JPWO2013065666A1 - ガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法 - Google Patents

ガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2013065666A1
JPWO2013065666A1 JP2013541776A JP2013541776A JPWO2013065666A1 JP WO2013065666 A1 JPWO2013065666 A1 JP WO2013065666A1 JP 2013541776 A JP2013541776 A JP 2013541776A JP 2013541776 A JP2013541776 A JP 2013541776A JP WO2013065666 A1 JPWO2013065666 A1 JP WO2013065666A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas nozzle
sintered body
main body
gas
ceramic sintered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013541776A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5865916B2 (ja
Inventor
淳史 田中
淳史 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=48192013&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPWO2013065666(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2013541776A priority Critical patent/JP5865916B2/ja
Publication of JPWO2013065666A1 publication Critical patent/JPWO2013065666A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5865916B2 publication Critical patent/JP5865916B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/03—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
    • C04B35/443—Magnesium aluminate spinel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
    • C04B35/505—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/6261—Milling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/62655—Drying, e.g. freeze-drying, spray-drying, microwave or supercritical drying
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62695—Granulation or pelletising
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/94—Products characterised by their shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/963—Surface properties, e.g. surface roughness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9669—Resistance against chemicals, e.g. against molten glass or molten salts

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】
本発明は、パーティクルの脱落を低減する要求に応えるガスノズルを提供するものである。
【解決手段】
本発明の一態様に係るガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体１３を備え、本体１３の一端面Ｓ１には、貫通孔１２におけるガスの排出口１５が形成されており、一端面Ｓ１における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は、セラミック焼結体における平均結晶粒径の５倍以上であることを特徴とするものである。

Description

本発明は、例えば半導体製造用もしくは液晶製造用の成膜装置またはエッチング装置などのプラズマ装置に用いられるガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法に関するものである。
従来、半導体製造工程または液晶製造工程において、半導体ウエハまたはガラス基板などの基板に薄膜を成膜するための成膜装置、および基板に微細加工を施すためのエッチング装置などのプラズマ装置が用いられている。成膜装置では、原料ガスが反応室内に定常的に供給導入され、この原料ガスを化学反応させることによって、基板上に薄膜を形成する。また、エッチング装置では、原料ガスとしてハロゲン系腐食性ガスが導入され、この原料ガスをプラズマ化してエッチングガスとして用いることにより、基板に微細加工を施す。
特開２０００−１９５８０７号公報に開示されているように、これらの装置は、原料ガスを導入するためのガスノズルを有している。このようなガスノズルとしては、セラミック焼結体を用いることができる。しかし、ガスノズルにセラミック焼結体を用いる場合には、所望の形状を得るために研削加工や研磨加工が必要となるが、このような加工を行うと、表面に損傷を受けて表面から粒子（パーティクル）が脱落しやすい状態となる。
そして、成膜装置やエッチング装置を用いる際に、ガスノズルの原料ガス排出口を有する端面が、反応室内のガスに晒されて損傷を受けて、パーティクルが脱落しやすくなる。このパーティクルが基板に付着すると、基板に不良が生じやすくなる。
本発明は、パーティクルの脱落を低減する要求に応えるガスノズルを提供するものである。
本発明の一態様に係るガスノズルは、ガスが流れる貫通孔が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体を備える。前記本体の一端面には、前記貫通孔における前記ガスの排出口が形成されている。前記一端面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は、前記セラミック焼結体における平均結晶粒径の５倍以上である。
本発明の一態様に係るガスノズルの製造方法は、貫通孔が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体用焼結体を準備する工程と、前記本体用焼結体の一端面に、第１研磨材を用いて第１ラップ加工を行なう工程と、該第１ラップ加工を行なった前記本体用焼結体の前記一端面に、前記第１研磨材よりも硬度が小さい第２研磨材を用いて第２ラップ加工を行なうことによって、ガスが流れる前記貫通孔が形成された前記セラミック焼結体からなる柱状の本体を作製する工程とを備える。
本発明の一態様に係るガスノズルによれば、パーティクルの脱落を低減することができる。
本発明の一態様に係るガスノズルの製造方法によれば、パーティクルの脱落を低減したガスノズルを作製することができる。
本発明の一実施形態によるガスノズルを用いた成膜装置の構成例を示す断面図である。 （ａ）は、図１に示したガスノズルの構成例を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ１−Ａ１線における断面図である。 （ａ）は、従来のガスノズルの本体の一端面の表面状態を示す拡大断面図であり、（ｂ）は、図１に示したガスノズルの本体の一端面の表面状態を示す拡大断面図である。 （ａ）は、本発明の一実施形態によるガスノズルの構成例を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ１−Ｂ１線における断面図である。 本発明の一実施形態によるガスノズルの製造方法を示し、本体の一端面（反応室内のガスに接する面）を仕上げ加工する方法を示した模式的な図である。 図４に示したガスノズルの製造方法を示し、一端面に接続した側面を仕上げ加工する方法を示した模式的な図である。
＜ガスノズル＞
以下に、本発明の一実施形態によるガスノズルについて、図１および２を参照して詳細に説明する。
図１に示すように、本実施形態によるガスノズルを用いた成膜装置１は、例えばプラズマＣＶＤ法によって半導体ウェハまたはガラス基板などの基板５に薄膜を成膜する装置である。成膜装置１は、薄膜を成膜するための反応室２と、反応室２内に原料ガスを導入するガス導入管３と、反応室２内においてガス導入管３に接続されたガスノズル４と、反応室２内において基板５が載置される、内部電極７を備えた静電チャックなどの基板保持部６と、内部電極７が接続される反応室２外部のバイアス電源８と、反応室２内にプラズマを生成するために反応室２外部に設けられたコイル９および電源１０とを備えている。このコイル９および電源１０は、反応室内に供給された原料ガスに放電を行なう放電手段を構成している。
このような成膜装置１において、基板５の上方では、ガスノズル４から供給された原料ガスが、コイル９および電源１０からの放電によってプラズマ化され、基板５上に薄膜が堆積形成される。例えば、基板５上に酸化ケイ素（ＳｉＯ２）絶縁薄膜を形成するときは、シラン（ＳｉＨ４）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、および酸素（Ｏ２）ガス等の原料ガスが供給され、不要堆積物をクリーニングするときは三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス、またはオクタフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）ガス等のクリーニングガスが供給される。
次に、成膜装置１に使用されるガスノズル４について説明する。図２に示すように、本実施形態によるガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２を備えた本体１３を有する。本体１３は、柱状に形成されており、例えば、下面（一端面Ｓ１）と上面（他端面Ｓ２）と一端面Ｓ１および他端面Ｓ２に接続する側面Ｓ３とからなる円柱状である。貫通孔１２は、ガスが流れる流路であり、ガスが供給される供給口１４とガスが排出される排出口１５とを有する。図２に示したガスノズル４では、供給口１４および排出口１５が、円柱の上面（他端面Ｓ２）および下面（一端面Ｓ１）にそれぞれ設けられている。
上述したガスノズルの本体１３は、一端面Ｓ１および側面Ｓ３が反応室２内のプラズマに晒されるため、耐プラズマ性の観点からセラミック焼結体を用いることが望ましく、さらには、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、すなわちアルミナよりも耐プラズマ性の高いセラミック材料を主成分とするセラミック焼結体を用いることが望ましい。このように耐プラズマ性の高いセラミック焼結体としては、イットリア（Ｙ２Ｏ３）もしくはイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）等の希土類を含むセラミック材料を主成分とするセラミック焼結体、または、アルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、すなわちスピネルを主成分とするセラミック焼結体を用いることができる。
ここで、本体１３がイットリア焼結体からなる場合には、耐プラズマ性が向上するため、ガスノズル４が腐食性ガスのプラズマに曝される環境下またはプラズマ密度の高い環境下で用いられたとしても、長い寿命を保持することができる。この場合、本体１３は、イットリアを主成分として例えば９９体積％以上９９．９９体積％以下含んでおり、例えば焼結助剤としてジルコニウム（Ｚｒ）またはシリコン（Ｓｉ）を０．０１体積％以上１体積％以下含んでいる。
また、本体１３がスピネル焼結体からなる場合には、耐プラズマ性が一定以上あり、且つイットリアなど希土類を含むセラミック焼結体よりも、機械的特性および熱的特性に優れている。この場合、本体１３は、スピネルを主成分として例えば９０体積％以上９９．９体積％以下含んでおり、例えば焼結助剤としてカルシウム（Ｃａ）、ジルコニウムまたはマグネシウム（Ｍｇ）を５体積％以上１０体積％以下含んでいる。特に、スピネル焼結体の焼結助剤としては、カルシウムまたはジルコニウムを用いることが望ましい。その結果、耐プラズマ性を高めることができる。
ところで、本体の一端面は、排出口が形成されており、反応室内のプラズマ化された腐食性ガスに直接触れるため、腐食性ガスにアタックされやすい。特に、一端面に凹部が形成されていると、該凹部が腐食性ガスにアタックされることで、パーティクルが脱落しやすくなる。一般的に、表面状態を表すものとして算術平均粗さ（Ｒａ）が知られているが、この算術平均粗さ（Ｒａ）は輪郭曲線の算術平均高さを示すものであるため、凹部の高さに影響される。したがって、算術平均粗さ（Ｒａ）が小さくても、本体の一端面における凹部の数を低減するものとは限らない。そして、従来の研磨加工では、焼成や研削加工による凹凸の高さを小さくして算術平均粗さ（Ｒａ）を小さくしたとしても、研磨加工時の応力で結晶粒子が破砕して微小な凹部が新たに形成されるため、図３（ａ）に示すように、本体１３´の一端面Ｓ１´における凹部の数を低減できない。すなわち、隣接する凹部間の距離を示す輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）を平均結晶粒径に対して大きくすることができない。それゆえ、凹部が腐食性ガスにアタックされることで、パーティクルが脱落しやすくなる。
一方、本実施形態においては、本体１３の一端面Ｓ１における凹部の数に着目し、後述する本実施形態の研磨加工を用いて加工時における結晶粒子の破砕を抑制することによって、図３（ｂ）に示すように、本体１３の一端面Ｓ１における凹部の数を低減し、本体１３の一端面Ｓ１における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）をセラミック焼結体の平均結晶粒径の５倍以上とした。その結果、本体１３の一端面Ｓ１における凹部の数を低減することによって、反応室２内のプラズマ化された腐食性ガスに直接触れたとしても、パーティクルの脱落を低減することができ、ひいてはウェハの不良を低減することができる。
特に、本体１３としてイットリア焼結体やスピネル焼結体を用いる場合は、アルミナ焼結体などと比較して材料強度が低く、通常の研磨加工では加工時に結晶粒子の破砕が起きやすいが、上述したように後述する本実施形態の研磨加工を用いて加工時における結晶粒子の破砕を抑制しているため、本体１３の一端面Ｓ１における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）をセラミック焼結体の平均結晶粒径の５倍以上とすることができる。
ここで、輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は、ＪＩＳＢ０６０１：２００１に準拠しており、表面粗さ計を用いて測定する粗さ曲線の横方向のパラメーターであって、基準長さにおける凹凸間の距離の平均値である。輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）によって粒子脱落の程度を判定することが可能となり、輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）が大きい程、研磨加工による結晶粒子の破砕が少ないことを表す。
また、本体１３の一端面Ｓ１における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は、例えばセラミック焼結体の平均結晶粒径の１００倍以下に設定されている。また、本体１３の一端面Ｓ１における算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば０．０５μｍ以下に設定されている。なお、算術平均粗さ（Ｒａ）の定義は、ＪＩＳＢ０６０１：２００１に準拠している。
また、図４に示すように、本体１３の側面Ｓ３においても、輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）がセラミック焼結体の平均結晶粒径の５倍以上であることが望ましい。その結果、反応室内のプラズマ化された腐食性ガスに直接触れる本体１３の側面Ｓ３においても、パーティクルの脱粒を抑制できる。また、図４においては、側面Ｓ３は、一端面Ｓ１側の一領域Ｒのみにおける輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）がセラミック焼結体の平均結晶粒径の５倍以上となっている。その結果、腐食性ガスに触れやすい一領域Ｒにおける耐プラズマ性を高めることができる。なお、図４に示す本体１３は、一領域Ｒを側面とする部分の幅が、他の部分の幅よりも小さくなっている。
本体１３の他端面Ｓ２は、加工工程を簡略化するため、上述した本実施形態の研磨加工を行わなくても構わない。この場合、輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）がセラミック焼結体の平均結晶粒径の例えば２倍以上４倍以下となる。
＜ガスノズルの製造方法＞
次に、本実施形態によるガスノズルの製造方法の一例を説明する。このガスノズルの製造方法は、本体１３となるセラミック焼結体を作製する工程と、所望の形状の本体１３を得るため、セラミック焼結体を加工する工程とを備えている。
（セラミック焼結体の作製）
まず、本体１３をイットリア焼結体で形成する場合について以下に説明する。
まず、イットリア粉末に純水と有機バインダーを加えた後、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製する。その後、スラリーをスプレードライにて造粒する。造粒したイットリア粉末を用いて、金型プレス法または冷間静水圧プレス成形法（ＣＩＰ成形法）などの任意の成形法を用いて所定の形状に成形して成形体を得る。そして、成形体を必要に応じ４００℃以上６００℃以下で脱脂して有機バインダーを分解した後、大気雰囲気中または酸素雰囲気中のいずれかにて１４００℃以上１７００℃以下で焼成することにより、イットリア焼結体を得ることができる。
次に、本体１３をスピネル焼結体で形成する場合について以下に説明する。
まず、出発原料である高純度の水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）および酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を準備し、所定の割合となるよう秤量後、ボールミルで湿式混合して１次原料を得る。そして、１次原料を乾燥後、１１００℃以上１３００℃以下の温度で仮焼して仮焼体を得る。次に、仮焼体をボールミル等により平均粒径が２μｍ以下、好ましくは平均粒径が１．５μｍ以下となるまで湿式粉砕してスラリーを得る。そして、スラリーを容器に移し、乾燥機内で乾燥した後、メッシュを通過させることにより、仮焼粉体を得る。なお、カルシウムおよびジルコニウムについては、１次原料を得るための混合・粉砕時から添加してもよいが、この仮焼粉体に添加してもよい。
次に、仮焼粉体に所定量の純水およびバインダーを加えた後、ボールミル等により所定時間湿式混合した後、スプレードライヤーで噴霧造粒して２次原料を得る。そして、この２次原料を用いて、金型プレス法または冷間静水圧プレス成形法などの任意の成形法を用いて所定の形状に成形して成形体を得る。その後、成形体を大気雰囲気中１５５０℃以上１７５０℃以下の温度で焼成することにより、本実施形態のスピネル焼結体を得ることができる。なお、緻密化を促進させるために熱間静水圧プレス法を用いても構わない。
以上のようにして得られるイットリア焼結体およびスピネル焼結体は、本体１３の貫通孔１２が形成される前の焼結体であり、以下では、「本体用焼結体１３」という。
（セラミック焼結体の加工）
本体用焼結体１３の形状を所望のものとするための加工について、以下に説明する。
まず、研削加工を用いて、本体用焼結体１３に貫通孔１２や外形形状を形成する。次に、研磨加工を用いて、本体用焼結体１３の一端面Ｓ１を研磨する。
ここで、イットリア焼結体またはスピネル焼結体からなる本体用焼結体１３の一端面Ｓ１の研磨加工について、以下に詳細に説明する。
まず、ダイヤモンド研磨材と鋳鉄系ラップ盤とを用いた第１ラップ加工を行う。次に、図５に示すように、ダイヤモンド研磨材よりも硬度が小さい軟質材料からなる研磨材１７と軟質系研磨パッドなどのラップ盤１８とを用いた第２ラップ加工（仕上げ加工）を行う。この仕上げ加工に使用する研磨材は、例えば、モース硬度が９であるアルミナ研磨材や、モース硬度が２．５であるセリア研磨材を用いることができる。研磨材の硬度は、加工対象となるセラミック焼結体に応じて適宜選択される。具体的には、例えばイットリア焼結体の場合であれば、平均粒径が１μｍのアルミナ研磨材を使用し、ポリウレタンパッド上で２〜１０時間程度仕上げ加工を行えばよい。
これにより、ダイヤモンド研磨材を用いた第１ラップ加工で、材料強度が小さいイットリア焼結体やスピネル焼結体は、加工時の応力によって結晶粒子が破砕して破砕層が形成されるが、軟質材料からなる研磨材を用いた仕上げ加工を追加することにより、結晶粒子の破砕を抑制しつつ研磨することができるため、第１ラップ加工で発生した結晶粒子の破砕層を除去することができる。また、第２ラップ加工の前に第１ラップ加工を行って一端面Ｓ１の算術平均粗さ（Ｒａ）を小さくしておくことによって、加工時間を短縮することができる。
ここで、図４に示すガスノズルを作製する場合は、本体用焼結体１３の側面Ｓ３における一領域Ｒの研磨加工については、以下のように行うことができる。
まず、固定砥石を用いた円筒研削を行う。次に、図６に示すように、軟質系研磨パッドを貼り付けた治具１９とダイヤモンド研磨材よりも硬度が小さい軟質材料からなる研磨材とを用いた第２ラップ加工（仕上げ加工）を行う。この仕上げ加工に使用する研磨材は、上述した一端面Ｓ１の仕上げ加工と同様のものを用いることができる。また、具体的には、例えばイットリア焼結体の場合には、１μｍサイズのアルミナ研磨材を使用し、ポリウレタンパッドを貼り付けた治具を用いて２〜１０時間程度仕上げ加工を行えばよい。
以上のようにして、ガスノズル４を作製することができる。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
例えば、上述した実施形態において、ガスノズルを成膜装置に用いた構成を例に説明したが、ガスノズルは他の半導体製造装置や液晶製造装置に用いてもよく、例えばエッチング装置に用いても構わない。
また、上述した実施形態において、排出口は、柱状である本体の一端面に形成した構成を例に説明したが、排出口は、本体の反応室内に露出した面に形成すればよく、例えば、本体の側面に形成しても構わない。この場合、本体の側面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）をセラミック焼結体の平均結晶粒径の５倍以上とすることが望ましい。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明は、下記実施例によって限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の変更、実施の態様は、いずれも本発明の範囲内に含まれる。
（評価方法）
表１に示すように、各種セラミック焼結体および加工方法を用いて試料１〜１５のガスノズルを作製し、各ガスノズルについて、キーエンス社製のデジタルマイクロスコープ装置を用いて、表面観察することによって、本体の一端面における平均結晶粒径（Ｄ）を測定した。また、各ガスノズルについて、小坂研究所社製の表面粗さ装置を用いて、表面状態を測定することによって、本体の一端面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）および算術平均粗さ（Ｒａ）を測定した。また、各ガスノズルについて、アネルバ社製のプラズマエッチング装置を用いて、プラズマエッチング評価することによって、耐プラズマ性を評価した。なお、耐プラズマ性は、試料１を基準とした相対値を用いており、数値が小さいと耐プラズマ性が高い。
（ガスノズルの作製条件）
まず、イットリア焼結体（試料１〜６）およびスピネル焼結体（試料７〜１２）を作製した。
イットリア焼結体は以下のように作製した。まず、イットリア粉末に純水およびバインダーを加え、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをスプレードライにて造粒した後、ＣＩＰ成形法を用いて成形体を作製し、成形体を大気雰囲気中にて１４００℃以上１７００℃以下で焼成した。
スピネル焼結体は以下のように作製した。まず、水酸化マグネシウムおよび酸化アルミニウムを１：１の割合となるように混合し、ボールミルで湿式混合して１次原料を作製した。そして、１次原料を１１００℃以上１３００℃以下の温度で仮焼して仮焼体を作製した後、仮焼体をボールミル等により平均粒径が２μｍとなるまで湿式粉砕してスラリーを得た。そして、スラリーを乾燥した後、メッシュを通過させることにより、平均粒径が１．５μｍの仮焼粉体を作製した。次に、仮焼粉体に純水およびバインダーを加え、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製した。次に、スラリーをスプレードライヤーにて造粒した後、ＣＩＰ成形法等を用いて成形体を作製し、成形体を大気雰囲気中１５５０℃以上１７５０℃以下の温度で焼成した。
次に、セラミック焼結体に研削加工で貫通孔を形成した後、一端面を研磨加工した。研磨加工においては、各焼結体に対し、第１ラップ加工のみを行ったもの（試料１〜３、７〜９）と、第１ラップ加工の後に第２ラップ加工を行ったもの（試料４〜６、１０〜１２）を作製した。
第１ラップ加工は、平均粒径が２μｍのダイヤモンド研磨材を使用し、鋳鉄系ラップ盤上で所定の時間ラップ加工を行った。第２ラップ加工は、平均粒径が１μｍのアルミナ研磨材を使用し、ポリウレタンパッド上で２時間ラップ加工を行った。
Figure 2013065666
（結果）
表１に示すように、第１ラップ加工のみを行った試料１〜３、７〜９では、Ｒｓｍ／Ｄが２倍以上４倍以下と小さくなっているのに対し、第１ラップ加工に加えて第２ラップ加工を行った試料４〜６、１０〜１２は、Ｒｓｍ／Ｄが７倍以上２０倍以下と大きくなっていた。そして、セラミック焼結体としてイットリア焼結体を用いた試料において、第１ラップ加工に加えて第２ラップ加工を行った試料４は、第１ラップ加工のみを行った試料１と比較して、耐プラズマ性が向上していた。また、セラミック焼結体としてスピネル焼結体を用いた試料において、第１ラップ加工に加えて第２ラップ加工を行った試料１０は、第１ラップ加工のみを行った試料７と比較して、耐プラズマ性が向上していた。
以上の結果より、本発明のガスノズルによれば、本体の一端面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）をセラミック焼結体における平均結晶粒径（Ｄ）の５倍以上とすることによって、耐プラズマ性を向上させることができるため、本体の一端面がプラズマ化したガスに晒された際にパーティクルの脱落を低減できることが確かめられた。
１ 成膜装置
２ 反応室
３ ガス導入管
４ ガスノズル
５ 基板
６ 基板保持部
７ 内部電極
８ バイアス電源
９ コイル
１０ 電源
１２ 貫通孔
１３ 本体
１４ 供給口
１５ 排出口
１７ 研磨材
１８ ラップ盤
１９ 治具

Claims (11)

  1. ガスが流れる貫通孔が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体を備え、
    前記本体の一端面には、前記貫通孔における前記ガスの排出口が形成されており、
    前記一端面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は、前記セラミック焼結体における平均結晶粒径の５倍以上であることを特徴とするガスノズル。
  2. 請求項１に記載のガスノズルにおいて、
    前記一端面における算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０５μｍ以下であることを特徴とするガスノズル。
  3. 請求項１に記載のガスノズルにおいて、
    前記一端面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は、前記セラミック焼結体における平均結晶粒径の１００倍以下であることを特徴とするガスノズル。
  4. 請求項１に記載のガスノズルにおいて、
    前記本体の前記一端面に接続した側面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は、前記セラミック焼結体における平均結晶粒径の５倍以上であることを特徴とするガスノズル。
  5. 請求項４に記載のガスノズルにおいて、
    前記排出口は、前記本体に複数形成されており、且つ前記側面にも形成されていることを特徴とするガスノズル。
  6. 請求項１に記載のガスノズルにおいて、
    前記セラミック焼結体の主成分は、イットリアであることを特徴とするガスノズル。
  7. 請求項１に記載のガスノズルにおいて、
    前記セラミック焼結体の主成分は、スピネルであることを特徴とするガスノズル。
  8. 請求項７に記載のガスノズルにおいて、
    前記セラミック焼結体は、カルシウムおよびジルコニウムの少なくとも一方を含むことを特徴とするガスノズル。
  9. 反応室と、
    該反応室内にガスを供給する請求項１に記載のガスノズルと、
    前記ガスを放電によってプラズマ化させる放電手段とを備えたことを特徴とするプラズマ装置。
  10. 貫通孔が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体用焼結体を準備する工程と、
    前記本体用焼結体の一端面に、第１研磨材を用いて第１ラップ加工を行なう工程と、
    該第１ラップ加工を行なった前記本体用焼結体の前記一端面に、前記第１研磨材よりも硬度が小さい第２研磨材を用いて第２ラップ加工を行なうことによって、ガスが流れる前記貫通孔が形成された前記セラミック焼結体からなる柱状の本体を作製する工程とを備えたことを特徴とするガスノズルの製造方法。
  11. 請求項１０に記載のガスノズルの製造方法において、
    前記本体用焼結体を準備する工程では、
    前記本体用焼結体としてイットリアまたはスピネルを主成分とするセラミック焼結体からなるものを用いて、
    前記第１ラップ加工を行なう工程では前記第１研磨材としてダイヤモンド研磨材を用いて、
    前記本体を作製する工程では前記第２研磨材としてアルミナ研磨材を用いることを特徴とするガスノズルの製造方法。
JP2013541776A 2011-10-31 2012-10-30 ガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法 Active JP5865916B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013541776A JP5865916B2 (ja) 2011-10-31 2012-10-30 ガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011239311 2011-10-31
JP2011239311 2011-10-31
JP2013541776A JP5865916B2 (ja) 2011-10-31 2012-10-30 ガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法
PCT/JP2012/077978 WO2013065666A1 (ja) 2011-10-31 2012-10-30 ガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2013065666A1 true JPWO2013065666A1 (ja) 2015-04-02
JP5865916B2 JP5865916B2 (ja) 2016-02-17

Family

ID=48192013

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013541776A Active JP5865916B2 (ja) 2011-10-31 2012-10-30 ガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9633822B2 (ja)
JP (1) JP5865916B2 (ja)
WO (1) WO2013065666A1 (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9633822B2 (en) * 2011-10-31 2017-04-25 Kyocera Corporation Gas nozzle, plasma apparatus using the same, and method for manufacturing gas nozzle
US9790596B1 (en) 2013-01-30 2017-10-17 Kyocera Corporation Gas nozzle and plasma device employing same
US10465288B2 (en) * 2014-08-15 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Nozzle for uniform plasma processing
CN105448633B (zh) * 2014-08-22 2018-05-29 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置
USD793971S1 (en) 2015-03-27 2017-08-08 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 14-pocket configuration
USD778247S1 (en) * 2015-04-16 2017-02-07 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a multi-pocket configuration
WO2017073679A1 (ja) * 2015-10-30 2017-05-04 京セラ株式会社 シャワープレート、半導体製造装置およびシャワープレートの製造方法
US10711636B2 (en) * 2015-12-22 2020-07-14 General Electric Company Feedstocks for use in coating components
JP1597807S (ja) * 2017-08-21 2018-02-19
KR102585554B1 (ko) * 2018-06-28 2023-10-06 교세라 가부시키가이샤 세라믹 소결체 및 플라즈마 처리 장치용 부재
JPWO2020110965A1 (ja) 2018-11-26 2021-09-30 京セラ株式会社 ガスノズルおよびガスノズルの製造方法ならびにプラズマ処理装置
EP3888848A4 (en) * 2018-11-26 2022-08-03 Kyocera Corporation GAS NOZZLE, METHOD OF MAKING A GAS NOZZLE AND PLASMA TREATMENT DEVICE
JP7420600B2 (ja) * 2019-03-26 2024-01-23 日本特殊陶業株式会社 耐食性部材
US11008260B2 (en) 2019-03-26 2021-05-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Corrosion resistant materials
WO2021020502A1 (ja) * 2019-07-31 2021-02-04 京セラ株式会社 ガスノズルおよびそれを用いたプラズマ処理用装置
US20220392753A1 (en) * 2019-11-05 2022-12-08 Lam Research Corporation Single crystal metal oxide plasma chamber component
TWI767244B (zh) * 2020-05-29 2022-06-11 朗曦科技股份有限公司 半導體製程腔體之氣體噴頭
US20210403337A1 (en) * 2020-06-30 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Yttrium oxide based coating and bulk compositions
JP7382907B2 (ja) 2020-07-13 2023-11-17 三菱重工マリンマシナリ株式会社 冷熱発電用のタービン
CN114105680B (zh) * 2021-11-25 2022-11-15 佛山市东鹏陶瓷有限公司 一种抛光面防滑防污的瓷砖及其制备方法和用途
CN114195517B (zh) * 2021-11-30 2023-03-28 常州市卓群纳米新材料有限公司 一种无添加剂的热喷涂用高纯氧化钇球型颗粒的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11214365A (ja) * 1998-01-28 1999-08-06 Kyocera Corp 半導体素子製造装置用部材
JP2000195807A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Kyocera Corp 半導体製造装置用ガス導入ノズル
JP2000346347A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 廃棄物燃焼灰分の溶融部用部材
JP2002154870A (ja) * 2000-11-15 2002-05-28 National Institute For Materials Science 透明スピネル焼結体の製造法
JP2004088077A (ja) * 2002-06-28 2004-03-18 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエハ処理用部材
JP2004111686A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体処理用部材及び半導体処理用部材の洗浄方法
JP2005507159A (ja) * 2001-10-15 2005-03-10 ラム　リサーチ　コーポレーション 調整可能なマルチゾーンガス噴射システム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6120640A (en) * 1996-12-19 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Boron carbide parts and coatings in a plasma reactor
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US7255775B2 (en) 2002-06-28 2007-08-14 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Semiconductor wafer treatment member
JP2011144412A (ja) * 2010-01-13 2011-07-28 Honda Motor Co Ltd プラズマ成膜装置
US9633822B2 (en) * 2011-10-31 2017-04-25 Kyocera Corporation Gas nozzle, plasma apparatus using the same, and method for manufacturing gas nozzle
US9394615B2 (en) * 2012-04-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Plasma resistant ceramic coated conductive article

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11214365A (ja) * 1998-01-28 1999-08-06 Kyocera Corp 半導体素子製造装置用部材
JP2000195807A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Kyocera Corp 半導体製造装置用ガス導入ノズル
JP2000346347A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 廃棄物燃焼灰分の溶融部用部材
JP2002154870A (ja) * 2000-11-15 2002-05-28 National Institute For Materials Science 透明スピネル焼結体の製造法
JP2005507159A (ja) * 2001-10-15 2005-03-10 ラム　リサーチ　コーポレーション 調整可能なマルチゾーンガス噴射システム
JP2004088077A (ja) * 2002-06-28 2004-03-18 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエハ処理用部材
JP2004111686A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体処理用部材及び半導体処理用部材の洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5865916B2 (ja) 2016-02-17
US9633822B2 (en) 2017-04-25
WO2013065666A1 (ja) 2013-05-10
US20140283995A1 (en) 2014-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5865916B2 (ja) ガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法
JP6046752B2 (ja) ガスノズルおよびこれを用いたプラズマ装置
JP5466831B2 (ja) イットリア焼結体およびプラズマプロセス装置用部材
JP2003146751A (ja) 耐プラズマ性部材及びその製造方法
CN108352319B (zh) 喷淋板、半导体制造装置以及喷淋板的制造方法
JP2022526851A (ja) エッチング用途向けの制御された多孔質酸化イットリウム
JP3555442B2 (ja) プラズマ耐食性に優れたアルミナセラミックス材料およびその製造方法
JP2012206913A (ja) フッ化マグネシウム焼結体、その製法及び半導体製造装置用部材
JP4798693B2 (ja) プラズマ処理装置用イットリアセラミックス部品及びその製造方法
JP2009179507A (ja) 炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体、その製造方法およびその焼結体を用いた部材
KR20240010724A (ko) 플라즈마 저항성 재료를 위한 이트리아-지르코니아 소결 세라믹
JP3904886B2 (ja) シャワープレート
JP2000313655A (ja) 高密度酸化マグネシウム質焼結体及びその製造方法、並びにプラズマ処理装置用部材
JP2008260644A (ja) イットリア焼結体およびプラズマプロセス装置用部材
JP7420600B2 (ja) 耐食性部材
US11008260B2 (en) Corrosion resistant materials
JP7112509B2 (ja) セラミックチューブ
JP2000247728A (ja) 耐食性に優れたアルミナセラミックス焼結体
JP2022152706A (ja) Ｙａｇ焼結体およびその製造方法
JP2007254190A (ja) 窒化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウム焼結体の製造方法、及び部材
JP2002029831A (ja) 耐プラズマ性部材およびその製造方法
JP2013134946A (ja) 放電用電極体、放電用電極体アセンブリおよび放電処理装置
JP2023056147A (ja) 酸化イットリウム質焼結体、および半導体製造装置用部材
JP2004067401A (ja) 粗表面を有するＡｌＮセラミックス部材及びその製造方法
CN116635349A (zh) 烧结体

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150901

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151102

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151228

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5865916

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150