の側壁が設けられるカセットと、
前記処理室内にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気管と、
前記反応管を囲うように設けられた加熱部と、
前記複数のガラス基板の各主面において、前記複数のガラス基板の短辺方向に前記処理室内の雰囲気を強制対流させるファンと、を具備する基板処理装置。
（２）上記（１）において、前記両端のガラス基板の外側の主面と、前記カセットが備える前記一対の側壁の内側面と、の間の距離が、前記複数のガラス基板の主面間の距離とそれぞれ等しくなるよう構成されている基板処理装置。
（３）上記（１）又は（２）において、前記ファンは、前記ガラス基板の長辺方向に沿って複数配置される基板処理装置。
（４）上記（１）乃至（３）の何れか一つにおいて、前記複数のガラス基板の長辺方向に延在し、前記複数のガラス基板を挟むように設けられた一対のインナーウォールを更に具備する基板処理装置。
（５）上記（４）において、前記一対のインナーウォールは、更に前記ファンの側面を挟むように設けられる基板処理装置。
（６）上記（３）乃至（５）の何れか一つにおいて、前記ファンは、前記処理室内で回転する羽部を有し、前記羽部は、前記羽部の基材よりセレン化耐性又は硫化耐性が高い物質を主成分するコーティング膜により前記羽部の基材がコーティングされている基板処理装置。
（７）上記（１）乃至（６）の何れか一つにおいて、前記反応管の基材は、金属材料で形成される基板処理装置。
（８）上記（７）において、前記反応管の少なくとも前記処理室内の雰囲気に曝される部分は、前記反応管の基材よりセレン化耐性又は硫化耐性が高い物質でコーティングされる基板処理装置。
（９）上記（１）乃至（８）の何れか一つにおいて、前記複数のガラス基板の表面における前記セレン元素含有ガス又は前記硫黄元素含有ガスが流れる方向の前記複数の基板の上流側に複数の開口部を有する第１整流板が設けられる基板処理装置。
（１０）上記（９）において、前記複数のガラス基板の表面における前記セレン元素含有ガス又は前記硫黄元素含有ガスが流れる方向の前記複数のガラス基板の下流側に複数の開口部を有する第２整流板が設けられる基板処理装置。
（１１）上記（９）又は（１０）において、前記ファンは、前記複数のガラス基板の長辺方向に沿って複数設けられ、前記第１整流板のうち前記ファンの真下の領域の前記開口部の開口率は、複数配置された前記ファンの間の領域の前記開口部の開口率と異なる基板処理装置。
（１２）上記（１）乃至（１１）の何れか一つにおいて、前記複数のガラス基板は、カセットに保持され、前記カセットは、前記複数のガラス基板の長辺方向に複数配置される基板処理装置。
（１３）複数のガラス基板を保持するカセットを処理室内に搬送する搬送装置であって、前記カセットを支持する支持部と、前記支持部に固定される車輪部と、前記支持部及び前記車輪部を一体的に動作させるアームと、を具備する搬送装置。
（１４）上記（１３）において、前記搬送装置は、前記支持部と前記車輪部との間に設けられ昇降可能な昇降部を更に具備する搬送装置。
１０：処理炉、２０：ガラス基板、３０：処理室、１００：反応管、１０１：基材、１０２：コーティング膜、１１０：シールキャップ、１２０：マニホールド、２００：炉体加熱部、２１０：キャップ加熱部、３００：ガス供給管、３１０：排気管、４００：インナーウォール、４１０：カセット、４１１：保持部材、４１２：つば部、４１３ａ，４１３ｂ：側壁、４２０：設置台、４３０：第１整流板、４４０：第２整流板、５００：電動ファン、５１０：羽部、５２０：回転軸部、５３０：動力部、５４０：保護部材、６００：搬送装置、６０１：支持部、６０２：昇降部、６０３：車輪部、６０４：固定部材、６０５：アーム

Claims (5)

  1. 銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数のガラス基板を収納する処理室と、
    前記処理室を構成するように形成される反応管と、
    前記処理室内に搬入自在に構成され、前記複数のガラス基板を互いの主面が所定の間隔を保ってそれぞれ対向するよう配列させると共に、配列させた前記複数のガラス基板のうち両端のガラス基板の外側の主面をそれぞれ覆う一対の側壁が設けられるカセットと、
    前記処理室内にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、
    前記処理室内の雰囲気を排気する排気管と、
    前記反応管を囲うように設けられた加熱部と、
    前記複数のガラス基板の各主面において、前記複数のガラス基板の短辺方向に前記処理室内の雰囲気を強制対流させるファンと、を具備する基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
    前記両端のガラス基板の外側の主面と、前記カセットが備える前記一対の側壁の内側面と、の間の距離が、前記複数のガラス基板の主面間の距離とそれぞれ等しくなるよう構成されている基板処理装置。
  3. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
    前記ファンは、前記基板の長辺方向に沿って複数配置される基板処理装置。
  4. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
    前記複数のガラス基板の長辺方向に延在し、前記複数のガラス基板を挟むように設けられた一対のインナーウォールを更に具備する基板処理装置。
  5. 複数のガラス基板を保持するカセットを処理室内に搬送する搬送装置であって、
    前記カセットを支持する支持部と、
    前記支持部に固定される車輪部と、
    前記支持部及び前記車輪部を一体的に動作させるアームと、を具備する搬送装置。
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